JP3668681B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジスト膜塗布工程において、半導体ウエハ等の被処理体を冷却処理ユニットにて冷却した後、冷却処理ユニットからレジスト液塗布ユニットまで搬送する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスでは、フォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソグラフィー技術においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と呼ぶ。）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パターンに露光処理し、さらに現像処理する。これらレジスト塗布、露光処理及び現像処理は、常温付近で処理が行われるため、これらの処理の前にはウエハがほぼ常温となるように冷却処理が行われる。これによりウエハ上に所定パターンのレジスト膜が形成され、さらに成膜及びエッチング処理することにより所定パターンの回路が形成される。
【０００３】
従来、これら一連のレジスト処理は、例えばレジスト液塗布ユニットや現像処理ユニット、冷却処理ユニットや加熱処理ユニット、これらユニット間のウエハの搬送を行う搬送装置等が一体化された塗布現像処理システムを用いて行われている。
【０００４】
従来の塗布現像処理システムにおいては、ウエハの冷却処理及び冷却処理後のウエハのレジスト液塗布、露光処理は次のように行われていた。ここでは、レジスト液塗布を例に挙げて説明する。
【０００５】
レジスト液塗布処理においては、レジスト液をウエハに塗布するレジスト液塗布ユニット、レジスト液塗布前のウエハを冷却処理する冷却処理ユニット、そしてこれらレジスト液塗布ユニット及び冷却処理ユニット間のウエハの搬送を行う搬送装置が用いられる。レジスト液塗布ユニットでは第１ウエハがレジスト液塗布処理が行われる。冷却処理ユニットでは、次に塗布処理が行われる第２ウエハの冷却処理が行われる。第１ウエハのレジスト液塗布処理が終了すると、搬送装置が第２ウエハを冷却処理ユニットから搬出し、レジスト液塗布ユニット前まで搬送される。その後、第１ウエハがレジスト液塗布ユニットから搬出され、第２ウエハがレジスト液塗布ユニットへ搬入され、ウエハの入れ替えが終了する。
【０００６】
露光処理においては、レジスト液塗布処理と同様に、露光処理ユニットの他に冷却処理ユニット、露光処理ユニットと冷却処理ユニット間のウエハの搬送を行う搬送装置が用いられ、露光処理の前に冷却処理がウエハに施される。そして、露光処理内でのウエハの露光処理が終了した後に、次に露光処理されるウエハが冷却処理ユニット内から取り出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した搬送システムにおいては、レジスト液塗布処理及び露光処理において、それぞれウエハのレジスト液塗布処理または露光処理が終了してから、次にレジスト液塗布処理または露光処理が行われるウエハを冷却処理ユニットから取り出して搬送するため、スループットが悪いという問題があった。
【０００８】
本発明は、かかる課題に対処してなされたもので、その目的は、スループットが向上した基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するため、本発明の基板処理装置は、基板に対して冷却処理を行う冷却処理ユニット部と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理ユニット部と、前記冷却処理が行われた基板上に所定の液を供給して液処理を行う液処理ユニット部と、少なくとも前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ、及び前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部へ前記基板を搬送する搬送装置と、前記液処理ユニット部内での基板の液処理終了時に、次の液処理を行う基板が前記液処理ユニット部の前で待機するように、前記搬送装置による前記基板の搬送を制御する制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部への基板の搬送を、前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への前記基板の搬送よりも優先させて搬送するように前記搬送装置を制御することを特徴とする。
【００１０】
本発明のこのような構成によれば、液処理ユニット部内の基板の液処理の終了時に、次の液処理を行う基板が液処理ユニット前に位置しているので、液処理終了時から次に液処理を行う基板が液処理ユニット内へ搬入されるまでの時間を短縮することができ、全体的な処理時間が短縮されてスループットが向上する。
【００１１】
本発明の他の基板処理装置は、少なくとも基板に対して冷却処理を行う第１の冷却処理ユニット部と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理ユニット部とを含む処理ユニット部が多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と、前記基板上に所定の液を供給して液処理を行う液処理ユニット部が多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、少なくとも前記第１の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ、及び前記加熱処理ユニット部から前記第１の冷却処理ユニット部へ前記基板を搬送する搬送装置と、前記液処理ユニット部内での基板の液処理終了時に、次の液処理を行う基板が前記液処理ユニット部の前で待機するように、前記搬送装置による前記基板の搬送を制御する制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記加熱処理ユニット部から前記第１の冷却処理ユニット部への基板の搬送を、前記第１の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への前記基板の搬送よりも優先させて搬送するように前記搬送装置を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明のこのような構成によれば、液処理ユニット部内の基板の液処理の終了時に次の液処理を行う基板が液処理ユニット前に位置するように、異なる処理ユニット群それぞれのユニット間の搬送が制御されるので、液処理終了時から次に液処理を行う基板が液処理ユニット内へ搬入されるまでの時間を短縮することができ、全体的な処理時間が短縮されてスループットが向上する。ここで、各処理ユニット群は処理ユニット部が多段に積層されているので、第１の処理ユニット群の冷却処理ユニット部から第２の処理ユニット群の液処理ユニット部への基板の搬送は例えば回転方向ばかりでなく上下方向も必要となり、搬送装置による基板の搬送は相当の時間を要する。よって、本発明により液処理終了時から次に液処理を行う基板が液処理ユニット内へ搬入されるまでの時間をより短縮することが可能となる。
【００１３】
更に、前記制御手段には、前記液処理に要する液処理時間と、前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部までの前記搬送装置の移動に要する移動時間とが予め入力されており、前記制御手段は、前記液処理ユニット部内の基板の液処理の開始時間が入力されることにより、該開始時間と前記液処理時間とから液処理終了時間を算出し、前記液処理終了時間と前記移動時間とから、前記次の液処理を行う基板を搬送するための前記搬送装置の移動開始時間を算出し、前記移動開始時間を前記搬送装置に伝達することを特徴とする。このような構成によれば、制御手段により搬送装置の移動のタイミングが制御される。
【００１４】
更に、前記液処理ユニット部は、前記基板を搬入及び搬出する開口部を有し、該開口部を塞ぐ開閉可能なシャッター部材を具備することを特徴とする。このような構成によれば、シャッター部材が具備されることにより、液処理ユニット部内の温度や湿度などの雰囲気の管理が容易となる。
【００１５】
更に、前記液処理中では前記開口部はシャッター部材により塞がれ、前記液処理終了時に前記開口部は前記シャッター部材により開けられることを特徴とする。このような構成によれば、液処理中、シャッター部材により処理空間が形成されるため、処理液が液処理ユニット部外へ飛散することがない。
【００２１】
本発明の基板処理方法は、第１基板に対し、冷却処理ユニット部にて冷却処理を行う工程と、前記冷却処理が行われた第１基板上に対し、液処理ユニット部にて所定の液を供給して液処理を行う工程と、第２基板に対して前記冷却処理ユニット部にて冷却処理を行う工程と、第３基板に対して加熱処理ユニット部にて加熱処理を行う工程と、前記第１基板の液処理終了時に、前記冷却処理が行われた第２基板が前記液処理ユニット部前で待機するように、前記第２基板を搬送装置にて搬送する工程と、前記液処理ユニット部内から前記第１基板を搬出し、前記第２基板を前記液処理ユニット部内へ搬入する工程と、前記第１または第２基板に対する前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への搬送よりも優先して、前記加熱処理された第３基板を前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部へ前記搬送装置にて搬送する工程とを具備することを特徴とする。
【００２２】
更に、前記液処理ユニット部は、前記基板を搬入及び搬出する開口部を有し、該開口部を塞ぐ開閉可能なシャッター部材を具備し、前記液処理中では前記開口部はシャッター部材により塞がれ、前記液処理終了時に前記開口部は前記シャッター部材により開かれることを特徴とする。このような構成によれば、液処理中、シャッター部材により処理空間が形成されるため、処理液が液処理ユニット部外へ飛散することがない。
【００２５】
本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と利益とは，以下の説明と添付図面とによって容易に確認することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２７】
図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図、図２は図１に示した塗布現像処理システムの正面図、図３は図１に示した塗布現像システムの背面図である。
【００２８】
図１乃至図３に示すように、この塗布現像処理システム１は、カセットステーション１０、処理ステーション１１、インターフェイス部１２及びウエハ受け渡し部１４を一体に接続した構成を有している。カセットステーション１０では、ウエハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で、外部から塗布現像処理システム１に搬入され、また塗布現像処理システム１から外部に搬出される。また、カセットＣに対してウエハＷが搬出・搬入される。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部１２では、周辺露光装置２４が配置されている。ウエハ受け渡し部１４では、塗布現像処理システム１に隣接して設けられる露光装置１３へ搬送される露光処理前のウエハＷが載置されるアウトステージ１５と、露光処理後のウエハＷが載置されるインステージ１６が配置される。ウエハ受け渡し部１４と露光装置１３との間でのウエハＷの受け渡しは、図示しない搬送装置により行われる。
【００２９】
カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個、例えば４個のカセットＣが、それぞれのウエハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容されたウエハＷのウエハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスする。
【００３０】
ウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３における多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００３１】
処理ステーション１１では、図１に示すように、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設けられ、その周りに各種処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成している。かかる塗布現像処理システム１においては、４つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が配置可能な構成であり、第１及び第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置されている。搬送装置２２は、θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しが可能とされている。
【００３２】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示すように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の液処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）２が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、第２の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）２が下から順に２段に重ねられている。レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３では、ウエハＷに対してレジスト液が供給されレジスト膜が塗布される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２では、ウエハＷに対して現像液が供給されて現像処理が施される。
【００３３】
処理液が用いられる液処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３は、図５に示すように基板を搬入及び搬出する開口部１９を有し、この開口部１９を塞ぐ開閉可能なシャッター部材１８が設けられている。このシャッター部材１８が上下方向に移動することにより開閉が可能となる。液処理中では、シャッター部材１８は下降して開口部１９を塞ぎ、処理液がレジスト液塗布ユニット３の外へ飛散しないようになっている。液処理が終了し、レジスト液塗布ユニット３内の処理ウエハを入れ替える際、シャッター部材１８が上昇して開口部１９が開けられる。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２、後述する冷却処理ユニット（ＣＯＬ）などにおいても、レジスト液塗布ユニット３と同様に、ウエハの搬入及び搬出が行われる開口部、そしてシャッター部材が設けられている。
【００３４】
第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行う処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）８、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）７、エクステンションユニット（ＥＸＴ）９、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５及び現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３５】
