JP4053728B2 - 加熱・冷却処理装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,加熱・冷却処理装置及び基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程において,例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」と称する。)などの基板の表面に対して,フォトリソグラフィ工程が行われている。このフォトリソグラフィ工程は,ウェハの表面にレジスト液を塗布した後に所定のパターンを露光し,その後に現像処理する一連の処理が施される。
【0003】
かかる塗布現像処理において,以上のようなレジスト塗布,露光,現像処理の後には,必要に応じてウェハを加熱する処理が行われ,その後に高温になったウェハを冷却する処理が行われる。また,塗布現像処理を行う塗布現像処理装置には,これら各処理を個別に行う各種処理装置が備えられ,各装置に対するウェハ搬入出は,アーム等を有する主搬送装置により行われる。
【0004】
加熱処理は,通常,加熱処理装置で行われる。図6に示すように,この加熱処理装置100には,加熱台101と,クーリングアーム102が備えられている。加熱台101は,上面に設けられた支持ピン103,103,103によりウェハWを載置し,内部に内蔵されたヒータ104の発熱によりウェハWを加熱処理する。一方,クーリングアーム102は,略方形の平板形状をなし,図示しない駆動機構により,加熱台101に対して進退自在であり,かつ加熱台101から加熱処理されたウェハWを受け取ることができるように構成されている。ウェハ受け取り時には,クーリングアーム102に形成されたスリット105,105,106により,クーリングアーム102と各支持ピン103とが接触しない。そしてクーリングアーム102の内部には循環路107が形成されている。この循環路107は,恒温水供給源(図示せず)に接続され,例えば23℃の恒温水を循環させるように構成されている。従って,クーリングアーム102は,加熱処理されたウェハWを装置内から搬出するまで待機させ,簡易な前冷却処理を行いウェハWにある程度の温度降下をもたらす。
【0005】
冷却処理装置には,冷却台が備えられている。冷却台は,前冷却処理されたウェハを載置し,内蔵されたペルチェ素子により高精度な冷却処理を行い,ウェハを所定温度(例えば23℃)にする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,従来の加熱処理装置100では,クーリングアーム102にウェハWを載置させる際に,スリット105,105,106に相当するウェハ裏面は,クーリングアーム102に対して非接触となっている。このため,非接触のウェハ裏面及びこのウェハ裏面に対向するウェハ表面は,他のウェハ表裏面に比べて温度降下が低い場合がある。さらにウェハWに載置させるのにクーリングアーム102が十分に大きくない場合,クーリングアーム102からはみ出す部分が生じ,はみ出したウェハ表裏面も温度降下が低い。また,加熱処理装置100からウェハWを搬出するタイミングが遅れ,クーリングアーム102におけるウェハWの待機時間が長引くことがある。このため,クーリングアーム102による冷却効果が,各ウェハWでは異なる場合がある。従来では無視できた程度の面内温度分布の不均一や冷却効果のばらつきについても,微細化技術の進展に対応して,より高精度な製造技術を実現するために改善する余地がある。
【0007】
また,化学増幅型レジストを使用する場合,露光後の加熱処理であるポストエクスポージャベーク(PEB)では,同様にクーリングアーム102による前冷却処理後に,高精度な冷却処理に迅速に移行して酸の増幅反応によるパターン変形や再現性の悪化等を抑制する必要がある。しかしながら,従来は,加熱処理装置100と冷却処理装置とが個別に設けられていたので,ウェハWを加熱処理装置100から搬出して冷却処理装置に搬入するのに時間がかかる。パターンの微細化が進む今日,従来では特に問題にならなかった装置間の移動時間も,パターン変形や再現性の悪化等を招くおそれがあり,この点に関しても改善する余地がある。
【0008】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,基板の面内温度分布や冷却効果の均一化を図ると共に,従来よりも高精度な冷却処理に迅速に移行することができる,新規な処理装置及び基板処理装置を提供する。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,本発明は,基板を加熱・冷却処理する装置において,基板を載置して加熱処理する加熱台と,基板を載置して冷却処理する冷却台と,基板を待機させる待機台と,前記加熱台と,前記冷却台と,前記待機台との間で,基板を搬送する搬送機構と,前記加熱台,前記冷却台及び前記待機台が配置された空間内に気流を形成する気流形成手段とを備え,前記加熱台と冷却台は1つのケーシング内に水平方向に並んで設けられ,前記待機台は前記ケーシング内における冷却台の上方に設けられ,前記搬送機構は前記ケーシング内に設けられていることを特徴とする,加熱・冷却処理装置を提供する。
