JP2021015996A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】稼働率が高く、基板の処理を正確且つ精度高く行うことができ、構成の変更の自由度が高い基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板に液処理を行うために連続する一連の処理を行う複数のユニットと、前記複数のユニット間において前記基板の搬送を行うユニット間搬送機構と、を各々含む複数の処理ブロックと、前記複数の処理ブロックごとに設けられ、前記複数のユニット及びユニット間搬送機構を制御するブロック制御部と、前記複数の処理ブロックの各々に対応する各ブロック制御部に対して共通に設けられる上位制御部により制御され、前記処理ブロックに対して基板を搬入出するための主搬送機構と、を備えるように装置を構成する。そして、前記ブロック制御部は、前記上位制御部に対して情報の授受を行い、各ブロック制御部で互いに独立して処理が行われるように基板処理装置を構成する。【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する複数のユニットを備える基板処理装置に関する。

半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に塗布膜を形成するためのレジストなどの薬液を供給したり、レジストを現像するために現像液を供給したりする各種の液処理や、加熱処理などの各種の処理が行われる。このような各種の処理を行うユニットが多数搭載された基板処理装置には、制御部（コントローラ）が設けられ、各ユニットやユニット間で基板を搬送する基板搬送機構に制御信号を送信し、これらの動作を制御している。特許文献１には、そのように制御部を備えた基板処理装置が記載されている。

しかし、上記の制御部を構成するハードウエアの部品交換や、当該制御部を構成するソフトウエアの更新などのメンテナンスを行う際には、制御部の動作を停止させる必要があり、制御部の動作停止中は上記の各ユニット及び基板搬送機構は動作を行えない。従って、基板処理装置の稼働率を十分に高くすることができないおそれがある。また、ユニットが小型化し、より多くのユニットを基板処理装置に搭載することになった場合に、上記の制御部の負荷が大きくなるので、ユニットの動作の精度及び正確さを担保できなくなるという懸念が有る。さらに、このユニットの増設及び取り外しを自由に行うことができ、多様な処理に対応できる基板処理装置が求められている。

特開２００５−１７５３１０

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、稼働率が高く、基板の処理を正確且つ精度高く行うことができ、構成の変更の自由度が高い基板処理装置を提供することである。

本発明の基板処理装置は、基板に液処理を行うために連続する一連の処理を行う複数のユニットと、前記複数のユニット間において前記基板の搬送を行うユニット間搬送機構と、を各々含む複数の処理ブロックと、
前記複数の処理ブロックごとに設けられ、前記複数のユニット及びユニット間搬送機構を制御するブロック制御部と、
前記複数の処理ブロックの各々に対応する各ブロック制御部に対して共通に設けられる上位制御部と、
前記上位制御部により制御され、前記処理ブロックに対して基板を搬入出するための主搬送機構と、を備え、
前記ブロック制御部は、前記上位制御部に対して情報の授受を行うように構成されていることを特徴とする。

本発明の基板処理装置は、基板に液処理を行うために連続する一連の処理を行う複数のユニットとユニット間搬送機構とを含む処理ブロックが複数設けられ、当該処理ブロックに対応して設けられたブロック制御部と情報の授受を行う上位制御部により制御される主搬送機構が処理ブロックに対して基板の搬入出を行う。従って、ブロック制御部の一つが動作不可になっても、他のブロック制御部を備える処理ブロックでは基板の処理を行うことができるので、基板処理装置の稼働率の低下を抑えることができる。また、基板処理装置内の全ユニットの動作の制御を一つのブロック制御部で行う場合に比べて、ブロック制御部の負荷を抑えることができるため、ユニットを比較的多く設けた場合であっても各ユニットにおいて基板の処理の正確さや精度が低下することを防ぐことができる。さらに、この基板処理装置においては、ユニットの増減を、処理ブロックを増減させることで行うことができる。そして、処理ブロックごとにブロック制御部が設けられるため、この処理ブロックの増減によって、増減された処理ブロック以外の処理ブロックのブロック制御部及び上位制御部における負荷の変動が抑えられる。従って、本発明の基板処理装置においては、ユニットの増減を比較的自由に行ってその構成を変更することができ、スループットの向上を図ると共に、多様な処理の要請に対応することができる。

本発明に係る第１の実施形態の塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。 前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる処理ブロックの縦断正面図である。 前記処理ブロック及び処理ブロックにウエハを搬送する搬送機構の斜視図である。 処理ブロックに設けられるレジスト膜形成ユニット及び液処理供給機構の概略構成図である。 前記処理ブロックに設けられるブロック制御部とブロック制御部との接続を示す説明図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示す概略図である。 第２の実施形態の塗布、現像装置の概略斜視図である。 前記塗布、現像装置の平面図である。 前記第２の実施形態の塗布、現像装置の変形例を示す斜視図である。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置である塗布、現像装置１について図１、図２を参照しながら説明する。図１、図２は、夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図である。塗布、現像装置１には、露光装置Ａ４が接続されており、塗布、現像装置１及び露光装置Ａ４により、基板であるウエハＷの表面におけるレジスト膜の形成、レジスト膜の露光、レジスト膜の現像を順次行い、レジスト膜にレジストパターンを形成するレジストパターン形成システムが構成されている。

塗布、現像装置１は、キャリアセクションＡ１と、処理セクションＡ２と、インターフェイスセクションＡ３とが、この順に水平方向に直線状に配置されて構成されており、インターフェイスセクションＡ３とは反対側に露光装置Ａ４が接続されている。セクションＡ１〜Ａ３について、隣り合うように配置されたセクションは、互いに接すると共に互いに区画されている。便宜上、以降の説明では、セクションＡ１〜Ａ３の配列方向を前後方向とし、キャリアセクションＡ１側を前方側、インターフェイスセクションＡ３側を後方側とする。また、特に説明が無い限り、後述の右側、左側とは、前方側から後方側に向かって見たときの右側、左側であるものとする。

図３、図４は、塗布、現像装置１を右側から左側に、左側から右側に夫々向かって見た概略縦断側面図であり、これら図３、図４も参照しながら、各セクションについて説明する。先ず、キャリアセクションＡ１について説明すると、図中１１は、ウエハＷを複数枚格納した状態で塗布、現像装置１の外部から搬送されるキャリアである。図中１２は、キャリア１１の載置台である。図中１３はキャリアセクションＡ１の側壁に設けられる搬送口を開閉する開閉部である。図中１４はウエハＷの搬送機構であり、載置台１２に載置されたキャリア１１と、後述の受け渡し部ＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように、左右方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在且つ進退自在なウエハＷを保持する保持体を備えている。

上記の受け渡し部ＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２は、キャリアセクションＡ１における後方側の右側上部、左側上部に夫々設けられている。このキャリアセクションＡ１に設けられる受け渡し部ＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２及びインターフェイスセクションＡ３に設けられる後述の各受け渡し部ＴＲＳは、例えば水平な板と、当該板から上方に突出した複数のピンとを備える。各受け渡し部ＴＲＳにアクセスするウエハＷの搬送機構の昇降動作によって、ピン上へのウエハＷの載置及びピンからのウエハＷの持ち上げが行われ、ウエハＷの搬送機構間でウエハＷを受け渡すことができる。