同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７、エクステンションユニット（ＥＸＴ）９、アドヒージョンユニット（ＡＤ）８、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５及びポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３６】
このように処理温度の低い冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６やエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７を下段に配置し、処理温度の高いプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４、ポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）８を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００３７】
インターフェイス部１２では、図１に示すように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面側には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２４が配設されている。
【００３８】
インターフェイス部１２の中央部には、ウエハ搬送体２５が設けられている。ウエハ搬送体２５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるようになっている。ウエハ搬送体２５は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには後述するウエハ受け渡し部１４のアウトステージ１５及びインステージ１６にもアクセスできるようになっている。
【００３９】
ウエハ受け渡し部１４では、ほぼ中央部に塗布現像処理システム１に隣接して設けられる露光装置１３へ搬送される露光処理前のウエハＷが載置されるアウトステージ１５が配置されている。また、ウエハ受け渡し部１４の正面側には、アウトステージ１５と隣接して、露光処理後のウエハＷが載置されるインステージ１６が配置されている。ウエハ受け渡し部１４と露光装置１３との間のウエハの受け渡しは、図示しない搬送装置により行われ、この搬送装置はアウトステージ１５及びインステージ１６にアクセスできるようになっている。
【００４０】
図４は搬送装置２２の外観を示した斜視図であり、この搬送装置２２は上端及び下端で相互に接続され対向する一対の壁部２８、２９からなる筒状支持体２７の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハ搬送装置３０を装備している。筒状支持体２７はモータ３１の回転軸に接続されており、このモータ３１の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置３０と一体に回転する。従って、ウエハ搬送装置３０はθ方向に回転自在となっている。このウエハ搬送装置３０の搬送基台４０上にはピンセットが例えば３本備えられている。これらのピンセット４１、４２、４３は、いずれも筒状支持体２７の両壁部２８、２９間の側面開口部４４を通過自在な形態及び大きさを有しており、Ｘ方向に沿って前後移動が自在となるように構成されている。そして、搬送装置２２はピンセット４１、４２、４３をその周囲に配置された処理ステーションにアクセスしてこれら処理ステーションとの間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００４１】
上述の搬送装置２２は、後述する制御手段により移動が制御されており、ウエハＷの搬送のタイミングも後述する制御手段により管理される。
【００４２】
図５は、第１処理ユニットグループＧ１と第３処理ユニットグループＧ３との間のウエハＷの搬送を説明する図であり、複数のユニットの内、特に冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の構造について詳細に図示している。上述の通り、第１処理ユニットグループＧ１の最下段にはレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３が配置され、第２処理ユニットグループＧ２の最下段には冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６が配置されている。図５では上述の搬送基台上のピンセットは２本として図示した。
【００４３】
図５に示すとおり、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３には、カップＣＰ内にウエハＷをスピンチャックするスピンチャック台８７、このスピンチャック台８７を昇降可能とする昇降機構８５が設けられている。更に、レジスト液をウエハＷ上に供給するためのディスペンサ８２、このディスペンサ８２を水平方向に移動可能とする移動機構８３、図示しないユニット外部に配置されたレジスト液収容部からディスペンサ８２にレジスト液を供給するレジスト供給路８４が設けられている。ディスペンサ８２は、移動機構８３によりウエハ上部中央付近からカップＣＰ外まで移動可能となっており、塗布時にはウエハ上部中央付近に位置し、塗布時以外ではカップＣＰの外に位置する。レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３は、ウエハＷの搬出入を行う開口部１９が設けられ、この開口部１９を塞ぐ昇降可能なシャッター部材１８が設けられている。レジスト液塗布処理時では、シャッター部材１８が下降することにより開口部が塞がれて処理空間が形成される。また、ウエハＷの交換時では、シャッター部材１８が上昇され、更にスピンチャック台が上昇されて、開口部を介してウエハＷの搬出入が行われる。ウエハＷの搬出入は、搬送装置２２の搬送基台４０上のピンセット４１、４２の水平移動により行われる。
【００４４】
一方、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６には、ウエハＷを冷却処理する冷却板８１が設けられ、この冷却板８１を貫通し、ウエハＷを保持する３本の昇降可能なピン８８が設けられている。搬送装置２２よりウエハＷを受け取る際、ピン８８は上昇され３本のピン８８によりウエハＷが保持される。ウエハＷをピン８８により保持した状態でピン８８が下降し、更にピンが冷却板８１に埋没することにより、ウエハＷは冷却板に載置されて冷却処理が施される。冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６にも、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３と同様に、ウエハＷの搬出入を行う開口部１９が設けられ、この開口部８６を塞ぐ昇降可能なシャッター部材３３が設けられている。冷却処理時では、シャッター部材１８が下降することにより開口部が塞がれて処理空間が形成される。また、ウエハＷの交換時では、シャッター部材３３が上昇されて、開口部を介してウエハＷの搬出入が行われる。ウエハＷの搬出入は、搬送装置２２の搬送基台４０上のピンセット４１、４２の水平移動により行われる。
【００４５】
冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までウエハＷを搬送するまでの間、搬送装置２２の搬送基台４０は、図４に示すｘ方向、ｚ方向、θ方向に移動し、搬送装置２２に載置されるウエハＷは図５に示す矢印Aの軌跡をたどって移動する。尚、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７にも冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６と同様に、ユニット内にウエハを冷却するための冷却板が設けられている。
【００４６】
図６は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までウエハＷを搬送する搬送装置２２の搬送を制御する搬送装置制御装置１２６を説明するブロック図である。図６に示すように、搬送装置制御装置１２６は、入力部９１、記憶部９２、制御部９６から構成される。
【００４７】
入力部９１は例えばキーボードからなる。レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３にてレジスト膜塗布に要する時間（図中、塗布時間）と、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からウエハＷを取り出し、このウエハをレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前まで搬送するのに要する搬送装置移動時間（図中、移動時間）とが、キーボードにより作業者によってあらかじめ入力される。これら移動時間及び塗布時間は、制御部９６を介して、記憶部９２に記憶される。制御部９６は、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）から塗布開始時間が入力されることにより、この塗布開始時間と記憶部９２に記憶されている塗布時間とから塗布終了時間を算出する。更に、制御部９６は、算出した塗布終了時間と記憶部９２に記憶されている移動時間とから、冷却処理ユニットから次にレジスト液塗布処理するウエハＷを取り出す時間を算出する。そして、この時間を基に搬送装置２２に対しウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。ここで、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からのウエハＷの取り出しの時間は、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内のウエハＷの塗布処理の終了時に次に塗布処理が施されるウエハＷがレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前に待機される状態となるように、算出される。
【００４８】
図１０は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７から周辺露光装置２４までウエハＷを搬送するウエハ搬送体２５の搬送を制御するウエハ搬送体制御装置３４を説明するブロック図である。図１０に示すように、ウエハ搬送体制御装置３４は、入力部１０１、記憶部１０２、制御部１０６から構成される。
【００４９】
入力部１０１は例えばキーボードからなる。周辺露光装置２４にて周辺露光処理に要する時間（図中、露光時間）と、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からウエハＷを取り出し、このウエハを周辺露光装置２４前まで搬送するのに要するウエハ搬送体移動時間（図中、移動時間）とが、キーボードにより作業者によってあらかじめ入力される。これら入力された移動時間及び塗布時間は、制御部１０６を介して、記憶部１０２に記憶される。制御部１０６は、周辺露光装置２４から周辺露光開始時間が入力されることにより、この周辺露光開始時間と記憶部１０２に記憶されている露光時間とから周辺露光終了時間を算出する。更に、制御部１０６は、算出した周辺露光終了時間と記憶部１０２に記憶されている移動時間とから、冷却処理ユニットから次に周辺露光処理するウエハＷを取り出す時間を算出する。そして、制御部１０６は、この時間に応じてウエハ搬送体２５に対しウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からのウエハＷの取り出しの時間は、周辺露光装置２４内のウエハＷの周辺露光処理の終了時に次に周辺露光処理が施されるウエハＷが周辺露光装置２４前に待機される状態となるように、算出される。
【００５０】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。
【００５１】
まずカセットステーション１０において、カセット載置台２０上に載置されたカセットＣ内に収容された未処理のウエハＷが１枚ウエハ搬送体２１によって取り出される。その後、ウエハ搬送体２１は、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）にアクセスし、ウエハＷをアライメントユニット（ＡＬＩＭ）７内へ搬入し、オリフラ合わせ及びセンタリング処理を行う。
【００５２】
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）７にてオリフラ合わせ及びセンタリングが完了したウエハＷは、搬送装置２２によって第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒージョンユニット（ＡＤ）８内へ搬送され、疎水化処理が施される。
【００５３】
疎水化処理を終えたウエハＷは、搬送装置２２によって所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５に搬入されてベーキングされた後、所定の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６に搬入される。この冷却処理ユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。
【００５４】
冷却処理が終了すると、搬送装置２２によって所定のレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３へ搬入され、このレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内でウエハＷ表面へのレジスト塗布が行われる。
【００５５】
ここで、冷却処理が行われたウエハＷは、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内で先にレジスト膜塗布処理されているウエハのレジスト膜塗布終了時に、同一のレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の前で待機するように搬送される。
【００５６】
この搬送のタイミングは、搬送装置の移動を制御する上述の搬送装置制御装置１２６により管理されており、図７及び図８を用いて、詳細な搬送装置の動作などを説明する。図７は、ウエハＷが搬送される際の搬送装置制御装置１２６の動作工程を示す図である。図８は、第３処理ユニット群Ｇ３における冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６から第１処理ユニット群Ｇ１におけるレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までウエハＷが搬送され、このウエハＷとレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内の先に塗布処理されたウエハＷとが交換されるまでの概略工程図を示すものである。尚、図８では、搬送基台上のピンセットは２本として説明し、ディスペンサなどの図示は省略した。
【００５７】
まず、搬送装置制御装置の動きについて説明する。
【００５８】
図７（１）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内にウエハＷが搬送されレジスト膜が塗布されると、その塗布開始時間が搬送装置制御装置１２６に入力される。次に、図７（２）に示すように、予め記憶部９２により入力されている塗布時間と入力された塗布開始時間とから、搬送装置制御装置１２６は塗布終了時間を算出する。次に、図７（３）に示すように、予め記憶部９２により入力されている移動時間と塗布終了時間とから、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内のウエハＷの塗布処理の終了時に次に塗布処理が施されるウエハＷがレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前に待機されるように、搬送装置制御装置１２６は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６から次に塗布処理されるウエハＷを取り出す時間を算出する。次に図７（４）に示すように、搬送装置制御装置１２６は、算出したウエハの取り出し時間を基に搬送装置に対してウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。