【0010】
請求項1に記載の加熱・冷却処理装置において,冷却台は,例えば内部にペルチェ素子等の冷却調整体を有し,この冷却調整体の冷却作用により高精度な冷却処理が行えるように構成されている。このような加熱・冷却処理装置によれば,搬送機構により基板を加熱台,冷却台に順次搬送し,加熱,冷却処理を連続して行う。ここで冷却処理の際には,冷却台上に基板を載置するので,基板全体を均一に冷却処理することができる。このため,高精度な冷却処理が遅延なく行われ,加熱,冷却処理に関する時間管理に優れている。従って,基板の面内温度分布の均一化を図ると共に,複数の基板を冷却処理しても各基板の冷却効果を同じにすることができる。また高精度な冷却処理への移行を従来よりも迅速に行うことができ,パターンの変形や再現性の悪化を防止することができる。従って,歩留まりの向上を図ることができる。
【0011】
しかも,次の処理対象となる基板を待機台に予め待機させ,次々と基板を加熱台,冷却台に搬送すれば,複数の基板を連続的に加熱,冷却処理することができる。従って,スループットの向上を図ることができる。
【0012】
請求項1に記載の加熱・冷却処理装置において,請求項2に記載したように,前記加熱台を収納する加熱処理容器を備えていることが好ましい。また,請求項3に記載したように,前記冷却台を収納する冷却処理容器を備えていることが好ましく,この場合は前記待機台はケーシング内における当該冷却処理容器の上方に設けられる。そうすれば,加熱処理容器により,加熱台による熱的影響が周囲に拡散することを防止でき,冷却処理容器により,加熱台による熱的影響が冷却台に及ぶことを遮ることができる。従って,加熱台と冷却台とが同じ装置内に配置されても,所期の処理を実施することが可能となる。また,請求項4に記載したように,前記加熱台の輻射熱を遮断する断熱材を備えていれば更に良い。
【0013】
請求項5に記載したように,前記気流形成手段は,前記ケーシングにおける前記加熱台側の底面隅部に形成された排気口と,該排気口を通じて前記加熱台,前記冷却台及び前記待機台が配置された空間内の雰囲気を排気する排気機構とを備えていることが好ましい。例えば排気機構が排気ファンである場合,この排気ファンを稼働させれば,空間内に冷却台側から加熱台側に流れる気流を形成することができる。このような気流は,加熱台により発生した熱雰囲気が冷却台側に流れるのを防止することができる。さらに気流は,冷却台側から加熱台側に流れるため,冷却台から発生した冷気を含むようになり,加熱台から冷却台に搬送する際に,加熱処理された基板を直ちに冷却することができる。
【0014】
請求項6の発明は,基板を処理する装置において,請求項1,2,3,4又は5に記載の加熱・冷却処理装置と,基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理装置とが配置され,前記冷却台は,前記加熱・冷却処理装置内で前記液処理装置側に配置されていることを特徴とする,基板処理装置を提供する。
【0015】
請求項6に記載の基板処理装置によれば,冷却台は,加熱・冷却処理装置内で液処理装置側に配置されるので,液処理装置と加熱台との間に冷却台が介在することになり,加熱台による熱的影響が液処理装置に及ばない。その結果,基板に対して所定の液処理を好適に行うことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下,図面を参照しながら,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1〜3は本実施の形態にかかる加熱・冷却処理装置を備えた塗布現像処理装置1の外観を示しており,図1は平面,図2は正面,図3は背面の様子を各々示している。
【0017】
この塗布現像処理装置1は,図1に示すように例えば25枚のウエハWを収納したカセットCを外部から塗布現像処理装置1に対して搬入出したり,カセットCに対してウエハWを搬入出したりするためのカセットステーション2と,ウエハWに対する所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を配置してなる処理ステーション3と,処理ステーション3と露光装置(図示せず)の間でウエハWの受け取り,受け渡しを行うインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0018】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0019】
