TWI452623B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Kenji Yamada
Hiroyuki Araki
Koji Ando
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Mitsubishi Gas Chemical Co
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板施行處理的基板處理裝置及基板處理方法。成為處理對象的基板係包括有例如：半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
諸如半導體裝置、液晶顯示裝置等的製造步驟中，執行對諸如半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板等基板，使用處理液施行處理。
例如日本專利特開2007-318016有記載：施行斜面蝕刻的單片式(a single substrate treatment type)基板處理裝置。該基板處理裝置具備有：將基板保持呈水平並使圍繞鉛直軸線進行旋轉的旋轉夾具；以及在由旋轉夾具所保持的基板下面中央部呈相對向的下面噴嘴。從下面噴嘴所吐出的藥液係供給至旋轉狀態的基板下面中央部。然後，對供給至基板下面中央部的藥液，利用基板的旋轉而沿基板下面朝外邊擴大，並在基板周端面傳遞再繞入於基板的上面周緣部。藉此便對基板的上面周緣部全域供給藥液。
同樣的，日本專利特開2007-142077有記載：施行斜面蝕 刻的單片式基板處理裝置。該基板處理裝置係具備有：將基板保持呈水平並使圍繞鉛直軸線進行旋轉的旋轉夾具；以及與由旋轉夾具所保持基板的上面周緣部呈相對向的周緣處理噴嘴。從周緣處理噴嘴所吐出的藥液，供給至旋轉狀態的基板上面周緣部。藉此對基板的上面周緣部全域供給藥液。
再者，美國專利申請案公開No.2006/0151008A1有記載：使用高黏度液體對基板施行洗淨(clean)的洗淨方法。該洗淨方法中，高黏度液體係供給至基板上面。然後，基板開始旋轉。供給至基板上面的液體係利用基板的旋轉而在基板上朝外邊移動。藉此，高黏度液體從基板排出。附著於基板上面的異物會與高黏度液體一起從基板排出。藉此，異物從基板除去。
日本專利特開2007-318016及日本專利特開2007-142077所記載的基板處理裝置，供給至基板上面周緣部的藥液係利用基板的旋轉而被朝外邊排出。所以，在利用藥液對基板施行處理期間，均必需使從噴嘴吐出藥液。藉此，維持基板上面周緣部與藥液呈相接觸狀態，且將具有充分處理能力的藥液持續供給至基板上面周緣部。然而，若從噴嘴持續吐出藥液，則藥液消耗量會增加。
另一方面，美國專利申請案公開No.2006/0151008A1所記載的洗淨方法，係將高黏度液體供給至基板上面。因為液體的黏度較高，因而可將該液體保持於基板上。所以，即便 未持續將高黏度液體供給基板，仍可維持基板與液體相接觸的狀態。藉此，可降低液體的消耗量。然而，該洗淨方法係當在基板上面所附著的異物牢固地附著於基板時，會有無法將異物從基板除去的情況。
為能降低藥液的消耗量，且從基板確實地去除異物，例如有考慮將能溶解基板的高黏度藥液供給至基板之方法。根據此方法，因為藥液的黏度較高，因而可使藥液保持於基板。藉此，可降低藥液的消耗量。更，藉由使基板與藥液進行反應，而溶解基板其中一部分，可將基板所附著的異物一起與基板其中一部分從基板上剝離(剝脫)。藉此，可從基板將異物確實地除去。
然而，該方法中，因為基板所接觸的藥液並未取代為新的藥液，因而在使基板與藥液進行充分反應時頗耗時間，會有無法確保充分處理速度的情況。雖有考慮在基板與藥液進行充分反應之前均使基板位於該地方(供給藥液的位置)，但此情況在被供給藥液的基板被搬出之前，並無法對後續基板供給高黏度藥液。所以，會導致產能(每單位時間的基板處理片數)降低。
緣是，本發明目的在於提供：可降低藥液的消耗量，可抑制或防止產能降低的基板處理裝置及基板處理方法。
本發明一實施形態所提供的基板處理裝置，係包括有：第 1處理室及第2處理室、第1基板保持單元、藥液供給單元、基板搬送單元、及第2基板保持單元；其中，該第1基板保持單元係利用上述第1處理室保持基板；該藥液供給單元係將含有蝕刻成分與增黏劑的藥液，供給至由上述第1基板保持單元所保持的基板；該基板搬送單元係在上述藥液保持於上述基板的狀態下，將該基板從上述第1處理室搬送(transfer)至上述第2處理室；該第2基板保持單元係將保持上述藥液的複數片基板，利用上述第2處理室保持。
根據此構造，含有蝕刻成分與增黏劑的藥液，利用第1基板保持單元供給至由第1處理室所保持的基板。然後，在藥液由基板所保持的狀態下，該基板利用基板搬送單元被從第1處理室搬送至第2處理室。然後，重複執行此種動作，保持有藥液的複數片基板被搬入於第2處理室中。被搬入於第2處理室中的複數片基板，依保持藥液的狀態，由第2基板保持單元所保持。然後，從在第2處理室中的滯留時間到達既定時間開始起，依序將由第2基板保持單元所保持的複數片基板從第2處理室中搬出。依此的話，基板的處理可不停滯地進行。
對基板所供給藥液的黏度會因增黏劑的添加而增加。即，因增黏劑的添加會導致藥液的流動性降低。所以，即便未持續對基板供給藥液，仍可維持利用藥液覆蓋基板的狀態。藉此，可降低藥液的消耗量。又，因為蝕刻成分含於藥液中， 因而可使諸如微粒等附著於基板的異物，一起與基板其中一部分從基板剝離(剝脫)，或利用蝕刻成分溶解異物而從基板上除去。藉此，可從基板確實地去除異物。
如前述，在第1處理室中被供給藥液的基板，係依保持藥液的狀態，被從第1處理室搬送至第2處理室，更依保持藥液的狀態，在第2處理室中保持既定時間。所以，可充分確保基板與藥液進行反應的時間。又，因為基板與藥液的反應係除在第1處理室之外亦會進行，因而在基板與藥液進行反應的期間，在第1處理室中可對後續基板供給藥液。藉此，可抑制或防止產能(每單位時間的基板處理片數)降低。
