JP2005270932A - 塗布膜形成装置 - Google Patents

塗布膜形成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005270932A
JP2005270932A JP2004092302A JP2004092302A JP2005270932A JP 2005270932 A JP2005270932 A JP 2005270932A JP 2004092302 A JP2004092302 A JP 2004092302A JP 2004092302 A JP2004092302 A JP 2004092302A JP 2005270932 A JP2005270932 A JP 2005270932A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing liquid
processed
film forming
forming apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004092302A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyohisa Tateyama
清久 立山
Kimio Motoda
公男 元田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2004092302A priority Critical patent/JP2005270932A/ja
Publication of JP2005270932A publication Critical patent/JP2005270932A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】 クリーンルーム内において被処理基板に処理液を成膜する際に、基板搬送およびダウンフローに起因する膜厚のむらの発生を抑制し、被処理基板に処理液を均一に成膜できる塗布膜形成装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板(基板G)の表面に処理液(レジスト液R)を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置21において、被処理基板を載置するステージ70と、前記ステージ70に設けられた被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段(レジスト塗布処理部22)と、前記処理液塗布手段と同一ステージに設けられ、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段(減圧乾燥処理部23、24)とを備え、前記処理液塗布手段による塗布処理と、前記減圧乾燥手段による乾燥処理とが、同一のステージ上で行われる。
【選択図】 図3