【００５９】
次に、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までのウエハＷの搬送について図８を用いて説明する。
【００６０】
図８（１）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内では、下降されたスピンチャック台８７にウエハＷ１が固定されている。ウエハＷ１の上方中央部には上述のディスペンサが位置してウエハＷ１表面上に対してレジスト液を吐出し、スピンチャック台８７が回転することにより、ウエハＷ１にレジスト膜が塗布される。レジスト膜塗布時では、シャッター部材１８によりウエハを搬出入する開口部は塞がれている。上述の通り、ウエハＷ１に対するレジスト膜の塗布が開始されると、この塗布開始時間が搬送装置制御装置１２６に入力され、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からのウエハＷの取り出しのタイミングを搬送装置制御装置１２６によって搬送装置２２に指示される。冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６のウエハＷを搬入出する開口部８６を塞ぐシャッター部材３３が上昇し、搬送装置制御装置１２６からの指示により搬送装置２２の搬送基台上のピンセット４１が冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６内へ挿入しウエハＷ２を取り出す。その後、ピンセット４２が次に冷却処理するウエハＷ３を冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６内へ搬入する。
【００６１】
次に図８（２）に示すように、ウエハＷ２とウエハＷ３とのウエハが交換された後、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６のシャッター部材３３が下降し、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６の開口部が塞がれる。ウエハＷ２が載置された搬送装置２２の搬送基台が上方向に移動し、更に図４に示すθ方向に搬送基台が回転移動して、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内でのウエハＷ１のレジスト膜塗布処理の終了時に、ウエハＷ２がレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前に位置するように搬送される。この時、搬送基台は、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の開口部に対して、搬送基台がほぼ水平移動して挿入されるように配置されている。一方、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内では、ウエハＷ１上にレジスト液が塗布され、ウエハＷ１が保持されているスピンチャック台８７が昇降機構８５により上昇し、レジスト液塗布終了状態となっている。また、この時、図示しないディスペンサは、上述した移動機構８３により、水平移動し、カップＣＰ外に位置している。ここで、搬送装置２２により搬送されるウエハＷ２は、ウエハ交換の直前に、遅くともレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前に待機されていれば良く、レジスト液塗布終了時とは、実質的なレジスト液塗布終了からウエハの交換直前までの間を指す。好ましくはウエハＷ交換の直前が良く、この場合、次に処理されるウエハＷをレジスト液処理により適した冷却状態で処理することができる。
【００６２】
次に図８（３）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）のシャッター部材１８が上昇し、開口部１９を介して、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）中のウエハＷ１と搬送装置２２により搬送されたウエハＷ２とが交換される。
【００６３】
このようにレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内でのレジスト塗布処理が施されたウエハＷは、搬送装置２２により、第３または第４処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４内の所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５内へ搬入される。ウエハＷはここで所定温度例えば１００℃で所定時間加熱され、これによりウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００６４】
この後、ウエハＷは搬送装置２２によって、第４処理ユニット群Ｇ４内のエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７へ搬入される。ここで、ウエハＷは、次工程つまり周辺露光装置２４による周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。
【００６５】
この後、インタフェース部１２に設けられたウエハ搬送体２５がエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からウエハＷを取り出す。
【００６６】
次に、ウエハ搬送体２５は当該ウエハＷをインタフェース部１２内の周辺露光装置２４へ搬入する。この周辺露光装置２４で、ウエハＷはその周縁部に露光処理を受ける。周辺露光装置２４による周辺露光処理が終了すると、ウエハ搬送体２５は、ウエハＷを周辺露光装置２４から搬出し、隣接する露光装置１３側のウエハ受取り台１４のアウトステージ１５へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置１３へ渡される前に、必要に応じてバッファ載置部ＢＲに一時的に格納されることもある。
【００６７】
上述したように、ウエハＷが露光装置１３に受け渡された後、露光装置１３により、露光処理、例えばレティクルを用いた露光処理が行われる。露光装置１３でのウエハＷ全面への露光処理が完了すると、ウエハＷは、ウエハ受取り台１４のインステージ１６に配置される。
【００６８】
そして、ウエハＷは、ウエハ搬送体２５から処理ステーション１１側へ受け渡される。なおこの場合、ウエハＷを、処理ステーション１１側へ渡される前に、必要に応じてインタフェース部１２内のバッファ載置部ＢＲに一時的に格納するようにしてもよい。
【００６９】
ここで、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７と周辺露光装置２４との間での搬送についても、上述の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間での搬送と同様に、搬送のタイミングが制御されており、以下に説明する。
【００７０】
エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７により冷却処理が行われたウエハＷは、周辺露光装置２４内で先に露光処理されているウエハの露光終了時に、周辺露光装置２４の前で待機するように搬送される。この搬送のタイミングは、ウエハ搬送体の移動を制御する上述のウエハ搬送体制御手段３４により管理されており、図１１及び図１２を用いて、詳細な搬送装置の動作などを説明する。図１１はウエハＷが搬送される際のウエハ搬送体制御手段の動作工程を示す図である。図１２は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７から周辺露光装置２４までウエハＷが搬送され、周辺露光装置２４内のウエハＷが交換され、更にアウトステージ１５まで搬送されるまでの工程図を示すものである。
【００７１】
まず、ウエハ搬送体制御装置の動きについて説明する。
【００７２】
図１１（１）に示すように、周辺露光装置２４内にウエハＷが搬送され周辺露光処理が開始されると、その周辺露光開始時間がウエハ搬送体制御装置３４に入力される。次に、図１１（２）に示すように、予め記憶部１０２により入力されている周辺露光時間と入力された周辺露光開始時間とから、ウエハ搬送体制御装置３４は周辺露光終了時間を算出する。次に、図１１（３）に示すように、予め記憶部１０２により入力されている移動時間と周辺露光終了時間とから、周辺露光装置２４内のウエハＷの周辺露光処理の終了時に次に周辺露光処理が施されるウエハＷが周辺露光装置２４前に待機されるように、ウエハ搬送体制御装置３４は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７から次に塗布処理されるウエハＷを取り出す時間を算出する。次に図１１（４）に示すように、ウエハ搬送体制御装置３４は、算出したウエハの取り出し時間を基にウエハ搬送体に対してウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。
【００７３】
次に、エクステンション・冷却処理ユニット（ＣＯＬ）１７から周辺露光装置２４３までのウエハＷの搬送について図１２を用いて説明する。
【００７４】
まず、図１２（１）に示すように、周辺露光装置２４内ではウエハＷ１に露光処理が施されている。上述の通り、ウエハＷ１に対する周辺露光処理が開始されると、この周辺露光開始時間がウエハ搬送体制御装置３４に入力され、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からのウエハＷの取り出しのタイミングをウエハ搬送体制御装置３４よってウエハ搬送体２５に指示される。ウエハＷの取り出しの指示がされると、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７のウエハＷを搬入出する開口部を塞ぐシャッター部材（図示せず）が開き、ウエハ搬送体２５がエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７内からウエハＷ２を取り出す。
【００７５】
次に図１２（２）に示すように、ウエハ搬送体２５は、周辺露光装置２４の前へウエハＷ２を搬送する。周辺露光装置２４内でのウエハＷ１の露光処理の終了時にウエハＷ２が周辺露光装置２４前に位置するように、ウエハＷ２は搬送される。そしてウエハＷ１の露光処理終了後、周辺露光装置２４中のウエハＷ１とウエハ搬送体２５により搬送されたウエハＷ２とが交換される。
【００７６】
次に図１２（３）に示すように、周辺露光処理されたウエハＷ２は、例えばアウトステージ１５へウエハ搬送体２５により搬送され、載置される。インステージ１６には、図示しない露光装置により露光処理されたウエハＷ３が配置されている。ウエハ搬送体２５は、インステージ１６に載置された露光処理済みのウエハＷ３を受け取り、図１２（４）に示すように、例えば定置型のバッファカセットＢＲ内へウエハＷ３を搬送する。
【００７７】
バッファカセットＢＲなどに収容されている露光処理済みのウエハＷは、搬送体２５により、処理ステーション１１の所定のポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０に搬入される。このポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０において、ウエハＷは熱板上に載置されて所定時間ベーク処理される。
【００７８】
この後、ベーキングされたウエハＷは搬送装置２２によっていずれかの冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６に搬入され、この冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６内でウエハＷは常温に戻される。続いて、ウエハＷは搬送装置２２によって所定の現像処理ユニット（ＤＥＶ）２に搬入される。
【００７９】
この現像処理ユニット（ＤＥＶ）２内では、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液が均一にかけられて現像が行われる。そして現像後、ウエハＷ表面にリンス液がかけられ、現像液の洗い落しが行われ、この後ウエハＷが高速回転されて乾燥が行われる。
【００８０】
この後、ウエハ搬送装置２２は、ウエハＷを現像処理ユニット（ＤＥＶ）２から搬出して、次に所定のポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４へウエハＷを再び搬入する。このポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４において、ウエハＷは例えば１００℃で所定時間だけ加熱され、これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００８１】
ポストベーキングが終了すると、ウエハ搬送装置２２はウエハＷをポストベーキングユニットから搬出し、次に所定の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ヘウエハＷを搬入して冷却処理が行われる。
【００８２】
ウエハＷが常温に戻った後、ウエハ搬送装置２２は、ウエハＷをカセットステーション１０側に受け渡し、カセットステーション１０側のウエハ搬送体２１は、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上のウエハ載置部ＣＲに入れる。
【００８３】
以上のように、本実施形態においては、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７と周辺露光装置２４との間でのウエハＷの搬送及び冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間でのウエハＷの搬送の際に、ウエハＷの搬送のタイミングが制御装置により制御されている。すなわち、処理ユニット（レジスト液塗布ユニット、現像処理ユニット）内のウエハＷの処理終了時に、処理ユニット前に次のウエハＷが待機するように、冷却処理ユニットからのウエハＷの搬送を制御することにより、従来と比較して全体の処理時間が短縮され、効率良く生産することができる。
【００８４】
以下に、従来と本実施形態における搬送のタイミングの違いによる処理時間の違いについて、図９及び図１３を用いて説明する。図９は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間でのウエハＷの搬送のタイミング、図１３はエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７と周辺露光装置２４との間でのウエハＷの搬送のタイミングを説明するものである。
【００８５】
まず、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間でのウエハＷの搬送のタイミングを図９を用いて説明する。図９（ａ）は、本実施形態における搬送のタイミング、図９（ｂ）は従来における搬送のタイミングを説明する図である。それぞれ搬送装置２２及びレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の動きを時系列に説明したものであり、図面の横方向が時間軸に相当する。
【００８６】