上述基板處理裝置亦可更進一步含有：第3處理室、在上述第3處理室中保持有基板的第3基板保持單元、以及對由上述第3基板保持單元所保持的基板供給清洗液之清洗液供給單元。此情況，上述基板搬送單元亦可構成為從上述第2處理室將基板搬送至上述第3處理室的構造。
根據此構造，在第2處理室中經保持既定時間的基板，利用基板搬送單元被從第2處理室搬送至第3處理室。即，在第2處理室中充分與藥液進行反應的基板，被搬入於第3處理室。然後，對利用第3基板保持單元在第3處理室中保持的基板供給清洗液。藉此，由基板所保持的藥液利用清洗液進行沖洗。依此，因為藥液的供給、基板與藥液的反應、以及藥液的除去均在各自的處理室中實施，因而可抑制或防 止各處理室內的構造複雜化。
上述藥液供給單元亦可構成為對由上述第1基板保持單元所保持的基板主面(major surface)全域，供給上述藥液的構造。又，上述藥液供給單元亦可構成為對由上述第1基板保持單元所保持的基板主面，部分性供給上述藥液的構造。當屬於表層未形成薄膜之基板(例如裸晶圓)的情況，基板的主面為基板自體的面。又，當屬於表層有形成薄膜之基板的情況，基板主面可為薄膜的外面，亦可為薄膜的基底外面。藉由對基板主面部分性供給藥液，相較於對基板主面全域供給藥液的情況下，可降低藥液的消耗量。
再者，當對基板主面部分性供給藥液的情況，供給藥液的範圍係可為依每個基板所設定的範圍。具體而言，上述基板處理裝置係更進一步含有：用以測定附著於基板主面之異物位置之異物測定單元，而上述藥液供給單元亦可構成為在上述主面對含有異物的範圍供給上述藥液的構造。根據此種構造，因為對含有異物的範圍可確實地供給藥液，因而可將基板所附著的異物確實地除去。又，因為可僅對含有異物的範圍供給藥液，因而可抑制或防止對不需要藥液供給的範圍亦供給藥液。藉此，可抑制或防止不需要藥液供給的範圍因藥液而造成的影響。
再者，當利用上述異物測定單元測定附著於基板主面之異物位置的情況，異物的測定係可在第1處理室、第2處理室、 及第3處理室中任一室中實施，亦可在不同於該等處理室的其他地方實施。具體而言，上述基板處理裝置係更進一步含有利用上述異物測定單元，用以測定附著於基板之異物位置的測定室；而上述基板搬送單元亦可構成為從上述測定室將基板搬送於上述第1處理室的構造。根據此種構造，因為利用異物測定單元進行的異物測定，係在第1處理室、第2處理室、及第3處理室之外的不同地方實施，因而可抑制或防止各處理室內的構造複雜化。
再者，當對基板主面部分性供給藥液的情況，藥液所供給的範圍可為預定範圍。具體而言，上述藥液供給單元係可構成為對上述主面的預定範圍供給上述藥液。上述主面的預定範圍可為上述主面的周緣部。根據此種構造，因為藥液所供給的範圍係預定，因而可不需要依每片基板更改藥液的供給位置。
本發明另一實施形態所提供的基板處理方法，係包括有：將含有蝕刻成分與增黏劑的藥液供給至基板，並使該藥液保持於上述基板之藥液供給步驟；在施行上述藥液供給步驟之後，在上述藥液由上述基板所保持狀態下，搬送該基板之搬送步驟；以及在施行上述搬送步驟之後，進行保持有上述藥液的基板、與上述藥液間之反應的反應處理步驟。上述蝕刻成分係可為氫氟酸與過氧化氫的混合物、或氫氧化銨與過氧化氫的混合物。上述增黏劑係可從甲基纖維素、羧甲基纖維 素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉及聚乙烯醇中選擇1種以上。根據此方法，可達與前述效果同樣的效果。
本發明的前述或其他目的、特徵及效果，參照所附圖式利用以下所述的實施形態說明便可清楚明瞭。
 [第1實施形態]
圖1所示係本發明第1實施形態的基板處理裝置1之配置圖解平面圖。
基板處理裝置1係利用諸如藥液、清洗液等處理液，對諸如半導體晶圓等圓形基板W每次一片施行處理的單片式基板處理裝置。基板處理裝置1係具備有：索引器區2、結合於索引器區2的處理區3、以及對基板處理裝置1所設置裝置的動作與閥之開閉進行控制之控制裝置4。
索引器區2係具備有：載具保持部5、索引機器人IR(基板搬送單元)、及IR移動機構6。載具保持部5係保持可收容複數片基板W的載具C。複數載具C係依在水平載具排列方向U排列的狀態保持於載具保持部5中。IR移動機構6係使索引機器人IR在載具排列方向U移動。索引機器人IR係進行將基板W搬入由載具保持部5所保持載具C的搬入動作、以及將基板W從載具C中搬出的搬出動作。基板W係利用索引機器人IR被呈水平姿勢地搬送。
另一方面，處理區3係具備有：對基板W施行處理的複 數(例如4以上)的處理單元7、以及中央機器人CR(基板搬送單元)。複數處理單元7係配置呈俯視包圍中央機器人CR的狀態。複數處理單元7係包括有：對基板W供給藥液的藥液供給單元7a、使基板W與藥液進行反應的反應單元7b、以及將對基板W供給的藥液施行沖洗之清洗單元7c。中央機器人CR係進行將基板W搬入處理單元7中的搬入動作、以及將基板W從處理單元7中搬出的搬出動作。又，中央機器人CR係在複數處理單元7間進行基板W的搬送。基板W係利用中央機器人CR被依水平姿勢搬送。中央機器人CR係從索引機器人IR收取基板W，並將基板W讓渡給索引機器人IR。
圖2所示係本發明第1實施形態的藥液供給單元7a之概略構造示意圖。圖3所示係本發明第1實施形態的藥液噴嘴9、及其相關聯構造的平面圖。圖4係本發明第1實施形態的藥液噴嘴9、及其相關聯構造的側視圖。
藥液供給單元7a係具備有：水平保持基板W並使旋轉的第1旋轉夾具8(第1基板保持單元)；對由第1旋轉夾具8所保持基板W的上面，供給藥液的藥液噴嘴9(藥液供給單元)；配置於由第1旋轉夾具8所保持基板W的上面附近之近接構件10；對基板W與近接構件10之間供給氮氣的氮氣噴嘴11；以及收容著第1旋轉夾具8、藥液噴嘴9、近接構件10、及氮氣噴嘴11的第1腔12(第1處理室)。
