JP6470414B2 - 支持体分離装置及び支持体分離方法 - Google Patents

Description

本発明は、支持体分離装置及び支持体分離方法に関する。

近年、ＩＣカード、携帯電話等の電子機器の薄型化、小型化、軽量化等が要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となるウエハ基板の厚さ（膜厚）は現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないといわれている。従って、上記の膜厚のウエハ基板を得るためには、ウエハ基板の薄板化工程が必要不可欠である。

ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板にサポートプレートを貼り合わされた状態で自動搬送しながら、ウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。そして、製造プロセス後に、ウエハ基板とサポートプレートとを分離する。そこで、これまでに、ウエハから支持体を剥離する様々な方法が用いられている。

特許文献１には、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構と、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に流体を供給する流体供給機構と、を有する剥離装置が記載されている。

日本国公開特許公報「特開２０１３−２１９３２８号公報（２０１３年１０月２４日公開）」

しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置のように、流体供給機構により供給する溶剤によって接着層を溶解しながら、切り込み機構によって積層体から支持体を分離する方法では、基板を分離するために長時間を要するという問題がある。

また、特許文献１に記載の剥離装置では、切り込み機構によって積層体から支持体を分離するときに、支持体が破損する虞がある。

本願発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、積層体から支持体を分離するときに、基板及び支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離することができる支持体分離装置及びその関連技術を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明に係る支持体分離装置は、基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、上記分離層における周縁部分の少なくとも一部の領域に、上記支持体を介して光を照射することで、当該領域における分離層を変質させる光照射部と、上記領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に隙間を形成するように、上記支持体における上記分離層が変質した領域に対向する面の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げる第一保持部と、上記積層体から上記支持体を分離するように、上記隙間から上記積層体の内部に向かって流体を噴射する流体噴射部とを備えていることを特徴としている。

また、本発明に係る支持体分離方法は、基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、上記分離層における周縁部分の少なくとも一部の領域に、上記支持体を介して光を照射することで、当該領域における上記分離層を変質させる光照射工程と、上記支持体における上記分離層が変質した領域に対向する面の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げることで、上記領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に隙間を形成し、上記隙間から上記積層体の内部に向かって流体を噴射することで、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程とを包含していることを特徴としている。

本発明によれば、積層体から支持体を分離するときに基板及び支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離することができる支持体分離装置及びその関連技術を提供することができるという効果を奏する。

本発明の一実施形態（第一実施形態）に係る支持体分離装置の概略を説明する図である。 本発明の一実施形態（第一実施形態）に係る支持体分離装置における積層体への光照射後の動作の概略を説明する図である。 本発明の一実施形態（第二実施形態）に係る支持体分離装置の概略を説明する図である。 本発明の一実施形態（第三実施形態）に係る支持体分離装置及びその変形例に係る支持体分離装置の概略を説明する図である。 本発明の一実施形態（第四実施形態）に係る支持体分離装置の概略を説明する図である。

＜第一実施形態に係る支持体分離装置＞
図１及び図２を用いて、本発明の一実施形態（第一実施形態）に係る支持体分離装置１００についてより詳細に説明する。図１の（ａ）は、支持体分離装置１００の概略を説明する図である。また、図１の（ｂ）は、支持体分離装置１００が備えている光照射部３０が積層体１０における分離層４に光を照射する領域４ａの概略を説明する図である。また、図２の（ａ）〜（ｄ）は、光照射部３０によって分離層４に光を照射した後における支持体分離装置１００の動作の概略を説明する図である。なお、図２の（ａ）〜（ｄ）において、図１の（ａ）に示す、光照射部３０及び昇降部２４は省略されている。

図１の（ａ）に示すように、本実施形態に係る支持体分離装置１００は、プレート部２０に、第一保持部２１及び第二保持部２１’が設けられており、当該プレート部２０は昇降部２４に連結されている。

また、支持体分離装置１００は、光照射部３０、流体ノズル（流体噴射部）４０、及び、ステージ（固定部）５０を備えており、ステージ５０はポーラス部５１により、基板１とサポートプレート（支持体）２とを、光を吸収することにより変質する分離層４と接着層３とを介して積層してなる積層体１０を固定する。なお、図１及び図２において、積層体１０は、その基板１側がダイシングフレーム６を備えたダイシングテープ５に貼着されている。

〔光照射部３０〕
図１の（ａ）に示すように、光照射部３０は、積層体１０における分離層４に対して、光を透過するサポートプレート２を介して光を照射する。これにより、分離層４を変質させる。

光照射部３０は、図１の（ｂ）に示すように、積層体１０の上を走査しつつ、サポートプレート２を介して上面視における形状が円形である積層体１０に形成された分離層４における領域４ａに光を照射する。ここで、基板１において、領域４ａにおける分離層４に対向するように配置される領域は、集積回路等の構造物が形成されていない非回路形成領域として設定されている。また、基板１において、領域４ａに対向するように配置される領域以外の領域には、集積回路等の構造物が形成されている（回路形成領域）。従って、領域４ａにおける分離層４のみを変質させることで、領域４ａに対向するように配置される領域以外の領域、つまり、基板１における回路形成領域に光を照射することを回避することができる。従って、領域４ａにおける分離層４を変質させつつ、基板１における回路形成領域に対して光照射部３０から光が照射され、当該光により基板１における回路形成領域がダメージを受けることを回避することができる。

なお、図１の（ｂ）に示すように、光照射部３０によって、光を照射される領域４ａの幅Ｗ１は、分離層４の外周端部から内側に向かって、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、１．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下の範囲内であることがより好ましい。幅Ｗ１が６ｍｍ以上であれば、領域４ａにおける分離層４に積層された基板１と、サポートプレート２との間に、隙間を形成し、当該隙間から積層体１０の内部に向かって流体を噴射することにより、首尾よく積層体１０からサポートプレート２を分離することができる。また、幅Ｗ１が２ｍｍ以下であれば、分離層４において光を照射される領域４ａの面積を小さくすることができるため、基板１に対して光が照射される面積を小さくすることができる。

本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層わずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。赤外線を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層は、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収することの結果として生じる。

よって、例えば、サポートプレートを持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板及びサポートプレートの一方を固定部に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド（保持手段）等によって他方を保持して持ち上げることで、サポートプレートと基板とを分離する、又はサポートプレートの周縁部分端部の面取り部位を、クランプ（ツメ部）等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板とサポートプレートとを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板からサポートプレートを剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を膨潤させることにより、当該接着層が膨潤したところから分離層に力が集中するようにして、基板とサポートプレートとに力を加えることができる。このため、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。

なお、積層体に加える力は、積層体の大きさなどにより適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が３００ｍｍ程度の積層体であれば、０．１〜５ｋｇｆ程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。