ウェハ搬送体7は,後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するアライメント装置32とエクステンション装置33に対してもアクセスできるように構成されている。
【0020】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置された処理装置群を構成している。塗布現像処理装置1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像処理装置1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。
【0021】
第1の処理装置群G1では図2に示すように,2種類のスピンナ型の液処理装置,例えばウェハWに対してレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布装置15と,ウェハWに現像液を供給して処理する現像処理装置16が下から順に2段に配置されている。第2の処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置17と,現像処理装置18とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0022】
第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するためのクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWの位置合わせを行うアライメント装置32,ウェハWを待機させるエクステンション装置33,本発明の実施の形態にかかる加熱・冷却処理装置34,35,36,37等が下から順に例えば8段に重ねられている。
【0023】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,加熱・冷却処理装置44,45,46,47等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0024】
インターフェイス部4の中央部にはウェハ搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50は,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び露光装置(図示せず)に対してアクセスできるように構成されている。
【0025】
加熱・冷却処理装置34〜37,44〜47は,処理目的に合わせて種々の設定が可能である。例えば加熱・冷却処理装置34,35は,レジスト塗布後の加熱処理であるプリベーク(PREBAKE)と,その後の冷却処理を行うようにし,加熱・冷却処理装置44,45は,露光処理後の加熱処理であるポストエクスポージャベーク(PEB)と,その後の冷却処理を行うようにし,加熱・冷却処理装置36,37,46,47は,現像処理後の加熱処理であるポストベーク(POBEBAKE)と,その後の冷却処理を行うように設定する。ここで,加熱・冷却処理装置34〜37,44〜47は,何れも同様の構成を有しているので,加熱・冷却処理装置44を例にとって説明する。
【0026】
図4及び図5に示すように,加熱・冷却処理装置44のケーシング44a内に,ウェハWを加熱処理する加熱部50と,ウェハWを冷却処理する冷却部51と,ウェハWを待機させる待機部52と,ウェハWを搬送するユニットアーム53と,気流Aを形成する気流形成手段54とが備えられている。冷却部51の上方に待機部52が配置され,待機部52の前方側(図4中の下側)のケーシング44a側面に,ウェハWを搬入するための搬入口55が形成され,冷却部51の前方側のケーシング44a側面に,ウェハWを搬出するための搬出口(図示せず)が形成されている。
【0027】
加熱部50は,加熱処理容器60を備えている。加熱処理容器60内に,ウェハWの加熱処理が行われる加熱処理室61が形成され,加熱台62が設置されている。加熱台62は,ウェハWを載置して所定温度に加熱処理するように構成されている。
【0028】
加熱処理容器60は,上側に位置して上下動可能な熱カバー63と,加熱台収納部64とを有している。熱カバー63は,中心部に向かって次第に高くなる略円錐状の形態を有し,頂上部に排気管65が接続されている。従って,加熱処理室61内の雰囲気は,排気管65から均一に排気される。また熱カバー63は,加熱台62を覆って熱雰囲気が周囲に拡散することを防止している。
【0029】
加熱台収納部64は,略円筒状のケース66と,前記加熱台62を保持するためのサポートリング67とを有している。サポートリング67は,断熱性が良好な材質からなり,加熱台62による輻射熱を遮断する。またサポートリング67に吹き出し口67aが設けられ,加熱処理室61内に例えば不活性ガスとして窒素ガス(N2ガス)等を吹き出すことができる。