第1旋轉夾具8係包括有：水平保持基板W，並可圍繞通過該基板W中心的鉛直軸線進行旋轉之圓盤狀旋轉基座13；以及使該旋轉基座13圍繞鉛直軸線進行旋轉的旋轉馬達14。第1旋轉夾具8係可為朝水平方向夾置著基板W且將該該基板W保持呈水平的挾持式夾具，亦可為利用吸附屬於非裝置形成面之基板W背面(rear surface下面)，而將該基板W呈水平保持的真空式吸盤。第1實施形態中，第1旋轉夾具8係屬於挾持式夾具。
藥液噴嘴9係連接於介設(interpose)有藥液閥15的藥液供給管16。對藥液噴嘴9的藥液供給係利用藥液閥15的開閉進行控制。噴嘴移動機構17係使藥液噴嘴9在處理位置(圖2~圖4所示位置)與待機位置之間進行移動。處理位置係從藥液噴嘴9吐出的藥液，朝由第1旋轉夾具8所保持基板W上面供給的位置；待機位置係遠離第1旋轉夾具8的位置。第1實施形態的藥液噴嘴9之處理位置係從藥液噴嘴9所吐出藥液，供給至基板W上面周緣部的一定位置。藥液噴嘴9的處理位置並不僅侷限於一定位置，亦可為包含有從藥液噴嘴9所吐出藥液供給至基板W上面的複數位置。即，藥液噴嘴9的處理位置係可為從藥液噴嘴9所吐出藥液，供給至基板W上面任一位置的一定範圍。
供給藥液噴嘴9的藥液係經利用增黏劑調整黏度的高黏度蝕刻液。藥液的黏度係依當對依例如數百rpm以下的旋 轉速度進行旋轉之基板W上面，於室溫(20℃~30℃)中供給藥液時，藥液幾乎不會移動偏離對基板W所供給位置，藥液停留於該地方的方式進行調整。藥液的具體黏度範圍係100mPa．s~100Pa．s、較佳係1~70Pa．s、更佳係3~50Pa．s範圍。藥液係含有蝕刻成分與增黏劑。蝕刻成分係將基板W、或微粒等附著於基板W的異物予以溶解之液體。另外，此處所謂「基板W」係可為表層未形成薄膜的基板(例如裸晶圓)、亦可為表層有形成薄膜的基板。所謂「溶解基板W的蝕刻成分」係可為溶解基板自體(例如裸晶圓)的成分，亦可為溶解在基板W表層所形成薄膜的成分。增黏劑係與蝕刻成分相混合。藥液一例係有如：氫氟酸與過氧化氫的混合物、或氫氧化銨與過氧化氫的混合物、與從甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉及聚乙烯醇中至少一種的混合物。氫氟酸與過氧化氫的混合物、及氫氧化銨與過氧化氫的混合物均屬於蝕刻成分之一例，而甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉及聚乙烯醇中之至少一者係屬於增黏劑一例。
近接構件10係具有可覆蓋至少基板W上面周緣部其中一部分的大小。近接構件10可為俯視較大於基板W，亦可為俯視較小於基板W。第1實施形態中，近接構件10係俯視較小於基板W的板狀構件。近接構件10係具有平坦下面。未圖示移動機構係使近接構件10在處理位置(圖2~圖4所 示位置)與待機位置之間進行移動。處理位置係近接構件10的下面靠近基板W的上面，且基板W的上面周緣部其中一部分由近接構件10所覆蓋的位置。待機位置係遠離第1旋轉夾具8的位置。近接構件10的處理位置係設置於藥液噴嘴9的處理位置內邊(靠近基板W旋轉軸線的方向)。近接構件10的處理位置、與藥液噴嘴9的處理位置係相靠近。所以，在藥液噴嘴9與近接構件10分別位於各自的處理位置狀態時，近接構件10係位於藥液噴嘴9的內邊，而藥液噴嘴9與近接構件10係相靠近。藥液噴嘴9係由近接構件10所保持，亦可構成與近接構件10一起進行移動。
氮氣噴嘴11係連接於介設有氮氣閥18的氮氣供給管19。對氮氣噴嘴11的氮氣供給係利用氮氣閥18的開閉進行控制。氮氣噴嘴11係由近接構件10所保持。所以，氮氣噴嘴11係與近接構件10一起進行移動。氮氣噴嘴11係當近接構件10位於處理位置的狀態下吐出氮氣時，所吐出的氮氣係構成為在近接構件10的下面與基板W的上面之間，朝外邊(遠離基板W旋轉軸線的方向)流動狀態。氮氣噴嘴11亦可未由近接構件10所保持，而是獨立於近接構件10另行保持。
第1腔12係包括有：有形成第1開口20的第1隔牆21、以及覆蓋該第1開口20的第1閘快門22。第1閘快門22係配置於第1隔牆21之外側。第1閘快門22結合第1閘開 閉機構23。第1閘開閉機構23係使第1閘快門22在第1閘快門22將第1開口20予以密閉的封閉位置、以及第1開口20呈開放的開放位置之間進行移動。當基板W被搬入第1腔12時、或從第1腔12中搬出基板W時，第1閘快門22預先位於開放位置。然後，在第1開口20呈開放的狀態下，施行基板W對第1腔12的搬入、及從第1腔12中的基板W搬出。然後，第1閘快門22被配置於封閉位置，而第1開口20便利用第1閘快門22被密閉。
圖5所示係本發明第1實施形態的反應單元7b之概略構造示意圖。
反應單元7b係具備有：呈水平保持基板W的複數基板保持構件24(第2基板保持單元)、收容基板保持構件24的第2腔25(第2處理室)、以及對第2腔25內施行加熱的加熱器26。
複數基板保持構件24係構成為呈水平保持複數片基板W。複數基板保持構件24係可由複數片基板W依水平姿勢呈上下並排方式保持複數片基板W，亦可由複數片基板W依水平姿勢呈水平排列方式保持複數片基板W。又，複數基板保持構件24係可利用從下方支撐基板W而保持著該基板W，亦可利用將基板W呈水平挾持而保持該基板W。即，若基板W呈水平保持，複數基板保持構件24係可依任何方式保持複數片基板W。加熱器26的熱係傳遞給由複數基板 保持構件24所保持的基板W。藉此，利用第2腔25加熱基板W。
第2腔25係包含有：形成有第2開口27的第2隔牆28、及覆蓋該第2開口27的第2閘快門29。第2閘快門29係配置於第2隔牆28的外側。第2閘快門29係結合於第2閘開閉機構30。第2閘開閉機構30係使第2閘快門29在第2閘快門29將第2開口27予以密閉的封閉位置、以及第2開口27呈開放的開放位置之間進行移動。在基板W被搬入於第2腔25時、或從第2腔25搬出基板W時，第2閘快門29係預先配置於開放位置。然後，在第2開口27呈開放狀態下，進行基板W朝第2腔25的搬入、及從第2腔25中的基板W搬出。然後，第2閘快門29配置於封閉位置，第2開口27利用第2閘快門29而被密閉。
圖6所示係本發明第1實施形態的清洗單元7c之概略構造示意圖。
