JP2004200574A - 熱処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理装置の外壁の昇温を抑制しつつ，処理室内の温度分布を均一にする。
【解決手段】処理室Ｓを形成する内容器７０の周囲を外容器８０で囲む。内容器７０と外容器８０との間に，通気路８２が形成され，外容器８０の下面部８０ａに導入口８３を設ける。内容器７０の上面部７０ｂの中央に給気口８４を形成し，導入口８３から導入された気体は通気路８２を通って給気口８４から処理室Ｓ内に供給される。こうすることによって，通気路８２を通る気体が，熱板７１から伝わる内容器７０の熱を吸熱し，内容器７０引いては外容器８０の昇温を抑制する。また，内容器７０の熱を吸熱し，昇温された気体が処理室Ｓ内に供給されるので，高温の処理室Ｓ内の温度分布が乱されることがない。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から，液晶ディスプレイの製造工程において，例えばＬＣＤ基板の表面にフォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを形成するフォトリソグラフィ工程が行われている。
【０００３】
このフォトリソグラフィ工程においては，基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理，レジスト塗布処理後の基板を露光する露光処理，基板を現像する現像処理等が行われており，これらの処理の前後には，必要に応じて基板を加熱する熱処理が行われている。例えばＬＣＤ基板の表面に塗布されたレジスト液内の溶剤を蒸発させるプリベーキング，パターンの露光後に，基板上の薄膜内の化学反応を促進させるポストエクスポージャーベーキング，現像処理後に行うポストベーキングなどが行われている。
【０００４】
上述の熱処理は，通常熱処理装置で行われ，従来の熱処理装置は，ケース内において，発熱体よって熱せられた熱板（載置台）上に基板を載置して，基板を加熱するように構成されていた。また，この加熱処理時には，基板から多くの昇華物が発生し，この昇華物が基板に再付着するのを防止する必要があるので，加熱処理装置には，クリーンルーム内の常温空気をケース内に導入する導入口と，ケース内の雰囲気を排気する排気口が設けられていた（例えば，特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平８―３１３８５５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，従来の熱処理装置では，高温の熱板によってその周りを囲むケースも高温になっていた。このため，例えば作業員が作業中に過ってケースに接触して火傷を負うことがあり，作業員の安全性が十分に確保されていなかった。また，ケースが高温になると，熱処理装置の周辺装置にまでその熱が伝導し，周辺装置の基板処理に悪影響を与える恐れがあった。加えて，熱板の熱がケースを介して周囲に放射されるので，熱処理装置全体の熱効率の低下を招いていた。特に，近年の熱処理の多様化に伴い，熱処理装置では２００℃以上のさらに高温の熱処理も行われており，上記問題がより顕著に表れている。
【０００７】
また，上述したようにケース内には，クリーンルーム内の常温空気が供給されるので，新たに供給される常温空気と処理室内で温められた空気との温度差によって，処理室内の雰囲気の温度分布が不均一の状態になっていた。このような温度分布の乱れは，例えば処理室内に対流を発生させ，基板表面の温度にも影響を与えるので，基板が基板面内において均一に加熱されないおそれがあった。これは，例えばレジスト膜の膜厚の不均一や現像むら等を引き起こし，歩留まりを低下させるものである。特に，基板が大型化するにつれて，この温度分布の乱れも大きくなり，この問題の解決が急務になっている。