Description

本発明は、被処理基板に処理液を塗布し、乾燥させることにより、均一な膜を形成する塗布膜形成装置に関する。
例えばLCDの製造においては、被処理基板であるLCD基板に所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により回路パターンを形成している。このフォトリソグラフィ技術では、被処理基板であるLCD基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン(疎水化)処理→レジスト膜形成→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる塗布現像処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。
このような処理システムにおいて、LCD基板にレジスト膜を形成する工程は、基板にレジスト液を塗布する工程と、基板上のレジスト液を乾燥させる工程とに分けられる。このうち、基板上にレジスト液を塗布する方法として、レジスト液を帯状に塗布するレジスト供給ノズルとLCD基板とを、ノズル吐出口の長手方向と直交する方向に相対的に移動させて塗布する方法がある。この場合、レジスト供給ノズルには、基板の幅方向に延びる微小隙間を有するスリット状吐出口が設けられ、このスリット状吐出口から帯状に吐出されるレジスト液を基板の表面全体に供給することによりレジスト膜を塗布する。
この方法によれば、基板一辺から他辺にわたってレジスト液を帯状に吐出(供給)するため、レジスト液を無駄にすることなく、角型の基板の全面に平均してレジスト膜を形成することができる。なお、このような塗布方法を採用したレジスト塗布ユニットについては特許文献1(特開平10−156255号公報)に開示されている。
また、基板上に塗布されたレジスト液を乾燥する方法として、熱を与えずに減圧乾燥する方法がある。この場合、レジスト液が塗布されたLCD基板はチャンバ内の処理空間に密閉され、チャンバ内は真空ポンプにより所定の真空度にまで減圧される。
この方法によれば、レジスト液が塗布された基板に対し、加熱によらないで乾燥が施される。すなわち、この減圧乾燥にあっては、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱乾燥する場合のような急激な乾燥が生じないため、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を行うことができる。なお、このような方法を採用した減圧乾燥ユニットについては、特許文献2(特開2002−346458号公報)に開示されている。
特開平10−156255号公報(第3頁右欄第5行乃至第4頁左欄第6行、第1図) 特開2002−346458号公報(第8頁左欄第40行乃至右欄第37行、第4図)
ところで、レジスト膜を基板上に形成する従来の塗布膜形成装置にあっては、前記したようなレジスト塗布ユニットと減圧乾燥ユニットとが、処理順に従い並列に配置されている。すなわち、先ずレジスト塗布ユニットにより基板上にレジスト液を塗布し、その後、基板を搬送アーム等により減圧乾燥ユニットに搬送し、減圧乾燥処理を行うようになされている。
しかしながら、レジスト塗布処理後に基板を搬送アームによって減圧乾燥ユニットに搬送する場合、基板上のレジスト液が乾燥していないために、搬送による振動等によりレジスト液が流動し、その結果、膜厚にむらが生じるという技術的課題があった。
また、前記の処理システムにおいては、基板表面に塵埃が付着すると、処理に悪影響を及ぼし歩留まりが低下するため、通常、各処理ユニットはクリーンルーム内に配置される。このクリーンルームは、空気中の浮遊塵を除去し、定められた数値に制御する機能を有している。そのためルーム内には、塵埃をフィルタリングして除去すると共にクリーンエアを吹き出す空気循環換気機構が設けられている。なお、この空気循環換気機構における空気循環方式の一つに、天井から床面に向かってクリーンエアを吹き出すダウンフロー方式(垂直層流型)がある。その場合、ルーム内は天井から床方向に向けて空気の流路(以下、ダウンフローと称す)が形成された状態になされる。
前記したような従来の塗布膜形成装置にあっては、クリーンルーム内にレジスト塗布ユニットと減圧乾燥ユニットとが並べて配置されているため、レジスト塗布ユニットから減圧乾燥ユニットへの搬送途中において、前記ダウンフローのエアが基板表面に当たる虞があった。すなわち、その場合、基板上に塗布された乾燥前のレジストにダウンフローのエアが当たることによってレジスト液が流動し、膜厚にむらが生じるという技術的課題があった。
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、クリーンルーム内において被処理基板に処理液を成膜する際に、基板搬送およびダウンフローに起因する膜厚のむらの発生を抑制し、被処理基板に処理液を均一に成膜できる塗布膜形成装置を提供することを目的とする。
前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成装置は、被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、被処理基板を載置するステージと、前記ステージに設けられた被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段と同一ステージに設けられ、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、前記処理液塗布手段による塗布処理と、前記減圧乾燥手段による乾燥処理とが、同一のステージ上で行われることに特徴を有する。
このように、被処理基板に対する処理液の塗布処理および減圧乾燥処理を同一のステージ上で行うことにより、それぞれの処理において基板を異なるステージに載置していた従来の構成に比べ、フットプリントを縮小することができる。
また、処理液の塗布処理と減圧乾燥処理とを同一のステージで行うため、基板の搬送工程を省略でき、基板搬送に伴う処理液の流動等による膜厚のむらの発生を抑制することができる。また、塗布処理から乾燥処理に移行するまでの時間を短縮することができる。
また、前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、前記上部チャンバは、被処理基板を覆うように前記ステージの上方に、昇降自在に配置されていることが望ましい。
このように構成することにより、クリーンルーム内においては、ダウンフローのエアは、上部チャンバの上面に吹き付けられ、基板にダウンフローのエアが直接当たらないため、基板のダウンフローのエアの影響を極力小さいものとすることができる。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上の処理液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
また、前記ステージが複数設けられ、各ステージに被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とが設けられていることが望ましい。
このように、複数のステージにおいて、それぞれ塗布処理および減圧乾燥処理を行うため、基板処理のスループットを向上させることができる。
なお、前記処理液塗布手段にはノズルを含むことが好ましい。また、前記ステージ間に、前記処理液塗布手段のノズルの先端に付着した処理液を均一化するプライミング手段が設けられていることが望ましい。
このプライミング手段は、例えば、回転自在に設けられたプライミングローラと、このプライミングローラを洗浄するためシンナーに浸漬する容器とで構成される。このようにプライミング手段を設けることによって、基板への塗布処理前に、ノズル先端に付着した処理液を均一化することができる。
また、複数のステージに対して前記プライミング手段を共有することによって、コストを低減することができる。
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成装置は、被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、被処理基板を一方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送される被処理基板に対して固定配置され、搬送される被処理基板の一端から他端にわたり処理液を塗布するノズルと、前記ノズルの後方に隣接して設けられ、前記ノズルによって被処理基板上に塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、前記減圧乾燥手段による乾燥処理が行われることに特徴を有する。