清洗單元7c係具備有：水平保持基板W並使旋轉的第3旋轉夾具31(第3基板保持單元)；對由第3旋轉夾具31所保持基板W的上面，供給清洗液的清洗液噴嘴32(清洗液供給單元)；以及用以收容第3旋轉夾具31與清洗液噴嘴32的第3腔33(第3處理室)。
第3旋轉夾具31係包括有：水平保持基板W，並可圍繞通過該基板W中心的鉛直軸線進行旋轉之圓盤狀旋轉基座 13；以及使該旋轉基座13圍繞鉛直軸線進行旋轉的旋轉馬達14。第3旋轉夾具31係可為挾持式夾具、亦可為真空式吸盤。第1實施形態中，第3旋轉夾具31係屬於挾持式夾具。
清洗液噴嘴32係連接於介裝有清洗液閥34之清洗液供給管35。對清洗液噴嘴32的清洗液供給，係利用清洗液閥34的開閉進行控制。未圖示移動機構係使清洗液噴嘴32在處理位置(圖6所示位置)、與待機位置之間進行移動。處理位置係從清洗液噴嘴32所吐出的清洗液，朝由第3旋轉夾具31所保持基板W上面中央部供給的位置；待機位置係遠離第3旋轉夾具31的位置。對清洗液噴嘴32所供給的清洗液係可例示如：純水(DIW(Deionzied Water))、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、稀釋濃度(例如10~100ppm程度)鹽酸水等。
第3腔33係包括有：形成有第3開口36的第3隔牆37、以及覆蓋該第3開口36的第3閘快門38。第3閘快門38係配置於第3隔牆37之外側。第3閘快門38結合有第3閘開閉機構39。第3閘開閉機構39係使第3閘快門38在第3閘快門38將第3開口36予以密閉的封閉位置、以及第3開口36呈開放的開放位置之間進行移動。當基板W被搬入第3腔33時、或從第3腔33中搬出基板W時，第3閘快門38預先位於開放位置。然後，在第3開口36呈開放的狀態下，施行基板W對第3腔33的搬入、及從第3腔33 中的基板W搬出。然後，第3閘快門38被配置於封閉位置，而第3開口36利用第3閘快門38被密閉。
圖7所示係利用本發明第1實施形態的基板處理裝置1，所施行基板W處理一例的說明圖。以下，參照圖1與圖7。
控制裝置4係利用索引機器人IR搬出由載具C中所收容的未處理基板W。然後，控制裝置4使由載具C中搬出的基板W，從索引機器人IR移動至中央機器人CR。然後，控制裝置4使已交接至中央機器人CR的基板W，利用中央機器人CR搬入於藥液供給單元7a。藉此，如圖7所示，基板W載置於第1旋轉夾具8上。當基板W載置於第1旋轉夾具8上之時，控制裝置4係使藥液噴嘴9及近接構件10位於各自的待機位置。
其次，如圖7所示，執行對基板W的上面周緣部供給藥液的藥液供給處理。具體而言，控制裝置4係藉由控制旋轉馬達14，而開始由第1旋轉夾具8進行基板W的旋轉。然後，控制裝置4係使藥液噴嘴9及近接構件10移動至各自的處理位置。藉此，藥液噴嘴9、近接構件10、及氮氣噴嘴11移動至基板W的上面周緣部之上方處，而近接構件10的下面則靠近基板W的上面周緣部。然後，控制裝置4依序開啟氮氣閥18及藥液閥15，一邊利用第1旋轉夾具8使基板W進行旋轉，一邊從氮氣噴嘴11及藥液噴嘴9分別吐出氮氣及藥液。
從氮氣噴嘴11所吐出的氮氣會在近接構件10的下面與基板W的上面之間朝外邊流動。又，位於處理位置的藥液噴嘴9係朝基板W上面周緣部其中一部分處吐出藥液。控制裝置4係一邊從藥液噴嘴9吐出藥液，一邊使基板W旋轉。所以，從藥液噴嘴9吐出的藥液橫跨全周而供給至基板W的上面周緣部。藉此，便對基板W的上面周緣部全域均有供給藥液。因為藥液係具有高黏性，因而從藥液噴嘴9供給基板W的藥液，幾乎不會移動偏移所供給位置處的停留於該處。所以，維持基板W上面周緣部全域保持藥液的狀態。基板W的上面周緣部係利用與藥液間之接觸而被蝕刻。
再者，在從藥液噴嘴9吐出藥液的期間，控制裝置4係從氮氣噴嘴11吐出氮氣。所以，藥液具有高揮發性，即便在藥液噴嘴9與基板W之間有發生藥液的氣體，該氣體仍可利用朝外邊流動的氮氣而抑制或防止朝內邊移動。特別係在藥液噴嘴9的附近，除由基板W所保持的藥液之外，在由基板W所保持的藥液與藥液噴嘴9之間，亦會有藥液與空氣相接觸情形。所以，在藥液噴嘴9的附近，藥液與空氣的相接觸面積係較大於其他區域，較其他區域更容易發生藥液的氣體。所以，藉由將近接構件10配置於藥液噴嘴9的附近，並對近接構件10與基板W之間供給氮氣，而可有效地抑制或防止基板W上面較周緣部更靠內邊的區域，暴露於藥液的氣體中。
在開啟氮氣閥18及藥液閥15之後若經既定時間，控制裝置4關閉氮氣閥18及藥液閥15，而停止藥液與氮氣的吐出。又，控制裝置4係藉由控制著旋轉馬達14而使利用第1旋轉夾具8進行的基板W之旋轉停止。然後，控制裝置4將由第1旋轉夾具8所保持的基板W，利用中央機器人CR從藥液供給單元7a中搬出。然後，控制裝置4係將從藥液供給單元7a中所搬出的基板W，利用中央機器人CR搬入於反應單元7b。被供給藥液的基板W依水平姿勢被從藥液供給單元7a搬送於反應單元7b。藉此，在基板W上保持藥液的狀態下，該基板W被從藥液供給單元7a搬送至反應單元7b。
其次，如圖7所示，在基板W上保持藥液的狀態，執行基板W與藥液間進行反應的反應處理。具體而言，控制裝置4係利用中央機器人CR，使從藥液供給單元7a所搬出的基板W由任一基板保持構件24呈水平保持。藉此，如圖7所示，在藥液被保持於基板W上面周緣部的狀態下，使該基板W由基板保持構件24呈水平保持。由基板保持構件24保持的基板W係在反應單元7b中保持既定時間。在該既定時間的期間中，進行基板W與藥液間之反應，使基板W的上面周緣部進行蝕刻。所以，當基板W的上面周緣部有附著異物的情況，基板W其中一部分會一起與異物被從基板W剝離(剝脫)，或藉由藥液溶解異物而被從基板W予 以除去。控制裝置4亦可在由反應單元7b保持基板W的期間，利用加熱器26對保持於基板W上之藥液與基板W施行加熱。當藥液的活性係隨溫度上升而提高之情況，藉由加熱藥液與基板W，可縮短利用藥液進行的基板W之處理時間。雖依照異物種類、附著程度而有各種變更，但通常的處理時間係3分~12小時、較佳係10分~2小時，處理溫度係15~100℃、較佳係20~60℃。