図９（ａ）に示すように、本実施形態においては、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷにレジスト膜塗布処理が施されている間（図中、Ｃ１）に、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）前に待機している（Ａ１）搬送装置２２は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出し（Ａ２）、このウエハＷをレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前まで搬送する（Ａ３）。次に、搬送装置２２により保持されている次に処理を施すウエハＷと、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内のウエハＷとが入れ替えられる（Ａ４、Ｃ２）。ウエハ入替え後、搬送装置２２は、塗布処理済みのウエハＷを次のモジュールであるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）へ搬送する（Ａ５）。一方、冷却処理ユニット（ＣＯＴ）では、搬入されたウエハＷに対する塗布処理が施される。
【００８７】
これに対し、従来においては、図９（ｂ）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内でのウエハＷのレジスト液塗布処理（図中、Ｃ´１）が終了した後、冷却処理ユニット前で待機している搬送装置２２（Ａ´１）が、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出す（Ａ´２）。レジスト液塗布終了後から次に塗布処理されるウエハＷがレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前まで搬送されるまでの間、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３はウエハの入れ替えを待つ状態（Ｃ´２）となっている。取り出された次に塗布処理されるウエハＷは、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前まで搬送され（Ａ´３）、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内のウエハＷと入れ替えられる（Ａ´４、Ｃ´３）。ウエハ入替え後、搬送装置２２は、塗布処理済みのウエハＷを次のモジュールであるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）へ搬送する（Ａ´５）。一方、レジスト膜塗布処理ユニット（ＣＯＴ）では、搬入されたウエハＷに対する塗布処理が施される（Ｃ´４）。
【００８８】
図９（ａ）、（ｂ）を比較すると、従来のレジスト膜塗布処理ユニット（ＣＯＴ）３におけるウエハ入れ替え待ち（Ｃ´２）の状態が、本実施形態ではない。従って、レジスト膜塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における次のウエハＷの塗布処理（図中、Ｃ３、Ｃ´４）の開始が、本実施形態の方が早く、処理時間全体を短縮することができる。
【００８９】
次に、周辺露光装置（ＷＥＥ）とエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７との間でのウエハＷの搬送のタイミングを図１３を用いて説明する。図１３（ａ）は、本実施形態における搬送のタイミング、図１３（ｂ）は従来における搬送のタイミングを示す図である。それぞれウエハ搬送体２５及び周辺露光装置（ＷＥＥ）の動作を時系列に説明したものであり、図面の横方向が時間軸に相当する。
【００９０】
図１３（ａ）に示すように、本実施形態においては、周辺露光装置（ＷＥＥ）２４内でウエハＷに露光処理が施されている間（図中、Ｗ１）に、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７前に待機している（Ｂ１）ウエハ搬送体２５は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出し（Ｂ２）、このウエハＷを周辺露光装置（ＷＥＥ）前まで搬送する（Ｂ３）。次に、ウエハ搬送体２５により保持されている次に処理を施すウエハＷと、周辺露光装置（ＷＥＥ）内のウエハＷとが入れ替えられる（Ｂ４、Ｗ２）。ウエハ入替え後、ウエハ搬送体２５は、周辺露光処理済みのウエハＷをアウトステージへ搬送し（Ｂ５）、インステージ前に移動する。一方、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）では、搬入されたウエハＷに対する周辺露光処理が施される。
【００９１】
これに対し、従来においては、図１３（ｂ）に示すように、周辺露光装置（ＷＥＥ）２４内でのウエハＷの周辺露光処理（図中、Ｂ´１）が終了した後、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）前で待機しているウエハ搬送体２５（Ｂ´１）が、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出す（Ｂ´２）。周辺露光装置（ＷＥＥ）２４では、周辺露光処理終了時から次に処理を行うウエハＷが周辺露光装置（ＷＥＥ）内に搬入されるまでの間、ウエハＷの入れ替えを待つ状態（Ｗ´２）状態となる。取り出された次に周辺露光処理されるウエハＷは、周辺露光装置前まで搬送され（Ｂ´３）、周辺露光装置内のウエハＷと入れ替えられる（Ｂ´４、Ｗ´３）。ウエハ入替え後、ウエハ搬送体２５は、塗布処理済みのウエハＷをアウトステージへ搬送し、インステージ前まで移動する（Ｂ´５）。一方、周辺露光装置（ＷＥＥ）では、搬入されたウエハＷに対する周辺露光処理が施される（Ｗ´４）。
【００９２】
図１３（ａ）、（ｂ）を比較すると、従来の周辺露光装置（ＷＥＥ）２４におけるウエハ入れ替え待ち（Ｗ´２）の状態が、本実施形態ではない。従って、周辺露光装置（ＷＥＥ）２４における次のウエハＷの周辺露光処理（図中、Ｗ３、Ｗ´４）の開始が、本実施形態の方が早く、処理時間全体を短縮することができる。
【００９３】
また、上述のレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置に、予備冷却手段を更に付加することができる。上述の処理工程において、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前または周辺露光装置前に次に処理するウエハＷを待機させる際に、例えば予測しえないウエハＷの待ち状態が生じたときに、予備冷却手段によりレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置で処理するのに最適な例えば２３℃前後の室温にウエハＷの温度を保つことができる。具体的な予備冷却手段としては、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置それぞれのすぐ下段に隣接して冷却処理ユニットを配置すれば良い。下段に冷却処理ユニットを配置することにより、上段に配置する場合と比べて温度管理がしやすい。あるいは、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置のそれぞれのユニット外部に冷却ガス供給ノズルを設け、この冷却ガス供給ノズルから待機しているウエハＷに対して冷却ガスを吹き付けても良い。
【００９４】
尚、上記実施形態では、基板としてウエハＷを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。
【００９５】
また、本発明のシステム構成は上述した実施の形態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内で様々な構成が考えられる。例えば、現像処理前の冷却を施す冷却処理ユニットと現像処理ユニットとの間のウエハＷの搬送のタイミングを制御しても良い。このように、塗布または現像などの処理前に予め冷却処理が必要な場合に、搬送のタイミングを制御することにより、処理時間を短縮することができる。
【００９６】
また図１４に示すように、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ａからレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までの搬送距離ｘ１と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂからレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までの搬送距離ｘ２とが異なる場合（例えばｘ１>ｘ２）に、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ａにおけるウエハＷの搬出からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３におけるウエハＷの搬入までの時間Ｔと冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂにおけるウエハＷの冷却処理終了からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３におけるウエハＷの搬入までの時間Ｔとがほぼ一致するように、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂにおけるウエハＷの搬出搬出タイミングを所定時間Ｔ１遅らせてもよい。このような制御は、主として搬送装置制御装置１２６による搬送装置２２の制御によって行われる。そして、このように搬送時間を制御することでウエハＷの熱履歴をより均一なものとすることができ、膜厚等の管理をより正確に行うことが可能となる。なお、このような搬出タイミングを遅らせるのではなく、搬送装置の搬送速度を可変として、上述のような時間制御を行うようにしても構わない。例えば冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂからレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３へのウエハＷの搬送速度を敢えて遅らせればよい。
【００９７】
またウエハＷの熱履歴の均一化の観点から、好ましくは、搬送装置制御装置１２６は、搬送装置２２が加熱処理系のユニットから冷却処理ユニット（ＣＯＬ）へのウエハＷの搬送と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）へウエハＷの搬送とがほぼ同時期に行わなければならない場合には、加熱処理系のユニットから冷却処理ユニット（ＣＯＬ）へのウエハＷの搬送を優先させた方がよい。加熱処理系のユニットでウエハＷを待たせることは、熱履歴への悪影響が大だからである。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レジスト液塗布処理または現像処理が施される処理ユニット内でのウエハ処理の終了時に、この処理ユニット前に次に処理されるウエハが待機されるように、冷却処理ユニットからのウエハの搬送のタイミングを制御することにより、処理時間を短縮し、スループットを良くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】搬送装置の斜視図である。
【図５】冷却処理ユニットとレジスト液塗布ユニットとの間のウエハの搬送を説明する塗布現像処理システムの断面図である。
【図６】搬送装置制御装置を説明する図である。
【図７】搬送装置制御装置の動作を説明する図である。
【図８】レジスト液塗布ユニットと冷却処理ユニットとの間の搬送装置によるウエハＷの搬送工程を示す図である。
【図９】従来と本実施形態における冷却処理ユニットとレジスト液塗布ユニットとの間でのウエハＷの搬送のタイミングの違いを説明する図である。
【図１０】ウエハ搬送体制御装置を説明する図である。
【図１１】ウエハ搬送体制御装置の動作を説明する図である。
【図１２】周辺露光装置とエクステンション・冷却処理ユニットとの間の搬送装置によるウエハＷの搬送工程を示す図である。
【図１３】従来と本実施形態におけるエクステンション・冷却処理ユニットと周辺露光装置との間でのウエハＷの搬送のタイミングの違いを説明する図である。
【図１４】本発明の他の実施形態を説明するための概略的断面図である。
【符号の説明】
１：露光現像処理システム
２：現像処理ユニット
３：レジスト液塗布ユニット
６：冷却処理ユニット
１７：エクステンション・冷却処理ユニット
１８：シャッタ部材
１９：開口部
２２：搬送装置
２４：周辺露光装置
２５：ウエハ搬送体
２６：搬送装置制御装置
３４：ウエハ搬送体制御装置
９１、１０１：入力部
９２、１０２：記憶部
９６、１０６：制御部
ＣＯＬ：冷却処理ユニット
ＣＯＴ：レジスト液塗布ユニット
ＤＥＶ：現像処理ユニット
ＥＸＴＣＯＬ：エクステンション・冷却処理ユニット
Ｗ：ウエハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジスト膜塗布工程において、半導体ウエハ等の被処理体を冷却処理ユニットにて冷却した後、冷却処理ユニットからレジスト液塗布ユニットまで搬送する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスでは、フォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソグラフィー技術においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と呼ぶ。）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パターンに露光処理し、さらに現像処理する。これらレジスト塗布、露光処理及び現像処理は、常温付近で処理が行われるため、これらの処理の前にはウエハがほぼ常温となるように冷却処理が行われる。これによりウエハ上に所定パターンのレジスト膜が形成され、さらに成膜及びエッチング処理することにより所定パターンの回路が形成される。
【０００３】
従来、これら一連のレジスト処理は、例えばレジスト液塗布ユニットや現像処理ユニット、冷却処理ユニットや加熱処理ユニット、これらユニット間のウエハの搬送を行う搬送装置等が一体化された塗布現像処理システムを用いて行われている。
【０００４】
従来の塗布現像処理システムにおいては、ウエハの冷却処理及び冷却処理後のウエハのレジスト液塗布、露光処理は次のように行われていた。ここでは、レジスト液塗布を例に挙げて説明する。
【０００５】
レジスト液塗布処理においては、レジスト液をウエハに塗布するレジスト液塗布ユニット、レジスト液塗布前のウエハを冷却処理する冷却処理ユニット、そしてこれらレジスト液塗布ユニット及び冷却処理ユニット間のウエハの搬送を行う搬送装置が用いられる。レジスト液塗布ユニットでは第１ウエハがレジスト液塗布処理が行われる。冷却処理ユニットでは、次に塗布処理が行われる第２ウエハの冷却処理が行われる。第１ウエハのレジスト液塗布処理が終了すると、搬送装置が第２ウエハを冷却処理ユニットから搬出し、レジスト液塗布ユニット前まで搬送される。その後、第１ウエハがレジスト液塗布ユニットから搬出され、第２ウエハがレジスト液塗布ユニットへ搬入され、ウエハの入れ替えが終了する。
【０００６】
露光処理においては、レジスト液塗布処理と同様に、露光処理ユニットの他に冷却処理ユニット、露光処理ユニットと冷却処理ユニット間のウエハの搬送を行う搬送装置が用いられ、露光処理の前に冷却処理がウエハに施される。そして、露光処理内でのウエハの露光処理が終了した後に、次に露光処理されるウエハが冷却処理ユニット内から取り出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した搬送システムにおいては、レジスト液塗布処理及び露光処理において、それぞれウエハのレジスト液塗布処理または露光処理が終了してから、次にレジスト液塗布処理または露光処理が行われるウエハを冷却処理ユニットから取り出して搬送するため、スループットが悪いという問題があった。
【０００８】