このように、被処理基板への処理液の塗布終了位置において、被処理基板に対し減圧乾燥処理が行なわれる。したがって、従来のように塗布処理装置と減圧乾燥処理装置とを並べて配置し、装置間における基板の搬送を搬送アーム等により行っていた構成に比べ、基板処理のスループットを向上させることができる。
また、従来の搬送アーム等によって行われていた場合に比べて、ダウンフローのエアに当たる時間が少なく、膜厚のむらを抑制できる。同様に、処理液塗布後の基板搬送距離も従来に比べ少ないため、基板搬送による膜厚のむらも抑制することができる。
また、前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、被処理基板を覆うように、その上方に、前記上部チャンバが昇降自在に配置されていることが望ましい。
このように構成することにより、クリーンルーム内においては、ダウンフローのエアは、上部チャンバの上面に吹き付けられ、被処理基板に直接当たらない。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上の処理液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
本発明によれば、クリーンルーム内において被処理基板に処理液を成膜する際に、基板搬送およびダウンフローに起因する膜厚のむらの発生を抑制し、被処理基板に処理液の膜を均一に成膜できる塗布膜形成装置を提供することができる。
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。先ず、本発明に係る塗布膜形成装置の第一の実施形態について説明する。図1は、本発明に係る塗布膜形成装置を備える塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。この塗布現像処理装置100は、図示するように、LCD基板を搬入・搬出するローダ部10と、LCD基板の第1処理部11と、中継部13を介して第1処理部11に連設される第2処理部12とで主に構成されている。なお、第2処理部12には受渡部14を介してレジスト膜の所定の微細なパターンを露光するための露光装置15が連設可能になっている。
前記のように構成される塗布現像処理装置100において、ローダ部10のカセット載置台18には複数(図では2つ)のカセット30が載置されている。そしてカセット30内に収容された未処理のLCD基板G(以下、基板Gと呼ぶ)は、ローダ部10の搬出入ピンセット16によって取り出された後、第1処理部11の搬送路40aを移動する水平(X,Y)、垂直(Z)移動及び回転(θ)可能なメインアーム41aに受け渡され、そして、ブラシ洗浄装置17内に搬送される。
ブラシ洗浄装置17内でブラシ洗浄された基板Gは引き続いてジェット水洗浄装置18内にて高圧ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アドヒージョン処理装置19にて疎水化処理が施され、冷却処理装置20にて冷却された後、この発明に係る塗布膜形成装置21にて、レジスト液が塗布され、減圧乾燥処理が施される。
塗布膜形成装置21においてレジスト膜が形成された基板Gは、中継部13を介して加熱処理装置25に搬送され、そこで基板G上のレジスト膜に対して、加熱によるベーキング処理が施される。次いで基板Gは、第2処理部12の搬送路40bを移動するメインアーム41bによって受渡し台26に搬送され、受渡し台26から搬送用ピンセット27によって露光装置15に搬送され、露光装置15にて所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板Gは現像装置28内へ搬送され、現像液により現像された後、リンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。
次いで基板Gは、加熱処理装置25に搬送され、そこで基板G上のレジスト膜に対して、加熱によるベーキング処理が施される。
そして、ベーキング処理された処理済みの基板Gはローダ部10のカセット31内に収容された後に、搬出されて次の処理工程に向けて移送される。
続いて、塗布膜形成装置21について図2および図3に基づき詳細に説明する。図2は、塗布膜形成装置21の平面図である。図3は、図2の塗布膜形成装置の側面図である。
図示するように、この塗布膜形成装置21は、支持台60の上に配置されたレジスト塗布処理部(処理液塗布手段)22と、レジスト塗布処理部22の前後にそれぞれ配置された減圧乾燥処理部(減圧乾燥手段)23、24とで構成される。
減圧乾燥処理部23、24のそれぞれは、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ66と、この下部チャンバ66の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ67とを有している。下部チャンバ66は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して吸着保持するためのステージ70が配置されている。前記上部チャンバ67は、それぞれ上部チャンバ移動手段68、69により前記ステージ70の上方に昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ67が下降して下部チャンバ66と密着し、ステージ70上に載置された基板Gを処理空間に収容した状態とされる。
また、前記下部チャンバ66の底面の二箇所には排気口72が設けられており、各排気口72に接続された排気管73は真空ポンプ74に通じている。そして、下部チャンバ66に前記上部チャンバ67を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ74により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
一方、レジスト塗布処理部22では、図3に示すようにノズル51と、このノズル51の移動を制御するノズル移動手段55とを備える。さらに待機時においてノズル51の先端に付着したレジスト液を均一化する(以下、プライミング処理と呼ぶ)ための回転自在なプライミングローラ52と、このプライミングローラ52を洗浄するためシンナーに浸漬する容器53と、ノズル51の先端部の乾燥を抑制する保湿部54とを備える。
なお、基板への塗布処理前のプライミング処理においては、図4に示すようにプライミングローラ52の周面にノズル51の先端が近接して配置される。そして、吐出口からレジスト液Rを吐出する一方で、プライミングローラ52を回転させ、ノズル51先端に付着したレジスト液Rの均一化処理が行われる。
続いて、このように構成された塗布膜形成装置21による基板Gへのレジスト膜形成処理について説明する。先ず、基板Gが、塗布膜形成装置21の有する2つのステージ70のうち、いずれかに搬入され吸着保持されると、ノズル移動手段55によりノズル51が基板Gの上方に移動される。そして、例えば図3の減圧乾燥処理部23側において示すようにノズル51からレジスト液Rが吐出され、基板Gの一辺から他辺に向かってレジスト液Rが塗布される。なお、この基板Gへのレジスト液Rの塗布が終了すると、ノズル51はプライミングローラ52上に移動し、プライミング処理が行われる。
一方、レジスト液Rが塗布された基板Gは、ステージ70に載置された状態で、その上方から上部チャンバ移動手段68により下降移動する上部チャンバ67によって覆われる。そして基板Gは、図5の断面図に示すように上部チャンバ67と下部チャンバ66とが密着することにより形成された処理空間S内に収容される。
さらに、この状態から真空ポンプ74が作動し、排気口72から排気管73を介して処理空間S内の空気が吸引され、処理空間Sの気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。これにより、基板Gに成膜されたレジスト液Rは加熱によらず減圧乾燥が施される。前記の減圧乾燥処理が終了すると、上部チャンバ移動手段68により上部チャンバ67が上昇移動し、基板Gはメインアーム41aに受け渡され、次の処理工程に向け搬送される。
なお、この塗布膜形成装置21は、前記したように2つのステージ70を具備しているため、一方のステージ70で基板Gへの塗布処理を行う間、他方のステージ70で基板Gへの減圧乾燥処理を行うよう動作制御がなされる。このように構成され、制御がなされることにより、塗布膜形成装置21における処理のスループットが向上する。
