JP6364531B1 - 積層体の製造方法、電子装置の製造方法、積層体、及び積層体製造システム - Google Patents

Abstract

【課題】分離層が容易に剥がれることを抑制し、その後の処理を円滑に行うことができ、積層体あるいは電子装置を容易に製造する。【解決手段】矩形状のガラス支持体１０と、光の吸収または加熱により変質する分離層２０と、が積層された積層体５０を製造する方法であって、分離層２０を、端部２０ｅがガラス支持体１０の端部１０ｅから離間するようにガラス支持体１０上の中央部分に形成する分離層形成工程Ｓ０１を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、積層体の製造方法、電子装置の製造方法、積層体、及び積層体製造システムに関する。

近年、電子装置を製造する方法の一例として、いわゆるファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）技術と呼ばれる手法が知られている。ファンアウト型ＰＬＰ技術では、例えば、板状の支持体に、光の吸収または加熱により変質する分離層を形成し、その上に電子部品を有する基板を積層する。その後、分離層に光又は熱を加えて支持体から基板を分離させ、基板を電子部品ごとに切断して電子装置を得ている。支持体としては矩形状のガラス支持体を用いることも提案されており、このようなガラス支持体を用いたファンアウト型ＰＬＰ技術では、分離層を形成するための液状体をスリットノズル等からガラス支持体に塗布して乾燥させることにより、ガラス支持体上に分離層を形成している（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

特開平９−２９１６７号公報 特開２００２−１８６８９３号公報

ファンアウト型ＰＬＰ技術では、歩留りを向上させるために、電子部品を含む基板をガラス支持体上に広く形成することが行われている。この場合、基板をガラス支持体から剥離させるため、分離層がガラス支持体の端部まで形成されることが想定される。ただし、分離層がガラス支持体の端部まで形成されると、分離層とガラス支持体との密着性がガラス支持体の端部において低くなり、分離層が剥がれやすくなって、分離層形成後の処理に支障が生じるという問題がある。特に液状体を塗布して分離層を形成する場合、端部において分離層が厚くなって剛性が高くなり、しかも液状体の乾燥に伴って分離層が中央側に引っ張られ、端部から剥がれやすくなるといった問題がある。また、スリットノズル等からガラス支持体に液状体を塗布して分離層を形成する場合、液状体の塗布をガラス支持体の端部手前で停止させても液状体がガラス支持体上で拡がり、端部に到達した状態で分離層が形成されることになり、上記と同様に分離層が剥がれやすくなる。

以上のような事情に鑑み、本発明は、ガラス支持体と分離層との密着性を向上させて、分離層が容易に剥がれることを抑制し、その後の処理を円滑に行うことが可能な積層体の製造方法、電子装置の製造方法、積層体、及び積層体製造システムを提供することを目的とする。

本発明の態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造する方法であって、分離層を、端部がガラス支持体の端部から離間するようにガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成工程と、分離層形成工程の後、分離層のガラス支持体が存在しない側に、分離層と互いが接し合うように接着層を形成する接着層形成工程と、を含み、接着層は、端部が分離層の端部から離間した状態で分離層上に形成される、積層体の製造方法が提供される。
本発明の態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造する方法であって、分離層を、端部がガラス支持体の端部から離間するようにガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成工程と、分離層形成工程の後、分離層のガラス支持体が存在しない側に電子部品を有する基板を形成する基板形成工程と、を含み、基板は、端部が分離層の端部から離間した状態で分離層上に形成される、積層体の製造方法が提供される。
本発明の態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体であって、分離層が、ガラス支持体上の中央部分に備えられ、分離層は、端部がガラス支持体の端部から離間されており、分離層のガラス支持体が存在しない側に、分離層と互いが接し合うように接着層が形成され、接着層は、端部が分離層の端部から離間した状態で分離層上に形成される、積層体が提供される。
本発明の態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体であって、分離層が、ガラス支持体上の中央部分に備えられ、分離層は、端部がガラス支持体の端部から離間されており、分離層のガラス支持体が存在しない側に電子部品を有する基板が形成され、基板は、端部が分離層の端部から離間した状態で分離層上に形成される、積層体が提供される。
本発明の態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造するシステムであって、分離層を、端部がガラス支持体の端部から離間した状態でガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成装置と、分離層が形成された後、分離層のガラス支持体が存在しない側に、分離層と互いが接し合うように接着層を形成する接着層形成装置と、を含み、接着層形成装置は、接着層を、端部が分離層の端部から離間した状態で分離層上に形成する、積層体製造システムが提供される。
本発明の態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造するシステムであって、分離層を、端部がガラス支持体の端部から離間した状態でガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成装置と、分離層が形成された後、分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に電子部品を有する基板を形成する基板形成装置と、を含み、基板形成装置は、基板を、端部が分離層の端部から離間した状態で分離層上に形成する、積層体製造システムが提供される。
本発明の第１態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により変質する分離層と、が積層された積層体を製造する方法であって、前記分離層を、端部が前記ガラス支持体の端部から離間するように前記ガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成工程を含む、積層体の製造方法が提供される。

本発明の第２態様では、上記した積層体の製造方法により積層体を製造することと、前記分離層を変質させて、前記積層体から前記ガラス支持体を分離することと、を含む、電子装置の製造方法が提供される。

本発明の第３態様は、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により変質する分離層と、が積層された積層体であって、前記分離層が、前記ガラス支持体上の中央部分に備えられ、当該分離層は、端部が前記ガラス支持体の端部から離間されている、積層体が提供される。

本発明の第４態様では、矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により変質する分離層と、が積層された積層体を製造するシステムであって、前記分離層を、端部が前記ガラス支持体の端部から離間した状態で前記ガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成装置を含む、積層体製造システムが提供される。

本発明によれば、分離層の端部がガラス支持体の端部から離間した状態でガラス支持体上の中央部分に形成されるので、ガラス支持体と分離層との密着性を向上させることにより分離層が容易に剥がれることを抑制し、その後の処理を円滑に行うことができ、積層体あるいは電子装置を容易に製造することができる。

