JP4015015B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から,液晶ディスプレイの製造工程において,例えばLCD基板の表面にフォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを形成するフォトリソグラフィ工程が行われている。
【0003】
このフォトリソグラフィ工程においては,基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理,レジスト塗布処理後の基板を露光する露光処理,基板を現像する現像処理等が行われており,これらの処理の前後には,必要に応じて基板を加熱する熱処理が行われている。例えばLCD基板の表面に塗布されたレジスト液内の溶剤を蒸発させるプリベーキング,パターンの露光後に,基板上の薄膜内の化学反応を促進させるポストエクスポージャーベーキング,現像処理後に行うポストベーキングなどが行われている。
【0004】
上述の熱処理は,通常熱処理装置で行われ,従来の熱処理装置は,ケース内において,発熱体よって熱せられた熱板(載置台)上に基板を載置して,基板を加熱するように構成されていた。また,この加熱処理時には,基板から多くの昇華物が発生し,この昇華物が基板に再付着するのを防止する必要があるので,加熱処理装置には,クリーンルーム内の常温空気をケース内に導入する導入口と,ケース内の雰囲気を排気する排気口が設けられていた(例えば,特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平8―313855号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで,従来の熱処理装置では,高温の熱板によってその周りを囲むケースも高温になっていた。このため,例えば作業員が作業中に過ってケースに接触して火傷を負うことがあり,作業員の安全性が十分に確保されていなかった。また,ケースが高温になると,熱処理装置の周辺装置にまでその熱が伝導し,周辺装置の基板処理に悪影響を与える恐れがあった。加えて,熱板の熱がケースを介して周囲に放射されるので,熱処理装置全体の熱効率の低下を招いていた。特に,近年の熱処理の多様化に伴い,熱処理装置では200℃以上のさらに高温の熱処理も行われており,上記問題がより顕著に表れている。
【0007】
また,上述したようにケース内には,クリーンルーム内の常温空気が供給されるので,新たに供給される常温空気と処理室内で温められた空気との温度差によって,処理室内の雰囲気の温度分布が不均一の状態になっていた。このような温度分布の乱れは,例えば処理室内に対流を発生させ,基板表面の温度にも影響を与えるので,基板が基板面内において均一に加熱されないおそれがあった。これは,例えばレジスト膜の膜厚の不均一や現像むら等を引き起こし,歩留まりを低下させるものである。特に,基板が大型化するにつれて,この温度分布の乱れも大きくなり,この問題の解決が急務になっている。
【0008】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ケースなどの容器の温度の上昇を抑制し,かつ処理室内の温度分布を均一に維持する熱処理装置を提供することをその目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば,処理室内に設けられた熱処理板に基板を載置して,基板を熱処理する熱処理装置であって,熱処理板の周囲を全面に渡って囲み,前記処理室を形成する内容器と,前記内容器の外側面に沿って前記内容器を囲む外容器と,を備え,前記外容器と内容器との間には,気体が通気する通気路が形成され,前記外容器には,気体を前記通気路内に導入する導入口が形成され,前記内容器には,前記通気路を通過した気体を前記処理室内に供給する給気口が形成され,前記外容器は,前記内容器の全面を囲むように上面部,側面部及び下面部を備え,前記導入口は,前記外容器の下面部の中央に形成され,前記給気口は,内容器の上面部の中央に形成されていることを特徴とする熱処理装置が提供される。
【0010】
この発明によれば,例えば熱処理装置の周辺の気体が導入口から内容器と外容器との間の通気路に導入され,当該気体が通気路を通って給気口から処理室内に供給される。熱処理板から伝導した内容器の熱は,その外側面を通過する気体によって奪われ,内容器の温度上昇が抑制される。さらにその内容器は,断熱性の高い気体を介して外容器に囲まれているので,その外容器の温度は,低く維持される。この結果,作業員が過って外容器に触れても火傷することはなく,周辺装置に熱的な影響を与えることもない。また,内容器に伝わった熱は,気体によって処理室内に戻されるので,熱処理装置全体の熱効率が向上する。処理室内に供給される気体が,内容器の熱によって昇温されるので,処理室内の雰囲気の温度と供給気体との温度差が小さくなり,気体が供給された際の処理室内の温度分布の乱れが抑制される。したがって,基板表面付近に激しい対流が形成されることもなく,基板面内において均一な温度の熱処理が実現される。