【０００８】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ケースなどの容器の温度の上昇を抑制し，かつ処理室内の温度分布を均一に維持する熱処理装置を提供することをその目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば，処理室内に設けられた熱処理板に基板を載置して，基板を熱処理する熱処理装置であって，熱処理板の周囲を全面に渡って囲み，前記処理室を形成する内容器と，前記内容器の外側面に沿って前記内容器を囲む外容器と，を備え，前記外容器と内容器との間には，気体が通気する通気路が形成され，前記外容器には，気体を前記通気路内に導入する導入口が形成され，前記内容器には，前記通気路を通過した気体を前記処理室内に供給する給気口が形成されていることを特徴とする熱処理装置が提供される。
【００１０】
この発明によれば，例えば熱処理装置の周辺の気体が導入口から内容器と外容器との間の通気路に導入され，当該気体が通気路を通って給気口から処理室内に供給される。熱処理板から伝導した内容器の熱は，その外側面を通過する気体によって奪われ，内容器の温度上昇が抑制される。さらにその内容器は，断熱性の高い気体を介して外容器に囲まれているので，その外容器の温度は，低く維持される。この結果，作業員が過って外容器に触れても火傷することはなく，周辺装置に熱的な影響を与えることもない。また，内容器に伝わった熱は，気体によって処理室内に戻されるので，熱処理装置全体の熱効率が向上する。処理室内に供給される気体が，内容器の熱によって昇温されるので，処理室内の雰囲気の温度と供給気体との温度差が小さくなり，気体が供給された際の処理室内の温度分布の乱れが抑制される。したがって，基板表面付近に激しい対流が形成されることもなく，基板面内において均一な温度の熱処理が実現される。
【００１１】
前記外容器は，前記内容器の全面を囲むように上面部，側面部及び下面部を備え，前記導入口は，前記外容器の下面部の中央に形成され，前記給気口は，内容器の上面部の中央に形成されていてもよい。かかる場合，気体は，外容器の下面部の中央から導入され，例えば内容器の下面部，側面部，上面部に沿って順に流れて内容器の上面部の中央から処理室に供給される。この際，内容器の全面に渡って蓄熱された熱が，気体に奪われるので，内容器の全面に渡る昇温が抑制される。
【００１２】
前記外容器の下面部は内容器の下面周辺部のみを囲んで，当該外容器の下面部に開口する前記導入口が形成されていてもよい。
【００１３】
前記熱処理装置は，前記処理室内を排気する排気機構をさらに備え，前記排気機構は，内容器の上面部に形成された排気口と，当該排気口から前記外容器を貫通して，当該外容器の外部に通じる排気管を有し，前記排気口は，前記給気口を挟んだ両側であって，前記給気口との距離が等しくなる位置に形成されていてもよい。かかる場合，給気口から給気された気体が，給気口の両側に配置された排気口から均等に排気される。したがって，例えば給気口が基板の中央部に位置している場合に，基板の左右の両端部上に互いに偏りのない一様な気流が形成される。それ故，基板上に形成される気流によって基板の面内温度がばらつくことなく，基板が均一に熱処理される。
【００１４】
前記熱処理装置は，前記給気口から供給される気体を拡散させるための拡散板を備えていてもよい。この拡散板によって，気体が処理室に偏り無く供給されるので，処理室内の温度分布がより均一に維持される。前記拡散板は，前記処理室内であって前記給気口に対向する位置に設けられ，前記拡散板は，当該拡散板を貫通する通気孔と，前記拡散板の外側方向に気体を誘導するための誘導板とを備えていてもよい。前記誘導板は，複数備えられ，前記複数の誘導板は，前記拡散板の中心部から外側方向に向けて放射状に形成されてもよく，前記通気孔は，複数形成され，前記通気孔は，前記拡散板の中心を軸とした同一円周上に形成されていてもよい。
【００１５】
