JP2001250767A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents

基板処理方法及びその装置

Info

Publication number
JP2001250767A
JP2001250767A JP2000063192A JP2000063192A JP2001250767A JP 2001250767 A JP2001250767 A JP 2001250767A JP 2000063192 A JP2000063192 A JP 2000063192A JP 2000063192 A JP2000063192 A JP 2000063192A JP 2001250767 A JP2001250767 A JP 2001250767A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light
unit
gas
hydrophobizing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000063192A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4054159B2 (ja
Inventor
Junichi Kitano
淳一 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000063192A priority Critical patent/JP4054159B2/ja
Priority to US09/799,562 priority patent/US6620251B2/en
Priority to KR1020010011651A priority patent/KR100624292B1/ko
Priority to TW090105348A priority patent/TW480610B/zh
Publication of JP2001250767A publication Critical patent/JP2001250767A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4054159B2 publication Critical patent/JP4054159B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/085—Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 例えば塗布、現像装置において、短い洗浄時
間で基板の付着物を除去し、基板の酸化を抑え、レジス
ト液の塗布性を向上させること。 【解決手段】 カバー体５４内に蓋体４１ａと下部容器
４１ｂとからなる密閉容器４１を設け、カバー体５４に
は窒素ガスの供給管４７を接続する。密閉容器４１内の
載置台４２と対向するように、蓋体４１ａにＵＶランプ
５３を備えた光源ユニット５Ａを設け、光源ユニット５
Ａの外方側にＨＭＤＳガスのガス供給路４６を設ける。
先ずカバー体５４内を窒素雰囲気とし、密閉容器４１の
蓋体４１ａを開いた状態でウエハＷに紫外線を照射して
洗浄を行う。次いで蓋体４１ａを閉じて密閉容器４１内
にＨＭＤＳガスを導入し、ウエハＷの疎水化処理を行
う。このようにすると紫外線の照射によりウエハＷに付
着した有機物等の付着物が除去され、これによりレジス
ト液の塗布性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
て例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基
板処理方法及び基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるフォ
トリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ（以下ウ
エハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジ
ストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所
定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連
の処理は、塗布／現像装置に露光装置を接続したシステ
ムにより行われる。
【０００３】図１７はこのような装置の従来例を示す平
面図であり、基板例えば半導体ウエハＷを２５枚収納し
たカセットＣはカセットステ−ションＡ１のカセットス
テ−ジ１に搬入される。カセットステ−ションＡ１には
処理ステ−ションＡ２が接続されており、更に処理ステ
ーションＡ２にはインターフェイスステーションＡ３を
介して図示しない露光装置が接続されている。
【０００４】前記カセットステージ１上のカセットＣ内
のウエハＷは、受け渡しアーム１１により取り出されて
棚ユニット１２の受け渡し部を介して塗布ユニット１３
に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエハ
Ｗは、ウエハ搬送手段ＭＡ→棚ユニット１４の受け渡し
部→インタ−フェイスステ−ションＡ３→露光装置の経
路で搬送されて露光される。露光後のウエハＷは、逆経
路で処理ステ−ションＡ２に搬送され、塗布ユニット１
３の下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像
された後、ウエハ搬送手段ＭＡ→棚ユニット１２の受け
渡し部→カセットＣの経路で搬送される。
【０００５】なお棚ユニット１２，１４の各棚は、加熱
部、冷却部、前記ウエハＷの受け渡し部、疎水化部等と
して構成されており、前記レジストの塗布の前や現像処
理の前には、所定の温度でレジストの塗布等を行うため
に、前記棚ユニット１２，１４にて加熱処理と冷却処理
とがこの順序で行われる。なお１５は処理ステ−ション
Ａ２と露光装置との間でウエハＷの受け渡しを行うため
の受け渡しア−ムである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでクリーンルー
ム雰囲気ではウエハＷに有機物が付着することが知られ
ており、この有機物によりレジストの剥がれ及び塗布パ
ーティクルの発生が起こることから、これらの除去が要
求されている。そのためにはウエハＷを洗浄して有機物
を除去することが一般的であるが、この際膜種によって
は溶液による洗浄が不適切な場合があることから、本発
明者はウエハＷに対して紫外線を照射することにより有
機物を除去する手法を検討している。
【０００７】このようなＵＶ洗浄装置としては、例えば
大気雰囲気又は酸素リッチ雰囲気の処理室内において、
載置台上のウエハＷに対してＵＶランプにより紫外線を
所定時間照射する構成が知られており、この洗浄装置を
上述のシステムに組み込む場合には、例えば棚ユニット
１２，１４内に配置し、例えばカセットステージ１上の
カセットＣ内→棚ユニット１２の受け渡し部→洗浄装置
→疎水化部→塗布ユニットの経路で搬送することが考え
られる。
【０００８】しかしながら上述の洗浄装置では、処理室
内に水蒸気や酸素などの紫外線を吸収するガスが存在す
るので洗浄効率が悪く、ウエハＷに付着する有機物を所
定量以下に除去するには、例えば６０秒程度の洗浄時間
が必要となる。このため上述の塗布・現像装置に組み込
むと、他のユニットにおけるウエハＷの搬送待ちの時間
が多くなり、スループットが悪化してしまうおそれがあ
る。この際ＵＶランプの照射エネルギーを大きくするこ
とも考えられるが、消費電力が大きくなるので、コスト
的に問題がある。
【０００９】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、短い洗浄時間で基板の付着物を除去し、レジ
スト液の塗布性を向上させる基板処理方法及びその装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため本発明の基板処
理方法は、光源から基板表面に光を照射して、これによ
り基板表面の付着物を除去する工程と、次いで基板表面
にレジスト液を塗布する工程と、レジスト液の塗布され
た基板に対して露光処理を行う工程と、露光後の基板を
現像処理してレジストパターンを得る工程と、を含み、
前記基板表面の付着物を除去する工程は、前記光源と基
板との間の光の照射空間に、前記光を吸収しないガスを
導入しながら行うことを特徴とする。この際前記基板表
面に照射される光は例えば紫外線であり、前記光を吸収
しないガスは例えば窒素ガス等の不活性ガスである。
【００１１】このような方法では、基板表面に光を照射
しているので、例えばクリーンルーム雰囲気内で基板に
付着した有機物等の付着物を除去することができ、これ
によりレジスト液の塗布性が向上する。この際前記光源
と基板との間の光の照射空間に、前記光を吸収しないガ
スを導入しているので光の照射効率が向上し、洗浄時間
が短縮され、かつ基板の酸化が抑制される。
【００１２】ここで前記基板表面の付着物を除去する工
程と、基板表面にレジスト液を塗布する工程との間に、
基板表面に疎水化処理ガスを供給して当該表面の疎水化
処理を行う工程を行うようにしてもよく、この場合には
光の照射により基板表面が改質され、疎水化処理におけ
る疎水化処理ガスの塗布性が向上する。
【００１３】このような基板処理方法は、基板に対して
