JP5579991B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と称する。）に対してレジスト塗布処理や現像処理等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の製品は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシング等の一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの処理のうち、例えばレジスト塗布処理、現像処理及びそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数台組み込み、搬送ロボットによりそれら各処理部間で基板の循環搬送を行って、基板を処理する基板処理装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）が広く用いられている（例えば、特許文献１）。

ここで、上記基板処理装置の１の処理部において、先に処理した基板の処理条件とは異なる条件で次の基板を処理する場合、先の基板処理が終わった段階で、次の基板を直ぐに処理せずに、所定の時間の間、次の基板Ｗを所定位置に待機させておく処理が行われる。

例えば、加熱処理を行う加熱処理部において、先の基板を１２０℃で加熱処理した後に、当該加熱処理部で次の基板を１００℃で加熱処理する場合では、先の基板が搬出された後に、加熱部材（例えば、加熱プレート）の温度を１２０℃から１００℃以下になるまで冷却するための時間が確保される。そのために、所定時間の間、次の基板を所定位置で待機させる処理が行われる。

また、レジスト等の薬液が塗布された基板を加熱処理する場合には、先の基板の処理が終わった後、次の基板を搬入する前に、先の基板の加熱処理時に発生した昇華物を処理室内から排出するための時間が確保される。そのため、所定時間の間、次の基板を所定位置で待機させる処理が行われる。

特開２００５−６４２７７号公報

ところが、従来は、オペレータが基板処理装置に対して指定した処理レシピ（基板処理装置の各処理部への基板の搬送順序や、各処理部における処理条件が規定されているデータ）上において、基板を待機させるタイミング等を逐一指定していた。そのため、オペレータの指示ミス等により、先の基板処理と次の基板処理との間で、十分な時間間隔が確保されなかったり、あるいは、時間が余分にあけられたりすること等で、基板製造の歩留まりが低下するという問題があった。

また、近年は、一の基板処理装置において、熱処理温度や薬液の種類等の処理条件が異なる等、多品種の基板が少量数生産されることが多い。このような場合、一の処理部での基板の処理条件が複数の基板の間で一致しないことが多くなる。そのため、一の処理部において、先の基板処理と次の基板処理との間で時間間隔を設ける機会が相対的に増えるため、オペレータによる指示ミスがより発生しやすくなっている。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板製造の効率の低下を抑制しつつ、次の基板の搬入時機を適切に決定するための技術を提供することを目的としている。

上記の課題を解決するため、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、基板の処理条件を記憶する記憶部と、前記処理条件に従って、基板に対して特定の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板を搬送する搬送機構と、前記処理部において、先に処理されるべき第１基板の処理条件と次に処理されるべき第２基板の処理条件とが、特定の処理条件の組み合せであると判定された場合に、前記第２基板の前記処理部への搬送時機を所定時間遅延させるように前記搬送機構を制御する制御部と、前記処理部に搬送する搬送時機となるまで、前記第２基板を待機させるための待機部と、を備え、前記記憶部は、前記特定の処理条件の組み合わせに対応する、基板の待機場所及び待機時間の情報を含む設定情報を記憶しており、前記搬送機構は、前記第２基板を、前記設定情報に基づき、前記待機部における特定の前記待機場所に搬送するとともに、前記待機時間経過後に、前記待機部における特定の前記待機場所で待機している前記第２基板を前記処理部へ搬送することを特徴とする。

また、第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置において、前記処理部が、基板を熱処理する熱処理部であり、前記処理条件には、熱処理に関する処理条件が含まれることを特徴とする。

また、第３の態様に係る基板処理装置は、第２の態様に係る基板処理装置において、前記処理条件には、加熱処理の温度に関する情報が含まれることを特徴とする。
また、第４の態様に係る基板処理装置は、第３の態様に係る基板処理装置において、前記処理条件には、前記加熱処理の処理時間が含まれ、前記制御部は、前記第１処理条件および前記第２処理条件が、前記加熱処理の温度および薬液の種類を含む特定の処理条件の組み合わせであるか否かを判定することを特徴とする。

また、第５の態様に係る基板処理装置は、第３または第４の態様に係る基板処理装置において、前記熱処理部は、加熱により昇華する薬液が塗布された基板を加熱処理することを特徴とする。

また、第６の態様に係る基板処理装置は、第３から第５のいずれか１の態様に係る基板処理装置において、前記処理条件には、基板に塗布されている薬液の種類に関する情報が含まれることを特徴とする。

また、第７の態様に係る基板処理装置は、第５または第６の態様に係る基板処理装置において、前記熱処理部の雰囲気を排気する排気機構、を含み、前記排気機構は、前記第１基板が前記熱処理部から搬出された後から、前記第２基板を前記熱処理部に搬入するまでの間、前記熱処理部の雰囲気を排気することを特徴とする。

また、第８の態様に係る基板処理方法は、基板を処理する基板処理方法であって、(a)処理部において先に処理すべき第１基板の処理条件を取得する工程と、(b)前記(a)工程にて取得した前記第１基板の処理条件に従って、前記処理部により前記第１基板を処理する工程と、(c)前記処理部において前記第１基板の次に処理すべき第２基板の処理条件を取得する工程と、(d)前記(a)工程にて取得した第１基板の処理条件と前記(c)工程にて取得した第２基板の処理条件とが、予め設定された特定の処理条件の組み合わせか否かを判定する工程と、(e)前記(d)工程にて、前記特定の処理条件の組合せであると判定されるときに、前記特定の処理条件の組み合わせに対応する基板の待機場所及び待機時間の情報を含む設定情報に基づいて、前記前記第２基板を待機部における特定の待機場所に搬送する工程と、(f)前記(e)工程にて、前記待機部に搬送された前記第２基板を、前記設定情報に基づいて、前記待機時間が経過してから、前記第２基板を前記処理部へ搬送する工程と、を含むことを特徴とする。

第１の態様に係る基板処理装置によれば、第１基板と第２基板とのそれぞれの処理条件に基づいて、第２基板の処理部への搬送時機が決定されるため、処理部において先の基板処理と次の基板処理との間で時間間隔を適切に設けることができる。したがって、基板製造の歩留まり低下を抑制できる。

