JP3027686B2

JP3027686B2 - 紫外線照射装置

Info

Publication number: JP3027686B2
Application number: JP6196517A
Authority: JP
Inventors: 訓谷口; 克己嶋治; 泰正志摩
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-08-22
Filing date: 1994-08-22
Publication date: 2000-04-04
Anticipated expiration: 2015-04-04
Also published as: JPH0864565A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置や液晶
製造装置などにおいて、半導体ウエハ、液晶用ガラス角
型基板、カラーフィルタ用基板、サーマルヘッド用基
板、フォトマスク用基板など各種基板の表面に酸素を供
給しつつ紫外線を照射することによってオゾンを発生さ
せ、基板表面に付着している有機物を分解したり基板表
面を親水化したりする紫外線照射装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板表面に紫外線を照射してオゾンを発
生させることにより、基板表面上の有機物を分解させた
り、基板表面を親水化させて後段の洗浄工程における水
洗効果を高めたりするために使用される紫外線照射装置
は、種々の型式のものが知られており、液晶製造装置の
フォトリソ工程などにおいて用いられている。この紫外
線照射装置は、図１４に示すように、外装カバー２内
に、基板１を水平姿勢に保持する基板保持手段、例えば
複数本の支持ピン３を設け、それらの支持ピン３によっ
て水平姿勢に保持された基板１の上面に対向するよう
に、外装カバー２内に紫外線照射ユニット４を配設した
基本構成を有している。そして、従来の装置では、外装
カバー２の一側方に空気取入口５を設けるとともに、そ
の空気取入口５に対向する他側方に排気口６を設けてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ここで、紫外線が照射
された処理済基板を支持ピン３の上から取り出すととも
に、未処理の基板を搬入して支持ピン３上に載置して紫
外線を照射するためには、外装カバー２に基板１の出入
口である開口８を形成する必要がある。しかしながら、
このような開口８を設けると、この開口８から外部に有
害な紫外線やオゾンが漏れるとともに、外部のミストが
開口８を介して外装カバー２の内部に入り込んで紫外線
にさらされて化学反応を起こし、外装カバー２内部に汚
れとして付着してしまう。

【０００４】そこで、本発明は、外部に紫外線やオゾン
が漏れることがなくかつ外部のミストが紫外線と化学反
応を起こして汚れとして付着することもない紫外線照射
装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の紫外線照射装置は、基板の表面に紫外線
を照射して所定の処理を行う紫外線照射装置において、
基板を支持する基板支持手段と、基板支持手段に支持さ
れた基板の表面に向けて紫外線を照射する紫外線ランプ
と、基板支持手段に支持された基板の表面に向けて酸素
を供給する酸素供給手段と、基板支持手段に支持された
基板を収容可能であるとともに、基板の出し入れのため
の開口を有する処理室と、処理室の開口に設けられこの
開口を開閉可能なシャッタと、処理室及びシャッタによ
って形成される閉空間内の気体を外部に排出する排気手
段と、酸素供給手段の供給動作を停止させるとともに紫
外線ランプを消灯させた状態で、排気手段を排気動作さ
せつつシャッタを開状態にさせる制御手段とを有するこ
とを特徴とする。

【０００６】また、請求項２の紫外線照射装置は、制御
手段が、紫外線ランプにフィラメント電流を流しつつ紫
外線ランプを消灯させることを特徴とする。

【０００７】また、請求項３の紫外線照射装置は、排気
手段が、その排気量を増減可能であるとともに、制御手
段が、酸素供給手段からの酸素の供給中、排気手段によ
る排気量を所定値まで減少させるとともに、酸素供給手
段からの酸素の供給停止後、排気手段による排気量を増
加させることを特徴とする。

【０００８】

【作用】請求項１の紫外線照射装置では、制御手段が、
酸素供給手段の供給動作を停止させるとともに紫外線ラ
ンプを消灯させた状態で、排気手段を排気動作させつつ
シャッタを開状態にさせるので、基板の交換時に、有害
な紫外線やオゾンが処理室の外部に漏れ出すことを効果
的に防止することができる。さらに、シャッタが開状態
にあるとき紫外線ランプを消灯させているので、処理室
の周囲に漂う薬液の蒸気成分などが処理室内に入り込ん
だ場合であっても、紫外線の影響によって薬液が化学変
化して処理室内に反応物質が付着するという汚染の問題
の発生を抑制できる。

