JP2014060348A - 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 - Google Patents

Abstract

【課題】剥離処理の効率化を図ること。
【解決手段】実施形態に係る剥離装置は、第１保持部と、第２保持部と、局所移動部とを備える。第１保持部は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち第２基板を保持する。第２保持部は、重合基板のうち第１基板を保持する。局所移動部は、第１保持部の外周部の一部を第２保持部から離す方向へ移動させる。そして、第１保持部は、柔軟性を有する部材で形成される。
【選択図】図７Ａ

Description

開示の実施形態は、剥離装置、剥離システムおよび剥離方法に関する。

近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。

たとえば、特許文献１には、第１保持部を用いて半導体基板を保持するとともに、第２保持部を用いて支持基板を保持し、第２保持部の外周部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板を半導体基板から剥離する技術が開示されている。

特開２０１２−６９９１４号公報

しかしながら、上述した従来技術には、剥離処理の効率化を図るという点で更なる改善の余地があった。なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Silicon On Insulator）などの製造工程においても生じ得る課題である。

実施形態の一態様は、剥離処理の効率化を図ることのできる剥離装置、剥離システムおよび剥離方法を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る剥離装置は、第１保持部と、第２保持部と、局所移動部とを備える。第１保持部は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち第２基板を保持する。第２保持部は、重合基板のうち第１基板を保持する。局所移動部は、第１保持部の外周部の一部を第２保持部から離す方向へ移動させる。そして、第１保持部は、柔軟性を有する部材で形成される。

実施形態の一態様によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。

図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。 図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。 図３は、ダイシングフレームに保持された重合基板の摸式平面図である。 図４は、剥離システムによって実行される基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 図５Ａは、ＤＦ付重合基板の搬送順路を示す模式図である。 図５Ｂは、被処理基板および支持基板の搬送順路を示す模式図である。 図６は、第１の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。 図７Ａは、第１保持部の構成を示す摸式斜視図である。 図７Ｂは、吸着パッドの構成を示す摸式平面図である。 図８Ａは、第１保持部の本体部の摸式平面図である。 図８Ｂは、第１保持部の本体部の摸式平面図である。 図９は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１０Ａは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１０Ｂは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１０Ｃは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１０Ｄは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１０Ｅは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１１Ａは、第１洗浄装置の構成を示す摸式側面図である。 図１１Ｂは、第１洗浄装置の構成を示す摸式側面図である。 図１１Ｃは、洗浄治具の構成を示す摸式平面図である。 図１２は、第３搬送装置の構成を示す摸式側面図である。 図１３Ａは、第２洗浄装置の構成を示す摸式側面図である。 図１３Ｂは、第２洗浄装置の構成を示す摸式平面図である。 図１４は、第２の実施形態に係る剥離装置の構成を示す摸式側面図である。 図１５は、切込部の構成を示す摸式斜視図である。 図１６は、切込部の位置調整処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１７Ａは、剥離装置の動作説明図である。 図１７Ｂは、剥離装置の動作説明図である。 図１８Ａは、吸着パッドの他の構成を示す摸式平面図である。 図１８Ｂは、吸着パッドの他の構成を示す摸式平面図である。 図１８Ｃは、吸着パッドの他の構成を示す摸式平面図である。 図１９Ａは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。 図１９Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１〜３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２および図３は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図および摸式平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。

以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。

被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜１００μｍである。

一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。

上記のように被処理基板Ｗは非常に薄く、破損し易いため、ダイシングフレームＦによってより確実に保護される。ダイシングフレームＦは、図３に示すように、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略矩形状の部材であり、ステンレス鋼の金属で形成される。かかるダイシングフレームＦに対して、開口部Ｆａを裏面から塞ぐようにダイシングテープＰを貼り付けることで、ダイシングフレームＦと重合基板Ｔとを接合する。

具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合基板Ｔを配置し、被処理基板Ｗの非接合面ＷｎおよびダイシングフレームＦにダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合基板ＴはダイシングフレームＦに保持された状態となる。なお、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、ダイシングフレームＦに保持される（図２参照）。

第１の実施形態に係る剥離システム１は、図１に示すように、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とを備える。第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とは、第２処理ブロック２０および第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に並べて配置される。

第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板、具体的には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、第１搬送領域１２と、待機ステーション１３と、エッジカットステーション１４と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６とを備える。

また、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されない基板、具体的には、剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、受渡ステーション２１と、第２洗浄ステーション２２と、第２搬送領域２３と、搬出ステーション２４とを備える。

第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２と、第２処理ブロック２０の第２搬送領域２３とは、Ｘ軸方向に並べて配置される。また、第１搬送領域１２のＹ軸負方向側には、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３が、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の順でＸ軸方向に並べて配置され、第２搬送領域２３のＹ軸負方向側には、搬出ステーション２４が配置される。

また、第１搬送領域１２を挟んで搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の反対側には、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６が、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６の順でＸ軸方向に並べて配置される。また、第２搬送領域２３を挟んで搬出ステーション２４の反対側には、受渡ステーション２１および第２洗浄ステーション２２が、第２洗浄ステーション２２および受渡ステーション２１の順にＸ軸方向に並べて配置される。そして、第１搬送領域１２のＸ軸正方向側には、エッジカットステーション１４が配置される。

まず、第１処理ブロック１０の構成について説明する。搬入出ステーション１１では、ダイシングフレームＦに保持された重合基板Ｔ（以下、「ＤＦ付重合基板Ｔ」と記載する）が収容されるカセットＣｔおよび剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１１には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｔ，Ｃｗのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１１０ａ，１１０ｂが設けられる。

第１搬送領域１２では、ＤＦ付重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送が行われる。第１搬送領域１２には、ＤＦ付重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置３０が設置される。

第１搬送装置３０は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第１搬送装置３０は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。

なお、第１搬送装置３０が備える基板保持部は、吸着あるいは把持等によりダイシングフレームＦを保持することによって、ＤＦ付重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗを略水平に保持する。