実施形態に係る電子装置の製造方法の一例を示すフローチャートである （Ａ）及び（Ｂ）は、電子装置の製造方法の一工程を示す図である。 （Ａ）から（Ｃ）は、図２に続いて、電子装置の製造方法の一工程を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、図３に続いて、電子装置の製造方法の一工程を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、図４に続いて、電子装置の製造方法の一工程を示す図である。 実施形態に係る分離層形成装置の一例を示す斜視図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、分離層形成工程の一例を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、図７に続いて、分離層形成工程の一例を示す図である。 分離層形成工程の一例を示す図である。 接着層形成工程の一例を示す図である。 接着層形成工程の一例を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、積層体の製造方法の他の例を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、積層体の製造方法の他の例を示す図である。 （Ａ）から（Ｃ）は、積層体の製造方法の他の例を示す工程図である。 実施形態に係る積層体製造システムの一例を模式的に示すブロック図である。 （Ａ）から（Ｃ）は、実施例における剥離テストの結果を示す表である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下、図面においては、各構成をわかりやすくするために、一部を強調して、あるいは一部を簡略化して表しており、実際の構造または形状、縮尺等が異なっている場合がある。

図１は、実施形態に係る電子装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態では、いわゆるファンアウト型ＰＬＰ技術により電子装置を製造する。実施形態に係る電子装置の製造方法は、図１に示すように、分離層形成工程（ステップＳ０１）と、接着層形成工程（ステップＳ０２）と、基板形成工程（ステップＳ０３）と、モールド研磨工程（ステップＳ０４）と、分離層変質工程（ステップＳ０５）と、ガラス支持体剥離工程（ステップＳ０６）と、接着層除去工程（ステップＳ０７）と、を含む。

図２から図５は、実施形態に係る電子装置の製造方法について、工程の一例を示す図である。以下、図２から図５においては、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系においては、ガラス支持体のうち分離層が形成される分離層形成面に平行な面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面に平行な一方向（例えば、ガラス支持体の短手方向）をＸ方向と表記し、Ｘ方向に直交する方向（例えば、ガラス支持体の長手方向）をＹ方向と表記する。また、ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。すなわち、分離層形成面の法線方向がＺ方向となる。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。

＜分離層形成工程＞
分離層形成工程Ｓ０１では、例えば、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、矩形状のガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆに分離層２０を形成する。分離層形成面１０ｆは、平面状である。また、分離層形成工程Ｓ０１では、分離層２０の端部２０ｅがガラス支持体１０の端部１０ｅから離間するように、分離層２０をガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆの中央部分に形成することで、積層体５０を形成する。なお、ガラス支持体１０は、例えば、厚さ５００〜１５００μｍのガラス板などが用いられ、ステージ部７０（図６参照）等に載置されて吸着等されることにより、分離層形成面１０ｆを所定の平面度とした状態で保持される。

図２（Ａ）及び（Ｂ）に示す例では、分離層２０は矩形状に形成される。なお、分離層２０は、矩形状に限定されず、他の形状であってもよい。例えば、分離層２０は、円形状、楕円形状、長円形状、又は矩形以外の多角形状に形成されてもよい。分離層２０が矩形状に形成される場合、分離層２０は、端部２０ｅとして、４つの端辺２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄを有する。端辺２０ａ〜２０ｄは、ガラス支持体１０の端部１０ｅである端辺１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄに平行にそれぞれ配置される。

分離層２０の端辺２０ａは、ガラス支持体１０の端辺１０ａとの間に距離Ｌ１を空けて配置される。分離層２０の端辺２０ｂは、ガラス支持体１０の端辺１０ｂとの間に距離Ｌ２を空けて配置される。また、分離層２０の端辺２０ｃは、ガラス支持体１０の端辺１０ｃとの間に距離Ｍ１を空けて配置される。分離層２０の端辺２０ｄは、ガラス支持体１０の端辺１０ｄとの間に距離Ｍ２を空けて配置される。上記の距離Ｌ１、Ｌ２、Ｍ１、Ｍ２は、それぞれ同一の値であってもよいし、互いに異なる値であってもよい。

なお、上記の距離Ｌ１、Ｌ２、Ｍ１、Ｍ２は、例えば０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲で設定することができるが、この範囲に限定されない。距離Ｌ１、Ｌ２、Ｍ１、Ｍ２の値が０．１ｍｍ以上とすることにより、一段と分離層２０の端部２０ｅをガラス支持体１０の端部１０ｅから離間する効果が発揮される。また、上記値が１０ｍｍ以下とすることにより、好適な分離層２０の面積が確保され、歩留りのよいプロセスを構築できる。なお、分離層２０の膜厚は前面にわたって均一又はほぼ均一となるように形成されるが、一部の膜厚が異なってもよい。例えば、分離層２０の端部２０ｅが他の部分より膜厚が薄くなってもよいし、また、の端部２０ｅが他の部分より膜厚が厚くなってもよい。

（分離層の製造例）
図６は、実施形態に係る分離層形成装置９０の一例を示す斜視図である。図６に示すように、分離層形成装置９０は、ノズル部６０と、ステージ部７０と、制御部８０とを備える。ノズル部６０は、不図示のガントリ等により保持され、ステージ部７０に対して移動可能である。ノズル部６０は、分離層２０を形成するための液状体を開口部（スリット）から吐出可能である。ステージ部７０は、ガラス支持体１０を載置可能なステージを有する。制御部８０は、ステージ部７０に対してノズル部６０を移動させつつ、ノズル部６０からガラス支持体１０上に液状体を塗布するように制御する。なお、分離層形成装置９０は、ノズル部６０を固定してステージ部７０を移動させる構成であってもよいし、ノズル部６０及びステージ部７０の双方を移動させる構成であってもよい。