光照射部３０が分離層４に照射する光は、分離層４が吸収する波長に応じて適宜選択するとよい。分離層４に照射する光を発射するレーザの例としては、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。分離層４に照射する光を発射するレーザは、分離層４を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層４を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。

〔プレート部２０〕
プレート部２０は、上面視における形状が積層体の直径と略等しい円形状のプレートであり、積層体１０のサポートプレート２に対向する面の周縁部分に第一保持部２１と、第二保持部２１’とを備えている。これにより、ステージ５０の上に載置された積層体１０のサポートプレート２の周縁部分に第一保持部２１及び第二保持部２１’を配置する。

〔第一保持部２１〕
図２の（ａ）に示すように、サポートプレート２における分離層４が変質した領域４ａに対向する面の裏面から、サポートプレート２を保持する。その後、図２の（ｂ）に示すように、分離層４が変質した領域４ａに重なる部位において、サポートプレート２を持ち上げる。これにより、第一保持部２１は、領域４ａにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に隙間を形成する。

なお、本実施形態に係る支持体分離装置１００では、１つの第一保持部２１によってサポートプレート２を保持して持ち上げる。１つの領域４ａにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に形成された隙間から、流体ノズル４０により積層体１０の内部に向かって流体を噴射することで、積層体１０からサポートプレート２を首尾よく分離することができる（図２の（ｃ））。

第一保持部２１は、サポートプレート２を真空吸着することにより保持するものであり例えば、ベローズパッド等を挙げることができる。このため、第一保持部２１によって積層体１０におけるサポートプレート２を持ち上げるときに、当該サポートプレート２に反りを生じても、当該サポートプレート２を好適に保持することができる。

また、第一保持部２１は、積層体１０からサポートプレート２が分離するときにおいて、サポートプレート２を吸着保持した状態を維持する（図２の（ｃ））。このため、積層体１０から分離したサポートプレート２が、流体ノズル４０から噴射された流体の圧力により、支持体分離装置１００から脱離することを防止することができる。

〔第二保持部２１’〕
図２の（ｄ）に示すように、第二保持部２１’は、積層体１０におけるサポートプレート２の周縁部分を保持する。つまり、第二保持部２１’は、サポートプレート２を保持するという点において、第一保持部２１と同じであり、第一保持部２１と同じく、ベローズパッド等の真空吸着手段を採用することができる。

ただし、第二保持部２１’は、積層体１０からサポートプレート２が分離される前の段階において当該サポートプレート２を吸着保持しない。より具体的には、積層体１０からサポートプレート２が分離される前において、第二保持部２１’は、サポートプレート２に当接しているのみであり、当該サポートプレート２を吸着保持していないか、又は、サポートプレート２に対して僅かに離間して配置されている（図２（ｂ））。これにより、流体ノズル４０から噴射された流体の圧力を、第一保持部２１に保持された側のサポートプレート２の端部からその反対側の端部にまで好適に伝えることができる。従って、積層体１０からサポートプレート２を首尾よく分離することができる（図２の（ｃ））。

その後、第二保持部２１’は、支持体分離装置１００の外部にサポートプレート２を搬出するときにおいて、積層体１０から分離したサポートプレート２を吸着保持する。第二保持部２１’は、積層体１０から分離されたサポートプレート２を保持する（図２の（ｄ））。

なお、図１及び図２では、第二保持部２１’は、上面視における形状が円形状であるプレート部２０の周縁部分において、第一保持部２１に対向する位置に１箇所設けられているように図示されているが、第二保持部２１’は、プレート部２０の周縁部分において複数箇所設けられていることが好ましい。また、第一保持部２１と、複数の第二保持部２１’とは、円形状のプレート部２０の中心点から等しく離れており、かつ、互いに隣接する第一保持部２１又は第二保持部２１’との間隔が等しくなるように配置されていることがより好ましい。第一保持部２１と複数の第二保持部２１’とによって、サポートプレート２の周縁部分を等間隔に保持することで、サポートプレート２を搖動させることなく安定に保持し、支持体分離装置１００の外部に搬送することができるからである。

〔昇降部２４〕
昇降部２４は、プレート部２０に設けられた第一保持部２１を昇降させる。これにより、サポートプレート２を保持した第一保持部２１が、当該サポートプレート２を持ち上げ、領域４ａにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に隙間を形成する。

昇降部２４が、積層体１０における接着層３とサポートプレート２との間の隙間を形成するために上昇する高さは、積層体から分離される支持体の材質及び厚さ等によって適宜調整することができるため、限定されないが、接着層３とサポートプレート２との間に少なくとも、０．１ｍｍ以上、２ｍｍ以下程度の隙間を設けることができる高さであればよい。

〔流体ノズル４０〕
流体ノズル４０は、積層体１０からサポートプレート２を分離するように、第一保持部２１を持ち上げることで領域４ａにおける分離層４に積層された基板１とサポートプレート２との間に設けられた隙間から、積層体１０の内部に向かって流体を噴射する。

これにより、積層体１０におけるサポートプレート２を過度に持ち上げることなく、サポートプレート２と分離層４との隙間から、サポートプレート２を分離するための応力を加えることができる。従って、分離層４に密着したサポートプレート２が反ることによって破損することを防止しつつ、積層体１０からサポートプレート２を好適に分離することができる。

流体ノズル４０が噴射する流体としては、例えば、気体、液体、及び、気体と液体とを含む２流体を挙げることができ、気体を用いることがより好ましい。気体には、例えば、空気、ドライエアー、窒素及びアルゴンからなる群から選択される少なくとも１つを挙げることができる。また、液体には、例えば、純水やイオン交換水等の水、接着層３を溶解する溶剤、及び、分離層４を剥離する剥離液を挙げることができ、２流体には、例えば、これら液体と上述した気体との組み合わせを挙げることができる。

接着層３を溶解する溶剤には、以下の（希釈溶剤）の欄に記載している溶剤を用いることができる。

また、分離層４を剥離する剥離液としては、例えば、アミン系化合物を挙げることができ、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、又は複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも１種の化合物を用いることができ、これら有機アミン類の化合物の中では、特にモノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール及び２−エチルアミノエタノール、２−メチルアミノエタノール（ＭＭＡ）等のアルカノールアミンが好適に用いられる。また、剥離液は上記アミン系化合物を他の溶剤と混合して用いてもよく、（希釈溶剤）の欄に記載している溶剤を混合して用いてもよい。

流体ノズル４０から、積層体１０における基板１とサポートプレート２との間に形成された隙間に対して噴射される流体は、例えば、流体として気体を用いる場合、０．２ＭＰａ以上の気圧（圧力）を有していることがより好ましい。これにより、気体を噴射した直後に、積層体１０からサポートプレート２を一度に首尾よく分離することができる。従って、分離層４の前面に光を照射して積層体から支持体を分離する場合よりも、本実施形態に係る支持体分離装置１００は、短時間で積層体１０からサポートプレート２を分離することができる。なお、基板１とサポートプレート２との間に形成された隙間に対して噴射する流体の気圧（圧力）の上限は、特に限定されないが、０．７ＭＰａ以下の気圧（圧力）である。