在開始利用基板處理裝置1進行基板W處理的初期階段，僅進行朝反應單元7b的基板W搬入。然後，若被搬入於反應單元7b中的基板W片數達2以上的一定數時，控制裝置4從在反應單元7b中的滯留時間已達既定時間的基板W中，依序搬出複數片基板W。即，若被搬入於反應單元7b中的基板W片數達一定數，控制裝置4交錯重複執行：利用中央機器人CR將一片基板W搬入於反應單元7b中的搬入動作，以及利用中央機器人CR將經在反應單元7b中保持達既定時間的一片基板W，從反應單元7b中搬出的搬出動作。然後，控制裝置4再將從反應單元7b所搬出的基板W，利用中央機器人CR搬入於清洗單元7c。藉此，如圖7所示，基板W載置於第3旋轉夾具31上。當基板W載置於第3旋轉夾具31上之時，控制裝置4使清洗液噴嘴32位於待機位置。
其次，如圖7所示，將清洗液(例如純水)供給至基板W， 執行對在基板W上面周緣部所保持藥液施行沖洗的清洗處理。具體而言，控制裝置4係利用旋轉馬達14的控制，而開始由第3旋轉夾具31進行的基板W旋轉。然後，控制裝置4開啟清洗液閥34，一邊利用第3旋轉夾具31使基板W旋轉，一邊從清洗液噴嘴32朝基板W上面中央部吐出清洗液。從清洗液噴嘴32吐出的清洗液係供給至基板W的上面中央部，並承受由基板W旋轉所產生的離心力，而沿基板W上面朝外邊拓展。藉此，對基板W的上面全域供給清洗液，而對在基板W上面周緣部所保持的藥液施行沖洗。又，利用基板W與藥液間之反應，而與基板W其中一部分一起被從基板W上面周緣部剝離的異物、或者利用藥液而溶解的異物，均可利用清洗液進行沖洗。藉此，從基板W去除異物，而洗淨基板W。然後，開啟清洗液閥34若經既定時間，控制裝置4關閉清洗液閥34，而停止從清洗液噴嘴32的清洗液吐出。
其次，如圖7所示，執行使基板W乾燥的乾燥處理(旋轉乾燥)。具體而言，控制裝置4係藉由控制旋轉馬達14，而使基板W依高旋轉速度(例如數千rpm)進行旋轉。藉此，對基板W上所附著的清洗液作用較大離心力，該清洗液被甩出於基板W的周圍。依此，清洗液從基板W去除而使基板W乾燥。在乾燥處理施行既定時間後，控制裝置4藉由控制旋轉馬達14，而停止由第3旋轉夾具31進行的基板W 旋轉。然後，控制裝置4將由第3旋轉夾具31所保持的基板W，利用中央機器人CR從清洗單元7c中搬出。
從清洗單元7c中搬出基板W後，控制裝置4利用中央機器人CR，使從清洗單元7c中搬出的基板W移動至索引機器人IR。然後，控制裝置4將已交接至索引機器人IR的基板W，利用索引機器人IR搬入於載具C。藉此，結束在基板處理裝置1中的一連串處理。控制裝置4係重複執行此種動作，而將複數片基板W每次一片地施行處理。
依如上述，第1實施形態係將含有蝕刻成分與增黏劑的藥液，利用第1旋轉夾具8供給至由藥液供給單元7a(第1腔12)所保持的基板W。然後，在藥液由基板W保持的狀態下，該基板W被利用中央機器人CR從藥液供給單元7a搬送於反應單元7b(第2腔25)。然後，重複執行此種動作，保持藥液的複數片基板W被搬入反應單元7b。被搬入反應單元7b中的複數片基板W，係在保持藥液的狀態下，由複數基板保持構件24保持。然後，從在反應單元7b的滯留時間已達既定時間起，依序將由複數基板保持構件24保持的複數片基板W從反應單元7b中搬出。依此可不會停滯地進行基板W的處理。
供給至基板W的藥液黏度，會因增黏劑的添加而增加。即，因增黏劑的添加會降低藥液的流動性。所以，即便未對基板W持續供給藥液，仍可維持利用藥液覆蓋基板W的狀 態。藉此，可降低藥液的消耗量。又，藉由降低藥液的消耗量，亦可降低藥液的廢液量。又，因為蝕刻成分係含於藥液中，因而諸如微粒等附著於基板W的異物，而可與基板W其中一部分一起被從基板W剝離，或可利用藥液溶解異物。藉此，可確實地從基板W去除異物。又，因為藥液的黏度增加，因而可在使藥液保持於基板W的狀態下進行該基板W的搬送。
如前述，經利用藥液供給單元7a供給藥液的基板W，係在保持藥液的狀態下，被從藥液供給單元7a搬送至反應單元7b，更在保持藥液的狀態下，由反應單元7b保持既定時間。所以，充分確保基板W與藥液進行反應的時間。又，因為基板W與藥液間之反應係在藥液供給單元7a之外亦會有進行，因而在基板W與藥液進行反應期間，可利用藥液供給單元7a對後續基板W供給藥液。藉此，可抑制或防止產能(每單位時間的基板W處理片數)降低。
再者，第1實施形態中，經反應單元7b保持既定時間的基板W，利用中央機器人CR被從反應單元7b搬送至清洗單元7c。即，在反應單元7b中經與藥液充分進行反應的基板W被搬入清洗單元7c。然後，對利用第3旋轉夾具31保持於清洗單元7c中的基板W供給清洗液。藉此，由基板W所保持的藥液係利用清洗液施行沖洗。依此，因為藥液的供給、基板W與藥液間的反應、及藥液的除去係依各自 的腔實施，因而可抑制或防止各腔12、25、33內的構造複雜化。
再者，第1實施形態中，對基板W的上面採部分性供給藥液。具體而言，對基板W的上面周緣部供給藥液。所以，相較於對基板W的上面全域供給藥液之情況，可降低藥液的消耗量。又，因為藥液的供給範圍已預定，因而可不需要依每片基板W變更藥液供給位置。又，因為除預定範圍以外並無供給藥液，因而可抑制或防止不需要藥液供給的範圍，因藥液而造成損傷。又，因為藥液具有高黏性，因而可抑制藥液供給至基板W時發生藥液飛濺情形。藉此，可確實抑制或防止藥液供給於所需範圍以外的地方。
[第2實施形態]
其次，針對本發明第2實施形態進行說明。
本第2實施形態與前述第1實施形態的主要不同處在於：在基板處理裝置201中設有用以測定附著於基板W之異物位置之異物測定單元40。又，第1實施形態中，對預定範圍(基板W的上面周緣部)供給藥液，相對的第2實施形態係對依每片基板W所設定範圍(含有異物的範圍)供給藥液。以下的圖8~圖10中，針對與前述圖1~圖7所示各部位與同等構成部分，賦予與圖1等相同的元件符號並省略說明。
圖8所示係本發明第2實施形態的基板處理裝置201之配 置圖解平面圖。圖9所示係本發明第2實施形態的異物測定單元40之概略構造示意側視圖。