【０００９】また、請求項２の紫外線照射装置では、制
御手段が、紫外線ランプにフィラメント電流を流しつつ
紫外線ランプを消灯させるので、紫外線ランプの点灯が
迅速になるとともに点灯後に輝度が安定するのに要する
時間が短くなり、処理タクトを短縮しつつかつ均一な表
面処理が可能になる。

【００１０】また、請求項３の紫外線照射装置では、制
御手段が、酸素供給手段からの酸素の供給中、排気手段
による排気量を所定値まで減少させるとともに、酸素供
給手段からの酸素の供給停止後、排気手段による排気量
を増加させる。したがって、酸素を供給しつつ紫外線を
照射して表面処理を行っている間は、処理室内の定常的
な換気によってオゾンが安定的に発生し、基板表面にオ
ゾンが安定的に供給されるので、表面処理を均一なもの
とすることができる。また、酸素の供給を停止して表面
処理を行っていない間、例えばシャッタの開放に際して
は、大排気量の排気によって有害なオゾンが処理室の開
口から漏れ出すことを防止できる。

【００１１】

【実施例】図１〜図５は実施例の紫外線照射装置の構造
を示し、図１は装置の水平方向の断面を、図２は装置の
正面側の断面を、図３は装置の左側方の断面を、図４は
制御システムのブロック図をそれぞれ示している。

【００１２】図１〜図３に示すように、この紫外線照射
装置１０は、紫外線照射下で角形の基板２０に表面処理
を施すため内部が気密に保たれるとともに外装カバーと
しても機能するチャンバ１１と、チャンバ１１の開口２
１の部分に取り付けられて基板２０をチャンバ１１外内
に出し入れする際に開放されるシャッタ１８と、表面処
理工程前および処理工程中にチャンバ１１内下方の基板
搬出位置に基板２０を水平に支持する支持ピン１２と、
表面処理工程後にチャンバ１１内上方の搬出待機位置に
基板２０を一時的に支持する横動ピン１３と、基板２０
の上面に紫外線を照射する紫外線ランプ１４と、チャン
バ１１内に処理用の酸素含有ガス（以下、Ｏ₂含有ガ
ス）を供給する第１ノズル１５と、チャンバ１１内にパ
ージ用の窒素ガス（以下、Ｎ₂ガス）を供給する第２ノ
ズル１６と、チャンバ１１のＯ₂含有ガスやＮ₂ガスを吸
引してチャンバ１１外に排出する排気口１７とを備え
る。なお、この紫外線照射装置１０は、紫外線処理用ユ
ニットとして、洗浄装置等他の表面処理用ユニットとと
もに表面処理システム内に組み込まれる。

【００１３】支持ピン１２は、互いにリンクされてお
り、これら４つの支持ピン１２は互いにリンクされてそ
の昇降駆動源であるシリンダ２２に連結されており、シ
リンダ２２によってＯＰ方向に同時に上下動するように
構成されている。すなわち、シリンダ２２は、支持ピン
１２を上下動させることにより、この支持ピン１２上の
基板２０を基板処理位置と搬出待機位置とを含む範囲で
昇降させる。なお、支持ピン１２やこれらのリンク機構
は、図示を省略するガイド機構に案内されているので、
支持ピン１２の滑らかで正確な上下往復動が可能にな
る。

【００１４】横動ピン１３は、ＱＲ方向の２個を一組と
してリンクされており、横動ピン１３の移動機構である
シリンダ２３の制御によってＳＴ方向に互いに近接した
り離間する進退動作を行うようになっている。すなわ
ち、シリンダ２３は、互いに近接して基板２０を支持す
る基板支持位置と、支持ピン１２上の基板２０の昇降を
妨げない退避位置との間で横動ピン１３を移動させる。
なお、横動ピン１３やこれらのリンク機構は、図示を省
略するガイド機構に案内されているので、横動ピン１３
の滑らかで正確な進退動作が可能になる。