〔ステージ５０〕
ステージ（固定部）５０は、積層体１０を載置するものであり、多孔性部分であるポーラス部５１を備えている。ポーラス部５１は、減圧部（不図示）に連通しており、これにより、積層体１０を吸着固定することができる。従って、サポートプレート２を保持する第一保持部２１を昇降部２４により上昇させた場合であっても、積層体１０が上昇することを防止することができ、ステージ５０の上に固定された積層体１０において、領域４ａにおいて積層されている基板１とサポートプレート２との間に、好適に隙間を設けることができる。

〔その他の構成〕
支持体分離装置１００は、その他の構成として、フローティングジョイント２２、ストッパー２３、及び、積層体１０の向きを特定するための光学アライメント装置（検知部）を備えている。

フローティングジョイント２２は、上面視における形状が円形であるプレート部２０の上面側の中心部に設けられている。フローティングジョイント２２を介して昇降部２４に連結されることにより、プレート部２０は、回動可能であり、かつ、プレート部２０における第一保持部２１が設けられた面が、ステージ５０に固定された積層体１０の平面に対して傾くように可動する。

また、昇降部２４には、プレート部２０が必要以上に傾かないように、係止手段としてストッパー２３が設けられている。このとき、プレート部２０が必要以上に傾斜しようとすると、ストッパー２３がプレート部２０の上面部に接触してプレート部２０がそれ以上傾斜しない。これらフローティングジョイント２２とストッパー２３とによって、プレート部２０の傾きを調整することで、第一保持部２１によりサポートプレート２を保持しつつ、プレート部２０における第一保持部２１に対向する位置に配置されている第二保持部２１’が当該サポートプレート２から遠くに離れないように配置することができる。

支持体分離装置１００は、サポートプレート２に設けられた切り欠き部（ノッチ，不図示）を検知する光学アライメント装置（不図示）を備えている。これにより、支持体分離装置１００は、サポートプレート２の切り欠き部を基準として、積層体１０の向きを特定することができる。従って、積層体１０の向きを予め特定してから、光照射部３０によって分離層４に光を照射することで、積層体１０において分離層４に光が照射された領域４ａの向きを特定することができる。

〔積層体１０〕
図１の（ａ）に示す、本実施形態に係る支持体分離装置１００によりサポートプレート２を分離する積層体１０について、詳細に説明する。積層体１０は、基板１と、接着層３と、光を吸収することにより変質する分離層４と、光を透過する材料からなるサポートプレート２とをこの順に積層してなる。

〔基板１〕
基板１は、接着層３を介して分離層４を設けられたサポートプレート２に貼り付けられる。そして、基板１は、サポートプレート２に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供され得る。基板１としては、シリコンウエハ基板に限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を使用することができる。

なお、当該基板の表面には、構造物、例えば、集積回路、金属バンプ等が実装されていてもよい。

〔サポートプレート２〕
サポートプレート（支持体）２は、基板１を支持する支持体であり、接着層３を介して、基板１に貼り付けられる。そのため、サポートプレート２としては、基板１の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板１の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、分離層を変質させるための光を透過させるものであればよい。以上の観点から、サポートプレート２としては、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるもの等が挙げられる。

なお、サポートプレート２は、３００〜１０００μｍの厚さのものを用いることができる。本実施形態に係る支持体分離方法によれば、このように、厚さが薄い支持体であっても、当該支持体が破損することを防止しつつ、積層体から好適に分離することができる。

〔接着層３〕
接着層３は、基板１とサポートプレート２とを貼り付けるために用いられる。

接着層３を形成するための接着剤には、例えば、アクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー、ポリサルホン系等の、当該分野において公知の種々の接着剤を用いることができ、ポリサルホン系樹脂、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等をより好ましく用いることができる。

接着層３の厚さは、貼り付けの対象となる基板１及びサポートプレート２の種類、貼り付け後の基板１に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、１０〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、１５〜１００μｍの範囲内であることがより好ましい。

接着層３は、基板１とサポートプレート２とを貼り付けるために用いられる。接着層３は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により接着剤を塗布することによって形成することができる。また、接着層３は、例えば、接着剤を直接、基板１に塗布する代わりに、接着剤が両面に予め塗布されているフィルム（いわゆる、ドライフィルム）を、基板１に貼付することで形成してもよい。

接着層３は、基板１とサポートプレート２とを貼り付けるために用いられる接着剤によって形成される層である。

接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が、本発明に係る接着層３を構成する接着剤として使用可能である。以下、本実施の形態における接着層３が含有する樹脂の組成について説明する。

接着層３が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。

（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。

なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。

樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層３の軟化をさらに抑制することができる。

樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。

樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０〜１６０℃であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後の基板上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。

なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。

（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。

炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。

（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。

例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（２）で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。

（化学式（２）中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。

（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。

スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。

なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。

重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられる。エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

接着層３を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

接着層３を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層３を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層３を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層３を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層３を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層３の剥離又は除去の後に、基板１の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層３を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板１に物理的な力を加えることなく、接着層３を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層３の除去に際して、強度が低下した基板１からでさえ、基板１を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層３を除去することができる。

（ポリサルホン系樹脂）
接着層３を形成するための接着剤は、ポリサルホン系樹脂を含んでいてもよい。接着層３をポリサルホン系樹脂によって形成することにより、高温において積層体を処理しても、その後の工程において接着層を溶解し、基板からサポートプレートを剥離することが可能な積層体を製造することができる。接着層３がポリサルホン樹脂を含んでいれば、例えば、アニーリング等により積層体を３００℃以上という高温で処理する高温プロセスにおいても、積層体を好適に用いることができる。

ポリサルホン系樹脂は、下記一般式（３）で表される構成単位、及び、下記一般式（４）で表される構成単位のうちの少なくとも１種の構成単位からなる構造を有している。

（ここで、一般式（３）のＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３、並びに一般式（４）中のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ独立してフェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基からなる群より選択され、Ｘ’は、炭素数が１以上、３以下のアルキレン基である。）
ポリサルホン系樹脂は、式（３）で表されるポリサルホン構成単位及び式（４）で表されるポリエーテルサルホン構成単位のうちの少なくとも１つを備えていることによって、基板１とサポートプレート２とを貼り付けた後、高い温度条件において基板１を処理しても、分解及び重合等により接着層３が不溶化することを防止することができる積層体を形成することができる。また、ポリサルホン系樹脂は、上記式（３）で表されるポリサルホン構成単位からなるポリサルホン樹脂であれば、より高い温度に加熱しても安定である。このため、洗浄後の基板１に接着層に起因する残渣が発生することを防止することができる。

ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３０，０００以上、７０，０００以下の範囲内であることが好ましく、３０，０００以上、５０，０００以下の範囲内であることがより好ましい。ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、３０，０００以上の範囲内であれば、例えば、３００℃以上の高い温度において用いることができる接着剤組成物を得ることができる。また、ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、７０，０００以下の範囲内であれば、溶剤によって好適に溶解することができる。つまり、溶剤によって好適に除去することができる接着剤組成物を得ることができる。

（希釈溶剤）
接着層３を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

（その他の成分）
接着層３を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

〔分離層４〕
次に、分離層４とは、サポートプレート２を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。また、図２の（ｂ）に示すように、基板１とサポートプレート２との間に設けられた隙間から積層体１０の内部に向かって流体を噴射したとき、領域４ａ以外の領域における分離層４も破壊される。

分離層４の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層４の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層４に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層４の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。

なお、積層体１０において、分離層４とサポートプレート２との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層４への光の入射を妨げることなく、積層体１０に好ましい性質等を付与する層を、適宜追加することができる。分離層４を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層４を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。

また、分離層４は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層４を形成してもよい。また、分離層４における接着層３に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層４の形成が容易に行なえ、かつ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。

（フルオロカーボン）
分離層４は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層４は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。分離層４を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層４における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

分離層４に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層４は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層４は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^４）（Ｒ^５）であり（ここで、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の“化３”に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の“化３”に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又はＳＯ_２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の“化３”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の“化３”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ_２−である場合の例としては、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の“化３”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−６−メチルフェニル）−スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の“化３”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−アミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジエチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−４’−メトキシ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４−ジメチルアミノ−３’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層４の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層４が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体１０からのサポートプレート２の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した分離層４は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層４はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート２の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
分離層４は、無機物からなっていてもよい。分離層４は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

無機物からなる分離層４に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる分離層４は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、サポートプレート２上に形成され得る。無機物からなる分離層４の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層４を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、サポートプレート２及び基板１に貼り付けてもよい。

なお、分離層４として金属膜を使用する場合には、分離層４の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層４の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層４は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層４は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ−Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層４の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層４における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート２と基板１との分離を容易にするには、分離層４における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層４に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層４における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（５）で表される繰り返し単位及び下記化学式（６）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式（５）で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（６）中、Ｒ^６は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式（５）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式（５）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（８）で表される繰り返し単位及び下記化学式（９）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（８）中、Ｒ^７は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、化学式（９）中、Ｒ^８は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）、及び特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式（１０）で表される繰り返し単位及び下記化学式（１１）で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式（１０）で表される繰り返し単位及び下記化学式（１１）で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した分離層４は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層４はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート２の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
分離層４は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層４は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層４に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

（反応性ポリシルセスキオキサン）
分離層４は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができ、これにより、分離層４は高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。

本明細書中において、反応性ポリシルセスキオキサンとは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンであり、当該シラノール基又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができるものである。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を備えていれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えたものを採用することができる。

また、反応性ポリシルセスキオキサンは、下記式（１２）に示す構造を有していることがより好ましい。

式（１２）中、Ｒ”は、それぞれ独立して、水素及び炭素数１以上、１０以下のアルキル基からなる群より選択され、水素及び炭素数１以上、５以下のアルキル基からなる群より選択されることがより好ましい。Ｒ”が、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であれば、分離層形成工程における加熱によって、式（１２）によって表される反応性ポリシルセスキオキサンを好適に縮合させることができる。

式（１２）中、ｐは、１以上、１００以下の整数であることが好ましく、１以上、５０以下の整数であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンは、式（１２）で表される繰り返し単位を備えることによって、他の材料を用いて形成するよりもＳｉ−Ｏ結合の含有量が高く、赤外線（０．７８μｍ以上、１０００μｍ以下）、好ましくは遠赤外線（３μｍ以上、１０００μｍ以下）、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下における吸光度の高い分離層４を形成することができる。

また、式（１２）中、Ｒ’は、それぞれ独立して、互いに同じか、又は異なる有機基である。ここで、Ｒ’は、例えば、アリール基、アルキル基、及び、アルケニル基等であり、これらの有機基は置換基を有していてもよい。

Ｒ’がアリール基である場合、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等を挙げることができ、フェニル基であることがより好ましい。また、アリール基は、炭素数１〜５のアルキレン基を介してポリシルセスキオキサン骨格に結合していてもよい。

Ｒ’がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基を挙げることができる。また、Ｒ’がアルキル基である場合、炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。また、Ｒ’が、環状のアルキル基である場合、単環状又は二〜四環状の構造をしたアルキル基であってもよい。

Ｒ’がアルケニル基である場合、アルキル基の場合と同様に、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルケニル基を挙げることができ、アルケニル基は、炭素数が２〜１５であることが好ましく、２〜６であることがより好ましい。また、Ｒ’が、環状のアルケニル基である場合、単環状又は二〜四環状の構造をしたアルケニル基であってもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、及びアリル基等を挙げることができる。

また、Ｒ’が有し得る置換基としては、水酸基及びアルコキシ基等を挙げることができる。置換基がアルコキシ基である場合、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキルアルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基における炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０モル％以上、９９モル％以下であることが好ましく、８０モル％以上、９９モル％以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が７０モル％以上、９９モル％以下であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下の光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００以上、５０，０００以下であることが好ましく、１，０００以上、１０，０００以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が５００以上、５０，０００以下であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、支持体上に好適に塗布することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ−１３、ＳＲ−２１、ＳＲ−２３及びＳＲ−３３等を挙げることができる。

〔積層体の変形例１〕
支持体分離装置によって支持体を分離する対象となる積層体は、基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体であればよい。従って、分離層と基板との間に接着層を有している上述した積層体のみならず、分離層と基板との間に接着層を有していない積層体も、本発明における積層体の範疇に含まれる。接着層を有していない積層体としては、例えば、接着性を有している分離層を介して、基板と支持体とを積層してなる積層体を挙げることができる。ここで、接着性を有している分離層としては、例えば、硬化型樹脂又は熱可塑性樹脂であって光吸収性を備えている樹脂を用いて形成される分離層、及び、接着性を有している樹脂に光を吸収する材料を配合してなる分離層等を挙げることができる。硬化型樹脂又は熱可塑性樹脂であって光吸収性を備えている樹脂を用いて形成される分離層には、例えば、ポリイミド樹脂を用いて形成される分離層を挙げることができる。また、接着性を有している樹脂に光を吸収する材料を配合してなる分離層には、例えば、アクリル系紫外線硬化型樹脂にカーボンブラック等を配合してなる分離層、及び、粘着性樹脂にグラスバブルスの赤外線吸収材料等を配合してなる分離層等を挙げることができる。なお、これら分離層も、接着性の有無によらず、光を照射することにより変質する本発明における分離層の範疇に含まれる。