光を照射するための光源と、前記光源と基板との間の光
の照射空間に、前記光を吸収しないガスを導入するため
のガス供給部と、を備え、前記光源から基板表面に光を
照射して、これにより基板表面の付着物を除去する洗浄
部と、前記洗浄部と同じ処理室内に設けられ、基板表面
に疎水化処理ガスを供給して当該表面の疎水化処理を行
う疎水化部と、基板表面にレジスト液を塗布する塗布処
理部と、レジスト液の塗布された基板に対して露光処理
を行う露光部と、露光後の基板を現像処理してレジスト
パターンを得る現像処理部と、を備えた基板処理装置に
て実施される。
【００１４】ここで例えば前記洗浄部と疎水化部とを含
むユニットは、基板を保持するための載置部を備えた処
理容器と、前記載置部に保持された基板に対して光を照
射するための光源と、前記載置部に保持された基板に対
して疎水化処理ガスを供給するための疎水化処理ガス供
給部と、前記光源と基板との間の光の照射空間に、前記
光を吸収しないガスを導入するためのガス供給部と、を
備え、前記照射空間に前記光を吸収しないガスを導入し
ながら、前記光源より前記基板表面に対して光を照射
し、次いで前記基板表面に対して疎水化処理ガスを供給
するものである。
【００１５】また洗浄部と疎水化部との間で基板を搬送
するための基板搬送手段を備えた構成としてもよく、こ
のように洗浄部と疎水化部とを同じ処理室内に設けた場
合には、装置の小型化を図ることができる。
【００１６】さらに洗浄部と疎水化部とを別の処理室内
に設け、これら洗浄部と疎水化部との間で搬送手段によ
り専用の搬送路を介して基板を搬送するようにしてもよ
い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を基板の塗布、現像
装置に適用した実施の形態について説明する。図１はこ
の実施の形態の概略平面図、図２は内部を透視して示す
概観図であって、図中Ｓ１はカセットステ−ション、Ｓ
２はウエハＷに対してレジストの塗布処理や現像処理等
を行うための処理ステ−ション、Ｓ３はインタ−フェイ
スステ−ション、Ｓ４は露光装置である。
【００１８】カセットステ−ションＳ１は、複数の基板
例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば４個のウエハ
カセット（以下「カセット」という）２２を載置するカ
セットステ−ジ２１と、カセットステ−ジ２１上のカセ
ット２２と処理ステ−ションＳ２との間でウエハＷの受
け渡しを行なうための受け渡しア−ム２３とを備えてい
る。受け渡しアーム２３は、昇降自在、Ｘ，Ｙ方向に移
動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。
【００１９】また処理ステ−ションＳ２は、例えば２個
の塗布処理部をなす塗布ユニットＣ（Ｃ１，Ｃ２）と、
２個の現像処理部をなす現像ユニットＤ（Ｄ１，Ｄ２）
と、例えば３個の棚ユニットＲ（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）
と、例えば１個の基板搬送手段ＭＡと、を備えており、
カセットステ−ションＳ１とインタ−フェイスステ−シ
ョンＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、当
該ステ−ションＳ２内ではウエハＷを洗浄する処理と、
ウエハＷ表面を疎水化する処理と、ウエハＷにレジスト
液を塗布する処理と、ウエハＷの現像処理と、これらの
処理の前後にウエハＷを所定の温度に加熱し、冷却する
処理と、を行うように構成されている。
【００２０】このような処理ステーションＳ２のレイア
ウトの一例について説明すると、前記受け渡しア−ム２
３の奥側には、例えばカセットステーションＳ１から奥
を見て例えば右側に塗布ユニットＣや現像ユニットＤ等
を備えた処理ユニットＵが２段に亘って設けられてい
る。つまり２個の塗布ユニットＣ１，Ｃ２が、カセット
ステージ２１のカセットの配列方向とほぼ直交する方向
に塗布ユニットＣ１を手前側にして２個並んで配置され
ており、これら塗布ユニットＣ１，Ｃ２の下段には２個
の現像ユニットＤ１，Ｄ２が現像ユニットＤ１を手前側
にして並んで設けられている。なお以降の説明では、カ
セットステーションＳ１側を手前側、露光装置Ｓ４側を
奥側として述べることにする。
【００２１】またこれら処理ユニットＵのカセットステ
ーションＳ１から見て左側には、塗布ユニットＣと現像
ユニットＤと棚ユニットＲとの間でウエハＷの受け渡し
を行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在
かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された基板搬送手段
ＭＡが設けられている。そしてこの基板搬送手段ＭＡの
カセットステーションＳ１側から見て手前側には棚ユニ
ットＲ１、奥側には棚ユニットＲ２、左側には棚ユニッ
トＲ３が夫々配置されている。但し図２には便宜上棚ユ
ニットＲ３と基板搬送手段ＭＡは省略してある。前記棚
ユニットＲ（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）は、図３に棚ユニット
Ｒ１を示すように、ウエハＷを加熱するための加熱部３
１と、ウエハＷを冷却するための冷却部３２と、ウエハ
表面を洗浄し、疎水化するための洗浄・疎水化ユニット
Ｕと、棚ユニットＲ１においてはカセットステーション
Ｓ１の受け渡しアーム２３と基板搬送手段ＭＡとの間で
ウエハＷの受け渡しを行うための、棚ユニットＲ２にお
いては後述するインターフェイスステーションＳ３の搬
送アームＡと基板搬送手段ＭＡとの間でウエハＷの受け
渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡し部３３
と、棚ユニットＲ１においてはウエハＷの位置合わせを
行うためのアライメント部３４とが縦に配列されてい
る。
【００２２】前記洗浄・疎水化ユニットＵについて例え
ば図４に基づいて説明すると、４１は蓋体４１ａ及び下
部容器４１ｂからなり、処理容器をなす密閉容器であ
り、下部容器４１ｂ内にはウエハＷの載置部をなす載置
台４２が設けられている。この載置台４２は、当該載置
台４２に対してウエハＷの受け渡しを行うために、昇降
機構４３ａにより昇降される例えば３本の昇降ピン４３
を備えていて、載置台４２の周囲にはバルブＶ１を備え
た排気路４４が形成されている。
【００２３】前記蓋体４１ａは昇降軸４５ａを介して昇
降機構４５により昇降自在に構成されており、蓋体４１
ａのほぼ中央部には載置台４２に対向するように光源ユ
ニット５Ａが設けられている。この光源ユニット５Ａは
例えばウエハＷよりも大きく構成されており、例えば光
源と、反射板５１とを備えている。前記光源は、載置台
４２上のウエハＷに例えば紫外線などの光を照射するも
のであり、反射板５１は光源から照射される光を反射す
る材質例えばアルミ蒸着膜等により形成される。この反
射板５１には一面にほぼ半球状の凹部５２が形成されて
おり、これら凹部５２内の各々には前記光源をなす例え
ばエキシマＵＶランプ５３が設けられていて、こうして
光源ユニット５Ａが構成されている。前記凹部５２の形
状は、前記ＵＶランプ５３からの光が凹部５２の内表面
で反射されて載置台４２上のウエハＷに到達するように
形成され、前記載置台４２上のウエハＷにはＵＶランプ
５３からの直接の光と反射板５１で反射された光とが照
射されるようになっている。
【００２４】ここで前記光源から照射される光とは、短
波長の高エネルギー光例えば波長が１５０ｎｍ〜３６５
ｎｍの光をいい、光源としてはエキシマＵＶランプの
他、低圧水銀ランプ、希ガスショートアークランプ、マ
イクロ波励起Ｈｇ−Ｃｄランプ等を用いることができ
る。また光を吸収しないガスとしては窒素ガスの他、ヘ
リウムガス、アルゴンガス等の不活性ガスを用いること
ができる。
【００２５】前記蓋体４１ａには、例えば反射板５１の
形成領域の外側の複数位置例えば周方向に４等分した位
置に４個の疎水化処理ガス供給部をなすガス供給路４６
が形成されていて、このガス供給路４６は例えばフレキ
シブルパイプよりなり、バルブＶ２を備えたガス供給管
４７を介して図示しないガス供給源に接続されている。
前記ガス供給路４６は蓋体４１ａの内部で下側に向かう
に連れて内側に向けて傾斜するように形成されており、
これによりウエハＷの表面全体にガス供給路２６からの
ガスが到達するようになっている。
【００２６】前記密閉容器４１は処理室をなすカバー体
５４により覆われており、カバー体５４には、シャッタ
ー５５ａで開閉されるウエハ搬送口５５が形成されると
共に、当該カバー体５４内に前記光（紫外線）を吸収し
ないガス例えば窒素ガスを供給するためのバルブＶ３を
備えたガス供給部をなすガス供給管５５と、バルブＶ４
を備えた排気管５６とが接続されている。
【００２７】このような洗浄・疎水化処理ユニットＵで
は、シャッタ５５ａの開閉動作、昇降機構４３ａ，４５
の昇降動作、ＵＶランプ４３の電源部４３ａのオン・オ
フ動作、各バルブＶ１〜Ｖ４の開閉動作は図示しない制
御部により行われるようになっている。
【００２８】前記塗布ユニットＣについて例えば図５に
基づいて説明すると、２４はカップであり、このカップ
２４内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャッ
ク２５が設けられている。このスピンチャック２５は昇