第2實施形態的基板處理裝置201係除第1實施形態的基板處理裝置1所具備構造之外，尚設有用以測定附著於基板W之異物位置之異物測定單元40。如圖8所示，第2實施形態中，異物測定單元40係配置於索引機器人IR可進行存取的位置處。索引機器人IR係執行將基板W搬入異物測定單元40中的搬入動作、以及將基板W從異物測定單元40中搬出的搬出動作。又，索引機器人IR係在由載具保持部5所保持的載具C、與異物測定單元40之間進行基板W的搬送，且在異物測定單元40與中央機器人CR之間進行基板W的搬送。
如圖9所示，異物測定單元40係具備有：呈水平保持基板W並使旋轉的第4旋轉夾具41、測定有無異物及異物位置的異物測定裝置42(異物測定單元)、以及收容第4旋轉夾具41的第4腔43(測定室)。
第4旋轉夾具41包括有：呈水平保持基板W，並可圍繞通過該基板W中心的鉛直軸線進行旋轉之圓盤狀旋轉基座13、以及使該旋轉基座13圍繞鉛直軸線進行旋轉的旋轉馬達14。第4旋轉夾具41係可為挾持式夾具、亦可為真空式吸盤。第2實施形態中，第4旋轉夾具41係屬於挾持式夾具。
異物測定裝置42係測定基板W上面是否有異物，且對基板W測定異物的位置。異物測定裝置42係可含有例如：微粒計數器、全反射螢光X射線分析裝置(TRXRF)、能量散佈式X射線分析裝置(EDX：Energy Dispersive X-ray Spectrometer)、掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)、及影像辨識異物檢查裝置中之至少一者的裝置。第2實施形態中，異物測定裝置42係利用雷射光檢測有無異物及異物位置的裝置。
異物測定裝置42係包括有：發出雷射光的照射頭44、以及使照射頭44移動的頭移動機構45。照射頭44係配置於第4腔43內。頭移動機構45係依使來自照射頭44的雷射光，在基板W上面的中心與基板W上面的外周端之間進行移動的方式，使照射頭44進行移動。控制裝置4係藉由對旋轉馬達14與異物測定裝置42進行控制，一邊利用第4旋轉夾具41使基板W進行旋轉，一邊依使來自照射頭44的雷射光在基板W上面的中心與基板W上面的外周端之間進行移動的方式，使照射頭44進行移動。藉此，基板W的上面全域利用雷射光進行掃描(scanning)，來自照射頭44的雷射光會照射於基板W的上面全域。
異物測定裝置42係藉由將雷射光照射於基板W的上面，檢測在基板W上有無異物。又，異物測定裝置42係從利用頭移動機構45進行的照射頭44之移動量、與基板W的旋 轉角度，測定所檢測到異物的位置。具體而言，異物測定裝置42係根據利用頭移動機構45進行的照射頭44之移動量，測定基板W的上面中心距離異物間之距離。又，異物測定裝置42係從控制裝置4取得以在基板W周緣部所設置缺口、定向平面為基準的基板W旋轉角度(角度資訊)。異物測定裝置42係從基板W上面中心距離異物間之距離、及基板W旋轉角度，測定異物的位置。然後，異物測定裝置42係將異物位置當作位置資訊並輸出至控制裝置4。
控制裝置4係在藥液供給單元7a中對基板W供給藥液時，根據從異物測定裝置42所取得的位置資訊，對噴嘴移動機構17(參照圖2)進行控制，使藥液供給至含有異物的範圍。即，控制裝置4並非如第1實施形態般使藥液供給至預定範圍(基板W的上面周緣部)，而是使藥液供給至依每片基板W設定的範圍(含有異物的範圍)。所以，第2實施形態的藥液噴嘴9(參照圖2)之處理位置，並非一定的位置，而是從藥液噴嘴9吐出的藥液供給基板W上面任一位置的一定範圍。
第4腔43係包括有：形成有第4開口46的第4隔牆47、以及覆蓋該第4開口46的第4閘快門48。第4閘快門48係配置於第4隔牆47之外側。第4閘快門48結合第4閘開閉機構49。第4閘開閉機構49係使第4閘快門48在第4閘快門48將第4開口46予以密閉的封閉位置、以及第4 開口46呈開放的開放位置之間進行移動。當基板W被搬入第4腔43時、或從第4腔43中搬出基板W時，第4閘快門48預先位於開放位置。然後，在第4開口46呈開放的狀態下，施行基板W對第4腔43的搬入、及從第4腔43中的基板W搬出。然後，使第4閘快門48被配置於封閉位置，第4開口46利用第4閘快門48被密閉。
圖10所示係利用本發明第2實施形態的基板處理裝置201所施行基板W處理一例的說明圖。以下，參照圖8及圖10。
控制裝置4係利用索引機器人IR搬出由載具C中所收容的未處理基板W。然後，控制裝置4使由載具C中搬出的基板W，利用索引機器人IR搬入於異物測定單元40中。藉此，在第4旋轉夾具41上載置著基板W。當基板W載置於第4旋轉夾具41上之時，控制裝置4使照射頭44從第4旋轉夾具41的上方退縮。
如圖10所示，在異物測定單元40中，如前述，控制裝置4係一邊利用第4旋轉夾具41使基板W旋轉，一邊利用異物測定裝置42對基板W照射雷射光(異物測定處理)。藉此，測定基板W上的異物位置，而異物的位置資訊會從異物測定裝置42輸出至控制裝置4。然後，經測定異物位置之後，控制裝置4利用索引機器人IR將基板W從異物測定單元40中搬出。然後，從異物測定單元40中搬出的基板W， 從索引機器人IR交接至中央機器人CR。中央機器人CR將從索引機器人IR所收取到的基板W搬入於藥液供給單元7a中。
如圖10所示，在藥液供給單元7a中，從藥液噴嘴9吐出的藥液供給至基板W上面其中一部分(含有異物的範圍)(藥液供給處理)。因為藥液具有高黏性，因而從藥液噴嘴9供給至基板W的藥液，幾乎不會移動偏移所供給位置處而停留於該處。所以，維持基板W上面其中一部分保持藥液的狀態。基板W的上面其中一部分(含有異物的範圍)係利用與藥液間之接觸而被蝕刻。然後，在藥液供給基板W之後，在藥液供給單元7a內所配置的基板W利用中央機器人CR被從藥液供給單元7a中搬出。又，從藥液供給單元7a中所搬出的基板W，利用中央機器人CR被搬入於反應單元7b。