〔積層体の変形例２〕
上記第一実施形態では、サポートプレート２と接着層３との間に分離層４がある積層体１０を用いている。しかしながら、機械的な力を加えることによって剥離することができる程度の接着力を有している接着層を採用している場合には、分離層が無く、接着層が基板およびサポートプレートに直接、接着している積層体であっても、第一実施形態において説明した支持体分離装置を用いてサポートプレートを分離することが可能である。

すなわち、第一実施形態において説明した支持体分離装置１００は、基板１と、上記基板１を支持するサポートプレート２とを接着層３を介して積層してなる積層体から、上記サポートプレート２を分離する支持体分離装置１００であって、上記積層体を基板１側で固定するステージ５０と、上記接着層３を介して積層されている上記基板１と上記サポートプレート２との間に隙間を形成するように、上記サポートプレート２における上記接着層３に対向する面の裏面から、当該サポートプレート２を保持して持ち上げる第一保持部２１と、上記積層体から上記サポートプレート２を分離するように、上記隙間から上記積層体の内部に向かって流体を噴射する流体ノズル４０とを備えている構成であってもよい。この場合においては、上記第一保持部２１は、上記サポートプレート２の外周端部を把持して持ち上げることによって上記隙間を形成することがより好ましい。

機械的な力を加えることで剥離することができる程度の接着力を有している接着層を形成することができる接着剤としては、例えば、感圧性接着剤、可剥離性接着剤等を挙げることができる。感圧性接着剤（粘着剤）としては、例えば、ラテックスゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム等の合成ゴム、若しくはタッキファイア樹脂等を含んでいるような、公知の感圧性接着剤を挙げることができる。また、可剥離性接着剤としては、可剥離性を有している接着剤、例えば、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、又は熱硬化性樹脂等に、ワックスやシリコーン等の離型剤を配合することにより接着力を調整した接着剤を挙げることができる。さらに、可剥離性接着剤は、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂等を含み、これら樹脂を硬化させることによって可剥離性が発現されるような、硬化型の接着剤であってもよい。また、可剥離性接着剤は、蜜蝋やワックス等のような、接着力の低い熱可塑性樹脂を主たる成分として含む接着剤であってもよい。

〔積層体の変形例３〕
支持体分離装置によって支持体を分離する対象となる積層体は、例えば、下記工程を包含する製造方法によって製造された積層体であってもよい。すなわち、本発明における積層体は、光を照射することにより変質する分離層を支持体上に形成する分離層形成工程と、当該分離層上に、接着層を形成するための接着剤組成物を塗布することによって接着層を形成する接着層形成工程と、上記接着層を加熱又は露光することにより硬化させる硬化工程と、上記接着層を介して基板を積層する積層工程とを包含し、当該積層工程が、上記接着層上に再配線層を形成する再配線層形成工程と、再配線層に素子を実装する実装工程と、再配線層に実装した素子を封止材によって封止する封止工程と、基板を薄化する薄化工程とを包含している製造方法によって製造されていてもよい。ここで、硬化工程後における接着層の２５０℃における動的粘度は１０００Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、２５℃におけるヤング率は２ＧＰａ以上であることが好ましい。これにより、積層体を好適に形成することができる。上記分離層形成工程と接着層形成工程は、積層工程及び硬化工程の前であれば、どちらを先に行なってもよく、同時に行なってもよい。また、硬化工程は、積層工程の後に行なう。

すなわち、本発明における積層体は、基板の代わりに、素子、素子を封止する封止材、及び素子を実装する再配線層を備えてなる封止基板を用い、当該封止基板を支持体等と積層してなる積層体であってもよい。より具体的には、本発明における積層体は、封止材によって封止された素子のチップエリア外に端子を再配置することで、半導体の集積化、薄型化及び小型化が実現された、ファンアウト型技術に基づく積層体であってもよい。なお、ファンアウト型技術としては、ウエハ上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）、及び、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）を挙げることができる。

上記分離層形成工程では、光を透過する支持体の一方の平面部に、光を照射することにより変質する分離層を形成する。上記接着層形成工程では、接着剤組成物を基板の一方の平面部の上に塗布することにより、当該平面部に接着層を形成する。上記接着剤組成物は、重合性樹脂成分、重合開始剤、及び溶剤を含んでいる。接着剤組成物が含んでいる重合開始剤は、熱重合開始剤であってもよく、光重合開始剤であってもよいが、熱重合開始剤であることがより好ましい。接着剤組成物を上記平面部に塗布する方法としては、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の公知の塗布方法を挙げることができる。また、接着層形成工程では、基板に接着剤組成物を塗布した後、接着剤組成物から溶剤を予め除去することが好ましい。上記積層工程では、基板と、接着層と、分離層と、支持体とをこの順に積層する。上記硬化工程では、積層工程後に得られた積層体の接着層を加熱又は露光することによって、接着層に含まれている重合性樹脂成分を重合により硬化させる。上記再配線層形成工程では、接着層上に再配線層を形成する。再配線層は、ＲＤＬ（Redistribution Layer）とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。再配線層の形成手順は、公知の半導体プロセス手法で用いられる手順を用いることができる。上記実装工程では、再配線層上に素子を実装する。素子の実装は、例えば、チップマウンターを用いて行なうことができ、より具体的には、例えば、ソルダーバンプを介して、再配線層上に素子を実装する形態を挙げることができる。上記封止工程では、素子を封止材によって封止する。上記封止材としては、例えば、エポキシ系の樹脂やシリコーン系の樹脂を挙げることができる。上記薄化工程では、封止材を薄化することにより、接着層の上において、再配線層を備えた封止基板を好適に形成することができる。

＜第二実施形態に係る支持体分離装置＞
本発明に係る支持体分離方法は、上記実施形態（第一実施形態）に限定されない。例えば、図３の（ａ）及び（ｂ）に示すように、一実施形態（第二実施形態）に係る支持体分離装置１０１では、流体ノズル（流体噴射部）４１は、第一保持部２１と共に、昇降部２４によって昇降する構成である。なお、本実施形態に係る支持体分離装置１０１において、流体ノズル４１以外の構成は、支持体分離装置１００と同じであるため、その構成を省略する。

図３の（ａ）に示すように、支持体分離装置１０１では、流体を噴射する流体ノズル４１が、プレート部２０における第一保持部２１の上に設けられている。このため、昇降部２４によって第一保持部２１を昇降させるときに、共に流体ノズル４１も昇降する。よって、ステージ５０の上において積層体１０からサポートプレート２を分離し、第一保持部２１及び第二保持部２１’によって当該サポートプレート２を支持体分離装置１０１の外部に搬送するときに、同時に、ステージ５０上に残された基板１の近傍から流体ノズル４１を移動させることができる。従って、ステージ５０上に残された基板１に対して他の処理を行なうときに、異なる駆動系を設けてステージ５０上から流体ノズルを移動させる必要がない。

