JP7045196B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の第1態様では、支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して、光を照射することで前記反応層を変質させる光照射ユニットと、前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離ユニットと、前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する第1洗浄ユニットと、前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理する第2洗浄ユニットと、を備える、基板処理装置が提供される。
また、本発明の第2態様では、支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して光を照射することで前記反応層を変質させる光照射工程と、前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離工程と、前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する液体洗浄工程と、前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理するプラズマ洗浄工程と、を含む、基板処理方法が提供される。
図1は、第1実施形態に関する基板処理装置1の一例を機能ブロックで示す図である。図1に示す基板処理装置1は、積層体50に対して各種の処理を行い、基板40を形成する。積層体50は、支持体10と、反応層20と、接着層30と、基板40とを備えている。なお、図示しないが、積層体50から分離された支持体10は、基板処理装置1から適宜取り出されてもよいし、基板処理装置1内において所定枚数に達するまで保管された後にまとめて基板処理装置1から取り出されてもよい。図1に示すように、基板処理装置1は、光照射ユニット2と、剥離ユニット3と、第1洗浄ユニット4と、第2洗浄ユニット5と、第3洗浄ユニット6と、搬送ユニット7とを備えている。
その他、入手容易性の高い溶媒としては、東京応化工業株式会社製TZNR(登録商標)-HCシンナー等を用いることができる。
基板処理装置1によって処理される積層体50について説明する。図2は、基板処理装置1で処理される積層体の一例を示し、図2(A)は接着層30を含む積層体50の図、図2(B)は接着層30を含まない積層体50Aの図である。すなわち、図2(A)に示す積層体50は、支持体10と、反応層20と、接着層30と、基板40とを備える。また、図2(B)に示す積層体50Aは、支持体10と、反応層20と、基板40とを備える。
支持体10は、例えば、厚さが50~500μmの円形状又はほぼ円形状の半導体ウエハが用いられる。半導体ウエハの厚さは任意である。また、支持体10は、半導体ウエハに代えて、例えば、厚さが500~1500μmのガラス板などが用いられてもよい。支持体10は、円形状又はほぼ円形状であることに限定されず、例えば、矩形状、楕円形状、多角形状など、他の形状であってもよい。
反応層20は、例えば光を吸収することによって変質する材料から形成される。本実施形態において、反応層20が変質するとは、反応層20がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は反応層20と接する層との接着力が低下した状態にさせることをいう。反応層20は、光を吸収して変質することにより、変質する前に比べて、強度又は支持体10に対する接着性が低下する。このため、変質後の反応層20は、わずかな外力を加える(例えば、支持体10を持ち上げるなど)こと等により、破壊され又は支持体10から剥離する。
反応層20は、フルオロカーボンからなっていてもよい。反応層20は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体10を持ち上げる等)ことによって、反応層20が破壊されて、支持体10と基板40とを分離し易くすることができる。反応層20を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
反応層20は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光照射ユニット2において光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。反応層20は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体10を持ち上げる等)ことによって、反応層20が破壊されて、支持体10と基板40とを分離し易くすることができる。
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)~(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
反応層20は、無機物からなっていてもよい。反応層20は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体10を持ち上げる等)ことによって、反応層20が破壊されて、支持体10と基板40とを分離し易くすることができる。
反応層20は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。反応層20は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、反応層20が破壊されて、支持体10と基板40とを分離し易くすることができる。
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記の化学式[化3]で表される繰り返し単位及び下記の化学式[化5]で表される繰り返し単位の共重合体であるt-ブチルスチレン(TBST)-ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記の化学式[化3]で表される繰り返し単位及び下記の化学式[化5]で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST-ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007-258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010-120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009-263316号公報(2009年11月12日公開)及び特開2009-263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