【0011】
また,本発明によれば,気体は,外容器の下面部の中央から導入され,例えば内容器の下面部,側面部,上面部に沿って順に流れて内容器の上面部の中央から処理室に供給される。この際,内容器の全面に渡って蓄熱された熱が,気体に奪われるので,内容器の全面に渡る昇温が抑制される。
【0012】
前記外容器の下面部は内容器の下面周辺部のみを囲んで,当該外容器の下面部に開口する前記導入口が形成されていてもよい。
【0013】
前記熱処理装置は,前記処理室内を排気する排気機構をさらに備え,前記排気機構は,内容器の上面部に形成された排気口と,当該排気口から前記外容器を貫通して,当該外容器の外部に通じる排気管を有し,前記排気口は,前記給気口を挟んだ両側であって,前記給気口との距離が等しくなる位置に形成されていてもよい。かかる場合,給気口から給気された気体が,給気口の両側に配置された排気口から均等に排気される。したがって,例えば給気口が基板の中央部に位置している場合に,基板の左右の両端部上に互いに偏りのない一様な気流が形成される。それ故,基板上に形成される気流によって基板の面内温度がばらつくことなく,基板が均一に熱処理される。
【0014】
前記熱処理装置は,前記給気口から供給される気体を拡散させるための拡散板を備えていてもよい。この拡散板によって,気体が処理室に偏り無く供給されるので,処理室内の温度分布がより均一に維持される。前記拡散板は,前記処理室内であって前記給気口に対向する位置に設けられ,前記拡散板は,当該拡散板を貫通する通気孔と,前記拡散板の外側方向に気体を誘導するための誘導板とを備えていてもよい。前記誘導板は,複数備えられ,前記複数の誘導板は,前記拡散板の中心部から外側方向に向けて放射状に形成されてもよく,前記通気孔は,複数形成され,前記通気孔は,前記拡散板の中心を軸とした同一円周上に形成されていてもよい。
【0015】
前記内容器と外容器には,前記処理室に対して基板を搬入出するための搬入出口が互いに対向する位置に各々形成されており,前記各搬入出口には,各搬入出口を開閉する開閉部材が設けられていてもよい。かかる場合,熱処理装置が内容器と外容器の二重の壁に覆われていても,基板の搬入出を好適に行うことができる。前記各搬入出口の双方の開閉部材は,一体化されており,前記一体化された開閉部材を前記搬入出口に対して進退移動させて,前記搬入出口を開閉する開閉駆動機構をさらに備えていてもよい。この場合,一体化した開閉部材を進退させることによって各搬入出口の開閉を行うことができるので,2つの搬入出口をより単純な動作で開閉できる。なお,前記導入口からは,この熱処理装置の周辺気体が導入されるようにしてもよい。かかる場合,気体を導入口から導入するために,別途気体導入機構を設ける必要がなく,装置の簡素化が図られる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる熱処理装置が搭載された塗布現像処理装置1の構成の概略を示す平面図である。
【0017】
塗布現像処理装置1は,図1に示すように例えば塗布現像処理装置1の端部に位置し,複数の基板Gをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション2と,フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置が配置された処理ステーション3と,処理ステーションに3に隣接して設けられ,処理ステーション3と図示しない露光装置との間で基板Gの受け渡しを行うインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0018】
カセットステーション2では,カセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをY方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(Y方向)とカセットCに収容された基板Gの基板配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能な基板搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0019】