また、図３の（ｂ）に示すように、プレート部２０を昇降させ、第一保持部２１によってサポートプレート２を保持して持ち上げたときに、基板１とサポートプレート２とが領域４ａにおける分離層４を介して積層されている部位に形成された隙間に、流体ノズル４１の先端が向けられるように当該流体ノズル４１が配置されている。このため、サポートプレート２を持ち上げて、基板１とサポートプレート２との間に隙間を形成したときに、当該隙間から積層体１０の内部に向かって、速やかに流体を噴射することができる。

＜第三実施形態に係る支持体分離装置＞
本発明に係る支持体分離装置は、上記実施形態（第一実施形態及び第二実施形態）に限定されない。例えば、図４の（ａ）及び（ｃ）に示すように、第三の実施形態において、支持体分離装置１００における光照射部３０は、分離層４における周縁部分の複数の領域４ａ及び４ｂに光を照射する構成である。これにより、図４の（ｃ）に示す、分離層４の周縁部分における複数の領域４ａ及び４ｂにおける分離層４を変質させる。なお、第三実施形態に係る支持体分離装置は、光照射部３０がサポートプレート２を介して、分離層４の複数の領域４ａ及び４ｂに光を照射する構成以外は、第一実施形態に係る支持体分離装置１００を用いて実施することができる。ここで、領域４ｂにおける幅Ｗ２は、領域４ａにおける幅Ｗ１と同じ範囲内の幅に設定することができる。なお、基板１において、領域４ｂにおける分離層４に対向するように配置される領域は、集積回路等の構造物がされていない非回路形成領域である。

上記の構成によれば、積層体１０における分離層４の周縁部分のより広い領域において、当該分離層４を変質させることができる。このため、図４の（ａ）に示すように、流体ノズル４０により流体を噴射するときに、領域４ａのみにおける分離層４を変質させた場合よりも、サポートプレート２を積層体１０からより分離し易くすることができる。

＜第三実施形態に係る支持体分離装置の変形例＞
また、上記第三実施形態に係る支持体分離装置の一変形例として、支持体分離装置１００’は、複数の第一保持部２１と、複数の流体ノズル４０とを備えている。ここで、複数の第一保持部２１の夫々は、複数の領域４ａ及び４ｂにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に、複数の隙間を形成するように、サポートプレート２における分離層４が変質した複数の領域４ａ及び４ｂに対向する面の夫々の裏面から、別個に当該サポートプレート２を保持して持ち上げる。また、複数の流体ノズル４０の夫々は、複数の隙間の夫々から、積層体１０の内部に向かって同時に流体を噴射する。

上記の構成によれば、基板１とサポートプレート２との間に形成された複数の隙間から積層体１０の内部に向かって同時に流体を噴射するため、積層体１０からサポートプレート２を分離するための力をより均一に加えることができる。また、複数の第一保持部２１によってサポートプレート２を保持しているため、流体を噴射することにより積層体１０から分離したサポートプレート２が、流体ノズル４０から噴射された流体の圧力により、支持体分離装置１００から脱離することをより好適に防止することができる。

＜第四実施形態に係る支持体分離装置＞
本発明に係る支持体分離装置は、上記実施形態（第一実施形態、第二実施形態及び第三実施形態）に限定されない。例えば、図５の（ａ）に示すように、一実施形態（第四実施形態）に係る支持体分離装置１０２は、領域４ｃにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に形成された隙間を、サポートプレート２の外周端部を把持して持ち上げることで当該隙間を深さ方向において広げるクランプ（把持部）２５をさらに備え、第一保持部２１は、サポートプレート２における、深さ方向において広げられた上記隙間に対向する面の裏面側から、サポートプレート２を保持して持ち上げる構成である。なお、本実施形態に係る支持体分離装置１０２において、分離層４における光を照射する領域４ｃ及びクランプ２５以外の構成は、支持体分離装置１００と同じであるため、その構成を省略する。

図５の（ａ）に示すように、本実施形態に係る支持体分離装置１０２では、領域４ｃにおける分離層４に光を照射し、当該領域４ｃにおける分離層４を変質させる。ここで、図５の（ｄ）に示すように、領域４ｃにおける幅Ｗ３は、分離層４の外周端部から内側に向かって、０．１ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下の範囲内である。つまり、本実施形態に係る支持体分離装置１０２では、分離層４の外周端部から内側に向かって２．０ｍｍよりも内側の領域に光を照射しないため、基板１の内側の領域（つまり、回路形成領域）が光を照射されることにより、ダメージを受けることを回避することができる。

クランプ２５は、第一保持部２１に保持された積層体１０におけるサポートプレート２の外周端部に向かって、当該サポートプレート２の平面に平行な方向に移動する。これにより、ステージ５０に固定されている積層体１０におけるサポートプレート２の外周端部を把持する。その後、昇降部２４を上昇させることにより、サポートプレート２の外周端部を持ち上げる。これにより、領域４ｃにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に形成された隙間を、当該隙間の深さ方向において広げる（図５の（ｂ））。従って、分離層４を変質させる領域４ｃの幅Ｗ３が狭い場合においても、基板１とサポートプレート２との間における隙間を領域４ｃの幅Ｗ３よりも深くすることができる。よって、深さ方向において広げられた隙間に対向する面の裏面側から、サポートプレート２を保持して持ち上げることで、当該隙間を大きくすることができ、流体ノズル４０により、流体を積層体１０の内部に向かって好適に噴射することができる（図５の（ｃ））。つまり、本実施形態に係る支持体分離装置１０２によれば、積層体１０における分離層４に光を照射する面積を小さくすることで、光の照射により基板１がダメージを受ける範囲を小さくしながらも、首尾よく積層体１０からサポートプレート２を分離することができる。

＜支持体分離方法＞
本発明の一実施形態に係る支持体分離方法は、基板１と、光を透過するサポートプレート（支持体）２とを、接着層３と、光を照射することにより変質する分離層４とを介して積層してなる積層体１０から、サポートプレート２を分離する支持体分離方法であって、分離層４における周縁部分の少なくとも一部の領域４ａに、サポートプレート２を介して光を照射することで、領域４ａにおける分離層４を変質させる光照射工程と、サポートプレート２における分離層４が変質した領域に対向する面の裏面から、サポートプレート２を保持して持ち上げることで、領域４ａにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に隙間を形成し、当該隙間から積層体１０の内部に向かって流体を噴射することで、積層体１０からサポートプレート２を分離する分離工程とを包含している。すなわち、上述した支持体分離装置１００、１００’、１０１及び１０２は、本発明に係る支持体分離方法に用いられる支持体分離装置の各実施形態であり、本発明に係る支持体分離方法の各実施形態は、上述の実施形態及び図１〜５の説明に準ずる。

