JP2011193014A - 塗布、現像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に対して反射防止膜を形成する工程、レジスト膜を形成する工程、露光後の基板に対して現像を行う工程を実施する塗布、現像装置において、装置の奥行き寸法を抑えること。
【解決手段】基板にレジスト膜を形成するためのＣＯＴ層Ｂ４と、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのＢＣＴ層Ｂ５と、レジスト膜の上に反射防止膜を形成するためのＴＣＴ層Ｂ３と、現像処理を行うためのＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とを互に積層する。これら積層体の前後に各層に対応する受け渡しステージを積層した受け渡しステージ群を設け、受け渡しステージを介して各層の間で基板の受け渡しができる。またレジスト液を基板に塗布するユニットなどの薬液ユニットについては、横並びの３連カップを共通の処理容器内に配置し、これらカップ内でレジスト塗布などの液処理を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。

このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。このような装置としては例えば特許文献１に示す構成が知られており、この装置では例えば図２３に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内の塗布ユニット１３Ａに搬送されて、レジスト液が塗布され、次いでインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。

露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像ユニット１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。図中１４（１４ａ〜１４ｃ）は、塗布ユニット１３Ａや現像ユニット１３Ｂの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行なうための加熱ユニット、冷却ユニットや、受け渡しステージ等を備えた棚ユニットである。ここでウエハＷは処理ブロック１Ｂに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、塗布ユニット１３Ａと現像ユニット１３Ｂと棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送される。この際、ウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送されている。

ところで、目的とするレジスト膜の種類により、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合や、レジスト膜の上下の一方に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合等、塗布の態様が異なり、このためロットにより必要となる塗布ユニットや、加熱ユニット、冷却ユニット等の塗布膜形成のためのユニットの処理条件が異なる場合がある。この場合、これら塗布ユニットや、加熱ユニット、冷却ユニットが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、目的とするレジスト膜の種類により使用するユニットが異なるためにウエハの搬送の流れが異なってくるので、レジスト膜の種類毎に複雑な搬送プログラムを用意しなければならないが、前記搬送スケジュールに沿って作成される搬送プログラムが元々複雑であるので、目的のレジスト膜毎に搬送プログラムを用意するのは非常に煩雑な作業になり、現実的ではない。

また塗布ユニットや、加熱ユニット、冷却ユニットが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、１つの処理ブロックに組み込まれるユニット数が多く、処理ブロックが大型化し、占有面積が大きくなってしまう。さらに近年露光装置のスループットが早くなってきており、塗布、現像装置においても露光装置のススループットに合わせた処理能力が求められているが、露光前の処理であるレジストの形成のためのユニット及び反射防止膜の形成のためのユニットに対するウエハＷの搬送と、露光後の処理である現像を行うためのユニットに対するウエハＷの搬送と、を共通の搬送系で行なっているため、高スループット化が困難であるという問題がある。

このため本発明者らは、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を低減して、搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを高めると共に、搬送自由度の高い多層化システムについて検討している。

このように、塗布処理を行うエリアと、現像処理を行うエリアを夫々上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設ける構成は特許文献２に記載されているが、搬送効率を高め、搬送自由度を高める点に関しては特許文献２には何ら開示されていない。

特開２００４−１９３５９７号公報 特許第３３３７６７７号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成するにあたり、省スペース化を図ることができ、また基板の搬送の自由度が大きく、高い搬送効率が得られる技術を提供することにある。更に他の目的は、反射防止膜を塗布する場合、しない場合のいずれにも対応することができ、かつソフトウェアの簡易化を図ることができる技術を提供することにある。

このため本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
ｂ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
ｃ）前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備えたことを特徴とする。また前記各単位ブロックは、基板を冷却する冷却ユニットを備えるものであってもよい。

ここで前記塗布、現像装置では、単位ブロック毎に当該単位ブロック内の基板の搬送経路を指定した搬送レシピと、全ての単位ブロックに基板を搬送するモードと、レジスト液を塗布するための単位ブロックとレジスト液を塗布する前に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックと現像処理を行なう単位ブロックとに基板を搬送するモードと、レジスト液を塗布するための単位ブロックとレジスト液を塗布した後に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックと現像処理を行なう単位ブロックとに基板を搬送するモードと、を含むモード群の間で基板を搬送するモードを選択するモード選択手段と、を備え、モード選択手段により基板を搬送する単位ブロックを選択すると共に、選択された単位ブロックで用いられる搬送レシピを選択して処理を行なうようにしてもよい。

また前記塗布、現像装置では、各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第１の受け渡しステージを積層して構成された第１の受け渡しステージ群と、各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第２の受け渡しステージを積層して構成された第２の受け渡しステージ群と、前記第１の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第１の基板受け渡し手段と、前記第２の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための、第１の基板受け渡し手段とは別個に設けられた第２の基板受け渡し手段と、を備えるように構成してもよい。この際、第１の受け渡しステージ群は、キャリアブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためキャリアブロック用受け渡しステージを含むようにしてもよいし、第２の受け渡しステージ群は、インターフェイスブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためインターフェイスブロック用受け渡しステージを含むようにしてもよい。

また前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた液処理ユニットは、共通の処理容器内に設けられ、複数の基板を夫々保持するために横方向に配列された複数の基板保持部と、前記処理容器内に設けられ、複数の基板保持部に保持された基板に対して薬液を塗布する共通の薬液ノズルと、を備えるように構成することが好ましい。

さらに本発明では、処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／又は露光処理後現像処理前並びに現像処理後のいずれかの処理を行なうユニットを備えた補助ブロックを設けるように構成してもよく、この場合前記補助ブロックに設けられるユニットは、この場合前記補助ブロックに設けられるユニットは、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、露光前及び／又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つであってもよいし、前記露光装置が、基板表面に液層を形成して液浸露光するものである場合には、前記補助ブロックに設けられるユニットは、前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットであってもよい。

ここで前記塗布、現像装置では、前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックの間で、前記液処理ユニット、加熱ユニット、冷却ユニット、搬送手段の配置レイアウトが同じであるように構成することが好ましい。

また前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、前記補助ブロックに設けられるユニットは、前記レジスト膜の上に撥水性の保護膜を形成するための保護膜塗布ユニットであってもよいし、前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、前記補助ブロックに設けられるユニットは、前記撥水性の保護膜を除去するための保護膜除去ユニットであってもよい。また保護膜除去ユニットは、現像処理用の単位ブロックに設けるようにしてもよい。さらに前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットをインターフェイスブロックに設けるようにしてもよい。さらに前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに対して、レジスト膜が形成された基板に対して、前記レジスト膜の上に撥水性の保護膜を形成するための塗布膜形成用の単位ブロックをさらに積層して設けるように構成してもよい。

前記第１の受け渡しステージ群の中には、塗布膜が形成される前の基板を載置して、基板に対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行なう温度に調整するための温調ユニットが設けられていてもよいし、第２の受け渡しステージ群の中には、塗布膜が形成される前の基板を載置して、基板に対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行なう温度に調整するための温調ユニットが設けられていてもよい。

この温調ユニットは、例えば加熱ユニットにて加熱された基板を載置して第１の温度に粗調整する第１の温調プレートと、基板を載置して基板温度をさらに精密に温度調整する第２の温調プレートとを備えるものである。

このような塗布、現像装置では、塗布膜形成用の単位ブロックにて、基板に第１の反射防止膜を形成する工程と、次いで前記第１の反射防止膜の形成が行われる単位ブロックとは異なる層に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにて、前記基板表面に形成された第１の反射防止膜の上にレジスト液を塗布する工程と、次いで前記レジスト液の塗布が行われる単位ブロックとは異なる層に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにて、前記基板表面に塗布されたレジスト液の上に第２の反射防止膜を形成する工程と、次いで前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて、前記レジスト膜が形成された露光後の基板に対して現像処理を行なう工程と、を含む塗布、現像方法が実施される。

また全ての塗布膜形成用の単位ブロックに基板を搬送するモードと、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック及びレジスト液を塗布する前に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックに基板を搬送するモードと、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック及びレジスト液を塗布した後に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックに基板を搬送するモードとの間で、モードを選択する工程と、次いで選択されたモードに基づいて、使用する塗布膜形成用の単位ブロックに順次基板を搬送して、基板に対して塗布膜を形成する工程と、次いで前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて、前記塗布膜が形成された露光後の基板に対して現像処理を行なう工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法が実施される。

以上において本発明では、複数の塗布膜形成用の単位ブロックとして、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックを塗布するための単位ブロックを互いに積層して設けているので、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合であっても、処理ブロックの占有面積を小さくし、省スペース化を図ることができる。

また使用する塗布膜形成用の単位ブロックを選択することにより、反射防止膜を塗布する場合、しない場合のいずれにも対応することができる。この際単位ブロック内の基板の搬送経路は同じであるので、１台の塗布、現像装置にて異なる塗布膜を形成する場合においても搬送プログラムの煩雑化を抑え、ソフトウェアの簡易化を図ることができる。

さらに積層された各単位ブロックの間で第１及び第２の基板受け渡し手段により基板の搬送を行なうようにしたので、各塗布膜形成用の単位ブロックで各塗布処理が行われた基板をどちらの基板受け渡し手段を用いて次層の単位ブロックに搬送するようにしてもよく、搬送の自由度が大きくなる。また２本の基板受け渡し手段により各単位ブロックの間で基板の搬送を行なっていることにより、基板受け渡し手段の負荷が分担され、搬送効率が向上し、スループットを高めることができる。さらに全ての単位ブロックにアクセスできる専用の基板受け渡し手段を設け、この基板受け渡し手段により異なる層の単位ブロックとの基板の受け渡しを行なっているので、搬送系の構成が単純化され、搬送プログラムの簡易化を図りやすい。

さらに本発明の他の発明によれば、基板に対して薬液を塗布するための複数の塗布部を共通の処理容器内に収納しているので、処理雰囲気を同じにでき、温調系や薬液供給ノズル等の共用化を図ることができる。

以下、本発明に係る塗布、現像装置の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ２の受け渡しステージＴＲＳ１，２，３との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第５の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。

続いて第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱・冷却系の処理ユニットと、前記液処理ユニットと加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段ＡであるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。

これら単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、前記液処理ユニットと、加熱・冷却系の処理ユニットと、搬送手段Ａとの配置レイアウトが同じに形成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおける後述するスピンチャックの中心や、加熱ユニットや冷却ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。

先ず図１に示すＣＯＴ層Ｂ４を例にして以下に説明する。このＣＯＴ層Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するための、ウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。