【００１５】支持ピン１２を駆動するシリンダ２２と横
動ピン１３を駆動するシリンダ２３とは、支持ピン１２
上の基板２０を横動ピン１３上に受け渡す基板受け渡し
手段をして機能する。すなわち、シリンダ２３を動作さ
せて横動ピン１３を互いに近接した基板支持位置から互
いに離間した待避位置に移動させることにより、支持ピ
ン１２上の基板２０の上昇が可能となる。その後、シリ
ンダ２２を動作させて支持ピン１２上に支持された基板
２０を横動ピン１３の上端位置のわずか上方まで上昇さ
せ、シリンダ２３を動作させて横動ピン１３を待避位置
から基板支持位置に移動させ、最後にシリンダ２２を動
作させて支持ピン１２をもとの位置まで降下させる。こ
の結果、支持ピン１２上の基板２０を横動ピン１３上に
受け渡すことができる。

【００１６】紫外線ランプ１４は、２００〜４００Ｗ程
度の消費電力のもので、基板２０に紫外線を均一に照射
するため、チャンバ１１の上部に水平面内に関して均一
な密度で配置され固定されている（図面上では紫外線ラ
ンプ１４が比較的低密度のピッチで表示されているが、
実際はより高密度のピッチで配置されている）。紫外線
ランプ１４は紫外線照射ユニット内に収納されており、
紫外線ランプ１４の上方および側方を囲う反射板２４に
よって、基板２０の反対側に出射した紫外線を基板２０
側に反射して効率的な紫外線照射を可能するとともによ
り均質な紫外線照射を可能にする。なお、図２の点線で
示す基板２０は、紫外線ランプ１４の下端から約４０ｍ
ｍ程度離れた紫外線照射位置にある。この紫外線照射位
置では、照度分布が７０％〜８０％となっている。

【００１７】第１ノズル１５は、乾燥空気であるＯ₂含
有ガスを適宜チャンバ１１内に吐出する。紫外線ランプ
１４による紫外線照射下では、チャンバ１１内のＯ₂含
有ガスがオゾンに変換される。このオゾンは、基板２０
表面の有機物を分解したり、基板２０表面を親水化させ
て後段の洗浄工程における洗浄効果を高めたりする効果
がある。

【００１８】第２ノズル１６は、Ｎ₂ガスを適宜チャン
バ１１内に吐出する。第２ノズル１６からのＮ₂ガス
は、紫外線照射下でオゾンによる基板２０の表面処理が
十分に行われた後に、チャンバ１１内のオゾンをパージ
して表面処理を終了させる。

【００１９】排気口１７は、Ｏ₂含有ガスやＮ₂ガスを排
気する。この際の排気量は、２段階で増減可能になって
いる。この排気口１７からの排気量の増減により、オゾ
ンがチャンバ１１外に漏れたりすることを防止できると
ともに、第１ノズル１５からのＯ₂含有ガスまたは新鮮
なオゾンが常に基板２０に供給されるようにチャンバ１
１内に整流を形成できる。

【００２０】シャッタ１８は、基板２０を出し入れする
ための開口２１を開閉する。その開状態において、搬送
装置３０のハンド３０ａ上に吸着されて搬送されてきた
基板２０をチャンバ１１内に搬入したり、チャンバ１１
内の基板２０をハンド３０ａ側に搬出することを可能に
する。また、閉状態においては、チャンバ１１を気密状
態に保ってオゾンなどの気体及び紫外線などの光の出入
りを防止する。

【００２１】図４に示すように、紫外線照射装置１０お
よび搬送装置３０の制御システムは、全体の動作を制御
するＣＰＵ１９を備える。このＣＰＵ１９は、図示を省
略してある入力装置、メモリ、各種ディテクタなどから
の入力信号に基づいて、ＵＶランプ制御回路２９、ガス
供給制御機構３９、排気制御機構４９、シャッタ制御機
構５９、支持ピン制御機構６９、横動ピン制御機構７９
およびハンド制御機構８９に指令信号を出力する。

【００２２】ＵＶランプ制御回路２９は、ＣＰＵ１９か
らの信号に基づいてフィラメント給電用の一次電源と点
灯用の二次電源とを備える駆動回路を制御し、紫外線ラ
ンプ１４の迅速な点灯と安定した紫外線放射を達成す
る。

【００２３】ガス供給制御機構３９は、ＣＰＵ１９から
の信号に基づいて、第１ノズル１５からＯ₂含有ガスを
吐出させたりこれを停止させたりし、第２ノズル１６か
らＮ₂ガスを吐出させたりこれを停止させたりする。

