JP4620536B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、フォトリソグラフィにおいてレジストの密着性を強化するために被処理基板にアドヒージョン処理を施す基板処理装置に関する。

ＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）製造や半導体デバイス製造のフォトリソグラフィでは、被処理基板（ガラス基板、半導体ウエハ等）に対するレジスト膜の密着性を良くするために、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）により基板の被処理面を疎水化するアドヒージョン処理技術が用いられている。通常、アドヒージョン処理は、基板を洗浄した後にレジスト塗布に先立って行われる。

従来のアドヒージョン処理装置は、たとえば特許文献１に示されるように、いわゆるホットプレートオーブンの構成を採っており、熱板の上に基板を載置して、上から蓋を被せてチャンバを形成し、チャンバ内に蒸気状のＨＭＤＳを引き込んで基板の表面にＨＭＤＳを塗布するようにしている。この種の処理装置は、外部の搬送ロボットと基板の受け渡しを行うために熱板の貫通孔から複数本のリフトピンを出没させて基板を上げ下げするリフトピン機構や、蓋を熱板の上に被せたり上方へ開けたりする蓋開閉機構を備えている。あるいは、上蓋を固定して一側壁に基板の搬入出口を設けるタイプのものは、該基板搬入出口を開閉するためのゲート機構を備えている。
特開平１０−１３５３０７（図６およびその説明文）

しかしながら、従来のアドヒージョン処理装置においては、基板の搬入出に費やす時間が多く、スループットが低いという問題がある。すなわち、枚葉方式で１回のアドヒージョン処理を終えると、蓋開閉機構またはゲート機構が蓋またはゲートを開放する一方で、リフトピン機構がリフトピンを上昇させて基板を熱板の上方へ持ち上げる。直後に、外部の搬送ロボットが、当該処理済みの基板をリフトピンから受け取って、代わりに新規の未処理基板をリフトピンに渡す。この新規の基板がリフトピンに載った直後にリフトピン機構がリフトピンを降ろして基板を熱板の上に移載し、搬送ロボットが退避した後に蓋開閉機構またはゲート機構が蓋またはゲートを閉める。この一連の基板搬出／搬入動作に相当（たとえば数十秒程度）の時間を要している。さらに、蓋またはゲートを開けた際にチャンバ内の雰囲気が変わるとともに熱板の温度が下がり、蓋またはゲートを閉めてからチャンバ内の雰囲気や熱板の温度が基準状態または基準値まで回復するのにも相当（たとえば１０秒程度）の時間がかかる。したがって、装置一台のタクトタイムがたとえば６０秒であるとすると、その約半分（３０秒前後）を上記のような基板搬入出や雰囲気等の回復に費やしているのが現状である。このため、システム全体のタクトタイムが装置一台のタクトタイムよりも短い場合は、複数台のアドヒージョン処理装置を一定の時間差で並列稼動させている。その場合、ＨＭＤＳ供給系もアドヒージョン処理装置の台数に応じて複数台必要になる。

また、ホットプレートオーブンは、基板上面（被処理面）の全体にＨＭＤＳを均等に塗布するのが難しく、塗布効率の最も低い部位（たとえば基板エッジ部）によって処理時間が律則される。このためＨＭＤＳの使用効率が低く、ＨＭＤＳ消費量に無駄が多かった。

加えて、リフトピン機構や蓋開閉機構またはゲート機構等の機械駆動系から不可避的にパーティクルが発生する。アドヒージョン処理を受ける基板は洗浄処理を受けた後であり、ここでパーティクルが付着すれば後工程のレジスト塗布や最終結果のレジストパターンないし回路パターンに不良を来たす可能性は大である。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、アドヒージョン処理においてスループットないしタクトの向上、ＨＭＤＳ消費量の節減、装置構成の簡易化・低コスト化およびパーティクルの解消を実現ないし達成できる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板を仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、前記搬送路上を移動する前記基板の被処理面に向けて第１の区間内でＨＭＤＳガスを吹き付けるアドヒージョン処理部とを具備し、前記アドヒージョン処理部が、前記搬送路を横断する方向に延びるスリット型または微細孔一列型の吐出口を有し、前記第１の区間の上流端付近にて前記搬送路の上方からＨＭＤＳガスを吹き下ろす長尺型のＨＭＤＳノズルと、前記ＨＭＤＳノズルの下端部付近の位置から前記第１の区間の下流端付近の位置まで前記搬送路と所定のギャップを隔てて延在する上部カバーと、前記上部カバーの下流側端部に設けられた第１の排気口と、前記上部カバー内のガスを前記第１の排気口を通じて排出するための第１の排気機構とを有する。