以上説明した第一の実施形態によれば、塗布膜形成装置21においては、基板Gが搬入された後、基板Gに対するレジスト液Rの塗布処理及び減圧乾燥処理は、ステージ70上で行われる。したがって、それぞれの処理において基板Gを異なるステージに載置していた従来の構成に比べ、フットプリントを縮小することができる。
また、レジスト液Rの塗布処理と減圧乾燥処理とを同一のステージで行うため、夫々の処理間での基板の搬送工程を省略でき、基板搬送に伴うレジスト液Rの流動等による膜厚のむらの発生を抑制することができる。また、塗布処理から乾燥処理に移行するまでの時間を短縮することができる。
また、前記実施の形態によれば、レジスト液の塗布処理の間、上部チャンバ67は基板Gの上方に配置され、減圧乾燥処理時には前記上部チャンバ67が基板Gを覆うように下降移動する。このため、クリーンルーム内においては、ダウンフローのエアは、上部チャンバ67の上面に吹き付けられ、基板Gにダウンフローのエアが直接当たらないため、基板Gのダウンフローのエアの影響を極力小さなものとすることができる。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上のレジスト液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
なお、前記実施の形態では、2つの基板処理部23、24を備える構成を示したが、図6に示すように、1つの基板処理部を備える構成としてもよい。
続いて、本発明に係る塗布膜形成装置の第二の実施形態について説明する。この第二の実施の形態においては、塗布膜形成装置21の構成のみが前記第一の実施の形態と異なるため、以下においては適宜図1の符号を用いて説明する。
図7は、第二の実施の形態における塗布膜形成装置21の平面図、図8は図7の塗布膜形成装置の側面図である。図7、図8に示すように、この塗布膜形成装置21においては、支持台80の上に、ノズル84を有するレジスト塗布処理部95と、減圧乾燥処理部(減圧乾燥手段)96とが処理工程の順序に従い横一列に配置されている。支持台80の両側には一対のガイドレール81が敷設され、このガイドレール81に沿って平行移動する一組の搬送アーム(搬送手段)82により、基板Gがレジスト塗布処理部95から減圧乾燥処理部96へ搬送できるようになされている。
前記レジスト塗布処理部95は、前記したようにノズル84を有し、このノズル84は支持台80上に固定されたゲート83から懸垂状態で固定されている。このノズル84にはレジスト液供給手段(図示せず)からレジスト液が供給され、搬送アーム82によってゲート83の下を通過移動する基板Gの一端から他端にわたりレジスト液Rを塗布するようになされている。
また、減圧乾燥処理部96は、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ85と、この下部チャンバ85の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ86とを有している。下部チャンバ85は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して吸着保持するためのステージ88が配置されている。前記上部チャンバ86は、上部チャンバ移動手段87によって前記ステージ88の上方に昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ86が下降して下部チャンバ85と密着し、ステージ88上に載置された基板Gを処理空間に収容した状態とされる。
また、前記下部チャンバ85の底面の二箇所には排気口89が設けられており、各排気口89に接続された排気管90は真空ポンプ91に通じている。そして、下部チャンバ85に前記上部チャンバ86を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ91により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
このように構成された塗布膜形成装置21においては、基板Gが搬入され搬送アーム82上に載置されると、搬送アーム82はレール81上を移動し、レジスト塗布処理部95のゲート83下を通過移動する。その際、ゲート83に固定されたノズル84からは、その下を移動する基板Gに対しレジスト液が吐出され、基板Gの一辺から他辺に向かってレジスト液Rが塗布される。なお、レジスト液が基板Gの全面にわたり塗布された時点(塗布終了位置)では、基板Gは減圧乾燥処理部96の上部チャンバ86の下に位置し、基板G全体が上部チャンバ86により覆われた状態となる。
次いで、基板Gは減圧乾燥処理部96のステージ88に載置され、その上方から上部チャンバ移動手段87により下降移動する上部チャンバ86によって覆われる。そして基板Gは、上部チャンバ86と下部チャンバ85とが密着することにより形成された処理空間内に収容される。
さらに、この状態から真空ポンプ91が作動し、排気口89から排気管90を介して処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。これにより、基板Gに成膜されたレジスト液Rは加熱に依らず減圧乾燥が施される。前記の減圧乾燥処理が終了すると、上部チャンバ移動手段87により上部チャンバ86が上昇移動し、基板Gはメインアーム41aに受け渡され、次の処理工程に向け搬送される
以上説明した第二の実施形態によれば、塗布膜形成装置21においては、基板Gへのレジスト液の塗布処理が終了した時点(塗布終了位置)で、基板Gは減圧乾燥処理部96の上部チャンバ86によって覆われた状態になされる。したがって、レジスト塗布処理装置と減圧乾燥処理装置とを並べて配置し、装置間における基板の搬送を搬送アーム等により行っていた従来の構成に比べ、塗布膜形成装置における基板処理のスループットを向上することができる。
また、レジスト液の塗布処理が終了した時点で、ダウンフローのエアは、上部チャンバ86に吹き付けられ、基板Gに対してダウンフローのエアが直接当たらないため、基板Gのダウンフローのエアの影響を極力小さいものとすることができる。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上のレジスト液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
なお、前記した第一および第二の実施の形態においては、LCD基板にレジスト膜を塗布形成する場合を例としたが、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、例えば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の液体も可能である。また、本発明における被処理基板は、LCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。また、レジスト液を基板の一端から他端にわたって処理液を塗布する場合について説明したが、これに限らず処理液を被処理基板上に供給する任意の塗布膜形成装置に適用可能である。
本発明は、LCD基板や半導体ウエハ等に処理液を成膜する塗布膜形成装置に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
図1は、本発明に係る塗布膜形成装置を備える塗布現像処理装置の全体構成を示す斜視図である。 図2は、図1の塗布現像処理装置が備える塗布膜形成装置の第一の実施の形態を示す平面図である。 図3は、図2の塗布膜形成装置の側面図である。 図4は、図2の塗布膜形成装置におけるプライミング処理を説明するための一部拡大図である。 図5は、図2の塗布膜形成装置が有する減圧乾燥処理部の断面図である。 図6は、図1の塗布現像処理装置が備える塗布膜形成装置の別の形態を示す側面図である。 図7は、図1の塗布現像処理装置が備える塗布膜形成装置の第二の実施の形態を示す平面図である。 図8は、図7の塗布膜形成装置の側面図である。
符号の説明
21 塗布膜形成装置
22 レジスト塗布処理部(処理液塗布手段)
23 減圧乾燥処理部(減圧乾燥手段)
24 減圧乾燥処理部(減圧乾燥手段)
66 下部チャンバ
67 上部チャンバ
70 ステージ
82 搬送アーム(搬送手段)
84 ノズル
85 下部チャンバ
86 上部チャンバ
96 減圧乾燥処理部(減圧乾燥手段)
R レジスト液(処理液)
G LCD基板(被処理基板)