図７から図９は、上記した分離層形成装置９０により分離層形成工程Ｓ０１を行う様子を示す工程図である。なお、分離層形成工程Ｓ０１に先立ち、分離層形成装置９０のノズル部６０として、分離層２０を形成するための液状体Ｑ１を吐出するスリットノズル６１を設置しておく。スリットノズル６１は、分離層２０を形成するための液状体を開口部６１ａを有する。また、図７から図９において、ステージ部７０は、省略している。また、以下に説明する各部の動作は、制御部８０からの指示による。

分離層形成工程Ｓ０１では、先ず、ステージ部７０にガラス支持体１０を配置した後、図７（Ａ）に示すように、スリットノズル６１の開口部６１ａが、ガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆに向けて配置される。このとき、開口部６１ａは、液状体Ｑ１の吐出開始位置として、ガラス支持体１０の端辺１０ａから所定距離ＬＸ１だけ離れた位置に配置される。続いて、開口部６１ａから分離層形成面１０ｆに液状体Ｑ１を吐出する。これにより、開口部６１ａから吐出された液状体Ｑ１は、開口部６１ａと分離層形成面１０ｆの間に挟まれた状態となる。

次に、図７（Ｂ）に示すように、スリットノズル６１は、開口部６１ａから液状体Ｑ１を吐出しながら、Ｘ方向に移動する。この動作により、スリットノズル６１の移動方向（＋Ｘ方向）に液状体Ｑ１が連続して吐出され、ガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆに液状体Ｑ１が塗布される。また、液状体Ｑ１は、スリットノズル６１が＋Ｘ方向に移動した後、スリットノズル６１の移動方向とは反対方向（−Ｘ方向）にも拡がる。この液状体Ｑ１の拡がりにより、分離層２０の端部２０ｅの１つである端辺２０ａが形成される。

次に、図８（Ａ）に示すように、スリットノズル６１は、開口部６１ａがガラス支持体１０の端辺１０ｂから所定距離ＬＸ２だけ離れた位置に到達した場合に移動を停止し、開口部６１ａからの液状体Ｑ１の吐出を停止する。その後、図８（Ｂ）に示すように、スリットノズル６１を上昇させ、開口部６１ａをガラス支持体１０から離す。所定距離ＬＸ２に達したタイミングで液状体Ｑ１の吐出は停止しているが、開口部６１ａがガラス支持体１０から離れたことにより、液状体Ｑ１がガラス支持体１０の端辺１０ｂ側に向けて＋Ｘ方向に拡がる。この液状体Ｑ１の拡がりにより、分離層２０の端辺２０ｂが形成される。このとき、液状体Ｑ１がガラス支持体１０の端辺１０ｂまで拡がらないように距離ＬＸ２が設定される。

このように、液状体Ｑ１の吐出開始及び吐出停止の双方の位置において、液状体Ｑ１が拡がることを考慮したうえで、ガラス支持体１０とスリットノズル６１との相対的な移動範囲を調整することにより、移動方向（Ｘ方向）におけるガラス支持体１０の両端辺１０ａ、１０ｂから、それぞれ分離層２０の端辺２０ａ、２０ｂを距離Ｌ１、Ｌ２だけ離間させることが可能となる。

また、図９に示すように、スリットノズル６１の開口部６１ａから液状体Ｑ１を吐出させつつスリットノズル６１を移動させる場合、ガラス支持体１０に塗布された液状体Ｑ１は、スリットノズル６１の移動方向に直交する方向（Ｙ方向）、つまりガラス支持体１０の端辺１０ｃ側（＋Ｙ方向）、１０ｄ側（−Ｙ方向）にそれぞれ拡がる。この液状体Ｑ１の拡がりにより、分離層２０の端辺２０ｃ、２０ｄが形成される。

この場合、スリットノズル６１の移動方向に直交する方向（Ｙ方向）について、開口部６１ａの開口幅の長さ（Ｙ方向の長さ）を調整し、開口部６１ａの−Ｙ側端部からガラス支持体１０の端辺１０ｃまでが距離ＭＹ１となり、開口部６１ａの＋Ｙ側端部からガラス支持体１０の端辺１０ｄまでが距離ＭＹ２となるように設定する。これにより、移動方向と直交する方向におけるガラス支持体１０の両端辺１０ｃ、１０ｄから、それぞれ分離層２０の端辺２０ｃ、２０ｄを距離Ｍ１、Ｍ２だけ離間させることが可能となる。開口部６１ａの開口幅の長さの調整は、開口部６１ａの一部を閉じるための閉塞部材等が用いられてもよいし、ガラス支持体１０のＹ方向の長さに合わせた専用の開口部６１ａを持つスリットノズル６１が用いられてもよい。

上記の分離層２０は、例えば光を吸収することによって変質する材料から形成される。本実施形態において、分離層２０が変質するとは、分離層２０をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層２０と接する層との接着力が低下した状態にさせることをいう。分離層２０は、光を吸収して変質することにより、変質する前に比べて、強度又はガラス支持体１０に対する接着性が低下する。このため、変質後の分離層２０は、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げるなど）こと等により、破壊され又はガラス支持体１０から剥離する。

分離層２０の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう分離層２０の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。分離層２０の変質は、分離層２０を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、分離層２０の変質の種類は、分離層２０を構成する材料の種類に応じて変化し得る。また、分離層２０は、光を吸収することによって変質する材料に限定されない。例えば、光によらずに与えられた熱を吸収することによって変質する材料、あるいは、他の溶剤等によって変質する材料であってもよい。

分離層２０の厚さは、例えば、０．０５〜５０μｍであることがより好ましく、０．３〜１μｍであることがさらに好ましい。分離層２０の厚さが０．０５〜５０μｍの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射、あるいは短時間の加熱、溶剤への短時間の浸漬などによって、分離層２０に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層２０の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。

以下、吸収した光のエネルギーにより変質する分離層２０について説明する。分離層２０は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層２０を形成してもよい。また、分離層２０における接着層１３に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層２０の形成が容易に行なえ、かつ貼り付け時においても均一に貼り付けることが可能となる。