上記の装置構成においては、基板が搬送路上の第１の区間を通る間に、アドヒージョン処理部により仰向け姿勢の基板の被処理面（上面）にＨＭＤＳガスが吹きかけられ、第１の区間を抜け出た基板はＨＭＤＳで疎水化された状態となる。搬送ロボットやゲート機構等を必要としない装置構成で搬送中にアドヒージョン処理を実行するので、スループットやタクトの向上が容易であり、パーティクルの発生を回避することができる。また、第１の区間の一箇所（たとえば上流端付近）で基板にＨＭＤＳガスを吹き付ければ基板の移動によってＨＭＤＳが無駄のない塗布走査で基板被処理面の全体に供給されるので、ＨＭＤＳガスの使用効率を向上させることもできる。
さらに、上記の装置構成においては、基板がＨＭＤＳノズルを通り過ぎると、ＨＭＤＳノズルから吐出されたＨＭＤＳガスが上部カバーと基板との間のギャップ空間を下流側に（第１の排気口に向って）流れ、基板の上面（被処理面）の各部はＨＭＤＳノズルから第１の排気口までの移動区間（アドヒージョン処理区間）において始終ＨＭＤＳガスの雰囲気下に置かれる。このことにより、アドヒージョン処理の効率や品質を一層向上させることができる。しかも、ＨＭＤＳガスの雰囲気が可及的に狭くできるギャップ空間に形成されるため、ＨＭＤＳガスの使用量が一層少なくて済み、ＨＭＤＳガス消費量の大幅な節減を図れる。

本発明の好適な一態様においては、上部カバーと基板との間のギャップが１０ｍｍ以下に設定される。また、好適な一態様においては、ＨＭＤＳノズルに、ＨＭＤＳガスの噴き出しを均一な層流にするためのシャワー板が設けられる。

また、好適な一態様によれば、アドヒージョン処理部に、ＨＭＤＳノズルおよび／または上部カバーと向かい合って搬送路の下に延在する下部カバーが設けられる。この場合、下部カバーに第２の排気口が設けられ、第２の排気機構がこの第２の排気口を介して上部カバー内のガスを排出するのが好ましい。また、上部カバーと下部カバーとが搬送路の両側で鉛直方向に延在する側壁によって接続されているのも好ましい。

かかる構成によれば、第１の区間またはアドヒージョン処理区間で基板の外へ流れ出たＨＭＤＳガスを下部カバー内に受け集めて安全かつ効率よく排出または回収することができる。

また、好適な一態様によれば、アドヒージョン処理部に、第１の区間内で搬送路を移動する基板を下から加熱するためのヒータが設けられる。このヒータの加熱により搬送路上で移動しながらアドヒージョン処理を受ける基板の温度を安定確実に設定処理温度に保つことができる。

また、本発明の基板処理装置は、好適な一態様として、搬送方向において第１の区間の上流側隣に設定された第２の区間内で搬送路を移動する基板を第１の設定温度まで加熱する加熱部を有する。この場合、第１の設定温度をアドヒージョン処理用の設定温度に一致または近似させてもよい。また、加熱部の構成として、搬送路上の基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から熱をほぼ均一に放射する放熱体を有するのが好ましく、第２の区間の上流端付近で搬送路上の基板に向けて所定温度の温風を噴射する温風ノズルを有するのも好ましい。搬送路に沿って放熱体を配置する構成においては、放熱体の放熱温度が、第２の区間の下流端付近では第１の設定温度に対応する第１の温度に選ばれ、第２の区間の上流端付近では第１の温度よりも高い第２の温度に選ばれるのが好ましい。特に好ましい一態様としては、搬送路が基板を搬送するためのコロを搬送方向に一定間隔で敷設してなり、放熱体が相隣接する２つのコロの間のスペースに配置される。このように搬送方向の位置に応じて加熱温度を段階的に下げながら所望の設定温度に到達させる加熱方式によれば、基板の温度を短い時間で室温から加熱処理温度までスムースに上昇させることができる。

また、本発明の基板処理装置は、好適な一態様として、搬送方向において第１の区間の下流側隣に設定された第３の区間内で搬送路を移動する基板を第１の温度よりも低い第２の設定温度まで冷却する冷却部を有する。この場合、冷却部の構成として、搬送路上の基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から冷却用のガス流を当てる１本または複数本の冷却ガスノズルを有するのが好ましい。さらに好ましくは、冷却ガスノズルの中で最も下流側に位置する冷却ガスノズルが、第２の設定温度に温調された冷却用ガス流を噴出してよい。かかる構成によれば、アドヒージョン処理の直後に基板が同じ搬送路上を移動している間に基板の温度を熱処理用の比較的高い温度から常温付近の基準温度に効率よく戻すことができる。

なお、本発明において搬送路上でとる基板の仰向け姿勢は、基板の被処理面を上に向ける姿勢であり、水平姿勢だけでなく、任意の方向で傾斜する姿勢も含む。

本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、アドヒージョン処理のスループットないしタクトを改善できるとともに、ＨＭＤＳ消費量の節減や装置構成の簡易化・低コスト化も実現可能であり、さらにはパーティクルの問題も解消することができる。