【0030】
加熱台62の平面形態は例えば円形状に形成されている。加熱台62の内部にヒータ70が内蔵されていると共に,3個の貫通孔71が設けられている。各貫通孔71には,ウェハWの裏面を支持する昇降ピン72がそれぞれ挿入されている。これら3本の昇降ピン72は,昇降機構73により上下動する。従って,昇降ピン72によって支持されたウェハWは,加熱処理室61内で実線Wで示した加熱位置と二点鎖線W’で示した授受位置との間で昇降自在となる。
【0031】
冷却部51は,冷却処理容器80を備えている。冷却処理容器80内に,ウェハWの冷却処理が行われる冷却処理室81が形成され,冷却台82が設置されている。冷却台82は,ウェハWを載置して所定温度に冷却処理するように構成されている。
【0032】
冷却処理容器80は,上側に位置して上下動可能な冷却カバー83と,冷却台収納部84とを有している。冷却カバー83は,略円筒状の形態を有している。一方,冷却台収納部84は,ケース85と,前記冷却台82を保持するためのサポートリング86とを有している。
【0033】
冷却台82の平面形態は円形状に形成され,ウェハWよりも大きい径を有している。このため,冷却台82は,ウェハ全体に接触して載置可能な載置面82aを有する。さらに冷却台82は,内部にペルチェ素子87を有し,ペルチェ素子87の冷却作用により高精度な冷却処理が行える。そして,3個の貫通孔88に昇降ピン89がそれぞれ挿入され,昇降機構90により上下動する。従って,昇降ピン89によって支持されたウェハWは,冷却処理室81内で実線Wで示した冷却位置と二点鎖線W’で示した授受位置との間で昇降自在となる。
【0034】
ここで,加熱部50の配置は,塗布現像処理装置1の背面側(図5中の右側)に設定され,冷却部51の配置は,塗布現像処理装置1の正面側(図5中の左側)に設定されている。このため,図4及び図5に示すように,加熱台62は,加熱・冷却処理装置44内でレジスト塗布装置15及び現像処理装置16(第1の処理装置群G1)の反対側に配置され,冷却台82は,加熱・冷却処理装置44内でレジスト塗布装置15及び現像処理装置16側に配置されることになる。
【0035】
待機部52は,待機台91を有している。待機台91は,ケーシング44aに水平姿勢で固着されたプレート92上に設置されている。待機台91の平面形態は例えば円形状に形成され,その上面に3本の支持ピン93が設けられている。従って,待機台91は,これら支持ピン93によりウェハWの裏面を支持して水平姿勢で載置するように構成されている。
【0036】
気流形成手段54は,加熱部50側におけるケーシング44aの底面隅部に形成された排気口95と,排気口95に接続された排気管96に設けられた排気ファン97とを有している。排気ファン97は,加熱台62,冷却台82及び待機台91が配置された空間S内の雰囲気を排気するように構成され,排気ファン97が稼働することにより,冷却台82側から加熱台62側に流れる前記気流Aを形成するようになっている。また,加熱処理容器60において,熱カバー63を開けた際には,加熱台62による熱雰囲気は,直ちに排気口95に吸い込まれることになる。一方,冷却処理容器80において,冷却カバー83を開けた際には,冷却台82による冷気は,ケーシング44a内に拡散する。このため,気流Aは,ウェハ冷却が可能な冷気を有する。
【0037】
図4に示すように,ユニットアーム53は,水平方向(図4中のX,Y方向)に移動自在であると共に,鉛直方向(図4中のZ方向)に昇降自在であり,さらに回転自在(図4中のθ方向)である。そして,加熱台62と,冷却台82と,待機台91との間でウェハWを搬送するように構成されている。
【0038】
本実施の形態にかかる加熱・冷却処理装置44は以上のように構成されており,次にその作用等について説明する。まず加熱・冷却処理装置44では,排気ファン97が稼働し,気流Aが形成される。そして露光装置において露光処理が終了したウェハWが,第4の処理装置群G4に属する加熱・冷却処理装置44内に搬入される。
【0039】
搬入されたウェハWは,待機部52の待機台91に載置される。その後,ウェハWは,ユニットアーム53により加熱部50に搬送される。熱カバー63が開いて加熱台62にウェハWが載置される。加熱台62上でウェハWは,例えば200℃に加熱される。加熱中,熱カバー63は閉じられているため,加熱処理室61内の熱雰囲気は,ケーシング44a内に拡散することはない。
【0040】
一方,このように待機台91に載置されたウェハWを,ユニットアーム53により加熱部50に搬送した後は,待機台91が空くことになるので,露光処理が終了した2番目のウェハWが,引き続き第4の処理装置群G4に属する加熱・冷却処理装置44内に搬入され,待機部52の待機台91に載置される。そして,加熱部50にて所定時間(例えば90秒)経過して加熱処理が終了すると,熱カバー63が開いて,ユニットアーム53が加熱台62からウェハWを受け取り,冷却部51の冷却台82に直ちに搬送する。このとき,気流Aは,冷却台82側から加熱台62側に流れるので,加熱台62により発生した熱雰囲気は,冷却台82側に流れるのを防止することができる。そして,熱雰囲気は,排気口95から排気される。