また、第１の態様に係る基板処理装置によれば、第１基板の処理条件と第２基板の処理条件とが特定の処理条件の組み合わせである場合に、確実に第２基板の処理部への搬送時機を遅らせることができる。したがって、基板製造の歩留まり低下を抑制できる。

また、第１の態様に係る基板処理装置によれば、第１基板の処理が完了した処理部に対して第２基板をすぐに搬入しない場合に、当該基板を待機部に待機させておくことができる。

また、第２の態様に係る基板処理装置によれば、第１基板の熱処理の処理条件と第２基板の熱処理の処理条件とに基づいて、第２基板の搬送時機が決定されるため、熱処理部において、先の基板と次の基板の処理間で、時間間隔を適切に設けることができる。

また、第３の態様に係る基板処理装置によれば、第１基板と第２基板との処理温度の条件に基づいて、第２基板の熱処理部への搬送時機が決定される。したがって、先の基板処理と次の基板処理との間で、熱処理部が温度調整を行うための時間間隔を適切に設けることができる。

また、第５の態様に係る基板処理装置によれば、加熱処理により生じる薬液の昇華物の飛散に起因する種々の不具合の発生を効果的に抑制できる。

また、第６の態様に係る基板処理装置によれば、基板に塗布されている薬液の種類に応じて第２基板の熱処理部に対する搬送時機が決定することで、薬液が昇華しやすい場合等において、待ち時間を効果的に設定できる。

また、第７の態様に係る基板処理装置によれば、第１基板の熱処理により発生した昇華物は、第２基板が搬入されるまでの間、排気機構により排気されることとなるため、雰囲気中の昇華物の量を低減できる。したがって、昇華物の飛散に起因する種々の不具合の発生を効果的に抑制できる。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の液処理ユニットの配置を示すための概略側面図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の熱処理ユニットの配置を示すための概略側面図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。 第１実施形態に係る加熱ユニットの概略構成を示す部分断面図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。 第１実施形態に係る加熱ユニットの動作を示す流れ図である。 第１実施形態に係る設定情報を示す図である。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。

＜１． 第１実施形態＞
＜１．１． 基板処理装置１の構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１を示す平面図である。また、図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１の液処理ユニットの配置を示すための概略側面図である。また、図３は、第１実施形態に係る基板処理装置１の熱処理ユニットの配置を示すための概略側面図である。また、図４は、第１実施形態に係る基板処理装置１の基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６の周辺構成を示す図である。

なお、図１において、図示及び説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の各図についても同様である。

本実施形態に係る基板処理装置１は、円板形状の半導体ウエハである基板Ｗにフォトレジストを塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗを現像処理する装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）であり、また、レジスト膜の下地として、反射防止膜を塗布形成する。なお、本実施形態に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは、半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であってもよい。

本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０及びインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを備えている。なお、インターフェイスブロック５０には本基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続されている。また、本実施形態の基板処理装置及び露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示せず）を経由して接続されている。

＜インデクサブロック１０＞
インデクサブロック１０は、外部装置から受け取った未処理の基板Ｗをバークブロック２０やレジスト塗布ブロック３０に払い出すとともに、現像処理ブロック４０から受け取った処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、キャリアＣが載置される複数（本実施形態では４個）の載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。

基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、及び、旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出し及び処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。

なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納されている基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。

＜バークブロック２０＞
バークブロック２０は、露光時に発生する反射の影響（定在波効果やハレーション）を減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成する。すなわち、バークブロック２０は、基板Ｗ上にＢＡＲＣの形成処理を行う処理ブロックである。

バークブロック２０は、インデクサブロック１０に対して（＋Ｘ）側に隣接するように設けられる。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３には、インデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層されて設けられている（図４参照）。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は、３本の支持ピンを備えており（図示せず）、インデクサブロック１０の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを、後述のバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており（図示せず）、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０についても、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を有する。

図４に示すように、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通するようにして設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサーが設けられており（図示せず）、各センサーの検出信号に基づいて、基板移載機構１２やバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

また、図１に示すように、バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を形成するため塗布液を薬液として塗布する下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの処理タワー２２と、下地塗布処理部２１及び処理タワー２２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２０では、下地塗布処理部２１が、搬送ロボットＴＲ１を挟んで処理タワー２２と対向するように配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（−Ｙ側）に、２つの処理タワー２２が装置背面側（＋Ｙ側）に、それぞれ位置している。また、処理タワー２２の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。下地塗布処理部２１と処理タワー２２とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、処理タワー２２が下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避できる。

下地塗布処理部２１は、図２に示すように、鉛直方向に沿って積層された３つの塗布処理ユニットＢＲＣ（下から順に、塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３）を備えている。各塗布処理ユニットＢＲＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２１１、スピンチャック２１１上に保持された基板Ｗ上に薬液として反射防止膜用の薬液を吐出する塗布ノズル２１２、スピンチャック２１１を回転駆動させるスピンモータ（図示せず）、及び、スピンチャック２１１上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示せず）等を備えている。

また、図３に示すように、インデクサブロック１０に近い側（−Ｘ側）の処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが、鉛直方向に沿って多段に積層されて設けられている。

この処理タワー２２には、下から順に、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層されている。ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６は、下地塗布処理部２１にて反射防止膜用の塗布液が塗布された基板Ｗを加熱して基板Ｗ上に反射防止膜を焼成するための熱処理ユニットである。

一方、インデクサブロック１０から遠い側（＋Ｘ側）の処理タワー２２には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３中、「×」印で示す箇所は、配管配線部や予備用の処理ユニット等を配置するための空きスペースとして確保されている空間である。

このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理ユニットＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を鉛直方向に沿って多段に積層することにより、基板処理装置１の占有スペースを小さくできるため、装置のフットプリントを削減できる。また、２つの処理タワー２２を並設することにより、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備を比較的高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。

搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する保持アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。保持アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側部分から内方に突き出た複数本のピンで、基板Ｗの周縁を下方から支持する。

また、搬送ロボットＴＲ１は、図示しない駆動機構により保持アーム２４ａ，２４ｂを鉛直方向に沿った昇降移動及び鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能となるように構成されている。また、搬送ロボットＴＲ１は、保持アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれを、互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。したがって、保持アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作及び旋回半径方向に沿った進退移動のそれぞれが可能となっている。