待機ステーション１３には、ダイシングフレームＦのＩＤ（Identification）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中のＤＦ付重合基板Ｔを識別することができる。

この待機ステーション１３では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちのＤＦ付重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１３には、第１搬送装置３０によって搬送されたＤＦ付重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。

エッジカットステーション１４では、接着剤Ｇ（図２参照）の周縁部を溶剤によって溶解させて除去するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。かかるエッジカットステーション１４には、接着剤Ｇの溶剤に重合基板Ｔを浸漬させることによって、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させるエッジカット装置が設置される。

剥離ステーション１５では、第１搬送装置３０によって搬送されたＤＦ付重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。かかる剥離ステーション１５には、剥離処理を行う剥離装置が設置される。かかる剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。

第１洗浄ステーション１６では、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄処理が行われる。第１洗浄ステーション１６には、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する第１洗浄装置が設置される。かかる第１洗浄装置の具体的な構成については、後述する。

かかる第１処理ブロック１０では、待機ステーション１３においてダイシングフレームＦのＩＤ読取処理を行い、エッジカットステーション１４においてＤＦ付重合基板Ｔのエッジカット処理を行った後で、剥離ステーション１５においてＤＦ付重合基板Ｔの剥離処理を行う。また、第１処理ブロック１０では、第１洗浄ステーション１６において剥離後の被処理基板Ｗを洗浄した後、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する。その後、洗浄後の被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出される。

つづいて、第２処理ブロック２０の構成について説明する。受渡ステーション２１では、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から受け取って第２洗浄ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。受渡ステーション２１には、剥離後の支持基板Ｓを非接触で保持して搬送する第３搬送装置５０が設置され、かかる第３搬送装置５０によって上記の受渡処理が行われる。第３搬送装置５０の具体的な構成については、後述する。

第２洗浄ステーション２２では、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄処理が行われる。かかる第２洗浄ステーション２２には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が設置される。かかる第２洗浄装置の具体的な構成については、後述する。

第２搬送領域２３では、第２洗浄装置によって洗浄された支持基板Ｓの搬送が行われる。第２搬送領域２３には、支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置４０が設置される。

第２搬送装置４０は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第２搬送装置４０は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって搬出ステーション２４まで搬送する。なお、第２搬送装置４０が備える基板保持部は、たとえば支持基板Ｓを下方から支持することによって支持基板Ｓを略水平に保持するフォーク等である。

搬出ステーション２４では、支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが外部との間で搬入出される。かかる搬出ステーション２４には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｓが載置される複数のカセット載置板２４０ａ，２４０ｂが設けられる。

かかる第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓが剥離ステーション１５から受渡ステーション２１を介して第２洗浄ステーション２２へ搬送され、第２洗浄ステーション２２において洗浄される。その後、第２処理ブロック２０では、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送し、洗浄後の支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出される。

また、剥離システム１は、制御装置６０を備える。制御装置６０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置６０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

次に、上述した剥離システム１の動作について図４および図５Ａ，５Ｂを参照して説明する。図４は、剥離システム１によって実行される基板処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図５Ａは、ＤＦ付重合基板Ｔの搬送順路を示す模式図であり、図５Ｂは、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの搬送順路を示す模式図である。なお、剥離システム１は、制御装置６０の制御に基づき、図４に示す各処理手順を実行する。

まず、第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２に配置される第１搬送装置３０（図１参照）は、制御装置６０の制御に基づき、ＤＦ付重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する処理を行う（図４のステップＳ１０１、図５ＡのＴ１参照）。

具体的には、第１搬送装置３０は、基板保持部を搬入出ステーション１１へ進入させ、カセットＣｔに収容されたＤＦ付重合基板Ｔを保持してカセットＣｔから取り出す。このとき、ＤＦ付重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置３０の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置３０は、カセットＣｔから取り出したＤＦ付重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する。

つづいて、待機ステーション１３では、ＩＤ読取装置が、制御装置６０の制御に基づき、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う（図４のステップＳ１０２）。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置６０へ送信される。

つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、ＤＦ付重合基板Ｔを待機ステーション１３から搬出し、エッジカットステーション１４へ搬送する（図５ＡのＴ２参照）。そして、エッジカットステーション１４では、エッジカット装置が、制御装置６０の制御に基づき、エッジカット処理を行う（図４のステップＳ１０３）。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部が除去され、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。これにより、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。

第１の実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１４が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入されたＤＦ付重合基板Ｔを第１搬送装置３０を用いてエッジカットステーション１４へ直接搬入することができる。このため、剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。

また、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちのＤＦ付重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１３に設けられた一時待機部を用いてＤＦ付重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。

つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、エッジカット処理後のＤＦ付重合基板Ｔをエッジカットステーション１４から搬出して、剥離ステーション１５へ搬送する（図５ＡのＴ３参照）。そして、剥離ステーション１５では、剥離装置が、制御装置６０の制御に基づいて剥離処理を行う（図４のステップＳ１０４）。

その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。

まず、第１処理ブロック１０では、第１搬送装置３０が、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する（図５ＢのＷ１参照）。

そして、第１洗浄装置は、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄する被処理基板洗浄処理を行う（図４のステップＳ１０５）。かかる被処理基板洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。

つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、洗浄後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置から搬出して、搬入出ステーション１１へ搬送する被処理基板搬出処理を行う（図４のステップＳ１０６、図５ＢのＷ２参照）。その後、被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出されて回収される。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。

一方、第２処理ブロック２０では、ステップＳ１０５およびステップＳ１０６の処理と並行して、ステップＳ１０７〜Ｓ１０９の処理が行われる。

まず、第２処理ブロック２０では、受渡ステーション２１に設置された第３搬送装置５０が、制御装置６０の制御に基づいて、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う（図４のステップＳ１０７）。

このステップＳ１０７において、第３搬送装置５０は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置から受け取り（図５ＢのＳ１参照）、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２の第２洗浄装置へ載置する（図５ＢのＳ２参照）。

ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第３搬送装置５０は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。そして、第３搬送装置５０は、保持した支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２へ搬入した後、支持基板Ｓを反転させて、第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で第２洗浄装置に載置される。そして、第２洗浄装置は、制御装置６０の制御に基づき、支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄する支持基板洗浄処理を行う（図４のステップＳ１０８）。かかる支持基板洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。

つづいて、第２搬送装置４０は、制御装置６０の制御に基づき、洗浄後の支持基板Ｓを第２洗浄装置から搬出して、搬出ステーション２４へ搬送する支持基板搬出処理を行う（図４のステップＳ１０９、図５ＢのＳ３参照）。その後、支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出されて回収される。こうして、支持基板Ｓについての処理が終了する。

このように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板用のフロントエンド（搬入出ステーション１１および第１搬送装置３０）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板用のフロントエンド（搬出ステーション２４および第２搬送装置４０）とを備える構成とした。これにより、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。

また、第１の実施形態に係る剥離システム１は、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とが、受渡ステーション２１によって接続される。これにより、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から直接取り出して第２処理ブロック２０へ搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓを第２洗浄装置へスムーズに搬送することができる。

したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。

＜２．各装置の構成＞
＜２−１．剥離装置＞
次に、剥離システム１が備える各装置の構成について具体的に説明する。まず、剥離ステーション１５に設置される剥離装置の構成および剥離装置を用いて行われるＤＦ付重合基板Ｔの剥離動作について説明する。図６は、第１の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。

図６に示すように、剥離装置５は処理部１００を備える。処理部１００の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口を介して、ＤＦ付重合基板Ｔの処理部１００への搬入や、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの処理部１００からの搬出が行われる。搬入出口には、たとえば開閉シャッタが設けられ、この開閉シャッタによって処理部１００と他の領域とが仕切られ、パーティクルの進入が防止される。なお、搬入出口は、第１搬送領域１２に隣接する側面と受渡ステーション２１に隣接する側面とにそれぞれ設けられる。

剥離装置５は、第１保持部１１０と、上側ベース部１２０と、局所移動部１３０と、移動機構１４０とを備える。また、剥離装置５は、第２保持部１５０と、フレーム保持部１６０と、下側ベース部１７０と、回転機構１８０とを備える。これらは、処理部１００の内部に配置される。

第１保持部１１０は、上側ベース部１２０によって上方から支持される。上側ベース部１２０は移動機構１４０に支持されており、移動機構１４０が上側ベース部１２０を鉛直方向に移動させることによって、第１保持部１１０は鉛直方向に昇降する。

第２保持部１５０は、第１保持部１１０の下方に配置され、フレーム保持部１６０は、第２保持部１５０の外方に配置される。これら第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０は、下側ベース部１７０によって下方から支持される。下側ベース部１７０は回転機構１８０に支持されており、回転機構１８０が下側ベース部１７０を鉛直軸回りに回転させることによって、第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０は、鉛直軸回りに回転する。

かかる剥離装置５では、第１保持部１１０がＤＦ付重合基板Ｔを上方から保持するとともに、第２保持部１５０がＤＦ付重合基板Ｔを下方から保持し、局所移動部１３０が、第１保持部１１０の外周部の一部を第２保持部１５０から離す方向へ移動させる。これにより、剥離装置５は、支持基板Ｓを、その外周部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離させることができる。以下、各構成要素について具体的に説明する。

第１保持部１１０は、ＤＦ付重合基板Ｔを構成する支持基板Ｓを吸着保持する保持部である。かかる第１保持部１１０は、後述する局所移動部１３０によって引っ張られた際に、その形状を柔軟に変化させることができるように、柔軟性を有する部材で形成される。ここで、第１保持部１１０の具体的な構成について図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは、第１保持部１１０の構成を示す摸式斜視図であり、図７Ｂは、吸着パッドの構成を示す摸式平面図である。

図７Ａに示すように、第１保持部１１０は、薄板状の本体部１１１と、本体部１１１の表面に貼り付けられた吸着パッド１１２とを備える。本体部１１１は、たとえば板バネなどの弾性部材で形成され、吸着パッド１１２は、樹脂部材で形成される。

本体部１１１は、ＤＦ付重合基板Ｔと略同径の円盤部１１１ａを有し、かかる円盤部１１１ａの下面に吸着パッド１１２が貼り付けられる。

円盤部１１１ａの外周部には、引張部１１１ｂが設けられており、かかる引張部１１１ｂの先端に、後述する局所移動部１３０のシリンダ１３２を取り付けるための取付部１１１ｂ１が形成される。

また、円盤部１１１ａの外周部には、複数の固定部１１１ｃが設けられる。固定部１１１ｃは、後述する上側ベース部１２０に設けられる支持部材１２１に対応する位置に設けられており、かかる支持部材１２１に固定される。第１保持部１１０は、固定部１１１ｃが上側ベース部１２０の支持部材１２１に固定されることによって、上側ベース部１２０に支持される。

なお、ここでは、円盤部１１１ａに対して固定部１１１ｃが５個設けられる場合の例を示したが、円盤部１１１ａに設けられる固定部１１１ｃの個数は、５個に限定されない。

吸着パッド１１２は、ＤＦ付重合基板Ｔの吸着領域が形成された円盤状の樹脂部材である。吸着パッド１１２の吸着領域は、図７Ｂに示すように、中心から径方向に伸びる複数の直線Ｌ１，Ｌ２と複数の円弧ａ１〜ａ３とによって、複数の個別領域Ｒ１〜Ｒ４に分割される。

各個別領域Ｒ１〜Ｒ４には、吸気口１１３ａ〜１１３ｄがそれぞれ形成されており、各吸気口１１３ａ〜１１３ｄは、図６に示す吸気管１１３を介して真空ポンプなどの吸気装置１１４と接続される。第１保持部１１０は、吸気装置１１４の吸気によって各吸気口１１３ａ〜１１３ｄからＤＦ付重合基板Ｔを構成する支持基板Ｓを吸引することによって、支持基板Ｓを個別領域Ｒ１〜Ｒ４ごとに吸着保持する。