前記内容器と外容器には，前記処理室に対して基板を搬入出するための搬入出口が互いに対向する位置に各々形成されており，前記各搬入出口には，各搬入出口を開閉する開閉部材が設けられていてもよい。かかる場合，熱処理装置が内容器と外容器の二重の壁に覆われていても，基板の搬入出を好適に行うことができる。前記各搬入出口の双方の開閉部材は，一体化されており，前記一体化された開閉部材を前記搬入出口に対して進退移動させて，前記搬入出口を開閉する開閉駆動機構をさらに備えていてもよい。この場合，一体化した開閉部材を進退させることによって各搬入出口の開閉を行うことができるので，２つの搬入出口をより単純な動作で開閉できる。なお，前記導入口からは，この熱処理装置の周辺気体が導入されるようにしてもよい。かかる場合，気体を導入口から導入するために，別途気体導入機構を設ける必要がなく，装置の簡素化が図られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる熱処理装置が搭載された塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
【００１７】
塗布現像処理装置１は，図１に示すように例えば塗布現像処理装置１の端部に位置し，複数の基板Ｇをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と，フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置が配置された処理ステーション３と，処理ステーションに３に隣接して設けられ，処理ステーション３と図示しない露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１８】
カセットステーション２では，カセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＹ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｙ方向）とカセットＣに収容された基板Ｇの基板配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能な基板搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００１９】
処理ステーション３には，例えばカセットステーション２側から順に洗浄プロセス部１０，塗布プロセス部１１及び現像プロセス部１２が一列に設けられている。洗浄プロセス部１０と塗布プロセス部１１との間及び塗布プロセス部１１と現像プロセス部１２との間には，それぞれ基板中継部１３，薬液供給装置１４及びスペース１５が設けられている。
【００２０】
洗浄プロセス部１０は，例えば２つのスクラバ洗浄装置２０，上下２段の紫外線照射／冷却処理装置２１，加熱処理装置２２及び冷却処理装置２３を有している。
【００２１】
塗布プロセス部１１は，レジスト塗布装置３０，減圧乾燥装置３１，上下２段型アドヒージョン／冷却処理装置３２，上下２段型加熱／冷却処理装置３３及び加熱処理装置３４を有している。
【００２２】
現像プロセス部１２は，３つの現像処理装置４０，２つの上下２段型加熱／冷却処理装置４１及び本実施の形態にかかる熱処理装置としての加熱処理装置４２を有している。
【００２３】
各プロセス部１０，１１，１２の中央部には，長手方向（Ｘ方向）に搬送路５０，５１，５２が設けられ，この各搬送路５０，５１，５２には，主搬送装置５３，５４，５５が各々設けられている。この主搬送装置５３〜５５は，各プロセス部１０〜１２内の処理装置にアクセス可能であり，各処理装置への基板Ｇの搬入出と各処理装置間の基板Ｇの搬送を行うことができる。
【００２４】
インターフェイス部４は，処理ステーション３側にエクステンション部６０とバッファステージ６１とを有し，処理ステーション３の反対側（Ｘ方向負方向側であって図示しない露光装置側に搬送装置６２を有している。これにより，処理ステーション３の基板Ｇを露光装置内に搬送したり，露光処理の終了した基板Ｇを処理ステーション３内に搬送したりすることができる。
【００２５】
このように構成された塗布現像処理装置１は，所定の温度，例えば常温に調節されたクリーンルーム内に設置されており，塗布現像処理装置１内の各処理装置は，この常温雰囲気の中に置かれている。
【００２６】
次に，上述した加熱処理装置４２の構成について説明する。図２は，加熱処理装置４２の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図３は，加熱処理装置４２の横断面の説明図である。
【００２７】