【００２４】排気制御機構４９は、ＣＰＵ１９からの信
号に基づいてシーケンシャルダンパ（図示を省略してあ
るが、排気口１７と負圧発生装置との間の排気管に設け
た電磁弁等を電気信号に応じて開閉動作させるものであ
る）を制御し、チャンバ１１内のオゾン、Ｏ₂含有ガ
ス、Ｎ₂ガスなどの排気量を２段階で適宜調節する。な
お、オゾンが含まれるガスに関しては、外部への排出に
際して適当な安全処理を施すことによって人害が防止さ
れる。

【００２５】シャッタ制御機構５９は、ＣＰＵ１９から
の信号に基づいてシャッタ１８を開閉動作させ、その開
状態では、チャンバ１１内と搬送装置３０との間で基板
２０の受け渡しを可能にし、その閉状態では、チャンバ
１１内の気密性を保ってチャンバ１１内のオゾンや紫外
線が外部に漏れることを防止するとともに外気や処理液
のミストがチャンバ１１内に侵入することを防止する。

【００２６】支持ピン制御機構６９は、ＣＰＵ１９から
の信号に基づいてシリンダ２２の動作を制御し、４つの
支持ピン１２を同時に上下動させる。この上下動によ
り、支持ピン１２と横動ピン１３との間で基板２０の簡
易な受け渡しが可能になる。横動ピン制御機構７９は、
ＣＰＵ１９からの信号に基づいてシリンダ２３の動作を
制御し、左右一対の横動ピン１３を同時に水平方向に進
退させる。

【００２７】ハンド制御機構８９は、ＣＰＵ１９からの
信号に基づいてハンド３０ａなどの動作を制御し、チャ
ンバ１１中の支持ピン１２上に未処理基板を載置した
り、横動ピン１３上の処理済基板をチャンバ１１外に搬
出する。なお、ここで未処理基板とは、紫外線照射下で
の表面処理が終了していない未処理または処理中の基板
２０を言い、処理済基板とは、紫外線照射下で表面処理
を終了した基板３０のことを言いう。

【００２８】図５は、紫外線ランプ１４とその駆動回路
とを具体的に示す図である。紫外線ランプ１４は、対向
配置された２つのフィラメント電極１４ａ、１４ａを有
しており、各フィラメント電極１４ａにはフィラメント
給電回路２４が接続されている。このフィラメント給電
回路２４は一次電源２４ａとスイッチ２４ｂとからな
り、紫外線照射装置１０が動作している間スイッチ２４
ｂは常時閉状態であり、フィラメント電極１４ａにフィ
ラメント電流が流れている。２つのフィラメント電極１
４ａ、１４ａの間には、ランプ給電回路３４が接続され
ている。このランプ給電回路３４は、交流電源３４ａお
よび直流電源３４ｂからなる二次電源と、安定器３４ｃ
と、スイッチ３４ｄとからなり、ＵＶランプ制御回路２
９からの信号に応じてスイッチ３４ｄが開閉動作し、そ
の結果、紫外線ランプ１４を点灯・消滅するようになっ
ている。この場合、フィラメント電極１４ａに常時フィ
ラメント電流が流れているので、所定の紫外線照射時間
が経過して紫外線ランプ１４を一旦消灯した後であって
も、再度の点灯が迅速なものとなりかつ輝度が短時間で
安定する。したがって、紫外線照射下での表面処理を均
一なものとしたままで、その処理時間を短縮することが
できる。よって、紫外線処理装置ないし表面処理システ
ム全体における処理タクトを効果的に短縮できる。

【００２９】図６〜図８は、実施例の紫外線照射装置１
０の動作を模式的に説明したものである。

【００３０】図６（ａ）に示すように、基板２０は支持
ピン１２上に載置されて基板処理位置にある。まずシャ
ッタ１８を閉じて紫外線ランプ１４を点灯した状態で、
適量のオゾンの発生に必要なＯ₂含有ガスを第１ノズル
１５からチャンバ１１内に吐出させ、支持ピン１２上の
基板２０の表面側に供給する。これにより基板２０の表
面に適量のオゾンが供給されて基板２０の表面処理が進
行する。この際、排気口１７からは比較的少量の排気が
行われる。これは、オゾンがチャンバ１１外に漏れるこ
とを防止するとともに、Ｏ₂含有ガスやオゾンの整流を
支持ピン１２上に支持された基板２０の表面に形成して
均一な処理を達成するためである。

