JP5378448B2 - 塗布、現像装置及びその方法 - Google Patents
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Description
a)前記処理ブロックは、基板に薬液であるレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための単位ブロックと基板に反射防止膜用の薬液を供給して反射防止膜を形成するための単位ブロックとを互いに上下に積層した複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、薬液である現像液を基板に供給することにより現像を行う現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとは互いに積層されて、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとの積層構造が形成され、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に供給するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
d)液浸露光される際の液体に対してレジスト膜を保護するための保護膜を基板に形成するための保護膜塗布ユニットを、前記レジスト膜を形成するための単位ブロック及び前記反射防止膜を形成するための単位ブロックのいずれかに設け、
e)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第1の受け渡しステージを積層して構成された第1の受け渡しステージ群と、
各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第2の受け渡しステージを積層して構成された第2の受け渡しステージ群と、
前記第1の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第1の基板受け渡し手段と、
前記第2の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための、第1の基板受け渡し手段とは別個に設けられた第2の基板受け渡し手段と、を設けたことを特徴とする。
また他の発明は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して液浸露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた液浸露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、基板に薬液であるレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための単位ブロックと基板に反射防止膜用の薬液を供給して反射防止膜を形成するための単位ブロックとを互いに上下に積層した複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、薬液である現像液を基板に供給することにより現像を行う現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとは互いに積層されて、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとの積層構造が形成され、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に供給するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
d)露光前の基板を洗浄するための洗浄ユニットを、前記レジスト膜を形成するための単位ブロック及び前記反射防止膜を形成するための単位ブロックのいずれかに設けたことを特徴とする。
さらに他の発明は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して液浸露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた液浸露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、基板に薬液であるレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための単位ブロックと基板に反射防止膜用の薬液を供給して反射防止膜を形成するための単位ブロックとを互いに上下に積層した複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、薬液である現像液を基板に供給することにより現像を行う現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとは互いに積層されて、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとの積層構造が形成され、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に供給するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
d)露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニットを、前記現像処理用の単位ブロックに設け、
e)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第1の受け渡しステージを積層して構成された第1の受け渡しステージ群と、
各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第2の受け渡しステージを積層して構成された第2の受け渡しステージ群と、
前記第1の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第1の基板受け渡し手段と、
前記第2の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための、第1の基板受け渡し手段とは別個に設けられた第2の基板受け渡し手段と、を設けたことを特徴とする。
さらにまた他の発明は、本発明の塗布、現像装置を用いて行う塗布、現像方法であって、
塗布膜形成用の単位ブロックにて、基板に反射防止膜を形成する工程と、
次いで前記反射防止膜の形成が行われる単位ブロックとは異なる層に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにて、前記基板表面に形成された反射防止膜の上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
その後、前記レジスト液の塗布が行われる単位ブロック内に設けられた保護膜塗布ユニットにより前記レジスト膜の上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成され、液浸露光された後の基板に対して、前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて現像処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
り、TCT層B3にウエハWを受け渡すために第1の受け渡しステージTRS3に搬送され、当該TCT層B3のメインアームA3に受け渡される。そしてTCT層B3では、メインアームA3により、冷却ユニット(COL3)→第2の反射防止膜形成ユニット33→加熱ユニット(CHP3)→周縁露光装置(WEE)→棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS8の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第2の反射防止膜が形成される。
続いて第2の受け渡しステージTRS8のウエハWはインターフェイスアームBにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハWは、インターフェイスアームBにより、DEV層B1(DEV層B2)にウエハWを受け渡すために、棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS6(TRS7)に搬送され、このステージTRS6(TRS7)上のウエハWは、DEV層B1(DEV層B2)メインアームA1(メインアームA2)に受け取られ、当該DEV層B1(B2)にて、先ず加熱ユニット(PEB1(PEB2))→冷却ユニット(COL1(COL2))→現像ユニット32→加熱ユニット(POST1(POST2))の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハWは、トランスファーアームCにウエハWを受け渡すために、第1の受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送され、トランスファーアームCにより、キャリアブロックS1に載置されている元のキャリア20に戻される。
り、ITC層B6に受け渡すために温調ユニット(CPL6)の第2の温調プレート520に搬送され、この温調プレート520の上に例えば12秒間載置されることにより、ウエハWは(23+1)℃から(23+0.2)℃に冷却される。そしてメインアームA6により保護膜塗布ユニット401→加熱ユニット(CHP6)→棚ユニットU6の温調ユニット(CPL9)の第1の温調プレート510の順序で搬送され、加熱ユニット(CHP6)の冷却プレート54にて約50℃に粗熱取りされたウエハWは、この温調ユニット(CPL9)の第1の温調プレート510の上に12秒程度載置されることにより、(23+1)℃まで冷却される。
20 キャリア
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
S4 露光装置
S5 補助ブロック
A1〜A5 メインアーム
B インターフェイスアーム
C トランファーアーム
D1 第1の受け渡しアーム
D2 第2の受け渡しアーム
E 第3の受け渡しアーム
F1,F2 第4の受け渡しアーム
31 塗布ユニット
32 現像ユニット
33 第1の反射防止膜形成ユニット
34 第2の反射防止膜形成ユニット
6 制御部
71 検査ユニット
72 洗浄ユニット
401 保護膜塗布ユニット
402 保護膜除去ユニット
403 洗浄ユニット
500 温調ユニット