加熱処理装置４２は，外形が略直方体形状で箱型の内容器７０を有しており，内容器７０内には，およそ密閉された基板Ｇの処理室Ｓが形成されている。内容器７０内の中央部には，基板Ｇを載置して加熱する熱処理板としての熱板７１が設置されている。つまり，内容器７０は，熱板７１の周囲を全面に渡って囲んでいる。熱板７１は，平面から見て基板Ｇの形状と同形状の方盤形状を有している。熱板７１の内部には，給電により発熱する発熱体としてのヒータ７２が均等に埋設されており，このヒータ７２による発熱によって，熱板７１上の基板Ｇを基板面内において均一に加熱できる。熱板７１は，例えば断熱性の優れた樹脂からなる断熱部材７３を介在して内容器７０の下面部７０ａ上に設置されており，熱板７１の熱が直接内容器７０に伝わらないようになっている。
【００２８】
熱板７１の中央部付近には，上下方向に貫通する複数の貫通孔７４が形成されており，この各貫通孔７４内には，昇降ピン７５が直立して設けられている。昇降ピン７５は，例えば内容器７０の下面部７０ａの下方に設置されたシリンダなどの昇降駆動部７６によって昇降できる。これにより，昇降ピン７５は，熱板７１の上方に突出自在であり，熱板７１の上方において基板Ｇを下方から支持し，当該基板Ｇを上下動させることができる。したがって，昇降ピン７５は，主搬送装置５５から基板Ｇを受け取って熱板７１に載置したり，熱板７１の基板Ｇを持ち上げて主搬送装置５５に受け渡すことができる。
【００２９】
内容器７０の外側面は，外容器８０によって取り囲まれている。外容器８０は，内容器７０の外側面に沿って内容器７０の上面部７０ｂと側面部７０ｃを囲み，さらに下面部７０ａの外周部のみを囲むように形成されている。つまり，外容器８０は，外形がおよそ内容器７０と同じ略直方体形状を有し，外容器８０の下面部８０ａのみに図４に示すような四角形状の開口部８１が形成されている。内容器７０と外容器８０と間には，例えば５ｍｍ程度の狭小で一定の隙間が形成されており，この隙間が通気路８２になっている。外容器８０の下面部８０ａの開口部８１は，通気路８２への導入口８３を形成しており，加熱処理装置４２の周辺の気体をこの導入口８３から通気路８２内に導入できる。
【００３０】
内容器７０の上面部７０ｂの中央には，図２及び図３に示すように四角形状の給気口８４が形成されている。したがって，外容器８０の下面部８０ａの導入口８２から導入された気体は，内容器７０と外容器８０との隙間の通気路８２を通って内容器７０の上面部７０ｂの給気口８４から処理室Ｓ内に供給される。そして，通気路８２内を通過する気体は，内容器７０の外側面に沿って流れるので，内容器７０の熱を吸熱し，その熱を処理室Ｓ内に輸送することができる。
【００３１】
内容器７０の上面部７０ｂより僅かに低く，給気口８４に対向する位置，つまり熱板７１の中心部の上方の位置には，拡散板８５が設けられている。拡散板８５は，給気口８４と同形状の略四角形状に形成されており，支持体８６によって内容器７０の上面部７０ｂに水平に釣支されている。拡散板８５には，図５に示すように上方から流入する気体を外方に誘導するための複数，例えば４枚の誘導板８７が取り付けられている。誘導板８７は，略三角形状を有し，拡散板８５の中心部から外側方向に向けて放射状に取り付けられている。また，拡散板８５には，複数，例えば８つの通気孔８８が設けられている。通気孔８８は，例えば拡散板８５の中心を軸とする同一円周上に等間隔に設けられており，上方から流入する気体を下方に供給できる。したがって，給気口８４から給気される気体は，拡散板８５によって側方及び下方に分流され，処理室Ｓに均等に供給される。
【００３２】
内容器７０の上面部７０ｂには，図３及び図６に示すように処理室Ｓ内を排気する排気口９０が複数箇所，例えば２箇所に形成されている。排気口９０は，例えば給気口８４を挟んだ両側であって，給気口８４から等距離の位置に形成されている。排気口９０には，図６に示すように排気口９０から外容器８０の上面部８０ｂを貫通し，負圧発生手段である工場排気（図示せず）に連通する排気管９１が接続されている。この排気管９１を通じた排気口９０からの吸引により，処理室Ｓ内の気体が排気され，この排気により負圧になった処理室Ｓ内に，上述した導入口８３，通気路８２及び給気口８４を通じて，熱処理装置４２の周辺の気体が処理室Ｓ内に供給される。これにより，処理室Ｓ内には，中央部上方の給気口８４から流入し，処理室Ｓ内を通って外周部上方から排気される気流が形成され，処理室Ｓ内をパージすることができる。排気管９１には，ダンパ９２が設けられており，例えば排気のＯＮ・ＯＦＦや，排気量の調整を行うことができる。なお，本実施の形態における排気機構は，排気口９０，排気管９１及びダンパ９２により構成される。