続いて処理セクションＡ２について、図５の概略縦断正面図も参照して説明する。この処理セクションＡ２は、処理ブロック（セル）Ｂ１〜Ｂ８により構成されている。処理ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４が右側に、前方から後方に向かって、この順に一列に設けられており、処理ブロックＢ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８が左側に、前方から後方に向かって、この順に一列に設けられている。また、処理ブロックＢ１、Ｂ５が左右に対向し、処理ブロックＢ２、Ｂ６が左右に対向し、処理ブロックＢ３、Ｂ７が左右に対向し、処理ブロックＢ４、Ｂ８が左右に対向している。処理ブロックＢ１〜Ｂ８は各々筐体３１を備えており、各筐体３１内は互いに区画されている。

処理ブロックＢ１〜Ｂ８は、ウエハＷの温度調整と、温度調整されたウエハＷへの処理液の供給と、ウエハＷの加熱処理と、を含む連続する一連の処理を各々行うことができるように、温度調整ユニット、液処理ユニット及び加熱ユニットを各々備えている。処理ブロックＢ１、Ｂ２は互いに同じ構成のブロックであり、これら処理ブロックＢ１、Ｂ２では上記の処理液として、反射防止膜の形成用の薬液（塗布液）がウエハＷに塗布される。処理ブロックＢ３、Ｂ４は互いに同じ構成のブロックであり、これら処理ブロックＢ３、Ｂ４では上記の処理液として、レジスト膜を形成するための塗布液であるレジストが、ウエハＷに塗布される。処理ブロックＢ５〜Ｂ８は互いに同じ構成のブロックであり、これら処理ブロックＢ５〜Ｂ８では上記の処理液として、現像液がウエハＷに供給される。なお、そのように反射防止膜形成用の薬液を供給する処理ブロックを「ＢＣＴ」、レジストを供給する処理ブロックを「ＣＯＴ」、現像液を供給する処理ブロックを「ＤＥＶ」として夫々表す場合がある。

処理ブロックＢ１〜Ｂ８のうち代表してＣＯＴ処理ブロックＢ３について、図６の斜視図も参照して説明する。ＣＯＴ処理ブロックＢ３の筐体３１の上部右側は、上方に突出した突出部３２を形成しており（図２参照）、この突出部３２内の前方側には、上下方向に受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２が各々設けられている。この受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、後述する主搬送機構Ｄ１とユニット間搬送機構４との間でウエハＷを受け渡すために当該ウエハＷを載置する役割を有しており、受け渡し部ＴＲＳ１はＣＯＴ処理ブロックＢ３へウエハＷを搬入するための搬入用載置部、受け渡し部ＴＲＳ２はＣＯＴ処理ブロックＢ３からウエハＷを搬出するための搬出用載置部である。突出部３２の左側の側面には、主搬送機構Ｄ１が受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２にアクセスできるように開口部が形成され、このアクセスが行われないときには、シャッタにより当該開口部が閉鎖される。このシャッタ及び開口部の図示は省略している。

受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、互いに同様に構成されている。代表して受け渡し部ＴＲＳ１について図６を参照して説明すると、当該受け渡し部ＴＲＳ１は、上下方向に互いに間隔をおいて積層された複数の円形の水平なプレート（図６では１枚のみ表示している）により構成されており、各プレートの周縁部には複数の切り欠きが形成されている。複数のプレートの各々にウエハＷが載置され、プレートの切り欠きは、当該受け渡し部ＴＲＳにウエハＷの受け渡しを行う各搬送機構の後述の爪部４４Ｂに対応するように形成されている。

処理ブロックＢ３内の右後方には、処理ブロックＢ３内の各ユニット間、及びユニットと受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２との間でウエハＷの搬送を行うユニット間搬送機構４が設けられている。このユニット間搬送機構４は起立した縦長のフレーム状の昇降用ガイド４１と、当該昇降用ガイド４１の長さ方向に沿って垂直に昇降する昇降台４２と、昇降台４２上にて鉛直軸周りに回転自在な回転台４３と、回転台４３上を進退自在に設けられるウエハＷの保持体４４を備えている。上記の昇降用ガイド４１は、筐体３１内における下端部から突出部３２に至る領域（昇降路）を保持体４４が昇降できるように形成されている。保持体４４は、ウエハＷの側周を囲む平面視概ねＣ字状の保持体本体４４Ａと、当該保持体本体４４Ａの下端部から保持体本体４４Ａの内側へ向けて突出し、ウエハＷの裏面周縁部を支持する複数の爪部４４Ｂと、を備えている。

ユニット間搬送機構４と受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２とのウエハＷの受け渡しは、当該ユニット間搬送機構４の保持体４４が回転台４３を前進した状態で、受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２を構成するプレートに対して昇降することで行われる。この受け渡し時においては、保持体本体４４Ａがプレートの外側を通過すると共に爪部４４Ｂがプレートの切り欠きを通過する。なお、後述の主搬送機構Ｄ１と受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２との間でのウエハＷの受け渡しも、上記のユニット間搬送機構４と受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２との間におけるウエハＷの受け渡しと同様に行われる。

筐体３１内における突出部３２の下方には、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３が、上下方向に積層されて設けられている。温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３は、各々受け渡し部ＴＲＳ１と略同様に構成されており、ユニット間搬送機構４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。受け渡し部ＴＲＳ１との差異点としては、温度調整ユニットＳＣＰＬのプレートには図示しない温度調整機構によって温度調整された液体の流路が設けられており、この液体によって当該プレートの温度が所定の温度に調整されている。ウエハＷがこのプレートに載置されることで、当該ウエハＷの温度が所定の温度になるように調整される。この温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３は、ウエハＷにレジストを供給する前にウエハＷの温度を調整することで、当該レジストにより形成されるレジスト膜の膜厚が所望の膜厚になるように、より確実に制御する役割を有する。

筐体３１内において、左後方には加熱ユニット３３〜３６が上下方向に積層されて設けられている。この加熱ユニット３３〜３６は、レジスト膜に残留する溶媒を揮発させ、当該レジスト膜を乾燥させる役割を有する。当該加熱ユニット３３〜３６には例えば、上記の温度調整ユニットＳＣＰＬのプレートと同様に形成されたウエハＷの温度調整用のプレートと、載置されたウエハＷを所望の温度に加熱する熱板と、上記のプレートを熱板の外側と熱板の上方との間で水平方向に移動させる移動機構と、が設けられている。熱板には、当該熱板と熱板上に移動したプレートとの間でウエハＷを受け渡すために当該熱板上において突没する、ウエハＷの裏面を支持する昇降ピンが設けられている。また、この加熱ユニット３３〜３６のプレートには、そのようにウエハＷを受け渡すにあたり、昇降ピンが通過するためのスリットが設けられている。この加熱ユニット３３〜３６のプレートが熱板の外側に位置するときに、ユニット間搬送機構４の保持体４４の昇降動作により、当該プレートに対してウエハＷの受け渡しが行われる。上記の熱板は、後述のブロック制御部Ｃ３からの制御信号に従って、その温度を変更できるように構成されている。