処理ステーション3には,例えばカセットステーション2側から順に洗浄プロセス部10,塗布プロセス部11及び現像プロセス部12が一列に設けられている。洗浄プロセス部10と塗布プロセス部11との間及び塗布プロセス部11と現像プロセス部12との間には,それぞれ基板中継部13,薬液供給装置14及びスペース15が設けられている。
【0020】
洗浄プロセス部10は,例えば2つのスクラバ洗浄装置20,上下2段の紫外線照射/冷却処理装置21,加熱処理装置22及び冷却処理装置23を有している。
【0021】
塗布プロセス部11は,レジスト塗布装置30,減圧乾燥装置31,上下2段型アドヒージョン/冷却処理装置32,上下2段型加熱/冷却処理装置33及び加熱処理装置34を有している。
【0022】
現像プロセス部12は,3つの現像処理装置40,2つの上下2段型加熱/冷却処理装置41及び本実施の形態にかかる熱処理装置としての加熱処理装置42を有している。
【0023】
各プロセス部10,11,12の中央部には,長手方向(X方向)に搬送路50,51,52が設けられ,この各搬送路50,51,52には,主搬送装置53,54,55が各々設けられている。この主搬送装置53〜55は,各プロセス部10〜12内の処理装置にアクセス可能であり,各処理装置への基板Gの搬入出と各処理装置間の基板Gの搬送を行うことができる。
【0024】
インターフェイス部4は,処理ステーション3側にエクステンション部60とバッファステージ61とを有し,処理ステーション3の反対側(X方向負方向側であって図示しない露光装置側に搬送装置62を有している。これにより,処理ステーション3の基板Gを露光装置内に搬送したり,露光処理の終了した基板Gを処理ステーション3内に搬送したりすることができる。
【0025】
このように構成された塗布現像処理装置1は,所定の温度,例えば常温に調節されたクリーンルーム内に設置されており,塗布現像処理装置1内の各処理装置は,この常温雰囲気の中に置かれている。
【0026】
次に,上述した加熱処理装置42の構成について説明する。図2は,加熱処理装置42の構成の概略を示す縦断面の説明図であり,図3は,加熱処理装置42の横断面の説明図である。
【0027】
加熱処理装置42は,外形が略直方体形状で箱型の内容器70を有しており,内容器70内には,およそ密閉された基板Gの処理室Sが形成されている。内容器70内の中央部には,基板Gを載置して加熱する熱処理板としての熱板71が設置されている。つまり,内容器70は,熱板71の周囲を全面に渡って囲んでいる。熱板71は,平面から見て基板Gの形状と同形状の方盤形状を有している。熱板71の内部には,給電により発熱する発熱体としてのヒータ72が均等に埋設されており,このヒータ72による発熱によって,熱板71上の基板Gを基板面内において均一に加熱できる。熱板71は,例えば断熱性の優れた樹脂からなる断熱部材73を介在して内容器70の下面部70a上に設置されており,熱板71の熱が直接内容器70に伝わらないようになっている。
【0028】
熱板71の中央部付近には,上下方向に貫通する複数の貫通孔74が形成されており,この各貫通孔74内には,昇降ピン75が直立して設けられている。昇降ピン75は,例えば内容器70の下面部70aの下方に設置されたシリンダなどの昇降駆動部76によって昇降できる。これにより,昇降ピン75は,熱板71の上方に突出自在であり,熱板71の上方において基板Gを下方から支持し,当該基板Gを上下動させることができる。したがって,昇降ピン75は,主搬送装置55から基板Gを受け取って熱板71に載置したり,熱板71の基板Gを持ち上げて主搬送装置55に受け渡すことができる。
【0029】
内容器70の外側面は,外容器80によって取り囲まれている。外容器80は,内容器70の外側面に沿って内容器70の上面部70bと側面部70cを囲み,さらに下面部70aの外周部のみを囲むように形成されている。つまり,外容器80は,外形がおよそ内容器70と同じ略直方体形状を有し,外容器80の下面部80aのみに図4に示すような四角形状の開口部81が形成されている。内容器70と外容器80と間には,例えば5mm程度の狭小で一定の隙間が形成されており,この隙間が通気路82になっている。外容器80の下面部80aの開口部81は,通気路82への導入口83を形成しており,加熱処理装置42の周辺の気体をこの導入口83から通気路82内に導入できる。
【0030】
内容器70の上面部70bの中央には,図2及び図3に示すように四角形状の給気口84が形成されている。したがって,外容器80の下面部80aの導入口82から導入された気体は,内容器70と外容器80との隙間の通気路82を通って内容器70の上面部70bの給気口84から処理室S内に供給される。そして,通気路82内を通過する気体は,内容器70の外側面に沿って流れるので,内容器70の熱を吸熱し,その熱を処理室S内に輸送することができる。