分離層２０は、レーザから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、分離層２０を変質させるために分離層２０に照射される光は、レーザから照射されたものであってもよい。分離層２０に照射する光を発射するレーザの例としては、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。分離層２０に照射する光を発射するレーザは、分離層２０を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層２０を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。

（フルオロカーボン）
分離層２０は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層２０は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。分離層２０を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２０に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層２０における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

分離層２０に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層２０は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層２０は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^１）（Ｒ^２）基であり（ここで、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の化学式［化１］に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の［化１］に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の化学式［化１］に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオレン、置換フルオレン、フルオレノン、置換フルオリレノン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ_２−である場合の例としては、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５‐ジメチル‐４‐ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オクトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，６‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４，４’‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐４’‐メトキシ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４‐ジメチルアミノ‐３’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層２０の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層２０が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体５０からのガラス支持体１０の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した分離層２０は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層２０はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びガラス支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
分離層２０は、無機物からなっていてもよい。分離層２０は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２０に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

無機物からなる分離層２０に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる分離層２０は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、ガラス支持体１０上に形成され得る。無機物からなる分離層２０の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層２０を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、ガラス支持体１０及び基板４０に貼り付けてもよい。

なお、分離層２０として金属膜を使用する場合には、分離層２０の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層２０の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層２０は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ−Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層２０の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層２０における化合物を効果的に変質させ、ガラス支持体１０と基板４０との分離を容易にするには、分離層２０における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層２０に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層２０における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（上記の化学式［化４］中、Ｒ^３は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化６］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化７］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（上記の化学式［化６］中、Ｒ^４は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、上記の化学式［化７］中、Ｒ^５は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）及び特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した分離層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層２０はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びガラス支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
分離層２０は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層２０は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２０に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層２０に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

＜接着層形成工程＞
接着層形成工程Ｓ０２は、分離層形成工程Ｓ０１の後に行う。接着層形成工程Ｓ０２では、例えば図３（Ａ）に示すように、分離層２０のガラス支持体１０が存在しない側、つまり接着層形成面２０ｆに、分離層２０と互いが接し合うように接着層３０が形成される。接着層形成工程Ｓ０２では、接着層３０の端部３０ｅが分離層２０の端部２０ｅから離間した状態で、接着層３０が分離層２０上に形成される。例えば、先ず、接着層３０を分離層２０の接着層形成面２０ｆの全面に形成する。その後、接着層３０の端部３０ｅの周縁を除去して、接着層３０の端部３０ｅが分離層２０の端部２０ｅから離間した状態にする。

図３（Ａ）に示す例では、接着層３０は、端辺３０ａ、３０ｂを有する。例えば、端辺３０ａ、３０ｂは、分離層２０の端辺２０ａ、２０ｂに平行にそれぞれ配置される。接着層３０の端辺３０ａは、分離層２０の端辺２０ａとの間に距離Ｌ３を空けて配置される。接着層３０の端辺３０ｂは、分離層２０の端辺２０ｂとの間に距離Ｌ４を空けて配置される。距離Ｌ３と距離Ｌ４とは、同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。

（接着層の製造例）
接着層形成工程Ｓ０２では、分離層２０に接着剤を含む液状体を塗布してもよいし、接着剤が両面に塗布された接着テープを分離層２０に貼り付けてもよい。接着剤の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法による塗布法等が挙げられる。また、接着剤を分離層２０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。また、接着剤としては、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が使用可能である。

図１０及び図１１は、接着層形成工程Ｓ０２を行う様子を示す工程図である。接着層形成工程Ｓ０２では、分離層形成装置９０と同様の構成を有する接着層形成装置を用いて行う。なお、接着層形成工程Ｓ０２は、分離層形成装置９０と同一の装置を用いて行ってもよい。その場合、接着層形成工程Ｓ０２に先立ち、スリットノズル６１に代えて、接着層３０を形成するための液状体Ｑ２を吐出するスリットノズル６２を設置しておく。スリットノズル６２は、移動方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）についての開口部６２ａの寸法が、スリットノズル６１の開口部６１ａの寸法よりも小さくなっている。

接着層形成工程Ｓ０２では、図１０に示すように、ステージ部７０にガラス支持体１０を配置した後、スリットノズル６２の開口部６２ａを分離層２０の接着層形成面２０ｆに向けて配置し、開口部６２ａから接着層形成面２０ｆに液状体Ｑ２を吐出する。このとき、開口部６２ａによる液状体Ｑ２の吐出開始位置が、ガラス支持体１０の端辺１０ａから所定距離ＬＸ３だけ離れた位置に設定される。

その後、スリットノズル６２を＋Ｙ方向に移動させつつ開口部６２ａから液状体Ｑ２を吐出する。この動作により、スリットノズル６２の移動方向（＋Ｘ方向）に液状体Ｑ２が塗布される。また、液状体Ｑ２は、スリットノズル６２の移動方向と反対方向（−Ｘ方向）に拡がる。この液状体Ｑ２の拡がりにより、接着層３０の端辺３０ａが形成される。なお、液状体Ｑ２が分離層２０の端辺２０ａまで流れないように距離ＬＸ３が設定される。スリットノズル６２の開口部６２ａが分離層２０の端辺２０ｂから所定距離ＬＸ４だけ離れた位置に到達した場合、スリットノズル６２の移動を停止し、開口部６２ａからの液状体Ｑ２の吐出を停止する。その後、スリットノズル６２を上昇させ、開口部６２ａを分離層２０から離す。所定距離ＬＸ４に達したタイミングで液状体Ｑ２の吐出は停止しているが、開口部６２ａが分離層２０から離れたことにより、液状体Ｑ２が分離層２０の端辺２０ｂ側に拡がる。この液状体Ｑ２の拡がりにより、接着層３０の端辺３０ｂが形成される。このとき、液状体Ｑ２が分離層２０の端辺２０ｂまで流れないように距離ＬＸ４が設定される。