既述の温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３の下方には、液処理ユニットであるレジスト膜形成ユニット５が設けられている。また、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３の左側には、処理液供給機構６が設けられている。レジスト膜形成ユニット５及び処理液供給機構６の概略構成図である図７を参照しながら説明すると、レジスト膜形成ユニット５は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持するスピンチャック５１と、ウエハＷの中心部にレジストを吐出するノズル５２と、ウエハＷからの液の飛散を防ぐために当該ウエハＷの側周を囲むカップ５３と、を備えている。

図中５４は回転機構であり、スピンチャック５１を回転させ、ウエハＷの表面の中心部に吐出されたレジストを遠心力によって周縁部に展伸させることによって塗布し、レジスト膜を形成する。この回転機構５４によるウエハＷの回転数は、ブロック制御部Ｃ３からの制御信号に従って制御される。図中５５は、ウエハＷの裏面を突き上げる昇降ピンである。なお、図６ではレジスト膜形成ユニット５は筐体３１内を左右に跨がるように示しているが、既述のスピンチャック５１は温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３の下方側、つまり筐体３１内の右側に設けられ、上記の昇降ピン５５を介してユニット間搬送機構４とスピンチャック５１との間におけるウエハＷの受け渡しを行うことができる。

このように配置された各ユニット及び受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２に対してユニット間搬送機構４の保持体４４が昇降することでウエハＷを搬送することができる。つまり、レジスト膜形成ユニット５、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３、加熱ユニット３３〜３６及び受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、当該保持体４４の昇降路に沿って配置されている。

続いて、図７を用いて処理液供給機構６について説明する。処理液供給機構６は、上記のレジスト膜形成ユニット５のノズル５２にレジストを供給するための配管６１を備えており、配管６１には例えば上流側に向かって、バルブＶ１、ポンプＰ、フィルタ６２、レジストの貯留タンク６３がこの順に介設されている。ポンプＰは、貯留タンク６３に貯留されたレジストを吸引して下流側に圧送する。バルブＶ１の開閉によって、この圧送されたレジストのノズル５２への供給状態と、供給停止状態と、が切り替えられる。つまり、ポンプＰ及びバルブＶ１の動作によって、ウエハＷへ供給されるレジストの流量及び供給されるタイミングが制御される。なお、貯留タンク６３には、当該貯留タンク６３の上流側から供給されたレジストを貯留できるようにエアベントが設けられるが、図示は省略している。

ところで、例えば処理セクションＡ２の外部には処理液供給源６５が設けられている。この処理液供給源６５には配管６４の上流端が接続されている。当該配管６４の下流側は分岐し、一方の下流端が処理液供給機構６に含まれるバルブＶ２を介して上記の貯留タンク６３に接続されている。配管６４の分岐した他方の下流端については後述する。

上記の処理液供給源６５は、処理液としてレジストを貯留するタンクと、当該タンク内を加圧してレジストを配管６４の下流側へ圧送する圧送機構とを備えており、バルブＶ２が開いた状態で、配管６１、６４を介してレジストをポンプＰに供給すると共に貯留タンク６３にレジストを貯留させる。貯留タンク６３にレジストが貯留された後は、例えばバルブＶ２が閉鎖され、貯留タンク６３に貯留されたレジストが上記のようにノズル５２に供給される。処理液供給機構６及びレジスト膜形成ユニット５の各バルブＶ及びポンプＰの動作は、ブロック制御部Ｃ３からの制御信号に従って制御される。なお、処理液供給機構６としてはノズル５２レジストを供給できればよいので、少なくともポンプＰを含んでいればよい。

また、ＣＯＴ処理ブロックＢ３においては処理液供給機構６の上方から受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２と、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３との間に跨がるように、ブロック制御部Ｃ３が設けられている（図６参照）。このブロック制御部Ｃ３については後述する。

続いて、ＣＯＴ処理ブロックＢ３以外の処理ブロックについて、処理ブロックＢ３との差異点を中心に説明する。ＣＯＴ処理ブロックＢ４の構成は、上記したようにＣＯＴ処理ブロックＢ３と同じであり、処理ブロックＢ４に設けられた処理液供給機構６の貯留タンク６３には、図６の配管６４の他方の下流端が接続されている。このようにＣＯＴ処理ブロックＢ３、Ｂ４でレジストの供給源６５は共通化されている。そして、ＣＯＴ処理ブロックＢ３の処理液供給機構６、ＣＯＴ処理ブロックＢ４の処理液供給機構６は、このレジストの供給源６５から供給されるレジストを、互いに独立して処理ブロックＢ３のレジスト膜形成ユニット５、ＣＯＴ処理ブロックＢ４のレジスト膜形成ユニット５に供給することができる。つまり、ＣＯＴ処理ブロックＢ３のレジスト膜形成ユニット５、ＣＯＴ処理ブロックＢ４のレジスト膜形成ユニット５は、互いに独立してウエハＷに同種の処理液を供給して、処理を行うことができる。なお、後述するように塗布、現像装置１において処理ブロックの数は適宜増減することができる。配管６４は、下流側の分岐数が、塗布、現像装置１におけるＣＯＴ処理ブロックの数に対応したものに交換できるように処理液供給源６５及び貯留タンク６３に対して着脱自在である。

ＢＣＴ処理ブロックＢ１、Ｂ２は処理ブロックＢ３と略同様の構成であり、処理ブロックＢ３との差異点としては液処理ユニットとして、上記のレジスト膜形成ユニット５の代わりに、ウエハＷに反射防止膜形成用の薬液を供給して反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニット５Ａが設けられることが挙げられる。従って、ＢＣＴ処理ブロックＢ１、Ｂ２に設けられる各処理液供給機構６に接続される処理液供給源６５には、レジストの代わりに、上記の反射防止膜形成用の薬液が貯留される。ＢＣＴ処理ブロックＢ１、Ｂ２に設けられる温度調整ユニット及び加熱ユニットは、ＣＯＴ処理ブロックＢ３、Ｂ４の温度調整ユニット及び加熱ユニットと同様の役割を有する。

また、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８について説明すると、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８のＣＯＴ処理ブロックＢ３との差異点としては、筐体３１の突出部３２が左側に形成されていること、ユニット間搬送機構４がブロック内の左後方に設けられること、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３、受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２及び液処理ユニットのスピンチャック５１がブロック内の左前方に設けられること、処理液供給機構６がブロック内の右前方に設けられること、及び加熱ユニット３３〜３６がブロック内の右側後方に設けられること、が挙げられる。そのように各部が配置されることで、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３、受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２、液処理ユニット、ブロック制御部Ｃ、処理液供給機構６が、処理セクションＡ２において左右対称に設けられている。

また、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８の受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２に対しては、主搬送機構Ｄ１の代わりに、後述の主搬送機構Ｄ２がウエハＷの受け渡しを行う。筐体３１の突出部３２におけるシャッタにより開閉される開口部（不図示）は、この主搬送機構Ｄ２の位置に対応して、右側面に設けられている。