よって、一実施形態に係る支持体分離方法では、図３の（ａ）及び（ｃ）に示すように、光照射工程では、分離層４における周縁部分の複数の領域４ａ及び４ｂに光を照射してもよい。

また、機械的な力を加えることによって剥離することができる程度の接着力を有している接着層を採用している場合には、分離層が無く、接着層が基板およびサポートプレートに直接、接着している積層体における支持体分離方法は、基板１と、上記基板１を支持するサポートプレート２とを接着層３を介して積層してなる積層体から、上記サポートプレート２を分離する支持体分離方法であって、上記サポートプレート２における上記接着層３に対向する面の裏面から、当該サポートプレート２を保持して持ち上げることで、上記接着層３を介して積層されている上記基板１と上記サポートプレート２との間に隙間を形成し、上記隙間から上記積層体の内部に向かって流体を噴射することで、上記積層体から上記サポートプレート２を分離する分離工程を包含していてもよい。この場合においては、上記分離工程では、上記サポートプレート２の外周端部を保持して持ち上げることによって上記隙間を形成することがより好ましい。

さらに、本発明における積層体が、ファンアウト型技術に基づく積層体、つまり、再配線層を備える封止基板を用い、当該封止基板を支持体等と積層してなる積層体である場合には、本発明に係る支持体分離方法は、再配線層を備える封止基板を支持体等と積層してなる積層体から、上記支持体を分離する。

また、別の実施形態に係る支持体分離方法では、図４の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、複数の領域４ａ及び４ｂにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に、複数の隙間を形成するように、サポートプレート２における分離層４が変質した複数の領域４ａ及び４ｂに対向する面の夫々の裏面から、別個にサポートプレート２を保持して持ち上げ、複数の隙間の夫々から、積層体１０の内部に向かって同時に流体を噴射してもよい。

また、さらに別の実施形態に係る支持体分離方法では、図５の（ａ）〜（ｄ）に示すように、分離工程では、領域４ｃにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１と上サポートプレート２との間における隙間を、サポートプレート２の外周端部を把持して持ち上げることで当該隙間の深さ方向において広げ、当該隙間を深さ方向において広げた後、サポートプレート２における、深さ方向において広げられた上記隙間に対向する面の裏面から、当該サポートプレート２を保持して持ち上げてもよい。

また、さらに別の実施形態に係る支持体分離方法では、図２の（ａ）〜（ｄ）に示すように、分離工程では、基板１を固定した状態で、サポートプレート２を保持し、サポートプレート２を基板１から持ち上げることで、領域４ａにおいて変質した分離層４を介して積層されている基板１とサポートプレート２との間に隙間を形成してもよい。

また、上述の実施形態に係る支持体分離方法において、流体は、空気、ドライエアー、窒素及びアルゴンからなる群から選択される少なくとも１つであることがより好ましい。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

＜支持体分離性の評価１＞
実施例１として、図１の（ａ）に示す支持体分離装置１００を用いて、積層体の分離性評価を行なった。

〔積層体の作製〕
半導体ウエハ基板（１２インチ、シリコン）にＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）をスピン塗布し、９０℃、１６０℃、２２０℃の温度で各４分間ベークし、接着層を形成した（膜厚５０μｍ）。その後、接着層を形成した半導体ウエハ基板を１，５００ｒｐｍで回転させつつ、ＥＢＲノズルによって、ＴＺＮＲ（登録商標）−ＨＣシンナー（東京応化工業株式会社製）を１０ｃｃ／ｍｉｎの供給量で５〜１５分間、供給することによって、半導体ウエハ基板に形成された接着層の周縁部分を、半導体ウエハ基板の端部を基準にして内側に向かって１．３ｍｍまで接着層を除去した。

次いで、支持体として、ベアガラス支持体（１２インチ、厚さ４００μｍ）を用い、フルオロカーボンを用いたプラズマＣＶＤ法により支持体の上に分離層を形成した。分離層形成の条件としては、流量４００ｓｃｃｍ、圧力７００ｍＴｏｒｒ、高周波電力３０００Ｗ及び成膜温度２４０℃の条件下において、反応ガスとしてＣ_４Ｆ_８を使用した。ＣＶＤ法を行なうことによって、分離層であるフルオロカーボン膜（厚さ０．５μｍ）を支持体上に形成した。

次に、半導体ウエハ基板、接着層、分離層及びガラス支持体がこの順になるように重ね合わせ、真空下、２１５℃で、１８０秒間予熱し、その後、２０００ｋｇｆの貼付圧力で３６０秒間押圧することでガラス支持体と半導体ウエハ基板とを貼り付けた。これによって、積層体を作製した。その後、積層体の半導体ウエハ基板の裏面をＤＩＳＣＯ社製バックグラインド装置にて薄化（５０μｍ）処理を行なった。

〔支持体の分離１〕
実施例１では、支持体分離装置１００を用い、図１の（ｂ）に示す、レーザ光照射を行なう領域４ａの幅Ｗ１及びエアノズルによるドライエアーの吹付圧力を変化させて、支持体の分離性評価を行なった。なお、第一保持部２１により、領域４ａにおける分離層に積層されるガラス支持体を初期の状態から０．５ｍｍの高さまで持ち上げることによって、半導体ウエハ基板と、ガラス支持体との間に、ドライエアーを吹き付けるための隙間を設けた。

なお、レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚの条件であった。実施例１における各評価条件及び評価結果は、以下の表１に示す通りである。分離性の評価は、一度のドライエアーの吹付の直後にガラス支持体が分離できたものを「○」として評価し、ドライエアーを３回吹付けることによりガラス支持体が分離できたものを「△」として評価し、ガラス支持体が分離できなかったものを「×」として評価した。また、表１の条件１における「−」とは、エアの吹付を行なわなかったことを示す。

表１に示すように、条件２〜４においては、レーザ照射幅Ｗ１が６ｍｍ以上であるか、エア圧が０．３ＭＰａ以上であるかのいずれかの条件を満たす場合、エアを吹き付けた直後に、積層体からガラス支持体を首尾よく分離することができることを確認することができた。

＜支持体分離性の評価２＞
実施例２として、図５の（ａ）に示す支持体分離装置１０２を用いて、積層体の分離性評価を行なった。また、比較例１として、第一保持部を備えず、クランプのみにより支持体を把持する分離プレートを備えた支持体分離装置について、同じ積層体における支持体の分離性を評価した。