【００３１】図６（ｂ）に示すように、所定の処理時間
を経過した後は、Ｏ₂含有ガスの吐出を停止させて第２
ノズル１６からＮ₂ガスを吐出させ始める。この際、排
気口１７からは比較的多量の排気が行われる。これは、
オゾンを人害のないＮ₂ガスに置換するパージによって
表面処理を停止させるとともに、オゾンがチャンバ１１
外に漏れることを防止するためである。これと同時に、
支持ピン１２が上昇して基板２０が上方の受け渡し位置
側に位置させられる。

【００３２】図６（ｃ）に示すように、その後、一対の
横動ピン１３を互いに近接するよう内側方向に移動させ
る。

【００３３】図７（ａ）に示すように、横動ピン１３の
移動が完了した後、支持ピン１２が降下して基板２０が
横動ピン１３上に載置される。これにより、支持ピン１
２から横動ピン１３への基板２０の移載が完了し、基板
２０が一時的に搬出待機位置にセットされる。これと相
前後して、第２ノズル１６からのＮ₂ガスの吐出を停止
させる。この吐出停止は、オゾンのパージが十分完了す
る時期とする。

【００３４】図７（ｂ）に示すように、紫外線ランプ１
４の二次電源のみをオフ（ＯＦＦ）として紫外線ランプ
１４の発光を停止させ、これと同時にシャッタ１８の開
動作を開始する。紫外線ランプ１４の発光停止とシャッ
タ１８の開動作を同期させているのは、シャッタ１８の
開放によって有害な紫外線がチャンバ１１外に漏れるこ
とを防止するとともに、紫外線ランプ１４の発光停止時
間を極力短縮してその動作の安定性をさらに高めるため
である。なお、シャッタ１８の開放によってクリーンル
ーム内を漂っている薬液のミストや蒸気成分がチャンバ
１１内に侵入する虞が生じるが、紫外線ランプ１４の発
光が停止しているので、チャンバ１１内で薬液が化学反
応することによって汚染成分が付着する弊害を十分に抑
制することができる。

【００３５】図７（ｃ）に示すように、未処理の基板１
２０が載置されたハンド３０ａをチャンバ１１内に進入
させ、符号〜に示すように動作させて未処理の基板
１２０を支持ピン１２上の基板処理位置に載置する。こ
れにより、未処理の基板１２０のチャンバ１１内への搬
入が完了する。

【００３６】図８（ａ）に示すように、基板１２０の搬
入完了直後のハンド３０ａをチャンバ１１内に再度進入
させ、符号〜に示すように動作させて処理済みの基
板２０を横動ピン１３上の搬出待機位置からハンド３０
ａ側に移載してチャンバ１１外へ搬出する。

【００３７】図８（ｂ）に示すように、横動ピン１３が
互いに離れるよう外側方向に移動させる。これと同時
に、シャッタ１８を閉動作させる。以上により、処理済
みの基板２０と未処理の基板１２０の交換が終了し、未
処理の基板１２０の処理が可能な状態となる。この際、
排気口１７からの排気を比較的少量に切替える。

【００３８】図８（ｃ）に示すように、シャッタ１８を
閉じた状態で紫外線ランプ１４の点灯を開始する。以
後、図６（ａ）の工程に戻って上記の手順を繰返す。

【００３９】図９および図１０は、ハンド３０ａの動き
を説明した図である。

【００４０】図９（ａ）に示すように、処理済みの基板
２０を支持ピン１２から横動ピン１３上の搬出待機位置
に移載して搬出の準備が完了するまで、未処理の基板１
２０を載置したハンド３０ａをチャンバ１１の前に待機
させた状態とする（この状態は、図７（ａ）や図７
（ｂ）に対応するが、同図中ではハンド３０ａの図示を
省略してある）。図９（ｂ）に示すように、未処理の基
板１２０を載置したハンド３０ａをチャンバ１１内に進
入させ、処理済みの基板２０の直下まで移動させる。図
９（ｃ）に示すように、ハンド３０ａを降下させて、支
持ピン１２上に未処理の基板１２０を移載する（この状
態は、図７（ｃ）に対応する）。図９（ｄ）に示すよう
に、ハンド３０ａをチャンバ１１外側に一時的に後退さ
せる。図１０（ａ）に示すように、一時的に後退させた
ハンド３０ａを処理済みの基板２０の直下の水準まで上
方に移動させる。図１０（ｂ）に示すように、基板が載
置されていないハンド３０ａをチャンバ１１内に再度進
入させ、処理済みの基板２０の直下まで移動させる。図
１０（ｃ）に示すように、ハンド３０ａを上昇させて、
横動ピン１３上の処理済みの基板２０をハンド３０ａ側
に移載する（この状態は、図８（ａ）に対応する）。図
１０（ｄ）に示すように、処理済みの基板２０が載置さ
れたハンド３０ａをチャンバ１１外に後退させる。