如圖10所示，反應單元7b係與第1實施形態同樣，在搬入複數片基板W之後，交錯重複執行：將一片基板W搬入反應單元7b中的搬入動作、以及從反應單元7b搬出一片基板W的搬出動作。就由基板保持構件24所保持的基板W，在反應單元7b中保持既定時間，進行基板W與藥液間之反應，俾使基板W上面其中一部分(含有異物的範圍)被蝕刻(反應處理)。藉此，基板W上面其中一部分與異物一起從基板W剝離、或者由藥液溶解異物。在反應單元7b中經保持既定時間的基板W，利用中央機器人CR從反應單元7b 中搬出。然後，從反應單元7b中搬出的基板W利用中央機器人CR被搬入於清洗單元7c內。
如圖10所示，在清洗單元7c中，如第1實施形態同樣，從清洗液噴嘴32朝由第3旋轉夾具31所保持基板W的上面中央部吐出清洗液。藉此，對基板W上面全域供給清洗液，俾將基板W上面所保持的藥液施行沖洗(清洗處理)。又，利用基板W與藥液間之反應，而與基板W其中一部分一起從基板W上面剝離的異物，或者利用藥液所溶解的異物，利用清洗液施行沖洗。藉此，從基板W去除異物，俾使基板W洗淨。然後，如圖10所示，利用基板W的高速旋轉，附著於基板W之清洗液從基板W除去，而進行基板W的乾燥(乾燥處理)。
在清洗單元7c中經施行乾燥處理之後，利用中央機器人CR從清洗單元7c中搬出基板W。然後，從清洗單元7c所搬出的基板W，係由中央機器人CR交接至索引機器人IR。索引機器人IR係將由中央機器人CR所收取到經處理畢基板W，搬入於由載具保持部5所保持的載具C中。藉此，結束基板處理裝置201的一連串處理。控制裝置4係重複執行此種動作，而將複數片基板W每次一片地施行處理。
依如上述，第2實施形態中，利用異物測定裝置42測定附著於基板W之異物位置，再將藥液供給至含有異物的範圍。所以，藥液可確實地供給至含有異物的範圍，俾可確實 地除去附著於基板W的異物。又，因為僅對含有異物的範圍供給藥液，因而可抑制或防止不需要藥液供給的範圍因藥液而遭受損傷。
再者，第2實施形態中，利用異物測定裝置42進行的異物測定，係由第4腔43執行。即，利用異物測定裝置42進行的異物測定，係在不同於第1腔12、第2腔25、及第3腔33的其他地方實施。所以，可抑制或防止各腔12、25、33、43內的構造複雜化。
[其他的實施形態]
本發明的第1與第2實施形態之說明係如上述，惟本發明並不僅侷限於前述第1與第2實施形態的內容，在申請專利範圍所記載範圍內均可進行各種變更。
例如前述第1與第2實施形態中，藥液供給單元7a係針對具有1個藥液噴嘴9的情況進行說明，但藥液供給單元7a亦可具備複數藥液噴嘴9。
再者，前述第1與第2實施形態中，藥液供給單元7a係針對具備有近接構件10的情況進行說明，但藥液供給單元7a亦可未設置近接構件10。
再者，前述第1與第2實施形態中，就對基板W上面部分性供給藥液的情況進行說明，但亦可對基板W上面全域供給藥液。又，不僅侷限於基板W的上面，亦可對基板W的周端面及/或基板W的下面供給藥液。
再者，前述第1與第2實施形態中，針對藉由對基板W供給藥液，而將諸如微粒等附著於基板W之異物，從基板W予以除去的情況進行說明，但基板W的處理亦可為異物除去處理以外的其他處理。例如亦可對基板W施行將在基板W表面(front surface)所形成薄膜，利用藥液予以除去的蝕刻處理。
再者，前述第2實施形態中，針對異物測定單元40係配置於索引機器人IR能存取位置的情況進行說明，但異物測定單元40亦可配置於中央機器人CR能存取的位置處。具體而言，亦可複數處理單元7中之至少1個處理單元7係異物測定單元40。
再者，前述第2實施形態中，針對異物測定裝置42係利用異物測定單元40(第4腔43)執行異物位置測定的情況進行說明，但異物測定裝置42亦可構成利用藥液供給單元7a(第1腔12)測定異物位置的構造。即，亦可未設置異物測定單元40，而是藥液供給單元7a更進一步設置異物測定裝置42。此情況，因為亦可不用將基板W從載具C搬送於異物測定單元40中、以及從異物測定單元40搬送於藥液供給單元7a中，因而可縮短基板W的搬送時間。藉此，可增加產能。
再者，前述第1與第2實施形態中，針對基板處理裝置1、201係對諸如半導體晶圓等圓形基板W施行處理之裝置的情況進行說明，但基板處理裝置1、201亦可為對諸如：液 晶顯示裝置用玻璃基板等多角形基板施行處理的裝置。
針對本發明的實施形態進行詳細說明，惟該等僅止於為能清楚明瞭本發明技術內容而採用的具體例而已，本發明不應解釋為僅侷限於該等具體例，本發明的精神與範圍僅限於依申請專利範圍限定。
本申請案係對應於2011年3月4日對日本特許廳所提出的申請案特願2011-048113號，該申請案的所有揭示均爰引融入於本案中。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧索引器區
3‧‧‧處理區
4‧‧‧控制裝置
5‧‧‧載具保持部
6‧‧‧IR移動機構
7‧‧‧處理單元
7a‧‧‧藥液供給單元
7b‧‧‧反應單元
7c‧‧‧清洗單元
8‧‧‧第1旋轉夾具
9‧‧‧藥液噴嘴
10‧‧‧近接構件
11‧‧‧氮氣噴嘴
12‧‧‧第1腔
13‧‧‧旋轉基座
14‧‧‧旋轉馬達
15‧‧‧藥液閥
16‧‧‧藥液供給管
17‧‧‧噴嘴移動機構
18‧‧‧氮氣閥
19‧‧‧氮氣供給管
20‧‧‧第1開口
21‧‧‧第1隔牆
22‧‧‧第1閘快門
23‧‧‧第1閘開閉機構
24‧‧‧基板保持構件
25‧‧‧第2腔
26‧‧‧加熱器
27‧‧‧第2開口
28‧‧‧第2隔牆
29‧‧‧第2閘快門
30‧‧‧第2閘開閉機構
31‧‧‧第3旋轉夾具
32‧‧‧清洗液噴嘴
33‧‧‧第3腔
34‧‧‧清洗液閥
35‧‧‧清洗液供給管
36‧‧‧第3開口
37‧‧‧第3隔牆
38‧‧‧第3閘快門
39‧‧‧第3閘開閉機構
40‧‧‧異物測定單元
41‧‧‧第4旋轉夾具
42‧‧‧異物測定裝置
43‧‧‧第4腔
44‧‧‧照射頭
45‧‧‧頭移動機構
46‧‧‧第4開口
47‧‧‧第4隔牆
48‧‧‧第4閘快門
49‧‧‧第4閘開閉機構
201‧‧‧基板處理裝置
C‧‧‧載具
CR‧‧‧中央機器人
IR‧‧‧索引機器人
U‧‧‧載具排列方向
W‧‧‧基板