このように、分離層２０（ガラス支持体１０）とスリットノズル６２との相対的な移動範囲を調整することにより、移動方向における分離層２０の両端辺２０ａ、２０ｂから、それぞれ接着層３０の端辺３０ａ、３０ｂを距離Ｌ３、Ｌ４だけ離間させることが可能となる。

また、図１１に示すように、スリットノズル６２の開口部６２ａから液状体Ｑ２を吐出させつつスリットノズル６２を移動させる場合、分離層２０上に塗布された液状体Ｑ２は、スリットノズル６２の移動方向に直交する方向（Ｙ方向）、つまり分離層２０の端辺２０ｃ側（＋Ｙ方向）、２０ｄ側（−Ｙ方向）にそれぞれ拡がる。この液状体Ｑ２の拡がりにより、接着層３０の端辺３０ｃ、３０ｄが形成される。

この場合、スリットノズル６２の移動方向に直交する方向（Ｙ方向）について、開口部６２ａの開口幅の長さ（Ｙ方向の長さ）を調整し、開口部６２ａの−Ｙ側端部から分離層２０の端辺２０ｃまでが距離ＭＹ３となり、開口部６２ａの＋Ｙ側端部から分離層２０の端辺２０ｄまでが距離ＭＹ４となるように設定する。これにより、移動方向と直交する方向における分離層２０の両端辺２０ｃ、２０ｄから、それぞれ接着層３０の端辺３０ｃ、３０ｄを距離Ｍ３、Ｍ４だけ離間させることが可能となる。開口部６２ａの開口幅の長さの調整は、上記したスリットノズル６１と同様である。

接着層３０に含有される樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。

接着剤のガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記樹脂の種類や分子量、及び接着剤への可塑剤等の配合物によって変化する。上記接着剤に含有される樹脂の種類や分子量は、基板及び支持体の種類に応じて適宜選択することができるが、接着剤に使用する樹脂のＴｇは−６０℃以上、２００℃以下の範囲内が好ましく、−２５℃以上、１５０℃以下の範囲内がより好ましい。接着剤に使用する樹脂のＴｇが−６０℃以上、２００℃以下の範囲内であることによって、冷却に過剰なエネルギーを要することなく、好適に接着層３０の接着力を低下させることができる。また、接着層３０のＴｇは、適宜、可塑剤や低重合度の樹脂等を配合することによって調整してもよい。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、公知の示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）を用いて測定することができる。
（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。

なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。

樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層３０の軟化をさらに抑制することができる。

樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。

樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。一方、樹脂（Ｂ）の軟化点が１６０℃以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。

なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性及び剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。

（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。

炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の鎖状又は分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。

（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。

例えば、下記の化学式［化１０］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化１１］で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。

（上記の化学式［化１１］中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。

（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。

スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易且つ迅速に第一接着剤層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。

なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。

重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））等であって、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層３０を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層３０を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層３０を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、且つ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層３０を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層３０の剥離または除去の後に、被支持基板の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層３０を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板４０に物理的な力を加えることなく、接着層３０を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層３０の除去に際して、強度が低下した基板４０からでさえ、基板４０を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層３０を除去することができる。

（希釈溶剤）
接着層３０（および後述する分離層１４）を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

（その他の成分）
接着層３０を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

＜基板形成工程＞
基板形成工程Ｓ０３は、例えば接着層形成工程Ｓ０２の後に行う。基板形成工程Ｓ０３では、分離層２０のガラス支持体１０が存在しない側に電子部品４１を有する基板４０を形成する。つまり、基板４０は、接着層３０の基板形成面３０ｆに形成される。基板形成工程Ｓ０３では、基板４０の端部４０ｅが分離層２０の端部２０ｅから離間した状態で、基板４０が接着層３０上に形成される。基板形成工程Ｓ０３では、まず、図３（Ｂ）に示すように、接着層３０の基板形成面３０ｆに複数の電子部品４１を配置する。電子部品の配置数は任意である。電子部品４１は、例えば、半導体等を用いて形成されたチップ等を含む。電子部品４１は、接着層３０により接着されて固定される。

その後、図３（Ｃ）に示すように、電子部品４１を含む接着層３０の基板形成面３０ｆの全面を覆うようにモールド４２を形成する。モールド４２が形成されることにより、電子部品４１がモールド４２に埋まった状態で保持される。なお、モールド４２は、電子部品４１の一部（例えば上面）を露出させるように形成されてもよい。また、モールド４２は、例えば分離層２０を変質させる光を透過可能な材料を用いて形成される。このような材料としては、例えばガラス、シリコン、アクリル樹脂等が挙げられる。

なお、基板形成工程Ｓ０３では、電子部品４１が配置されなくてもよい。電子部品４１が配置されない場合、例えば、接着層３０の基板形成面３０ｆ上には単にモールド４２が形成されてもよいし、このモールド４２に再配線された電子回路が形成されてもよい。すなわち、形成される基板４０には、電子部品４１を含まなくてもよい。また、上記したように、分離層２０の端部がガラス支持体１０の端部から離れているので、基板形成工程Ｓ０３の行程中に分離層２０がガラス支持体１０から剥がれることを抑制しており、基板形成工程Ｓ０３以降の工程を適切に行うことができる。

＜モールド研磨工程＞
モールド研磨工程Ｓ０４は、基板形成工程Ｓ０３の後に行う。モールド研磨工程Ｓ０４は、図４（Ａ）に示すように、モールド４２のガラス支持体１０が存在しない側、つまりモールド４２の上面４２ａを研磨し、電子部品４１を露出させる。モールド研磨工程Ｓ０４により、電子部品４１の上面（＋Ｚ側の面）とモールド４２の上面４２ａとがほぼ同一面となった状態となる。モールド研磨工程Ｓ０４では、例えば公知の手法によりモールドを研磨する。なお、基板形成工程Ｓ０３において、モールド４２が電子部品４１の一部を露出させて形成されている場合には、モールド研磨工程Ｓ０４を省略することができる。