このように、吸着パッド１１２の吸着領域を複数の個別領域Ｒ１〜Ｒ４に分割し、個別領域Ｒ１〜Ｒ４ごとに支持基板Ｓを吸着保持することにより、たとえば一部の個別領域で空気漏れ等が生じた場合であっても、他の個別領域によって支持基板Ｓを適切に保持しておくことができる。

また、各個別領域Ｒ１〜Ｒ４は、剥離の進行方向ｄの基端側に設けられる個別領域よりも進行方向ｄの先端側に設けられる個別領域が大きく形成される。たとえば、個別領域Ｒ１〜Ｒ３は、剥離の進行方向ｄに沿って個別領域Ｒ１、個別領域Ｒ２、個別領域Ｒ３の順に配置されており、個別領域Ｒ１よりも個別領域Ｒ２が大きく、個別領域Ｒ２よりも個別領域Ｒ３が大きく形成される。

吸着領域が小さくなるほど、その吸着領域における吸着力は大きくなるため、上記のように構成することにより、剥離の進行方向ｄの基端側に配置される個別領域Ｒ１の吸着力を他の個別領域Ｒ２〜Ｒ４と比較して大きくすることができる。これにより、また、剥離の進行方向ｄの基端側の領域は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離する際に最も大きな力が必要となる領域である。したがって、かかる領域の吸着力を高めることにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを確実に剥離させることができる。

また、各個別領域Ｒ１〜Ｒ４の吸気口１１３ａ〜１１３ｄを、剥離の進行方向ｄに沿って並べて形成することで、剥離動作中に支持基板Ｓをより確実に保持しておくことができる。

なお、ここでは、線Ｌ１，Ｌ２を直線としたが、線Ｌ１，Ｌ２は必ずしも直線であることを要しない。また、ここでは、各吸気口１１３ａ〜１１３ｄに対して１つの吸気装置１１４が接続される場合の例を示したが、吸気口１１３ａ〜１１３ｄごとに吸気装置を設けてもよい。

図６に戻り、剥離装置５の構成についての説明を続ける。第１保持部１１０の上方には、上側ベース部１２０が第１保持部１１０と空隙を介して対向配置される。上側ベース部１２０の下面には複数の支持部材１２１が第１保持部１１０へ向けて突設される。かかる支持部材１２１と第１保持部１１０の固定部１１１ｃとが固定されることによって、第１保持部１１０は、上側ベース部１２０に支持された状態となる。

局所移動部１３０は、第１保持部１１０の外周部の一部を第２保持部１５０から離す方向へ移動させる。具体的には、局所移動部１３０は、上側ベース部１２０に固定された本体部１３１と、基端部が本体部１３１に固定され、本体部１３１によって鉛直方向に沿って昇降するシリンダ１３２とを備える。シリンダ１３２の先端部は、第１保持部１１０の本体部１１１に設けられた引張部１１１ｂの取付部１１１ｂ１（図７Ａ参照）に固定される。

かかる局所移動部１３０は、本体部１３１を用いてシリンダ１３２を鉛直上方に移動させることにより、シリンダ１３２に固定された引張部１１１ｂを鉛直上方へ移動させる。これにより、第１保持部１１０に保持された支持基板Ｓの外周部の一部が鉛直上方へ移動し、第２保持部１５０に保持された被処理基板Ｗから剥離される。

また、局所移動部１３０には、ロードセル１３３が設けられており、局所移動部１３０は、シリンダ１３２にかかる負荷をロードセル１３３によって検出することができる。局所移動部１３０は、ロードセル１３３による検出結果に基づいて、支持基板Ｓにかかる鉛直上向きの力を制御しながら、第１保持部１１０を引っ張ることができる。

ところで、第１の実施形態に係る剥離装置５では、第１保持部１１０の本体部１１１に形成される複数の固定部１１１ｃのうち全てを支持部材１２１に固定したり、あるいは、一部のみを固定したりすることにより、局所移動部１３０による第１保持部１１０の移動量を調整することができる。かかる点について、図８Ａおよび図８Ｂを参照して説明する。図８Ａおよび図８Ｂは、第１保持部１１０の本体部１１１の摸式平面図である。

たとえば、図８Ａに示すように、第１保持部１１０の本体部１１１に設けられた５個の固定部１１１ｃの全てを支持部材１２１に固定した場合、第１保持部１１０が局所移動部１３０によって移動可能な領域Ｒは、剥離の進行方向ｄの基端からこの基端に最も近い２つの固定部１１１ｃまでの領域に制限される。これに対し、図８Ｂに示すように、剥離の進行方向ｄの基端側に設けられた２つの固定部１１１ｃから支持部材１２１を取り外すことにより、第１保持部１１０が局所移動部１３０によって移動可能な領域Ｒを図８Ａに示す場合よりも大きくすることができる。

このように、固定部１１１ｃは、第１保持部１１０を上側ベース部１２０に固定する機能だけでなく、本体部１１１の外周部の周方向に沿って複数設けられ、支持部材１２１に固定されることによって局所移動部１３０による第１保持部１１０の移動を制限する機能も有する。

図６に戻り、剥離装置５の構成についての説明を続ける。上側ベース部１２０の上方には、移動機構１４０が配置される。移動機構１４０は、処理部１００の天井部に固定された本体部１４１と、基端部が本体部１４１に固定されて鉛直方向に沿って昇降する駆動手段１４２とを備える。駆動手段１４２としては、たとえばモータやシリンダ等を用いることができる。駆動手段１４２の先端部は、上側ベース部１２０に固定される。

かかる移動機構１４０は、本体部１４１を用いて駆動手段１４２を鉛直上方に移動させることにより、駆動手段１４２に固定された上側ベース部１２０を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、上側ベース部１２０に支持された第１保持部１１０および局所移動部１３０が昇降する。