【0031】
内容器70の上面部70bより僅かに低く,給気口84に対向する位置,つまり熱板71の中心部の上方の位置には,拡散板85が設けられている。拡散板85は,給気口84と同形状の略四角形状に形成されており,支持体86によって内容器70の上面部70bに水平に釣支されている。拡散板85には,図5に示すように上方から流入する気体を外方に誘導するための複数,例えば4枚の誘導板87が取り付けられている。誘導板87は,略三角形状を有し,拡散板85の中心部から外側方向に向けて放射状に取り付けられている。また,拡散板85には,複数,例えば8つの通気孔88が設けられている。通気孔88は,例えば拡散板85の中心を軸とする同一円周上に等間隔に設けられており,上方から流入する気体を下方に供給できる。したがって,給気口84から給気される気体は,拡散板85によって側方及び下方に分流され,処理室Sに均等に供給される。
【0032】
内容器70の上面部70bには,図3及び図6に示すように処理室S内を排気する排気口90が複数箇所,例えば2箇所に形成されている。排気口90は,例えば給気口84を挟んだ両側であって,給気口84から等距離の位置に形成されている。排気口90には,図6に示すように排気口90から外容器80の上面部80bを貫通し,負圧発生手段である工場排気(図示せず)に連通する排気管91が接続されている。この排気管91を通じた排気口90からの吸引により,処理室S内の気体が排気され,この排気により負圧になった処理室S内に,上述した導入口83,通気路82及び給気口84を通じて,熱処理装置42の周辺の気体が処理室S内に供給される。これにより,処理室S内には,中央部上方の給気口84から流入し,処理室S内を通って外周部上方から排気される気流が形成され,処理室S内をパージすることができる。排気管91には,ダンパ92が設けられており,例えば排気のON・OFFや,排気量の調整を行うことができる。なお,本実施の形態における排気機構は,排気口90,排気管91及びダンパ92により構成される。
【0033】
内容器70の上面部70bよりも僅かに低い位置であって,排気口90に対向する位置には,整流板93が設けられている。整流板93は,例えば支持体93によって内容器70の上面部70bに釣支されている。処理室S内の気体は,整流板93の側方から整流板93と内容器70との隙間に流入し,排気口90から排気される。この整流板93により,排気口90の排気圧を損失させて,処理室S内の気体を均等に排気することができる。
【0034】
内容器70の側面部70cと外容器80の側面部80cには,図2に示すように基板を搬入出するための搬入出口100,101が各々設けられている。搬送口100,101は,互いに対向する位置に設けられている。搬送口100,101には,それぞれ開閉部材102,103が設けられている。開閉部材102,103は,例えば平板形状を有している。開閉部材102と103は,支持体104によって互いに平行に取り付けられている。このように一体化された開閉部材102,103は,例えば開閉駆動機構105によって各側面部70c,80cから外側方向に進退して,搬送口100,101を開閉することができる。
【0035】
開閉駆動機構105は,例えば図7に示すようにシリンダ106,ロッド107,連接部材108,L字クランク部材109,固定部材110及びクランク部材111を有している。ロッド107は,シリンダ106によって水平方向に摺動自在であり,このロッド107の軸Aには,連接部材108の一端が回動自在に接続されている。連接部材108の他端は,L字クランク部材109の一端の軸Bに回転自在に接続されている。L字クランク部材109の屈折部は,固定部材110の軸Cに回転自在に接続されており,L字クランク部材109は,この軸Cを支点として回転する。L字クランク部材109の他端は,外側の開閉部材103の軸Dに回転自在に接続されている。固定部材109の軸Cとは異なる軸Eには,クランク部材111の一端が回転自在に接続されており,クランク部材111の他端は,内側の開閉部材102の軸Fに回転自在に接続されている。かかる構成から,シリンダ106により,ロッド107を摺動させることによって,L字クランク部材109とクランク部材111がそれぞれ軸C,Eを中心に回転し,開閉部材102と103を回転させることによって,開閉部材102,103を各搬入出口100,101に対し外側から進退させることができる。この開閉部材102と103との進退運動によって,搬送口100,101を同時に開閉することができる。
【0036】