この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、レジストの塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた塗布ユニット３１が設けられている。またＣＯＴ層Ｂ４の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系のユニットを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、塗布ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば２段に積層した構成とされている。こうして前記搬送領域Ｒ１は区画されており、例えばこの区画された搬送領域Ｒ１に清浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。

上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４及び図５に示すように、レジスト液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ４）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＣＨＰ４）、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。また冷却ユニット（ＣＯＬ４）や加熱ユニット（ＣＨＰ４）等の各処理ユニットは、夫々処理容器５１内に収納されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、前記処理容器５１が２段に積層されて構成され、各処理容器５１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口５２が形成されている。なお前記疎水化処理ユニットは、ＨＭＤＳ雰囲気中でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに設けられればよい。

前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ４が設けられている。このメインアームＡ４は、当該ＣＯＴ層Ｂ４内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、塗布ユニット３１、後述する棚ユニットＵ５と棚ユニットＵ６の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。

また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ４とがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の基板受け渡し手段をなす第１の受け渡しアームＤ１を備えている。

前記棚ユニットＵ５は、図３に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えており、これにより第１の受け渡しステージが多段に積層された第１の受け渡しステージ群を構成している。また第１の受け渡しアームＤ１は各第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２の第１の受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成され、キャリアブロック用受け渡しステージに相当する。さらにこの例では、第２の単位ブロックＢ２は第１の受け渡しステージとして例えば２個のＴＲＳ−Ｆを備えており、この受け渡しステージＴＲＳーＦはトランスファーアームＣによりウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するための専用の受け渡しステージとして用いられる。この受け渡しステージＴＲＳーＦもキャリアブロック用受け渡しステージに相当し、第１の単位ブロックＢ１に設けるようにしてもよいし、この受け渡しステージＴＲＳーＦを別個に設けずに、トランスファーアームＣからウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入する際に、受け渡しステージＴＲＳ１，２を用いて行なうようにしてもよい。

さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図３に示すように、メインアームＡ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられると共に、この棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の基板受け渡し手段をなす第２の受け渡しアームＤ２を備えている。

前記棚ユニットＵ６は、図３及び図６に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えており、これにより第２の受け渡しステージが多段に積層された第２の受け渡しステージ群が構成されている。第２の受け渡しアームＤ２は各第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。このように本実施の形態では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の第１の受け渡しアームＤ１と第２の受け渡しアームＤ２とにより、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５とＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。

続いて他の単位ブロックＢについて図５及び図７を用いて簡単に説明する。ここで図５は棚ユニットＵ１〜Ｕ４を搬送領域Ｒ１側から見た図である。ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成され、液処理ユニットとしてウエハＷに対して現像処理を行うための現像ユニット３２が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ１，ＣＯＬ２）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１，ＰＯＳＴ２）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。

そしてこれらＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２では、夫々メインアームＡ１，Ａ２により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、現像ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

またＴＣＴ層Ｂ３は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３）や、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＨＰ３）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこのＴＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の受け渡しステージＴＲＳ３，第２の受け渡しステージＴＲＳ８と、第２の反射防止膜形成ユニット３３と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

そしてＢＣＴ層Ｂ５は、液処理ユニット３１として、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３４が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ５）や、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＨＰ５）を備え、周縁露光装置（ＷＥＥ）を備えていない以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこの第５の単位ブロックＢ５では、メインアームＡ５により、第１の受け渡しステージＴＲＳ５，第２の受け渡しステージＴＲＳ１０と、第１の反射防止膜形成ユニット３４と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

ここで前記加熱ユニット（ＣＨＰ３〜５、ＰＯＳＴ１，２、ＰＥＢ１，２）としては、図１に示すように、加熱プレート５３と、搬送アームを兼用する冷却プレート５４とを備え、メインアームＡと加熱プレート５３との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート５４により行なう、加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられ、冷却ユニット（ＣＯＬ１〜５）としては、例えば水冷方式の冷却プレートを備えた構成の装置が用いられる。また前記加熱ユニット（ＣＨＰ３〜５、ＰＯＳＴ１，２、ＰＥＢ１，２）の冷却プレート５４も、本発明の冷却ユニットに相当する。

なお図５はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。

一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢを備えている。このインターフェイスアームＢは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ９に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、この例では第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ９がインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。

また前記インターフェイスアームＢは、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成してもよく、この場合には第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０がインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。

続いてメインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＢ、液処理ユニットの構成について簡単に説明する。先ずメインアームＡは、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム１０１，１０２を備えており、これらアーム１０１，１０２は基台１０３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台１０３は回転機構１０４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構１０５により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部１０６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール１０７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール１０８に沿って昇降自在に構成されている。こうしてアーム１０１，１０２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各ユニットや第１及び第２の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡは、後述する制御部６からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。またアームの加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。

また前記インターフェイスアームＢは、例えば図８に示すように、ウエハＷの裏面側中央領域を支持するための１本のアーム２０１が基台２０２に沿って進退自在に設けられている。前記基台２０２は、昇降台２０３に回転機構２０４により鉛直軸回りに回転自在に取り付けられ、昇降レール２０５に沿って昇降自在に設けられている。こうしてアーム２０１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ９との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。

前記第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２も、鉛直軸回りに回転しない他は、インターフェイスアームＢと同様に構成されている。このような第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＢは、後述する制御部６からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。

続いて塗布ユニット３１について、図９を用いて簡単に説明する。この例では３個の塗布部３０１，３０２，３０３が共通の処理容器３００の内部に収納され、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むように横方向（Ｙ軸方向）に配列した状態で共通のベース３０４に設けられている。

これら塗布部３０１，３０２，３０３は同様に構成されているので、塗布部３０１を例にして説明すると、図中３０５は基板保持部をなすスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック３０５は駆動部３０６により鉛直軸回りに回転でき、かつ昇降できるようになっている。またスピンチャック３０５の周囲にはウエハＷからスピンチャック３０５に跨る側方部分を囲うカップ３０７が設けられ、当該カップ３０７の底面には排気管やドレイン管などを含む排液部３０８が設けられている。図中３０９は、スピンチャック３０２に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給するためのサイドリンス機構であり、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

また図中３１０は、３個の塗布部３０１，３０２，３０３に対して塗布液を供給するための共通の供給ノズル（薬液ノズル）であり、この供給ノズル３１０は移動機構３１２により、処理容器３００の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール３１１に沿って、一端側の塗布部３０１のカップ３０７の外方側から他端側の塗布部３０３のカップ３０７の外方側まで移動自在、かつ昇降自在に構成されている。これによりこの例では供給ノズル３１０により、各塗布部３０１〜３０３のスピンチャック３０５に保持されたウエハＷのほぼ中央領域にレジスト液を供給するようになっている。図中３１３は、一端側の塗布部３０１の外側に設けられた供給ノズル３１０の待機領域である。

図中３１４は処理容器３００の天井部に取り付けられたフィルタユニット、３１５は処理容器３００の底面に設けられた排気部であり、排気部から所定の排気量で排気すると共に、フィルタユニット３１４から所定流量の、温度と湿度とが調整された清浄気体を供給することにより、処理容器３００内に清浄気体のダウンフローが形成され、メインアームＡ４の搬送領域Ｒ１よりも陽圧になるように設定されている。図中３１６は、処理容器３００の搬送領域Ｒ１に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口であり、開閉シャッタが設けられている。

この塗布ユニット３１では、ウエハＷはメインアームＡ４により搬入出口３１６を介して処理容器３００内に搬入され、予め決定された塗布部３０１，３０２，３０３のいずれかのスピンチャック３０５に受け渡される。そして供給ノズル３１０から当該ウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に、スピンチャック３０５を回転させ、レジスト液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げ、ウエハＷ表面にレジストの液膜を形成させる。こうしてレジストの液膜が形成されたウエハＷは搬入出口３１６を介してメインアームＡにより塗布ユニット３１の外部に搬出される。

このような塗布ユニット３１では、３個の塗布部３０１〜３０３が共通の処理容器３００の内部に設けられているので処理雰囲気が同じである。このため供給ノズル３１０を共用化でき、１本の供給ノズル３１０により３個の塗布部３０１〜３０３に対してレジスト液を供給することができるようになっているので、各塗布部３０１〜３０３毎に処理容器３００と供給ノズル３１０とを設ける場合に比べて、トータルの部材点数や占有面積を削減できる。

さらに処理雰囲気が同じであることから、ダウンフローを形成するエアの供給や、このエアの排気を行う手段についても共用化できるので、この点からも部材点数や占有面積を削減できて有効である。また塗布部３０１〜３０３が共通の雰囲気内に配置されているので、各塗布部３０１〜３０３にて常に同じ雰囲気内でレジスト液の塗布処理を行うことができて、雰囲気に影響されるレジスト液の塗布処理をより均一に行うことができる。

また３個の塗布部３０１〜３０３が共通のベース３０４に設けられているので、スピンチャック３０５とメインアームＡ４のアーム１０１、１０２との高さ調整を行う際、１つの塗布部３０１〜３０３について行えばよい。また共通の供給アーム３１０により、各塗布部３０１〜３０３に対してレジスト液が供給されるように構成されているので、各スピンチャック３０５と供給ノズル３１０の高さの調整についても、１つの塗布部３０１〜３０３について行えばよい。このためこれらの高さ調整に要する手間が軽減し、また調整時間が短縮される。

現像ユニット３２は、供給ノズル３１０の長さ方向に亘って現像液の供給領域が形成されていて、ウエハＷの直径方向に現像液を供給するように構成され、洗浄液ノズルを備える点以外は、塗布ユニット３１とほぼ同様に構成され、塗布部をなす複数個の現像処理部が共通の処理容器３００内に収納されている。洗浄液ノズルは、供給ノズル３１０と同様に構成され、移動機構により前記ガイドレール３１１に沿って移動自在、かつ昇降自在に構成されて、各塗布部３０１〜３０３のスピンチャック３０５に保持されたウエハＷに対して洗浄液を供給するようになっている。

このような現像ユニット３２では、メインアームＡにより搬入出口３１６を介して処理容器３００内にウエハＷが搬入され、予め決定された塗布部（現像処理部）３０１，３０２，３０３のいずれかのスピンチャック３０５にウエハＷが受け渡される。そして供給ノズル３１０から当該ウエハＷの中央部に現像液を供給すると共に、スピンチャック３０５により例えばウエハＷを半回転させ、これにより現像液をウエハＷの全面に供給する。そして所定時間経過後、洗浄液ノズルからウエハＷに洗浄液を供給し、ウエハＷ表面の現像液を洗い流し、その後ウエハＷを回転させて乾燥させることにより現像処理を終了する。