また、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８においては液処理ユニットとして、上記のレジスト膜形成ユニット５の代わりに、ウエハＷに現像液を供給して露光されたレジスト膜を現像する現像ユニット５Ｂが設けられる。従って、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８に処理液を供給するための処理液供給源６５にはレジストの代わりに、当該現像液が貯留される。この処理液供給源６５に接続される配管６４の下流端は４つに分岐して、処理ブロックＢ５〜Ｂ８の各処理液供給機構６に接続されており、処理ブロックＢ５〜Ｂ８の各現像ユニット５Ｂにおいて、互いに独立して現像液の供給を行うことができるように構成される。

処理ブロックＢ５〜Ｂ８に設けられる温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３は、現像液供給前のウエハＷの温度を調整してレジスト膜と現像液との反応を制御し、より確実に所望の形状のレジストパターンを形成するために設けられる。また、加熱ユニット３３〜３８は、現像処理後のウエハＷの乾燥と、及び露光後現像処理前のウエハＷを加熱するポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）と、を行うために設けられている。

上記のように構成された処理ブロックＢ１〜Ｂ８は、互いに独立してウエハＷを搬送し、上記の温度調整、加熱、液処理を含む連続した一連の処理を行うことができる。なお、図１などにおいて処理ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ４〜Ｂ８に設けられるブロック制御部を、夫々Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４〜Ｃ８として示している。

続いて、処理セクションＡ２に設けられる主搬送機構Ｄ１、Ｄ２について説明する。主搬送機構Ｄ１は、処理ブロックＢ１〜Ｂ４の筐体３１上における当該筐体３１の突出部３２の左側に設けられている。主搬送機構Ｄ１は、ユニット間搬送機構４と略同様に構成されており、各図において主搬送機構Ｄ１におけるユニット間搬送機構４と同様の構成要素については、当該ユニット間搬送機構４に付した符号と同じ符号を付している。ユニット間搬送機構４との差異点としては、ユニット間搬送機構４の昇降用ガイド４１の高さに比べて主搬送機構Ｄ１の昇降用ガイド４１の高さは小さいこと、主搬送機構Ｄ１の昇降用ガイド４１は処理ブロックＢ１上からＢ４上に亘って形成された移動機構４６に接続されていること、及び主搬送機構Ｄ１の保持体４４は２つ設けられ、互いに独立して回転台４３上を進退可能に構成されていること、が挙げられる。

上記の移動機構４６によって、昇降用ガイド４１は処理ブロックＢ１上からＢ４上に亘る領域を前後方向に移動可能である。そして、主搬送機構Ｄ１の保持体４４は、処理ブロックＢ１〜Ｂ４の受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２、キャリアセクションＡ１の受け渡し部ＴＲＳ１１、インターフェイスセクションＡ３に設けられる後述の受け渡し部ＴＲＳ２１との間で、ウエハＷを受け渡すことができる。

主搬送機構Ｄ２は、主搬送機構Ｄ１と同様に構成されており、処理ブロックＢ５〜Ｂ８の筐体３１上における突出部３２の右側に設けられ、当該主搬送機構Ｄ２の移動機構４６は、処理ブロックＢ１上からＢ４上に亘って形成されている。主搬送機構Ｄ２の昇降用ガイド４１は、処理ブロックＢ５上からＢ８上に亘る領域を前後方向に移動可能であり、主搬送機構Ｄ２の保持体４４は、処理ブロックＢ５〜Ｂ８の受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２、キャリアセクションＡ１の受け渡し部ＴＲＳ１２、インターフェイスセクションＡ３に設けられる後述の受け渡し部ＴＲＳ２２との間で、ウエハＷを受け渡すことができる。

続いて、インターフェイスセクションＡ３について説明する。インターフェイスセクションＡ３の右側の上方、下方には受け渡し部ＴＲＳ２１、ＴＲＳ２３が夫々積層されて設けられている。インターフェイスセクションＡ３の左側の上方、下方には受け渡し部ＴＲＳ２１、ＴＲＳ２３が夫々積層されて設けられている。また、インターフェイスセクションＡ３には、例えばウエハＷの搬送機構２１〜２３が設けられている。搬送機構２１は、受け渡し部ＴＲＳ２１、ＴＲＳ２３間でウエハＷを受け渡し、搬送機構２２は、受け渡し部ＴＲＳ２２、ＴＲＳ２４間でウエハＷを受け渡すために、夫々昇降自在且つ進退自在なウエハＷの保持体を備えている。搬送機構２３は、露光装置Ａ４と受け渡し部ＴＲＳ２３、ＴＲＳ２４間でウエハＷを受け渡すために、左右方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在且つ進退自在なウエハＷの保持体を備えている。なお、インターフェイスセクションＡ３には、受け渡し部の他にウエハＷを洗浄する洗浄ユニットや温度調整ユニットＳＣＰＬなどが設けられるが、説明の煩雑化を防ぐために、これらのユニットの説明及び図示は省略する。

続いて、塗布、現像装置１に設けられる上位制御部１００と、上記のブロック制御部Ｃ１〜Ｃ８とについて、図８を参照しながら説明する。上位制御部１００及びブロック制御部Ｃ１〜Ｃ８は、夫々コンピュータである。各ブロック制御部Ｃは、当該ブロック制御部Ｃを含む処理ブロックＢに設けられる各ユニット、処理液供給機構６、及びユニット間搬送機構４に接続されている。上位制御部１００は、キャリアセクションＡ１の搬送機構１４と、インターフェイスセクションＡ３の搬送機構２１〜２３と、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２とに接続されている。また、ブロック制御部Ｃ１〜Ｃ８は、この上位制御部１００に接続されている。つまり、処理ブロックＢ１〜Ｂ８に各々対応して設けられるブロック制御部Ｃ１〜Ｃ８に対して、共通の上位制御部１００が設けられている。なお、後述するように塗布、現像装置１においては処理ブロックＢの増減を自在に行うことができ、そのために各ブロック制御部Ｃと上位制御部１００との接続、切断については自在に行うことができるように構成されている。

各ブロック制御部Ｃは上位制御部１００に対して、当該ブロック制御部Ｃを含む処理ブロックＢへウエハＷを搬送可能である場合に、そのように搬送可能であることを示す情報（以降、搬送可能情報と記載する）と、当該処理ブロックＢにおけるウエハＷの位置情報と、を送信する。上記の搬送可能情報について補足すると、例えばブロック制御部Ｃが背景技術の項目で説明したようにメンテナンス中であったり、再起動中であったり、ブロック制御部Ｃを構成するソフトウエア或いはハードウエアにトラブルが発生していたりすることで、ブロック制御部Ｃが正常に動作しない場合には、この搬送可能情報が出力されない。また、例えばユニット間搬送機構４あるいはユニットが使用不可であることにより、処理ブロックＢ内で一連の処理が行えない状態であるときにも、この搬送可能情報が出力されない。上記のウエハＷの位置情報についても補足しておくと、例えば、どのウエハＷが処理ブロックＢ内のどのユニットあるいは受け渡し部ＴＲＳに位置しているか、という情報である。