次に,以上のように構成されている加熱処理装置42の作用を,塗布現像処理装置1で行われるフォトリソグラフィ工程のプロセスと共に説明する。
【0037】
先ず,基板搬送体7によりカセットCから未処理の基板Gが1枚取り出され,処理ステーション3の洗浄プロセス部10の主搬送装置53に受け渡される。洗浄プロセス部10に搬送された基板Gは,先ず紫外線照射/冷却処理装置21において紫外線照射による乾式洗浄が施された後,所定温度に冷却される。次いで基板Gは,スクラバ洗浄装置20に搬送され,スクラビング洗浄処理に付され,その後加熱処理装置22,冷却処理装置23に順次搬送されて各処理装置において所定の処理が施される。冷却処理の終了した基板Gは,洗浄プロセス部10から基板受け渡し部13を介して塗布プロセス部11に搬送される。
【0038】
塗布プロセス部11に搬送された基板Gは,先ず主搬送装置54によってアドヒージョン/冷却処理装置32に搬送され,疎水化処理された後,冷却処理され,次いでレジスト塗布装置30に搬送される。レジスト塗布装置30でレジスト膜が形成された基板Gは,減圧乾燥装置31に搬送され乾燥される。乾燥処理の終了した基板Gは,加熱/冷却処理装置33に搬送され,プリベーキング処理が行われ,その後冷却される。
【0039】
その後,基板Gは,主搬送装置54及び主搬送装置55によってインターフェイス部4のエクステンション部60に搬送され,搬送装置62によって図示しない露光装置に搬送される。露光処理の終了した基板Gは,インターフェイス部4を介して現像プロセス部12に戻され,主搬送装置55により加熱処理装置42に搬送され,ポストエクスポージャーベーキング処理が行われる。ポストエクスポージャーベーキング処理が終了すると,現像処理装置40に搬送され,現像され,続いて,加熱/冷却処理装置41に搬送され,ポストベーキング処理が行われた後,冷却処理される。冷却処理が終了した基板Gは,主搬送装置55,54,53によってカセットステーション2まで搬送され,基板搬送体7によってカセットCに戻されて,一連のフォトリソグラフィ工程が終了する。
【0040】
次に,上述した加熱処理装置42における加熱処理について詳しく説明する。加熱処理装置42のヒータ72は,例えば塗布現像処理装置1の立ち上げ時から給電されており,このヒータ72の発熱によって熱板71は,基板Gの加熱温度,例えば260℃程度の高温度に維持されている。
【0041】
加熱処理装置42に基板Gが搬入される前は,ダンパ92が開放されており,予め設定された排気圧で処理室S内の雰囲気が排気されている。この排気によって,加熱処理装置42の周辺の気体が導入口83から通気路82,給気口84を通じて処理室Sに流入する。こうして,加熱処理装置42の周辺から,導入口83→通気路82→給気口84→処理室S→排気口90→排気管91を通じ工場排気に流れる一連の気流が形成され,この気流によって処理室S内の雰囲気は,パージされている。
【0042】
ところで,上記導入口83から導入される加熱処理装置42周辺の気体は,クリーンルーム内の常温雰囲気であり,加熱温度よりも遥かに低い低温気体である。この低温気体は,通気路82を通過する際に内容器70の側面部70c,上面部70bに沿って流れるので,熱板71からの放射熱によって内容器70に伝わった熱を奪い,内容器70は低温に維持される。この結果,加熱処理装置42の外容器80も低温に維持され,例えば過って作業員が加熱処理装置42に触れても火傷することもないし,周辺装置の処理に熱的な影響を与えることもない。
【0043】
また,加熱処理装置42の周辺の低温気体は,内容器70から熱を奪って,昇温された状態で処理室Sに供給される。それ故,気体が高温の処理室S内に入っても,流入気体と処理室S内の気体との温度差が比較的小さいので,激しい対流が生じることもなく,処理室S内の温度分布が一様に維持されている。
【0044】
そして,加熱処理装置42に基板Gが搬入される際には,例えばダンパ92が閉鎖され,排気が一時的に停止される。その後,開閉駆動機構105により,開閉部材102,103が外側に開かれ,搬入出口100,101が開放される。このとき,排気が停止されて通気路82内に気流が形成されていないので,搬入出口100,101から処理室Sに直接低温気体が流入して処理室Sの温度分布が乱れることを防止できる。
【0045】