降機構２６により昇降自在に構成されており、カップ２
４の上方側に位置しているときに、前記基板搬送手段Ｍ
Ａの後述するア−ム３５との間でウエハＷの受け渡しが
行われる。
【００２９】２７はレジスト液の吐出ノズル、２８はレ
ジスト液供給管、２９はノズルを水平移動させる支持ア
−ムである。前記吐出ノズル２７は、例えばウエハＷの
ほぼ中心付近にレジスト液を供給するように構成され、
スピンチャック２５上のウエハＷの表面に吐出ノズル２
７からレジスト液を滴下し、スピンチャック２５を回転
させてレジスト液をウエハＷ上に伸展させ塗布するよう
になっている。
【００３０】また現像ユニットＤは塗布ユニットＣとほ
ぼ同一の構成であるが、吐出ノズル２７は例えばウエハ
Ｗの直径方向に配列された多数の供給孔を備えるように
構成され、スピンチャック２５上のウエハＷの表面に吐
出ノズル２７から現像液を吐出し、スピンチャック２５
を半回転させることによりウエハＷ上に現像液の液盛り
が行われ、現像液の液膜が形成されるようになってい
る。
【００３１】前記基板搬送手段ＭＡは、例えば図６に示
すように、ウエハＷを保持するための３枚のア−ム３５
と、このア−ム３５を進退自在に支持する基台３６と、
この基台３６を昇降自在に支持する一対の案内レ−ル３
７，３８とを備えており、これら案内レ−ル３７，３８
を回転駆動部３９により回転させることにより、進退自
在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されてい
る。
【００３２】処理ステ−ションＳ２の隣にはインタ−フ
ェイスステ−ションＳ３が接続され、このインタ−フェ
イスステ−ションＳ３の奥側には、レジスト膜が形成さ
れたウエハＷに対して露光を行うための露光部をなす露
光装置Ｓ４が接続されている。インタ−フェイスステ−
ションＳ３は、前記処理ステ−ションＳ２の棚ユニット
Ｒ２と、露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行
うための搬送アームＡを備えており、処理ステ−ション
Ｓ２と露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行う
ようになっている。
【００３３】次に上述の実施の形態の作用について説明
する。先ず自動搬送ロボット（あるいは作業者）により
例えば２５枚のウエハＷを収納したカセット２２がカセ
ットステ−ジ２１に搬入され、受け渡しア−ム２３によ
りカセット２２内からウエハＷが取り出されて処理ステ
−ションＳ２の棚ユニットＲ１の受け渡し部３３に置か
れる。
【００３４】このウエハＷは基板搬送手段ＭＡにより棚
ユニットＲの洗浄・疎水化ユニットＵに搬送され、ここ
でウエハＷ表面の洗浄処理と疎水化処理とがこの順序で
続いて行われる。具体的には、先ず図７(a)に示すよう
にバルブＶ３，Ｖ４を開いてカバー体５４内の雰囲気を
排気管５６を介して排気させながら、当該カバー体５４
内にガス供給管５５より窒素ガスを導入する。この状態
でカバー体５４のシャッタ５５ａを開くと共に、密閉容
器の蓋体４１ａを上昇させて、ウエハ搬送口５５を介し
て基板搬送手段ＭＡによりウエハＷを搬入し、載置台４
２の昇降ピン４３との協動作用により載置台４２上にウ
エハＷを受け渡す。そして基板搬送手段ＭＡを退出させ
た後、シャッタ５５ａを閉じ、カバー体５４の内部雰囲
気を窒素ガスにより置換する。
【００３５】次いで図７(b)に示すように密閉容器の蓋
体４１ａを昇降させて、載置台４２上のウエハＷ表面と
ＵＶランプ５３の下端との間の距離Ｌが所定値になるよ
うに調整する。こうして密閉容器４１の内部を窒素ガス
雰囲気とした状態で、ＵＶランプ５３の電源を入れて、
所定の照射電力量で所定時間ウエハＷに波長１７２ｎｍ
の紫外線を照射し、これによりウエハＷの洗浄を行う。
【００３６】ここで洗浄条件の一例を挙げると、ＵＶラ
ンプ４３の強度は１００ｍＷ／ｃｍ2，ＵＶランプ４３
とウエハＷとの距離Ｌが２ｍｍ，照射時間は１０秒であ
り、後述する実験例から、ＵＶランプ４３の強度は５〜
１２０ｍＷ／ｃｍ2が好ましく、この場合にはＵＶラン
プ４３とウエハＷとの距離Ｌは２〜５ｍｍ，照射時間は
１０〜３０秒程度が好ましい。また窒素ガス雰囲気とは
大気よりも窒素濃度が高い雰囲気をいい、窒素濃度は９
０％以上が好ましい。このような条件の下で、ウエハＷ
に紫外線を照射することにより、後述するようにウエハ
Ｗ表面の有機物などの付着物が除去される。
【００３７】こうしてウエハＷの洗浄を行った後、図７
(c)に示すように蓋体４１ａを下降させて密閉容器４１
を閉じ、次いでバルブＶ１，Ｖ２を開いて密閉容器４１
内の雰囲気を排気路４４を介して排気させながら、当該
密閉容器４１内にガス供給管４７からガス供給路４６を
介して疎水化処理ガス例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジ
シラザン）ガスを供給する。こうしてウエハＷ表面とＨ
ＭＤＳガスとを接触させることにより、基板の疎水性が
高められる。ここで基板の疎水性が高められるとは、水
に対する接触角を高めるということであり、これにより
レジストとウエハＷ表面の密着性が高められ、また現像
時にレジスト−ウエハＷ界面への現像液の浸入が抑えら
れる。
【００３８】ここでレジスト液を塗布する前に疎水化処
理を行うのは、後の現像工程や、その後に行われるイオ
ン打ち込み工程やエッチング工程の際にウエハＷからレ
ジストマスクが剥離しないように、ウエハＷとレジスト
との密着性を高めるためである。
【００３９】続いてバルブＶ２を閉じてＨＭＤＳガスの
導入を停止し、ＨＭＤＳガスはアミン基を有しているた
め、外部に漏れないように密閉容器４１内を十分に排気
する。次いで蓋体４１ａを上昇させて密閉容器４１を開
き、シャッタ５５ａを開いて、基板搬送手段ＭＡにより
ウエハＷをウエハ搬送口５５から搬出する。この洗浄、
疎水化処理の一連の処理の間、カバー体５４内は、排気
及び窒素ガスの導入が行われている。
【００４０】続いてウエハＷは棚ユニットＲの冷却部３
２→基板搬送手段ＭＡ→塗布ユニットＣの経路で搬送さ
れ、温度調整が行われたウエハＷは塗布ユニットＣにて
所定温度例えば２３℃でレジスト液が塗布される。この
後ウエハＷは、基板搬送手段ＭＡ→棚ユニットＲの加熱
部３１→基板搬送手段ＭＡ→棚ユニットＲの冷却部３２
の経路で搬送されて温度調整が行われ、続いて基板搬送
手段ＭＡ→棚ユニットＲ２の受け渡し部３４→インタ−
フェイスステ−ションＳ３の搬送アームＡ→露光装置Ｓ
４の経路で搬送されて、露光が行われる。
【００４１】露光後のウエハＷは露光装置Ｓ４→インタ
ーフェイスステーションＳ３の搬送アームＡ→棚ユニッ
トＲ２の受け渡し部３３→基板搬送手段ＭＡ→棚ユニッ
トＲの加熱部３１→冷却部３２→現像ユニットＤの経路
で搬送され、先ず所定の温度まで加熱された後、所定温
度まで冷却されて温度調整が行われ、現像ユニットＤに
て所定温度例えば現像液の塗布温度である２３℃で現像
処理される。
【００４２】その後ウエハＷは基板搬送手段ＭＡ→棚ユ
ニットＲの加熱部３１→基板搬送手段ＭＡ→棚ユニット
Ｒの冷却部３２→基板搬送手段ＭＡ→棚ユニットＲ１の
受け渡し部３４→受け渡しア−ム２３の経路で搬送さ
れ、一旦所定温度まで加熱された後、所定温度まで冷却
されたウエハＷは、受け渡し部３３を介して例えば元の
カセット２２内に戻される。
【００４３】上述実施の形態では、レジスト液の塗布前
に、紫外線を照射することによりウエハＷを洗浄してい
るので、例えばクリーンルーム雰囲気内でウエハＷに付
着した有機物を除去することができる。
【００４４】図８は有機物に汚染された熱酸化膜ウエハ
への紫外線照射による有機物除去効果を示す特性図であ
り、図中横軸は紫外線の照射時間、縦軸は接触角を夫々
示している。ここで接触角とは基板表面に滴下した水滴
の頂部と基板表面上の外縁とを結ぶ線が基板表面に対し
てなす角を２倍した角度をいい、この接触角が大きいほ
ど基板に付着した有機物が多いことを示している。この
ときの紫外線の強度は１００ｍＷ／ｃｍ2程度であり、
基板とＵＶランプ５３との間の距離Ｌを２ｍｍ，５ｍ
ｍ，１０ｍｍと変えて実験を行った。図中◆はＬ＝２ｍ
ｍ、■はＬ＝５ｍｍ、●はＬ＝１０ｍｍを夫々示してい
る。
【００４５】この図から明らかなように、距離Ｌの値に
関わらず、基板への紫外線の照射時間が長いほど接触角
が小さくなり、紫外線の照射により有機物の付着量が低
減することが認められた。また前記距離Ｌと有機物除去
性能の関係を、接触角が８度になるまでに要した時間を
測定して調べたところ、図９に示す結果が得られ、距離
Ｌが２〜１０ｍｍの範囲では距離Ｌが短いほど、有機物
除去に要する時間が短いことが認められた。
【００４６】このように紫外線による洗浄によりウエハ
Ｗに付着していた有機物が除去されることから、レジス
ト液の塗布性が向上し、また紫外線の照射によりウエハ
Ｗの表面が改質され、これにより表面張力が低くなるの
で、疎水化処理におけるＨＭＤＳガスの塗布性も向上す
る。
【００４７】また洗浄・疎水化ユニットＵでは、紫外線
の照射時にウエハＷとＵＶランプとの間の照射領域に、
紫外線を吸収しない例えば窒素ガスを導入し、当該領域
を窒素ガス雰囲気としているので、当該領域中の紫外線
を吸収するガス例えば水蒸気や酸素の濃度が低くなり、
紫外線の照射効率が向上する。このため洗浄処理に要す
る時間を短縮することができ、上述の塗布・現像装置に
おけるスループットの悪化が抑えられる。