図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。

より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４、第１の熱的処理部２６、塗布プロセス部２８および第２の熱的処理部３０を一列に配置している。ここで、洗浄プロセス部２４は、第１の平流し搬送路３２に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）３４およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６を設けている。第１の熱的処理部２６は、第１の平流し搬送路３２に沿って上流側から順に脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部２８は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を含み、第１の平流し搬送路３２とレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４との間、両ユニット４４，４６の間、および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６と後述する第２の平流し搬送路４８との間で基板ＧをプロセスラインＡの方向に転送するための搬送機構（図示せず）を備えている。第２の熱的処理部３０は、第２の平流し搬送路４８に沿って上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５０および冷却ユニット（ＣＯＬ）５２を設けている。

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）５６、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）５８、冷却ユニット６０および検査ユニット（ＡＰ）６２を一列に配置している。これらのユニット５４、５６，５８，６０，６２は第３の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で設けられている。なお、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）５８および冷却ユニット（ＣＯＬ）６０は第３の熱的処理部５９を構成する。

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６６が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル６８が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第２および第３の平流し搬送路４８，６４と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７０と、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２とを有し、それらの周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）７４、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６および周辺装置７８を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）７４には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、両搬送装置７０，７２の間で基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置７８は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。各搬送装置７０，７２は、基板Ｇを保持できる搬送アーム７０ａ，７２ａを有し、基板Ｇの受け渡しのために隣接する各部にアクセスできるようになっている。

図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを一枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入部つまり第１の平流し搬送路３２の始点に仰向けの姿勢（基板の被処理面を上にして）で搬入する（ステップＳ1）。

こうして、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３２上を仰向けの姿勢でプロセスラインＡの下流側へ向けて搬送される。初段の洗浄プロセス部２４において、基板Ｇは、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）３４およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６では、平流し搬送路３２上を移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３２を下って第１の熱的処理部２６を通過する。

第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは、最初に脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８で加熱の脱水処理を受け、水分を取り除かれる（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ5）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ6）。この後、基板Ｇは第１の平流し搬送路３２の終点（搬出部）から塗布プロセス部２８内の搬送機構へ渡される。

塗布プロセス部２８において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４でたとえばスピンレス法によりスリットノズルを用いて基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ7）。この後、基板Ｇは、塗布プロセス部２８内の搬送機構により第２の平流し搬送路４８の始点（搬入部）へ転送される。基板Ｇは、第２の平流し搬送路４８上でも仰向けの姿勢でプロセスラインＡの下流側へ搬送され、第２の熱的処理部３０を通過する。

第２の熱的処理部３０において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５０でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ8）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発除去し、基板に対するレジスト膜の密着性も強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ9）。しかる後、基板Ｇは、第２の平流し搬送路４８の終点（搬出部）からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７０に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６から周辺装置７８の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ10）。

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ10）、先ず周辺装置７８のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ11）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置７０，７２によって行われる。最後に、基板Ｇは、搬送装置７０よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第３の平流し搬送路６４の始点（搬入部）に搬入される。

こうして、基板Ｇは、今度は第３の平流し搬送路６４上を仰向けの姿勢でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ12）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第３の平流し搬送路６４に載せられたまま下流側隣のｉ線照射ユニット（ｉ−ＵＶ）５６を通り、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ13）。その後も、基板Ｇは第３の平流し搬送路６４に載せられたまま第３の熱的処理部５９および検査ユニット（ＡＰ）６２を順次通過する。第３の熱的処理部５９において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）５８で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ14）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発除去し、基板に対するレジストパターンの密着性も強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６０で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ15）。検査ユニット（ＡＰ）６２では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ16）。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の平流し搬送路６４の終点（搬出部）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システム１０においては、第１の平流し搬送路３２に設けられたアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０を含む第１の熱的処理部２６に本発明を適用することができる。

以下、図３〜図９につき、本発明の一実施形態における熱的処理部２６の構成および作用を詳細に説明する。

図３に、この実施形態における熱的処理部２６の要部の構成を示す。この熱的処理部２６には、プロセスラインＡと平行な水平方向（Ｘ方向）に平流し搬送路３２が設置され、この搬送路３２に沿って上流側から順に脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２が設けられている。

搬送路３２は、基板Ｇを仰向けの姿勢で搬送するためのコロ８０を搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で敷設してなり、上流側の洗浄プロセス部２４からの延長としてこの熱的処理部２６内に引き込まれている。各コロ８０は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部（図示せず）に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８は、そのユニット筐体８５内に、平流し搬送路３２上の基板Ｇに向けて上方および下方から熱をほぼ均一に放射する放熱体として、搬送路３２に沿ってその上下にそれぞれ複数枚の上部均熱板ヒータ８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ）および下部均熱板ヒータ８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ）を設けている。ここで、下部均熱板ヒータ８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ）は、相隣接するコロ８０，８０の間のスペースに配置される。