【0041】
そして,冷却台82に載置されたウェハWは,ペルチェ素子87の冷却作用により例えば23℃(常温)に冷却される。一方,このようにウェハWを加熱部50からユニットアーム53により加熱部50に搬送した後は,加熱台62が空くことになるので,待機台91に載置されていた2番目のウェハWが加熱部50に搬送され,加熱部50にて引き続いて加熱処理が行われる。さらに,このように待機台91に載置された2番目のウェハWを,ユニットアーム53により加熱部50に搬送した後は,待機台91が再び空くことになるので,露光処理が終了した3番目のウェハWが,引き続き第4の処理装置群G4に属する加熱・冷却処理装置44内に搬入され,待機部52の待機台91に載置される。そして,冷却部51にて,例えば所定時間(例えば60秒)経過して,冷却処理が終了すると,ウェハWは,加熱・冷却処理装置44内から搬出される。一方,このように冷却部51にて冷却処理が終了してウェハWが加熱・冷却処理装置44内から搬出されると,加熱台62で加熱処理が終了した2番目のウェハWが冷却部51に搬送される。また,これによ加熱台62が空くことになるので,待機台91に載置されていた3番目のウェハWが加熱部50に搬送され,加熱部50にて引き続いて加熱処理が行われる。以後,待機台91には4番目以降のウェハWが順次載置され,以後,同様の加熱・冷却処理が続く。
【0042】
かかる加熱・冷却処理装置44によれば,ユニットアーム53によりウェハWを加熱台62,冷却台82に順次搬送し,加熱,冷却処理を連続して行う。ここで冷却処理の際には,冷却台82上にウェハWを載置するので,ウェハ全体を均一に冷却処理することができる。さらに従来のような前冷却処理を省くことができ,高精度な冷却処理が遅延なく行われ,加熱,冷却処理に関する時間管理に優れている。従って,ウェハWの面内温度分布の均一化を図ると共に,複数のウェハWを加熱,冷却処理しても各ウェハWの冷却効果を同じにすることができる。その結果,高精度な製造技術が実現可能となり,半導体デバイスの更なる微細化,高集積化に十分に対応できるようになる。
【0043】
しかも,加熱処理後に熱カバー63を開けてウェハWをケーシング44a内に曝せば,気流Aと接触することになる。ここで,気流Aは冷却処理室81内から拡散した冷気を含んでいるので,ウェハWを直ちに冷却することができる。特に温度変化に敏感な化学増幅型レジストを使用する場合,露光処理後の加熱処理であるポストエクスポージャベーク(PEB)の後に,レジストの増幅反応が進行しない温度に,ウェハWを迅速に温度降下させる必要があるが,加熱・冷却処理装置44では,そのような要望に答え,高精度な冷却処理への移行を従来よりも迅速に行い,パターンの変形や再現性の悪化を防止することができる。従って,歩留まりの向上を図ることができる。
【0044】
また,加熱台62を加熱処理容器60内に設置すると共に,冷却台82を冷却処理容器80内に設置している。このため,加熱処理容器60により,加熱台62による熱的影響が周囲に拡散することを防止でき,冷却処理容器80により,加熱台62による熱的影響が冷却台82に及ぶことを遮ることができる。さらにサポートリング67により加熱台62の輻射熱を遮断することができる。従って,加熱台62と冷却台82とが同じ装置内に配置されても,所期の処理を実施することができる。
【0045】
また次の処理対象となるウェハWを待機台91に予め待機させ,次々とウェハWを加熱台62,冷却台82に搬送するので,複数のウェハWを連続的に加熱,冷却処理することができる。従って,処理時間の短縮化がはかれ,スループットの向上を図ることができる。
【0046】
また,加熱台62は,レジスト塗布装置15及び現像処理装置16側の反対側に配置され,冷却台82は,レジスト塗布装置15及び現像処理装置16(第1の処理装置群G1)側に配置されている。従って,レジスト塗布装置15及び現像処理装置16と加熱台62との間に冷却台82が介在することになり,加熱台62による熱的影響がレジスト塗布装置15及び現像処理装置16に及ばない。その結果,ウェハWに対してレジスト塗布や現像処理を好適に行うことができる。
【0047】
なお,本実施の形態では,加熱台62による熱的影響が,加熱処理容器60及びサポートリング67により遮断される例について説明したが,本発明はこのような例に限定されない。例えば加熱台62と冷却台82との間に,上下動自在な断熱シャッタを設け,この断熱シャッタにより加熱台62の輻射熱を遮断するようにしても良い。
【0048】