【００４１】以上のような手順でハンド３０ａを動作さ
せることにより、未処理の基板１２０を予めチャンバ１
１中の支持ピン１２上の基板処理位置に受け渡した後に
横動ピン１３上の搬出待機位置にある処理済みの基板２
０をチャンバ１１外に搬出することができるので、紫外
線照射装置１０と、洗浄装置、カセットなど他の表面処
理ユニットとの間での基板２０、１２０の受け渡しに関
して、処理タクトを短縮できる。さらに、基板交換に際
して、未処理の基板１２０が処理済みの基板２０やハン
ド３０ａの上に位置することがないので、未処理の基板
１２０から処理済みの基板２０へのパーティクルの落下
を防止することができる。

【００４２】図１１は、処理タクトの短縮を説明する図
である。時間軸ｔの上側は従来方法による基板交換を示
す図であり、時間軸ｔの下側は図１の装置による基板交
換を示す図である。従来の場合、処理済みの基板をチャ
ンバから搬出し（時間Ｍ）、次の工程に対応するカセッ
ト内に収納し（時間Ｎ）、未処理の基板を前の工程に対
応するカセット内から搬出し（時間Ｋ）、チャンバ内に
セットする（時間Ｌ）。一方、図１の装置の場合、未処
理の基板を予めカセット内から搬出してチャンバの前で
待機させておき（時間Ｋに対応するが、チャンバ内での
基板処理時間と重複しているため処理タクトに影響しな
い）、処理終了後に未処理の基板をチャンバにセットす
る（時間Ｌ）。続いて、処理済みの基板をチャンバから
搬出し（時間Ｍ）、カセット内に収納する（時間Ｎに対
応するが、チャンバ内での基板処理時間と重複している
ためタクトに影響しない）。したがって、基板処理と基
板交換を部分的に並列的に行うこととなり、実質的に基
板交換時間を時間Ｋ＋Ｎだけ短縮できるので、表面処理
における処理タクトを短くすることができる。なお、搬
送装置３０を２個のハンドを重ねた二重タイプのものと
することによっても同様に処理タクトを短縮することが
できるが、このような二重タイプのハンドではコストが
増大するという問題がある。

【００４３】図１２は、紫外線照射装置１０と搬送装置
３０の動作を説明するタイムチャートである。「ＵＶラ
ンプ」は紫外線ランプ１４の動作を示し、「Ｏ₂パー
ジ」は第１ノズル１５の吐出動作を示し、「Ｎ₂パー
ジ」は第２ノズル１６の吐出動作を示し、「排気」は排
気口１７からの吸引の大小を示し、「シャッタ」はシャ
ッタ１８の開閉を示し、「支持ピン」は支持ピン１２の
上下動を示し、「横動ピン」は横動ピン１３の移動を示
し、「ハンド」はハンド３０ａの動作を示す。なお、ハ
ンドの状態Ａ〜Ｈは、図９（ａ）〜（ｄ）と図１０
（ａ）〜（ｄ）の状態にそれぞれ対応している。

【００４４】図１３は、図１に示すハンド３０ａの変形
例である。このハンド１３０は、処理済みと未処理の基
板２０、１２０で２種の吸着パッド２３０ａ、２３０ｂ
を使い分ける。これは、未処理の基板に接触した吸着パ
ッドによって処理済みの基板２０が汚染されることを防
止したものである。図１３（ａ）は、処理済みの基板２
０を支持する場合を示し、図１３（ｂ）は、未処理の基
板１２０を支持する場合を示す。図示のように、基板２
０は吸着パッド２３０ａによって吸着支持され、基板１
２０は吸着パッド２３０ｂによって吸着支持される。吸
着パッド２３０ａ、２３０ｂは、図示を省略する昇降機
構によって上下に往復動する。吸着パッド２３０ａ、２
３０ｂによる基板２０、１２０の吸着・離脱は、吸着パ
ッド２３０ａ、２３０ｂの吸引孔と、真空発生源および
大気との間を接続する配管に形成されたバルブ３３０
ａ、３３０ｂの開閉を制御することによって行う。