なお、モールド研磨工程Ｓ０４の後、電子部品４１及びモールド４２の上面（＋Ｚ側の面、あるいはガラス支持体１０が存在しない側の面）に導電性を有する材料により配線が形成されてもよい。また、この配線と電気的に接続するように電子部品４１が配置され、この電子部品４１を覆うように、モールド４２が形成されてもよい。配線と電子部品４１との接続はバンプ、はんだ等が用いられる。このように、電子部品４１を配置した層が複数積層された基板４０が形成されてもよい。

＜分離層変質工程＞
分離層変質工程Ｓ０５は、例えばモールド研磨工程Ｓ０４の後に行う。分離層変質工程Ｓ０５では、図４（Ｂ）に示すように、ガラス支持体１０の分離層２０が存在しない側、つまりガラス支持体１０の底面１０ｒから分離層２０に対して、照射装置ＩＲから光Ｌ又は熱を照射する。光Ｌとしては、分離層２０を変質させることが可能な波長の光Ｌ又は熱を照射する。分離層変質工程Ｓ０５により、分離層２０が変質し、強度又はガラス支持体１０に対する接着力が低下する。なお、図４（Ｂ）では、ガラス支持体１０の上下を逆にして（基板４０を下向きとして）、上方の照射装置ＩＲから光Ｌ又は熱を照射しているが、この形態に限定されない。例えば、基板４０を上向きとしてガラス支持体１０の下方から照射装置ＩＲにより光Ｌ又は熱を照射してもよい。

＜ガラス支持体剥離工程＞
ガラス支持体剥離工程Ｓ０６は、例えば分離層変質工程Ｓ０５の後に行う。ガラス支持体剥離工程Ｓ０６では、図５（Ａ）に示すように、基板４０を下向きとした状態でガラス支持体１０を上方に持ち上げることにより、分離層２０が破壊され、基板４０からガラス支持体１０が剥離される。ガラス支持体１０を上方に持ち上げる作業は、ガラス支持体１０を吸着して持ち上げる装置が用いられてもよい。このとき、基板４０は、ステージ等に吸着されており、ガラス支持体１０が持ち上げられることにより、ガラス支持体１０から引き離される。ガラス支持体剥離工程Ｓ０６により、接着層３０及び基板４０を含む積層体５０がガラス支持体１０から剥離される。

なお、上記したように、接着層３０の端部が分離層２０の端部から離れているので、接着層３０がガラス支持体１０に付着することを防止しており、ガラス支持体剥離工程Ｓ０６において、ガラス支持体１０を基板４０から容易に剥離することができる。

＜接着材除去工程＞
接着層除去工程Ｓ０７は、ガラス支持体剥離工程Ｓ０６の後に行う。接着層除去工程Ｓ０７では、図５（Ｂ）に示すように、基板４０（配線及びモールド４２）を溶解させず、かつ接着層３０の接着剤を溶解させる溶剤を、接着層３０上に供給する。これにより、接着剤が溶剤によって溶解され、基板４０から接着層３０が除去されて、複数の電子装置５１が１枚の板状となった構成体が得られる。その後、図示しないが、例えば、電子部品４１ごとにダイシングすることにより、個別の電子装置５１が得られる。なお、ダイシング装置は、任意の装置が使用可能である。

以上のように、実施形態に係る積層体５０の製造方法は、矩形状のガラス支持体１０と、光の吸収または加熱により変質する分離層２０と、が積層された積層体５０を製造する方法であって、分離層２０を、端部２０ｅがガラス支持体１０の端部１０ｅから離間するようにガラス支持体１０上の中央部分に形成する分離層形成工程Ｓ０１を含んでいる。これにより、分離層２０の端部２０ｅがガラス支持体１０の端部１０ｅから離間した状態でガラス支持体１０上の中央部分に形成されるので、ガラス支持体１０と分離層２０との密着性を向上させることにより分離層２０が容易に剥がれることを抑制し、上記した基板形成工程Ｓ０３以降の工程（あるいは接着層形成工程Ｓ０２以降の工程）を円滑に行うことができ、積層体５０あるいは電子装置５１を容易に製造することができる。

上記した実施形態は、分離層形成工程Ｓ０１において、スリットノズル６１の移動範囲及び開口部６１ａの開口幅を調整することにより、分離層２０を形成する範囲を設定する構成を例に挙げて説明したが、これに限定されない。

図１２（Ａ）及び（Ｂ）は、積層体の製造方法の他の例を示す工程図である。分離層形成工程Ｓ０１において、例えば図１２（Ａ）に示すように、予めガラス支持体１０の周縁部１０ｇにマスキングＭを形成し、マスキングＭが形成された後に、マスキングＭ上を含めてガラス支持体１０の全面に液状体Ｑ１を塗布する。その後、図１２（Ｂ）に示すように、マスキングＭを溶剤等により除去してもよい。マスキングＭを除去することにより、マスキングＭ上に重ねて塗布された液状体Ｑ１がマスキングＭと共に除去される。これにより、分離層２０の端部２０ｅがガラス支持体１０の端部１０ｅから離間した状態とすることができる。

なお、マスキングＭは、溶剤等により除去可能な任意の材質を用いることができる。また、マスキングＭとして、マスキングテープが用いられてもよい。この場合、ガラス支持体１０の端部にマスキングテープが貼られた後に、ガラス支持体１０の全面に液状体Ｑ１を塗布する。その後、マスキングテープを剥がすことにより、マスキングテープ上に塗布された液状体Ｑ１を除去することができる。

図１３（Ａ）及び（Ｂ）は、積層体の製造方法の他の例を示す工程図である。分離層形成工程Ｓ０１において、例えば図１３（Ａ）に示すように、ガラス支持体１０をＺ軸周りに回転させた状態で分離層形成面１０ｆに不図示のディスペンサ等から液状体Ｑ１を供給し、分離層形成面１０ｆの全面に液状体Ｑ１を塗布して分離層２０を形成する。その後、図１３（Ｂ）に示すように、分離層２０において分離層形成面１０ｆの周縁部１０ｇに形成された部分を溶剤Ｓ１等により除去してもよい。これにより、分離層２０の端部２０ｅがガラス支持体１０の端部１０ｅから離間した状態とすることができる。