搬送ロボットＴＲ１は、２台の保持アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、処理タワー２２に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部２１に設けられた塗布処理ユニットＢＲＣ及び後述の基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して進入させて、基板Ｗの受け渡しを行う。

＜レジスト塗布ブロック３０＞
レジスト塗布ブロック３０は、バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにして設けられており、バークブロック２０にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する処理ブロックである。

レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの処理タワー３２と、レジスト塗布処理部３１及び処理タワー３２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。本実施形態では、レジストとして化学増幅型レジストが用いられる。

レジスト塗布ブロック３０では、レジスト塗布処理部３１が、搬送ロボットＴＲ２を挟んで処理タワー３２と対向するように配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側（−Ｙ側）に、２つの処理タワー３２が装置背面側（＋Ｙ側）に、それぞれ位置している。また、処理タワー３２の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。このように、レジスト塗布処理部３１と処理タワー３２とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、処理タワー３２がレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避できる。

レジスト塗布処理部３１は、図２に示すように、鉛直方向に沿って積層された３つの塗布処理ユニットＳＣ（下から順に、塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３）を備えている。各塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３１１、スピンチャック３１１上に保持された基板Ｗ上にレジスト液を吐出する塗布ノズル３１２、スピンチャック３１１を回転駆動させるスピンモータ（図示せず）、及び、スピンチャック３１１上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示せず）を備えている。

また、図３に示すように、インデクサブロック１０に近い側（−Ｘ側）の処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層されている。一方、インデクサブロック１０から遠い側（＋Ｘ側）の処理タワー３２には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層されている。

＜加熱ユニットＰＨＰ１＞
図５は、第１実施形態に係る加熱ユニットＰＨＰ１の概略構成を示す部分断面図である。図５に示すように、加熱ユニットＰＨＰ１は、主に基板待機部３４、基板待機部３４の下方に配置される熱処理部３５、基板待機部３４と熱処理部３５との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３６を備えている。

基板待機部３４は、基板Ｗが載置される載置プレート３４１、及び、基板Ｗを受け取って載置プレート３４１に載置するための複数（例えば３本）の上下ピン３４２を主に備えている。基板待機部３４は、搬送ロボットＴＲ２が搬送してきたレジストの塗布処理後の基板Ｗを、一時的に載置するために設けられている。

熱処理部３５は、加熱プレート３５１、複数の上下ピン３５２、加熱プレート３５１の上蓋として機能するカバー部材３５３、カバー部材３５３を上下に駆動する上下駆動機構３５４、及び、排気ポンプ３５５を主に備えている。

加熱プレート３５１は、その上面にて支持した基板Ｗを所定温度で加熱する。また、上下ピン３５２は、その上端部にて基板Ｗを支持し、図示を省略する駆動機構により上下に移動することで、基板Ｗを加熱プレート３５１に載置したり、搬送ロボットＴＲ２やローカル搬送機構３６との基板Ｗの授受を行ったりするために使用される。

また、カバー部材３５３は、上下駆動機構３５４により上下に移動可能とされており、加熱プレート３５１の上方空間を覆うことで、加熱処理のための閉空間を形成する。また、カバー部材３５３の中央部には、カバー部材３５３の内側の雰囲気を外部へ排気するため、排気ポンプ３５５に接続された排気口が形成されている。

ローカル搬送機構３６は、基板Ｗを下方から支持するハンド３６１と、ハンド３６１を鉛直方向に上下移動させる上下駆動部３６２と、上下駆動部３６２をＹ軸方向に進退移動させる進退駆動部３６３とを主に備えている。

進退駆動部３６３を駆動することにより、ハンド３６１が上下駆動部３６２とともにＹ軸方向に移動する。また、ハンド３６１には、複数の上下ピン３４２，３５２に対応する位置に切り欠きが設けられている（図１参照）。これにより、ハンド３６１が基板待機部３４または熱処理部３５に進入して基板Ｗを搬送する際に、ハンド３６１と上下ピン３４２，３５２とが互いに接触することを防止している。

また、加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、ユニット載置ボックス３２１内に収納されている。そして、加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のそれぞれは、仕切り部材３２２により仕切られている。また、ユニット載置ボックス３２１の（−Ｙ）側の側面の一部には、基板Ｗを搬入するためのシャッター部３２３が設けられている。

このような構成を備えるＰＨＰ１に対して、レジスト塗布ユニットＳＣにてレジストが均一塗布された基板Ｗが、搬送ロボットＴＲ２により（−Ｙ）側から搬送されてくる。このとき、シャッター部３２３が開状態とされて、搬送ロボットＴＲ２は、基板Ｗを当該シャッター部３２３に進入させて、上下ピン３４２に受け渡す。そして、搬送ロボットＴＲ２が（−Ｙ側）へ退出した後に、シャッター部３２３が閉じられて閉状態となる。

一方、基板Ｗは、上下ピン３４２が下降することにより、載置プレート３４１に載置される。そして熱処理部３５の加熱処理の準備が整うと、上下ピン３４２が上昇して、基板Ｗを上昇させる。なお、基板Ｗを載置プレート３４１に載置させずに、上下ピン３４２が基板Ｗを載置プレート３４１の上方に待機させるようにしてもよい。ローカル搬送機構３６は、（−Ｙ）側へハンド３６１を移動させて上下ピン３４２に支持されている基板Ｗを受け取ると、再び（＋Ｙ）側へハンド３６１を移動させる。そして、ローカル搬送機構３６は、ハンド３６１を下方に移動させて、（−Ｙ）側へ移動させることによって、基板Ｗを加熱プレート３５１上方へ搬送する。

熱処理部３５は、基板Ｗが搬送されてくると、上下ピン３５２によりハンド３６１から基板Ｗを受け取る。そして、ローカル搬送機構３６がハンド３６１を（＋Ｙ）側へ退出させると、上下ピン３５２が下降することにより、基板Ｗが加熱プレート３５１に載置される。そしてカバー部材３５３が下降することにより、基板Ｗが所定の閉空間内に収納された状態で、加熱処理が実行される。