【００４５】

【発明の効果】以上説明のように、請求項１の紫外線照
射装置によれば、制御手段が、酸素供給手段の供給動作
を停止させるとともに紫外線ランプを消灯させた状態
で、排気手段を排気動作させつつシャッタを開状態にさ
せるので、基板の交換時に、有害な紫外線やオゾンが処
理室の外部に漏れ出すことを効果的に防止することがで
きる。さらに、シャッタが開状態にあるとき紫外線ラン
プを消灯させているので、処理室の周囲に漂う薬液の蒸
気成分などが処理室内に入り込んだ場合であっても、紫
外線の影響によって薬液が化学変化して処理室内に反応
物質が付着するという汚染の問題の発生を抑制できる。

【００４６】また、請求項２の紫外線照射装置によれ
ば、制御手段が、紫外線ランプにフィラメント電流を流
しつつ紫外線ランプを消灯させるので、紫外線ランプの
点灯が迅速になるとともに点灯後の輝度の安定が早くな
り、処理タクトを短縮しつつかつ均一な表面処理が可能
になる。

【００４７】また、請求項３の紫外線照射装置によれ
ば、制御手段が、酸素供給手段からの酸素の供給中、排
気手段による排気量を所定値まで減少させるとともに、
酸素供給手段からの酸素の供給停止後、排気手段による
排気量を増加させる。したがって、酸素を供給しつつ紫
外線を照射して表面処理を行っている間は、処理室内の
定常的な換気によってオゾンが安定的に発生し、基板表
面にオゾンが安定的に供給されるので、表面処理を均一
なものとすることができる。また、酸素の供給を停止し
て表面処理を行っていない間、例えばシャッタの開放に
際しては、急速な排気によって有害なオゾンが処理室の
開口から漏れ出すことを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】紫外線照射装置及び搬送装置の平面構造を示す
図である。

【図２】図１の紫外線照射装置の正面構造を示す図であ
る。

【図３】図１の紫外線照射装置の側面構造を示す図であ
る。

【図４】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の制御シス
テムを示すブロック図である。

【図５】図１の紫外線照射装置に組み込まれる紫外線ラ
ンプ及びその駆動回路を示す図である。

【図６】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の動作を説
明する図である。

【図７】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の動作を説
明する図である。

【図８】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の動作を説
明する図である。

【図９】図１の搬送装置の動作を説明する図である。

【図１０】図１の搬送装置の動作を説明する図である。

【図１１】図１の基板交換の動作を説明する図である。

【図１２】図１の基板処理及び基板交換の動作を説明す
る図である。

【図１３】搬送装置のハンドの変形例を説明する図であ
る。

【図１４】従来の紫外線照射装置を説明する図である。

【符号の説明】

１０紫外線照射装置１１チャンバ１２支持ピン１３横動ピン１４紫外線ランプ１５第１ノズル１６第２ノズル１７排気口１８シャッタ２０基板３０搬送装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き審査官八木誠 (56)参考文献特開昭63−266834（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に紫外線を照射して所定の処
理を行う紫外線照射装置において、基板を支持する基板支持手段と、前記基板支持手段に支持された基板の表面に向けて紫外
線を照射する紫外線ランプと、前記基板支持手段に支持された基板の表面に向けて酸素
を供給する酸素供給手段と、前記基板支持手段に支持された基板を収容可能であると
ともに、基板の出し入れのための開口を有する処理室
と、前記処理室の開口に設けられ、この開口を開閉可能なシ
ャッタと、前記処理室及び前記シャッタによって形成される閉空間
内の気体を外部に排出する排気手段と、前記酸素供給手段の供給動作を停止させるとともに前記
紫外線ランプを消灯させた状態で、前記排気手段を排気
動作させつつ前記シャッタを開状態にさせる制御手段
と、を有することを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記紫外線ランプにフ
ィラメント電流を流しつつ前記紫外線ランプを消灯させ
ることを特徴とする請求項１記載の紫外線照射装置。
【請求項３】前記排気手段は、その排気量を増減可能
であるとともに、前記制御手段は、前記酸素供給手段か
らの酸素の供給中、前記排気手段による排気量を所定値
まで減少させるとともに、前記酸素供給手段からの酸素
の供給停止後、前記排気手段による排気量を増加させる
ことを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれか記載
の紫外線照射装置。