反応層20は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。反応層20は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体10を持ち上げる等)ことによって、反応層20が破壊されて、支持体10と基板40とを分離し易くすることができる。
接着層30に含有される樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル-スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある)、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある)等が挙げられるが、これに限定されない。
アクリル-スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N-メチルマレイミド、N-エチルマレイミド、N-n-プロピルマレイミド、N-イソプロピルマレイミド、N-n-ブチルマレイミド、N-イソブチルマレイミド、N-sec-ブチルマレイミド、N-tert-ブチルマレイミド、N-n-ペンチルマレイミド、N-n-ヘキシルマレイミド、N-n-へプチルマレイミド、N-n-オクチルマレイミド、N-ラウリルマレイミド、N-ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、N-シクロプロピルマレイミド、N-シクロブチルマレイミド、N-シクロペンチルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-シクロヘプチルマレイミド、N-シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-m-メチルフェニルマレイミド、N-o-メチルフェニルマレイミド、N-p-メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、APL 8008T、APL 8009T、及びAPL 6013T(全て三井化学株式会社製)等を使用することができる。
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、炭素数1~5のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であることが好ましい。
接着層30を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、p-メンタン、o-メンタン、m-メンタン、ジフェニルメンタン、1,4-テルピン、1,8-テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α-テルピネオール、β-テルピネオール、γ-テルピネオール、テルピネン-1-オール、テルピネン-4-オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4-シネオール、1,8-シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、d-リモネン、l-リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤;γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
接着層30を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
基板40は、電子部品41と、モールド42とを有する。電子部品41は、例えば、半導体等を用いて形成されたチップ等を含む。図2(A)に示す積層体50では、電子部品41は、接着層30上に配置される。また、図2(B)に示す積層体50Aでは、電子部品41は、反応層20上に配置される。
図3は、上記のように構成された積層体50、50A(又は基板40)を保持する保持具の一例を示し、図3(A)は積層体50、50Aを保持した保持具の斜視図、図3(B)は図3(A)のA-A線に沿った断面図である。図3においては、保持具60が積層体50を保持する場合の例として示しており、積層体50Aであっても同様である。また、保持具60は、積層体50、50Aから支持体10を剥離した基板40が保持される。なお、基板40を保持する保持具60の形態については、図6(B)において示されている。
次に、本実施形態に係る基板処理方法について説明する。図4は、実施形態に関する基板処理方法の一例を示すフローチャートである。この基板処理方法は、基板処理装置1において行う。図4に示すように、基板処理方法は、光照射工程S10と、剥離工程S20と、基板洗浄工程S30とを含む。光照射工程S10、剥離工程S20、及び基板洗浄工程S30の各工程は、基板処理装置1において行う。以下の例では、まず、接着層30を含む積層体50(図2(A)参照)を例に挙げて説明する。
光照射工程S10は、積層体50に対して、光を照射することで反応層20を変質させる。光照射工程S10は、基板処理装置1の光照射ユニット2において行う。図5は、光照射ユニット2及び光照射工程S10の一例を示し、図5(A)は、積層体50の全面に光を照射する場合の図、図5(B)は積層体50に対して光を走査する場合の図である。なお、光照射ユニット2への積層体50の搬送は、搬送ユニット7により行う。
剥離工程S20は、基板40を支持体10から剥離させる。剥離工程S20は、基板処理装置1の剥離ユニット3において行う。図6は、剥離ユニット3及び剥離工程の一例を示し、図6(A)は支持体10を剥離する前の図、図6(B)は支持体10を剥離した後の図である。
基板洗浄工程S30は、液体洗浄工程及びプラズマ洗浄工程を含む。液体洗浄工程は、支持体10から剥離された基板40を液体により洗浄する。プラズマ洗浄工程は、支持体10から剥離された基板40をプラズマにより処理する。基板洗浄工程S30では、液体洗浄工程とプラズマ洗浄工程とを所定の順序で行うことができる。具体的には、基板洗浄工程S30は、以下のラインAからラインDのいずれかの工程を行うことができる。ラインAは、液体洗浄工程S31を行い、次にプラズマ洗浄工程S32を行う場合である。ラインBは、液体洗浄工程S33を行い、次にプラズマ洗浄工程S34を行い、次に液体洗浄工程S35を行う。ラインCは、プラズマ洗浄工程S36を行い、次に液体洗浄工程S37を行う。ラインDは、プラズマ洗浄工程S38を行い、次に液体洗浄工程S39を行い、次にプラズマ洗浄工程S40を行う。以下、ラインAからラインDを順に説明する。
