JP6695227B2 - 支持体分離装置および支持体分離方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る支持体分離装置および支持体分離方法の一形態について、以下に説明する。
図1は、本実施形態1の支持体分離装置の要部の構成について示す図であり、図1(a)は部分上面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるA−A’線矢視断面である。なお、図1(a)および図1(b)には、XY平面を水平面とするXYZ座標系も併せて示す。
ステージ50は、積層体100を載置する台である。ステージ50の上面には、多孔性部分であるポーラス部51が設けられており、ポーラス部51には図示しない減圧部が連通している。これにより、ステージ50上に載置された積層体100は、その基板1側の平面においてポーラス部51により吸着固定される。
光照射部40は、積層体100における分離層4に対して、光透過性のサポートプレート2を介して光を照射する。
昇降部30は、図1(b)に示すように、保持部20の上面視における形状が円形であるプレート部21の上面側の中心部に連結固定されており、図1(a)および図1(b)に示すZ軸に沿って保持部20を昇降させる。
これらフローティングジョイントとストッパーとによって、プレート部21の傾きを調整することも可能であり、吸着パッド22によりサポートプレート2を吸着保持するように配置することができる。
保持部20は、プレート部21と、吸着パッド22(吸着部)と、クランプ23(把持部)と、気体噴出部24(噴出部)と、スライド駆動部25(駆動部)と、レベルブロック26(当接部)とを有している。
プレート部21は、昇降部30に連結されている。プレート部21は、ステージ50に対向配置している上面視において概ね円形の構造体である。なお、説明の便宜上、図1(a)には、プレート部21の中心点Cを示している。
吸着パッド22は、プレート部21におけるステージ50との対向側の面に配設されている。より具体的には、吸着パッド22は、図1(a)に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部21の中心点Cを挟んで対向する2箇所と、それらを結ぶ仮想線に対して中心点Cにおいて直交する線に沿って、中心点Cを挟んで対向する2箇所の計4箇所において、プレート部21の外周端部よりも内側(中心点C寄り)にそれぞれ設けられている。
クランプ23は、各吸着パッド22の近傍において、スライド駆動部25を介してプレート部21と連結しており、ステージ50に載置された積層体100を把持(保持)することができる構成となっている。
気体噴出部24は、各クランプ23と一体的に構成されている。具体的には、図1(a)に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部21の中心点Cを挟んで対向する2箇所と、それらを結ぶ仮想線に対して中心点Cにおいて直交する線に沿って、中心点Cを挟んで対向する2箇所の計4箇所において、クランプ23よりも外側(中心点Cから離れる側)にそれぞれ設けられている。すなわち、図1(a)に図示した先述の仮想線に相当するX軸方向に沿った線と、Y軸方向に沿った線とに関して、同一箇所において、一つの吸着パッド22と、一つのクランプ23と、一つの気体噴出部24とは、同一線上において、中心点Cから離れる方向に沿ってこの順で配置している。
スライド駆動部25は、プレート部21の上面における各クランプ23の近傍に配設されている。スライド駆動部25の夫々は、近傍に位置するクランプ23を、XY平面方向に沿って、プレート部21の外周端部に向かって近づけるか、又は離すようにスライド移動させる(図3(b)および(c))。また、スライド駆動部25は、同時に同じ速度にて、サポートプレート2の外周端部に向かってクランプ23の夫々をスライド移動させる。これにより、サポートプレート2の外周端部をクランプ23によって囲いつつ、把持することができる。
レベルブロック26は、プレート部21における下面(ステージ50対向側の面)における各吸着パッド22よりも内側(中心点C寄り)に配設され、下方に向かって突出した構造を有している。後述するように、レベルブロック26の突出端部(下端)には、サポートプレート2の上面(平面部)に当接する当接面26aが設けられており、サポートプレート2を分離する際に吸着パッド22に吸着されたサポートプレート2が不都合に歪むことを防ぐことができる。そのため、レベルブロック26のZ方向の長さ(突出長)は、吸着パッド22のZ方向の長さよりも僅かに短く構成されている。また、レベルブロック26の突出端部(下端)と、クランプ23の下端部との高さの差は、分離するサポートプレート2の厚さに応じて予め一定になるように設計されているが、高さ調整機構を具備しているため、高さを調整することが可能である。
本実施形態1の支持体分離装置10には、上述した各構成以外に構成を具備する。例えば、スライド駆動部25が移動させるクランプ23の夫々の位置を検知する位置センサ(不図示)を具備する。
以上の構成を具備する支持体分離装置10によって積層体100からサポートプレート2を分離する方法(支持体分離方法)を説明する。
図1の(a)に示す、本実施形態に係る支持体分離装置10によりサポートプレート2を分離する積層体100について、詳細に説明する。積層体100は、基板1と、接着層3と、光を吸収することにより変質する分離層4と、光を透過する材料からなるサポートプレート2とをこの順に積層してなる。
基板1は、接着層3を介して分離層4を設けられたサポートプレート2に貼り付けられる。そして、基板1は、サポートプレート2に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供され得る。基板1としては、シリコンウエハ基板に限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を使用することができる。