510 第1の温調プレート
520 第2の温調プレート
Claims (11)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して液浸露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた液浸露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、基板に薬液であるレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための単位ブロックと基板に反射防止膜用の薬液を供給して反射防止膜を形成するための単位ブロックとを互いに上下に積層した複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、薬液である現像液を基板に供給することにより現像を行う現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとは互いに積層されて、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとの積層構造が形成され、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に供給するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
d)液浸露光される際の液体に対してレジスト膜を保護するための保護膜を基板に形成するための保護膜塗布ユニットを、前記レジスト膜を形成するための単位ブロック及び前記反射防止膜を形成するための単位ブロックのいずれかに設け、
e)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第1の受け渡しステージを積層して構成された第1の受け渡しステージ群と、
各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第2の受け渡しステージを積層して構成された第2の受け渡しステージ群と、
前記第1の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第1の基板受け渡し手段と、
前記第2の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための、第1の基板受け渡し手段とは別個に設けられた第2の基板受け渡し手段と、を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記現像処理用の単位ブロックに、レジスト膜の上に形成された撥水性の保護膜を除去するための保護膜除去ユニットを設けることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 露光前の基板を洗浄するための洗浄ユニットを、前記レジスト膜を形成するための単位ブロック、前記反射防止膜を形成するための単位ブロック及び前記現像処理用の単位ブロックのいずれかに設けたことを特徴とする請求項1または2記載の塗布、現像装置。
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して液浸露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた液浸露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、基板に薬液であるレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための単位ブロックと基板に反射防止膜用の薬液を供給して反射防止膜を形成するための単位ブロックとを互いに上下に積層した複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、薬液である現像液を基板に供給することにより現像を行う現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとは互いに積層されて、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとの積層構造が形成され、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に供給するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
d)露光前の基板を洗浄するための洗浄ユニットを、前記レジスト膜を形成するための単位ブロック及び前記反射防止膜を形成するための単位ブロックのいずれかに設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第1の受け渡しステージを積層して構成された第1の受け渡しステージ群と、
各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第2の受け渡しステージを積層して構成された第2の受け渡しステージ群と、
前記第1の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第1の基板受け渡し手段と、
前記第2の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための、第1の基板受け渡し手段とは別個に設けられた第2の基板受け渡し手段と、を備えることを特徴とする請求項4に記載の塗布、現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して液浸露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた液浸露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、基板に薬液であるレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための単位ブロックと基板に反射防止膜用の薬液を供給して反射防止膜を形成するための単位ブロックとを互いに上下に積層した複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、薬液である現像液を基板に供給することにより現像を行う現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとは互いに積層されて、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとの積層構造が形成され、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に供給するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
d)露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニットを、前記現像処理用の単位ブロックに設け、
e)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第1の受け渡しステージを積層して構成された第1の受け渡しステージ群と、
各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第2の受け渡しステージを積層して構成された第2の受け渡しステージ群と、
前記第1の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第1の基板受け渡し手段と、
前記第2の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための、第1の基板受け渡し手段とは別個に設けられた第2の基板受け渡し手段と、を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び露光処理後現像処理前並びに現像処理後のいずれかの処理を行なうユニットを備えた補助ブロックを設けることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
- 前記補助ブロックに設けられるユニットは、基板表面の状態を検査するための、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、露光前及び/又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び/又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つであることを特徴とする請求項7記載の塗布、現像装置。
- 前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、
前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットをインターフェイスブロックに設けることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - 前記処理ブロックを構成するいずれかの単位ブロックには、基板を検査するための検査ユニットが設けられていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
- 請求項1記載の塗布、現像装置を用いて行う塗布、現像方法であって、
塗布膜形成用の単位ブロックにて、基板に反射防止膜を形成する工程と、
次いで前記反射防止膜の形成が行われる単位ブロックとは異なる層に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにて、前記基板表面に形成された反射防止膜の上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
その後、前記レジスト液の塗布が行われる単位ブロック内に設けられた保護膜塗布ユニットにより前記レジスト膜の上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成され、液浸露光された後の基板に対して、前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて現像処理を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
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