各均熱板ヒータ８４，８６は、たとえば図４に示すように、アルミニウムからなる放熱板８８と、この放熱板８８の裏面または背面に絶縁膜９０を介して貼り付けられたＳＵＳ薄膜ヒータ９２とで構成されている。搬送路３２上の基板Ｇと各均熱板ヒータ８４，８６との距離間隔またはギャップはたとえば５〜１０ｍｍに設定される。

上部均熱板ヒータ８４ａ，８４ｂ，８４ｃおよび下部均熱板ヒータ８６ａ，８６ｂ，８６ｃの中では、入口側つまり最上流側の位置に配置される均熱板ヒータ（８４ａ，８６ａ）の放熱温度Ｔ_Aが後続の均熱板ヒータ（８４ｂ，８６ｂ）、（８４ｃ，８６ｃ）の放熱温度Ｔ_S（たとえば１００℃）よりも高い温度（たとえば１３０℃）に設定されており、図５に示すように、搬送方向に沿って段階的な放熱（加熱）温度分布が形成される。ここで、下流側の放熱温度Ｔ_Sは、後段のアドヒージョン処理用の基板温度に一致または対応している。基板Ｇが室温の基板温度で脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８に入ると、このユニット内の上記のような搬送方向の放熱温度分布（図５）により、図６に示すように、平流しの搬送中に基板温度がアドヒージョン処理用の設定値Ｔ_Sまで速やかに立ち上がるようになっている。なお、図６中の仮想線（一点鎖線）Ｔ'は、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８内で搬送方向の放熱温度分布を一定にした場合の基板温度立ち上がり特性を示す。このように、基板を所定の放熱温度分布を有する加熱空間内で移動させる方式は、一定の場所に基板を置いて周囲温度または伝熱部材（たとえば熱板）の温度を時間的に変える方式と比較して、より短い時間遅れで基板温度を可変制御することができる。

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８の入口には、上流側隣のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６から入ってきた搬送路３２上の基板Ｇに向けて上方および下方から所定温度（たとえば約１００〜１３０℃）の温風を噴射する長尺型の上部および下部温風ノズル９４，９６も設けられている。

アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０は、ユニット入口付近に設置される長尺型のＨＭＤＳノズル９８と、このノズル９８の下端部付近の位置からユニット出口付近の位置まで搬送路３２上の基板Ｇと所定のギャップ（たとえば５〜１０ｍｍ）を隔てて延在する上部カバー１００と、それらＨＭＤＳノズル９８および上部カバー１００と向かい合って搬送路３２の下に延在する下部カバー１０２とを有している。

ＨＭＤＳノズル９８は、ＨＭＤＳガス生成部１０４よりガス供給管１０６を介して蒸気状のＨＭＤＳつまりＨＭＤＳガスＭを導入し、導入したＨＭＤＳガスＭをノズル内のシャワー板１０８に通して均一な層流で噴き出すようになっている。ＨＭＤＳノズル９８の吐出口のサイズは、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）では基板Ｇをカバーする寸法（たとえば１００ｃｍ以上）に選ばれ、搬送路３２の長手方向つまり搬送方向（Ｘ方向）では基板Ｇよりも格段に短い寸法（たとえば５〜１５ｃｍ）に選ばれてよい。

なお、ＨＭＤＳガス生成部１０４は、図示省略するが、ＨＭＤＳ溶液を貯留するタンクと、このＨＭＤＳタンクの底部に設けたバブラーにキャリアガスとして窒素ガスを供給する窒素ガス供給部とを備えており、バブラーより発生される窒素ガスの泡にＨＭＤＳが気化して溶け込んで、気相化したＨＭＤＳ（ＨＭＤＳガス）が発生するようになっている。

上部カバー１００の下流側端部には、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）に延びるスリット状の上部排気口１１０が設けられている。この上部排気口１１０は、排気ポンプまたは排気ファンを有する排気装置１１２に排気管１１４を介して通じている。

下部カバー１０２は、上面の開口した容器の形状を有しており、その中には相隣接するコロ８０，８０の間のスペースに納まるように複数枚の下部均熱板ヒータ１１８が配置されている。これらの下部均熱板ヒータ１１８は、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８における均熱板ヒータ８４，８６と同様の構成を有するものであってよく、搬送路３２上の基板Ｇに向けて下方から熱をほぼ均一に放射するようになっている。これらの下部均熱板ヒータ１１８は、アドヒージョン処理中の基板Ｇの温度を一定温度Ｔ_Sに保つためのものであり、搬送方向（Ｘ方向）の放熱温度分布は一定であってよい。

下部カバー１０２の中心部には、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）に延びる円状またはスリット状の下部排気口１２０が設けられている。この下部排気口１２０は、排気ポンプまたは排気ファンを有する排気装置１２２に排気管１２４を介して通じている。なお、図示省略するが、上部カバー１００と下部カバー１０２の上端とは搬送路３２の左右両側で鉛直方向に延在する側壁を介して接続されている。