【００４８】ここで窒素ガスを導入しているのは、２０
０ｎｍ以下の波長の光は、酸素や水分に吸収されてしま
うので、これを抑えて照射効率を向上させるためである
が、またウエハＷの酸化を抑える効果も得られる。
【００４９】図１０は窒素雰囲気中での紫外線照射によ
る有機物除去効果を確認するために行ったガスクロマト
グラフ／質量分析器による質量分析スペクトルであり、
図１０(a)はクリーンルーム中に放置したウエハＷのス
ペクトル、図１０(b)は酸素雰囲気（酸素濃度９５％以
上）において紫外線を照射した場合のスペクトル、図１
０(c)は窒素雰囲気（窒素濃度９９％以上）において紫
外線を照射した場合のスペクトルを夫々示している。こ
のときの紫外線の強度は１００ｍＷ／ｃｍ2、照射時間
は１０秒、基板とＵＶランプ５３との間の距離Ｌは２ｍ
ｍとした。
【００５０】このスペクトルではピークの位置が有機物
の種類、ピークの大きさが有機物の付着量を夫々示して
おり、ピークの数が多く、ピークの大きさが大きいほど
有機物の付着量が多いことを示しているが、図から明ら
かなように、窒素雰囲気中で紫外線を照射した場合が最
もピークの数が少なく、ピークの大きさが小さいことが
認められた。これにより窒素雰囲気中では紫外線の照射
効率が高く、従って有機物の洗浄効率が高いことが理解
される。
【００５１】また窒素ガスを導入するという観点から上
述の実施の形態のように洗浄部と疎水化部とを同一ユニ
ット内に一体化でき、この場合には洗浄部と疎水化部と
を別個に設ける場合に比べて装置の小型化を図ることが
できる。また洗浄部と疎水化部との間のウエハＷの搬送
が不要となるので、搬送工程が省略され、さらにスルー
プットの向上を図ることができる上、洗浄部→疎水化部
のウエハＷの搬送の際の有機物の再付着等の発生が抑え
られ、ウエハＷの清浄度を保持した状態で疎水化処理を
行うことができる。
【００５２】さらに上述の実施の形態では、ＵＶランプ
５３のウエハＷに対向する側と反対側に反射板５１を設
けたので、ＵＶランプ５３から散乱する光がこの反射板
５１により反射されてウエハＷに到達するので、紫外線
の照射効率をさらに向上させることができ、洗浄時間が
より短縮される。
【００５３】以上においてこの実施の形態では、洗浄・
疎水化ユニット４を例えば図１１や図１２に示すように
構成してもよい。図１１に示す例は、蓋体４１ａに疎水
化処理ガス供給部をなすガス供給室６１と光源ユニット
６２とを組み合わせて設けた例であり、この例では蓋体
４１ａのほぼ中央にガス供給室６１が設けられ、このガ
ス供給室６１の外側に例えば環状に光源ユニット５Ｂが
設けられている。光源ユニット５Ｂは環状に形成されて
いる以外の構成は上述の実施の形態の光源ユニット５Ａ
と同様に構成されており、ガス供給室６１は下面に多数
のガス供給孔６２を備え、フレキシブルパイプからなる
ガス供給管４７を介して図示しないガス供給源に接続さ
れている。
【００５４】この例では、先ず光源ユニット５ＢのＵＶ
ランプ５３の電源をＯＮにしてウエハＷの洗浄処理を行
った後、ガス供給室６１を介してウエハＷにＨＭＤＳガ
スを供給し、疎水化処理を行う。このような構成では、
蓋体４１ａのほぼ中央部に設けられたガス供給室６１か
らウエハＷに対してＨＭＤＳガスが供給されるので、Ｈ
ＭＤＳガスがウエハＷ表面に満遍なく接触し、疎水化処
理の均一性を高めることができる。またこの例では、ウ
エハＷの中央部に紫外線を照射するように、例えばレン
ズ等の集光部材（図示せず）を設けるようにしてもよ
く、この場合には洗浄処理の均一性も向上する。
【００５５】また図１２に示す例は、疎水化処理ガス供
給部をなすガス供給ユニット６と光源ユニット５Ｃとを
蓋体４１ａに着脱自在に設け、図示しない移動機構によ
りこれらユニットを蓋体４１ａに装着する位置と、蓋体
４１ａから脱着して待機する位置との間で移動可能に構
成した例である。例えばガス供給ユニット６は上述の図
１１に示すガス供給室６１と同様に構成され、光源ユニ
ット５Ｃは図４に示す光源ユニット５Ａと同様に構成さ
れていて、これらは蓋体４１ａに形成された装着穴６３
に装着可能な大きさに形成されている。
【００５６】この例では、先ず図１２(a)に示すよう
に、蓋体４１ａに光源ユニット５Ｃを装着して所定の洗
浄処理を行った後、光源ユニット５Ｃを外し、ガス供給
ユニット６を装着して所定の疎水化処理を行う。このよ
うな構成では、蓋体４１ａのほぼ中央部に設けられた光
源ユニット５Ｃ、ガス供給ユニット６から紫外線、ＨＭ
ＤＳガスが夫々ウエハＷに対して供給されるので、洗浄
処理及び疎水化処理の均一性を高めることができる。
【００５７】続いて本発明の他の例について図１３に基
づいて説明する。この実施の形態は、カバー体７Ａ内に
洗浄処理を行う洗浄部７Ｂと疎水化処理を行う疎水化部
７Ｃとを別個に設け、これらの間で専用の搬送アームＡ
１によりウエハＷを受け渡しを行うようにしたものであ
る。
【００５８】例えば前記カバー体７Ａには基板搬送手段
ＭＡに対向する側にロードロック７Ｄ室が設けられてお
り、またカバー体７Ａ内にはロードロック室７Ｄ側から
見て手前側に洗浄部７Ｂ、奥側に疎水化部７Ｃが夫々設
けられ、これらの間に搬送アームＡ１が設けられてい
る。
【００５９】図中７０はカバー体７Ａのウエハ搬送口，
７１はロードロック室７Ｄのウエハ搬送口であり、７０
ａ，７１ａは夫々のシャッタである。ロードロック室７
Ｄ内には、基板搬送手段ＭＡと洗浄部７Ｂとの間でウエ
ハＷの受け渡しを行うための進退自在に構成された搬送
プレート７２が設けられている。
【００６０】この搬送プレート７２は図の平面図に示す
ように、例えば３本の歯を有する櫛歯状に形成され、各
歯の間からこれらの歯に干渉しないように、例えばシリ
ンダよりなる昇降機構７３ａにより昇降される例えば３
本の昇降ピン７３が突出して、基板搬送手段ＭＡとの協
動作用により当該プレート７２にウエハＷが受け渡され
るように構成されている。
【００６１】前記洗浄部７Ｂは、ウエハＷの載置部をな
す載置台７４と、この載置台７４に対向するように設け
られた光源ユニット７５とを備えている。前記載置台７
４は、当該載置台７４に対してウエハＷの受け渡しを行
うための、昇降機構７６ａにより昇降される例えば３本
の昇降ピン７６を備えており、これら昇降ピン７６は搬
送プレート７２が洗浄部７ＢにウエハＷを受け渡すため
に進入してきたときに、搬送プレート７２の各歯に干渉
しない位置に設けられている。また前記光源ユニット７
５は、例えば上述の実施の形態と同様に構成されている
（同じ部材には同符号を付してある）。この例では光源
ユニット７５と載置台７４上のウエハＷとの距離Ｌは予
め所定の値に設定されているが、光源ユニット７５を図
示しない昇降機構により昇降自在に設け、前記距離Ｌを
変化できるように構成してもよい。
【００６２】疎水化部７Ｃは、蓋体４１ａのほぼ中央部
に、フレキシブルパイプからなるガス供給管４７を介し
て図示しないガス供給源に接続されている疎水化処理ガ
ス供給部をなすガス供給部４０が設けられている以外
は、上述の図４に示す洗浄・疎水化部Ｕと同様の構成で
あり、同じ部材には同符号を付してある。またガス供給
部４０は上述の図１１のガス供給室６１と同様に構成さ
れている。
【００６３】搬送アームＡ１は、ウエハＷを保持するた
めの１枚のアーム７７を備えており、このアーム７７
は、洗浄部７Ｂと疎水化部７Ｃとの間でウエハＷの受け
渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに
回転自在に構成されている。またカバー体７Ａには、当
該カバー体７Ａ内に前記照射光を吸収しないガス例えば
窒素ガスを供給するためのバルブＶ５を備えたガス供給
管７８と、バルブＶ６を備えた排気管７９とが接続され
ている。
【００６４】このような洗浄・疎水化ユニットでは、先
ず昇降ピン７３を搬送プレート７２から突出させた状態
でロードロック室７ＤへのウエハＷの搬入を待機し、シ
ャッタ７１ａを開けて前記昇降ピン７３上にウエハＷが
受け渡された後、シャッタ７１ａを閉じ、昇降ピン７３
を下降させて搬送プレート７２上にウエハＷを載置す
る。そしてシャッタ７０ａを開いて搬送プレート７２を
カバー体７Ａ側に進入させ、プレート７２の移動が完了
してから、洗浄部７Ｂの昇降ピン７６を突出させて、こ
こにウエハＷを受け渡す。この後搬送プレート７２をロ
ードロック室７Ｄ側に退行させてシャッタ７０ａを閉じ
る。一方カバー体７ＡではバルブＶ５、Ｖ６を開き、当
該カバー体７Ａを窒素雰囲気に置換する。
【００６５】続いてカバー体内が所定の窒素濃度になっ
た状態で、ＵＶランプ５３の電源をオンにして所定の洗
浄処理を行い、次いで疎水化部７Ｃの蓋体４１ａを開い
て、搬送アームＡ１により当該疎水化部７Ｂの載置台４
２上にウエハＷを受け渡し、蓋体４１ａを閉じる。次い
でバルブＶ１，Ｖ２を開いてＨＭＤＳガスを供給し、所
定の疎水化処理を行う。
【００６６】この後ＨＭＤＳガスの導入を停止し、密閉
容器４１内を十分に排気した後、蓋体４１ａを開け、搬
送アームＡ１、洗浄部７Ｂの載置部７４、ロードロック
室７Ｄの搬送プレート７２を介してウエハＷをウエハ搬
送口７１から搬出する。
【００６７】このような実施の形態においても、上述の
実施の形態と同様の効果が得られ、さらにロードロック
室７Ｄを設けていることから、カバー体７Ａ内の窒素濃
度の調整を短時間で行うことができ、スループットの向
上を図ることができる。またこの例では、図示しないウ
エハ搬送口を設けて疎水化処理が終了したウエハＷを疎