ラインAでは、液体洗浄工程S31を行った後、プラズマ洗浄工程S32を行う。ラインAの各工程を行う場合、剥離工程S20を行った後の搬送工程において、支持体10が剥離された基板40を、搬送ユニット7の搬送装置7aにより、剥離ユニット3から第1洗浄ユニット4に搬送する。基板40を第1洗浄ユニット4に搬送した後、第1洗浄ユニット4において液体洗浄工程S31を行う。図7は、第1洗浄ユニット4及び液体洗浄工程S31の一例を示し、図7(A)は液体により基板40を洗浄している状態の図、図7(B)は液体洗浄工程S31後の基板40を示す図である。
ラインBでは、液体洗浄工程S33を行い、プラズマ洗浄工程S34を行った後、液体洗浄工程S35を行う。ラインBの各工程を行う場合には、剥離工程S20を行った後の搬送工程において、支持体10が剥離された基板40を、搬送ユニット7の搬送装置7aにより、剥離ユニット3から第3洗浄ユニット6に搬送する。液体洗浄工程S33は、第3洗浄ユニット6において行う。図9は、第3洗浄ユニット6及び液体洗浄工程S33の一例を示し、図9(A)は液体により基板40を洗浄している状態の図、図9(B)は液体洗浄工程S33後の基板40を示す図である。
ラインCでは、プラズマ洗浄工程S36を行った後、液体洗浄工程S37を行う。ラインCの各工程を行う場合、剥離工程S20を行った後の搬送工程において、支持体10が剥離された基板40を、搬送ユニット7の搬送装置7aにより、剥離ユニット3から第2洗浄ユニット5に搬送する。基板40を第2洗浄ユニット5に搬送した後、第2洗浄ユニット5においてプラズマ洗浄工程S36を行う。図12は、第2洗浄ユニット5及びプラズマ洗浄工程S36の他の例を示し、図12(A)はプラズマ5aにより基板40を洗浄している状態の図、図12(B)はプラズマ洗浄工程S36後の基板40を示す図である。
ラインDでは、プラズマ洗浄工程S38を行い、液体洗浄工程S39を行った後、プラズマ洗浄工程S40を行う。ラインDの各工程を行う場合、剥離工程S20を行った後の搬送工程において、支持体10が剥離された基板40を、搬送ユニット7の搬送装置7aにより、剥離ユニット3から第2洗浄ユニット5に搬送する。基板40を第2洗浄ユニット5に搬送した後、第2洗浄ユニット5においてプラズマ洗浄工程S38を行う。プラズマ洗浄工程S38は、ラインCにおけるプラズマ洗浄工程S36と同様に、保持具60をステージ5bに載置した状態で、接着層30上の空間にプラズマ5aを発生させる(図12(A)参照)。このプラズマ5aにより、反応層20の一部が処理され、基板40上から除去される(図12(B)参照)。
図16は、基板処理装置1の各ユニットの配置の一例を示す図である。図16では、XYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。このXYZ座標系において、鉛直方向をZ方向とし、水平方向をX方向及びY方向とする。また、X、Y、Z方向の各方向について、矢印が指す方向を+方向(例えば、+X方向)と称し、その反対方向を-方向(例えば、-X方向)と称する。図16に示す基板処理装置1は、接着層30を含む積層体50を処理する。基板処理装置1は、上述した光照射ユニット2と、剥離ユニット3と、第1洗浄ユニット4と、第2洗浄ユニット5と、第3洗浄ユニット6と、搬送ユニット7とを有する。また、基板処理装置1は、複数の積層体50又は基板40を収容する容器(例えば、FOUPなど)を載置するロードポート8と、積層体50又は基板40を搬出入又は一時保管するロードポート9とを有する。
次に、接着層30を含まない積層体50Aについての基板処理方法を説明する。図17は、実施形態に関する基板処理方法の他の例を示すフローチャートである。この基板処理方法は、積層体50と同様に、基板処理装置1において行う。図17に示すように、接着層30を含まない積層体50Aについての基板処理方法は、光照射工程S50と、剥離工程S60と、液体洗浄工程S70と、プラズマ洗浄工程S80とを含む。なお、プラズマ洗浄工程S80の後、液体洗浄工程S90を行ってもよい。
光照射工程S50は、積層体50Aに対して、光を照射することで反応層20を変質させる。光照射工程S50は、基板処理装置1の光照射ユニット2において行う。図18は、光照射ユニット2及び光照射工程S50の一例を示し、図18(A)は積層体50Aの全面に光を照射する場合の図、図18(B)は積層体50Aに対して光を走査する場合の図である。なお、光照射ユニット2への積層体50Aの搬送は、搬送ユニット7により行う。
剥離工程S60は、基板40を支持体10から剥離させる。剥離工程S60は、基板処理装置1の剥離ユニット3において行う。図19は、剥離ユニット3及び剥離工程S60の一例を示し、図19(A)は支持体10を剥離する前の図、図19(B)は支持体10を剥離した後の図である。
基板40を第3洗浄ユニット6に搬送した後、第3洗浄ユニット6において液体洗浄工程S70を行う。図20は、第3洗浄ユニット6及び液体洗浄工程S70の一例を示し、図20(A)は液体により基板40を洗浄している状態の図、図20(B)は液体洗浄工程S70後の基板40を示す図である。
基板40を第2洗浄ユニット5に搬送した後、第2洗浄ユニット5においてプラズマ洗浄工程S80を行う。プラズマ洗浄工程S80は、第2洗浄ユニット5において行う。図21は、第2洗浄ユニット5及びプラズマ洗浄工程S80の他の例を示し、図21(A)はプラズマ5aにより基板40を洗浄している状態の図、図21(B)はプラズマ洗浄工程S80後の基板40を示す図である。
図22(B)は、図22(A)に示す基板40を液体により洗浄している状態の図である。図22(B)に示すように、液体洗浄工程S90では、上記した液体洗浄工程S70と同様、リング62の上部側を支持部6bにより所定高さに支持し、持ち上げ装置6aによりフィルム61の下方から基板40を持ち上げて、リング62に対して基板40が上方に突出した状態とする。なお、基板40を所定高さに保持した状態でリング62を支持部6bで下方に押すことにより、図22(B)に示す状態としてもよい。また、液体洗浄工程S90及び第3洗浄ユニット6において、リング62に対して基板40を持ち上げるか否かは任意であり、リング62に対して基板40を持ち上げずに処理を行ってもよい。