冷却ユニット（ＣＯＬ）４２は、ユニット入口付近から搬送路３２に沿って一定間隔でそれぞれ複数本配置される上部および下部一次冷却ガスノズル１２６，１２８と、その後段に配置される二次冷却ガスノズル１３０とを有している。一次冷却ガスノズル１２６，１２８は、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）に延びるスリット状の吐出口を有する長尺型ノズルであり、搬送路３２上の基板Ｇに向けて室温の高圧エアを噴き出すように構成されている。

二次冷却ガスノズル１３０は、高圧エア供給源１３２よりガス供給管１３４および温調器１３６を介して冷却用の設定温度または基準温度に温調された高圧エアを導入し、導入した冷却基準温度の高圧エアをノズル内部のシャワー板１３８に通して均一な層流で噴き出すようになっている。二次冷却ガスノズル１３０の吐出口のサイズは、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）では基板Ｇをカバーする寸法（たとえば１００ｃｍ以上）に選ばれ、平流し搬送路３２の長手方向つまり搬送方向（Ｘ方向）では基板Ｇよりも短い寸法（たとえば２０〜４０ｃｍ）に選ばれてよい。

この熱的処理部２６は、一体的なハウジング１４０内で、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０側の空間と冷却ユニット（ＣＯＬ）４２側の空間とを隔てるための鉛直方向に延在する隔壁１４２を設けている。この隔壁１４２には搬送路３２を通す開口１４４が形成されており、この開口１４４を介して両側の空間は互いに連通している。

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０側の室内では、室外の空気を引き込むためのファン１４６と、このファン１４６からの空気流を除塵するエアフィルタ１４８とによって、天井から清浄な空気がダウンフローで供給される。また、床に排気口１５０が設けられており、この排気口１５０は排気管１５２を介して排気ポンプまたは排気ファン内蔵の排気装置１５４に通じている。これにより、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０から漏れたガスは、天井からのダウンフローの清浄空気に巻き込まれるようにして床部の排気口１５０から室外へ排出されるようになっている。

また、冷却ユニット（ＣＯＬ）４２側でも、天井部に設置されたファン１５６およびエアフィルタ１５８からダウンフローの清浄空気が室内に供給される。そして、この室内の圧力が隣室の圧力、つまり脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０側の室内の圧力よりも高い状態に維持され、これにより隔壁１４２の開口１４４を右から左に空気が流れるようになっている。つまり、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０からＨＭＤＳガスが漏れても冷却ユニット（ＣＯＬ）４２には入らないようになっている。

図７に、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０の場所で上から見た搬送路３２の構成を示す。各コロ８０は、一定の太さ（径）を有する剛体（たとえばＳＵＳ製）のシャフトを有し、シャフト両端部に基板Ｇの左右両側端部を載せる円筒形ローラ部８０ａを取り付け、シャフト中間部に基板Ｇの中間部を載せる複数の円筒形またはリング形ローラ部８０ｂを取り付けている。各コロ８０の両端は、フレーム１６０に固定された左右一対の軸受１６２に水平姿勢で回転可能に支持されている。

搬送駆動部１６４は、電気モータ１６６と、この電気モータ１６６の回転駆動力を各コロ８０に伝えるための伝動機構とを有する。この伝動機構は、電気モータ１６６の回転軸に無端ベルト１６８を介して接続された搬送方向（Ｘ方向）に延びる回転駆動シャフト１７０と、この回転駆動シャフト１７０と各コロ８０とを作動結合する交差軸型のギア１７２とで構成されている。

再び図３において、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６内には、その出口付近にて搬送路３２の上下両側に液切り用のエアーナイフ１７４，１７６が配置されている。また、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６と熱的処理部２６との境界付近には基板Ｇが熱的処理部２６内に入るタイミングを検出するための近接スイッチまたは位置センサ１７８が設けられている。この位置センサ１７８の出力信号は、熱的処理部２６内の各部および全体の動作を制御するコントローラ（図示せず）に送られる。

冷却ユニット（ＣＯＬ）４２の下流側隣は搬送路３２の終点（搬出部）であり、図示省略するが、そこには基板Ｇを水平姿勢のまま搬送路３２から上方に持ち上げるアンローディング用のリフトピン昇降機構が設けられている。

次に、この熱的処理部２６における全体および各部の作用を説明する。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６において、基板Ｇは、搬送路３２上を一定の速度のコロ搬送で下流側に移動する間にスクラビング洗浄、ブロー洗浄、リンス洗浄を順次施され、最後にエアーナイフ１７４，１７６より乾燥用のエアブローを当てられて基板表面から液を除去される。次いで、基板Ｇは、平流し搬送路３２上のコロ搬送でそのままスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６からほぼ室温の基板温度で熱的処理部２６の初段ユニットつまり脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８に入る。

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８に入ると、その入口で基板Ｇは温風ノズル９４，９６より温風を当てられる。この温風ブローにより、基板Ｇ表面に残っていた液滴が蒸発ないし飛散するとともに、基板温度も上昇する。また、この温風ブローはいわゆるエアカーテンの機能も有しており、ユニット筐体８５の外気、特にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６側からの室温の空気を遮断するようになっている。