またこの現像ユニット３２では、洗浄液ノズルを別個に設ける代わりに、塗布ユニット３１のサイドリンス機構３０９と同様の構成の、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成された洗浄機構を設け、これにより、スピンチャック３０２に保持されたウエハＷの中央部に洗浄液を供給するようにしてもよい。

前記第１の反射防止膜形成ユニット３３は、レジスト液を塗布する前にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのもの、第２の反射防止膜形成ユニット３４は、レジスト液を塗布する後にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであり、これらのユニット３３，３４は、供給ノズル３１０から反射防止膜用の薬液を供給する以外は、夫々塗布ユニット３１と同様に構成される。

ここでこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの流れについて、レジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合を例にして説明する。先ず外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、先ず第２の単位ブロックＢ２の棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦに受け渡され、次いでウエハＷはＢＣＴ層Ｂ５にウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ５を介してＢＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そしてＢＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ３により、冷却ユニット（ＣＯＬ５）→第１の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＨＰ５）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ１０の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。

続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ１０のウエハＷは第２の受け渡しアームＤ２により、ＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを受け渡すために第２の受け渡しステージＴＲＳ９に搬送され、次いで当該ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そしてＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニットＣＯＬ４→塗布ユニット３１→加熱ユニットＣＨＰ４→第１の受け渡しステージＴＲＳ４の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。

次いで受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは第１の受け渡しアームＤ１によ
り、ＴＣＴ層Ｂ３にウエハＷを受け渡すために第１の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、当該ＴＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。そしてＴＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、冷却ユニット（ＣＯＬ３）→第２の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＨＰ３）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ８の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ８のウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＢにより、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）に搬送され、このステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）メインアームＡ１（メインアームＡ２）に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）にて、先ず加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））→冷却ユニット（ＣＯＬ１（ＣＯＬ２））→現像ユニット３２→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１（ＰＯＳＴ２））の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

以上において、上述のレジストパターン形成装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ５、トランスファーアームＣ、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＢの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部６を備えている。この制御部６にて、単位ブロックＢ１〜Ｂ５を使用して基板を搬送させ、処理を行なう。

前記搬送フローのレシピは単位ブロック内のウエハＷの搬送経路（搬送の順番）を指定したものであり、単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に複数個の搬送フローレシピが制御部６に格納されている。

また形成する塗布膜によって、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５にウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第２の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＢＣＴ層Ｂ５）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第１の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＴＣＴ層Ｂ３）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）のみにウエハＷを搬送するモードとがあり、制御部６のモード選択手段により、形成しようとする塗布膜の種類に応じてウエハＷを搬送する単位ブロックを選択すると共に、かつ選択された単位ブロック毎に用意された複数の搬送フローレシピから最適なレシピを選択することにより、形成する塗布膜に応じて使用する単位ブロックが選択されて、当該単位ブロックでは、各処理ユニットやアームの駆動が制御され、一連の処理が行われるようになっている。

このようなレジストパターン形成装置では、各塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックとを異なるエリアに設け、夫々に専用のメインアームＡを設けたので、メインアームＡの負荷が軽減する。このためメインアームＡの搬送効率が向上するので、結果としてスループットを高めることができる。

また塗布膜形成用の単位ブロックとして、レジスト膜を形成するための専用の単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）、第１の反射防止膜を形成するための専用の単位ブロック（ＢＣＴ層Ｂ５）、第２の反射防止膜を形成するための専用の単位ブロック（ＴＣＴ層Ｂ３）を互いに積層して設けているので、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合であっても、処理ブロックＳ２の占有面積をレジスト膜のみを形成する場合と同じにすることができ、省スペース化を図ることができる。

さらに塗布膜形成用の単位ブロックとして、既述のようにＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５、ＴＣＴ層Ｂ３を別個の単位ブロックとして構成しているので、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２（またはＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のいずれか一つ）、ＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴＢ４、ＴＣＴ層Ｂ３のうちの使用する単位ブロックを選択することにより、反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができる。またこの際、使用する単位ブロックのウエハＷの搬送経路は同じであるので、１台の塗布、現像装置にてロット毎に異なる塗布膜を形成する場合においても、搬送プログラムの煩雑化を抑えて、簡易な搬送プログラムとし、ソフトウェアの簡易化を図ることができる。

この際、どの単位ブロックＢ１〜Ｂ５を使用して処理を行なうかは、既述のように、目的の塗布膜に応じて制御部６に格納されたウエハＷの搬送先の単位ブロックと、単位ブロック毎のウエハＷの搬送フローレシピとから、ウエハが搬送される単位ブロックと搬送フローレシピを選択することにより決定される。

つまり例えば反射防止膜を形成しない処理では、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ４とのみを選択し、この場合には、例えばキャリア２０→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦ→第１の受け渡しアームＤ１→第１の受け渡しステージＴＲＳ４→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ４）→塗布ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ４）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ９→インターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４→インターフェイスアームＢ→第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）→ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の経路で搬送される。

またレジスト膜の下部のみに反射防止膜を形成する場合には、ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）とＢＣＴ層Ｂ５とＣＯＴ層Ｂ４のみを選択し、この場合には例えばキャリア２０→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦ→第１の受け渡しアームＤ１→第１の受け渡しステージＴＲＳ５→ＢＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５→冷却ユニット（ＣＯＬ５）→第１の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＨＰ５）→第２の受け渡しステージＴＲＳ１０→第２の受け渡しアームＤ２→第２の受け渡しステージＴＲＳ９→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ４）→塗布ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ４）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ９→インターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４→インターフェイスアームＢ→第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）→ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の経路で搬送される。

さらにレジスト膜の上部のみに反射防止膜を形成する場合には、ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）とＣＯＴ層Ｂ４とＴＣＴ層Ｂ３のみを選択し、このときには、例えばキャリア２０→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦ→第１の受け渡しアームＤ１→第１の受け渡しステージＴＲＳ４→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４の順序で搬送する。ＣＯＴ層Ｂ４内のウエハＷの搬送経路及びＣＯＴ層Ｂ４以降のウエハＷの搬送経路は上述の例と同様である。

このように選択された各塗布膜形成用の単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５、ＴＣＴ層Ｂ３）内でのウエハＷの搬送経路は同じであるので、異なる塗布膜を形成する場合であっても、使用する単位ブロックを選択し、当該単位ブロックにウエハＷを搬送するだけでよく、搬送プログラムが簡単である。

さらにまた上述の実施の形態では、５層の単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアームと受け渡しステージとを、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１に隣接する領域と、インターフェイスブロックＳ３に隣接する領域の両方に設けているので、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５で処理されたウエハＷを第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２のどちらのアームを用いて次層に受け渡してもよく、ウエハＷの搬送経路の自由度が大きい。

つまり上述のレジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合で言えば、ＢＣＴ層Ｂ５にて反射防止膜を形成した後、棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳ５を介して第１の受け渡しアームＤ１によりＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを受け渡すようにしてもよいし、棚ユニットＵ６の第１の受け渡しステージＴＲＳ１０を介して第２の受け渡しアームＤ２によりＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを受け渡すようにしてもよい。

また搬送経路の自由度が高いことから、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５や第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２の搬送プログラムの作成が容易になる。さらにこのように各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５で処理されたウエハＷを第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２のどちらのアームを用いて次層に受け渡してもよいことから、１本の受け渡しアームＤ１，Ｄ２の負荷が分担され、さらにスループットの向上を図ることができる。

さらにまた各単位ブロック間の間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１及び第２の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０と、この受け渡しステージにアクセスするための専用の受け渡しアームＤ１，Ｄ２とを設けているので、各単位ブロック間のウエハＷの搬送系の構成がシンプルなものとなり、この点からも搬送プログラムの簡易化を図ることができる。

ここで前記塗布膜形成用の単位ブロックは、互いに液処理ユニットの薬液の種類が異なるだけであるので、塗布液等の薬液の配管や、排液路や排気路等の配管を近くにまとめることができ、また電気系統のケーブル等も近くにまとめることができて、前記配管やケーブル等の引き回しが単純化し、組み立て作業が容易となる。このため製造に要する時間の短縮を図ると共に、製造スループットが高まるので製造コストを低減することができる。

またこれらＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ３を、既述のように同じ単位ブロックにより構成し、つまり液処理ユニット、加熱ユニット、冷却ユニット、メインアームの配置レイアウトを単位ブロック同士の間で同じになるように構成し、液処理ユニットの薬液の種類のみを変えるようにすれば、同じ単位ブロックを製造すればよいので、構成が異なる単位ブロックを製造する場合に比べて製造作業が容易となり、製造ミスが少なくなる。このため製造スループットが高まり、製造コストを低減することができる。また共通の部材を用いることができるので、この点からも製造コストの低減に貢献することができる。さらに前記ＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ３を同じ単位ブロックにより構成すれば、既述のように製造ミスが少なくなるため、精度が高くなり、調整が容易となる。このため、調整に要する時間が短縮されるという利点もある。

さらにまた塗布膜形成用の単位ブロックのいずれかに異常が発生して使用できなくなった場合にも、この単位ブロックを用いずに残りの２つの塗布膜形成用の単位ブロックを使用して塗布膜の形成を行うこともできる。

続いて本発明の第２の実施の形態について図１０に基づいて説明する。この例は、露光装置Ｓ４として、ウエハＷの表面に液層を形成して液浸露光を行なう装置を用いると共に、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に補助ブロックＳ５を設け、かつ塗布膜形成用の単位ブロックとして、例えばＣＯＴ層Ｂ４の上層側や、ＴＣＴ層Ｂ３の上層側に、第２の反射防止膜の上に撥水性の保護膜を形成するためのユニットを有する単位ブロック（図示せず）をさらに積層して設ける例である。前記撥水性の保護膜を形成するためのユニットとは、液浸露光対応時に求められる液処理ユニットである、液浸露光される際の液体がレジストに含浸されるのを防ぐための保護膜を塗布する撥水性保護膜塗布ユニットであり、またこの単位ブロックには露光後の保護膜の除去や露光前後にウエハＷに付着したパーティクルや、露光に支障をきたす成分を除去洗浄するための洗浄ユニットが設けられても良い。