第１保持部１１０の下方には、第２保持部１５０が対向配置される。第２保持部１５０は、ＤＦ付重合基板Ｔを構成する被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する。

第２保持部１５０は、円盤状の本体部１５１と、本体部１５１を支持する支柱部材１５２とを備える。支柱部材１５２は、下側ベース部１７０に支持される。

本体部１５１は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で構成される。かかる本体部１５１の上面には、吸着面１５１ａが設けられる。吸着面１５１ａは、ＤＦ付重合基板Ｔと略同径であり、ＤＦ付重合基板Ｔの下面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接する。この吸着面１５１ａは、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。

本体部１５１の内部には、吸着面１５１ａを介して外部と連通する吸引空間１５１ｂが形成される。吸引空間１５１ｂは、吸気管１５３を介して真空ポンプなどの吸気装置１５４と接続される。

第２保持部１５０は、吸気装置１５４の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面ＷｎをダイシングテープＰを介して吸着面１５１ａに吸着させることによって、被処理基板Ｗを保持する。なお、第２保持部１５０として、ポーラスチャックを用いる例を示したが、これに限定されるものではない。たとえば、第２保持部１５０として、静電チャックを用いるようにしてもよい。

第２保持部１５０の外方には、フレーム保持部１６０が配置される。フレーム保持部１６０は、ダイシングフレームＦを下方から保持する。かかるフレーム保持部１６０は、ダイシングフレームＦを吸着保持する複数の吸着部１６１と、吸着部１６１を支持する支持部材１６２と、下側ベース部１７０に固定され、支持部材１６２を鉛直方向に沿って移動させる移動機構１６３とを備える。

吸着部１６１は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図３に示すダイシングフレームＦの前後左右の４箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。この吸着部１６１には、吸気口（図示せず）が形成され、この吸気口には支持部材１６２および吸気管１６４を介して真空ポンプなどの吸気装置１６５が接続される。

フレーム保持部１６０は、吸気装置１６５の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームＦを吸着することによって、ダイシングフレームＦを保持する。また、フレーム保持部１６０は、ダイシングフレームＦを保持した状態で、移動機構１６３によって支持部材１６２および吸着部１６１を鉛直方向に沿って移動させることで、ダイシングフレームＦを鉛直方向に沿って移動させる。

下側ベース部１７０は、第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０の下方に配置され、第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０を支持する。下側ベース部１７０は、たとえば処理部１００の床面に固定された回転機構１８０によって支持される。かかる回転機構１８０によって下側ベース部１７０が鉛直軸回りに回転することにより、下側ベース部１７０に支持された第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０が鉛直軸回りに回転する。

次に、剥離装置５の動作について図９および図１０Ａ〜１０Ｅを参照して説明する。図９は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１０Ａ〜１０Ｅは、剥離装置５による剥離動作の説明図である。なお、剥離装置５は、制御装置６０の制御に基づき、図９に示す各処理手順を実行する。

まず、剥離装置５は、第１搬送装置３０によって剥離ステーション１５へ搬入されたＤＦ付重合基板ＴのダイシングフレームＦをフレーム保持部１６０を用いて下方から吸着保持する（ステップＳ２０１）。このとき、ＤＦ付重合基板Ｔは、フレーム保持部１６０によってのみ保持された状態である（図１０Ａ参照）。

つづいて、剥離装置５は、移動機構１６３（図６参照）を用いてフレーム保持部１６０を降下させる（ステップＳ２０２）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが、ダイシングテープＰを介して第２保持部１５０に当接する（図１０Ｂ参照）。その後、剥離装置５は、第２保持部１５０を用いてＤＦ付重合基板ＴをダイシングテープＰを介して吸着保持する（ステップＳ２０３）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔは、第２保持部１５０によって被処理基板Ｗが保持され、フレーム保持部１６０によってダイシングフレームＦが保持された状態となる。

つづいて、剥離装置５は、移動機構１４０を用いて第１保持部１１０を降下させる（ステップＳ２０４）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔのうちの支持基板Ｓが、ダイシングテープＰを介して第１保持部１１０に当接する（図１０Ｃ参照）。その後、剥離装置５は、第１保持部１１０を用いてＤＦ付重合基板Ｔを構成する支持基板Ｓを吸着保持する（ステップＳ２０５）。

つづいて、剥離装置５は、局所移動部１３０を用いて第１保持部１１０の外周部の一部を引っ張る（ステップＳ２０６）。具体的には、局所移動部１３０は、第１保持部１１０の本体部１１１に設けられた引張部１１１ｂをシリンダ１３２の動作によって鉛直上向きに移動させる。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔの外周部が鉛直上向きに引っ張られて、支持基板Ｓが、その外周部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める（図１０Ｄ参照）。

ここで、上述したように、第１保持部１１０は、柔軟性を有する部材で形成されるため、局所移動部１３０が第１保持部１１０の引張部１１１ｂを鉛直上向きに引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って柔軟に変形する。これにより、剥離装置５は、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。

そして、剥離装置５は、移動機構１４０を用いて第１保持部１１０を上昇させる（ステップＳ２０７）。これにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する。その後、剥離装置５は、剥離処理を終了する。

なお、剥離装置５は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離した後、回転機構１８０を用いて第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０を回転させてもよい。これにより、仮に、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに跨って貼り付いた接着剤Ｇが存在する場合に、かかる接着剤Ｇをねじ切ることができる。

剥離装置５が剥離処理を終えると、第１搬送装置３０は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する。このとき、剥離後の被処理基板Ｗは、図１０Ｅに示すように、洗浄すべき接合面Ｗｊが上面に位置した状態で、第２保持部１５０に保持されている。このため、第１搬送装置３０は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出した後、かかる被処理基板Ｗを反転させることなくそのまま第１洗浄ステーション１６へ搬送することができる。

このように、第１の実施形態に係る剥離装置５では、第１保持部１１０が、ＤＦ付重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持し、第２保持部１５０が、ＤＦ付重合基板Ｔのうち被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して下方から保持することとした。したがって、剥離装置５によれば、剥離後の被処理基板Ｗを反転させる必要がないため、剥離処理の効率化を図ることができる。