本発明は、かかる課題に対処してなされたもので、その目的は、スループットが向上した基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するため、本発明の基板処理装置は、基板に対して冷却処理を行う冷却処理ユニット部と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理ユニット部と、前記冷却処理が行われた基板上に所定の液を供給して液処理を行う液処理ユニット部と、少なくとも前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ、及び前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部へ前記基板を搬送する搬送装置と、前記液処理ユニット部内での基板の液処理終了時に、次の液処理を行う基板が前記液処理ユニット部の前で待機するように、前記搬送装置による前記基板の搬送を制御する制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部への基板の搬送を、前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への前記基板の搬送よりも優先させて搬送するように前記搬送装置を制御することを特徴とする。
【００１０】
本発明のこのような構成によれば、液処理ユニット部内の基板の液処理の終了時に、次の液処理を行う基板が液処理ユニット前に位置しているので、液処理終了時から次に液処理を行う基板が液処理ユニット内へ搬入されるまでの時間を短縮することができ、全体的な処理時間が短縮されてスループットが向上する。
【００１１】
本発明の他の基板処理装置は、少なくとも基板に対して冷却処理を行う第１の冷却処理ユニット部と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理ユニット部とを含む処理ユニット部が多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と、前記基板上に所定の液を供給して液処理を行う液処理ユニット部が多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、少なくとも前記第１の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ、及び前記加熱処理ユニット部から前記第１の冷却処理ユニット部へ前記基板を搬送する搬送装置と、前記液処理ユニット部内での基板の液処理終了時に、次の液処理を行う基板が前記液処理ユニット部の前で待機するように、前記搬送装置による前記基板の搬送を制御する制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記加熱処理ユニット部から前記第１の冷却処理ユニット部への基板の搬送を、前記第１の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への前記基板の搬送よりも優先させて搬送するように前記搬送装置を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明のこのような構成によれば、液処理ユニット部内の基板の液処理の終了時に次の液処理を行う基板が液処理ユニット前に位置するように、異なる処理ユニット群それぞれのユニット間の搬送が制御されるので、液処理終了時から次に液処理を行う基板が液処理ユニット内へ搬入されるまでの時間を短縮することができ、全体的な処理時間が短縮されてスループットが向上する。ここで、各処理ユニット群は処理ユニット部が多段に積層されているので、第１の処理ユニット群の冷却処理ユニット部から第２の処理ユニット群の液処理ユニット部への基板の搬送は例えば回転方向ばかりでなく上下方向も必要となり、搬送装置による基板の搬送は相当の時間を要する。よって、本発明により液処理終了時から次に液処理を行う基板が液処理ユニット内へ搬入されるまでの時間をより短縮することが可能となる。
【００１３】
更に、前記制御手段には、前記液処理に要する液処理時間と、前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部までの前記搬送装置の移動に要する移動時間とが予め入力されており、前記制御手段は、前記液処理ユニット部内の基板の液処理の開始時間が入力されることにより、該開始時間と前記液処理時間とから液処理終了時間を算出し、前記液処理終了時間と前記移動時間とから、前記次の液処理を行う基板を搬送するための前記搬送装置の移動開始時間を算出し、前記移動開始時間を前記搬送装置に伝達することを特徴とする。このような構成によれば、制御手段により搬送装置の移動のタイミングが制御される。
【００１４】
更に、前記液処理ユニット部は、前記基板を搬入及び搬出する開口部を有し、該開口部を塞ぐ開閉可能なシャッター部材を具備することを特徴とする。このような構成によれば、シャッター部材が具備されることにより、液処理ユニット部内の温度や湿度などの雰囲気の管理が容易となる。
【００１５】
更に、前記液処理中では前記開口部はシャッター部材により塞がれ、前記液処理終了時に前記開口部は前記シャッター部材により開けられることを特徴とする。このような構成によれば、液処理中、シャッター部材により処理空間が形成されるため、処理液が液処理ユニット部外へ飛散することがない。
【００２１】
本発明の基板処理方法は、第１基板に対し、冷却処理ユニット部にて冷却処理を行う工程と、前記冷却処理が行われた第１基板上に対し、液処理ユニット部にて所定の液を供給して液処理を行う工程と、第２基板に対して前記冷却処理ユニット部にて冷却処理を行う工程と、第３基板に対して加熱処理ユニット部にて加熱処理を行う工程と、前記第１基板の液処理終了時に、前記冷却処理が行われた第２基板が前記液処理ユニット部前で待機するように、前記第２基板を搬送装置にて搬送する工程と、前記液処理ユニット部内から前記第１基板を搬出し、前記第２基板を前記液処理ユニット部内へ搬入する工程と、前記第１または第２基板に対する前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への搬送よりも優先して、前記加熱処理された第３基板を前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部へ前記搬送装置にて搬送する工程とを具備することを特徴とする。
【００２２】
更に、前記液処理ユニット部は、前記基板を搬入及び搬出する開口部を有し、該開口部を塞ぐ開閉可能なシャッター部材を具備し、前記液処理中では前記開口部はシャッター部材により塞がれ、前記液処理終了時に前記開口部は前記シャッター部材により開かれることを特徴とする。このような構成によれば、液処理中、シャッター部材により処理空間が形成されるため、処理液が液処理ユニット部外へ飛散することがない。
【００２５】
本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と利益とは，以下の説明と添付図面とによって容易に確認することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２７】
図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図、図２は図１に示した塗布現像処理システムの正面図、図３は図１に示した塗布現像システムの背面図である。
【００２８】
図１乃至図３に示すように、この塗布現像処理システム１は、カセットステーション１０、処理ステーション１１、インターフェイス部１２及びウエハ受け渡し部１４を一体に接続した構成を有している。カセットステーション１０では、ウエハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で、外部から塗布現像処理システム１に搬入され、また塗布現像処理システム１から外部に搬出される。また、カセットＣに対してウエハＷが搬出・搬入される。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部１２では、周辺露光装置２４が配置されている。ウエハ受け渡し部１４では、塗布現像処理システム１に隣接して設けられる露光装置１３へ搬送される露光処理前のウエハＷが載置されるアウトステージ１５と、露光処理後のウエハＷが載置されるインステージ１６が配置される。ウエハ受け渡し部１４と露光装置１３との間でのウエハＷの受け渡しは、図示しない搬送装置により行われる。
【００２９】
カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個、例えば４個のカセットＣが、それぞれのウエハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容されたウエハＷのウエハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスする。
【００３０】
ウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３における多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００３１】
処理ステーション１１では、図１に示すように、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設けられ、その周りに各種処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成している。かかる塗布現像処理システム１においては、４つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が配置可能な構成であり、第１及び第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置されている。搬送装置２２は、θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しが可能とされている。
【００３２】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示すように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の液処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）２が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、第２の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）２が下から順に２段に重ねられている。レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３では、ウエハＷに対してレジスト液が供給されレジスト膜が塗布される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２では、ウエハＷに対して現像液が供給されて現像処理が施される。
【００３３】
処理液が用いられる液処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３は、図５に示すように基板を搬入及び搬出する開口部１９を有し、この開口部１９を塞ぐ開閉可能なシャッター部材１８が設けられている。このシャッター部材１８が上下方向に移動することにより開閉が可能となる。液処理中では、シャッター部材１８は下降して開口部１９を塞ぎ、処理液がレジスト液塗布ユニット３の外へ飛散しないようになっている。液処理が終了し、レジスト液塗布ユニット３内の処理ウエハを入れ替える際、シャッター部材１８が上昇して開口部１９が開けられる。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２、後述する冷却処理ユニット（ＣＯＬ）などにおいても、レジスト液塗布ユニット３と同様に、ウエハの搬入及び搬出が行われる開口部、そしてシャッター部材が設けられている。
【００３４】
第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行う処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）８、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）７、エクステンションユニット（ＥＸＴ）９、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５及び現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３５】
同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７、エクステンションユニット（ＥＸＴ）９、アドヒージョンユニット（ＡＤ）８、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５及びポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３６】
このように処理温度の低い冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６やエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７を下段に配置し、処理温度の高いプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４、ポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）８を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００３７】
インターフェイス部１２では、図１に示すように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面側には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２４が配設されている。
【００３８】
インターフェイス部１２の中央部には、ウエハ搬送体２５が設けられている。ウエハ搬送体２５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるようになっている。ウエハ搬送体２５は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには後述するウエハ受け渡し部１４のアウトステージ１５及びインステージ１６にもアクセスできるようになっている。
【００３９】
ウエハ受け渡し部１４では、ほぼ中央部に塗布現像処理システム１に隣接して設けられる露光装置１３へ搬送される露光処理前のウエハＷが載置されるアウトステージ１５が配置されている。また、ウエハ受け渡し部１４の正面側には、アウトステージ１５と隣接して、露光処理後のウエハＷが載置されるインステージ１６が配置されている。ウエハ受け渡し部１４と露光装置１３との間のウエハの受け渡しは、図示しない搬送装置により行われ、この搬送装置はアウトステージ１５及びインステージ１６にアクセスできるようになっている。
【００４０】
図４は搬送装置２２の外観を示した斜視図であり、この搬送装置２２は上端及び下端で相互に接続され対向する一対の壁部２８、２９からなる筒状支持体２７の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハ搬送装置３０を装備している。筒状支持体２７はモータ３１の回転軸に接続されており、このモータ３１の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置３０と一体に回転する。従って、ウエハ搬送装置３０はθ方向に回転自在となっている。このウエハ搬送装置３０の搬送基台４０上にはピンセットが例えば３本備えられている。これらのピンセット４１、４２、４３は、いずれも筒状支持体２７の両壁部２８、２９間の側面開口部４４を通過自在な形態及び大きさを有しており、Ｘ方向に沿って前後移動が自在となるように構成されている。そして、搬送装置２２はピンセット４１、４２、４３をその周囲に配置された処理ステーションにアクセスしてこれら処理ステーションとの間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００４１】