前記補助ブロックＳ５には、例えば塗布膜形成後露光処理前に行う検査や、露光処理後現像処理前の検査を行うための検査ユニット７１や、液浸露光後の例えば洗浄処理を行なうための洗浄ユニット７２と、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡しステージＴＲＳを多段に設けた棚ユニットＵ７と、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の例えば受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ８と、検査ユニット７１と、洗浄ユニット７２と、棚ユニットＵ７の各部に対してウエハＷの受け渡しを行うための第３の受け渡しアームＥと、を備えている。これら検査ユニット７１や洗浄ユニット７２は多段に構成されてもよいし、受け渡しアームＥの両側に、洗浄ユニット７２又は検査ユニット７１のみを設けるようにしてもよく、配置は自在である。

前記第３の受け渡しアームＥは、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、前記塗布膜形成後露光処理前に行う検査としては、塗布膜の膜厚の検査や異物検査等があり、露光処理後現像処理前に行う検査としては、露光重ね合わせ検査等がある。またこれらに限らず、基板上のアライメントマークを検出するユニットや、レーザー処理により膜を一部除去するユニットを設けるようにしてもよい。

そして前記補助ブロックに設けられるユニットとしては、ウエハ表面の状態を検査するための、例えばウエハＷに形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、露光前及び／又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、ウエハＷに付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後のウエハＷ表面にレジスト液中の気泡や異物によって発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、ウエハＷ表面から飛び出したレジスト液の溶剤がウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検出するスプラッシュバック検出装置、ウエハＷ表面の同一場所に同一の形状で現れる共通欠陥を検出する共通欠陥検出装置、現像処理後のウエハＷに残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理がされていない不具合を検出するためのＮＯ ＲＥＳＩＳＴ，ＮＯ ＤＥＶＥＬＯＰ検査装置（不具合検出装置）、ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光装置にて露光されたウエハＷとフォトマスクとの重ね合わせ精度を規格値と比較して検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つが設けられる。

前記デフォーカス検査は予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における焦点ぼけを検出するものであり、線幅測定装置とは、例えば予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における露光量や露光時間が適正がどうかを検出するものであり、重ね合わせ検査装置とは、例えば下層のパターンと比較できるようにされた特定の部位のパターンを、予め登録された正しいパターンと比較することによって露光装置における露光位置の位置ずれを検出するものである。

このような構成では、ウエハＷに対して露光後に洗浄処理を行なう場合には、例えば上述の第１の実施の形態と同様に、ウエハＷは、キャリアブロックＳ１→ＢＣＴ層Ｂ５→ＣＯＴ層Ｂ４→ＴＣＴ層Ｂ３→撥水性の保護膜を形成するための単位ブロックの順序で搬送され、次いで棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージ→第２の受け渡しアームＤ２→例えば第２の受け渡しステージＴＲＳ８→補助ブロックＳ５の第３の受け渡しアームＥ→棚ユニットＵ７の受け渡しステージ→インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→補助ブロックＳ５の棚ユニットＵ７の受け渡しステージ→第３の受け渡しアームＥ→洗浄ユニット７２→第３の受け渡しアームＥ→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）→メインアームＡ１，Ａ２→ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の経路で搬送される。

また各種の検査を行なう場合には、一定枚数おきに抜き出されたウエハＷに対して所定の検査が行なわれる。例えば塗布膜形成後の検査の場合には、露光装置Ｓ４に搬送される前に補助ブロックＳ５にて検査が行なわれ、露光後の検査の場合には露光装置Ｓ４から補助ブロックＳ５に戻ってきたウエハＷに対して検査が行なわれ、現像処理後の検査の場合には処理ブロックＳ２にて現像処理を行なった後、再び補助ブロックＳ５にウエハＷを搬送して検査が行なわれる。

ここで前記第２の反射防止膜の上に形成される撥水性の保護膜を形成するのは、当該保護膜により液浸露光時の液体を弾き、前記液体をウエハＷの表面に残り難くするためであり、例えばウエハＷの表面及び周縁部裏面側に形成される。また液浸露光後の洗浄処理は、前記保護膜がウエハＷから剥がれてパーティクルの発生原因となることを抑えるために、この保護膜を除去するために行われるものであり、例えばウエハＷの表面及び裏面側周縁部に前記保護膜を除去するための薬液を供給して前記保護膜を除去し、次いで前記薬液を洗浄するための洗浄液を供給することにより行なわれる。

この実施の形態では、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に、検査ユニットや洗浄ユニットを備えた補助ブロックＳ５を設けたので、例えば前記塗布膜形成後露光処理前に検査や洗浄を行なう場合、及び／又は露光処理後現像処理前に検査や洗浄を行なう場合に、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間のウエハＷの通り道にて、前記検査や洗浄を行うことができる。このためウエハＷの搬送経路の複雑化を抑えながら、塗布膜形成後や露光処理後の適切なタイミングや検査や洗浄を行なうことができ、このような検査や洗浄を行なう場合であっても、搬送プログラムの複雑化を抑えることができる。

この実施の形態においても、反射防止膜を形成しない場合には、レジスト膜の上に前記保護膜を形成するようにしてもよいし、洗浄処理は、露光処理の前後のいずれか、又は露光処理の前後両方にて行うようにしてもよい。また保護膜を有しない場合には、前記洗浄ユニット７２は、単にウエハＷの汚れを除去するために使用される。

以上において本発明では、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のみにウエハＷを搬送して処理を行うようにしてもよい。また現像処理用の単位ブロックを１層としてもよいし、上述の実施の形態のように塗布膜形成用の単位ブロックを、下方側から上方側に向かって順番にＴＣＴ層、ＣＯＴ層、ＢＣＴ層となるように配列すると、露光処理前の最後の塗布処理を行なうＴＣＴ層やＣＯＴ層と、露光処理後の処理を行なおうＤＥＶ層とが近いので、インターフェイスアームＢのアクセス領域が狭められるという利点があるが、塗布膜形成用の単位ブロックを、下方側から上方側に向かって順番にＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＴＣＴ層となるように配列するようにしてもよい。

さらにまた本発明では、トランスファーアームＣにてアクセスできる棚ユニットＵ５の受け渡しステージは、ＤＥＶ層Ｂ１，ＤＥＶ層Ｂ２に限られず、トランスファーアームＣと積層された単位ブロックの１つ以上の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しが行われるものであればよい。さらにまた棚ユニットＵ６についてもインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の第２の受け渡しステージＴＲＳを設け、この第２の受け渡しステージＴＲＳと第２の受け渡しアームＤ２とを介して各単位ブロックＢ１〜Ｂ５とインターフェイスブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。さらにＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２内のモジュールについては共通のメインアームＡを用いてウエハＷの搬送を行うようにしてもよい。

また各単位ブロックに設けられる棚ユニットＵ５、Ｕ６の受け渡しステージＴＲＳは１個以上であればよく、冷却機能を備えたものであってもよい。さらにキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なう単位ブロックには、トランスファーアームＣとインターフェイスアームＢとの間、又は棚ユニットＵ５と棚ユニットＵ６との間で、ウエハＷの搬送を行なうためのメインアームＡとは別個の、専用の搬送手段を設けるようにしてもよい。さらにまた棚ユニットＵ５，Ｕ６には、受け渡しステージ以外のモジュール例えば冷却ユニットなどを設けるようにしてもよいし、処理ブロックＳ２に積層される単位ブロックＢ１〜Ｂ５の処理ユニットとして、目的に応じた検査ユニットを設けるようにしてもよい。例えばＣＯＴ層Ｂ４及びＴＣＴ層Ｂ３に設けられた周縁露光装置（ＷＥＥ）の代わりに、膜厚測定器を設けるようにしてもよいし、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２にパターン重ね合わせ検査や現像処理後の現像欠陥検査ユニットを設けるようにしてもよい。また単位ブロックに検査ユニットを設けるようにしてもよく、この場合メインアームＡの搬送路の両側に検査ユニットを設けるようにしてもよいし、検査ユニット専用の単位ブロックを設けるようにしてもよい。

さらにＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２内のモジュールについてはメインアームＡだけで共用してウエハＷの搬送を行うようにしてもよい。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

また本発明のレジストパターン形成装置は、以下のように構成してもよい。この実施の形態について図１１〜図１６を用いて説明すると、この例は、補助ブロックＳ５内に、液浸露光される際の液体がレジストに含浸されるのを防ぐための保護膜を塗布する撥水性保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）（以下「保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）」という）と、この撥水性保護膜を除去するための撥水性保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）（以下「保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）」という）とを設けると共に、インターフェイスブロックＳ３に液浸露光の前後にウエハＷを洗浄するための洗浄ユニット（ＲＤ）を設けるものである。

ここで液浸露光について簡単に説明すると、この液浸露光とは、基板の表面に光を透過させる液層を形成した状態で露光することにより、露光の解像度を上げることを目的とするものであって、例えば光を純水の中を透過させ、水中では光の波長が短くなることから１９３ｎｍのＡｒＦの波長が水中では実質１３４ｎｍになる、という特徴を利用して露光を行うものである。

ところで液浸露光では、レジストの表面に液層を形成するため、レジストが液相側に溶出してその溶出成分がウエハＷ上に残ってしまったり、露光処理終了後に、ウエハＷの表面に形成された液層をウエハＷから排出する際に、ウエハ表面に液滴例えば微小な水滴が残留するおそれがある。このようにレジストの溶出分や液滴がウエハＷに残存すると、前記溶出分がウエハＷに付着し、欠陥原因となるパーティクルの発生要因となったり、露光処理後の加熱処理時に溶出分から発生するパーティクルが固着や溶着を起こしてしまい、パターンの線幅に影響を及ぼしたり、液滴の存在で露光処理後の加熱処理時に温度差が発生し、熱処理の面内均一性が悪化したり、液滴が空気と反応してウエハＷ表面のウォーターマークの発生原因となるという問題がある。

このため液浸露光処理では、ウエハＷにレジスト液を塗布した後液浸露光を行なう前に、レジストの溶出を抑えると共に、液浸露光時の液体をウエハＷ表面に残りにくくするために、撥水性の保護膜をウエハＷ表面に塗布しており、この処理が保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）にて行なわれる。またこの保護膜が塗布された状態で現像処理を行うと現像液によりレジストが溶解できなくなるため、現像処理の前にこの保護膜を除去する必要があり、この処理が保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）にて行なわれる。さらにより確実にウエハＷに付着したレジスト液の溶出成分や、液浸露光時の液体である水滴を除去するために、液浸露光処理を行なった後にウエハＷの表面を洗浄しており、この洗浄が洗浄ユニット（ＲＤ）にて行なわれる。

続いてこの実施の形態のレイアウトについて具体的に説明すると、キャリアブロックＳ１及び処理ブロックＳ２については、単位ブロックＳ１〜Ｓ５の積層順序が異なる以外には、既述の図１に示すレジストパターン形成装置とほぼ同様に構成されている。