加熱台62側に排気ファン97を設けるだけでなく,冷却台82側に送風機を設け,送風機と排気ファン97とで気流Aの形成を行っても良い。またユニットアーム53を複数設け,待機台91から加熱台62へのウェハ搬送や,加熱台62から冷却台82へのウェハ搬送を同時並行的に行い,スループットの更なる向上を図るようにしても良い。
【0049】
加熱・冷却処理装置34〜37,45〜47も,加熱・冷却処理装置44と同様の構成を有しているので,露光後の加熱,冷却処理に限らず,レジスト塗布後の加熱,冷却処理及び現像処理後の加熱,冷却処理についても同様の作用・効果を得ることができる。さらに基板にはウェハWを使用する例を挙げて説明したが,本発明はかかる例には限定されず,例えばLCD基板を使用する場合においても提供することができる。
【0050】
【発明の効果】
請求項1〜5の発明によれば,基板の面内温度分布の均一化を図ると共に,複数の基板を加熱,冷却処理しても各基板の冷却効果を同じにすることができる。さらにパターンの変形防止や複数の基板をいわゆる流れ作業方式で加熱,冷却処理することができる。その結果,高精度な製造技術が実現可能となり,例えば半導体デバイスの更なる微細化技術に対応し,歩留まりやスループットの向上を図ることができる。
【0051】
特に請求項2〜3によれば,加熱台による熱的影響が冷却台に及ぶことを防止することができ,加熱台と冷却台とが同じ装置内に配置されても,所期の処理を実施することが可能となる。また請求項4によれば,加熱台により発生した熱雰囲気が冷却台側に流れるのを防止することができると共に,加熱台から冷却台に搬送する際に,加熱処理された基板を直ちに冷却することができる。
【0052】
請求項6の発明は,請求項1〜5の発明と同様の作用・効果を得ることができる。さらに加熱台による熱的影響が液処理装置に及ぶことを防止し,基板に対して所定の液処理を好適に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる加熱・冷却処理装置を備えた塗布現像処理装置の平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理装置の正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理装置の背面図である。
【図4】本発明の実施の形態にかかる加熱・冷却処理装置の内部構造を概略的に示した平面図である。
【図5】図4の加熱・冷却処理装置の内部構造を概略的に示した断面図である。
【図6】従来の加熱・冷却処理装置の内部構造を概略的に示した平面図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理装置
34,35,36,37,44,45,46,47 加熱・冷却処理装置
53 ユニットアーム
54 気流形成手段
60 加熱処理容器
62 加熱台
80 冷却処理容器
82 冷却台
91 待機台
95 排気口
97 排気ファン
A 気流
S 空間
W ウェハ
Claims (6)
- 基板を加熱・冷却処理する装置において,
基板を載置して加熱処理する加熱台と,基板を載置して冷却処理する冷却台と,
基板を待機させる待機台と,
前記加熱台と,前記冷却台と,前記待機台との間で,基板を搬送する搬送機構と,
前記加熱台,前記冷却台及び前記待機台が配置された空間内に気流を形成する気流形成手段とを備え,
前記加熱台と冷却台は1つのケーシング内に水平方向に並んで設けられ,
前記待機台は前記ケーシング内における冷却台の上方に設けられ,
前記搬送機構は前記ケーシング内に設けられていることを特徴とする,加熱・冷却処理装置。 - 前記加熱台を収納する加熱処理容器を備えていることを特徴とする,請求項1に記載の加熱・冷却処理装置。
- 前記冷却台を収納する冷却処理容器を備え,前記待機台はケーシング内における当該冷却処理容器の上方に設けられていることを特徴とする,請求項1又は2に記載の加熱・冷却処理装置。
- 前記加熱台の輻射熱を遮断する断熱材を備えていることを特徴とする,請求項1,2又は3に記載の加熱・冷却処理装置。
- 前記気流形成手段は,前記ケーシングにおける前記加熱台側の底面隅部に形成された排気口と,該排気口を通じて前記加熱台,前記冷却台及び前記待機台が配置された空間内の雰囲気を排気する排気機構とを備えていることを特徴とする,請求項1,2,3又は4に記載の加熱・冷却処理装置。
- 基板を処理する装置において,
請求項1,2,3,4又は5に記載の加熱・冷却処理装置と,
基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理装置とが配置され,
前記冷却台は,前記加熱・冷却処理装置内で前記液処理装置側に配置されていることを特徴とする,基板処理装置。
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