なお、基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰ１から搬出する場合には、加熱ユニットＰＨＰ１は、上述の搬入時の動作とは逆の順序で各動作を実行する。すなわち、カバー部材３５３が上昇して、ローカル搬送機構３６が熱処理部３５から基板Ｗを搬出して、基板待機部３４に搬入する。そして、当該基板Ｗを基板待機部３４にて一時的に待機させておいて、搬送ロボットＴＲ２が加熱ユニットＰＨＰ１から基板Ｗを搬出する。

以上のように、加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２は、基板待機部に対して基板Ｗの受け渡しを行う。したがって、加熱プレート３５１に対して直接的に基板Ｗの受け渡しが行われないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制できる。

また、熱処理部３５はローカル搬送機構３６側にのみ開口するため、熱処理部３５から漏出した熱気により、搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部３１が悪影響を受けることが防止される。

再び図１に戻って、レジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５には、バークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が鉛直方向に積層されて設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通するようにして設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサーが設けられており（図示せず）、各センサーの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通するようにして上下に積層されて設けられている（図４参照）。

搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備える。搬送ロボットＴＲ２は、上下に近接するようにして設けられた２個の保持アームを、それぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、処理タワー３２に設けられた加熱ユニットＰＨＰ、レジスト塗布処理部３１に設けられた塗布処理ユニットＳＣ及び後述の基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して進入させて、基板Ｗの受け渡しを行う。

＜現像処理ブロック４０＞
現像処理ブロック４０は、現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックであり、レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして設けられている。レジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間には、雰囲気遮断用の隔壁３７が設けられている。この隔壁３７には、レジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために、基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が鉛直方向に沿って積層されて設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。

一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３７の一部に部分的に貫通するようにして設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサーが設けられており（図示せず）、各センサーの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３７を貫通するように鉛直方向に積層されて設けられている（図４参照）。

現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理に付随する熱処理を行う２つの処理タワー４２，４３と、現像処理部４１及び処理タワー４２，４３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と同様の構成を有する。

現像処理部４１は、図２に示すように、鉛直方向に沿って積層された５つの現像処理ユニットＳＤ（下から順に、現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５）を備えている。各現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４１１、このスピンチャック４１１上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４１２、スピンチャック４１１を回転駆動させるスピンモータ（図示せず）及びスピンチャック４１１上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示せず）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１０に近い側（−Ｘ側）の処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温させるとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３とが設けられている。この処理タワー４２では、下から順に、クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が鉛直方向に積層されている。

一方、インデクサブロック１０から遠い側（＋Ｘ側）の処理タワー４３には、６個の加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１４とが積層配置されている。各加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板待機部及びローカル搬送機構を備える熱処理ユニットである。

なお、処理タワー４３の加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の基板待機部及びクールプレートＣＰ１４のそれぞれは、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の側（＋Ｘ側）に開口しているが、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３の側（−Ｙ側）には閉塞している。すなわち、加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２及びクールプレートＣＰ１４に対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセス可能であるが、搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可能となっている。なお、処理タワー４２に組み込まれている熱処理ユニットに対しては搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。

また、処理タワー４３の最上段には、現像処理ブロック４０と、これに隣接するインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が鉛直方向に近接するようにして組み込まれている（図３参照）。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、搬送ロボットＴＲ３及び搬送ロボットＴＲ４の両側（すなわち、−Ｙ側と＋Ｘ側）に対して開口している。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗを、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。

一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。

＜インターフェイスブロック５０＞
インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に対して（＋Ｘ）側に隣接するように設けられ、レジスト膜が形成された基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０から受け取って基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡すブロックである。

本実施形態のインターフェイスブロック５０には、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５１の他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２と、現像処理ブロック４０内に配設された加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と（図２参照）、クールプレートＣＰ１４及びエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２に対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。

エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２は、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５２や、このスピンチャック５２に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５３等を備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２は、インターフェイスブロック５０の中央部において、鉛直方向に積層されて配置されている。搬送ロボットＴＲ４は、エッジ露光ユニットＥＥＷと現像処理ブロック４０の処理タワー４３とに隣接する位置に配置されており、上述の搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を備えている。

また、図２に示すように、２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２の下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が鉛直方向に積層されて設けられている。

リターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されており、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦに対しては、搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの受け渡しを行う。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５１に基板Ｗを渡すために使用される。また、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構５１から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用される。

搬送機構５１は、図２に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台５１ａを備え、この可動台５１ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム５１ｂを搭載している。保持アーム５１ｂは、可動台５１ａに対して昇降移動、旋回動作及び旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。搬送機構５１は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納及び取り出しを行う。

センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚として構成されている。

以上のインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０及びインターフェイスブロック５０には、常に清浄空気がダウンフローとして供給されている。これにより、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれており、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入等を抑制している。

＜制御機構＞
次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図６は、第１実施形態に係る基板処理装置１の制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の基板処理装置１は、主制御部ＭＣ、ブロック制御部ＢＣ、ユニット制御部（具体的には、塗布処理ユニット制御部ＳＣＣ、熱処理ユニット制御部ＴＵＣ）の３階層からなる制御階層を備えている。

主制御部ＭＣ、ブロック制御部ＢＣ、ユニット制御部のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各制御部は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、及び、制御用アプリケーションやデータ等を記憶しておく記憶部を備えている。

第１階層の主制御部ＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理及びブロック制御部ＢＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、主制御部ＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、主制御部ＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰから主制御部ＭＣに入力作業を行うようにしてもよい。また主制御部ＭＣが備える記憶部ＭＣｍには、ホストコンピュータ１００から送信される処理の手順が記述された処理レシピＤ１や、オペレータにより設定される後述の設定情報Ｄ２等が格納される。

第２階層のブロック制御部ＢＣは、５つのブロック（インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０、インターフェイスブロック５０）のそれぞれに対して個別に設けられている。なお、図６では、主にレジスト塗布ブロック３０のブロック制御部ＢＣを示している。

ブロック制御部ＢＣは、対応する処理ブロック内の基板搬送管理及びユニットの動作管理を主に担当する。具体的には、各ブロックのブロック制御部ＢＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のブロックのブロック制御部ＢＣに送る。そして、その基板Ｗを受け取ったブロックのブロック制御部ＢＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のブロックのブロック制御部ＢＣに返す。