なお、支持体の分離性評価に用いた積層体は、実施例１に使用したものと同じであるため、その説明を省略する。

〔支持体の分離２〕
実施例２では、支持体分離装置１０２を用い、クランプ２５によって積層体からガラス支持体を持ち上げる高さを変化させて支持体の分離性評価を行なった。まず、図５の（ｄ）に示す、レーザ光照射を行なった領域４ｃの幅Ｗ３を２ｍｍとして、レーザ光照射を行ない、その後、クランプ２５によりガラス支持体を持ち上げ、半導体ウエハ基板と、ガラス支持体との間の隙間の深さを測定した。続いて、第一保持部２１により、高さ０．５ｍｍまで、ガラス支持体を持ち上げ、半導体ウエハ基板と、ガラス支持体との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。なお、エアノズルによるドライエアーの吹付圧力はいずれも０．３ＭＰａである。

実施例２及び比較例１において、レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚの条件であった。なお、比較例１のクランプにより支持体を分離する支持体分離装置については、エアノズルによるドライエアーの吹付を行なわずにガラス支持体の分離を行なった。

分離性の評価は、実施例１と同じ条件にて行なった。

実施例２及び比較例１における評価条件、及び、評価結果を以下の表２に示す。

表２に示すように、クランプ２５によるガラス支持体の持ち上げにより、積層体における半導体ウエハ基板とガラス支持体との間の隙間を、領域４ｃの幅Ｗ３である２ｍｍよりも深くすることができ、ガラス支持体を分離することができることを確認することができた。また、実施例２における条件１〜３では、一度のドライエアーの吹付の直後にガラス支持体が分離できること「○」を確認することができた。

また、比較例により、ドライエアーの吹付を行なわない場合において、特にガラス支持体の厚さが薄いとき（４００μｍ）、当該ガラス支持体が破損することを確認することができた。

よって、本発明に係る支持体分離装置によれば、積層体からガラス支持体を首尾よく短時間で分離できることを確認することができた。

本発明は、微細化された半導体装置の製造工程において好適に利用することができる。

１ 基板
２ サポートプレート（支持体）
３ 接着層
４ 分離層
４ａ 領域（分離層）
４ｂ 領域（分離層）
４ｃ 領域（分離層）
１０ 積層体
２１ 第一保持部
２１’ 第二保持部
２４ 昇降部
３０ 光照射部
４０ 流体ノズル（流体噴射部）
５０ ステージ（固定部）
５１ ポーラス部（固定部）
１００ 支持体分離装置
１００’ 支持体分離装置
１０１ 支持体分離装置
１０２ 支持体分離装置

Claims (15)

1. 基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、
   上記分離層における周縁部分の複数の領域に、上記支持体を介して光を照射することで、当該領域における分離層を変質させる光照射部と、
   複数の第一保持部と、
   複数の流体噴射部とを備え、
   当該複数の第一保持部の夫々は、上記複数の領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に、複数の隙間を形成するように、上記支持体における上記分離層が変質した複数の領域に対向する面の夫々の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げ、
   複数の上記流体噴射部の夫々は、上記積層体から上記支持体を分離するように、上記複数の隙間の夫々から上記積層体の内部に向かって流体を同時に噴射することを特徴とする支持体分離装置。
2. 上記領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に形成された上記隙間を、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることで当該隙間の深さ方向において広げる把持部をさらに備え、
   上記第一保持部は、上記支持体における、深さ方向において広げられた上記隙間に対向する面の裏面側から、当該支持体を保持して持ち上げることを特徴とする請求項１に記載の支持体分離装置。
3. 上記積層体における上記基板を固定する固定部をさらに備え、上記固定部で上記基板が固定された状態で、上記支持体を保持した上記第一保持部は、上記領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に隙間を形成するように、上記支持体を上記基板から持ち上げることを特徴とする請求項１または２に記載の支持体分離装置。
4. 上記第一保持部は、上記支持体を真空吸着することにより保持することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の支持体分離装置。
5. 上記第一保持部を昇降させる昇降部をさらに備え、
   当該昇降部により、上記支持体を保持した上記第一保持部を上昇させることで、上記領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に隙間を形成することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の支持体分離装置。
6. 上記流体噴射部は、上記第一保持部と共に、上記昇降部によって昇降することを特徴とする請求項５に記載の支持体分離装置。
7. 上記支持体における周縁部分を保持する第二保持部を複数備えていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の支持体分離装置。
8. 上記流体は、空気、ドライエアー、窒素及びアルゴンからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の支持体分離装置。
9. 上記基板と上記支持体との間に、さらに接着層を有することを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の支持体分離装置。
10. 基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、
    上記分離層における周縁部分の複数の領域に、上記支持体を介して光を照射することで、当該領域における上記分離層を変質させる光照射工程と、
    上記支持体における上記分離層が変質した複数の領域に対向する面の夫々の裏面から、別個に当該支持体を保持して持ち上げることで、上記複数の領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に複数の隙間を形成し、上記複数の隙間の夫々から上記積層体の内部に向かって流体を同時に噴射することで、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程とを包含していることを特徴とする支持体分離方法。
11. 上記分離工程は、上記領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間における上記隙間を、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることで当該隙間の深さ方向において広げ、
    上記隙間を深さ方向において広げた後、上記支持体における、深さ方向において広げられた上記隙間に対向する面の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げることを特徴とする請求項１０に記載の支持体分離方法。
12. 上記分離工程では、上記基板を固定した状態で、上記支持体を保持し、上記支持体を上記基板から持ち上げることで、上記領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に隙間を形成することを特徴とする請求項１０または１１に記載の支持体分離方法。
13. 上記流体は、空気、ドライエアー、窒素及びアルゴンからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１０〜１２の何れか１項に記載の支持体分離方法。
14. 基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、
    上記分離層における周縁部分の複数の領域に、上記支持体を介して光を照射することで、当該領域における分離層を変質させる光照射部と、
    複数の第一保持部と、
    複数の流体噴射部とを備え、
    当該複数の第一保持部の夫々は、上記複数の領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に、複数の隙間を形成するように、上記支持体における上記分離層が変質した複数の領域に対向する面の夫々の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げ、
    複数の上記流体噴射部の夫々は、上記積層体から上記支持体を分離するように、上記複数の隙間の夫々から上記積層体の内部に向かって流体を噴射することを特徴とする支持体分離装置。
15. 基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、
    上記分離層における周縁部分の複数の領域に、上記支持体を介して光を照射することで、当該領域における上記分離層を変質させる光照射工程と、
    上記支持体における上記分離層が変質した複数の領域に対向する面の夫々の裏面から、別個に当該支持体を保持して持ち上げることで、上記複数の領域において変質した分離層を介して積層されている上記基板と上記支持体との間に複数の隙間を形成し、上記複数の隙間の夫々から上記積層体の内部に向かって流体を噴射することで、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程とを包含していることを特徴とする支持体分離方法。
    

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