その後,基板Gを保持した主搬送装置55が搬入出口100,101から進入し,基板Gが熱板71の上方で予め待機していた昇降ピン75に受け渡される。基板Gを受け渡した主搬送装置55は,直ちに加熱処理装置42から退避し,主搬送装置55が退避すると,開閉部材102,103により搬入出口100,101が閉鎖される。搬入出口100,101が閉鎖されると,ダンパ92が開放され,排気が再開されて,通気路82内に再び気流が形成される。基板Gを受け取った昇降ピン75は下降し,基板Gが熱板71上に載置されて,基板Gの加熱が開始される。このとき,処理室S内は,給気口84からの給気と,排気口90からの排気により換気されているので,加熱によって基板Gから生じた昇華物などの浮遊物は,基板Gに再付着することなく除去される。また,給気口84から供給される気体は,上述したように通気路82を通る際に処理室S内の温度に近づくように温められている。さらに当該気体は,拡散板85によって処理室S内に均等に給気されるので,処理室S内の温度分布が乱れることなく,基板Gが基板面内において均等に加熱される。
【0046】
基板Gが所定時間加熱されると,昇降ピン75により上昇され,この時点で基板Gの加熱が終了する。その後,基板Gの搬入時と同様に,ダンパ92により排気が中断され,搬入出口100,101が開放される。続いて,主搬送装置52が熱板71上に進入し,基板Gが主搬送装置52に受け渡され,加熱処理装置42から搬出される。基板Gが搬出されると,搬入出口100,101が閉鎖され,排気が再開される。こうして,一連の加熱処理が終了する。
【0047】
以上の実施の形態によれば,加熱処理装置42に内容器70を囲む外容器80を設け,内容器70と外容器80との間の通気路82に加熱処理装置42の周辺から取り入れた低温気体を流すようにしたので,熱板71からの熱によって内容器70が昇温することなく内容器70の温度を低温に維持できる。この結果,加熱処理装置42の外容器80の温度が低温に維持される。したがって,例えば作業員が加熱処理装置42の外容器80に触れて火傷することを防止できる。また,加熱処理装置42の外容器80から熱が放熱され周辺装置の処理に悪影響を与えることを防止できる。
【0048】
内容器70と外容器80との間を通過する低温気体は,内容器70によって温められてから処理室S内に供給されるので,加熱処理装置42の周辺の低温気体をそのまま処理室S内に供給していた従来に比べて,供給気体と処理室S内の温度差が小さくなり,処理室S内の温度分布の乱れが抑制される。この結果,処理室S内に激しい対流が発生することなく基板Gの面内温度も均一に維持されるので,基板Gを均等に加熱できる。熱板71から内容器70に伝わった熱が,外部に放射されず供給気体の熱として利用されるので,加熱処理装置42全体の熱効率が向上し,例えばヒータ72の電気消費量を低減できる。
【0049】
さらに,加熱処理装置42には,拡散板85が設けられ,拡散板85には,中央部から放射状に形成された誘導板87と,同一円周上に形成された貫通孔88を備えたたので,給気口84から供給される気体は,処理室Sの下方向と側方向に均等に供給される。こうすることによっても,処理室S内の温度分布は均等に維持され,基板Gが均等に加熱される。
【0050】
加熱処理装置42に,搬入出口100,101と開閉板102,103を設けたので,加熱処理装置42を内容器70と外容器80で二重に覆っても,基板Gの搬入出を好適に行うことができる。また,基板Gの搬入出時には,排気を停止したので,搬入出口100,101から処理室S内に低温の外気が流入することを防止できる。
【0051】
前記実施の形態では,外容器80が内容器70の下面部70aの外周部のみを覆っていたが,図8に示すように外容器80の下面部80aが内容器70の下面部70aのほぼ全面を覆い,例えば下面部80aの中央部に導入口110が開口していてもよい。かかる場合,導入気体が内容器70の全面に渡って流れるので,内容器70の全面を冷却することができる。
【0052】
以上,本発明の実施の形態の一例について説明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば本実施の形態では,本発明を加熱処理装置42に適用していたが,本発明は,加熱処理装置22,加熱/冷却処理装置33,41及び冷却処理装置23等の他の熱処理装置にも適用できる。さらに,本発明に適用される基板は,LCD基板に限られず,半導体ウェハ,フォトマスク用のガラス基板等の他の基板であってもよい。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば,熱処理装置の容器が熱くならないので,作業員の火傷が防止され作業員の安全性が確保される。熱処理板の熱が外部に放射されることなく,再利用されるので,熱効率が向上し,それによって電力消費量などが低減できる。熱処理装置内の温度分布が乱れないので,基板が適正な温度で加熱され,歩留まりの向上も図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかる加熱処理装置が搭載された塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図2】加熱処理装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図3】加熱処理装置の横断面の説明図である。