ここで前記図１に示すレジストパターン形成装置と異なる点について説明すると、処理ブロックＳ２は、図１２に示すように、下方側から順に２個のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と、ＢＣＴ層Ｂ５と、ＣＯＴ層Ｂ４と、ＴＣＴ層Ｂ３とが、この順序で積層されていること、キャリアブロックＳ１からのウエハＷが、ＢＣＴ層Ｂ５の受け渡しステージＴＲＳ５を介して直接ＢＣＴ層Ｂ５に受け渡されること、処理ブロックＳ３からのウエハＷが、ＣＯＴ層Ｂ４の受け渡しステージＴＲＳ９又はＢＣＴ層Ｂ５の受け渡しステージＴＲＳ１０を介して補助ブロックＳ５に受け渡されることである。なお図１２では、図示の便宜上棚ユニットＵ５，Ｕ６には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に夫々１個の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０のみを描いている。

そしてこの処理ブロックＳ２に隣接して設けられる補助ブロックＳ５では、中央に第４の受け渡しアームＦが設けられ、この受け渡しアームＦの周り、例えばキャリアブロックＳ１から見て奥側と右側と左側には、夫々棚ユニットＵ７，Ｕ８，Ｕ９が設けられている。前記棚ユニットＵ７には、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡しステージＴＲＳ１１，ＴＲＳ１２が多段に積層され、棚ユニットＵ８には、例えば保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）と、保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）とが多段に積層され、棚ユニットＵ９には、既述の検査ユニット７１や、既述の冷却ユニット（ＣＯＬ）、加熱ユニット（ＣＨＰ）等の加熱・冷却系のユニット等が多段に積層して設けられている。

ここで棚ユニットＵ７〜Ｕ９に設けられた各部の位置関係について図１２、図１３を用いて説明する。例えばこの例では、棚ユニットＵ８では、２個の保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）の上に２個の保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）４０１が積層されるように多段に積層され、下方側の２個の保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）４０２は、処理ブロックＳ２の２つのＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に対応する位置に設けられ、上方側の２個の保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）は、処理ブロックＳ２のＢＣＴ層Ｂ５とＣＯＴ層Ｂ４とに対応する位置に設けられている。

また棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１１，ＴＲＳ１２は、例えば一方の受け渡しステージＴＲＳ１２が保護膜塗布ユニット４０１のいずれか、他方の受け渡しステージＴＲＳ１１が保護膜除去ユニット４０２のいずれかに対応するように、この例では、棚ユニットＵ８の中段の保護膜塗布ユニット４０１と保護膜除去ユニット４０２に対応する位置に設けられており、一方側例えば受け渡しステージＴＲＳ１２が補助ブロックＳ５からインターフェイスブロックＳ３へウエハＷを受け渡す際に用いられ、他方側例えば受け渡しステージＴＲＳ１１がインターフェイスブロックＳ３から補助ブロックＳ５へウエハＷを受け渡す際に用いられるようになっている。

そして前記第４の受け渡しアームＦは、例えば図１３に示すように、上下に２段に設けられており、上方側の受け渡しアームＦ１は、処理ブロックＳ２のＢＣＴ層Ｂ５とＣＯＴ層Ｂ４との間でウエハＷの受け渡しを行なうと共に、当該補助ブロックＳ５の棚ユニットＵ７〜Ｕ９の各部に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成され、例えば処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ９，ＴＲＳ１０と、棚ユニットＵ８の保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）と、棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２と、棚ユニットＵ９の対応する各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。

また下方側の受け渡しアームＦ２は、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうと共に、当該補助ブロックＳ５の棚ユニットＵ７〜Ｕ９の各部に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成され、例えば処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、棚ユニットＵ８の保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）と、棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１１と、棚ユニットＵ９の対応する各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。

この受け渡しアームＦ１，Ｆ２は、例えばメインアームＡ１〜Ａ５と同様に構成され、棚ユニットＵ９を支持する図示しない台部のアームＦ１，Ｆ２の搬送領域に臨む面に取り付けられたＹ軸レール１０７に沿って、例えば図中Ｙ方向に移動自在、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。またインターフェイスブロックＳ３においては、インターフェイスアームＢがアクセスできる位置に、液浸露光後にウエハＷを洗浄するための、例えば２個の洗浄ユニット（ＲＤ）４０３が積層されて設けられている。

さらにキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣの搬送領域の上方側にはフィルタユニット（ＦＦＵ）４０４が設けられ、このフィルタユニット４０４から所定流量の、温度と湿度とが調整された清浄気体を供給することにより、前記搬送領域内に清浄気体のダウンフローが形成されるように構成されている。さらにインターフェイスブロックＳ３の上方側には、ＵＬＰＡフィルタ４０５が設けられており、このＵＬＰＡフィルタ４０５によりゴミ、塵埃などが除去された清浄空気が、インターフェイスブロックＳ３内に供給されるようになっている。なお既述の実施の形態においても、キャリアブロックＳ１、インターフェイスブロックＳ３に夫々フィルタユニット４０４やＵＬＰＡフィルタ４０５を設けるようにしてもよい。

続いて前記保護膜塗布ユニット４０１、保護膜除去ユニット４０２、洗浄ユニット４０３の構造について簡単に説明するが、これらはほぼ同じ構造であるので、先ず図１４を用いて保護膜除去ユニット４０２を例にして説明する。図中４１０は基板保持部をなすスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック４１０は駆動部４１１により鉛直軸回りに回転でき、かつ昇降できるようになっている。またスピンチャック４１０の周囲にはウエハＷからスピンチャック４１０に跨る側方部分を囲うカップ４１２が設けられ、当該カップ４１２の底面には排気管４１３やドレイン管４１４などを含む排液部が設けられている。

また図中４２０は、ウエハＷのほぼ回転中心に、保護膜を剥離するための剥離液を供給するための薬液ノズルであり、この薬液ノズル４２０は、移動機構４２１により、処理容器４３０の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール４２２に沿って、カップ４１２の一端側の外方側に設けられた待機領域４２３と、ウエハＷのほぼ回転中心に薬液を供給する位置との間で移動自在、かつ昇降自在に構成されている。

さらに図中４２４は、ウエハＷのほぼ回転中心に洗浄液を供給するための洗浄ノズルであり、この洗浄ノズル４２４は、移動機構４２５により、前記ガイドレール４２２に沿って、カップ４１２の他端側の外方側に設けられた待機領域４２６と、ウエハＷのほぼ回転中心に洗浄液を供給する位置との間で移動自在、かつ昇降自在に構成されている。さらに４３１は処理容器４３０の受け渡しアームＦ２の搬送領域に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口であり、開閉シャッタ４３２が設けられている。

そしてこの保護膜除去ユニット４０２では、ウエハＷは受け渡しアームＦ２により、搬入出口４３１を介して処理容器４３０内に搬入され、スピンチャック４１０に受け渡される。そして薬液ノズル４２０から当該ウエハＷのほぼ回転中心に保護膜除去用の剥離液を供給すると共に、スピンチャック４１０を回転させ、前記剥離液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げ、こうして前記剥離液をウエハＷ表面に形成された保護膜の上全体に供給し、これにより保護膜をウエハＷ表面から剥離させる。

この後、薬液ノズル４２０を待機領域４２３に移動させる一方、洗浄ノズル４２４をウエハＷのほぼ回転中心に洗浄液を供給する位置に移動させて、ウエハＷのほぼ回転中心に洗浄液を供給すると共に、スピンチャック４１０を回転させる。こうして前記洗浄液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げ、これによりウエハＷ表面から剥離された保護膜を洗浄液により洗い流して除去する。続いてウエハＷを高速で回転させ、ウエハＷ表面の洗浄液を乾燥させた後、ウエハＷを搬入出口４３１を介して第４の受け渡しアームＦ２により保護膜除去ユニット４０２の外部に搬出させるようになっている。

また保護膜塗布ユニット４０１においては、薬液ノズル４２０からウエハＷ表面に保護膜形成用の薬液を供給すると共に、洗浄ノズル４２４が設けられていない点を除いて保護膜除去ユニット４０２と同様に構成される。そして薬液ノズル４２０から当該ウエハＷのほぼ回転中心に保護膜形成用の薬液を供給すると共に、スピンチャック４１０を回転させ、前記薬液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げ、ウエハＷ表面に薬液の液膜を形成して保護膜を形成するようになっている。

続いて洗浄ユニット４０３について説明すると、この洗浄ユニット４０３は、洗浄ノズル４２４からウエハＷ表面に洗浄液例えば純水を供給すると共に、薬液ノズル４２０が設けられていない点を除いて保護膜除去ユニット４０２と同様に構成される。また前記洗浄ノズル４２４は、ガイドレール４２２に沿って移動したときに、ウエハＷのほぼ回転中心を通る直線Ｌ上に、当該洗浄ノズル４２４から洗浄液が供給されるように構成されている。

この洗浄ユニット４０３では、図１５（ａ）に示すように、スピンチャック４１０を回転させた状態で、先ず洗浄ノズル４２４から当該ウエハＷのほぼ回転中心に洗浄液を供給し、次いで図１５（ｂ）に示すように当該洗浄ノズル４２４をウエハＷの外縁に向けて徐々に移動させながら、ウエハＷの前記直線Ｌ上に洗浄液を供給する。

このようにすると、洗浄液は遠心力によりウエハＷの径方向に広がっていくが、ウエハＷのほぼ回転中心Ｏに洗浄液を供給したときには、図１６（ａ）に示すように前記回転中心Ｏを中心とする同心円状に広がっていく。また洗浄ノズル４２４からの洗浄液の供給ポイントＰをウエハＷの外縁に向けて移動させると、ウエハＷは回転していることから、この供給ポイントＰを結ぶ円（図１６(ｂ)に点線で示す円）上に洗浄液が供給されることになり、洗浄液はこの供給ポイントＰを結ぶ円の外側に拡散していく。こうしてウエハＷの中心Ｏから外縁に向けて前記ウエハＷの前記直線Ｌ上に洗浄液を供給していくことにより、洗浄液により濡れる領域が、ウエハＷの中心Ｏから外側に徐々にシフトしていき、結果としてウエハＷ表面全体が洗浄される。