水化部７Ｃから直接基板搬送手段ＭＡに受け渡すように
構成してもよく、この場合にはこのウエハ搬送口側に第
２のロードロック室を設けるようにしてもよい。
【００６８】ここで上述の図４，図１１，図１２に示す
実施の形態において、例えば図１４に示すように、夫々
のカバー体にロードロック室を設けるように構成しても
よい。図１４に示す例では、図４の装置のカバー体５４
と図１３の装置のロードロック室５０とを組み合わせた
例であり、このため同じ部材には同符号を付してある。
【００６９】続いて本発明の他の例について図１５，図
１６に基づいて説明する。この実施の形態は、疎水化部
８Ａと洗浄部８Ｂとを多段に棚状に設け、これらの間で
専用の搬送アームＡ２により専用の搬送路Ｅを介してウ
エハＷの受け渡しを行うようにしたものである。
【００７０】この例では２つの疎水化部８Ａと１つの洗
浄部８Ｂとが疎水化部８Ａを上にして多段に設けられて
おり、各疎水化部８Ａ、洗浄部８Ｂの基板搬送手段ＭＡ
に対応する側と異なる側に搬送アームＡ２の専用の搬送
路Ｅが形成されている。例えば洗浄部８Ｂは図１６に示
すように、基板搬送手段ＭＡに対応する位置にロードロ
ック室８Ｃを備えており、ロードロック室８Ｃの基板搬
送手段ＭＡから見て奥側に洗浄室８Ｄを備えていて、さ
らに洗浄室８Ｄの奥側に搬送アームＡ２の搬送路Ｅが形
成されている。
【００７１】ロードロック室８Ｃ及び洗浄室８Ｄは、基
板搬送手段ＭＡに対応する位置と搬送アームＡ２に対応
する位置に夫々ウエハ搬送口８１，８２が形成された棚
部８に設けられており、洗浄室８Ｄの搬送アームＡ２の
搬送路Ｅに対応する側にシャッタ８３ａを備えたウエハ
搬送口８３が形成されている。その他の構成は、例えば
疎水化部がない以外は上述の図１３に示す実施の形態と
同様に構成されており、このため同じ部材には同符号を
付してある。
【００７２】また２つの疎水化部８Ａも、基板搬送手段
ＭＡに対応する位置と搬送アームＡ２に対応する位置に
夫々ウエハ搬送口（図示せず）が形成された棚部８に設
けられており、その他の構成は、例えば洗浄部がない以
外は上述の図１３に示す実施の形態と同様に構成されて
いる。前記搬送アームＡ２は、ウエハＷを保持するため
の１枚のアーム８４を備えており、このアーム８４は、
洗浄部８Ｂと疎水化部８Ａとの間でウエハＷの受け渡し
を行うように、進退自在、昇降自在に構成されている。
【００７３】このような洗浄・疎水化ユニットＵでは、
ウエハＷをロードロック室８Ｃを介して洗浄室８Ｄに搬
送し、所定の窒素雰囲気の下、所定の洗浄処理を行う。
この後ウエハ搬送口８３を介してウエハＷを搬送アーム
Ａ２に受け渡し、シャッタ８３ａを閉じた後、搬送アー
ムＡ２により専用の搬送路Ｅを介して疎水化部８Ａに搬
送する。そして疎水化部８Ａにて所定の処理を終了した
後、ウエハＷを棚部８のウエハ搬送口を介して基板搬送
手段ＭＡに受け渡し、次工程に搬送する。
【００７４】ここでこの例では、疎水化部８Ａと洗浄部
８Ｂとは、いずれかの棚ユニットＲ１〜Ｒ３に設けるよ
うにしてもよいし、疎水化部８Ａと洗浄部８Ｂとを備え
た棚ユニットＲを別個に設けるようにしてもよい。また
１つの棚ユニットＲに設けられる疎水化部８Ａと洗浄部
８Ｂの数は上述の例に限らず、さらに専用の搬送路Ｅ
に、窒素ガスを供給し、当該搬送空間を窒素雰囲気とし
てもよい。
【００７５】このような実施の形態においても、上述の
実施の形態と同様に、紫外線の照射による有機物の除
去、窒素ガスの導入よる洗浄効率の向上等の効果が得ら
れ、複数の疎水化部８Ａと洗浄部８Ｂとを多段に配置
し、これらの間においてウエハＷを共通の搬送アームＡ
２により搬送するようにしたので、装置の小型化を図る
ことができる。また専用の搬送路Ｅを有するので、搬送
の際にウエハＷが再汚染される恐れも少ない。さらにこ
の例では棚部８に基板搬送手段ＭＡに対応するウエハ搬
送口と搬送アームＡに対応するウエハ搬送口とを別個に
設けているので、これらの間の搬送をスムースに行うこ
とができ、スループットの向上が図れる。
【００７６】以上において本発明では、疎水化処理の代
わりに、レジストを塗布する前にウエハＷの表面に反射
防止膜を形成するようにしてもよい。なお反射防止膜を
形成するのは、化学増幅型のレジストを用いると露光時
にレジストの下側で反射が起こるので、これを防止する
ためである。さらにまた本発明は、基板としてはウエハ
に限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板であっても
よい。
【００７７】
【発明の効果】本発明によれば、基板表面に光を照射す
ることにより、基板に付着した有機物等の付着物を除去
することができ、基板の均一な改質及び洗浄を行うこと
ができて、これによりレジスト液の塗布性が向上する。
この際前記光源と基板との間の光の照射空間に、前記光
を吸収しないガスを導入しているので光の照射効率が向
上し、洗浄時間が短縮され、さらに基板の酸化が抑えら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置を示
す概略平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す概観斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の棚ユニットの一例を示す
側面図である。
【図４】洗浄・疎水化ユニットの一例を示す断面図であ
る。
【図５】塗布ユニットの一例を示す断面図である。
【図６】基板搬送手段を示す断面図である。
【図７】洗浄・疎水化ユニットの作用を説明するための
断面図である。
【図８】紫外線照射による有機物除去効果を示す特性図
である。
【図９】ウエハと光源ユニットとの間の距離Ｌと有機物
除去性能の関係を示す特性図である。
【図１０】窒素雰囲気下における紫外線照射による有機
物除去効果を示す特性図である。
【図１１】洗浄・疎水化ユニットの他の実施の形態を示
す断面図である。
【図１２】洗浄・疎水化ユニットのさらに他の実施の形
態を示す断面図である。
【図１３】洗浄・疎水化ユニットのさらに他の実施の形
態を示す断面図である。
【図１４】洗浄・疎水化ユニットのさらに他の実施の形
態を示す断面図である。
【図１５】洗浄・疎水化ユニットのさらに他の実施の形
態を示す側面図である。
【図１６】前記洗浄・疎水化ユニットの断面図である。
【図１７】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図であ
る。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ Ｓ１ カセットステ−ション Ｓ２ 処理ステ−ション Ｓ３ インタ−フェイスステ−ション Ｓ４ 露光装置 Ｃ 塗布ユニット Ｄ 現像ユニット Ｕ 洗浄・疎水化ユニット Ｒ 棚ユニット ＭＡ 基板搬送手段 Ａ〜Ａ２ 搬送アーム ４１ 密閉容器 ４６ ガス供給部 ５Ａ〜５Ｃ 光源ユニット ５１ 反射板 ５３ ＵＶランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｈ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 CA01 4D075 AC64 BB20Z BB57Z DC22 EA45 4F042 AA02 AA07 DB42 DB43 DD39 DD41 DF07 DF32 EB09 EB12 EB29 5F004 AA01 AA14 AA16 BB18 BC01 BC06 BC08 BD01 CB02 CB04 DA00 DA25 DB23 EA01 5F046 CD01 CD05 CD06 HA02 HA03 JA22 LA18

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源から基板表面に光を照射して、これ
    により基板表面の付着物を除去する工程と、 次いで基板表面にレジスト液を塗布する工程と、 レジスト液の塗布された基板に対して露光処理を行う工
    程と、 露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工
    程と、を含み、 前記基板表面の付着物を除去する工程は、前記光源と基
    板との間の光の照射空間に、前記光を吸収しないガスを
    導入しながら行うことを特徴とする基板処理方法。
  2. 【請求項２】 前記基板表面の付着物を除去する工程
    と、基板表面にレジスト液を塗布する工程との間に、基
    板表面に疎水化処理ガスを供給して当該基板表面の疎水
    化処理を行う工程を行うことを特徴とする請求項１記載
    の基板処理方法。
  3. 【請求項３】 前記基板表面の付着物は有機物であるこ
    とを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理方法。
  4. 【請求項４】 前記基板表面に照射される光は紫外線で
    あることを特徴とする請求項１，２又は３記載の基板処
    理方法。
  5. 【請求項５】 前記光を吸収しないガスは不活性ガスで
    あることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の基
    板処理方法。
  6. 【請求項６】 基板に対して光を照射するための光源
    と、前記光源と基板との間の光の照射空間に、前記光を
    吸収しないガスを導入するためのガス供給部と、を備