圖1係本發明第1實施形態的基板處理裝置之配置圖解平面圖。
圖2係本發明第1實施形態的藥液供給單元之概略構造示意圖。
圖3係本發明第1實施形態的藥液噴嘴、及其關聯構造的平面圖。
圖4係本發明第1實施形態的藥液噴嘴、及其關聯構造的側視圖。
圖5係本發明第1實施形態的反應單元之概略構造示意圖。
圖6係本發明第1實施形態的清洗單元之概略構造示意圖。
圖7係利用本發明第1實施形態的基板處理裝置，所施行 的基板處理一例之說明圖。
圖8係本發明第2實施形態的基板處理裝置之配置圖解平面圖。
圖9係本發明第2實施形態的異物測定單元之概略構造示意側視圖。
圖10係利用本發明第2實施形態的基板處理裝置，所施行的基板處理一例之說明圖。
7a‧‧‧藥液供給單元
7b‧‧‧反應單元
7c‧‧‧清洗單元
8‧‧‧第1旋轉夾具
9‧‧‧藥液噴嘴
10‧‧‧近接構件
11‧‧‧氮氣噴嘴
12‧‧‧第1腔
14‧‧‧旋轉馬達
24‧‧‧基板保持構件
25‧‧‧第2腔
26‧‧‧加熱器
31‧‧‧第3旋轉夾具
32‧‧‧清洗液噴嘴
33‧‧‧第3腔
W‧‧‧基板

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，係包括有：第1處理室、第2處理室與第3處理室；第1基板保持單元，係利用上述第1處理室保持基板；藥液供給單元，係將含有蝕刻成分與增黏劑的藥液，供給至由上述第1基板保持單元所保持的基板的上面；第2基板保持單元，其包含可依將保持有上述藥液之複數片基板依水平姿勢上下並排之方式，而利用上述第2處理室同時保持上述複數片基板之複數的基板保持構件；第3基板保持單元，係利用上述第3處理室保持保持有上述藥液之基板；以及基板搬送單元，係在上述藥液保持於上述基板的狀態下，將該基板從上述第1處理室搬送至上述第2處理室，而在上述藥液保持於上述基板的狀態下，將該基板從上述第2處理室搬送至上述第3處理室。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更進一步含有：清洗液供給單元，係對由上述第3基板保持單元所保持的基板供給清洗液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述藥液供給單元係構成為對由上述第1基板保持單元所保持的基板之上面，部分性供給上述藥液的構造。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，更進一步含有：用以測定附著於基板上面之異物位置之異物測定單元；上述藥液供給單元係構成為在上述上面對含有異物的範圍供給上述藥液的構造。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，更進一步含有：利用上述異物測定單元測定附著於基板之異物位置的測定室；上述基板搬送單元係構成為將基板從上述測定室搬送至上述第1處理室的構造。
  6. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述藥液供給單元係構成為對上述上面的預定範圍供給上述藥液的構造。
  7. 一種基板處理裝置，係包括有：第1處理室與第2處理室；第1基板保持單元，係利用上述第1處理室保持基板；藥液供給單元，係將含有蝕刻成分與增黏劑的藥液，供給至由上述第1基板保持單元所保持的基板的上面；第2基板保持單元，其包含可依將保持有上述藥液之複數片基板依水平姿勢上下並排之方式，而利用上述第2處理室同時保持上述複數片基板之複數的基板保持構件；以及基板搬送單元，在上述藥液保持於上述基板的狀態下，將 該基板從上述第1處理室搬送至上述第2處理室，藉此將複數片基板依序搬入上述第2處理室內，並從在上述第2處理室之停留時間已達到既定時間之基板，按照順序地自上述第2處理室依序搬出上述第2處理室內之複數片基板。
  8. 如申請專利範圍第1或7項之基板處理裝置，其中，更包含加熱上述第2處理室內之加熱器。
  9. 一種基板處理方法，係包括有：藥液供給步驟，係將含有蝕刻成分與增黏劑的藥液在第1處理室供給至基板之上面，並使該藥液保持於上述基板；第1搬送步驟，係在施行上述藥液供給步驟之後，在上述藥液由上述基板所保持狀態下，藉由基板搬送單元自上述第1處理室搬送該基板至第2處理室，藉此以將保持有藥液之複數片基板依水平姿勢上下並排之方式，在上述第2處理室使上述複數片基板同時地保持於第2基板保持單元之複數的基板保持構件；反應處理步驟，係在施行上述第1搬送步驟之後，進行保持有上述藥液的基板與上述藥液間之反應；以及第2搬送步驟，係在施行上述第1搬送步驟之後，在上述藥液由上述基板所保持之狀態下，藉由上述基板搬送單元自上述第2處理室搬送該基板至第3處理室。
  10. 一種基板處理方法，係包括有：藥液供給步驟，係將含有蝕刻成分與增黏劑的藥液在第1 處理室供給至基板之上面，並使該藥液保持於上述基板；搬送步驟，係在施行上述藥液供給步驟之後，在上述藥液由上述基板所保持之狀態下，藉由基板搬送單元自上述第1處理室搬送該基板至第2處理室，藉此以將保持有藥液之複數片基板依水平姿勢上下並排之方式，在上述第2處理室使上述複數片基板保持於第2基板保持單元；反應處理步驟，係在施行上述搬送步驟之後，進行保持有上述藥液的基板與上述藥液間之反應；以及搬出步驟，係在施行上述搬送步驟之後，從在上述第2處理室之停留時間已達到既定時間之基板，藉由上述基板搬送單元按照順序地將上述第2處理室內之複數片基板自上述第2處理室依序搬出。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之基板處理方法，其中，上述蝕刻成分係氫氟酸與過氧化氫的混合物、或氫氧化銨與過氧化氫的混合物；上述增黏劑係從甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉及聚乙烯醇中選擇之1種以上。
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