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８において、基板Ｇは、温風ノズル９４，９６を過ぎると、直ちに上部均熱板ヒータ８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ）および下部均熱板ヒータ８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ）から放射熱を浴びる。上述したように、入口側つまり最上流側の位置に配置される均熱板ヒータ（８４ａ，８６ａ）が基準値Ｔ_Sよりも高い温度Ｔ_Aで加熱するので、基板Ｇの温度は速やかに立ち上がり、基板Ｇが脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８を抜ける頃にはアドヒージョン処理に適した設定温度Ｔ_Sになっている。この脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８における加熱処理（脱水ベーキング）により、基板Ｇ表面の水分がほぼ完全に除去される。基板搬送速度をたとえば３０ｍｍ／秒に設定し、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８の加熱区間をたとえば９００ｍｍに設定した場合、加熱時間は３０秒である。

基板Ｇが脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８を抜けて下流側隣のアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０に入ると、その入口付近で上方のＨＭＤＳノズル９８より一定濃度のＨＭＤＳガスＭを吹きかけられる。基板ＧがＨＭＤＳノズル９８を過ぎると、ＨＭＤＳノズル９８から吐出されたＨＭＤＳガスＭが上部カバー１００と基板Ｇの間のギャップ空間を上部排気口１１０に向って下流側に流れるので、基板Ｇの上面（被処理面）の各部はＨＭＤＳノズル９８から上部排気口１１０までの移動区間（アドヒージョン処理区間）において始終ＨＭＤＳガスＭの雰囲気下に置かれる。しかも、このアドヒージョン処理区間内では、基板Ｇは移動中に下部均熱板ヒータ１１８により加熱されるため、所定の基板処理温度Ｔ_Sを維持することができる。たとえば、基板搬送速度を３０ｍｍ／秒に設定し、アドヒージョン処理区間を８００ｍｍに設定した場合、アドヒージョン処理時間は約２７秒である。

このアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０においては、上記のようにＨＭＤＳノズル９８より噴出されたＨＭＤＳガスＭが直下を通る基板Ｇの上面（被処理面）に当たった後も上部カバー１００と基板Ｇとの間の可及的に狭くできるギャップ空間を通って基板と併走または追走しながらその被処理面に付着する。しかも、そのようなＨＭＤＳガスＭの流れや雰囲気はＨＭＤＳノズル９８の長手方向つまり基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）でほぼ均一であり、基板Ｇの長手方向（Ｘ方向）においてもほぼ均一に基板の各部に作用する。このことにより、ＨＭＤＳガス生成部１０４より供給される蒸気状のＨＭＤＳガスＭを低消費量で効率よく基板Ｇの被処理面に均一に塗布することができる。

なお、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０内で基板Ｇの左右外側へ流れたＨＭＤＳガスＭ、あるいは相前後する２枚の基板Ｇ，Ｇの間でＨＭＤＳノズル９８より噴出されたＨＭＤＳガスＭは、下部カバー１０２の中に受け集められて下部排気口１２０から排出される。また、基板Ｇ上で被処理面に付着することなく残った（余った）ＨＭＤＳガスＭの大部分は上部排気口１１０から排出される。その意味では、上部排気装置１１２を各基板Ｇに対する枚葉のアドヒージョン処理中に限ってオン状態にしてもよい。また、上部排気装置１１２で回収したＨＭＤＳガスＭをＨＭＤＳガス生成部１０４側にフィードバックすることも可能であり、あるいはリサイクルに回してもよい。また、各基板Ｇがアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０内を通過するタイミングはコントローラが位置センサ１７８からの基板検出信号に基づいて把握しているので、相前後する２つの基板Ｇ，Ｇの合間にＨＭＤＳノズル９８の吐出動作を止めておくこともできる。

アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で上記のようなアドヒージョン処理を受けると、基板Ｇは処理の済んだ部分（基板先端側）から下流側隣の冷却ユニット（ＣＯＬ）４２に入る。冷却ユニット（ＣＯＬ）４２では、搬送路３２上をコロ搬送で通過する基板Ｇに対して、最初に一次冷却ガスノズル１２６，１２８が室温の冷却ガス（高圧エア）を吹きかけ、その後に二次冷却ガスノズル１３０が基準温度の冷却ガス（高圧エア）を吹きかける。こうして、基板Ｇは所定の基板温度で搬送路３２の終点（搬送部）から後段の塗布プロセス部２８へ送られる。

上記のように、この熱的処理部２６においては、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２の各熱的処理ユニットが洗浄プロセス部２４から続いている搬送路３２に沿って工程順に一列に設けられている。基板Ｇが搬送路３２上を一定速度のコロ搬送で下流側へ向って移動する間に、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８では平流し方式の脱水ベーキングが行われ、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０では平流し方式の疎水化またはアドヒージョン処理が行われ、冷却ユニット（ＣＯＬ）４２では平流し方式の冷却または基板温度一定化が行われる。つまり、プロセスラインＡの方向に基板Ｇが搬送路３２上を平流しのコロ搬送で移動する間に脱水ベーキング（ＤＨＰ）、アドヒージョン処理（ＡＤ）および基板温度一定化（ＣＯＬ）の３つの熱処理工程が連続的に効率よく行われる。