【図4】加熱処理装置の下面図である。
【図5】拡散板の斜視図である。
【図6】加熱処理装置の縦断面の説明図である。
【図7】開閉駆動機構の構成の概略を示す説明図である。
【図8】内容器の下面部が外容器によって覆われている場合の加熱処理装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理装置
42 加熱処理装置
70 内容器
70a 上面部
71 熱板
80 外容器
82 通気路
83 導入口
84 給気口
85 拡散板
102,103 開閉部材
G 基板
Claims (11)
- 処理室内に設けられた熱処理板に基板を載置して,基板を熱処理する熱処理装置であって,
熱処理板の周囲を全面に渡って囲み,前記処理室を形成する内容器と,
前記内容器の外側面に沿って前記内容器を囲む外容器と,を備え,
前記外容器と内容器との間には,気体が通気する通気路が形成され,
前記外容器には,気体を前記通気路内に導入する導入口が形成され,
前記内容器には,前記通気路を通過した気体を前記処理室内に供給する給気口が形成され,
前記外容器は,前記内容器の全面を囲むように上面部,側面部及び下面部を備え,
前記導入口は,前記外容器の下面部の中央に形成され,
前記給気口は,内容器の上面中央部に形成されていることを特徴とする,熱処理装置。 - 前記外容器の下面部は,内容器の下面周辺部のみを囲んで,当該外容器の下面部に開口する前記導入口が形成されていることを特徴とする,請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記処理室内を排気する排気機構をさらに備え,
前記排気機構は,内容器の上面部に形成された排気口と,当該排気口から前記外容器を貫通して,当該外容器の外部に通じる排気管を有し,
前記排気口は,前記給気口を挟んだ両側であって,前記給気口との距離が等しくなる位置に形成されていることを特徴とする,請求項1又は2に記載の熱処理装置。 - 前記給気口から供給される気体を拡散させるための拡散板を備えたことを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の熱処理装置。
- 処理室内に設けられた熱処理板に基板を載置して,基板を熱処理する熱処理装置であって,
熱処理板の周囲を全面に渡って囲み,前記処理室を形成する内容器と,
前記内容器の外側面に沿って前記内容器を囲む外容器と,を備え,
前記外容器と内容器との間には,気体が通気する通気路が形成され,
前記外容器には,気体を前記通気路内に導入する導入口が形成され,
前記内容器には,前記通気路を通過した気体を前記処理室内に供給する給気口が形成され,
前記給気口から供給される気体を拡散させるための拡散板を備えたことを特徴とする,熱処理装置。 - 前記拡散板は,前記処理室内であって前記給気口に対向する位置に設けられ,
前記拡散板は,当該拡散板を貫通する通気孔と,前記拡散板の外側方向に気体を誘導するための誘導板とを備えたことを特徴とする,請求項4又は5に記載の熱処理装置。 - 前記誘導板は,複数備えられ,
前記複数の誘導板は,前記拡散板の中心部から外側方向に向けて放射状に形成されていることを特徴とする,請求項6に記載の熱処理装置。 - 前記通気孔は,複数形成され,
前記通気孔は,前記拡散板の中心を軸とした同一円周上に形成されていることを特徴とする,請求項6又は7のいずれかに記載の熱処理装置。 - 前記内容器と外容器には,前記処理室に対して基板を搬入出するための搬入出口が互いに対向する位置に各々形成されており,
前記各搬入出口には,各搬入出口を開閉する開閉部材が設けられていることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7又は8のいずれかに記載の熱処理装置。 - 前記各搬入出口の双方の開閉部材は,一体化されており,
前記一体化された開閉部材を前記搬入出口に対して進退移動させて,前記搬入出口を開閉する開閉駆動機構をさらに備えたことを特徴とする,請求項9に記載の熱処理装置。 - 前記導入口からは,この熱処理装置の周辺気体が導入されることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9又は10のいずれかに記載の熱処理装置。
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