なお、このようなブロック制御部ＢＣの情報の送受信は、主制御部ＭＣを介して行われる。そして、各ブロック制御部ＢＣはブロック内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボット制御部ＴＲＣに与え、該搬送ロボット制御部ＴＲＣが搬送ロボット（たとえば、搬送ロボットＴＲ１）を制御してブロック内で基板Ｗを所定の手順に従って循環搬送させる。なお、本実施形態では、搬送ロボット制御部ＴＲＣは、ブロック制御部ＢＣ上で所定のアプリケーションが動作することにより実現される（いわばソフトウェア的に実現される）制御部であるが、もちろんハードウェア的に構成されてもよい。

第３階層のユニット制御部としては、例えば塗布処理ユニット制御部ＳＣＣや熱処理ユニット制御部ＴＵＣが設けられている。塗布処理ユニット制御部ＳＣＣは、ブロック制御部ＢＣの指示に従ってブロック内に配置された塗布処理ユニットＳＣを直接的に制御する。具体的には、塗布処理ユニット制御部ＳＣＣは、例えば塗布処理ユニットＳＣのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。

また、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、ブロック制御部ＢＣの指示に従ってブロック内に配置された熱処理ユニット（ホットプレートＨＰ、クールプレートＣＰ、加熱ユニットＰＨＰ）を直接的に制御する。具体的には、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、例えば加熱ユニットＰＨＰ１の加熱プレート３５１等に内蔵されたヒータを制御して温度調整したり、上下駆動機構３５４を制御してカバー部材３５３を上下に移動させたりする。

また、基板処理装置に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ及び制御用アプリケーションやデータ等を記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。

なお、ホストコンピュータ１００には、通常、本実施形態の基板処理装置１が複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されているそれぞれの基板処理装置１に処理手順及び処理条件を記述した処理レシピＤ１を渡す。ホストコンピュータ１００から渡された処理レシピＤ１は各基板処理装置１の主制御部ＭＣの記憶部ＭＣｍに記憶される。

また、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１の主制御部ＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取った処理レシピＤ１に従って動作制御を行っており、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置１が行うこととなる。

＜１．２． 基板処理装置１の動作説明＞
次に、本実施形態に係る基板処理装置１の動作について説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取った処理レシピＤ１の記述内容に従って図６に示す制御機構が各要素を制御することにより実行される。

まず、未処理の基板Ｗを収納しているキャリアＣが、ＡＧＶ（Automated Guided Vehicle）等により、装置外からインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサブロック１０の基板移載機構１２が、キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が保持アーム２４ａ，２４ｂのうちの一方を使用して、基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は、受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣでは、基板Ｗの表面に反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成するための塗布液が薬液として回転塗布される。塗布処理が完了すると、搬送ロボットＴＲ１は、基板ＷをホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送する。

ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに基板Ｗが搬入されると、所定温度での加熱処理が実行される。そして加熱処理が完了すると、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６から基板Ｗが搬出される。

搬出された基板Ｗは次工程（レジスト塗布工程）に十分な程度には冷却されていないため、搬送ロボットＴＲ１によってクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしてもよい。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

なお、反射防止膜用の塗布液を塗布する前に、脱水処理を行うようにしてもよい。この場合には、基板処理装置１は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１により密着強化処理ユニットＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送し、ＨＭＤＳの蒸気を供給することなく基板Ｗに対して脱水のための加熱処理（デハイドベーク）を行う。

基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロックの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、反射防止膜が形成された基板Ｗに対して、レジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温度調整が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送して、温度調整するようにしてもよい。

レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて、基板Ｗが加熱処理されることにより、レジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２により加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板Ｗは、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロックの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは露光後ベークブロックの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２のいずれかに搬入される。

エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２においては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５０の搬送機構５１により受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入されてパターン露光処理に供される。

本実施形態では化学増幅型レジストを使用しており、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分において、光化学反応により酸が生成され、この酸が触媒となって連鎖反応が起こる。なお、エッジ露光処理が終了した基板Ｗを露光ユニットＥＸＰに搬入する前に、搬送ロボットＴＲ４によってクールプレートＣＰ１４に搬入して冷却処理を行うようにしてもよい。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは、露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスブロック５０に戻され、搬送機構５１により基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って、処理タワー４３の加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。

加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行うことで、レジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させて現像液に対する溶解度を露光部分で局所的に変化させる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、冷却機構を備えるローカル搬送機構（加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２内の搬送機構）により基板待機位置に搬送されることで冷却され、上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出されて、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送する。クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３においては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に調整される。

その後、搬送ロボットＴＲ３は、クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３から基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によりホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送される。

クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかにて所定温度まで冷却されると、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３により基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によりそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によりそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサブロックの基板移載機構１２により所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

次に、加熱ユニットＰＨＰ１を例にとり、熱処理部３５にて先に処理する基板Ｗの処理条件と次に処理する基板Ｗの処理条件が特定の処理条件の組み合わせである場合に、次の基板Ｗの熱処理部３５への搬送時機を所定時間遅延させる動作について、図７を参照しつつ説明する。

図７は、第１実施形態に係る加熱ユニットＰＨＰ１の動作を示す流れ図である。まず、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、レジストが均一に塗布された基板Ｗ（第１基板）を加熱ユニットＰＨＰ１にて処理するために、加熱処理に関する処理条件（第１基板の処理条件）を取得する（ステップＳ１）。

なお、加熱処理に関する処理条件には、本実施形態では、加熱ユニットＰＨＰ１での基板Ｗの加熱温度等が含まれる。また、処理条件は、主制御部ＭＣが記憶部ＭＣｍに保存されている処理レシピＤ１を参照することにより取得され、主制御部ＭＣから熱処理ユニット制御部ＴＵＣへ送信される。

基板Ｗの処理条件の取得が完了すると、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、搬送ロボットＴＲ２により搬送される基板Ｗを受け取って、基板Ｗを搬入する（ステップＳ２）。具体的には、加熱ユニットＰＨＰ１は、当該基板Ｗを基板待機部３４にて受け取る。そして熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、基板Ｗを熱処理部３５に搬送して、ステップＳ１にて取得した加熱処理の処理条件にしたがって、基板Ｗの加熱処理を実行する（ステップＳ３）。