各熱的処理ユニット３８，４０，４２内およびユニット間で基板Ｇを個別に搬送ないし移載する搬送ロボットや移載機構は用いられておらず、ユニット筐体の一部を開閉する開閉機構等も用いられていない。このため、各ユニット内および隣接するユニット間でパーティクルが発生したり基板に付着するおそれは殆どない。さらに、洗浄プロセス部２４と熱的処理部２６との間でも搬送機構やゲート機構等は用いられておらず、上流側からのパーティクルの流入も殆どない。

また、搬送路３２の途中で基板Ｇを何らかの処理や搬送のために停止させる場面もなく、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４より一定のタクトで次々に払い出しされてくる基板Ｇに熱的処理ユニット３８，４０，４２が各々一台で間断なくスムースに対応する。つまり、熱的処理ユニット３８，４０，４２の各一台分のタクトがシステム全体のタクトに一致する関係にあり、同機種のユニットを複数台用いて並列稼動させる必要はない。このことにより、熱的処理部におけるハードウェアや搬送ソフトウェアのコスト低減を図れるだけでなく、熱的処理ユニットの機差に起因する処理品質のばらつきも解消される。

各熱的処理ユニットにおいて、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８は、上記のように、洗浄プロセス部２４で洗浄処理を受けてきたばかりの移動（コロ搬送）中の基板Ｇに対して、温風ノズル９４，９６および均熱板ヒータ８４，８６を用いて平流しの脱水ベーキングを施すようにしており、さらには脱水ベーキング終了時の基板温度をそのまま保って（アドヒージョン処理用の基板温度として）下流側隣のアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０へ送り出すようにしている。

アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０は、上記のように、搬送路３２上をコロ搬送で移動する基板Ｇに対して、ＨＭＤＳノズル９８および上部カバー１００により基板Ｇと並走するように搬送方向に延びるＨＭＤＳガス雰囲気を基板被処理面と接する狭いギャップ空間内に形成して平流しのアドヒージョン処理を施すようにしており、処理効率および処理品質の向上、ＨＭＤＳ消費量の大幅な節減を実現している。

冷却ユニット（ＣＯＬ）４２は、上記のように搬送路３２上をコロ搬送で移動する基板Ｇに場所を変えて一次冷却および二次冷却を段階的に施すようにしており、短時間のうちに基板温度をアドヒージョン処理用の設定温度から常温付近の基準温度に戻すようにしている。

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形・変更を行うことができる。たとえば、上記した実施形態のアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０においては、ＨＭＤＳノズル９８をシャワーヘッド型に構成し、搬送方向（Ｘ方向）のノズルサイズを基板サイズよりも格段に小さい寸法に選び、上部カバー１００との組み合わせでアドヒージョン処理空間を形成するようにしている。この場合、ＨＭＤＳノズル９８と上部カバー１００とを足し合わせたアドヒージョン処理区間の大きさまたは長さ、あるいは両者（９８，１００）の区間比率は任意に選定可能である。したがって、ＨＭＤＳノズル９８として、たとえば図８に示すようにスリット型（Ａ）または微細孔一列型（Ｂ）の吐出口９８ａを有する長尺型ノズルを用いることもできる。

また、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０において、ＨＭＤＳガス生成部１０４とＨＭＤＳノズル９８との間たとえばガス管１０６に図３の点線１８０で示すように、ＨＭＤＳガスを処理温度付近の温度（たとえば１００℃）に加熱するためのヒータ１８０を設けることも可能である。また、下部カバー１０２内の均熱板ヒータ１１８を省くことも可能である。また、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０に設ける排気口（１１０，１２０）の場所や形状、個数等も任意に選定できる。たとえば、上部カバー１００と下部カバー１０２とを接続する左右両側の側壁に排気口を設ける構成も可能である。

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８において、上部および下部温風ヒータ９４，９６の片方または双方、あるいは上部および下部均熱板ヒータ８４，８６の片方を省くことも可能である。その場合は、図９に示すように、ユニット筐体８５内に、搬送路３２と平行にたとえばアルミニウム板からなる一層または多層の反射放熱板１８２を設ける構成が好ましい。冷却ユニット（ＣＯＬ）４２においても、図示省略するが、上部および下部一次冷却ノズル１２６，１２８の片方を省くことができる。また、均熱板ヒータ８４，８６の構成（図４）は一例であり、種々の変形や代用が可能である。たとえば、絶縁被覆の発熱コイルをＳＵＳ管に収めたシースヒータを二次元方向（ＸＹ方向）に蛇行させた発熱体を使用してもよい。搬送路３２上における基板Ｇの仰向け姿勢は水平姿勢に限るものではなく、前後方向（Ｘ方向）、左右方向（Ｙ方向）その他の任意の方向で傾斜姿勢をとることも可能である。搬送路３２も、コロ搬送路に限定されるものではなく、たとえばベルト式搬送路等の他の方式の平流し用搬送路であってもよい。