サポートプレート2は、基板1を支持する支持体であり、接着層3を介して、基板1に貼り付けられる。そのため、サポートプレート2としては、基板1の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板1の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、分離層を変質させるための光を透過させるものであればよい。以上の観点から、サポートプレート2としては、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるもの等が挙げられる。
接着層3は、基板1とサポートプレート2とを貼り付けるために用いられる。
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある)、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある)等が挙げられるが、これに限定されない。
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−n−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−n−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−sec−ブチルマレイミド、N−tert−ブチルマレイミド、N−n−ペンチルマレイミド、N−n−ヘキシルマレイミド、N−n−へプチルマレイミド、N−n−オクチルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−m−メチルフェニルマレイミド、N−o−メチルフェニルマレイミド、N−p−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、APL 8008T、APL 8009T、およびAPL 6013T(全て三井化学株式会社製)等を使用することができる。
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であることが好ましい。
接着層3を形成するための接着剤は、ポリサルホン系樹脂を含んでいてもよい。接着層3をポリサルホン系樹脂によって形成することにより、高温において積層体を処理しても、その後の工程において接着層を溶解し、基板からサポートプレートを剥離することが可能な積層体を製造することができる。接着層3がポリサルホン樹脂を含んでいれば、例えば、アニーリング等により積層体を300℃以上という高温で処理する高温プロセスにおいても、積層体を好適に用いることができる。
ポリサルホン系樹脂は、式(3)で表されるポリサルホン構成単位および式(4)で表されるポリエーテルサルホン構成単位のうちの少なくとも一つを備えていることによって、基板1とサポートプレート2とを貼り付けた後、高い温度条件において基板1を処理しても、分解および重合等により接着層3が不溶化することを防止することができる積層体を形成することができる。また、ポリサルホン系樹脂は、上記式(3)で表されるポリサルホン構成単位からなるポリサルホン樹脂であれば、より高い温度に加熱しても安定である。このため、洗浄後の基板1に接着層に起因する残渣が発生することを防止することができる。
接着層3を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、d−リモネン、l−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
接着層3を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤および界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
次に、分離層4とは、サポートプレート2を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。また、図5(e)に示すように、基板1とサポートプレート2との間に設けられた隙間から積層体100の内部に向かって流体を噴射したとき、領域4a以外の領域における分離層4も破壊される。
分離層4は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層4は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。分離層4を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
分離層4は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層4は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
上記の“化3”に示されるベンゼン環、縮合環および複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレンおよび置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノおよびアリールアミノから選択される。
分離層4は、無機物からなっていてもよい。分離層4は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
分離層4は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層4は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(5)で表される繰り返し単位および下記化学式(7)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式(5)で表される繰り返し単位および下記化学式(7)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)、および特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