【００３３】
内容器７０の上面部７０ｂよりも僅かに低い位置であって，排気口９０に対向する位置には，整流板９３が設けられている。整流板９３は，例えば支持体９３によって内容器７０の上面部７０ｂに釣支されている。処理室Ｓ内の気体は，整流板９３の側方から整流板９３と内容器７０との隙間に流入し，排気口９０から排気される。この整流板９３により，排気口９０の排気圧を損失させて，処理室Ｓ内の気体を均等に排気することができる。
【００３４】
内容器７０の側面部７０ｃと外容器８０の側面部８０ｃには，図２に示すように基板を搬入出するための搬入出口１００，１０１が各々設けられている。搬送口１００，１０１は，互いに対向する位置に設けられている。搬送口１００，１０１には，それぞれ開閉部材１０２，１０３が設けられている。開閉部材１０２，１０３は，例えば平板形状を有している。開閉部材１０２と１０３は，支持体１０４によって互いに平行に取り付けられている。このように一体化された開閉部材１０２，１０３は，例えば開閉駆動機構１０５によって各側面部７０ｃ，８０ｃから外側方向に進退して，搬送口１００，１０１を開閉することができる。
【００３５】
開閉駆動機構１０５は，例えば図７に示すようにシリンダ１０６，ロッド１０７，連接部材１０８，Ｌ字クランク部材１０９，固定部材１１０及びクランク部材１１１を有している。ロッド１０７は，シリンダ１０６によって水平方向に摺動自在であり，このロッド１０７の軸Ａには，連接部材１０８の一端が回動自在に接続されている。連接部材１０８の他端は，Ｌ字クランク部材１０９の一端の軸Ｂに回転自在に接続されている。Ｌ字クランク部材１０９の屈折部は，固定部材１１０の軸Ｃに回転自在に接続されており，Ｌ字クランク部材１０９は，この軸Ｃを支点として回転する。Ｌ字クランク部材１０９の他端は，外側の開閉部材１０３の軸Ｄに回転自在に接続されている。固定部材１０９の軸Ｃとは異なる軸Ｅには，クランク部材１１１の一端が回転自在に接続されており，クランク部材１１１の他端は，内側の開閉部材１０２の軸Ｆに回転自在に接続されている。かかる構成から，シリンダ１０６により，ロッド１０７を摺動させることによって，Ｌ字クランク部材１０９とクランク部材１１１がそれぞれ軸Ｃ，Ｅを中心に回転し，開閉部材１０２と１０３を回転させることによって，開閉部材１０２，１０３を各搬入出口１００，１０１に対し外側から進退させることができる。この開閉部材１０２と１０３との進退運動によって，搬送口１００，１０１を同時に開閉することができる。
【００３６】
次に，以上のように構成されている加熱処理装置４２の作用を，塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィ工程のプロセスと共に説明する。
【００３７】
先ず，基板搬送体７によりカセットＣから未処理の基板Ｇが１枚取り出され，処理ステーション３の洗浄プロセス部１０の主搬送装置５３に受け渡される。洗浄プロセス部１０に搬送された基板Ｇは，先ず紫外線照射／冷却処理装置２１において紫外線照射による乾式洗浄が施された後，所定温度に冷却される。次いで基板Ｇは，スクラバ洗浄装置２０に搬送され，スクラビング洗浄処理に付され，その後加熱処理装置２２，冷却処理装置２３に順次搬送されて各処理装置において所定の処理が施される。冷却処理の終了した基板Ｇは，洗浄プロセス部１０から基板受け渡し部１３を介して塗布プロセス部１１に搬送される。
【００３８】
塗布プロセス部１１に搬送された基板Ｇは，先ず主搬送装置５４によってアドヒージョン／冷却処理装置３２に搬送され，疎水化処理された後，冷却処理され，次いでレジスト塗布装置３０に搬送される。レジスト塗布装置３０でレジスト膜が形成された基板Ｇは，減圧乾燥装置３１に搬送され乾燥される。乾燥処理の終了した基板Ｇは，加熱／冷却処理装置３３に搬送され，プリベーキング処理が行われ，その後冷却される。
