JP4472647B2 - 加熱処理装置、加熱処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents
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図1は、本発明の一実施形態に係る加熱処理装置が搭載された、FPD用のガラス基板(以下、単に「基板」と記す)へのレジスト膜の形成および露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図である。
図2は加熱処理ユニット(HT)30(加熱処理装置)の平面図であり、図3はその側面方向の断面図である。
5…ケーシング(収容容器)
6…保持機構
7…流体供給機構
8…流体排出機構
61…支持部
62…押さえ付け部
65、66…貫通路
67…連通流量調整機構
68…浄化機構
71…流体供給源
85…排出流量調整機構
104…ユニットコントローラ(制御本部)
105…変位計(撓み計測部)
G…基板
Claims (14)
- 基板を加熱処理する加熱処理装置であって、
基板を収容する収容容器と、
前記収容容器内で基板の縁部を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持された基板に下方から加熱流体を供給して基板を加熱する流体供給機構と、
前記流体供給機構によって供給された加熱流体を基板の上方から前記収容容器外に排出する流体排出機構と
を具備し、
前記流体供給機構による加熱流体の供給量および/または前記流体排出機構による加熱流体の排出量を調整することにより、基板の上方部分の圧力と下方部分の圧力とを、基板の撓みが許容範囲になるように調整して加熱することを特徴とする加熱処理装置。 - 前記流体供給機構による加熱流体の供給および/または前記流体排出機構による加熱流体の排出を制御して、基板の上方部分の圧力と下方部分の圧力とを、基板の撓みが許容範囲になるように調整する制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の加熱処理装置。
- 前記制御機構は、
前記保持機構に保持された基板の撓み量を計測する撓み計測部と、
前記撓み計測部により計測された撓み量が許容範囲になるように前記流体供給機構による加熱流体の供給および/または前記流体排出機構による加熱流体の排出を制御する制御本部と
を有することを特徴とする請求項2に記載の加熱処理装置。 - 前記制御機構は、所定の温度よりも高い第1の温度に設定された加熱流体を供給して基板を前記所定の温度近傍まで加熱した後、前記第1の温度よりも低い第2の温度に設定された加熱流体を供給して基板を前記所定の温度に加熱するように、前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の加熱処理装置。
- 前記保持機構は、基板の縁部の下端または下面に全周にわたって当接して基板を支持可能な枠状の支持部を有し、
前記流体供給機構は、前記支持部内に加熱流体を供給することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の加熱処理装置。 - 前記保持機構は、基板の縁部の上端または上面に全周にわたって当接して基板を押さえ付け可能な枠状の押さえ付け部をさらに有し、前記支持部と前記押さえ付け部とで基板の縁部を挟むように保持することを特徴とする請求項5に記載の加熱処理装置。
- 前記保持機構は、基板を保持した際に、前記押さえ付け部と前記支持部とが当接し、
前記支持部および前記押さえ付け部の壁部には、前記支持部内と前記押さえ付け部内とを連通する連通路が設けられており、
前記流体供給機構によって前記支持部内に供給された加熱流体が、前記連通路を通って前記押さえ付け部内に流入し、前記押さえ付け部内に流入した加熱流体が、前記流体排出機構によって前記収容容器外に排出されるように構成されていることを特徴とする請求項6に記載の加熱処理装置。 - 前記連通路には加熱流体を浄化する浄化機構が設けられていることを特徴とする請求項7に記載の加熱処理装置。
- 前記連通路は加熱流体の流量調整可能であることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の加熱処理装置。
- 基板は表面に塗布膜を有しており、基板を加熱することにより塗布膜を乾燥させることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
- 基板を加熱処理する加熱処理方法であって、
収容容器内に基板を収容する工程と、
前記収容容器内で基板の縁部を保持する工程と、
保持した基板に下方から加熱流体を供給しつつ、供給した加熱流体を上方から前記収容容器外に排出して基板を加熱する工程と
を具備し、
前記加熱工程では、加熱流体の供給量および/または排出量を調整することにより、基板の上方部分の圧力と下方部分の圧力とを、基板の撓みが許容範囲になるように調整して加熱することを特徴とする加熱処理方法。 - 前記加熱工程では、保持した基板の撓み量を計測しつつ、計測された撓み量が許容範囲になるように加熱流体の供給量および/または排出量を調整することを特徴とする請求項11に記載の加熱処理方法。
- 前記加熱工程では、所定の温度よりも高い第1の温度に設定された加熱流体を供給して基板を前記所定の温度近傍まで加熱した後、前記第1の温度よりも低い第2の温度に設定された加熱流体を供給して基板を前記所定の温度に加熱することを特徴とする請求項11または請求項12に記載の加熱処理方法。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の加熱処理方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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JP2006036894A JP4472647B2 (ja) | 2006-02-14 | 2006-02-14 | 加熱処理装置、加熱処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
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