上述の搬送装置２２は、後述する制御手段により移動が制御されており、ウエハＷの搬送のタイミングも後述する制御手段により管理される。
【００４２】
図５は、第１処理ユニットグループＧ１と第３処理ユニットグループＧ３との間のウエハＷの搬送を説明する図であり、複数のユニットの内、特に冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の構造について詳細に図示している。上述の通り、第１処理ユニットグループＧ１の最下段にはレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３が配置され、第２処理ユニットグループＧ２の最下段には冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６が配置されている。図５では上述の搬送基台上のピンセットは２本として図示した。
【００４３】
図５に示すとおり、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３には、カップＣＰ内にウエハＷをスピンチャックするスピンチャック台８７、このスピンチャック台８７を昇降可能とする昇降機構８５が設けられている。更に、レジスト液をウエハＷ上に供給するためのディスペンサ８２、このディスペンサ８２を水平方向に移動可能とする移動機構８３、図示しないユニット外部に配置されたレジスト液収容部からディスペンサ８２にレジスト液を供給するレジスト供給路８４が設けられている。ディスペンサ８２は、移動機構８３によりウエハ上部中央付近からカップＣＰ外まで移動可能となっており、塗布時にはウエハ上部中央付近に位置し、塗布時以外ではカップＣＰの外に位置する。レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３は、ウエハＷの搬出入を行う開口部１９が設けられ、この開口部１９を塞ぐ昇降可能なシャッター部材１８が設けられている。レジスト液塗布処理時では、シャッター部材１８が下降することにより開口部が塞がれて処理空間が形成される。また、ウエハＷの交換時では、シャッター部材１８が上昇され、更にスピンチャック台が上昇されて、開口部を介してウエハＷの搬出入が行われる。ウエハＷの搬出入は、搬送装置２２の搬送基台４０上のピンセット４１、４２の水平移動により行われる。
【００４４】
一方、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６には、ウエハＷを冷却処理する冷却板８１が設けられ、この冷却板８１を貫通し、ウエハＷを保持する３本の昇降可能なピン８８が設けられている。搬送装置２２よりウエハＷを受け取る際、ピン８８は上昇され３本のピン８８によりウエハＷが保持される。ウエハＷをピン８８により保持した状態でピン８８が下降し、更にピンが冷却板８１に埋没することにより、ウエハＷは冷却板に載置されて冷却処理が施される。冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６にも、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３と同様に、ウエハＷの搬出入を行う開口部１９が設けられ、この開口部８６を塞ぐ昇降可能なシャッター部材３３が設けられている。冷却処理時では、シャッター部材１８が下降することにより開口部が塞がれて処理空間が形成される。また、ウエハＷの交換時では、シャッター部材３３が上昇されて、開口部を介してウエハＷの搬出入が行われる。ウエハＷの搬出入は、搬送装置２２の搬送基台４０上のピンセット４１、４２の水平移動により行われる。
【００４５】
冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までウエハＷを搬送するまでの間、搬送装置２２の搬送基台４０は、図４に示すｘ方向、ｚ方向、θ方向に移動し、搬送装置２２に載置されるウエハＷは図５に示す矢印Aの軌跡をたどって移動する。尚、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７にも冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６と同様に、ユニット内にウエハを冷却するための冷却板が設けられている。
【００４６】
図６は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までウエハＷを搬送する搬送装置２２の搬送を制御する搬送装置制御装置１２６を説明するブロック図である。図６に示すように、搬送装置制御装置１２６は、入力部９１、記憶部９２、制御部９６から構成される。
【００４７】
入力部９１は例えばキーボードからなる。レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３にてレジスト膜塗布に要する時間（図中、塗布時間）と、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からウエハＷを取り出し、このウエハをレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前まで搬送するのに要する搬送装置移動時間（図中、移動時間）とが、キーボードにより作業者によってあらかじめ入力される。これら移動時間及び塗布時間は、制御部９６を介して、記憶部９２に記憶される。制御部９６は、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）から塗布開始時間が入力されることにより、この塗布開始時間と記憶部９２に記憶されている塗布時間とから塗布終了時間を算出する。更に、制御部９６は、算出した塗布終了時間と記憶部９２に記憶されている移動時間とから、冷却処理ユニットから次にレジスト液塗布処理するウエハＷを取り出す時間を算出する。そして、この時間を基に搬送装置２２に対しウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。ここで、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からのウエハＷの取り出しの時間は、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内のウエハＷの塗布処理の終了時に次に塗布処理が施されるウエハＷがレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前に待機される状態となるように、算出される。
【００４８】
図１０は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７から周辺露光装置２４までウエハＷを搬送するウエハ搬送体２５の搬送を制御するウエハ搬送体制御装置３４を説明するブロック図である。図１０に示すように、ウエハ搬送体制御装置３４は、入力部１０１、記憶部１０２、制御部１０６から構成される。
【００４９】
入力部１０１は例えばキーボードからなる。周辺露光装置２４にて周辺露光処理に要する時間（図中、露光時間）と、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からウエハＷを取り出し、このウエハを周辺露光装置２４前まで搬送するのに要するウエハ搬送体移動時間（図中、移動時間）とが、キーボードにより作業者によってあらかじめ入力される。これら入力された移動時間及び塗布時間は、制御部１０６を介して、記憶部１０２に記憶される。制御部１０６は、周辺露光装置２４から周辺露光開始時間が入力されることにより、この周辺露光開始時間と記憶部１０２に記憶されている露光時間とから周辺露光終了時間を算出する。更に、制御部１０６は、算出した周辺露光終了時間と記憶部１０２に記憶されている移動時間とから、冷却処理ユニットから次に周辺露光処理するウエハＷを取り出す時間を算出する。そして、制御部１０６は、この時間に応じてウエハ搬送体２５に対しウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からのウエハＷの取り出しの時間は、周辺露光装置２４内のウエハＷの周辺露光処理の終了時に次に周辺露光処理が施されるウエハＷが周辺露光装置２４前に待機される状態となるように、算出される。
【００５０】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。
【００５１】
まずカセットステーション１０において、カセット載置台２０上に載置されたカセットＣ内に収容された未処理のウエハＷが１枚ウエハ搬送体２１によって取り出される。その後、ウエハ搬送体２１は、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）にアクセスし、ウエハＷをアライメントユニット（ＡＬＩＭ）７内へ搬入し、オリフラ合わせ及びセンタリング処理を行う。
【００５２】
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）７にてオリフラ合わせ及びセンタリングが完了したウエハＷは、搬送装置２２によって第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒージョンユニット（ＡＤ）８内へ搬送され、疎水化処理が施される。
【００５３】
疎水化処理を終えたウエハＷは、搬送装置２２によって所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５に搬入されてベーキングされた後、所定の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６に搬入される。この冷却処理ユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。
【００５４】
冷却処理が終了すると、搬送装置２２によって所定のレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３へ搬入され、このレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内でウエハＷ表面へのレジスト塗布が行われる。
【００５５】
ここで、冷却処理が行われたウエハＷは、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内で先にレジスト膜塗布処理されているウエハのレジスト膜塗布終了時に、同一のレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の前で待機するように搬送される。
【００５６】
この搬送のタイミングは、搬送装置の移動を制御する上述の搬送装置制御装置１２６により管理されており、図７及び図８を用いて、詳細な搬送装置の動作などを説明する。図７は、ウエハＷが搬送される際の搬送装置制御装置１２６の動作工程を示す図である。図８は、第３処理ユニット群Ｇ３における冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６から第１処理ユニット群Ｇ１におけるレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までウエハＷが搬送され、このウエハＷとレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内の先に塗布処理されたウエハＷとが交換されるまでの概略工程図を示すものである。尚、図８では、搬送基台上のピンセットは２本として説明し、ディスペンサなどの図示は省略した。
【００５７】
まず、搬送装置制御装置の動きについて説明する。
【００５８】
図７（１）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内にウエハＷが搬送されレジスト膜が塗布されると、その塗布開始時間が搬送装置制御装置１２６に入力される。次に、図７（２）に示すように、予め記憶部９２により入力されている塗布時間と入力された塗布開始時間とから、搬送装置制御装置１２６は塗布終了時間を算出する。次に、図７（３）に示すように、予め記憶部９２により入力されている移動時間と塗布終了時間とから、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内のウエハＷの塗布処理の終了時に次に塗布処理が施されるウエハＷがレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前に待機されるように、搬送装置制御装置１２６は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６から次に塗布処理されるウエハＷを取り出す時間を算出する。次に図７（４）に示すように、搬送装置制御装置１２６は、算出したウエハの取り出し時間を基に搬送装置に対してウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。
【００５９】
次に、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までのウエハＷの搬送について図８を用いて説明する。
【００６０】
図８（１）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内では、下降されたスピンチャック台８７にウエハＷ１が固定されている。ウエハＷ１の上方中央部には上述のディスペンサが位置してウエハＷ１表面上に対してレジスト液を吐出し、スピンチャック台８７が回転することにより、ウエハＷ１にレジスト膜が塗布される。レジスト膜塗布時では、シャッター部材１８によりウエハを搬出入する開口部は塞がれている。上述の通り、ウエハＷ１に対するレジスト膜の塗布が開始されると、この塗布開始時間が搬送装置制御装置１２６に入力され、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６からのウエハＷの取り出しのタイミングを搬送装置制御装置１２６によって搬送装置２２に指示される。冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６のウエハＷを搬入出する開口部８６を塞ぐシャッター部材３３が上昇し、搬送装置制御装置１２６からの指示により搬送装置２２の搬送基台上のピンセット４１が冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６内へ挿入しウエハＷ２を取り出す。その後、ピンセット４２が次に冷却処理するウエハＷ３を冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６内へ搬入する。
【００６１】