この際、洗浄液により濡れる領域が、ウエハＷの中心Ｏから外側に徐々にシフトしていくので、ウエハＷの中心から外側へ向けて順に洗浄されることになる。また洗浄液を遠心力により広げているため、洗浄液の供給ポイントＰの内側には洗浄液は広がっていかないので、ウエハＷは中心から順次乾燥していき、この領域の液滴の残存が抑えられる。これによりウエハＷに付着したレジスト液の溶出成分や、液浸露光時の液体を確実に除去することができるので、レジストの溶出分の付着が原因となるパーティクルの発生や、パターンの線幅への悪影響が抑えられ、ウエハＷに残存する液滴が原因となる熱処理の面内均一性の悪化や、ウォーターマークの発生が防止できる。

このような構成のレジストパターン形成装置において、液浸露光処理を行い、次いで当該露光処理後に洗浄処理を行なう場合には、例えば上述の第１の実施の形態と同様に、ウエハＷは、キャリアブロックＳ１→ＢＣＴ層Ｂ５→ＣＯＴ層Ｂ４→ＴＣＴ層Ｂ３の順序で搬送され、次いで棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ８→第２の受け渡しアームＤ２→第２の受け渡しステージＴＲＳ９（又は受け渡しステージＴＲＳ１０）→補助ブロックＳ５の第４の受け渡しアームＦ１→棚ユニットＵ８の保護膜塗布ユニット４０１→棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２→インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→洗浄ユニット４０３→インターフェイスアームＢ→補助ブロックＳ５の棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１１→第４の受け渡しアームＦ２→棚ユニットＵ８の保護膜除去ユニット４０２→第４の受け渡しアームＦ２→処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ６（又は受け渡しステージＴＲＳ７）→メインアームＡ１，Ａ２→ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の経路で搬送される。

この実施の形態では、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に設けられた補助ブロックＳ５に、液浸露光を行なう場合に必要なユニットである保護膜塗布ユニット４０１や保護膜除去ユニット４０２を設けたので、この補助ブロックＳ５を組み込むことにより、処理ブロックＳ２のレイアウトを変更することなく、液浸露光を行なう場合と液浸露光を行わない場合とに対応することができる。この際液浸露光を行なわない場合には、補助ブロックＳ５内を素通りするようにウエハＷを搬送すればよい。

またここに、前記塗布膜形成後露光処理前の処理を行なう保護膜塗布ユニット４０１や、露光処理後現像処理前の処理を行なう保護膜除去ユニット４０２を設けると、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間のウエハＷの通り道にて、前記処理を行うことができる。なおここでいう塗布膜とは、レジスト膜や反射防止膜である。このためウエハＷの搬送経路の複雑化を抑えながら、塗布膜形成後や露光処理後の適切なタイミングで処理を行なうことができ、このような処理を行なう場合であっても、搬送プログラムの複雑化を抑えることができる。

さらにインターフェイスブロックＳ３に洗浄ユニット４０３を設けることにより、インターフェイスブロックＳ３の空いているスペースを洗浄ユニット４０３の設置スペースとして有効利用できる。このため洗浄ユニット４０３を設けたとしても、処理ブロックＳ２やインターフェイスブロックＳ３に設けられた棚ユニットに洗浄ユニット４０３を組み込む必要がなく、これらの棚ユニットに設けられるユニットの種類や数、レイアウトを変更しなくて済み、また他の設置スペースを別個に設けなくても良いので、装置の大型化を抑えることができる。

さらにインターフェイスブロックＳ３に洗浄ユニット４０３を設けることにより、液浸露光装置Ｓ４から洗浄ユニット４０３までのウエハＷの搬送距離が短く、液浸露光後直ちに洗浄できるので、仮にウエハＷにレジストの溶出分や液滴が付着していたとしても、より確実に洗浄することができる。つまり液浸露光後にレジストの溶出分や液滴が付着した状態で長い距離を搬送すると、ウエハＷが空気と接触する時間が長くなり、前記溶出分や液滴と空気とが反応してウォーターマーク等の容易に洗浄できない状態に変化するおそれがあるが、この例のように液浸露光装置Ｓ４の近くに洗浄ユニット４０３が設けられていると、前記溶出分や液滴が空気接触により変化するおそれが少なく、洗浄液による洗浄で容易に前記溶出分等をウエハＷ表面から除去することができる。

なおこの実施の形態においても、反射防止膜を形成しない場合には、レジスト膜の上に前記保護膜を形成するようにしてもよいし、洗浄処理は、露光処理の前後のいずれか、又は露光処理の前後両方にて行うようにしてもよい。また保護膜を有しない場合には、前記洗浄ユニット４０３を、単にウエハＷの汚れを除去するために使用してもよいし、この洗浄ユニット４０３は補助ブロックＳ５内に組み込むようにしてもよい。

さらに本発明では、例えば図１７〜図１９に示すように、図１に示すレジストパターン形成装置のように補助ブロックＳ５を設けない構成において、単位ブロックの一つとして保護膜塗布用の単位ブロック（ＩＴＣ層）Ｂ６を設け、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に保護膜除去ユニット４０２を設けるようにしてもよい。この例は、レジストの上層側に反射防止膜を形成せずに、保護膜を形成する場合に対応するレイアウトであり、処理ブロックＳ２は、図１８に示すように、下方側から順に２個のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と、ＢＣＴ層Ｂ５と、ＣＯＴ層Ｂ４と、ＩＴＣ層Ｂ６とがこの順序で積層されており、前記ＩＴＣ層Ｂ６は、液処理ユニットとして前記保護膜塗布ユニット４０１が設けられる以外は、ＴＣＴ層Ｂ３と同様に構成される。

また、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２では、液処理ユニットとして図１７に示すように、例えば２個の現像ユニットと、１個の保護膜除去ユニット４０２とが設けられており、インターフェイスブロックＳ３に洗浄ユニット４０３が設けられている。そしてキャリアブロックＳ１からのウエハＷは、ＢＣＴ層Ｂ５の受け渡しステージＴＲＳ５を介して直接ＢＣＴ層Ｂ５に受け渡され、処理ブロックＳ３からのウエハＷは、例えばＢＣＴ層Ｂ５の受け渡しステージＴＲＳ１０を介してインターフェイスブロックＳ３に受け渡されるようになっている。また２つのＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２では、共通のメインアームＡ２により各部にウエハＷを搬送するように構成され、第１及び第２の受け渡しステージＴＲＳ２，ＴＲＳ７、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、ＤＥＶ層Ｂ２のみに設けられるように構成されている。なお図１７では、図示の便宜上棚ユニットＵ５，Ｕ６には、ＤＥＶ層Ｂ２、ＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴ層Ｂ４、ＩＴＣ層Ｂ６に、夫々１個の第１の受け渡しステージＴＲＳ２，ＴＲＳ５，ＴＲＳ４，ＴＲＳ１３、第２の受け渡しステージＴＲＳ７，ＴＲＳ１０，ＴＲＳ９，ＴＲＳ１４のみを描いている。

またキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣの搬送領域の上方側には既述のフィルタユニット（ＦＦＵ）４０４が設けられ、インターフェイスブロックＳ３の上方側には、ＵＬＰＡフィルタ４０５が設けられる点は、上述の図１１に示す装置と同様である。

このような構成のレジストパターン形成装置において、液浸露光処理を行い、次いで当該露光処理後に洗浄処理を行なう場合には、例えば上述の第１の実施の形態と同様に、ウエハＷは、キャリアブロックＳ１→ＢＣＴ層Ｂ５→ＣＯＴ層Ｂ４→ＩＴＣ層Ｂ６の順序で搬送され、次いで棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ１４→第２の受け渡しアームＤ２→第２の受け渡しステージＴＲＳ１０→インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→洗浄ユニット４０３→インターフェイスアームＢ→処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ７→メインアームＡ２→ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の保護膜除去ユニット４０２→メインアームＡ２→ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の経路で搬送される。

この実施の形態においても、処理ブロックＳ２に保護膜を塗布するための単位ブロック（ＩＴＣ層）Ｂ６を積層すると共に、インターフェイスブロックＳ３に露光処理後の洗浄ユニット４０３を設け、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に保護膜除去ユニット４０２を設けているので、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間のウエハＷの通り道にて、液浸露光前の保護膜の形成、露光処理後の洗浄処理、当該洗浄処理後現像処理前の保護膜の除去処理をウエハＷの搬送経路を逆行することなく行うことができる。このためウエハＷの搬送経路の複雑化を抑えながら、塗布膜形成後や露光処理後の適切なタイミングで所定の処理を行なうことができ、このような処理を行なう場合であっても、搬送プログラムの複雑化を抑えることができる。さらにインターフェイスブロックＳ３に洗浄ユニット４０３を設けることにより、インターフェイスブロックＳ３の空いているスペースを有効利用でき、液浸露光装置Ｓ４から洗浄ユニット４０３までのウエハＷの搬送距離が短いという効果も得られる。

なおこの実施の形態においては、レジスト膜の上に反射防止膜を形成し、さらにその上に保護膜を形成するようにしてもよく、この場合には例えば処理ブロックＳ２の下方側から２個のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２、ＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ３、ＩＴＣ層Ｂ６の順序で積層するように構成される。

さらに本発明では、前記棚ユニットＵ５に設けられる第１の受け渡しステージと、棚ユニットＵ６に設けられる第２の受け渡しステージの少なくとも一つをウエハＷの温度調整するための温調ユニット（ＣＰＬ）を兼用する構成としてもよい。この温調ユニット（ＣＰＬ）５００は、塗布膜が形成される前のウエハＷを載置して、当該ウエハＷに対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行うときの温度に調整するものであり、例えば図２０に示すように、加熱ユニットにて加熱されたウエハＷを載置して第１の温度に粗調整する第１の温調プレート５１０と、ウエハＷを塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行うときの温度にさらに精密に温度調整する第２の温調プレート５２０とを備えており、これらは共通の処理容器５０１内に互いに積層して設けられている。ここで前記塗布膜形成用の薬液を塗布する処理としては、ウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行う処理、ウエハＷに反射防止膜を形成するときの処理、ウエハＷに対して液浸露光の際の撥水性保護膜を形成するときの処理などが挙げられる。

この例では、処理容器５０１の内部において、上方側に第１の温調プレート５１０、その下方側に第２の温調プレート５２０が設けられている。処理容器５０１内には、当該容器５０１内を上下方向に区画するためのベースプレート５０２が設けられており、このベースプレート５０２は、処理容器５０１の底壁５０３から垂直に伸びる第１の支持部５０４にて支持されている。このベースプレート５０２の上には、銅又はアルミニウム等の熱伝熱率の良好な部材より構成された、例えば円柱状の載置部５１１により、裏面側の中心部が支持される状態で第１の温調プレート５１０が設けられている。