また、第１の実施形態に係る剥離装置５は、第１保持部１１０を柔軟性を有する部材で形成することにより、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの剥離を効率よく行うことができる。

＜２−２．第１洗浄装置の構成＞
次に、第１洗浄装置の構成について図１１Ａ〜１１Ｃを参照して説明する。図１１Ａおよび図１１Ｂは、第１洗浄装置の構成を示す摸式側面図である。また、図１１Ｃは、洗浄治具の構成を示す摸式平面図である。

図１１Ａに示すように、第１洗浄装置７０は、処理容器７１を有する。処理容器７１の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、かかる搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。なお、処理容器７１内には内部の雰囲気を清浄化するためのフィルタ（図示せず）が設けられる。

処理容器７１内の中央部には、基板保持部７２が配置される。基板保持部７２は、ダイシングフレームＦおよび被処理基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック７２１を有する。

スピンチャック７２１は水平な上面を有し、かかる上面には例えばダイシングテープＰを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。そして吸引口からの吸引により、ダイシングテープＰを介して被処理基板Ｗをスピンチャック７２１上に吸着保持する。このとき、被処理基板Ｗは、その接合面Ｗｊが上方を向くようにスピンチャック７２１に吸着保持される。

スピンチャック７２１の下方には、たとえばモータなどを備えたチャック駆動部７２２が配置される。スピンチャック７２１は、チャック駆動部７２２により所定の速度で回転する。また、チャック駆動部７２２は、たとえばシリンダなどの昇降駆動源を備えており、かかる昇降駆動源によってスピンチャック７２１を昇降させる。

基板保持部７２の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ７２３が配置される。かかるカップ７２３の下面には、回収した液体を排出する排出管７２４と、カップ７２３内の雰囲気を排気する排気管７２５が接続される。

基板保持部７２の上方には、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄するための洗浄治具７３が配置される。洗浄治具７３は、基板保持部７２に保持された被処理基板Ｗに対向して配置されている。ここで、洗浄治具７３の構成について図１１Ｂおよび図１１Ｃを参照して説明する。

図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すように、洗浄治具７３は、略円板形状を有している。洗浄治具７３の下面には、少なくとも被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを覆うように供給面７３１が形成されている。なお、本実施形態において、供給面７３１は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊとほぼ同じ大きさに形成される。

洗浄治具７３の中央部には、供給面７３１および接合面Ｗｊ間に接着剤Ｇの溶剤、たとえばシンナーを供給する溶剤供給部７４と、溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部７５と、不活性ガス、たとえば窒素ガスを供給する不活性ガス供給部７６とが設けられている。溶剤供給部７４、リンス液供給部７５、不活性ガス供給部７６は、洗浄治具７３の内部において合流し、洗浄治具７３の供給面７３１に形成された供給口７３２に連通している。すなわち、溶剤供給部７４から供給口７３２までの溶剤の流路、リンス液供給部７５から供給口７３２までのリンス液の流路、不活性ガス供給部７６から供給口７３２までの不活性ガスの流路は、それぞれ洗浄治具７３の厚み方向に貫通している。なお、リンス液には接着剤Ｇの主溶媒の成分に応じて種々の液が用いられ、たとえば純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。また、リンス液の乾燥を促進させるため、リンス液には揮発性の高い液を用いるのが好ましい。

溶剤供給部７４には、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源７４１に連通する供給管７４２が接続されている。供給管７４２には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群７４３が設けられている。リンス液供給部７５には、内部にリンス液を貯留するリンス液供給源７５１に連通する供給管７５２が接続されている。供給管７５２には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群７５３が設けられている。不活性ガス供給部７６には、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源７６１に連通する供給管７６２が接続されている。供給管７６２には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群７６３が設けられている。

洗浄治具７３の外周部には、供給面７３１と接合面Ｗｊとの間の隙間の溶剤やリンス液を吸引するための吸引部７７が設けられている。吸引部７７は、洗浄治具７３の厚み方向に貫通して設けられている。また吸引部７７は、洗浄治具７３と同一円周上に等間隔に複数、例えば８箇所に配置されている（図１１Ｃ参照）。各吸引部７７には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置７７１に連通する吸気管７７２が接続されている。

図１１Ａに示すように、処理容器７１の天井面であって、洗浄治具７３の上方には、洗浄治具７３を鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構７８が設けられている。移動機構７８は、洗浄治具７３を支持する支持部材７８１と、支持部材７８１を支持し、洗浄治具７３を鉛直方向及び水平方向に移動させるための治具駆動部７８２とを有している。

第１搬送装置３０は、剥離装置５のフレーム保持部１６０（図６参照）によって下方から保持されたダイシングフレームＦを上方から保持することにより、剥離後の被処理基板Ｗを保持する。そして、第１搬送装置３０は、保持した被処理基板Ｗを第１洗浄装置７０のスピンチャック７２１上に載置する。これにより、剥離後の被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊが上面に位置した状態でスピンチャック７２１上に載置される。

そして、第１洗浄装置７０は、制御装置６０の制御に基づき、基板保持部７２上に載置された被処理基板Ｗの洗浄処理（第１洗浄処理）を行う。

第１洗浄装置７０は、まず、スピンチャック７２１を用い、ダイシングテープＰを介して被処理基板ＷおよびダイシングフレームＦを吸着保持する。つづいて、第１洗浄装置７０は、移動機構７８によって洗浄治具７３の水平方向の位置を調整した後、洗浄治具７３を所定の位置まで下降させる。このとき、洗浄治具７３の供給面７３１と被処理基板Ｗの接合面Ｗｊとの間の距離は、後述するように供給面７３１および接合面Ｗｊ間において、接着剤Ｇの溶剤が表面張力によって拡散することができる距離に設定される。