本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 実施形態におけるアドヒージョンユニットを含む熱的処理部内の全体構成を示す側面図である。 実施形態で使用する均熱放熱板の構成例を示す断面図である。 実施形態の脱水ベークユニットにおける搬送方向の放熱（加熱）温度分布を示す図である。 実施形態の脱水ベークユニットにおける基板温度の立ち上がり特性を示す図である。 実施形態における平流し搬送路の構成を示す平面図である。 実施形態におけるＨＭＤＳノズルの一変形例の構成を示す図である。 実施形態における脱水ベークユニットの一変形例の構成を示す図である。

符号の説明

１０ 塗布現像処理システム
２４ 洗浄プロセス部
２６ 第１の熱的処理部
３２ 第１の平流し搬走路
３６ スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
３８ 脱水ベークユニット（ＤＨＰ）
４０ アドヒージョンユニット（ＡＤ）
４２ 冷却ユニット（ＣＯＬ）
８０ コロ
８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ） 上部均熱放射板
８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ） 下部均熱放射板
９８ ＨＭＤＳノズル
１００ 上部カバー
１０２ 下部カバー
１０４ ＨＭＤＳガス生成部
１１０ 上部排気口
１１２ 排気装置
１１８ 下部均熱放射板
１２０ 下部排気口
１２２ 排気装置
１２６ 上部一次冷却ノズル
１２８ 下部一次冷却ノズル
１３０ 二次冷却ノズル
１３６ 温調器

Claims (15)

1. 被処理基板を仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなる搬送路と、
   前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、
   前記搬送路上を移動する前記基板の被処理面に向けて第１の区間内でＨＭＤＳガスを吹き付けるアドヒージョン処理部と
   を具備し、
   前記アドヒージョン処理部が、
   前記搬送路を横断する方向に延びるスリット型または微細孔一列型の吐出口を有し、前記第１の区間の上流端付近にて前記搬送路の上方からＨＭＤＳガスを吹き下ろす長尺型のＨＭＤＳノズルと、
   前記ＨＭＤＳノズルの下端部付近の位置から前記第１の区間の下流端付近の位置まで前記搬送路と所定のギャップを隔てて延在する上部カバーと、
   前記上部カバーの下流側端部に設けられた第１の排気口と、
   前記上部カバー内のガスを前記第１の排気口を通じて排出するための第１の排気機構と
   を有する、基板処理装置。
2. 前記ギャップが１０ｍｍ以下である、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ＨＭＤＳノズルが、前記ＨＭＤＳガスの噴き出しを均一な層流にするためのシャワー板を有する、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記アドヒージョン処理部が、前記ＨＭＤＳノズルおよび／または前記上部カバーと向かい合って前記搬送路の下に延在する下部カバーを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記アドヒージョン処理部が、
   前記下部カバーに設けられた第２の排気口と、
   前記下部カバー内のガスを前記第２の排気口を通じて排出するための第２の排気機構と
   を有する、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記上部カバーと前記下部カバーとが前記搬送路の両側で鉛直方向に延在する側壁によって接続されている、請求項４または請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記アドヒージョン処理部が、前記第１の区間内で前記搬送路を移動する前記基板を下から加熱するためのヒータを有する、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 搬送方向において前記第１の区間の上流側隣に設定された第２の区間内で前記搬送路を移動する前記基板を第１の設定温度まで加熱する加熱部を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記加熱部が、前記搬送路上の前記基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から熱をほぼ均一に放射する放熱体を有する、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記放熱体の放熱温度が、前記第２の区間の下流端付近では前記第１の設定温度に対応する第１の温度に選ばれ、前記第２の区間の上流端付近では前記第１の温度よりも高い第２の温度に選ばれる、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記搬送路が、前記基板を搬送するためのコロを搬送方向に一定間隔で敷設してなり、
    前記放熱体は、相隣接する２つの前記コロの間のスペースに配置される、
    請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記加熱部が、前記第２の区間の上流端付近で前記搬送路上の前記基板に向けて所定温度の温風を噴射する温風ノズルを有する、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 搬送方向において前記第１の区間の下流側隣に設定された第３の区間内で前記搬送路を移動する前記基板を前記第１の温度よりも低い第２の設定温度まで冷却する冷却部を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 前記冷却部が、前記搬送路上の前記基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から冷却用のガス流を当てる１本または複数本の冷却ガスノズルを有する、請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 前記冷却ガスノズルの中で最も下流側に位置する冷却ガスノズルが、前記第２の設定温度に温調された冷却用ガス流を噴出する、請求項１４に記載の基板処理装置。

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