分離層4は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層4は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
分離層4は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができ、これにより、分離層4は高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
上記実施形態1では、サポートプレート2と接着層3との間に分離層4がある積層体100を用いている。しかしながら、機械的な力を加えることにより、剥離することかできる程度の接着力を有している接着層の採用している場合には、分離層が無く、接着層が基板とサポートプレートとに直接接着している積層体であっても、実施形態1において説明した支持体分離装置を用いてサポートプレートを分離することも可能である。
上記実施形態1では、図6に示すように4箇所に設けた気体噴出部24の全てから同時に気体を噴出させる構成を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本実施形態2では、気体噴出に関する別の態様について図7を用いて説明する。
上記実施形態1では、図3(c)に示すように、各クランプ23において傾斜面23bが二つあってその間に噴出口27を配設した構成を説明した。しかしながら、本発明において噴出口27の配設位置はこれに限定されるものではない。噴出口27は、傾斜面23bの近傍に配設されていればよい。これについて、図8を用いて説明する。
上記実施形態1では、各クランプ23に設けられた噴出口27に気体噴出部24が接続された態様であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、吸着パッド22がサポートプレート2の上面の外周部分に吸着して隙間7が維持されている状態において、気体を噴出する一つのノズルが積層体100の周縁部分を周方向に沿って移動して、隙間7に気体を噴出する態様であってもよい。
上記実施形態1では、クランプ23および気体噴出部24が、一体的に昇降し、且つ一体的にスライド移動する構成となっている。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、クランプ23および気体噴出部24の夫々が、駆動機構を備え、図5(a)〜図5(e)に示す各工程を実施することも可能である。
上述の実施形態において、積層体の上面視における形状は、円形状であるが、本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法により分離する積層体の上面視における形状(つまり、基板および支持体の上面視における形状)は、長方形、直方形等の多角形状であってもよい。本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法は、基板と支持体との間に流体を噴出することにより、基板と支持体とを分離することができればよく、積層体の上面視における形状は限定されない。よって、本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法は、半導体素子(電子部品)を含む半導体パッケージ(半導体装置)して知られる、WLP(Wafer Level Package)に限定されず、PLP(Panel Level Package)にも好適に応用することができる。
2 サポートプレート(支持体)
2a 面取り部位
3 接着層
4 分離層
4a 領域
5 ダイシングテープ
6 ダイシングフレーム
7 隙間
10 支持体分離装置
20 保持部
21 プレート部
22 吸着パッド(吸着部)
23 クランプ(把持部)
23a 対峙面
23b 傾斜面(係止面)
24 気体噴出部(噴出部)
25 スライド駆動部
26 レベルブロック
26a 当接面
27 噴出口(開口部)
30 昇降部
40 光照射部
50 ステージ
51 ポーラス部
100 積層体
Claims (13)
- 基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、
上記積層体を基板側から固定する載置台と、
上記支持体を保持する保持部と、
上記保持部を上記載置台に対して昇降させる昇降部と、を備え、
上記保持部は、
上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する、少なくとも一つの把持部と、
上記支持体における上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する吸着部と、を備え、
上記把持部は、上記吸着部により維持されている上記隙間から上記積層体の内部に向かって、流体を噴出する噴出部を備えており、
上記保持部は、上記昇降部に連結されたプレート部を備えており、
当該プレート部は、上記支持体に対向する側の面の周縁部分に上記吸着部が配置されており、上記支持体に対向する面の裏面には、上記把持部を、上記プレート部の周縁部分よりも外側から上記吸着部に近づくように、上記支持体の平面方向に平行に移動させる駆動部を備えており、
上記駆動部は、上記吸着部によって上記支持体が吸着された場合、上記支持体の外周端部と離間する位置まで、上記プレート部の周縁部分の外側に向けて上記把持部を移動させることを特徴とする支持体分離装置。 - 上記把持部は、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることによって上記隙間を形成することを特徴とする請求項1に記載の支持体分離装置。