その後、第１洗浄装置７０は、スピンチャック７２１によって被処理基板Ｗを回転させながら、溶剤供給源７４１から溶剤供給部７４に溶剤を供給する。かかる溶剤は、供給口７３２から供給面７３１および接合面Ｗｊ間の空間に供給され、この空間において溶剤の表面張力と被処理基板Ｗの回転による遠心力により、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ上を拡散する。このとき、第１洗浄装置７０は、吸引部７７によって溶剤を適宜吸引することにより、溶剤がダイシングテープＰ上に流入しないようにする。これにより、ダイシングテープＰの強度が溶剤によって弱まることを防ぐことができる。このようにして、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に溶剤が供給される。

その後、第１洗浄装置７０は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを溶剤に浸した状態を所定の時間、たとえば数分間維持する。そうすると、接合面Ｗｊに残存していた接着剤Ｇ等の不純物が溶剤によって除去される。

その後、第１洗浄装置７０は、スピンチャック７２１による被処理基板Ｗの回転と、吸引部７７による溶剤の吸引を引き続き行った状態で、洗浄治具７３を所定の位置まで上昇させる。つづいて、第１洗浄装置７０は、リンス液供給源７５１からリンス液供給部７５にリンス液を供給する。リンス液は、溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力によって被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ上を拡散する。これにより、溶剤とリンス液との混合液が、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に供給される。

その後、スピンチャック７２１による被処理基板Ｗの回転と、吸引部７７による吸引を引き続き行った状態で、洗浄治具７３を所定の位置まで下降させる。そして、不活性ガス供給源７６１から不活性ガス供給部７６および供給口７３２を介して不活性ガスが供給される。不活性ガスは、溶剤とリンス液の混合液を被処理基板Ｗの外方へ押し流す。これにより、溶剤とリンス液の混合液は、吸引部７７から吸引され、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから混合液が除去される。

その後、第１洗浄装置７０は、スピンチャック７２１による被処理基板Ｗの回転と、不活性ガスの供給を引き続き行うことにより、被処理基板Ｗを乾燥させる。これにより、被処理基板Ｗの洗浄処理（第１洗浄処理）が完了する。洗浄後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置３０によって第１洗浄装置７０から搬出され、搬入出ステーション１１のカセットＣｗへ搬送される。

＜２−３．第３搬送装置の構成＞
次に、受渡ステーション２１に設置される第３搬送装置５０の構成について図１２を参照して説明する。図１２は、第３搬送装置５０の構成を示す摸式側面図である。

図１２に示すように、第３搬送装置５０は、被処理基板Ｗを保持するベルヌーイチャック５１を備える。ベルヌーイチャック５１は、吸着面に設けられた噴射口から被処理基板Ｗの板面へ向けて気体を噴射させ、吸着面と被処理基板Ｗの板面との間隔に応じて気体の流速が変化することに伴う負圧の変化を利用して被処理基板Ｗを非接触状態で保持する。

また、第３搬送装置５０は、第１アーム５２と第２アーム５３と基部５４とを備える。第１アーム５２は、水平方向に延在し、先端部においてベルヌーイチャック５１を支持する。第２アーム５３は、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム５２の基端部を支持する。かかる第２アーム５３の先端部には、第１アーム５２を水平軸回りに回転させる駆動機構が設けられており、かかる駆動機構を用いて第１アーム５２を水平軸回りに回転させることにより、ベルヌーイチャック５１を反転させることができる。

第２アーム５３の基端部は、基部５４によって支持される。基部５４には、第２アーム５３を回転および昇降させる駆動機構が設けられている。かかる駆動機構を用いて第２アーム５３を回転または昇降させることにより、ベルヌーイチャック５１を鉛直軸回りに旋回または昇降させることができる。

第３搬送装置５０は、上記のように構成されており、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置５から受け取って第２洗浄装置８０へ渡す受渡処理を行う。

具体的には、第３搬送装置５０は、ベルヌーイチャック５１を用い、剥離装置５の第１保持部１１０によって上方から保持された支持基板Ｓを下方から保持する。これにより、支持基板Ｓは、非接合面Ｓｎが上方を向いた状態で、ベルヌーイチャック５１に保持される。つづいて、第３搬送装置５０は、第２アーム５３を鉛直軸回りに回転させることによってベルヌーイチャック５１を旋回させる。これにより、ベルヌーイチャック５１に保持された支持基板Ｓが剥離ステーション１５から受渡ステーション２１を経由して第２洗浄ステーション２２へ移動する。

つづいて、第３搬送装置５０は、第１アーム５２を水平軸回りに回転させることによって、ベルヌーイチャック５１を反転させる。これにより、支持基板Ｓは、非接合面Ｓｎが下方を向いた状態となる。そして、第３搬送装置５０は、第２アーム５３を降下させることによりベルヌーイチャック５１を降下させて、ベルヌーイチャック５１に保持された支持基板Ｓを第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で第２洗浄装置へ載置され、第２洗浄装置によって接合面Ｓｊが洗浄される。

＜２−４．第２洗浄装置の構成＞
次に、第２洗浄ステーション２２に設置される第２洗浄装置の構成について図１３Ａおよび図１３Ｂを参照して説明する。図１３Ａは、第２洗浄装置の構成を示す摸式側面図であり、図１３Ｂは、第２洗浄装置の構成を示す摸式平面図である。

図１３Ａに示すように、第２洗浄装置８０は、処理容器８１を有している。処理容器８１の側面には、支持基板Ｓの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器８１内の中央部には、支持基板Ｓを保持して回転させるスピンチャック８２が配置される。スピンチャック８２は、水平な上面を有しており、かかる上面には支持基板Ｓを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持基板Ｓは、スピンチャック８２上で吸着保持される。

スピンチャック８２の下方には、たとえばモータなどを備えたチャック駆動部８３が配置される。チャック駆動部８３は、スピンチャック８２を所定の速度で回転させる。また、チャック駆動部８３には、たとえばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック８２は昇降自在になっている。