上位制御部１００は、上記の搬送可能情報が出力された各ブロック制御部Ｃに対して、当該ブロック制御部Ｃを含む処理ブロックＢ内における搬送レシピと、この処理ブロックＢ内の搬送レシピに従ってウエハＷが搬送される液処理ユニット及び加熱ユニットの処理レシピと、を送信する。このように上位制御部１００と各ブロック制御部Ｃとの間では、ウエハＷを搬送及び処理するための情報の授受が行われる。

上記の処理ブロックＢ内の搬送レシピとは、具体的には処理ブロックＢにおけるウエハＷの搬送経路についてのデータであり、さらに詳しく述べると、１つの処理ブロックＢ内のユニット群のうち、どのユニットにどのような順番でウエハＷを搬送するかを特定したデータである。また、上記の液処理ユニットの処理レシピには、例えばウエハＷへの処理液の供給流量、処理液を供給するタイミング、液処理中のウエハＷの回転数が含まれる。加熱ユニット３３〜３６の処理レシピには、例えば熱板の温度が含まれる。

各ブロック制御部Ｃは、上記の搬送レシピ及び処理レシピで指定される搬送及び処理が行えるように、当該ブロック制御部Ｃを含む処理ブロックＢの各ユニット、処理液供給機構６及びユニット間搬送機構４に制御信号を出力し、これらの動作を制御する。つまり、処理ブロックＢ１〜Ｂ８毎に作成された搬送レシピ及び処理レシピに基づいて、ブロック制御部Ｃ１〜Ｃ８は個別に制御信号を出力し、それによって処理ブロックＢ１〜Ｂ８における各部の動作が、処理ブロックＢ間で互いに独立して制御される。

また、上位制御部１００は、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２と、キャリアセクションＡ１の搬送機構１４と、インターフェイスセクションＡ３の搬送機構２１〜２３と、に制御信号を出力し、これらの搬送機構の動作を制御する。それによって、後述するようにキャリアセクションＡ１と、各処理ブロックＢと、インターフェイスセクションＡ３との間でウエハＷが搬送されて、ウエハＷにレジストパターンの形成が行われる。この上位制御部１００からの主搬送機構Ｄ１、Ｄ２への制御信号の出力は、各ブロック制御部Ｃから送信される位置情報に基づいて行われる。つまり、処理ブロックＢの搬出用載置部である受け渡し部ＴＲＳ２にウエハＷが載置されたことを示す位置情報が出力されたら、このウエハＷを受け取るように主搬送機構Ｄ１、Ｄ２に制御信号が出力され、位置情報によってウエハＷの搬送先の処理ブロックＢの搬入用載置部である受け渡し部ＴＲＳ１が空いたことが分かると、この受け渡し部ＴＲＳ１へ当該ウエハＷを搬送するように制御信号が出力される。

各ブロック制御部Ｃ及び上位制御部１００は、不図示のプログラム格納部を各々有している。各プログラム格納部には、上記したように塗布、現像装置１の各部に制御信号を送信して当該各部の動作を制御するように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態で、上記のプログラム格納部に格納される。

続いて、上記の塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送及び処理について説明する。図９には、このウエハＷの搬送経路の概略を示している。先ず、既述の搬送可能情報が出力された処理ブロックＢに対して、上位制御部１００が搬送レシピ及び処理レシピを送信する。そして、キャリアセクションＡ１の載置台１２に載置されるキャリア１１内のウエハＷが、キャリアセクションＡ１の搬送機構１４によって受け渡し部ＴＲＳ１１に搬送され、主搬送機構Ｄ１に受け渡される。そしてウエハＷは、当該主搬送機構Ｄ１によって、ＢＣＴ処理ブロックＢ１またはＢ２の受け渡し部ＴＲＳ１に搬送される。そして、当該ウエハＷはユニット間搬送機構４によって、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３のうちのいずれかへ搬送されて温度調整された後、反射防止膜形成ユニット５Ａへ搬送されて反射防止膜が形成される。然る後、ウエハＷは加熱ユニット３３〜３６のうちのいずれかへ搬送されて加熱された後、受け渡し部ＴＲＳ２に搬送され、主搬送機構Ｄ１により、ＢＣＴ処理ブロックＢ１またはＢ２から搬出される。

然る後、ウエハＷは主搬送機構Ｄ１によって、ＣＯＴ処理ブロックＢ３またはＢ４の受け渡し部ＴＲＳ１に搬送される。そして、当該ウエハＷはユニット間搬送機構４によって、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３のうちのいずれかへ搬送されて温度調整された後、レジスト膜形成ユニット５へ搬送され、反射防止膜上に積層されるようにレジスト膜が形成される。然る後、ウエハＷは加熱ユニット３３〜３６のうちのいずれかへ搬送されて加熱された後、受け渡し部ＴＲＳ２に搬送され、主搬送機構Ｄ１により、ＣＯＴ処理ブロックＢ３またはＢ４から搬出される。

続いて、ウエハＷは主搬送機構Ｄ１によってインターフェイスセクションＡ３の受け渡し部ＴＲＳ２１に搬送され、搬送機構２１→受け渡し部ＴＲＳ２３→搬送機構２３の順で搬送された後、露光装置Ａ４に搬送されて、レジスト膜が所定のパターンに沿って露光される。露光後のウエハＷは、搬送機構２３→受け渡し部ＴＲＳ２４→搬送機構２１→受け渡し部ＴＲＳ２２の順で搬送され、主搬送機構Ｄ２により、インターフェイスセクションＡ３から搬出される。

然る後、ウエハＷは主搬送機構Ｄ２によって、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８のうちのいずれかの受け渡し部ＴＲＳ１に搬送される。そして、当該ウエハＷはユニット間搬送機構４によって、加熱ユニット３３〜３６のうちのいずれかへ搬送されてＰＥＢが行われ、その後、温度調整ユニットＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３のうちのいずれかへ搬送されて温度調整された後、現像ユニット５へ搬送される。現像液が供給され、露光されたパターンに沿ってレジスト膜が溶解してレジストパターンが形成される。その後、ウエハＷは加熱ユニット３３〜３６のうちのいずれかへ搬送されて加熱された後、受け渡し部ＴＲＳ２に搬送され、主搬送機構Ｄ２により、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８のうちの当該ウエハＷが搬入された処理ブロックＢから搬出される。然る後、ウエハＷは主搬送機構Ｄ２によって、キャリアセクションＡ１の受け渡し部ＴＲＳ１２→搬送機構１４の順で搬送されて、キャリア１１に戻される。

このようにキャリア１１からウエハＷが搬出されて当該キャリア１１に戻されるまでの間、各処理ブロックＢのブロック制御部Ｃは、既述のウエハＷの位置情報を上位制御部１００に出力し、それに基づいて主搬送機構Ｄ１、Ｄ２の動作が制御される。また、処理ブロックＢ内の液処理ユニット及び加熱ユニットにおける処理は、送信された処理レシピに従って行われる。即ち、液処理ユニット及び当該液処理ユニットに接続された処理液供給機構６については、処理レシピで各々指定される処理液の供給流量、処理液を供給するタイミング、ウエハＷの回転数となるように、各バルブＶ及びポンプＰの動作が制御されて処理が行われる。加熱ユニット３３〜３６においては、熱板の温度が処理レシピで特定された温度とされて処理が行われる。