また、上記した実施形態では、分離層形成工程Ｓ０１と同様に、接着層形成工程Ｓ０２において、スリットノズル６２の移動範囲及び開口部６２ａの開口幅を調整することにより、接着層３０の範囲を調整する構成を例に挙げて説明したが、これに限定されない。

図１４（Ａ）から（Ｃ）は、積層体の製造方法の他の例を示す工程図である。接着層形成工程Ｓ０２において、例えば図１４（Ａ）に示すように、分離層２０を含むガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆの全面に接着層３０を形成する。続いて、図１４（Ｂ）に示すように、接着層３０上に基板４０を覆ったモールド４２を研磨する（上記した基板形成工程Ｓ０３及びモールド研磨工程Ｓ０４参照）。続いて、図１４（Ｃ）に示すように、接着層３０の周縁部を溶剤Ｓ２等により溶解させる。これにより、分離層２０の端部２０ｅを露出させることが可能となる。なお、図１４に示す例では、接着層３０の端部３０ｅが分離層２０の端部２０ｅに一致する場合を示しているが、分離層２０の端部２０ｅが露出しているため、接着層３０がガラス支持体１０に接着することを防止しており、ガラス支持体剥離工程Ｓ０６において、がする支持体１０を剥離する際の支障とはならない。

なお、図１４（Ｃ）に示すように、接着層３０の端部３０ｅを分離層２０の端部２０ｅに一致させることに限定されない。例えば、溶剤Ｓ２等の供給量又は供給時間を長くすることにより、接着層３０の端部３０ｅが分離層２０の端部２０ｅから離間するまで接着層３０を溶解させてもよい。

＜積層体製造システム＞
実施形態に係る積層体製造システムについて説明する。図１５は、積層体製造システム１００の一例を模式的に示すブロック図である。図１５に示すように、積層体製造システム１００は、分離層形成装置９０と、接着層形成装置９１と、基板形成装置９２と、モールド研磨装置９３と、分離層変質装置９４と、ガラス支持体剥離装置９５と、接着層除去装置９６とを備える。

分離層形成装置９０は、ガラス支持体１０上に分離層２０を形成し、上記した分離層形成工程Ｓ０１を実行する。接着層形成装置９１は、分離層２０上に接着層３０を形成し、上記した接着層形成工程Ｓ０２を実行する。基板形成装置９２は、接着層３０上に基板４０を形成し、上記した基板形成工程Ｓ０３を実行する。モールド研磨装置９３は、上記したモールド研磨工程Ｓ０４に示すように、基板４０のモールド４２を研磨する。分離層変質装置９４は、上記した分離層変質工程Ｓ０５に示すように、分離層２０に光又は熱を照射して分離層２０を変質させる。ガラス支持体剥離装置９５は、上記したガラス支持体剥離工程Ｓ０６に示すように、ガラス支持体１０を基板４０から剥離する。接着層除去装置９６は、上記した接着層除去工程Ｓ０７に示すように、基板４０から接着層３０を除去する。

このように、積層体製造システム１００によれば、上記した分離層形成工程Ｓ０１、接着層形成工程Ｓ０２、基板形成工程Ｓ０３、モールド研磨工程Ｓ０４、分離層変質工程Ｓ０５、ガラス支持体剥離工程Ｓ０６、及び接着層除去工程Ｓ０７の各工程を効率的に行うことができる。

上記した実施形態に係る積層体の製造方法によりガラス支持体に分離層を形成した積層体５０に対して各種の剥離テストを行った。図１６（Ａ）から（Ｃ）は、実施例における各剥離テストの結果を示す表である。実施例１、２に係る積層体５０は、ガラス支持体１０の端部と分離層２０の端部とを離間させた状態でガラス支持体１０に分離層２０を形成した積層体５０に対して、４００℃の温度でキュア処理を行ったものである。また、比較例１、２に係る積層体は、ガラス支持体１０の端部まで分離層を形成した積層体に対して４００℃の温度でキュア処理を行ったものである。

図１６（Ａ）に示す表は、実施例１に係る積層体５０及び比較例１に係る積層体をそれぞれ１０分間水に浸した後、ガラス支持体１０と分離層との間に向けてエアを噴射した場合の結果を示している。図１６（Ａ）に示すように、比較例１に係る積層体においては、ガラス支持体１０から分離層の剥離が認められた。一方、実施例１に係る積層体５０においては、ガラス支持体１０分離層２０の剥離が認められなかった。

また、図１６（Ｂ）に示す表は、実施例２に係る積層体５０及び比較例２に係る積層体に対して図１６（Ａ）におけるテストを行った後、さらに５分間の超音波洗浄を行い、その後、ガラス支持体１０と分離層との間に向けてエアを噴射した場合の結果を示している。図１６（Ｂ）に示すように、比較例２に係る積層体においては、ガラス支持体１０から分離層の剥離が認められた。一方、実施例２に係る積層体５０においては、ガラス支持体１０から分離層２０の剥離が認められなかった。

また、図１６（Ｃ）に示す表は、実施例３に係る積層体５０及び比較例３に係る積層体に対して図１６（Ｂ）におけるテストを行った後、それぞれの分離層にテープを貼付して剥がした場合（ピーリングテスト）の結果を示している。なお、実施例３に係る積層体５０、及び比較例３に係る積層体は、３６０℃の温度でキュア処理を行ったものである。図１６（Ｃ）に示すように、比較例３に係る積層体においては、ピーリングテストによりガラス支持体１０から分離層の剥離が認められた。一方、実施例３に係る積層体５０においては、ピーリングテストを行った場合でもガラス支持体１０から分離層２０の剥離が認められなかった。

このように、上記した実施例１から３においては、ガラス支持体１０に対する分離層２０の密着度が向上していることが確認された。

以上、実施形態及び実施例について説明したが、本発明は、上述した説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