この加熱処理が完了すると、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、基板Ｗを熱処理部３５から搬出して基板待機部３４に搬送する。そして加熱ユニットＰＨＰ１は、基板Ｗを搬送ロボットＴＲ２へ受け渡して、基板Ｗを搬出する（ステップＳ４）。搬送ロボットＴＲ２は、当該基板ＷをクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送する。

次に、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、加熱ユニットＰＨＰ１で処理すべき次の基板Ｗ（第２基板）が存在するか否かを判定する（ステップＳ５）。この判定は、例えば、直前にレジスト塗布ユニットＳＣでの塗布処理が完了した基板Ｗがあるか検出したり、基板待機部３４に設けたセンサーにより処理待ちの基板Ｗを検出したりすることで実現される。

次に処理すべき基板Ｗが存在する場合には（ステップＳ５にてＹＥＳ）、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、当該次の基板Ｗの加熱処理に関する処理条件（第２基板の処理条件）を取得する（ステップＳ６）。この工程は、ステップＳ１の基板Ｗの処理条件の取得の場合と同様に実行される。

そして、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、ステップＳ１にて取得した先の基板Ｗの処理条件（第１基板の処理条件）と、ステップＳ６にて取得した次の基板Ｗの処理条件（第２基板の処理条件）とが、特定の処理条件の組み合わせ（コンビネーション）であるか否かを判定する（ステップＳ７）。そして、特定の処理条件の組み合わせであると判定される場合には（ステップＳ７においてＹＥＳ）、基板処理装置１は、特定の組み合わせに関連づけられている待ち処理を実行する（ステップＳ８）。

図８は、第１実施形態に係る設定情報Ｄ２を示す図である。この設定情報Ｄ２は、オペレータが予めホストコンピュータ１００や主制御部ＭＣに所定の操作入力を行うことで生成されるデータである。図８に示すように、設定情報Ｄ２には、具体的に、
「（１）先の基板Ｗの加熱温度が１００℃であり、（２）次の基板Ｗの加熱温度が１２０℃である。」
といったように、先の基板Ｗと次の基板Ｗについての特定の処理条件の組み合わせが記述されている。なお、このような特定の処理条件の組み合わせは、１組だけであってもよいし、複数組設定されてもよい。

ステップＳ７においては、熱処理ユニット制御部ＴＵＣにより、ステップＳ１で取得した先の基板Ｗの処理条件とステップＳ６で取得した次の基板Ｗの処理条件とが、記憶部ＭＣｍに格納されている設定情報Ｄ２に記述された特定の処理条件の組み合わせに該当するかどうかが照合される。

また、図８に示すように、設定情報Ｄ２には、特定の処理条件の組み合わせのそれぞれに対して、待ち処理の内容が記述されている。具体的には、次の基板Ｗを「基板待機部３４にて３０秒間待機させる。」といったものである。待ち処理の内容には、基板Ｗの待機場所と待機時間に関する情報が含まれており、上述の特定の処理条件の組み合わせ毎にオペレータにより設定される。したがって、特定の処理条件の組み合わせが異なれば、待ち処理の内容も異なることもある。

ステップＳ８の待ち処理では、次に処理されるべき基板Ｗ（第２基板）が熱処理部３５にそのまま搬入されずに、所定の位置に所定時間の間待機される。そして所定時間が経過した後に、次の基板Ｗが熱処理部３５に搬入される。

すなわち、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、ステップＳ７において、特定の処理条件の組み合わせであると判定した場合に、当該組み合わせに該当する待ち処理の内容に従って待ち処理を実行する。

換言すれば、本実施形態に係る基板処理装置１では、先の基板Ｗの処理条件と次の基板Ｗの処理条件とに基づいて、次の基板Ｗの熱処理部３５に対する搬送のタイミング（搬送時機）が決定される。そして、特定の処理条件の組み合わせである場合には、次の基板Ｗを所定の待機位置に待機させることで、次の基板Ｗの搬送時機を所定時間遅延させていることとなる。

なお、この待ち処理を実行している間は、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、先の基板Ｗが熱処理部３５から搬出された後に、一旦カバー部材３５３を下降させて、加熱プレート３５１上に閉空間を形成した状態で、次の基板Ｗの処理条件に合わせて（例えば、加熱温度が１２０℃）加熱プレート３５１を予備加熱する。その間、熱処理部３５では、排気ポンプ３５５の動作により、カバー部材３５３の内側の雰囲気が継続的に外部に排出される。

ステップＳ８の待ち処理が完了した場合や、ステップＳ７において熱処理ユニット制御部ＴＵＣが特定の処理条件の組み合わせではないと判断した場合には（ステップＳ７にてＮＯ）、基板待機部３４に待機している次の基板Ｗがローカル搬送機構３６により熱処理部３５に搬入される（ステップＳ９）。

基板Ｗの搬送が完了すると、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、ステップＳ６にて取得した次の基板Ｗの処理条件に基づいて加熱処理を実行する（ステップＳ１０）。そして、加熱処理が完了すると、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、基板Ｗを熱処理部３５から搬出し（ステップＳ１１）、基板待機部３４に載置する。基板待機部３４に載置された基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ２によりクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送される。

基板Ｗの搬出が完了すると、熱処理ユニット制御部ＴＵＣは、再びステップＳ５に戻り、次に処理すべき基板Ｗの有無を判定し、以降の動作を繰り返し実行する。以上が、加熱ユニットＰＨＰ１の動作説明である。

＜１．３． 効果＞
本実施形態に係る基板処理装置１によれば、次の基板Ｗの搬入時機を遅延させる特定の処理条件（ここでは加熱温度）の組み合わせを、オペレータが予め適当に設定しておくことで、先の基板処理と次の基板処理との間で、適切な時間間隔を設けることができる。

また、本実施形態では、特定の処理条件の組み合わせ内容を、設定情報Ｄ２としてオペレータが予め登録している。したがって、各処理部において待ち処理を適宜実行するようにオペレータが処理レシピＤ１上で逐一指示する必要がなくなるため、指示ミス等による歩留まり低下も防止できる。