    え、前記光源から基板表面に光を照射して、これにより
    基板表面の付着物を除去する洗浄部と、 前記洗浄部と同じ処理室内に設けられ、基板表面に疎水
    化処理ガスを供給して当該表面の疎水化処理を行う疎水
    化部と、 基板表面にレジスト液を塗布する塗布処理部と、 レジスト液の塗布された基板に対して露光処理を行う露
    光部と、 露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る現
    像処理部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  7. 【請求項７】 前記洗浄部と疎水化部とを含むユニット
    は、 基板を保持するための載置部を備えた処理容器と、 前記載置部に保持された基板に対して光を照射するため
    の光源と、 前記載置部に保持された基板に対して疎水化処理ガスを
    供給するための疎水化処理ガス供給部と、 前記光源と基板との間の光の照射空間に、前記光を吸収
    しないガスを導入するためのガス供給部と、を備え、 前記照射空間に前記光を吸収しないガスを導入しなが
    ら、前記光源より前記基板表面に対して光を照射して基
    板表面の付着物を除去し、次いで前記基板表面に対して
    疎水化処理ガスを供給して基板表面の疎水化処理を行う
    ことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 基板に対して光を照射するための光源
    と、前記光源と基板との間の光の照射空間に、前記光を
    吸収しないガスを導入するためのガス供給部と、を備え
    た洗浄部と、 基板を保持するための載置部を備えた処理容器と、前記
    載置部に保持された基板に対して疎水化処理ガスを供給
    するための疎水化処理ガス供給部と、を備えた疎水化部
    と、 前記洗浄部と疎水化部との間で基板を搬送するための基
    板搬送手段と、を備えたことを特徴とする請求項６記載
    の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 基板に対して光を照射するための光源
    と、前記光源と基板との間の光の照射空間に、前記光を
    吸収しないガスを導入するためのガス供給部と、を備
    え、前記光源から基板表面に光を照射して、これにより
    基板表面の付着物を除去する洗浄部と、 基板表面に疎水化処理ガスを供給して当該表面の疎水化
    処理を行う疎水化部と、 基板表面にレジスト液を塗布する塗布処理部と、 レジスト液の塗布された基板に対して露光処理を行う露
    光部と、 露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る現
    像処理部と、を含み、前記洗浄部と疎水化部とは別の処
    理室内に設けられ、これら洗浄部と疎水化部との間で専
    用の搬送路により基板を搬送するための搬送手段を備え
    たことを特徴とする基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記洗浄部は光源からの光を反射して
    基板表面に到達させる反射板を備えたことを特徴とする
    請求項６，７，８又は９記載の基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記基板表面の付着物は有機物である
    ことを特徴とする請求項６，７，８，９又は１０載の基
    板処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記基板表面に照射される光は紫外線
    であることを特徴とする請求項６，７，８，９，１０又
    は１１記載の基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記光を吸収しない気体は不活性ガス
    であることを特徴とする請求項６，７，８，９，１０，
    １１又は１２記載の基板処理装置。
JP2000063192A 2000-03-08 2000-03-08 基板処理方法及びその装置 Expired - Fee Related JP4054159B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000063192A JP4054159B2 (ja) 2000-03-08 2000-03-08 基板処理方法及びその装置
US09/799,562 US6620251B2 (en) 2000-03-08 2001-03-07 Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR1020010011651A KR100624292B1 (ko) 2000-03-08 2001-03-07 기판 처리방법 및 기판 처리장치
TW090105348A TW480610B (en) 2000-03-08 2001-03-07 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000063192A JP4054159B2 (ja) 2000-03-08 2000-03-08 基板処理方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001250767A true JP2001250767A (ja) 2001-09-14
JP4054159B2 JP4054159B2 (ja) 2008-02-27

Family

ID=18583096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000063192A Expired - Fee Related JP4054159B2 (ja) 2000-03-08 2000-03-08 基板処理方法及びその装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6620251B2 (ja)
JP (1) JP4054159B2 (ja)
KR (1) KR100624292B1 (ja)
TW (1) TW480610B (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005660A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007019340A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2008034740A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム
US7364771B2 (en) 2003-03-06 2008-04-29 Nippon Shokubai Co., Ltd. Method and apparatus for production of fluorine-containing polyimide film
JP2008130597A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Nikon Corp 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008532287A (ja) * 2005-02-22 2008-08-14 ザクティックス・インコーポレイテッド 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ
JP2008210980A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Toshiba Corp パターン形成方法
JP2008311618A (ja) * 2007-05-15 2008-12-25 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2009099936A (ja) * 2007-05-15 2009-05-07 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2009111050A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US20100269865A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2012059956A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Tokyo Electron Ltd レジストパターン形成方法及びその装置
JP2013074016A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及び基板の処理装置
WO2014132927A1 (ja) * 2013-03-01 2014-09-04 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び疎水化処理用記録媒体
JP2016183991A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置および基板処理装置