上記の塗布、現像装置１によれば、ウエハＷに対して液処理、温度調整処理及び加熱処理を含む一連の処理を各々行う、互いに区画された処理ブロックＢ１〜Ｂ８が設けられている。そして各処理ブロックＢには、上位制御部１００に各々接続され、当該上位制御部１００から送信される搬送レシピ及び処理レシピに基づいて、処理ブロックＢ内のユニットの動作、処理液供給機構６の動作及びユニット間搬送機構４の動作を制御するために制御信号を出力するブロック制御部Ｃが設けられている。従って、上記したメンテナンスなどの理由でブロック制御部Ｃの一つが動作不能になっても、動作不能になったブロック制御部Ｃを含むブロックと同じ構成のブロックにウエハＷを搬送するように、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２を動作させて、ウエハＷの処理を行うことができる。従って、一つのブロック制御部Ｃの動作停止によって、塗布、現像装置１の全体でウエハＷの処理が不可になることを防ぐことができる。その結果、塗布、現像装置１の稼働率の低下を抑えることができる。

また、上記の塗布、現像装置１によれば、８つの処理ブロックＢにおける全てのユニット及び全てのユニット間搬送機構４を１つのブロック制御部Ｃによって制御するような構成の装置に比べて、１つのブロック制御部Ｃのユニット及びユニット間搬送機構４に対するデータの送受信量を抑えることができるので、ブロック制御部Ｃのデータ処理の負担を抑えることができる。その結果として、各ユニット及びユニット間搬送機構４に対するデータの送受信の遅延を防ぎ、これらユニット及びユニット間搬送機構４の動作の精度や動作の正確さを担保することができる。

さらに、塗布、現像装置１の電源投入時（セットアップ時）において、同じ構成のブロックのうち、ブロック制御部Ｃにより搬送可能情報が出力された処理ブロックＢから先にウエハＷを搬送することができる。従って、ウエハＷの処理開始までのタイミングが遅くなることを防ぐことができるので、この点からも処理ブロックＢ毎にブロック制御部Ｃが設けられた上記の装置構成は有利である。

なお、ユニットごとにブロック制御部Ｃを設けるとすれば、上記のブロック制御部Ｃにおけるデータの送受信の負担をより抑えることができるが、装置の製造コストを考えると非現実的であり、複数のユニット及び当該複数のユニット間でウエハＷを搬送する搬送機構を一つのブロック制御部Ｃによって制御することが現実的である。そして、上記の装置１の運用例では、ウエハＷにレジスト膜形成処理と現像処理とを行っているが、例えばレジスト膜形成処理、反射防止膜形成処理、現像処理のうちの１つあるいは２つのみを行う運用がなされる場合が有る。レジスト膜形成処理、反射防止膜形成処理、現像処理のうち、行われていない処理に関わるユニットを制御するブロック制御部Ｃを動作停止させてメンテナンスができるようにすること、及び既述したように一つのブロック制御部Ｃで複数のユニットを制御する必要が有ることを考えると、既述の各処理ブロックＢのように、液処理ユニットと、この液処理に関連して行われる温度調整処理及び加熱処理を行うユニットとを一つのブロック制御部で制御することが有効である。

また、各処理ブロックＢにおいては平面で見て、ユニット間搬送機構４の保持体４４が昇降する昇降路の周方向に沿って各ユニットが配置されている。このように昇降路に沿ってユニットを配置することで、保持体４４の回動及び進退動作によって、ユニット間におけるウエハＷの受け渡しを行うことができる。つまり、このユニット間の受け渡しのために、ユニット間搬送機構４の昇降用ガイド４１を横方向に移動させる必要が無い。それ故に、各処理ブロックＢにおけるフットプリント（占有床面積）を抑えることができる。また、各ユニットはこの昇降路に沿って上下方向（縦方向）に積層されて設けられているので、フットプリントを確実に抑えながらも、処理ブロックＢ内に設けられるユニットの数を多くすることができる。

上記の例では、一つの処理ブロックＢに一つの液処理ユニットを設けているが、液処理ユニットも複数設けてよい。その場合には、例えば加熱ユニットや温度調整ユニットと同様に、複数の液処理ユニットは互いに上下方向に積層されるように設けることができる。また、加熱ユニット３３〜３６の熱が液処理ユニットに与える影響を確実に抑えるために、上記の各処理ブロックＢでは、液処理ユニットと加熱ユニットとが互いに積層されていないが、これら液処理ユニット及び加熱ユニットを互いに積層してもよい。

ところで、上記の塗布、現像装置１において、例えば、ウエハＷにレジスト膜の形成のみが行われるように搬送してもよい。その場合、ウエハＷをキャリアセクションＡ１からＢＣＴ処理ブロックＢ１、Ｂ２を経由せずに主搬送機構Ｄ１によってＣＯＴ処理ブロックＢ３またはＢ４に搬送し、ＣＯＴ処理ブロックＢ３またはＢ４内で既述したように、ウエハＷに温度調整、レジスト膜形成、加熱を順次行う。然る後、主搬送機構Ｄ１、キャリアセクションＡ１の受け渡し部ＴＲＳ１１、搬送機構１４を順次経由するようにウエハＷを搬送してキャリア１１に戻す。

また、ウエハＷに現像処理のみが行われるように搬送してもよい。その場合は、例えばウエハＷをキャリアセクションＡ１の受け渡し部ＴＲＳ１２、主搬送機構Ｄ２、ＤＥＶ処理ブロックＢ５〜Ｂ８のいずれかの順で搬送し、ＤＥＶ処理ブロックＢ内の各ユニットを上記の順番で搬送してウエハＷに処理を行う。然る後、主搬送機構Ｄ２、受け渡し部ＴＲＳ１２を介してウエハＷをキャリアＣに戻す。同様に、例えばウエハＷを処理ブロックＢ１〜Ｂ８のうちのＢ１またはＢ２に搬送して反射防止膜の形成のみを行ってもよいし、処理ブロックＢ１、Ｂ３のみに搬送して反射防止膜の形成及びレジスト膜の形成のみを行ってもよい。使用しない処理ブロックＢについては、処理セクションＡ２から取り外しておくことができるし、初めから設けておかなくてもよい。さらに、処理ブロックＢ３、Ｂ４と同様に構成された処理ブロックを塗布、現像装置１に追加して、計３個の処理ブロックでレジスト膜の形成を行うことも可能であり、その場合、塗布、現像装置１のスループットの増加を図ることができる。そのように処理ブロックＢを追加するにあたって、追加したブロックの位置は、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２によってウエハＷの受け渡しを行うことができればよく、例えば処理ブロックＢ１〜Ｂ８の前方側または後方側である。このように、要求される処理の種類やスループットに応じて、処理ブロックの数は適宜増減することができる。

ところで、塗布、現像装置１にユニットを増設したり、不要なユニットを取り外すことは、そのように処理ブロックの個数を増減させることで行うことができる。そして、処理ブロック毎にブロック制御部Ｃが設けられ、増減されたユニットへの制御信号の送信は、当該増減されたユニットを含む処理ブロック中のブロック制御部Ｃが行うので、この処理ブロックの増減によって、増減された処理ブロック以外の他の処理ブロックに含まれるブロック制御部Ｃの負荷は変動しない。また、ユニットが増減されても、各ユニットを制御する制御信号はブロック制御部Ｃから出力され、上位制御部１００から当該制御信号を出力する必要が無いことにより、当該上位制御部１００の負荷も大きく変動しない。このように他の処理ブロックＢのブロック制御部Ｃ及び上位制御部１００の負荷の変動が抑えられることから、この塗布、現像装置１においては処理ブロックの数を増減させることによるユニットの数の増減を、比較的自由に行うことができ、例えば極めて多数のユニットを設けることが可能である。従って、塗布、現像装置１については、スループットの向上を図ることができると共に、多様な処理の要請に対応することができるという利点を有している。

また、上記の主搬送機構Ｄ１、Ｄ２は処理ブロックＢ１〜Ｂ８の上方に設けられているので、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２のメンテナンスを行う際に、作業者がクリーンルームの天井側から当該主搬送機構Ｄ１、Ｄ２にアクセスすることができる。主搬送機構Ｄ１、Ｄ２上には、塗布、現像装置１の他の構成要素を設ける必要が無い。つまり、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２の上方は開放しておくことができるため、塗布、現像装置１とクリーンルームの天井との間に比較的大きなスペースを設けておくことで、このアクセス及びメンテナンスが容易になるという利点が有る。ただし、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２を処理ブロックＢ１〜Ｂ８の下方に設け、それに対応するように各処理ブロックＢの受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２も処理ブロックＢの下方側に配置することによって、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２とユニット間搬送機構４との間でウエハＷの受け渡しが行えるようにしてもよい。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態に係る塗布、現像装置７について、概略斜視図、平面図である図１０、図１１を夫々参照して、塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。この塗布、現像装置７は、左右に互いに離れて設けられた塗布膜形成部７Ａと、現像部７Ｂとを備えている。塗布膜形成部７Ａは、キャリアセクションＡ１と、処理セクションＡ５と、を備えており、処理セクションＡ５は、第１の実施形態の処理セクションＡ２と異なり、処理ブロックＢについては処理ブロックＢ１〜Ｂ４のみを備えている。処理セクションＡ５の処理ブロックＢ１、Ｂ２は、第１の実施形態の処理セクションＡ２の処理ブロックＢ５、Ｂ６が設けられた位置に設けられており、処理ブロックＢの形状と、処理ブロックＢ内における各ユニット、処理液供給機構６、ブロック制御部Ｃ及びユニット間搬送機構４の各配置とは、当該処理ブロックＢ５、Ｂ６と同様とされている。

現像部７Ｂは、キャリアセクションＡ１と、処理セクションＡ６と、インターフェイスセクションＡ３と、を備えている。処理セクションＡ６は、処理セクションＡ２と異なり、処理ブロックＢ１〜Ｂ８のうち処理ブロックＢ５、Ｂ６の２つのみを備えると共に、主搬送機構Ｄ１、Ｄ２のうちＤ２のみを備えている。現像部７ＢのインターフェイスセクションＡ３は、第１の実施形態と同様に露光装置Ａ４に接続されている。

塗布膜形成部７Ａと現像部７Ｂとの間には、セクション間搬送機構７１が設けられている。このセクション間搬送機構７１は、ユニット間搬送機構４と略同様に構成されており、図１１において、セクション間搬送機構７１における主搬送機構Ｄ１と同様の構成要素については、ユニット間搬送機構４に付した符号と同じ符号を付している。差異点としては、セクション間搬送機構７１は昇降用ガイド４１を左右方向に移動させるための左右方向移動機構４７を備えていることが挙げられる。さらに、左右方向移動機構４７は、前後方向移動機構４８に接続されており、前後方向へ移動することができる。

このように構成されたセクション間搬送機構７１の保持体４４は、塗布膜形成部７Ａの処理ブロックＢ３、Ｂ４の受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２と、現像部７Ｂの処理ブロックＢ５、Ｂ６の受け渡し部ＴＲＳ１、ＴＲＳ２と、にアクセスしてウエハＷを受け渡すことができる。セクション間搬送機構７１の動作は、上位制御部１００により制御される。なお、塗布膜形成部７Ａの処理ブロックＢ３、Ｂ４、現像部７Ｂの処理ブロックＢ５、Ｂ６の各筐体３１の突出部３２の側面には、このようにセクション間搬送機構７１が受け渡し部ＴＲＳにアクセスするための図示しない開口部が設けられており、例えば当該開口部はシャッタにより開閉される。

以下、塗布、現像装置７におけるウエハＷの搬送経路の一例を、図１１を参照して説明する。塗布膜形成部７ＡのキャリアセクションＡ１に載置されたキャリア１１から払い出されたウエハＷは、当該キャリアセクションＡ１の搬送機構１４から受け渡し部ＴＲＳ１２及び主搬送機構Ｄ２を介してＢＣＴ処理ブロックＢ１またはＢ２に搬送され、第１の実施形態と同様にＢＣＴ処理ブロックＢ１、Ｂ２内のユニット間を搬送されて反射防止膜が形成される。然る後、当該ウエハＷは、主搬送機構Ｄ２、受け渡し部ＴＲＳ１２、搬送機構１４、受け渡し部ＴＲＳ１１、主搬送機構Ｄ１を順に介してＣＯＴ処理ブロックＢ３またはＢ４に搬送され、第１の実施形態と同様にＣＯＴ処理ブロックＢ３、Ｂ４内のユニットを搬送されてレジスト膜が形成された後、当該ＣＯＴ処理ブロックＢ３、Ｂ４の受け渡し部ＴＲＳ２に搬送される。

然る後、当該ウエハＷはセクション間搬送機構７１により、現像部７Ｂの処理ブロックＢ５またはＢ６の受け渡し部ＴＲＳ１（ＴＲＳ２に積層されているため図１１では非表示）に搬送され、主搬送機構Ｄ２、受け渡し部ＴＲＳ２２、搬送機構２２、受け渡し部ＴＲＳ２４（ＴＲＳ２２に積層されているため図１１では非表示）、搬送機構２３をこの順に経由して、露光装置Ａ４へ搬送される。露光後のウエハＷは、第１の実施形態と同様の経路で、処理ブロックＢ５またはＢ６内へ搬送されて現像処理を受け、現像部７ＢのキャリアセクションＡ１に載置されたキャリア１１に搬送される。この現像部７Ｂに載置されるキャリア１１は、塗布膜形成部７ＡでウエハＷを払い出したキャリア１１であってもよいし、塗布膜形成部７ＡでウエハＷを払い出したキャリア１１とは異なるキャリア１１であってもよい。