Claims (7)

  1. 被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、
    被処理基板を載置するステージと、前記ステージに設けられた被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段と同一ステージに設けられ、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、
    前記処理液塗布手段による塗布処理と、前記減圧乾燥手段による乾燥処理とが、同一のステージ上で行われることを特徴とする塗布膜形成装置。
  2. 前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、
    前記上部チャンバは、被処理基板を覆うように前記ステージの上方に、昇降自在に配置されていることを特徴とする請求項1に記載された塗布膜形成装置。
  3. 前記ステージが複数設けられ、各ステージに被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とが設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された塗布膜形成装置。
  4. 前記処理液塗布手段には、ノズルを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された塗布膜形成装置。
  5. 前記ステージ間に、前記処理液塗布手段のノズルの先端に付着した処理液を均一化するプライミング手段が設けられていることを特徴とする請求項4に記載された塗布膜形成装置。
  6. 被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、
    被処理基板を一方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送される被処理基板に対して固定配置され、搬送される被処理基板の一端から他端にわたり処理液を塗布するノズルと、前記ノズルの後方に隣接して設けられ、前記ノズルによって被処理基板上に塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、
    前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、前記減圧乾燥手段による乾燥処理が行われることを特徴とする塗布膜形成装置。
  7. 前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、
    前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、被処理基板を覆うように、その上方に、前記上部チャンバが昇降自在に配置されていることを特徴とする請求項6に記載された塗布膜形成装置。
JP2004092302A 2004-03-26 2004-03-26 塗布膜形成装置 Pending JP2005270932A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004092302A JP2005270932A (ja) 2004-03-26 2004-03-26 塗布膜形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004092302A JP2005270932A (ja) 2004-03-26 2004-03-26 塗布膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005270932A true JP2005270932A (ja) 2005-10-06