この例では、第１の温調プレート５１０は、例えばアルミニウムにより構成されており、例えば１５ｍｍ程度の厚さを持った略円形板状に形成され、ウエハＷと略同じ大きさの直径を有している。またその表面には、ウエハＷを温調プレート５１０から０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度浮上させた状態で支持するための突起５１２が設けられている。またこの温調プレート５１０の周縁部の例えば４ヵ所には、図２１に示すように、当該温調プレート５１０の中心部に向けて切り欠き部５１３が形成されている。

さらに温調プレート５１０には、第１のヒートパイプ５１４が設けられており、このヒートパイプ５１４は、例えば温調プレート５１０の裏面側に形成された図示しない溝部に埋め込まれるようにして設けられ、このヒートパイプ５１４の一部は載置部５１１に接続されている。ここでヒートパイプ５１４は、例えば温調プレート５１０の裏面側全体に張り巡らされるように設けられている。

またベースプレート５０２には、載置部５１１の下面と接触するように第２のヒートパイプ５１５が埋設されており、この第２のヒートパイプ５１５はベースプレート５０２に沿ってベースプレート５０２の一端側に向って伸張するように埋め込まれ、他端側はベースプレート５０２から伸び出して上方側に屈曲し、この他端側の一部は例えば銅やアルミニウムにより構成された伝熱部材５１６の表面に接続されている。

ここでヒートパイプ５１４，５１５について説明すると、このヒートパイプは、蒸発、凝縮による潜熱の吸収、放出を利用した熱輸送を行う伝熱素子であり、例えばアルミニウムやステンレス、銅等からなる金属製の管体の内壁に多孔質体を貼設して構成されている。前記多孔質体は後述する毛細管現象を得るためのものであって、例えば金属細線を編んで作られた、金網や金属フェルト等よりなる。この管体は両端が塞がれており、内部が排気されて例えば真空状態に設定され、この中には、例えばナトリウムやナフタレンなどよりなる揮発性の液体（作動流体）が少量封入されている。

このようなヒートパイプでは、一端側（蒸発部）が加熱されると作動流体が蒸発し(蒸発潜熱による熱の吸収)、蒸気流となって僅かな圧力差で管体の内部を他端側の凝縮部（低温部）へ高速移動し、ここで前記蒸気流は管体の壁面に接触し冷却されて凝縮する。この際、凝縮熱により熱を放出するので、凝縮部に熱が輸送される。そして凝縮液は多孔質体を通って毛細管現象により、蒸発部へ還流され、再び蒸発→移動→凝縮のサイクルを繰り返して、熱が連続的に輸送されるようになっているため、他端側を冷却するとヒートパイプの表面全体が均一に冷却されるようになっている。なおここでいうヒートパイプとは、必ずしも一般概念でいうパイプに限らず、幅広の空洞部を備えた扁平プレート内にて作動液を封入したものであってもよい。

また前記第２の温調プレート５２０は、例えばアルミニウムにより構成されており、例えば４ｍｍ程度の厚さを持った略円形板状に形成され、ウエハＷよりも大きい直径を有している。また内部に、例えば所定の温度に調整された温調液を流すための温調液流路５２１を備えている。この第２の温調プレート５２０は、裏面側の周縁領域近傍を処理容器５０１の底壁５０３から、第１の支持部５０４の内側において垂直に伸びる第２の支持部５０５により支持されており、その表面には、ウエハＷを温調プレート５２０から０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度浮上させた状態で支持するための突起５２２が設けられている。

また前記温調プレート５２０には、外部の搬送機構との間でウエハＷの受け渡しを行うための、冷却プレート５２０の表面からその先端部が突没自在に設けられた支持ピン５０６が設けられ、前記第１の支持部５０５の内部には、前記支持ピン５０６の昇降機構５０７が設けられている。

図中５３０は温度調整された温調液を循環される温調液循環路であり、例えばアルミニウム等の熱伝導性の良好な部材により形成された通流パイプより、処理容器５０１を上下方向に貫通するように設けられている。またこの温調液循環路５３０は、前記伝熱部材５１５の略中心を貫通するように設けられ、さらに温調液循環路５３０には、第２の温調プレート５２０の温調液流路５２１に、前記温調液を供給するための温調液供給路５３１と、第２の温調プレート５２０の温調液流路５２１から温調液を排出するための温調液排出路５３２とが接続されている。図中５３４は、処理容器５０１の外部に設けられた温調液の温調機構である。

こうして温調液循環路５３０に所定の温度例えば２３℃に調整された温調液を循環させると、第１のヒートパイプ５１４は、載置部５１１、第２のヒートパイプ５１５、伝熱部材５１６を介して温調液循環路５３０の外面に熱的に接触しているので、温調液循環路５３０の外面の熱が伝熱部材５１６→第２のヒートパイプ５１５→載置部５１１→第１のヒートパイプ５１４の経路で伝熱され、こうして第１のヒートパイプ５１４は温調液循環路５３０の外面の温度に温度調整される。これにより第１の温調プレート５１０の表面は２３℃にほぼ精密に温度調整される。また温調液は第２の温調プレート５２０の温調液流路に循環供給されるので、これにより第２の温調プレート５２０の表面温度は、常に２３℃の温度に正確に温度調整される。

続いて第１の温調プレート５１０、第２の温調プレート５２０にウエハＷを受け渡すウエハＷの搬送機構５３０について説明すると、この搬送機構５３０としては、棚ユニットＵ５に温調ユニット５００が設けられている場合には、例えばキャリアブロックＳ１に設けられたトランスファーアームＣや、処理ブロックＳ２に設けられた第１の受け渡しアームＤ１、各単位ブロックに設けられたメインアームＡが用いられ、棚ユニットＵ６に温調ユニット５００が設けられている場合には、処理ブロックＳ２に設けられた第２の受け渡しアームＤ２、各単位ブロックのメインアームＡや、インターフェイスブロックＳ３に設けられたインターフェイスアームＢ、補助ブロックＳ５に設けられた第３又は第４の受け渡しアームＥ，Ｆ１，Ｆ２が用いられる。

そしてこの搬送機構５３０は、図２１に示すような水平な馬蹄形状の搬送アーム５３１を有しており、この搬送アーム５３１の内周の大きさは、第１の温調プレート５１０の直径よりも若干大きく形成されており、この内周における下部には、内方へ向かう４つの突片５３３が設けられ、図に示すように、これらの突片５３３上にウエハＷが保持されるようになっている。

搬送アーム５３１は例えば図示しない駆動機構により搬送基体５３２を介して昇降自在、かつ進退自在に構成され、第１の温調プレート５１０にウエハＷを受け渡す際には、ウエハＷを保持した搬送アーム５３１が、処理容器５０１の搬送口（図示せず）を介して処理容器５０１内に進入する。ここで温調プレート５１０の外周の切り欠き部５１３は、夫々搬送アーム５３１の突片５３３と対応する位置に設けられていることから、搬送アーム５３１が温調プレート５１０に対し上方側から覆い被さるように下降することで、搬送アーム５３１が温調プレート５１０の下方側に通過し、搬送アーム５３１上のウエハＷが温調プレート５１０に受け渡される。ウエハＷを受け渡した搬送アーム５３１は、前方の切り欠き部５３４が載置部５１１の外側を通り抜けるように手前側に後退して処理容器５０１内から退去するようになっている。このため載置部５１１の直径は前記搬送アーム５３１に形成された切り欠き部５３４よりも小さく設定される。

また第２の温調プレート５２０との間では、第２の温調プレート５２０の上方側に支持ピン５０６を突出させ、搬送アーム５３１が支持ピン５０６に対し上方側から覆い被さるように下降することで、搬送アーム５３１上のウエハＷが支持ピン５０６上に受け渡される。ウエハＷを受け渡した搬送アーム５３１は、前方の切り欠き部５３４が支持ピン５０６の外側を通り抜けるように手前側に後退して処理容器５０１内から退去し、次いで支持ピン５０６が下降することにより、支持ピン５０６から第２の温調プレート５２０に対してウエハＷが受け渡されるようになっている。このため前記搬送アーム５３１に形成された切り欠き部５３４が支持ピン５０６外側を通過できるように、支持ピン５０６の位置が設定される。

このような温調ユニット５００は、上述のいずれのレジストパターン形成装置に対しても組み込むことができるが、ここでは例えば図１７〜図１９に示す装置に組み込む場合を例にして説明する。この例では例えば図２２に示すように、温調ユニット（ＣＰＬ）は、棚ユニットＵ５のＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴ層Ｂ４、ＩＴＣ層Ｂ６に、温調ユニットＣＰＬ５、ＣＰＬ４、ＣＰＬ６が夫々設けられ、棚ユニットＵ６のＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴ層Ｂ４、ＩＴＣ層Ｂ６に、温調ユニットＣＰＬ７、ＣＰＬ８、ＣＰＬ９が夫々設けられ、棚ユニットＵ６のＤＥＶ層Ｂ２には、２個の温調ユニットＣＰＬ１、ＣＰＬ２が設けられており、一方の温調ユニットＣＰＬ２は、処理ブロックＳ２からインターフェイスブロックＳ３へウエハＷを受け渡す際に用いられ、他方の温調ユニットＣＰＬ１は、インターフェイスブロックＳ３から処理ブロックＳ２へウエハＷを受け渡す際に用いられるようになっている。

なお図２２では、図示の便宜上、受け渡しステージＴＲＳはＤＥＶ層Ｂ２の棚ユニットＵ５にしか描いていないが、実際には、各単位ブロックの棚ユニットＵ５，Ｕ６に温調ユニットと共に設けるようにしてもよいし、受け渡しステージＴＲＳのみを設けた単位ブロックを備えるように構成してもよい。また棚ユニットＵに設ける温調ユニットや受け渡しステージの数は適宜選択される。

そしてこのような装置におけるウエハＷの流れについて説明すると、キャリアブロックＳ１のウエハＷは、トランスファーアームＣによりＢＣＴ層Ｂ５の温調ユニット（ＣＰＬ５）を介してＢＣＴ層Ｂ５に受け渡され、この温調ユニット（ＣＰＬ５）の第２の温調プレート５２０の上に所定時間載置されることにより、ウエハＷは（２３＋０．２）℃に温度調整される。そしてメインアームＡ５により→第１の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＨＰ５）→棚ユニットＵ６の温調ユニット（ＣＰＬ７）の第１の温調プレート５１０の順序で搬送される。ここで加熱ユニット（ＣＨＰ５）では、ウエハＷは既述のように加熱プレート５３にて加熱された後、冷却プレート５４により５０℃程度に粗熱取りされるので、ウエハＷを温調ユニット（ＣＰＬ７）の第１の温調プレート５１０の上に１２秒程度載置することにより、ウエハＷは５０℃から（２３＋１）℃まで粗冷却される。