次に図８（２）に示すように、ウエハＷ２とウエハＷ３とのウエハが交換された後、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６のシャッター部材３３が下降し、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６の開口部が塞がれる。ウエハＷ２が載置された搬送装置２２の搬送基台が上方向に移動し、更に図４に示すθ方向に搬送基台が回転移動して、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内でのウエハＷ１のレジスト膜塗布処理の終了時に、ウエハＷ２がレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３前に位置するように搬送される。この時、搬送基台は、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の開口部に対して、搬送基台がほぼ水平移動して挿入されるように配置されている。一方、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内では、ウエハＷ１上にレジスト液が塗布され、ウエハＷ１が保持されているスピンチャック台８７が昇降機構８５により上昇し、レジスト液塗布終了状態となっている。また、この時、図示しないディスペンサは、上述した移動機構８３により、水平移動し、カップＣＰ外に位置している。ここで、搬送装置２２により搬送されるウエハＷ２は、ウエハ交換の直前に、遅くともレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前に待機されていれば良く、レジスト液塗布終了時とは、実質的なレジスト液塗布終了からウエハの交換直前までの間を指す。好ましくはウエハＷ交換の直前が良く、この場合、次に処理されるウエハＷをレジスト液処理により適した冷却状態で処理することができる。
【００６２】
次に図８（３）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）のシャッター部材１８が上昇し、開口部１９を介して、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）中のウエハＷ１と搬送装置２２により搬送されたウエハＷ２とが交換される。
【００６３】
このようにレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３内でのレジスト塗布処理が施されたウエハＷは、搬送装置２２により、第３または第４処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４内の所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５内へ搬入される。ウエハＷはここで所定温度例えば１００℃で所定時間加熱され、これによりウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００６４】
この後、ウエハＷは搬送装置２２によって、第４処理ユニット群Ｇ４内のエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７へ搬入される。ここで、ウエハＷは、次工程つまり周辺露光装置２４による周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。
【００６５】
この後、インタフェース部１２に設けられたウエハ搬送体２５がエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からウエハＷを取り出す。
【００６６】
次に、ウエハ搬送体２５は当該ウエハＷをインタフェース部１２内の周辺露光装置２４へ搬入する。この周辺露光装置２４で、ウエハＷはその周縁部に露光処理を受ける。周辺露光装置２４による周辺露光処理が終了すると、ウエハ搬送体２５は、ウエハＷを周辺露光装置２４から搬出し、隣接する露光装置１３側のウエハ受取り台１４のアウトステージ１５へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置１３へ渡される前に、必要に応じてバッファ載置部ＢＲに一時的に格納されることもある。
【００６７】
上述したように、ウエハＷが露光装置１３に受け渡された後、露光装置１３により、露光処理、例えばレティクルを用いた露光処理が行われる。露光装置１３でのウエハＷ全面への露光処理が完了すると、ウエハＷは、ウエハ受取り台１４のインステージ１６に配置される。
【００６８】
そして、ウエハＷは、ウエハ搬送体２５から処理ステーション１１側へ受け渡される。なおこの場合、ウエハＷを、処理ステーション１１側へ渡される前に、必要に応じてインタフェース部１２内のバッファ載置部ＢＲに一時的に格納するようにしてもよい。
【００６９】
ここで、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７と周辺露光装置２４との間での搬送についても、上述の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間での搬送と同様に、搬送のタイミングが制御されており、以下に説明する。
【００７０】
エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７により冷却処理が行われたウエハＷは、周辺露光装置２４内で先に露光処理されているウエハの露光終了時に、周辺露光装置２４の前で待機するように搬送される。この搬送のタイミングは、ウエハ搬送体の移動を制御する上述のウエハ搬送体制御手段３４により管理されており、図１１及び図１２を用いて、詳細な搬送装置の動作などを説明する。図１１はウエハＷが搬送される際のウエハ搬送体制御手段の動作工程を示す図である。図１２は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７から周辺露光装置２４までウエハＷが搬送され、周辺露光装置２４内のウエハＷが交換され、更にアウトステージ１５まで搬送されるまでの工程図を示すものである。
【００７１】
まず、ウエハ搬送体制御装置の動きについて説明する。
【００７２】
図１１（１）に示すように、周辺露光装置２４内にウエハＷが搬送され周辺露光処理が開始されると、その周辺露光開始時間がウエハ搬送体制御装置３４に入力される。次に、図１１（２）に示すように、予め記憶部１０２により入力されている周辺露光時間と入力された周辺露光開始時間とから、ウエハ搬送体制御装置３４は周辺露光終了時間を算出する。次に、図１１（３）に示すように、予め記憶部１０２により入力されている移動時間と周辺露光終了時間とから、周辺露光装置２４内のウエハＷの周辺露光処理の終了時に次に周辺露光処理が施されるウエハＷが周辺露光装置２４前に待機されるように、ウエハ搬送体制御装置３４は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７から次に塗布処理されるウエハＷを取り出す時間を算出する。次に図１１（４）に示すように、ウエハ搬送体制御装置３４は、算出したウエハの取り出し時間を基にウエハ搬送体に対してウエハＷの取り出しのタイミングを指示する。
【００７３】
次に、エクステンション・冷却処理ユニット（ＣＯＬ）１７から周辺露光装置２４３までのウエハＷの搬送について図１２を用いて説明する。
【００７４】
まず、図１２（１）に示すように、周辺露光装置２４内ではウエハＷ１に露光処理が施されている。上述の通り、ウエハＷ１に対する周辺露光処理が開始されると、この周辺露光開始時間がウエハ搬送体制御装置３４に入力され、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７からのウエハＷの取り出しのタイミングをウエハ搬送体制御装置３４よってウエハ搬送体２５に指示される。ウエハＷの取り出しの指示がされると、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７のウエハＷを搬入出する開口部を塞ぐシャッター部材（図示せず）が開き、ウエハ搬送体２５がエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７内からウエハＷ２を取り出す。
【００７５】
次に図１２（２）に示すように、ウエハ搬送体２５は、周辺露光装置２４の前へウエハＷ２を搬送する。周辺露光装置２４内でのウエハＷ１の露光処理の終了時にウエハＷ２が周辺露光装置２４前に位置するように、ウエハＷ２は搬送される。そしてウエハＷ１の露光処理終了後、周辺露光装置２４中のウエハＷ１とウエハ搬送体２５により搬送されたウエハＷ２とが交換される。
【００７６】
次に図１２（３）に示すように、周辺露光処理されたウエハＷ２は、例えばアウトステージ１５へウエハ搬送体２５により搬送され、載置される。インステージ１６には、図示しない露光装置により露光処理されたウエハＷ３が配置されている。ウエハ搬送体２５は、インステージ１６に載置された露光処理済みのウエハＷ３を受け取り、図１２（４）に示すように、例えば定置型のバッファカセットＢＲ内へウエハＷ３を搬送する。
【００７７】
バッファカセットＢＲなどに収容されている露光処理済みのウエハＷは、搬送体２５により、処理ステーション１１の所定のポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０に搬入される。このポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）５０において、ウエハＷは熱板上に載置されて所定時間ベーク処理される。
【００７８】
この後、ベーキングされたウエハＷは搬送装置２２によっていずれかの冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６に搬入され、この冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６内でウエハＷは常温に戻される。続いて、ウエハＷは搬送装置２２によって所定の現像処理ユニット（ＤＥＶ）２に搬入される。
【００７９】
この現像処理ユニット（ＤＥＶ）２内では、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液が均一にかけられて現像が行われる。そして現像後、ウエハＷ表面にリンス液がかけられ、現像液の洗い落しが行われ、この後ウエハＷが高速回転されて乾燥が行われる。
【００８０】
この後、ウエハ搬送装置２２は、ウエハＷを現像処理ユニット（ＤＥＶ）２から搬出して、次に所定のポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４へウエハＷを再び搬入する。このポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）４において、ウエハＷは例えば１００℃で所定時間だけ加熱され、これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００８１】
ポストベーキングが終了すると、ウエハ搬送装置２２はウエハＷをポストベーキングユニットから搬出し、次に所定の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ヘウエハＷを搬入して冷却処理が行われる。
【００８２】
ウエハＷが常温に戻った後、ウエハ搬送装置２２は、ウエハＷをカセットステーション１０側に受け渡し、カセットステーション１０側のウエハ搬送体２１は、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上のウエハ載置部ＣＲに入れる。
【００８３】
以上のように、本実施形態においては、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７と周辺露光装置２４との間でのウエハＷの搬送及び冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間でのウエハＷの搬送の際に、ウエハＷの搬送のタイミングが制御装置により制御されている。すなわち、処理ユニット（レジスト液塗布ユニット、現像処理ユニット）内のウエハＷの処理終了時に、処理ユニット前に次のウエハＷが待機するように、冷却処理ユニットからのウエハＷの搬送を制御することにより、従来と比較して全体の処理時間が短縮され、効率良く生産することができる。
【００８４】
以下に、従来と本実施形態における搬送のタイミングの違いによる処理時間の違いについて、図９及び図１３を用いて説明する。図９は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間でのウエハＷの搬送のタイミング、図１３はエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７と周辺露光装置２４との間でのウエハＷの搬送のタイミングを説明するものである。
【００８５】
まず、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３との間でのウエハＷの搬送のタイミングを図９を用いて説明する。図９（ａ）は、本実施形態における搬送のタイミング、図９（ｂ）は従来における搬送のタイミングを説明する図である。それぞれ搬送装置２２及びレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３の動きを時系列に説明したものであり、図面の横方向が時間軸に相当する。
【００８６】
図９（ａ）に示すように、本実施形態においては、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷにレジスト膜塗布処理が施されている間（図中、Ｃ１）に、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）前に待機している（Ａ１）搬送装置２２は、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出し（Ａ２）、このウエハＷをレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前まで搬送する（Ａ３）。次に、搬送装置２２により保持されている次に処理を施すウエハＷと、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内のウエハＷとが入れ替えられる（Ａ４、Ｃ２）。ウエハ入替え後、搬送装置２２は、塗布処理済みのウエハＷを次のモジュールであるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）へ搬送する（Ａ５）。一方、冷却処理ユニット（ＣＯＴ）では、搬入されたウエハＷに対する塗布処理が施される。
【００８７】
これに対し、従来においては、図９（ｂ）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内でのウエハＷのレジスト液塗布処理（図中、Ｃ´１）が終了した後、冷却処理ユニット前で待機している搬送装置２２（Ａ´１）が、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出す（Ａ´２）。レジスト液塗布終了後から次に塗布処理されるウエハＷがレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前まで搬送されるまでの間、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３はウエハの入れ替えを待つ状態（Ｃ´２）となっている。取り出された次に塗布処理されるウエハＷは、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前まで搬送され（Ａ´３）、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内のウエハＷと入れ替えられる（Ａ´４、Ｃ´３）。ウエハ入替え後、搬送装置２２は、塗布処理済みのウエハＷを次のモジュールであるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）へ搬送する（Ａ´５）。一方、レジスト膜塗布処理ユニット（ＣＯＴ）では、搬入されたウエハＷに対する塗布処理が施される（Ｃ´４）。
【００８８】
図９（ａ）、（ｂ）を比較すると、従来のレジスト膜塗布処理ユニット（ＣＯＴ）３におけるウエハ入れ替え待ち（Ｃ´２）の状態が、本実施形態ではない。従って、レジスト膜塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における次のウエハＷの塗布処理（図中、Ｃ３、Ｃ´４）の開始が、本実施形態の方が早く、処理時間全体を短縮することができる。
【００８９】