- 上記保持部は、上記把持部および吸着部を夫々複数備え、
上記複数の把持部は、夫々上記噴出部を備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持体分離装置。 - 上記支持体の外周端部には、面取り部位が設けられており、
上記把持部は、上記支持体の面取り部位を係止する係止面を有しており、
上記係止面に隣接するようにして、流体を噴出する開口部が上記噴出部に配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の支持体分離装置。 - 上記係止面内に上記開口部が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の支持体分離装置。
- 上記支持体は、光を透過する材料からなり、上記積層体には、上記基板と上記支持体との間に、光を照射することにより変質する分離層が設けられており、
上記支持体を介して、上記分離層の周縁部分の少なくとも一部の領域に光を照射する光照射部をさらに備え、
上記把持部は、上記領域を介して積層されている上記支持体と上記基板との間に隙間を形成するように、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げるようになっていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の支持体分離装置。 - 上記プレート部における、上記支持体に対向する側の面の周縁部分よりも内側には、上記支持体の平面部に当接する当接面を有する当接部が設けられており、当該当接部は樹脂製であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の支持体分離装置。
- 基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、
上記基板を固定し、少なくとも一つの把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する隙間形成工程と、
上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する隙間維持工程と、
上記隙間維持工程後、上記隙間から上記積層体の内部に向かって、上記把持部が備えている噴出部から流体を噴出することによって、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、を包含しており、
上記隙間形成工程後、上記隙間維持工程前において、上記支持体の外周端部と上記把持部とを離間することを特徴とする支持体分離方法。 - 上記隙間形成工程では、上記把持部が上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることによって上記隙間を形成することを特徴とする請求項8に記載の支持体分離方法。
- 上記隙間形成工程では、複数の上記把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に複数の上記隙間を形成し、
上記隙間維持工程では、上記支持体における、複数の上記把持部が上記支持体を把持することによって上記隙間が形成された複数の面の裏面の夫々を、個別に吸着保持して持ち上げ、
上記分離工程では、複数の上記隙間のうちの一部の隙間から上記積層体の内側に向かって、上記把持部が備えている噴出部よって流体を噴出することを特徴とする請求項8又は9に記載の支持体分離方法。 - 上記隙間形成工程では、上記把持部によって上記支持体の外周端部を把持するときに、上記支持体における、上記把持部が接触する部分の周縁部分を吸着保持して持ち上げることを特徴とする請求項8〜10の何れか1項に記載の支持体分離方法。
- 上記支持体は、光を透過する材料からなり、上記積層体には、上記基板と上記支持体との間に、光を照射することにより変質する分離層が設けられており、
上記隙間形成工程前に、上記支持体を介して、上記分離層の周縁部分の少なくとも一部の領域に光を照射する光照射工程を包含し、
上記隙間形成工程では、上記把持部が、上記領域を介して積層されている上記支持体と上記基板との間に隙間を形成するように、上記支持体の外周端部を把持することを特徴とする請求項8〜11の何れか1項に記載の支持体分離方法。 - 基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、
上記積層体を基板側から固定する載置台と、
上記支持体を保持する保持部と、
上記保持部を上記載置台に対して昇降させる昇降部と、を備え、
上記保持部は、
上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する、少なくとも一つの把持部と、
上記支持体における上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する吸着部と、
駆動部を制御する制御部と、を備え、
上記把持部は、上記吸着部により維持されている上記隙間から上記積層体の内部に向かって、流体を噴出する噴出部を備えており、
上記保持部は、上記昇降部に連結されたプレート部を備えており、
当該プレート部は、上記駆動部に、上記支持体に対向する側の面の周縁部分に上記吸着部が配置されており、上記支持体に対向する面の裏面には、上記把持部を、上記プレート部の周縁部分よりも外側から上記吸着部に近づくように、上記支持体の平面方向に平行に移動させ、
上記制御部は、上記駆動部に、上記把持部が隙間を形成した後、上記吸着部が支持体を吸着した状態で持ち上げる前に、上記支持体の外周端部と離間する位置まで、上記プレート部の周縁部分の外側に向けて把持部を移動させることを特徴とする支持体分離装置。
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