WO2018062362A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2018528469A (ja) * 2015-08-27 2018-09-27 ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ Ｕｖ放射が照射される液状の媒質を基板に塗布するための装置
KR20210035560A (ko) * 2019-09-24 2021-04-01 (주) 예스티 램프 모듈들을 포함하는 기판 처리 장치

Families Citing this family (352)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
JP2001185089A (ja) * 1999-12-28 2001-07-06 Quark Systems Co Ltd エキシマ照射装置
JP3590328B2 (ja) * 2000-05-11 2004-11-17 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム
US20030192577A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US20030192570A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US7226860B2 (en) * 2004-04-28 2007-06-05 Taiwan Semiconductor Manfacturing Co. Ltd. Method and apparatus for fabricating metal layer
US20060127293A1 (en) * 2004-10-12 2006-06-15 Infineon Technologies Richmond Lp System and method for processing semiconductor material using radiant energy source
US20060078481A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Infineon Technologies Richmond Lp System and method for corrosive vapor reduction by ultraviolet light
JP2006128188A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060201018A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Mckay Kevin System, apparatus and method for curing of coatings in heavy gas
US20060201017A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Ellis Gregory P System, apparatus and method for curing of coatings in heavy gas
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008192642A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
WO2008141106A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Applied Materials, Inc. Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
US20080276867A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Jason Schaller Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP4523661B1 (ja) * 2009-03-10 2010-08-11 三井造船株式会社 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP5136574B2 (ja) * 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
SG11201810824UA (en) * 2016-06-03 2019-01-30 Applied Materials Inc Effective and novel design for lower particle count and better wafer quality by diffusing the flow inside the chamber
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
JP6296189B1 (ja) * 2016-10-31 2018-03-20 日新イオン機器株式会社 加熱装置、半導体製造装置
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
US10457070B2 (en) * 2017-04-07 2019-10-29 Xerox Corporation System for treating the surfaces of three-dimensional (3D) objects prior to printing the surfaces
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
KR20190015666A (ko) * 2017-08-04 2019-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7009122B2 (ja) * 2017-09-05 2022-01-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102516339B1 (ko) 2018-04-06 2023-03-31 삼성전자주식회사 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102623544B1 (ko) 2019-06-10 2024-01-10 삼성전자주식회사 광 조사 기반 웨이퍼 세정 장치 및 그 세정 장치를 포함한 웨이퍼 세정 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI747490B (zh) * 2019-09-19 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 曝光裝置
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102319197B1 (ko) * 2019-10-31 2021-11-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
JP7407001B2 (ja) * 2020-01-24 2023-12-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
US11289325B2 (en) * 2020-06-25 2022-03-29 Tokyo Electron Limited Radiation of substrates during processing and systems thereof
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62129846A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd フオトレジストの塗布方法及び塗布装置
JP3115134B2 (ja) * 1992-11-27 2000-12-04 松下電器産業株式会社 薄膜処理装置および薄膜処理方法
US5795399A (en) * 1994-06-30 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product
TW309503B (ja) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
US6127262A (en) * 1996-06-28 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing an etch stop layer
US5863327A (en) * 1997-02-10 1999-01-26 Micron Technology, Inc. Apparatus for forming materials
US6284050B1 (en) * 1998-05-18 2001-09-04 Novellus Systems, Inc. UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7364771B2 (en) 2003-03-06 2008-04-29 Nippon Shokubai Co., Ltd. Method and apparatus for production of fluorine-containing polyimide film