このような塗布、現像装置７に関しても、塗布、現像装置１と同様の効果を奏する。また、現像処理を行うための処理ブロックＢ５、Ｂ６への搬送は、現像部７Ｂの主搬送機構Ｄ２が行うことで、塗布膜形成部７Ａの主搬送機構Ｄ１、Ｄ２の負荷が低減され、スループットの向上を図ることができる。

図１２に示すように、上記の塗布、現像装置７について、キャリア１１を仮置きするための棚８１と、キャリア１１の移載機構８２とを設けてもよい。棚８１は、塗布膜形成部７Ａ及び現像部７Ｂの各キャリアセクションＡ１の載置台１２の上方に設けられている。移載機構８２は、その先端がキャリア１１の上部を保持可能に構成された多関節アーム８３を備えており、図中の矢印の先端側、基端側に当該多関節アーム８３が伸長した状態、折り畳まれた状態を夫々示している。図中８４は、多関節アーム８３の基部側に接続され、当該多関節アーム８３を水平移動させる水平移動機構であり、昇降機構８４に接続されることで昇降自在に構成されている。このような移載機構８２によって、各キャリアセクションＡ１の載置台１２と棚８１との間で、キャリア１１を搬送することができる。

キャリア１１の搬送の一例を説明すると、例えば当該キャリア１１は、移載機構８２とは別体の図示しない移載機構により棚８１に搬送されて待機される。然る後、移載機構８２によって塗布膜形成部７Ａの載置台１２に搬送されて、既述のようにキャリア１１内に格納されたウエハＷが払い出される。その後、キャリア１１は移載機構８２によって再度棚８１に搬送されて待機された後、現像部７Ｂの載置台１２に搬送され、払い出されたウエハＷがキャリア１１に戻される。移載機構８２の動作は、上位制御部１００により制御される。

ところで、上記の各実施形態の処理ブロックＢで行う処理については、上記の反射防止膜の形成、レジスト膜の形成及び現像処理に限られない。例えば、既述の処理ブロックＢにおける液処理ユニットとして、レジスト膜形成ユニット５や反射防止膜形成ユニット５Ａの代わりに、レジスト膜を保護するための保護膜を形成するための薬液を塗布するユニットを設けてもよい。この保護膜は、例えば露光装置Ａ４で液浸露光が行われる場合に、当該露光装置Ａ４においてウエハＷの表面に供給される水からレジスト膜の表面を保護するために、当該レジスト膜上に形成される。

また、処理ブロックＢの液処理ユニットとして、ウエハＷに洗浄液を供給して洗浄する洗浄ユニットを設けてもよい。例えば洗浄液としてＳＰＭ（硫酸と過酸化水素と水との混合液）を供給する液処理ユニット、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素と水との混合液）を供給する液処理ユニット、ＳＣ１（アンモニアと過酸化水素と水との混合液）を供給する液処理ユニットを１つのブロック内に設け、これらの液処理ユニット間においてウエハＷを搬送し、例えばＳＰＭ、ＳＣ２、ＳＣ１の順で、ウエハＷに洗浄液の供給が行われるようにしてもよい。また、１つのブロック内に洗浄液としてフッ酸（ＨＦ）を供給する液処理ユニット、ＳＣ１を供給する液処理ユニットを設け、これらの液処理ユニット間においてウエハＷを搬送し、例えばウエハＷにＨＦ、ＳＣ１の順で洗浄液が供給されるようにしてもよい。

このように一つの処理ブロックＢで行われる連続した一連の処理としては、加熱処理や温度調整処理が含まれず、液処理のみが行われるようにしてもよい。さらに塗布膜の形成処理及び現像処理を行わず、上記の洗浄処理のみが行われるように装置を構成してもよい。つまり、本発明の基板処理装置は、塗布、現像装置のみに適用されるものではない。さらに、一つの処理ブロックにおいて行われる液処理は１種であっても複数種であってもよく、従って、例えば反射防止膜形成ユニット５Ａとレジスト膜形成ユニット５を一つの処理ブロックＢに設けて処理を行ってもよい。

また、既述した各実施形態では塗布、現像装置には同じ構成の処理ブロックＢが２つ以上設けられているが、そのように同じ構成の処理ブロックＢが複数設けられていなくてもよい。例えば複数の処理ブロックの全てにおいて、互いに異なる処理が行われるように基板処理装置を構成してもよい。そして、この複数の処理ブロックをウエハＷが順番に搬送されるようにしてもよいし、複数の処理ブロックのうちの１つのみにウエハＷが搬送されると共に各ウエハＷは異なる処理ブロックに搬送されることで、ウエハＷに異なる処理が行われるようにしてもよい。

ところで、上記の各例ではブロック制御部Ｃは、筐体３１に内包されることで、処理ブロックＢに設けられている。言い換えると、処理ブロックＢを移動させるとブロック制御部Ｃも移動するように、処理ブロックＢとブロック制御部Ｃとが一体に構成されている。しかし、ブロック制御部Ｃは処理ブロックＢに設けられていなくてもよい。具体的には、筐体３１の外側に、ブロック制御部Ｃが当該筐体３１から分離されて設けられる、即ち、ブロック制御部Ｃが、処理ブロックＢと別体として設けられていてもよい。そのように処理ブロックＢとは別体にブロック制御部Ｃを設ける場合、筐体３１内に設置できるユニットの数を増やすことができるという点、及びブロック制御部Ｃの配置のレイアウトの設定を自由に行えるという点で有利である。

ただし、処理ブロックＢにブロック制御部Ｃが設けられることで、基板処理装置に対して処理ブロックＢの増減を行う場合において、処理ブロックＢと共にブロック制御部Ｃを移動させて当該基板処理装置に対して付加あるいは取り外しができるので、これら付加及び取り外しの手間の軽減を図ることができるという点から有利である。なお、処理ブロックＢにブロック制御部Ｃが設けられるとは、上記のように筐体３１内にブロック制御部Ｃを設けることには限られず、例えば筐体３１の外部において当該筐体３１上または側方に当該筐体３１と隣接するようにブロック制御部Ｃを設け、筐体３１とブロック制御部Ｃとを共に移動させることができる構成も含む。

Ａ２ 処理セクション
Ｂ１〜Ｂ８ 処理ブロック
Ｃ１〜Ｃ８ ブロック制御部
Ｄ１、Ｄ２ 主搬送機構
ＴＲＳ１、ＴＲＳ２ 受け渡し部
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
４ ユニット間搬送機構
５ レジスト膜形成ユニット
６ 液処理供給機構
１００ 上位制御部

Claims (1)

1. 基板に液処理を行うために連続する一連の処理を行う複数のユニットと、前記複数のユニット間において前記基板の搬送を行うユニット間搬送機構と、を各々含む複数の処理ブロックと、
   前記複数の処理ブロックごとに設けられ、前記複数のユニット及びユニット間搬送機構を制御するブロック制御部と、
   前記複数の処理ブロックの各々に対応する各ブロック制御部に対して共通に設けられる上位制御部と、
   前記上位制御部により制御され、前記処理ブロックに対して基板を搬入出するための主搬送機構と、を備え、
   前記ブロック制御部は、前記上位制御部に対して情報の授受を行うように構成されていることを特徴とする基板処理装置。

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