続いて温調ユニット（ＣＰＬ７）のウエハＷは第２の受け渡しアームＤ２により、ＣＯＴ層Ｂ４に受け渡すために温調ユニット（ＣＰＬ８）の第２の温調プレート５２０に搬送され、この温調プレート５２０の上に例えば１２秒間載置されることにより、ウエハＷは（２３＋１）℃から（２３＋０．２）℃に冷却される。そしてメインアームＡ４により疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ４）→塗布ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ４）→棚ユニットＵ５の温調ユニット（ＣＰＬ４）の第１の温調プレート５１０の順序で搬送され、加熱ユニット（ＣＨＰ４）の冷却プレート５４にて約５０℃に粗熱取りされたウエハＷは、この第１の温調プレート５１０の上に１２秒程度載置されることにより、ウエハＷは（２３＋１）℃まで粗冷却される。

次いで温調ユニット（ＣＰＬ４）のウエハＷは第１の受け渡しアームＤ１によ
り、ＩＴＣ層Ｂ６に受け渡すために温調ユニット（ＣＰＬ６）の第２の温調プレート５２０に搬送され、この温調プレート５２０の上に例えば１２秒間載置されることにより、ウエハＷは（２３＋１）℃から（２３＋０．２）℃に冷却される。そしてメインアームＡ６により保護膜塗布ユニット４０１→加熱ユニット（ＣＨＰ６）→棚ユニットＵ６の温調ユニット（ＣＰＬ９）の第１の温調プレート５１０の順序で搬送され、加熱ユニット（ＣＨＰ６）の冷却プレート５４にて約５０℃に粗熱取りされたウエハＷは、この温調ユニット（ＣＰＬ９）の第１の温調プレート５１０の上に１２秒程度載置されることにより、（２３＋１）℃まで冷却される。

続いて温調ユニット（ＣＰＬ９）のウエハＷは第２の受け渡しアームＤ２により温調ユニット（ＣＰＬ７）又は温調ユニット（ＣＰＬ２）の第２の温調プレート５２０に搬送され、この温調プレート５２０の上に例えば１２秒間載置されることにより、ウエハＷは（２３＋１）℃から（２３＋０．２）℃に冷却される。次いでこの温調ユニット（ＣＰＬ７）又は温調ユニット（ＣＰＬ２）ウエハＷはインターフェイスアームＢにより取り出されて露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の液浸露光処理が行なわれる。露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＢ→洗浄処理ユニット４０３→インターフェイスアームＢ→温調ユニット（ＣＰＬ１）の第２の温調プレート５２０で搬送され、ここで（２３＋０．２）℃まで冷却される。

この後ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）では、メインアームＡ２により、保護膜除去ユニット４０３→加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））→冷却ユニット（ＣＯＬ１（ＣＯＬ２））→現像ユニット３２→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１（ＰＯＳＴ２））の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、第１の受け渡しステージＴＲＳ２を介して、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

このように棚ユニットＵ５、棚ユニットＵ６に受け渡しステージを兼用する温調ユニット５００を設けると、各単位ブロック間、又はキャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２との間や、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間、又は処理ブロックＳ２と補助ブロックＳ５との間のウエハＷの受け渡しの待機の時間で、ウエハＷの温度調整を行なうことができるので、トータルの処理時間を短くすることができ、スループットの向上を図ることができる。

この際、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ４，Ｂ５，Ｂ６の間にウエハＷの搬送を行なう際には、先ず１つの塗布膜を形成した単位ブロックの温調ユニット５００の第１の温調プレート５１０にウエハＷを受け渡して、ウエハＷ温度を（２３＋１）℃に粗調整してから、次の塗布膜を形成するための単位ブロックの温調ユニット５００の第２の温調プレート５２０にウエハＷを搬送して、ここでウエハＷ温度を（２３＋０．２）℃に精密に調整しているので、温度調整（冷却）を段階的に行うことができ、トータルの調整時間（冷却時間）を短縮することができる。

また上述の温調ユニット５００は、ウエハＷを（２３＋１）℃に調整する第１の温調プレート５１０についてはヒートパイプ５１４、５１５を用いて温調プレート５１０の温度調整を行い、ウエハＷを（２３＋０．２）℃に調整する第２の温調プレート５２０については、温調液を循環供給して温調プレート５２０の温度調整を行なっている。このため第１の温調プレート５１０の温度調整時に、温調液循環路に対する温調液の出入りがないので、温調液循環路の温調液の流量圧損を発生させずに当該温調プレート５１０の温度調整を行なうことでき、これにより第２の温調プレート５２０では、当該プレート５２０内を循環供給される温調液の流量が変化することがないので、精度よく当該プレート５２０の温度調整を行なうことができる。

また前記温調ユニット５００の第１の温調プレート５１０、第２の温調プレート５２０は、上述の図１の例に示す冷却ユニット（ＣＯＬ）の冷却プレートと同じ役割を果たすので、各単位ブロックでは冷却ユニットを設けずに、この冷却ユニットの代わりに温調ユニット５００の第１の温調プレート５１０または第２の温調プレート５２０にてウエハＷを冷却するようにしてもよい。

このように各単位ブロックに設ける冷却ユニットの数を減らしたり、または冷却ユニットを設けなくすることにより、単位ブロックでは、今まで冷却ユニットが設けられていたスペースに他のユニットを組み込むことができる。ここでスループットを向上させるためには、各単位ブロックに加熱ユニット（ＣＨＰ）を４列設ける必要があるが、このような要請に対応することができるので、トータルのスループットをさらに向上させることができる。

さらにこの温調ユニット５００では、第１の温調プレート５１０を２枚以上に積層して設けるようにしてもよい。ここで第１の温調プレート５１０では、外部の搬送機構５３０が当該温調プレート５１０の上方側から下方側に通り抜けてウエハＷを温調プレート５１０に受け渡すように構成されているので、支持ピンを昇降させてウエハＷの受け渡しを行なう場合に比べて昇降機構が不要であるため、温調プレート５１０が設けられる領域の上下方向の大きさを小さくすることができ、上下方向のスペースがそれ程大きくなくても容易に積層構造に対応することができる。

一方第２の温調プレート５２０については、支持ピン５０６を昇降させてウエハＷの受け渡しを行なっていることから、温調プレート５２０をウエハＷよりも大きく形成することができ、ウエハＷの周縁領域においても十分に温度調整を行なうことができる。これにより当該温調プレート５２０の温度が精度よく温度調整されていることと合わせて、ウエハＷ温度の面内均一性を高めることができるので、後の塗布膜を形成する工程において、面内均一性の高い塗布膜を形成することができる。

なお第１の温調プレート５１０については、ウエハＷとほぼ同じ大きさであるが、ここに加熱処理後に５０℃に温度調整されたウエハＷを１２秒間載置することによって、ウエハＷ温度を面内において、（２３＋１）℃に十分に温度調整できることは確認されている。

以上において本発明では、液浸露光を行なう際に用いられる保護膜塗布ユニット４０１は、補助ブロックＳ５や専用の単位ブロック（ＩＴＣ）Ｂ６に設ける以外に、他の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに組み込むようにしてもよい。また液浸露光を行なう際に用いられる保護膜除去ユニット４０２についても、補助ブロックＳ５やＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に設ける以外に、他の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに組み込むようにしてもよい。さらに液浸露光を行なう際に用いられる洗浄ユニット４０３については、インターフェイスブロックＳ３や補助ブロックＳ５に設ける以外に、処理ブロックＳ２を構成する単位ブロックＢ１〜Ｂ６のいずれかに組み込むようにしてもよい。

本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置における棚ユニットを搬送領域側から見た正面図である。 前記塗布、現像装置におけるインターフェイスブロックを示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における各単位ブロックを示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置におけるインターフェイスアームの一例を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットを示す平面図と縦断断面図である。 前記塗布、現像装置の他の実施の形態の一例を示す平面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態の一例を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における補助ブロックをインターフェイスブロック側から見た断面図である。 前記塗布、現像装置における保護膜除去ユニットの一例を示す縦断断面図と平面図である。 前記塗布、現像装置における洗浄ユニットで行われる洗浄方法の一例を示す工程図である。 前記塗布、現像装置における洗浄ユニットで行われる洗浄方法の一例を示す工程図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態の一例を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における処理ブロックをインターフェイスブロック側から見た断面図である。 前記塗布、現像装置における温調ユニットの一例を示す縦断断面図である。 前記塗布、現像装置における温調ユニットの一例を示す平面図と斜視図である。 前記塗布、現像装置に前記温調ユニットを設けた場合のレイアウトの一例を示す側部断面図である。 従来の塗布、現像装置を示す平面図である。

Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ｓ５ 補助ブロック
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ インターフェイスアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１ 第１の受け渡しアーム
Ｄ２ 第２の受け渡しアーム
Ｅ 第３の受け渡しアーム
Ｆ１，Ｆ２ 第４の受け渡しアーム
３１ 塗布ユニット
３２ 現像ユニット
３３ 第１の反射防止膜形成ユニット
３４ 第２の反射防止膜形成ユニット
６ 制御部
７１ 検査ユニット
７２ 洗浄ユニット
４０１ 保護膜塗布ユニット
４０２ 保護膜除去ユニット
４０３ 洗浄ユニット
５００ 温調ユニット
５１０ 第１の温調プレート
５２０ 第２の温調プレート

Claims (1)

1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、当該処理ブロックに対してキャリアブロック側の反対側に接続されたインターフェイスブロックを介して露光処理する基板を搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
   ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、互いに積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
   前記各単位ブロックは、処理液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
   ｂ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する単位ブロック、及び前記レジスト膜を形成する前の下層側に反射防止薬液を塗布して第１の反射防止膜を形成する単位ブロックまたは／及びレジスト膜形成後の上層側に反射防止薬液を塗布して第２の反射防止膜を形成する単位ブロックであり、
   ｃ）前記それぞれの液処理ユニットは、共通の処理容器内に設けられ、複数の基板を夫々保持するために横方向に配列された複数の処理カップ内にそれぞれ設けられる基板保持部と、前記処理容器内に設けられ複数の基板保持部に保持された基板に対して処理液を塗布する共通の薬液ノズルと、
   前記処理液を塗布された基板に対してリンス液を供給する前記複数の処理カップ毎に設けられるリンスノズルと、
   前記薬液ノズルを前記処理容器の長さ方向に移動させる移動機構と、
   を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。

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