次に、周辺露光装置（ＷＥＥ）とエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７との間でのウエハＷの搬送のタイミングを図１３を用いて説明する。図１３（ａ）は、本実施形態における搬送のタイミング、図１３（ｂ）は従来における搬送のタイミングを示す図である。それぞれウエハ搬送体２５及び周辺露光装置（ＷＥＥ）の動作を時系列に説明したものであり、図面の横方向が時間軸に相当する。
【００９０】
図１３（ａ）に示すように、本実施形態においては、周辺露光装置（ＷＥＥ）２４内でウエハＷに露光処理が施されている間（図中、Ｗ１）に、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７前に待機している（Ｂ１）ウエハ搬送体２５は、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）１７内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出し（Ｂ２）、このウエハＷを周辺露光装置（ＷＥＥ）前まで搬送する（Ｂ３）。次に、ウエハ搬送体２５により保持されている次に処理を施すウエハＷと、周辺露光装置（ＷＥＥ）内のウエハＷとが入れ替えられる（Ｂ４、Ｗ２）。ウエハ入替え後、ウエハ搬送体２５は、周辺露光処理済みのウエハＷをアウトステージへ搬送し（Ｂ５）、インステージ前に移動する。一方、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）では、搬入されたウエハＷに対する周辺露光処理が施される。
【００９１】
これに対し、従来においては、図１３（ｂ）に示すように、周辺露光装置（ＷＥＥ）２４内でのウエハＷの周辺露光処理（図中、Ｂ´１）が終了した後、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）前で待機しているウエハ搬送体２５（Ｂ´１）が、エクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内の次に塗布処理されるウエハＷを取り出す（Ｂ´２）。周辺露光装置（ＷＥＥ）２４では、周辺露光処理終了時から次に処理を行うウエハＷが周辺露光装置（ＷＥＥ）内に搬入されるまでの間、ウエハＷの入れ替えを待つ状態（Ｗ´２）状態となる。取り出された次に周辺露光処理されるウエハＷは、周辺露光装置前まで搬送され（Ｂ´３）、周辺露光装置内のウエハＷと入れ替えられる（Ｂ´４、Ｗ´３）。ウエハ入替え後、ウエハ搬送体２５は、塗布処理済みのウエハＷをアウトステージへ搬送し、インステージ前まで移動する（Ｂ´５）。一方、周辺露光装置（ＷＥＥ）では、搬入されたウエハＷに対する周辺露光処理が施される（Ｗ´４）。
【００９２】
図１３（ａ）、（ｂ）を比較すると、従来の周辺露光装置（ＷＥＥ）２４におけるウエハ入れ替え待ち（Ｗ´２）の状態が、本実施形態ではない。従って、周辺露光装置（ＷＥＥ）２４における次のウエハＷの周辺露光処理（図中、Ｗ３、Ｗ´４）の開始が、本実施形態の方が早く、処理時間全体を短縮することができる。
【００９３】
また、上述のレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置に、予備冷却手段を更に付加することができる。上述の処理工程において、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）前または周辺露光装置前に次に処理するウエハＷを待機させる際に、例えば予測しえないウエハＷの待ち状態が生じたときに、予備冷却手段によりレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置で処理するのに最適な例えば２３℃前後の室温にウエハＷの温度を保つことができる。具体的な予備冷却手段としては、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置それぞれのすぐ下段に隣接して冷却処理ユニットを配置すれば良い。下段に冷却処理ユニットを配置することにより、上段に配置する場合と比べて温度管理がしやすい。あるいは、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）または周辺露光装置のそれぞれのユニット外部に冷却ガス供給ノズルを設け、この冷却ガス供給ノズルから待機しているウエハＷに対して冷却ガスを吹き付けても良い。
【００９４】
尚、上記実施形態では、基板としてウエハＷを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。
【００９５】
また、本発明のシステム構成は上述した実施の形態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内で様々な構成が考えられる。例えば、現像処理前の冷却を施す冷却処理ユニットと現像処理ユニットとの間のウエハＷの搬送のタイミングを制御しても良い。このように、塗布または現像などの処理前に予め冷却処理が必要な場合に、搬送のタイミングを制御することにより、処理時間を短縮することができる。
【００９６】
また図１４に示すように、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ａからレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までの搬送距離ｘ１と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂからレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３までの搬送距離ｘ２とが異なる場合（例えばｘ１>ｘ２）に、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ａにおけるウエハＷの搬出からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３におけるウエハＷの搬入までの時間Ｔと冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂにおけるウエハＷの冷却処理終了からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３におけるウエハＷの搬入までの時間Ｔとがほぼ一致するように、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂにおけるウエハＷの搬出搬出タイミングを所定時間Ｔ１遅らせてもよい。このような制御は、主として搬送装置制御装置１２６による搬送装置２２の制御によって行われる。そして、このように搬送時間を制御することでウエハＷの熱履歴をより均一なものとすることができ、膜厚等の管理をより正確に行うことが可能となる。なお、このような搬出タイミングを遅らせるのではなく、搬送装置の搬送速度を可変として、上述のような時間制御を行うようにしても構わない。例えば冷却処理ユニット（ＣＯＬ）６ｂからレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）３へのウエハＷの搬送速度を敢えて遅らせればよい。
【００９７】
またウエハＷの熱履歴の均一化の観点から、好ましくは、搬送装置制御装置１２６は、搬送装置２２が加熱処理系のユニットから冷却処理ユニット（ＣＯＬ）へのウエハＷの搬送と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）からレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）へウエハＷの搬送とがほぼ同時期に行わなければならない場合には、加熱処理系のユニットから冷却処理ユニット（ＣＯＬ）へのウエハＷの搬送を優先させた方がよい。加熱処理系のユニットでウエハＷを待たせることは、熱履歴への悪影響が大だからである。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レジスト液塗布処理または現像処理が施される処理ユニット内でのウエハ処理の終了時に、この処理ユニット前に次に処理されるウエハが待機されるように、冷却処理ユニットからのウエハの搬送のタイミングを制御することにより、処理時間を短縮し、スループットを良くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】搬送装置の斜視図である。
【図５】冷却処理ユニットとレジスト液塗布ユニットとの間のウエハの搬送を説明する塗布現像処理システムの断面図である。
【図６】搬送装置制御装置を説明する図である。
【図７】搬送装置制御装置の動作を説明する図である。
【図８】レジスト液塗布ユニットと冷却処理ユニットとの間の搬送装置によるウエハＷの搬送工程を示す図である。
【図９】従来と本実施形態における冷却処理ユニットとレジスト液塗布ユニットとの間でのウエハＷの搬送のタイミングの違いを説明する図である。
【図１０】ウエハ搬送体制御装置を説明する図である。
【図１１】ウエハ搬送体制御装置の動作を説明する図である。
【図１２】周辺露光装置とエクステンション・冷却処理ユニットとの間の搬送装置によるウエハＷの搬送工程を示す図である。
【図１３】従来と本実施形態におけるエクステンション・冷却処理ユニットと周辺露光装置との間でのウエハＷの搬送のタイミングの違いを説明する図である。
【図１４】本発明の他の実施形態を説明するための概略的断面図である。
【符号の説明】
１：露光現像処理システム
２：現像処理ユニット
３：レジスト液塗布ユニット
６：冷却処理ユニット
１７：エクステンション・冷却処理ユニット
１８：シャッタ部材
１９：開口部
２２：搬送装置
２４：周辺露光装置
２５：ウエハ搬送体
２６：搬送装置制御装置
３４：ウエハ搬送体制御装置
９１、１０１：入力部
９２、１０２：記憶部
９６、１０６：制御部
ＣＯＬ：冷却処理ユニット
ＣＯＴ：レジスト液塗布ユニット
ＤＥＶ：現像処理ユニット
ＥＸＴＣＯＬ：エクステンション・冷却処理ユニット
Ｗ：ウエハ
Claims (9)
- 基板に対して冷却処理を行う冷却処理ユニット部と、
前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理ユニット部と、
前記冷却処理が行われた基板上に所定の液を供給して液処理を行う液処理ユニット部と、
少なくとも前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ、及び前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部へ前記基板を搬送する搬送装置と、
前記液処理ユニット部内での基板の液処理終了時に、次の液処理を行う基板が前記液処理ユニット部の前で待機するように、前記搬送装置による前記基板の搬送を制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部への基板の搬送を、前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への前記基板の搬送よりも優先させて搬送するように前記搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記制御手段には、前記液処理に要する液処理時間と、前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部までの前記搬送装置の移動に要する移動時間とが予め入力されており、
前記制御手段は、
前記液処理ユニット部内の基板の液処理の開始時間が入力されることにより、該開始時間と前記液処理時間とから液処理終了時間を算出し、
前記液処理終了時間と前記移動時間とから、前記次の液処理を行う基板を搬送するための前記搬送装置の移動開始時間を算出し、
前記移動開始時間を前記搬送装置に伝達することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記液処理ユニット部は、前記基板を搬入及び搬出する開口部を有し、該開口部を塞ぐ開閉可能なシャッター部材を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記液処理中では前記開口部は前記シャッター部材により塞がれ、前記液処理終了時に前記開口部は前記シャッター部材により開けられることを特徴とする基板処理装置。 - 少なくとも基板に対して冷却処理を行う第１の冷却処理ユニット部と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理ユニット部とを含む処理ユニット部が多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と、
前記基板上に所定の液を供給して液処理を行う液処理ユニット部が多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、
少なくとも前記第１の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ、及び前記加熱処理ユニット部から前記第１の冷却処理ユニット部へ前記基板を搬送する搬送装置と、
前記液処理ユニット部内での基板の液処理終了時に、次の液処理を行う基板が前記液処理ユニット部の前で待機するように、前記搬送装置による前記基板の搬送を制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記加熱処理ユニット部から前記第１の冷却処理ユニット部への基板の搬送を、前記第１の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への前記基板の搬送よりも優先させて搬送するように前記搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項５に記載の基板処理装置において、
前記第１の冷却処理ユニット部とは異なる位置に配置され、基板に対して冷却処理を行う第２の冷却処理ユニット部を更に有し、
前記制御手段は、前記第１の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ基板を搬送する第１の時間と前記第２の冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部へ基板を搬送する第２の時間とがほぼ一致するように搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項６に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第１の時間と前記第２の時間とがほぼ一致するように、前記搬送装置が前記第１の冷却処理ユニット部から基板を搬出するタイミングと前記搬送装置が前記第２の冷却処理ユニット部から基板を搬出するタイミングとを制御することを特徴とする基板処理装置。 - 第１基板に対し、冷却処理ユニット部にて冷却処理を行う工程と、
前記冷却処理が行われた第１基板上に対し、液処理ユニット部にて所定の液を供給して液処理を行う工程と、
第２基板に対して前記冷却処理ユニット部にて冷却処理を行う工程と、
第３基板に対して加熱処理ユニット部にて加熱処理を行う工程と、
前記第１基板の液処理終了時に、前記冷却処理が行われた第２基板が前記液処理ユニット部前で待機するように、前記第２基板を搬送装置にて搬送する工程と、
前記液処理ユニット部内から前記第１基板を搬出し、前記第２基板を前記液処理ユニット部内へ搬入する工程と、
前記第１または第２基板に対する前記冷却処理ユニット部から前記液処理ユニット部への搬送よりも優先して、前記加熱処理された第３基板を前記加熱処理ユニット部から前記冷却処理ユニット部へ前記搬送装置にて搬送する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項８に記載の基板処理方法において、
前記液処理中に前記液処理ユニット部の開口部をシャッター部材により塞ぐ工程と、
前記液処理終了時に前記開口部を塞いでいた前記シャッター部材を開く工程と
を更に具備することを特徴とする基板処理方法。
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