特に、熱処理に関しては、温度条件が異なることで、基板Ｗの品質にムラが生じるおそれがある。したがって、熱処理の温度管理は特に厳密に管理される必要があるが、本実施形態に係る基板処理装置１では、上述のように待ち処理を適切に実行させることができるため、温度調整するための時間を適切に確保できる。

また、レジストが塗布された後の基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６で加熱処理すると、レジストの昇華物が排気ポンプ３５５により熱処理部３５から排出される。しかし、加熱プレート３５１の近辺に比べて、カバー部材３５３付近は低温であるため、昇華物が固体化し易い環境となっている。また、基板Ｗの搬出のためにカバー部材３５３が上昇すると、カバー部材３５３の内側で気温低下が起こり、より多くの昇華物が固体化してカバー部材３５３に付着する。このような状態で、再びカバー部材３５３が下降して、加熱プレート３５１が熱せられると、カバー部材３５３に付着していたレジストの固体物が昇華することとなるが、このときの温度が高ければ高いほど、カバー部材３５３付近の温度も高くなるために、昇華がより起こりやすくなる。この昇華物の排気が足りない場合には、残存する昇華物が再び固体化して、搬送されてきた次の基板Ｗに付着して後の処理に不具合が生じるおそれがある。

このような問題に対して、本実施形態に係る基板処理装置１では、特定の条件下において、次の基板Ｗの搬送時機を適切に遅延させることができるため、排気時間を十分に確保することが可能となっている。したがって、処理部昇華物の飛散に起因する種々の不具合（例えば現像欠陥等）の発生を効果的に防止できる。

＜２． 第２実施形態＞
上記実施形態では、特定の処理条件として処理温度情報を取得するようにしていたが、特定の処理条件の組み合わせの条件として、処理温度だけでなく、熱処理する際の基板に塗布されている薬液の種類を含ませてもよい。

具体的には、
「（１）先の基板Ｗの処理温度が１００℃で塗布されている薬液が組成１のレジストであり、（２）次の基板Ｗの処理温度が１２０℃である。」
といったように、特定の処理条件の組み合わせの条件として、特定の薬液情報を含むようにしてもよい。

これによると、塗布処理ユニットＳＣにて基板毎に組成の異なるレジストを塗布するような場合に、レジストの組成により、昇華物の発生量や昇華のし易さ、次の基板Ｗへ付着したときの影響の程度等が異なってくる。そこで、基板に塗布されているレジストの種類を、特定の処理条件の組み合わせの条件設定に含めることで、基板製造の歩留まり低下を抑制できる。

また、
「（１）先の基板Ｗの処理温度が１００℃で加熱時間がＸ分間処理であり、（２）次の基板Ｗの処理温度が１２０℃である。」
といったように、特定の処理条件の組み合わせの条件に、加熱処理の時間を含むようにしてもよい。

また、先の基板Ｗの処理温度よりも、次の基板Ｗの処理温度が低い場合に、待ち処理を実行させることも有効である。すなわち、特定の処理条件の組み合わせとして、
「（１）先の基板Ｗの処理温度が１２０℃であり、（２）次の基板Ｗの処理温度が９０℃である。」
に設定し、待ち処理の条件を適切に設定することで、加熱プレート３５１の温度が９０℃以下にまで冷やすための時間を確保できる。したがって、次の基板Ｗが９０℃を越える高温で処理されることを抑制できる。したがって、基板製造の歩留まり低下を防止できる。

また、
「（１）先の基板Ｗの処理温度が１００℃であり、（２）次の基板Ｗの処理温度の先の基板のＷの処理温度との差が３０℃である。」
といったように、温度差で条件設定できるようにすることも妨げられない。

＜３． 変形例＞
上記実施形態では、加熱ユニットＰＨＰ１〜ＰＨＰ６において処理する基板Ｗの処理条件が特定の処理条件の組み合わせのときに、待ち処理を実行させていたが、その他の熱処理ユニット（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ１１、コールドプレートＣＰ１〜ＣＰ１４、加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２、密着強化処理ユニットＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）で処理する場合において待ち処理を実行させることも有効である。

特に、露光ユニットＥＸＰでのパターン露光処理が完了した後、加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で実行される加熱処理（ＰＥＢ：post Exposure Bake）の場合、他の工程における加熱処理の場合よりも厳密に温度を管理することが望ましい。そこで、上記実施形態と同様に、加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２において、先に処理する基板Ｗとその次に処理する基板Ｗの温度条件が、特定の温度条件の組み合わせである場合に、次の基板Ｗを所定位置に待機させる（すなわち、搬入時機を遅延させる）ように設定情報Ｄ２を生成することで、加熱ユニットＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の備える熱処理部が温度調整するための時間を確保できる。

また、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３にて基板Ｗの表面に反射防止膜（本実施形態ではＢＡＲＣ）を形成するための塗布液を塗布し、その基板ＷをホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６にて加熱して反射防止膜を焼成する場合には、多量の昇華物が生じることが知られている。そこで、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６において、前後の基板Ｗの処理条件が、特定の処理条件の組み合わせのときに、適切な待ち処理を実行させるように予めオペレータが設定することで、基板製造の歩留まり低下をより効果的に抑制できる。

また、上記実施形態では、バークブロック２０を反射防止膜の形成用に構成しているが、これに代えて、基板Ｗの表面に薬液として下層膜を形成するための塗布液を塗布し、その基板ＷをホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６にて加熱することによって基板Ｗ上に下層膜を焼成するものであってもよい。

なお、下層膜とは、近年の微細加工プロセスにも対応可能なエッチングマスクとして開発されたものであり、レジスト膜の下層に形成される塗布炭素膜（ＳＯＣ：Spin-on Carbon Hard Mask）である。この塗布炭素膜の下層膜の特徴は、低反射率でエッチング耐性が高いことである。

このような特徴を有する下層膜を形成するプロセスは、下層膜薬液（下層膜を形成するための塗布液）を上記反射防止膜と同様の手法によって基板Ｗの表面に塗布し、その基板Ｗを加熱してカーボン以外の成分を焼き飛ばして不純物含有量が最小限のカーボン膜を焼成するというものである。