【００３９】
その後，基板Ｇは，主搬送装置５４及び主搬送装置５５によってインターフェイス部４のエクステンション部６０に搬送され，搬送装置６２によって図示しない露光装置に搬送される。露光処理の終了した基板Ｇは，インターフェイス部４を介して現像プロセス部１２に戻され，主搬送装置５５により加熱処理装置４２に搬送され，ポストエクスポージャーベーキング処理が行われる。ポストエクスポージャーベーキング処理が終了すると，現像処理装置４０に搬送され，現像され，続いて，加熱／冷却処理装置４１に搬送され，ポストベーキング処理が行われた後，冷却処理される。冷却処理が終了した基板Ｇは，主搬送装置５５，５４，５３によってカセットステーション２まで搬送され，基板搬送体７によってカセットＣに戻されて，一連のフォトリソグラフィ工程が終了する。
【００４０】
次に，上述した加熱処理装置４２における加熱処理について詳しく説明する。加熱処理装置４２のヒータ７２は，例えば塗布現像処理装置１の立ち上げ時から給電されており，このヒータ７２の発熱によって熱板７１は，基板Ｇの加熱温度，例えば２６０℃程度の高温度に維持されている。
【００４１】
加熱処理装置４２に基板Ｇが搬入される前は，ダンパ９２が開放されており，予め設定された排気圧で処理室Ｓ内の雰囲気が排気されている。この排気によって，加熱処理装置４２の周辺の気体が導入口８３から通気路８２，給気口８４を通じて処理室Ｓに流入する。こうして，加熱処理装置４２の周辺から，導入口８３→通気路８２→給気口８４→処理室Ｓ→排気口９０→排気管９１を通じ工場排気に流れる一連の気流が形成され，この気流によって処理室Ｓ内の雰囲気は，パージされている。
【００４２】
ところで，上記導入口８３から導入される加熱処理装置４２周辺の気体は，クリーンルーム内の常温雰囲気であり，加熱温度よりも遥かに低い低温気体である。この低温気体は，通気路８２を通過する際に内容器７０の側面部７０ｃ，上面部７０ｂに沿って流れるので，熱板７１からの放射熱によって内容器７０に伝わった熱を奪い，内容器７０は低温に維持される。この結果，加熱処理装置４２の外容器８０も低温に維持され，例えば過って作業員が加熱処理装置４２に触れても火傷することもないし，周辺装置の処理に熱的な影響を与えることもない。
【００４３】
また，加熱処理装置４２の周辺の低温気体は，内容器７０から熱を奪って，昇温された状態で処理室Ｓに供給される。それ故，気体が高温の処理室Ｓ内に入っても，流入気体と処理室Ｓ内の気体との温度差が比較的小さいので，激しい対流が生じることもなく，処理室Ｓ内の温度分布が一様に維持されている。
【００４４】
そして，加熱処理装置４２に基板Ｇが搬入される際には，例えばダンパ９２が閉鎖され，排気が一時的に停止される。その後，開閉駆動機構１０５により，開閉部材１０２，１０３が外側に開かれ，搬入出口１００，１０１が開放される。このとき，排気が停止されて通気路８２内に気流が形成されていないので，搬入出口１００，１０１から処理室Ｓに直接低温気体が流入して処理室Ｓの温度分布が乱れることを防止できる。
【００４５】
その後，基板Ｇを保持した主搬送装置５５が搬入出口１００，１０１から進入し，基板Ｇが熱板７１の上方で予め待機していた昇降ピン７５に受け渡される。基板Ｇを受け渡した主搬送装置５５は，直ちに加熱処理装置４２から退避し，主搬送装置５５が退避すると，開閉部材１０２，１０３により搬入出口１００，１０１が閉鎖される。搬入出口１００，１０１が閉鎖されると，ダンパ９２が開放され，排気が再開されて，通気路８２内に再び気流が形成される。基板Ｇを受け取った昇降ピン７５は下降し，基板Ｇが熱板７１上に載置されて，基板Ｇの加熱が開始される。このとき，処理室Ｓ内は，給気口８４からの給気と，排気口９０からの排気により換気されているので，加熱によって基板Ｇから生じた昇華物などの浮遊物は，基板Ｇに再付着することなく除去される。また，給気口８４から供給される気体は，上述したように通気路８２を通る際に処理室Ｓ内の温度に近づくように温められている。さらに当該気体は，拡散板８５によって処理室Ｓ内に均等に給気されるので，処理室Ｓ内の温度分布が乱れることなく，基板Ｇが基板面内において均等に加熱される。