Ｌ・・・光、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，ＬＸ１，ＬＸ２，ＬＸ３，ＬＸ４・・・距離、Ｍ・・・マスキング、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，ＭＸ１，ＭＸ２，ＭＸ３，ＭＸ４・・・距離、Ｑ１，Ｑ２・・・液状体、Ｓ・・・溶剤、１０・・・ガラス支持体、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ・・・端辺、１０ｅ，２０ｅ，３０ｅ，４０ｅ・・・端部、１０ｆ・・・分離層形成面、１０ｇ・・・周縁部、１０ｒ・・・底面、２０・・・分離層、２０ｆ・・・接着層形成面、３０・・・接着層、３０ｆ・・・基板形成面、４０・・・基板、４１・・・電子部品、４２・・・モールド、４２ａ・・・上面、５０・・・積層体、５１・・・電子装置、６０，６１，６２・・・スリットノズル、６１ａ，６２ａ・・・開口部、７０・・・ステージ、８０・・・ノズル制御部、９０・・・分離層形成装置、９１・・・接着層形成装置、９２・・・基板形成装置、９３・・・モールド研磨装置、９４・・・分離層変質装置、９５・・・ガラス支持体剥離装置、９６・・・接着層除去装置、１００・・・積層体製造システム

Claims (16)

1. 矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造する方法であって、
   前記分離層を、端部が前記ガラス支持体の端部から離間するように前記ガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成工程と、
   前記分離層形成工程の後、前記分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に、前記分離層と互いが接し合うように接着層を形成する接着層形成工程と、を含み、
   前記接着層は、端部が前記分離層の端部から離間した状態で前記分離層上に形成される、積層体の製造方法。
2. 前記分離層の端部は、前記ガラス支持体の端部に対して０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲で離間する、請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 前記分離層形成工程において、前記ガラス支持体と、前記分離層を形成するための液体を塗布可能なスリットノズルとを相対的に移動させ、前記スリットノズルにより前記ガラス支持体上に前記液体を塗布して前記分離層を形成する、請求項１又は請求項２に記載の積層体の製造方法。
4. 前記分離層形成工程において、前記ガラス支持体と前記スリットノズルとの相対的な移動範囲を調整することにより、移動方向における前記ガラス支持体の両端から、それぞれ前記分離層の端部を離間させる、請求項３に記載の積層体の製造方法。
5. 前記分離層形成工程において、前記スリットノズルの開口幅の長さを調整することにより、前記移動方向と直交する方向における前記ガラス支持体の両端から、それぞれ前記分離層の端部を離間させる、請求項３又は請求項４に記載の積層体の製造方法。
6. 前記分離層形成工程が、
   前記ガラス支持体の外周端部をマスキングすることと、
   前記マスキングした状態で前記ガラス支持体上に前記液体を塗布することと、
   前記液体の塗布後に前記マスキングを除去することと、を含む、請求項３に記載の積層体の製造方法。
7. 前記分離層形成工程が、
   前記ガラス支持体に、前記分離層を形成するための液体を回転塗布することと、
   回転塗布後、前記ガラス支持体の端部周縁を薬液により洗浄することと、を含む、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
8. 前記接着層の端部周縁を除去して、前記接着層の端部が前記分離層の端部から離間した状態にすることを含む、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
9. 矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造する方法であって、
   前記分離層を、端部が前記ガラス支持体の端部から離間するように前記ガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成工程と、
   前記分離層形成工程の後、前記分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に電子部品を有する基板を形成する基板形成工程と、を含み、
   前記基板は、端部が前記分離層の端部から離間した状態で前記分離層上に形成される、積層体の製造方法。
10. 前記分離層形成工程の後、
    前記分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に導電性を有する配線を形成する、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
11. 請求項９又は請求項１０に記載の積層体の製造方法により積層体を製造することと、
    前記分離層を変質させて、前記積層体から前記ガラス支持体を分離することと、を含む、電子装置の製造方法。
12. 矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体であって、
    前記分離層が、前記ガラス支持体上の中央部分に備えられ、
    当該分離層は、端部が前記ガラス支持体の端部から離間されており、
    前記分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に、前記分離層と互いが接し合うように接着層が形成され、
    前記接着層は、端部が前記分離層の端部から離間した状態で前記分離層上に形成される、積層体。
13. 矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体であって、
    前記分離層が、前記ガラス支持体上の中央部分に備えられ、
    当該分離層は、端部が前記ガラス支持体の端部から離間されており、
    前記分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に電子部品を有する基板が形成され、
    前記基板は、端部が前記分離層の端部から離間した状態で前記分離層上に形成される、積層体。
14. 矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造するシステムであって、
    前記分離層を、端部が前記ガラス支持体の端部から離間した状態で前記ガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成装置と、
    前記分離層が形成された後、前記分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に、前記分離層と互いが接し合うように接着層を形成する接着層形成装置と、を含み、
    前記接着層形成装置は、前記接着層を、端部が前記分離層の端部から離間した状態で前記分離層上に形成する、積層体製造システム。
15. 矩形状のガラス支持体と、光の吸収または加熱により、外力を受けて破壊され得る状態、又は他と接する層との接着力が低下した状態に変質する分離層と、が積層された積層体を製造するシステムであって、
    前記分離層を、端部が前記ガラス支持体の端部から離間した状態で前記ガラス支持体上の中央部分に形成する分離層形成装置と、
    前記分離層が形成された後、前記分離層の前記ガラス支持体が存在しない側に電子部品を有する基板を形成する基板形成装置と、を含み、
    前記基板形成装置は、前記基板を、端部が前記分離層の端部から離間した状態で前記分離層上に形成する、積層体製造システム。
16. 前記分離層形成装置は、
    前記分離層を形成するための液体を塗布可能なスリットノズルと
    前記ガラス基板を載置するステージと、を備え、
    前記スリットノズルと前記ステージとを相対的に移動させつつ、前記スリットノズルによって前記ガラス基板上の前記中央部分に前記液体を塗布する、請求項１４又は請求項１５に記載の積層体製造システム。
    

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