Family

ID=35171133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004092302A Pending JP2005270932A (ja) 2004-03-26 2004-03-26 塗布膜形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005270932A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007237124A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 吐出検査装置、液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2007287914A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009212295A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Tokyo Electron Ltd 薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法
KR20120069576A (ko) * 2010-12-20 2012-06-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 장치 및 도포 처리 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007237124A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 吐出検査装置、液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2007287914A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009212295A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Tokyo Electron Ltd 薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法
KR20120069576A (ko) * 2010-12-20 2012-06-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 장치 및 도포 처리 방법
KR101722788B1 (ko) 2010-12-20 2017-04-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 장치 및 도포 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4272230B2 (ja) 減圧乾燥装置
KR20080080925A (ko) 기판 처리 장치
JP2009038231A (ja) 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置
KR101069494B1 (ko) 도포막형성장치
JP2007173368A (ja) 塗布処理装置及び塗布処理方法
JP5503057B2 (ja) 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
KR101076152B1 (ko) 도포노즐 및 도포장치
JP2007046859A (ja) 減圧乾燥装置
JP2008160011A (ja) 基板処理装置
KR101558596B1 (ko) 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법
JP2005340846A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2011114055A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び減圧乾燥装置
KR101568050B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101300892B1 (ko) 기판의 처리 방법 및 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체
JP4620536B2 (ja) 基板処理装置
JP2008158277A (ja) 基板処理方法及びレジスト表面処理装置
KR20190120516A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2007173365A (ja) 塗布乾燥処理システム及び塗布乾燥処理方法
JP2005270932A (ja) 塗布膜形成装置
KR20110066864A (ko) 기판처리장치, 기판처리방법 및 이 기판처리방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록매체
JP2002329661A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP3966884B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2008166820A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP4539938B2 (ja) 塗布装置
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060118

A977 Report on retrieval

Effective date: 20080904

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080908

A02 Decision of refusal

Effective date: 20090108

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02