【００４６】
基板Ｇが所定時間加熱されると，昇降ピン７５により上昇され，この時点で基板Ｇの加熱が終了する。その後，基板Ｇの搬入時と同様に，ダンパ９２により排気が中断され，搬入出口１００，１０１が開放される。続いて，主搬送装置５２が熱板７１上に進入し，基板Ｇが主搬送装置５２に受け渡され，加熱処理装置４２から搬出される。基板Ｇが搬出されると，搬入出口１００，１０１が閉鎖され，排気が再開される。こうして，一連の加熱処理が終了する。
【００４７】
以上の実施の形態によれば，加熱処理装置４２に内容器７０を囲む外容器８０を設け，内容器７０と外容器８０との間の通気路８２に加熱処理装置４２の周辺から取り入れた低温気体を流すようにしたので，熱板７１からの熱によって内容器７０が昇温することなく内容器７０の温度を低温に維持できる。この結果，加熱処理装置４２の外容器８０の温度が低温に維持される。したがって，例えば作業員が加熱処理装置４２の外容器８０に触れて火傷することを防止できる。また，加熱処理装置４２の外容器８０から熱が放熱され周辺装置の処理に悪影響を与えることを防止できる。
【００４８】
内容器７０と外容器８０との間を通過する低温気体は，内容器７０によって温められてから処理室Ｓ内に供給されるので，加熱処理装置４２の周辺の低温気体をそのまま処理室Ｓ内に供給していた従来に比べて，供給気体と処理室Ｓ内の温度差が小さくなり，処理室Ｓ内の温度分布の乱れが抑制される。この結果，処理室Ｓ内に激しい対流が発生することなく基板Ｇの面内温度も均一に維持されるので，基板Ｇを均等に加熱できる。熱板７１から内容器７０に伝わった熱が，外部に放射されず供給気体の熱として利用されるので，加熱処理装置４２全体の熱効率が向上し，例えばヒータ７２の電気消費量を低減できる。
【００４９】
さらに，加熱処理装置４２には，拡散板８５が設けられ，拡散板８５には，中央部から放射状に形成された誘導板８７と，同一円周上に形成された貫通孔８８を備えたたので，給気口８４から供給される気体は，処理室Ｓの下方向と側方向に均等に供給される。こうすることによっても，処理室Ｓ内の温度分布は均等に維持され，基板Ｇが均等に加熱される。
【００５０】
加熱処理装置４２に，搬入出口１００，１０１と開閉板１０２，１０３を設けたので，加熱処理装置４２を内容器７０と外容器８０で二重に覆っても，基板Ｇの搬入出を好適に行うことができる。また，基板Ｇの搬入出時には，排気を停止したので，搬入出口１００，１０１から処理室Ｓ内に低温の外気が流入することを防止できる。
【００５１】
前記実施の形態では，外容器８０が内容器７０の下面部７０ａの外周部のみを覆っていたが，図８に示すように外容器８０の下面部８０ａが内容器７０の下面部７０ａのほぼ全面を覆い，例えば下面部８０ａの中央部に導入口１１０が開口していてもよい。かかる場合，導入気体が内容器７０の全面に渡って流れるので，内容器７０の全面を冷却することができる。
【００５２】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば本実施の形態では，本発明を加熱処理装置４２に適用していたが，本発明は，加熱処理装置２２，加熱／冷却処理装置３３，４１及び冷却処理装置２３等の他の熱処理装置にも適用できる。さらに，本発明に適用される基板は，ＬＣＤ基板に限られず，半導体ウェハ，フォトマスク用のガラス基板等の他の基板であってもよい。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば，熱処理装置の容器が熱くならないので，作業員の火傷が防止され作業員の安全性が確保される。熱処理板の熱が外部に放射されることなく，再利用されるので，熱効率が向上し，それによって電力消費量などが低減できる。熱処理装置内の温度分布が乱れないので，基板が適正な温度で加熱され，歩留まりの向上も図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる加熱処理装置が搭載された塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】加熱処理装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図３】加熱処理装置の横断面の説明図である。