JP2008532287A (ja) * 2005-02-22 2008-08-14 ザクティックス・インコーポレイテッド 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ
US9576824B2 (en) 2005-02-22 2017-02-21 Spts Technologies Limited Etching chamber with subchamber
JP4514657B2 (ja) * 2005-06-24 2010-07-28 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2007005660A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007019340A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4620536B2 (ja) * 2005-07-08 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2008034740A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム
JP2008130597A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Nikon Corp 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008210980A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Toshiba Corp パターン形成方法
KR100960412B1 (ko) 2007-05-15 2010-05-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 프로브 장치
JP2009099936A (ja) * 2007-05-15 2009-05-07 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2008311618A (ja) * 2007-05-15 2008-12-25 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
TWI424520B (zh) * 2007-05-15 2014-01-21 Tokyo Electron Ltd Detection device
JP2009111050A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US20100269865A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2012059956A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Tokyo Electron Ltd レジストパターン形成方法及びその装置
JP2013074016A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及び基板の処理装置
WO2014132927A1 (ja) * 2013-03-01 2014-09-04 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び疎水化処理用記録媒体
JP2014170806A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Tokyo Electron Ltd 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び疎水化処理用記録媒体
JP2016183991A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置および基板処理装置
US10236200B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device and substrate processing apparatus
JP2018528469A (ja) * 2015-08-27 2018-09-27 ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ Ｕｖ放射が照射される液状の媒質を基板に塗布するための装置
WO2018062362A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR20210035560A (ko) * 2019-09-24 2021-04-01 (주) 예스티 램프 모듈들을 포함하는 기판 처리 장치
KR102236594B1 (ko) 2019-09-24 2021-04-06 (주) 예스티 램프 모듈들을 포함하는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20010021486A1 (en) 2001-09-13
JP4054159B2 (ja) 2008-02-27
TW480610B (en) 2002-03-21
KR100624292B1 (ko) 2006-09-13
US6620251B2 (en) 2003-09-16
KR20010088427A (ko) 2001-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4054159B2 (ja) 基板処理方法及びその装置
KR101059307B1 (ko) 도포 현상 장치 및 도포 현상 방법
JP5014811B2 (ja) 基板の処理方法
JP3500050B2 (ja) 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム
TWI452623B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5371854B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2000070666A1 (fr) Technique de traitement et dispositif correspondant
KR101166109B1 (ko) 기판 처리 설비
US8697187B2 (en) Coating treatment method and coating treatment apparatus
TW201742111A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP4005609B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2008192844A (ja) 基板処理方法及び塗布現像処理装置
JP2011104910A (ja) テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム
JP5285515B2 (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101914483B1 (ko) 기판 가열 장치
JP2002329661A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP4319287B2 (ja) 処理装置
JP3966884B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
TWI688000B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP3027686B2 (ja) 紫外線照射装置
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP2008091653A (ja) 塗布・現像処理方法
JP3962490B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JP2004179671A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP2002158203A (ja) 基板の紫外線処理方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051013

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070508

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070515

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071207

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees