JP3725051B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板(以下、単に「基板」という)に対して種々の表面処理(現像処理、エッチング処理、洗浄処理、リンス処理、乾燥処理など)を施す基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種の基板処理装置として、例えば図8に示す基板処理装置が提案されている。この基板処理装置では、インデクサ1と、インデクサ1の一方側に隣接して配置された処理モジュール2とが設けられている。インデクサ1は、複数枚の基板Wをそれぞれ収納できる複数のカセット11が載置されるカセット載置部12、およびY方向に沿って長いインデクサ搬送路13上を移動でき、カセット11との間で基板Wの搬入/搬出を行うためのインデクサロボット14を備えている。処理モジュール2は、Y方向に垂直なX方向に沿って長い主搬送路21上を移動できる主搬送ロボット22と、主搬送路21の両側に配置されたユニット列23,24とを備えている。これらのユニット列23,24には、それぞれ、処理ユニット231〜233,241〜243がX方向に配列されている。
【0003】
上記のように構成された基板処理装置では、カセット11に収容されている基板Wは、インデクサロボット14により搬出された後、さらに主搬送ロボット22に受け渡される。そして、未処理の基板Wを受け取った主搬送ロボット22は処理ユニット231〜233,241〜243のうちいずれかの処理ユニットの前まで移動し、当該処理ユニットに基板Wを搬入する。また、処理後の基板Wについては、主搬送ロボット22により該処理ユニットから搬出され、次の処理ユニットまで搬送される。
【0004】
このような動作を繰り返して一連の処理が基板Wに施された後、主搬送ロボット22は、基板Wを保持したまま主搬送路21上を移動し、当該基板Wをインデクサロボット14に受け渡す。インデクサロボット14は、受け渡された基板Wを元々収容されていたカセット11に収容する。このような構成によれば、主搬送ロボット22は、処理ユニット231〜233,241〜243に任意の順序でアクセスできるので、基板Wに施すべき処理の順序を任意に設定できる。
【0005】
ところで、半導体デバイスの微細化が近年急速に進められているが、この微細化に伴って基板処理において新たな問題が生じることとなった。例えば、基板W上に塗布されたレジストをパターニングして微細パターンを形成する場合、現像処理、リンス処理および乾燥処理を順次行う。ここで、基板Wに塗布されたレジストを現像して不要なレジストを除去する現像処理では、アルカリ性水溶液などの現像液が使用され、リンス処理では現像処理後の現像液を除去するために純水などのリンス液が使用され、乾燥処理では基板Wを回転させることにより基板W上に残っているリンス液に遠心力を作用させて基板Wからリンス液を除去し、乾燥させる(スピン乾燥)。このうち乾燥において、乾燥の進展とともにリンス液と気体との界面が基板W上に現れ、半導体デバイスの微細パターンの間隙にこの界面が現れると、リンス液の表面張力により微細パターン同士が互いに引き寄せられて倒壊する問題があった。
【0006】
この問題に対していくつかの解決策が検討されており、その一つとして超臨界流体を用いた装置が例えば特開平8−250464号公報に提案されており、上記処理ユニット231〜233,241〜243の全部あるいは一部を同公報に記載された装置(以下「提案装置」という)により構成することが考えられる。この提案装置は、容器内に搬送されてきた基板Wに対し、その容器内で液状の化学薬品を用いた湿式表面処理と、超臨界乾燥とを連続して行うものであり、次のようにして同一装置内で連続処理を行う。
【0007】
まず、主搬送ロボット22によって基板Wを容器内に搬入する。そして、現像液を容器内に供給して現像処理を行った後、純水でのリンス処理、アルコールの置換液での置換処理、という順に湿式処理を行う。その後、気体二酸化炭素を導入してアルコールを置換し、気体二酸化炭素での置換後温度を上昇させて二酸化炭素を超臨界状態とし、その後減圧することによって超臨界乾燥を行う。このように超臨界乾燥を行うことによって微細パターンの倒壊などを防止している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、処理ユニットの一部あるいは全部を提案装置で構成する場合には、次のような問題が発生する。まず、超臨界流体を用いる処理ユニットには、従来より多用されている処理ユニット、つまり常圧で表面処理を行う処理ユニットと比較すると多くの制約条件がある。まず第1に容器として圧力容器を用いる必要があるが、表面処理を実行するために強酸や強アルカリといった腐食性の薬剤を導入することはできず、薬剤の選択範囲が大幅に制約されてしまう。その理由は、圧力容器は耐圧性の点から主として金属材料で構成されており、強酸や強アルカリは圧力容器の接液面を腐食してしまうからである。ここで、圧力容器の内面をフッ素樹脂などで耐蝕コーティングすることが当然考えられるが、高圧下で長期間その機能を継続発揮させることは事実上困難である。また仮に、圧力容器の内面を耐蝕コーティングしたとしても、そこに至る細い配管や接手、高圧弁等の部品のすべての内面を耐蝕コーティングすることは大変困難である。
【0009】
この問題を解決するために、耐蝕性の面から問題となる湿式表面処理と、超臨界流体を用いて行う表面処理とを区別し、前者を従来の処理ユニットで行う一方、後者を提案装置で構成された処理ユニットで構成することが考えられるが、このような構成を採用した場合には、次のような別の問題が発生してしまう。
【0010】
まず、図8の基板処理装置を構成する処理ユニットの一部を提案装置で構成するとともに、耐蝕性の面から問題となる湿式表面処理を従来の処理ユニットで行う場合には、湿式表面処理を行う処理ユニット(以下「湿式処理ユニット」という)と、提案装置で構成された処理ユニット(以下「高圧処理ユニット」という)とは、ともに主搬送路21に面して配置されており、湿式処理ユニットから高圧処理ユニットへの基板Wの搬送を主搬送ロボット22により行う必要がある。このように湿式処理ユニットにより湿式表面処理が施された直後の基板Wはリンス液や置換液の処理液で濡れており、その基板Wを主搬送ロボット22が直接触れることとなる。そして、そのウェット搬送の際、処理液により主搬送ロボット22の基板保持部(図示省略)が濡れてしまう。その結果、その濡れた基板保持部で他の乾燥後の基板を保持した際に、該基板を再び濡らしてしまい、製品歩留りの低下を招いてしまうという問題が発生する。
【0011】
また、湿式処理ユニットと高圧処理ユニットとの間に専用の搬送ロボットを配置することも考えられるが、両処理ユニットともに主搬送路21に面して配置されているため、専用搬送ロボットも主搬送路に近接して配置せざるを得ず、その専用搬送ロボットによって基板Wを湿式処理ユニットから高圧処理ユニットにウェット搬送している際、基板Wに付着している処理液などが主搬送路21側に飛散したり、処理液の一部が蒸発して主搬送路21側に漏れて、主搬送ロボット22が濡れたり、汚染されて上記と同様に製品歩留りの低下を招いてしまう。
【0012】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、主搬送手段によって搬送されてきた基板に処理液を供給して湿式表面処理を施す湿式処理ユニットと、前記湿式処理ユニットにより湿式表面処理が施された基板の表面を処理流体により表面処理する高圧処理ユニットとを個別に配置した基板処理装置において、前記湿式処理ユニットから前記高圧処理ユニットに基板を搬送する際に処理液によって主搬送手段が濡れたり、汚染されるのを防止することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、主搬送路に面して配置され、処理液を基板に供給することによって該基板に対して所定の湿式表面処理を施す湿式処理ユニットと、前記主搬送路に配置され、前記湿式処理ユニットに対して基板の搬入または搬出を行う主搬送手段と、前記主搬送路から離間して前記湿式処理ユニットを挟んで配置され、前記湿式処理ユニットにより湿式表面処理が施された基板の表面に、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として接触させて該基板の表面に対して表面処理を施す高圧処理ユニットと、前記湿式処理ユニットと前記高圧処理ユニットとの間に配置され、前記湿式処理ユニットから前記高圧処理ユニットに基板を搬送する専用搬送手段とを備え、前記主搬送路、前記湿式処理ユニット、前記専用搬送手段および前記高圧処理ユニットがこの順序で直線状に配列されている。
【0014】
このように構成された基板処理装置では、高圧処理ユニットが主搬送路から離間して湿式処理ユニットを挟んで配置されるとともに、専用搬送手段が湿式処理ユニットと高圧処理ユニットとの間に配置されている。このため、専用搬送手段は湿式処理ユニットを挟んで主搬送路から離間しており、湿式表面処理を受けた基板を湿式処理ユニットから高圧処理ユニットに搬送している際に、基板に付着している液体(処理液など)が主搬送路側に飛散したり、その液体の一部が蒸発して主搬送路側に漏れようとしても、主搬送路に至るまでに湿式処理ユニットが介在して主搬送手段の濡れや汚染が防止される。
【0015】
また、上記発明では、専用搬送手段によって湿式処理ユニットから高圧処理ユニットに基板を搬送しているので、主搬送手段の空き時間を考慮する必要がなくなり、時間管理作業が簡素化される。
【0016】
さらに、前記主搬送路、前記湿式処理ユニット、前記専用搬送手段および前記高圧処理ユニットがこの順序で直線状に配列されるように構成しているので、専用搬送手段から主搬送路までの最短コース上に湿式処理ユニットが位置することとなり、湿式処理ユニットによる主搬送手段の汚染防止を効果的に行うことができる。
【0017】
なお、本発明において、用いられる高圧流体としては、安全性、価格、超臨界状態にするのが容易、といった点で、二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素以外には、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が高く、溶解した汚染物質を媒体中に分散することができるためであり、より高圧にして超臨界流体にした場合には、気体と液体の中間の性質を有するようになって微細なパターン部分にもより一層浸透することができるようになるためである。また、高圧流体の密度は、液体に近く、気体に比べて遥かに大量の添加剤(薬剤)を含むことができる。
【0018】
ここで、本発明における高圧流体とは、1MPa以上の圧力の流体である。好ましく用いることのできる高圧流体は、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散性の性質が認められる流体であり、さらに好ましいものは超臨界状態または亜臨界状態の流体である。二酸化炭素を超臨界流体とするには31゜C、7.1MPa以上とすればよい。洗浄並びに洗浄後のリンス工程や乾燥・現像工程等は、5〜30MPaの亜臨界(高圧流体)または超臨界流体を用いることが好ましく、7.1〜20MPa下でこれらの処理を行うことがより好ましい。なお、後の「発明の実施の形態」では、高圧流体による表面処理として湿式現像処理後の乾燥処理を実施する場合について説明するが、表面処理は乾燥処理のみには限られない。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図2は図1のA−A線矢視図である。この基板処理装置では、インデクサ1と、インデクサ1の一方側に隣接して配置された処理モジュール2と、処理モジュール2の一方側に隣接して配置されたインターフェース3と、インターフェース3に隣接して設けられた露光処理ユニット4とが設けられている。これらの構成要素のうち、インデクサ1は図8の従来装置と全く同一構成であるため、ここでは同一構成に同一符号を付して説明を省略する。
【0020】
処理モジュール2は、図8の従来装置と同様に、Y方向に垂直なX方向に沿って長い主搬送路21上を移動できる主搬送ロボット22と、主搬送路21の両側に配置されたユニット列23,24とを備えている。また、ユニット列23,24は、それぞれ主搬送路21を面して配置された処理ユニット231〜233,241〜243で構成されている。なお、この実施形態では、処理ユニット231,232,243が現像処理を行う現像処理ユニットで構成され、残る処理ユニット233,241,242が基板Wの表面にレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニットで構成されている。
【0021】
また、図2に示すように、主搬送路21およびユニット列23,24の上方位置に基板Wに対して加熱処理や冷却処理を行うためのユニット群25が配置されている。
【0022】
また、現像処理ユニット231,232,243の各々に対応して高圧処理ユニット26および専用搬送ロボット27が設けられている。すなわち、現像処理ユニット231を挟んで主搬送路21と反対側に高圧処理ユニット26が配置されるとともに、現像処理ユニット231と高圧処理ユニット26との間に、両処理ユニット231,26の間で基板Wの搬送を行う専用搬送ロボット27が配置されている。このように、この実施形態では、主搬送路21、現像処理ユニット231、専用搬送ロボット27および高圧処理ユニット26がこの順序で直線状に配列されている。なお、残りの現像処理ユニット232,243についても、現像処理ユニット231と同様に、高圧処理ユニット26および専用搬送ロボット27が隣接して配置されている。
【0023】
図3は、図1の基板処理装置の高圧処理ユニットの概略構成を示すブロック図である。この高圧処理ユニット26は、圧力容器261の内部に形成される処理チャンバーに、エタノール供給部260から高圧弁V5を介してエタノールを置換液として導入し、その処理チャンバーにおいて保持されている基板Wに対してアルコール置換を行うとともに、超臨界二酸化炭素(高圧流体)を処理流体として導入し、そのアルコール置換された基板Wに対して所定の乾燥処理を行う処理ユニットである。
【0024】
この高圧処理ユニット26では、超臨界二酸化炭素を繰り返して循環使用する一方、処理チャンバーを大気圧に開放するなどによって系内の二酸化炭素が減少すると、ボンベ262から液化二酸化炭素を補給するように構成されている。このボンベ262は凝縮器などからなる液化部263と接続されており、この液化部263を介して系内に補給される。また、液化部263は後で詳述するように循環使用される系内の二酸化炭素を凝縮して液化する。
【0025】
この液化部263の出力側には加圧ポンプなどの昇圧器264が接続されており、この昇圧器264で液化二酸化炭素を加圧して高圧液化二酸化炭素を得るとともに、高圧液化二酸化炭素を加熱器265および高圧弁V1を介して圧力容器261に圧送する。
【0026】
このように圧送される高圧液化二酸化炭素は加熱器265で加熱されて表面処理(乾燥処理)に適した温度にまで加熱され、超臨界二酸化炭素となり、高圧弁V1を介して圧力容器261に送られる。
【0027】
この圧力容器261の内部、つまり処理チャンバーには、基板Wを保持する基板保持部(図示省略)が設けられており、圧力容器261の側面部に設けられたゲートバルブ(図示省略)を開き、専用搬送ロボット27によってゲートバルブを介して未処理の基板Wを1枚、基板保持部に搬入した後、ゲートバルブを閉じて後述するようにして表面処理を施す一方、表面処理後にゲートバルブを開いて処理済みの基板Wを専用搬送ロボット27によって搬出することができるように構成されている。このように、この実施形態では、基板Wを1枚ずつ保持して所定の表面処理を行う、いわゆる枚葉方式の高圧処理ユニット26となっている。
【0028】
また、この圧力容器261では、送られてくる処理流体が基板保持部により保持されている基板Wの表面に向けて供給される。その結果、処理流体が接触して該基板Wの表面に対する表面処理を実行する。
【0029】
さらに、圧力容器261には、排気ポート(図示省略)が設けられており、処理チャンバー内の処理流体や表面処理に伴い発生する汚染物質などを圧力容器261の外に排気可能となっている。この排気ポートには、高圧弁V2を介して減圧器などからなるガス化部268が接続されており、減圧処理によって排気ポートを介して処理チャンバーから排気される流体を完全にガス化して分離回収部269に送り込む。また、この分離回収部269では、二酸化炭素を気体成分とし、薬液成分を液体成分として気液分離する。また、分離回収部269としては、単蒸留、蒸留(精留)、フラッシュ分離等の気液分離を行うことができる種々の装置や、遠心分離機などを使用することができる。
【0030】
このように、この実施形態では、ガス化部268を用いて処理チャンバーから排気される流体を分離回収部269に送り込む前に予め完全にガス化しているが、その理由は、減圧された二酸化炭素等の流体が温度との関係で気体状流体(炭酸ガス)と液体状流体(液化二酸化炭素)との混合物となるため、分離回収部269での分離効率および二酸化炭素のリサイクル効率を向上させる観点からである。
【0031】
なお、分離回収部269で分離された薬液成分からなる液体(または固体)成分は、分離回収部269から排出され、必要に応じて後処理される。一方、気体成分の二酸化炭素については、液化部263に送り込んで再利用に供する。なお、本実施形態では二酸化炭素を再利用する構成となっているが、使い捨てとする場合は、分離回収部269より排出すればよい。
【0032】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。カセット11に収容されている基板Wは、インデクサロボット14により搬出された後、さらに主搬送ロボット22に受け渡される。この基板Wを受け取った主搬送ロボット22は、インターフェース3、あるいは処理ユニット231〜233,241〜243およびユニット群25を構成する処理ユニットのうちいずれかの処理ユニットの前まで移動し、基板Wを搬入する。処理後の基板Wは、主搬送ロボット22により搬出され、次の処理ユニットまたはインターフェース3まで搬送される。ここで、1枚の基板Wに着目して搬送順序を見てみると、主搬送ロボット22は例えば次の順序で基板搬送を行う。
【0033】
(1)ユニット群25中の加熱処理ユニット:ベーク処理、
(2)ユニット群25中の冷却処理ユニット:冷却処理、
(3)レジスト塗布処理ユニット:レジスト塗布処理、
(4)インターフェース3:露光処理ユニットへの基板受渡し、
(5)ユニット群25中の加熱処理ユニット:ベーク処理、
(6)ユニット群25中の冷却処理ユニット:冷却処理、
(7)現像処理ユニット:現像処理、
(8)ユニット群25中の加熱処理ユニット:ポストベーク処理、
(9)ユニット群25中の冷却処理ユニット:冷却処理、
なお、ここでは、プロセスの一例を示したものであり、これ以外のプロセスで基板搬送および処理が行われる場合もある。
【0034】
ところで、主搬送ロボット22によって現像処理ユニット231,232,243に基板Wが搬送されてくると、従来装置と同様にして基板Wの表面に現像液を供給して現像処理を開始する。このように、この実施形態では、現像処理ユニットが本発明の「湿式処理ユニット」に相当している。また、この実施形態では、本発明の「専用搬送手段」に相当する専用搬送ロボット27が、主搬送ロボット22の動作とは全く関連させることなく、適切なタイミングで、現像処理とそれに引き続き実行されるリンス処理とを完了した基板Wを現像処理ユニットから取出し、処理液(主としてリンス液)が基板W上に盛られた状態のまま該現像処理ユニットに対応する高圧処理ユニット26に搬入する。
【0035】
そして、この基板Wを受け入れた高圧処理ユニット26では、制御部のメモリ(図示省略)に予め記憶されているプログラムにしたがって制御部が装置各部を制御して高圧処理として乾燥工程を行う装置である。その動作は以下のとおりである。
【0036】
まず、圧力容器261の側面部に設けられたゲートバルブを開く。そして、専用搬送ロボット27によってゲートバルブを介して未処理の基板Wが1枚搬入され、基板保持部に載置されると、基板保持部で基板Wを保持する。こうして基板保持が完了するとともに、専用搬送ロボット27が処理チャンバーから退避すると、ゲートバルブを閉じて高圧処理を行う。
【0037】
基板保持部で保持された基板Wは、現像処理ユニットにおいて純水を用いたリンス処理を受けているため、その基板表面は純水で濡れた状態にある。そこで、この実施形態では、この基板Wに置換液としてエタノール供給部260からエタノールを処理チャンバー内に導入して純水をアルコール置換する。
【0038】
そして、この置換の後に、超臨界二酸化炭素を圧力容器261内に供給する。すなわち、系内の液化二酸化炭素を昇圧器264で加圧して高圧液化二酸化炭素を形成し、さらにその高圧液化二酸化炭素を加熱器265で加熱して超臨界二酸化炭素を形成する。
【0039】
そして、超臨界二酸化炭素が基板保持部により保持されている基板Wの表面に向けて吐出され、基板Wの表面に接触して所定の乾燥処理が実行される。なお、乾燥工程中は、処理チャンバーの下流の高圧弁V2は閉じられている。あるいは、圧力容器261内が所定の圧力に保持されるように開度が調整され、調圧弁の働きをするように高圧弁V2を構成してもよい。
【0040】
この高圧処理によって基板Wを濡らしていた処理液成分(主にリンス液)は処理チャンバー内の超臨界二酸化炭素に拡散し、溶解することとなる。
【0041】
そして、所定時間の経過で乾燥処理が完了すると、処理チャンバー内の流体の排出を実行する。これは、高圧弁V1、V2を開いて超臨界二酸化炭素を供給することで押し出し排出しても良いし、高圧弁V1を閉じ、高圧弁V2を開いて排出しても良い。
【0042】
これに続いて、高圧弁V1を閉じて減圧し、処理チャンバーが大気圧に戻ると、圧力容器261の側面部に設けられたゲートバルブを開く。そして、専用搬送ロボット27によってゲートバルブを介して処理済みの基板Wが搬出されて一連の処理(乾燥処理)が完了する。
【0043】
なお、高圧処理ユニット26から搬出された基板Wは現像処理ユニット231,232,234を処理が行われず通過して主搬送ロボット22へ受け渡される。
【0044】
以上のように、この実施形態では、現像処理ユニット231,232,243のいずれについても、主搬送路21、現像処理ユニット(231,232,243)、専用搬送ロボット27および高圧処理ユニット26がこの順序でY方向に直線状に配列されている。したがって、3つの専用搬送ロボット27はそれぞれ現像処理ユニット231,232,243を挟んで主搬送路21から離間配置されている。そして、この状態でその表面が処理液により濡れた基板Wを高圧処理ユニット26に搬送する際に、基板Wに付着している処理液が主搬送路21側に飛散したり、その処理液の一部が蒸発して主搬送路21側に漏れようとしても、主搬送路21に至るまでに現像処理ユニット231,232,243が介在することとなる。その結果、主搬送路21に設けられた主搬送ロボット22が汚染されるのを効果的に防止することができる。
【0045】
また、上記実施形態では、主搬送路21、各現像処理ユニット231,232,243、専用搬送ロボット27および高圧処理ユニット26がこの順序で直線状に配列されており、専用搬送ロボット27から主搬送路21までの最短コース上に各現像処理ユニット231,232,243が位置することとなり、各現像処理ユニット231,232,243による主搬送ロボット22の汚染防止を効果的に行うことができる。
【0046】
さらに、従来技術のように主搬送ロボット22によって全処理ユニット間で基板Wを搬送する場合には主搬送ロボット22の空き時間などを考慮しながら、時間管理を行う必要があったが、上記実施形態によれば、各現像処理ユニット231,232,243から対応する高圧処理ユニット26への基板Wの搬送を専用搬送ロボット27によって行っているため、現像処理に関しては主搬送ロボット22の空き時間などを考慮することなく、現像処理にとって最適なタイミングで現像処理ユニット231,232,243から高圧処理ユニット26に基板Wを搬送することができ、時間管理作業を簡素化することができる。
【0047】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態ではインデクサ搬送路13と主搬送路21とがT字型となっている基板処理装置に対して本発明を適用しているが、図4や図5に示すように主搬送路21以外に副搬送路28が設けられ、インデクサ搬送路13、主搬送路21および副搬送路28が略ヒ字型となっている基板処理装置に対しても本発明を適用することができる。
【0048】
すなわち、この基板処理装置においては、主搬送路21のY方向側に2つのレジスト塗布処理ユニット231,232と2つの現像処理ユニット233,234が主搬送路21に面して配置されてユニット列23が構成されるとともに、主搬送路21と副搬送路28とに挟まれた領域に加熱処理や冷却処理を行うためのユニット群25が配置されている。そして、主搬送路21上をX方向に移動する主搬送ロボット22がユニット列23の各処理ユニット231〜234に対して基板搬送を行う一方、副搬送路28上をX方向に移動する副搬送ロボット29がユニット群25を構成する各処理ユニットに対して基板搬送を行う。
【0049】
そして、このように構成された基板処理装置においても、各現像処理ユニット233,234を挟んで主搬送路21の反対側に高圧処理ユニット26を配置するとともに、各現像処理ユニット233,234と、それに対応する高圧処理ユニット26との間に専用搬送ロボット27を配置することにより、上記実施形態と全く同様の作用効果を得ることができる。
【0050】
また、上記実施形態では、本発明の「湿式処理ユニット」として現像処理ユニットを有する基板処理装置に本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、エッチング液や洗浄液などの処理液を用いてエッチング処理や洗浄処理などの湿式表面処理を行う湿式処理ユニットと、その処理ユニットによって湿式表面処理された基板を受け取り、高圧流体を接触させて該基板の表面に対して表面処理を施す高圧処理ユニットとを設けた基板処理装置全般に対して本発明を適用することができ、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0051】
以下に、本発明の適用について説明する。
【0052】
第1に、例えばMEMSデバイスの湿式エッチング処理後に乾燥処理を行う高圧処理ユニットを設けた基板処理装置でもよい。
【0053】
第2に、現像処理、例えば有機溶剤による現像処理を完了した基板を現像処理ユニットから取出し、処理液が基板上に盛られた状態のまま高圧処理ユニットに搬入し洗浄工程、リンス工程および乾燥工程をこの順序で行う装置でもよい。
【0054】
この洗浄工程においては、基板に付着したレジストやエッチングポリマー等の高分子汚染物質も除去するため、二酸化炭素等の高圧流体のみからなる処理流体を用いた場合では洗浄力が不充分である点を考慮して、薬剤を添加して洗浄処理を行う。薬剤としては、洗浄成分として塩基性化合物を用いることが好ましい。レジストに多用される高分子物質を加水分解する作用があり、洗浄効果が高いためである。塩基性化合物の具体例としては、第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモニウムフッ化物、アルキルアミン、アルカノールアミン、ヒドロキシルアミン(NH2OH)およびフッ化アンモニウム(NH4F)よりなる群から選択される1種以上の化合物が挙げられる。洗浄成分は、高圧流体に対し、0.05〜8質量%含まれていることが好ましい。なお、基板乾燥のために本発明の高圧処理装置を用いる図1に示す実施形態の場合は、乾燥すべきレジストの性質に応じて、キシレン、メチルイソブチルケトン、第4級アンモニウム化合物、フッ素系ポリマー等を薬剤として添加してもよい。
【0055】
上記塩基性化合物等の洗浄成分が高圧流体に非相溶である場合には、この洗浄成分を二酸化炭素に溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶化剤を第2の薬剤として用いることが好ましい。この相溶化剤は、洗浄工程終了後のリンス工程で、汚れを再付着させないようにする作用も有している。
【0056】
相溶化剤としては、洗浄成分を高圧流体と相溶化させることができれば特に限定されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類や、ジメチルスルホキシド等のアルキルスルホキシドが好ましいものとして挙げられる。洗浄工程では、相溶化剤は高圧流体の10〜50質量%の範囲で適宜選択すればよい。そのため、高圧処理ユニットは図7に示すように圧力容器261と高圧弁V1との間に混合器266を配置する。
【0057】
この混合器266には、基板Wの表面処理に適した薬剤を貯蔵・供給する2種類の薬剤供給部、つまり第1薬剤供給部267aおよび第2薬剤供給部267bがそれぞれ高圧弁V3およびV4を介して接続されている。このため、高圧弁V3、V4の開閉制御によって第1薬剤供給部267aから第1薬剤が、また第2薬剤供給部267bから第2薬剤が開閉制御に応じた量だけ混合器266にそれぞれ供給されて超臨界二酸化炭素に対する薬剤の混合量が調整される。このように、この実施形態では、処理流体として「超臨界二酸化炭素」、「超臨界二酸化炭素+第1薬剤」、「超臨界二酸化炭素+第2薬剤」および「超臨界二酸化炭素+第1薬剤+第2薬剤」を選択的に調製して圧力容器261の処理チャンバーに供給可能となっており、表面処理の内容に応じて適宜高圧弁V3、V4を装置全体を制御部(図示書略)により開閉制御することによって処理流体の種類を選択するとともに、薬剤濃度をコントロールすることができるように構成されている。
【0058】
この高圧処理ユニットでの洗浄処理とリンス処理は以下のようにして行われる。
【0059】
即ち、この洗浄工程によって基板Wに付着していた汚染物質は、処理チャンバー内の処理流体(超臨界二酸化炭素+第1薬剤+第2薬剤)に溶解することとなる。ここで、例えば第1薬剤を洗浄成分とし、第2薬剤を相溶化剤と設定すると、汚染物質は洗浄成分(第1薬剤)および相溶化剤(第2薬剤)の働きにより超臨界二酸化炭素に溶解しているので、処理チャンバーに超臨界二酸化炭素のみを流通させると、溶解していた汚染物質が析出する可能性があるため、洗浄工程後に超臨界二酸化炭素と相溶化剤からなる第1リンス用処理流体による第1リンス工程と、超臨界二酸化炭素のみからなる第2リンス用処理流体による第2リンス工程とをこの順序で行うのが望ましい。
【0060】
そこで、この実施形態では、第1および第2薬剤の供給開始、つまり洗浄工程の開始から所定時間経過すると、高圧弁V3を閉じて第1薬剤供給部267aを供給停止モードとし、第1薬剤供給部267aからの第1薬剤(洗浄成分)の混合器266へと圧送を停止して混合器266において超臨界二酸化炭素と相溶化剤とを混合させて第1リンス用処理流体を調製し、処理チャンバーに供給する。また、これと同時に、高圧弁V2を開く。これによって第1リンス用処理流体が処理チャンバー内を流通して処理チャンバー内の洗浄成分および汚染物質が次第に少なくなっていき、最終的には第1リンス用処理流体(超臨界二酸化炭素+相溶化剤)で満たされることとなる。
【0061】