【図４】加熱処理装置の下面図である。
【図５】拡散板の斜視図である。
【図６】加熱処理装置の縦断面の説明図である。
【図７】開閉駆動機構の構成の概略を示す説明図である。
【図８】内容器の下面部が外容器によって覆われている場合の加熱処理装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理装置
４２ 加熱処理装置
７０ 内容器
７０ａ 上面部
７１ 熱板
８０ 外容器
８２ 通気路
８３ 導入口
８４ 給気口
８５ 拡散板
１０２，１０３ 開閉部材
Ｇ 基板

Claims (11)

1. 処理室内に設けられた熱処理板に基板を載置して，基板を熱処理する熱処理装置であって，
   熱処理板の周囲を全面に渡って囲み，前記処理室を形成する内容器と，
   前記内容器の外側面に沿って前記内容器を囲む外容器と，を備え，
   前記外容器と内容器との間には，気体が通気する通気路が形成され，
   前記外容器には，気体を前記通気路内に導入する導入口が形成され，
   前記内容器には，前記通気路を通過した気体を前記処理室内に供給する給気口が形成されていることを特徴とする，熱処理装置。
2. 前記外容器は，前記内容器の全面を囲むように上面部，側面部及び下面部を備え，
   前記導入口は，前記外容器の下面部の中央に形成され，
   前記給気口は，内容器の上面中央部に形成されていることを特徴とする，請求項１に記載の熱処理装置。
3. 前記外容器の下面部は，内容器の下面周辺部のみを囲んで，当該外容器の下面部に開口する前記導入口が形成されていることを特徴とする，請求項２に記載の熱処理装置。
4. 前記処理室内を排気する排気機構をさらに備え，
   前記排気機構は，内容器の上面部に形成された排気口と，当該排気口から前記外容器を貫通して，当該外容器の外部に通じる排気管を有し，
   前記排気口は，前記給気口を挟んだ両側であって，前記給気口との距離が等しくなる位置に形成されていることを特徴とする，請求項２又は３のいずれかに記載の熱処理装置。
5. 前記給気口から供給される気体を拡散させるための拡散板を備えたことを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の熱処理装置。
6. 前記拡散板は，前記処理室内であって前記給気口に対向する位置に設けられ，
   前記拡散板は，当該拡散板を貫通する通気孔と，前記拡散板の外側方向に気体を誘導するための誘導板とを備えたことを特徴とする，請求項５に記載の熱処理装置。
7. 前記誘導板は，複数備えられ，
   前記複数の誘導板は，前記拡散板の中心部から外側方向に向けて放射状に形成されていることを特徴とする，請求項６に記載の熱処理装置。
8. 前記通気孔は，複数形成され，
   前記通気孔は，前記拡散板の中心を軸とした同一円周上に形成されていることを特徴とする，請求項６又は７のいずれかに記載の熱処理装置。
9. 前記内容器と外容器には，前記処理室に対して基板を搬入出するための搬入出口が互いに対向する位置に各々形成されており，
   前記各搬入出口には，各搬入出口を開閉する開閉部材が設けられていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の熱処理装置。
10. 前記各搬入出口の双方の開閉部材は，一体化されており，
    前記一体化された開閉部材を前記搬入出口に対して進退移動させて，前記搬入出口を開閉する開閉駆動機構をさらに備えたことを特徴とする，請求項９に記載の熱処理装置。
11. 前記導入口からは，この熱処理装置の周辺気体が導入されることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９又は１０のいずれかに記載の熱処理装置。

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