使用する薬液の種類にもよるが、通常、下層膜の焼成処理温度は反射防止膜（ＢＡＲＣ）の焼成処理温度よりも高温である。そして、下層膜の焼成処理時にカーボン以外の成分を焼き飛ばした結果として大量の（反射防止膜焼成時以上の）昇華物が発生する。そこで、このような下層膜を形成するための熱処理部に対して、前後の基板Ｗの処理条件の組み合わせが、特定の処理条件の組み合わせの際に、適切な待ち処理を実行させることで、基板製造の歩留まり低下をより効果的に抑制できる。

また、上記実施形態では、熱処理を行う熱処理部に次の基板Ｗを搬入するタイミングを決定する場合について説明したが、例えば、塗布処理ユニットＢＲＣ，ＳＣや現像処理ユニットＳＤ等、他の処理部に次の基板Ｗを搬入する時機を決定するような場合にも適用できる。例えば、塗布処理ユニットＢＲＣ，ＳＣ、現像処理ユニットＳＤにおいて、次の基板Ｗに先の基板Ｗとは異なる組成の薬液を塗布するような場合、ノズル２１２，４１２や塗布ノズル３１２で予備的吐出を行うことがある。そこで、これらの処理部において、先の基板Ｗの処理条件と後の基板Ｗの処理条件とが特定の処理条件の組み合わせである場合に、次の基板Ｗを所定位置で待機させる待ち処理を実行するように構成することも有効である。

また、本発明に係る熱処理装置によって処理の対象となる基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ガラス基板であってもよい。また、本発明は、加熱処理時に昇華物が発生する基板上の種々の被膜に対して有効であり、例えば、液晶表示装置のカラーフィルタ用に用いられるカラーレジスト膜を焼成する熱処理部等にも好適に使用できる。

また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組合わせることができる。

１ 基板処理装置
１００ ホストコンピュータ
２１ 下地塗布処理部
３１ レジスト塗布処理部
３４ 基板待機部
３４１ 載置プレート
３４２ 上下ピン
３５ 熱処理部
３５１ 加熱プレート
３５２ 上下ピン
３５３ カバー部材
３５４ 上下駆動機構
３５５ 排気ポンプ
３６ ローカル搬送機構
３６１ ハンド
３６２ 上下駆動部
３６３ 進退駆動部
４１ 現像処理部
４３ 熱処理部
ＢＲＣ 塗布処理ユニット
Ｃ キャリア
ＨＰ ホットプレート
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＰＨＰ 加熱ユニット
ＳＣ 塗布処理ユニット
ＳＤ 現像処理ユニット
ＴＲ１〜ＴＲ４ 搬送ロボット
ＢＣ ブロック制御部
ＭＣ 主制御部
ＭＣｍ 記憶部
ＴＲＣ 搬送ロボット制御部
ＴＵＣ 熱処理ユニット制御部
Ｄ１ 処理レシピ
Ｄ２ 設定情報
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   基板の処理条件を記憶する記憶部と、
   前記処理条件に従って、基板に対して特定の処理を行う処理部と、
   前記処理部に対して基板を搬送する搬送機構と、
   前記処理部において、先に処理されるべき第１基板の処理条件とその次に処理されるべき第２基板の処理条件とが、特定の処理条件の組み合せであると判定された場合に、前記第２基板の前記処理部への搬送時機を所定時間遅延させるように前記搬送機構を制御する制御部と、
   前記処理部に搬送する搬送時機となるまで、前記第２基板を待機させるための待機部と、
   を備え、
   前記記憶部は、前記特定の処理条件の組み合わせに対応する、基板の待機場所及び待機時間の情報を含む設定情報を記憶しており、
   前記搬送機構は、
   前記第２基板を、前記設定情報に基づき、前記待機部における特定の前記待機場所に搬送するとともに、前記待機時間経過後に、前記待機部における特定の前記待機場所で待機している前記第２基板を前記処理部へ搬送することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記処理部が、基板を熱処理する熱処理部であり、
   前記処理条件には、熱処理に関する処理条件が含まれることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記処理条件には、加熱処理の温度に関する情報が含まれることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記処理条件には、前記加熱処理の処理時間が含まれ、
   前記制御部は、
   前記第１処理条件および前記第２処理条件が、前記加熱処理の温度および薬液の種類を含む特定の処理条件の組み合わせであるか否かを判定することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記熱処理部は、加熱により昇華する薬液が塗布された基板を加熱処理することを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記処理条件には、基板に塗布されている薬液の種類に関する情報が含まれ、
   前記制御部は、
   前記第１処理条件および前記第２処理条件が、前記薬液の種類を含む前記特定の処理条件の組み合わせであるか否かを判定することを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、
   前記熱処理部の雰囲気を排気する排気機構、を含み、
   前記排気機構は、
   前記第１基板が前記熱処理部から搬出された後から、前記第２基板を前記熱処理部に搬入するまでの間、前記熱処理部の雰囲気を排気することを特徴とする基板処理装置。
8. 基板を処理する基板処理方法であって、
   (a) 処理部において先に処理すべき第１基板の処理条件を取得する工程と、
   (b) 前記(a)工程にて取得した前記第１基板の処理条件に従って、前記処理部により前記第１基板を処理する工程と、
   (c) 前記処理部において前記第１基板の次に処理すべき第２基板の処理条件を取得する工程と、
   (d) 前記(a)工程にて取得した第１基板の処理条件と前記(c)工程にて取得した第２基板の処理条件とが、予め設定された特定の処理条件の組み合わせか否かを判定する工程と、
   (e) 前記(d)工程にて、前記特定の処理条件の組合せであると判定されるときに、前記特定の処理条件の組み合わせに対応する基板の待機場所及び待機時間の情報を含む設定情報に基づいて、前記前記第２基板を待機部における特定の待機場所に搬送する工程と、
   (f) 前記(e)工程にて、前記待機部に搬送された前記第２基板を、前記設定情報に基づいて、前記待機時間が経過してから、前記第２基板を前記処理部へ搬送する工程と、
   を含むことを特徴とする基板処理方法。

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