こうして、第1リンス工程が完了すると、続いて第2リンス工程を行う。この第2リンス工程では、さらに高圧弁V4を閉じて第2薬剤供給部267bを供給停止モードとし、第2薬剤供給部267bからの第2薬剤(相溶化剤)の混合器266へと圧送を停止して超臨界二酸化炭素のみを第2リンス用処理流体として処理チャンバーに供給する。これによって第2リンス用処理流体が処理チャンバー内を流通して処理チャンバーが第2リンス用処理流体(超臨界二酸化炭素)で満たされることとなる。
【0062】
これに続いて、高圧弁V1を閉じて減圧し、基板Wに対する乾燥処理を実行する。そして、処理チャンバーが大気圧に戻ると、圧力容器261の側面部に設けられたゲートバルブを開く。そして、専用搬送ロボット27によってゲートバルブを介して処理済みの基板Wが搬出されて一連の処理(洗浄処理+第1リンス処理+第2リンス処理+乾燥処理)が完了する。
【0063】
また、上記実施形態では、2種類の薬剤を超臨界二酸化炭素(高圧流体)に混合させて処理流体を調製しているが、薬剤の種類や数などについては任意である。また、薬剤を使用しないで表面処理を行う場合には、薬剤供給部が不要となる。
【0064】
さらに、上記実施形態では、表面処理として洗浄処理、第1リンス処理、第2リンス処理、乾燥処理を実行しているが、その処理内容はこれに限定されるものではなく、湿式処理ユニットによる湿式表面処理に続いて行う表面処理を高圧処理ユニットで行うようにすればよい。
【0065】
第3に、洗浄処理、例えばドライエッチングを完了した基板を洗浄ユニットから取出し、純水や有機溶媒で基板表面が濡れた状態で搬送し高圧処理ユニットで洗浄工程、リンス工程および乾燥工程をこの順で行う装置でもよい。
【0066】
また、上記実施形態では専用搬送ロボット27が現像処理ユニットによる現像処理とリンス処理を受け、リンス液により基板Wが濡れた状態のまま高圧処理ユニット26に搬送しているが、例えば図6に示すように基板Wを搬送用容器100内に収容するとともに、その搬送用容器100に純水や有機溶媒などの保湿用液101を入れて基板表面が濡れた状態で基板搬送を行うようにしてもよい。
【0067】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、高圧処理ユニットを主搬送路から離間して湿式処理ユニットを挟んで配置するとともに、専用搬送手段を湿式処理ユニットと高圧処理ユニットとの間に配置しているので、専用搬送手段により基板を搬送している際に基板に付着している液体(処理液など)が主搬送路側に飛散したり、その液体の一部が蒸発して主搬送路側に漏れるのを湿式処理ユニットによって食い止めることができ、主搬送手段の汚染を効果的に防止することができる。また、主搬送手段の空き時間を考慮することなく、専用搬送手段によって適宜、湿式処理ユニットから高圧処理ユニットに基板を搬送することができ、時間管理作業を簡素化することができる。さらに、主搬送路、湿式処理ユニット、専用搬送手段および高圧処理ユニットがこの順序で直線状に配列されているので、専用搬送手段から主搬送路までの最短コース上に湿式処理ユニットが位置することとなり、湿式処理ユニットによる主搬送手段の汚染防止を効果的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。
【図2】図1のA−A線矢視図である。
【図3】図1の基板処理装置の高圧処理ユニットの概略構成を示すブロック図である。
【図4】この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。
【図5】この発明にかかる基板処理装置の別の実施形態を示す図である。
【図6】現像処理ユニットから高圧処理ユニットへの基板搬送形態の一例を示す図である。
【図7】この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。
【図8】従来の基板処理装置を示す図である。
【符号の説明】
21…主搬送路
22…主搬送ロボット(主搬送手段)
26…高圧処理ユニット
27…専用搬送ロボット(専用搬送手段)
231,232,233,234,243…現像処理ユニット(湿式処理ユニット)
W…基板
Claims (2)
- 主搬送路に面して配置され、処理液を基板に供給することによって該基板に対して所定の湿式表面処理を施す湿式処理ユニットと、
前記主搬送路に配置され、前記湿式処理ユニットに対して基板の搬入または搬出を行う主搬送手段と、
前記主搬送路から離間して前記湿式処理ユニットを挟んで配置され、前記湿式処理ユニットにより湿式表面処理が施された基板の表面に、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として接触させて該基板の表面に対して表面処理を施す高圧処理ユニットと、
前記湿式処理ユニットと前記高圧処理ユニットとの間に配置され、前記湿式処理ユニットから前記高圧処理ユニットに基板を搬送する専用搬送手段と
を備え、
前記主搬送路、前記湿式処理ユニット、前記専用搬送手段および前記高圧処理ユニットがこの順序で直線状に配列されている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記高圧処理ユニットは前記表面処理の最終処理として前記基板を乾燥させる乾燥処理を実行する請求項1記載の基板処理装置。
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JP2005159295A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-06-16 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置及び処理方法 |
JP2005191511A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4467367B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2010-05-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板反転装置、基板搬送装置、基板処理装置、基板反転方法、基板搬送方法および基板処理方法 |
JP4381909B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2009-12-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006026549A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Zebiosu:Kk | 洗浄方法及びそれを実施するための洗浄装置 |
US7798764B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
US7699021B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7819079B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US20060182535A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-08-17 | Mike Rice | Cartesian robot design |
US7396412B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
US7651306B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US20060241813A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design |
JP4444154B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2010-03-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4514224B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置 |
US7694688B2 (en) * | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
US7950407B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
CN101255012B (zh) * | 2007-02-27 | 2010-08-18 | 睿明科技股份有限公司 | Tft lcd玻璃基板的蚀刻装置及其蚀刻方法 |
KR101394090B1 (ko) * | 2007-10-22 | 2014-05-13 | 주식회사 케이씨텍 | 습식세정장치의 냉각구조 |
JP5426439B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | 超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置 |
JP5620234B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置 |
JP5146522B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2013-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5802407B2 (ja) | 2011-03-04 | 2015-10-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2013254904A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10046371B2 (en) | 2013-03-29 | 2018-08-14 | Semes Co., Ltd. | Recycling unit, substrate treating apparatus and recycling method using the recycling unit |
CN106688038B (zh) * | 2014-09-30 | 2018-08-17 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板的制造方法 |
TWI623968B (zh) * | 2015-09-30 | 2018-05-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 使用液態二氧化碳以使半導體基板乾燥的方法及設備 |
JP2018056469A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6925219B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR102225957B1 (ko) * | 2018-09-12 | 2021-03-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US11437250B2 (en) * | 2018-11-15 | 2022-09-06 | Tokyo Electron Limited | Processing system and platform for wet atomic layer etching using self-limiting and solubility-limited reactions |
KR102636979B1 (ko) * | 2019-04-26 | 2024-02-14 | 삼성전자주식회사 | 멀티 챔버 장치 |
KR20220055283A (ko) | 2020-10-26 | 2022-05-03 | 주식회사 케이씨텍 | 세정액 검출장치 |
US11915941B2 (en) | 2021-02-11 | 2024-02-27 | Tokyo Electron Limited | Dynamically adjusted purge timing in wet atomic layer etching |
US11802342B2 (en) | 2021-10-19 | 2023-10-31 | Tokyo Electron Limited | Methods for wet atomic layer etching of ruthenium |
US11866831B2 (en) | 2021-11-09 | 2024-01-09 | Tokyo Electron Limited | Methods for wet atomic layer etching of copper |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6377118A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Fujitsu Ltd | レジストの乾燥方法 |
JP2829909B2 (ja) | 1993-11-19 | 1998-12-02 | ソニー株式会社 | レジスト処理方法及びレジスト処理装置 |
JP3159284B2 (ja) * | 1994-02-03 | 2001-04-23 | キヤノン株式会社 | ウエハ処理装置 |
DE19506404C1 (de) | 1995-02-23 | 1996-03-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Freiätzen (Separieren) und Trocknen mikromechanischer Komponenten |
JPH09139374A (ja) | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および装置ならびにこれにより得られた素子 |
JP2859849B2 (ja) * | 1996-05-20 | 1999-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JPH1031316A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3571471B2 (ja) * | 1996-09-03 | 2004-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法,塗布現像処理システム及び処理システム |
US6413355B1 (en) * | 1996-09-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
JP3450138B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2003-09-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR19980050942A (ko) * | 1996-12-21 | 1998-09-15 | 김영환 | 웨이퍼 세정 장치 및 방법 |
JP3548373B2 (ja) * | 1997-03-24 | 2004-07-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6439824B1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-08-27 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor immersion processing system |
JPH1187306A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超臨界乾燥装置 |
JP3283454B2 (ja) | 1997-11-07 | 2002-05-20 | 電気化学工業株式会社 | 放熱スペーサー |
JP4026906B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2007-12-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理システム |
TW444275B (en) * | 1998-01-13 | 2001-07-01 | Toshiba Corp | Processing device, laser annealing device, laser annealing method, manufacturing device and substrate manufacturing device for panel display |
JP3492528B2 (ja) | 1998-09-09 | 2004-02-03 | 日本電信電話株式会社 | 超臨界乾燥装置および方法 |
JP3343219B2 (ja) | 1998-11-04 | 2002-11-11 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法 |
US6457929B2 (en) * | 1998-11-03 | 2002-10-01 | Seh America, Inc. | Apparatus and method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment |
JP2001144086A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Sony Corp | 埋め込み配線の形成方法、及び、基体処理装置 |
JP3605544B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2004-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
JP3930244B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2007-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4044300B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2008-02-06 | 株式会社神戸製鋼所 | ウェハ等の処理設備および処理方法 |
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