図23は、基板処理装置1Aの各ユニットの配置の一例を示す図である。図23では、図16と同様のXYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。接着層30を含まない積層体50Aを処理する場合、図16に示す基板処理装置1を用いてもよいが、積層体50Aには接着層30がないため、接着層30を除去するための第1洗浄ユニット4が不要である。従って、積層体50Aを処理する場合、図23に示す基板処理装置1Aを用いることもできる。図23に示す基板処理装置1Aは、接着層30を含まない積層体50Aを処理する。基板処理装置1Aは、上述した光照射ユニット2と、剥離ユニット3と、第2洗浄ユニット5と、第3洗浄ユニット6と、搬送ユニット7とを有する。また、基板処理装置1は、複数の積層体50又は基板40を収容する容器を載置するロードポート8と、積層体50又は基板40を搬出入又は一時保管するロードポート9とを有する。
1、1A・・・基板処理装置
2・・・光照射ユニット
2a、2b・・・照射装置
3・・・剥離ユニット
3a・・・吸着装置
4・・・第1洗浄ユニット
5・・・第2洗浄ユニット
6・・・第3洗浄ユニット
7・・・搬送ユニット
7a・・・搬送装置
8、9・・・ロードポート
10・・・支持体
20・・・反応層
20a・・・変質層
30・・・接着層
40・・・基板
50、50A・・・積層体
60・・・保持具
Claims (15)
- 支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して、光を照射することで前記反応層を変質させる光照射ユニットと、
前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離ユニットと、
前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する第1洗浄ユニットと、
前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理する第2洗浄ユニットと、
前記積層体を保持する保持具と、を備え、
前記保持具は、弾性変形可能であって前記積層体のうち前記基板を貼り付けたフィルムと、前記積層体を囲むように前記フィルムに貼り付けられたリングとを有し、
前記第1洗浄ユニットは、洗浄する際に、前記フィルムを変形させることにより前記基板を前記リングより上方に突出させる、基板処理装置。 - 前記積層体は、前記反応層と前記基板との間にさらに接着層を有しており、
前記第1洗浄ユニットは、前記支持体から剥離された前記基板に付着している前記接着層を液体により除去する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1洗浄ユニットにおいて用いられる前記液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる1種以上を含む、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第2洗浄ユニットは、酸素プラズマにより前記基板を処理する、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1洗浄ユニット、前記第2洗浄ユニット、及び前記剥離ユニットは、複数のパネルにより形成された同一の空間内に配置される、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記空間内に、前記支持体又は前記支持体から剥離された前記基板を搬送する搬送装置を備える、請求項5に記載の基板処理装置。
- 支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して光を照射することで前記反応層を変質させる光照射工程と、
前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離工程と、
前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する液体洗浄工程と、
前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理するプラズマ洗浄工程と、を含み、
前記積層体は、弾性変形可能であって前記積層体のうち前記基板を貼り付けたフィルムと、前記積層体を囲むように前記フィルムに貼り付けられたリングとを有する保持具に保持されており、
前記液体洗浄工程は、前記フィルムを変形させることにより前記基板を前記リング上方に突出させた状態で行う、基板処理方法。 - 前記液体洗浄工程において用いられる前記液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる1種以上を含む、請求項7に記載の基板処理方法。
- 前記プラズマ洗浄工程は、酸素プラズマにより前記基板を処理する、請求項7又は請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記支持体から剥離された前記基板に対して、前記液体洗浄工程を行った後に前記プラズマ洗浄工程を行う、請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記支持体から剥離された前記基板に対して、前記プラズマ洗浄工程を行った後に前記液体洗浄工程を行う、請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記プラズマ洗浄工程を行った後に行われる前記液体洗浄工程とは別に、前記プラズマ洗浄工程の前に、さらに1以上の液体洗浄工程を行う、請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記プラズマ洗浄工程前に行われる前記液体洗浄工程において用いられる前記液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる1種以上を含む、請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記積層体は、前記反応層と前記基板との間にさらに接着層を有している、請求項7から請求項13のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記液体洗浄工程、前記プラズマ洗浄工程、及び前記剥離工程のそれぞれの工程間に、前記支持体又は前記支持体から剥離された前記基板を搬送する搬送工程を含む、請求項7から請求項14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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