スピンチャック８２の周囲には、支持基板Ｓから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ８４が配置される。カップ８４の下面には、回収した液体を排出する排出管８４１と、カップ８４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管８４２とが接続される。

図１３Ｂに示すように、処理容器８１にはレール８５が設けられており、かかるレール８５には、アーム８６の基端部が取り付けられる。また、アーム８６の先端部には、支持基板Ｓに洗浄液、たとえば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル８７が支持される。

アーム８６は、ノズル駆動部８６１により、レール８５上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル８７は、カップ８４の側方に設置された待機部８８からカップ８４内の支持基板Ｓの中心部上方まで移動することができ、さらに支持基板Ｓ上を支持基板Ｓの径方向に移動することができる。また、アーム８６は、ノズル駆動部８６１によって昇降自在であり、これにより、洗浄液ノズル８７の高さを調節することができる。

洗浄液ノズル８７には、図１３Ａに示すように、洗浄液ノズル８７に洗浄液を供給する供給管８９１が接続される。供給管８９１は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源８９２に連通している。供給管８９１には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群８９３が設けられている。

第２洗浄装置８０は、上記のように構成されており、制御装置６０の制御に基づき、第３搬送装置５０によって搬送された支持基板Ｓの洗浄処理（第２洗浄処理）を行う。

具体的には、剥離後の支持基板Ｓは、第３搬送装置５０によって接合面Ｓｊを上方に向けた状態で第２洗浄装置８０のスピンチャック８２に載置される。第２洗浄装置８０は、スピンチャック８２を用いて支持基板Ｓを吸着保持した後、スピンチャック８２を所定の位置まで下降させる。つづいて、アーム８６によって待機部８８の洗浄液ノズル８７を支持基板Ｓの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック８２によって支持基板Ｓを回転させながら、洗浄液ノズル８７から支持基板Ｓの接合面Ｓｊに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により支持基板Ｓの接合面Ｓｊの全面に拡散されて、接合面Ｓｊが洗浄される。

洗浄後の支持基板Ｓは、第２搬送装置４０によって第２洗浄装置８０から搬出され、搬出ステーション２４のカセットＣｓに収容される。

なお、スピンチャック８２の下方には、支持基板Ｓを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはスピンチャック８２に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、スピンチャック８２の上面から突出可能になっている。そして、スピンチャック８２を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、スピンチャック８２との間で支持基板Ｓの受け渡しが行われる。

また、第２洗浄装置８０において、スピンチャック８２の下方には、支持基板Ｓの裏面、すなわち非接合面Ｓｎ（図２参照）に向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎと支持基板Ｓの外周部が洗浄される。

上述してきたように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、ＤＦ付重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行う第１処理ブロック１０と、剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行う第２処理ブロック２０とを備える。

第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、第１搬送装置３０と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６とを備える。搬入出ステーション１１には、ダイシングフレームＦに保持されたＤＦ付重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗが載置される。第１搬送装置３０は、剥離後の被処理基板Ｗまたは搬入出ステーション１１に載置されたＤＦ付重合基板Ｔを搬送する。剥離ステーション１５には、第１搬送装置３０によって搬送されたＤＦ付重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離装置５が設置される。第１洗浄ステーション１６には、第１搬送装置３０によって搬送された剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する第１洗浄装置７０が設置される。

また、第２処理ブロック２０は、第２洗浄ステーション２２と、受渡ステーション２１と、第２搬送装置４０と、搬出ステーション２４とを備える。第２洗浄ステーション２２には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置８０が設置される。受渡ステーション２１は、第２洗浄ステーション２２と剥離ステーション１５との間に配置され、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から受け取って第２洗浄ステーション２２へ渡す。第２搬送装置４０は、第２洗浄装置８０によって洗浄された支持基板Ｓを搬送する。搬出ステーション２４には、第２搬送装置４０によって搬送された支持基板Ｓが載置される。

そして、剥離システム１は、第１処理ブロック１０および第２処理ブロック２０が、受渡ステーション２１によって接続される。したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、剥離処理および洗浄処理を含む一連の基板処理のスループットを向上させることができる。

また、第１の実施形態に係る剥離装置５は、第１保持部１１０と、第２保持部１５０と、移動機構１４０とを備える。第１保持部１１０は、ＤＦ付重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持する。第２保持部１５０は、ＤＦ付重合基板Ｔのうち被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して下方から保持する。移動機構１４０は、第１保持部１１０を第２保持部１５０から離す方向へ移動させる。したがって、剥離装置５によれば、剥離後の被処理基板Ｗを反転させる必要がないため、剥離処理の効率化を図ることができる。

また、第１の実施形態に係る剥離装置５は、第１保持部１１０と、第２保持部１５０と、局所移動部１３０とを備える。第１保持部１１０は、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとが接合されたＤＦ付重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを保持する。第２保持部１５０は、ＤＦ付重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを保持する。局所移動部１３０は、第１保持部１１０の外周部の一部を第２保持部１５０から離す方向へ移動させる。そして、第１保持部１１０は、柔軟性を有する部材で形成される。したがって、剥離装置５によれば、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの剥離を効率よく行うことができる。

（第２の実施形態）
上述した剥離装置において、さらにＤＦ付重合基板Ｔの剥離を促すために、たとえば刃物等の鋭利部材を用いてＤＦ付重合基板Ｔの側面に切り込みを入れてもよい。以下では、鋭利部材を用いてＤＦ付重合基板Ｔの側面に切り込みを入れる場合の例について説明する。

図１４は、第２の実施形態に係る剥離装置の構成を示す摸式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１４に示すように、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａは、第１の実施形態に係る剥離装置５の構成に加え、計測部２１０と、切込部２２０と、位置調整部２３０とをさらに備える。計測部２１０および位置調整部２３０は、たとえば上側ベース部１２０に設けられ、切込部２２０は、ＤＦ付重合基板Ｔの側方において位置調整部２３０によって支持される。

計測部２１０は、たとえばレーザ変位計であり、所定の測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離または測定基準位置と第２保持部１５０の保持面との間に介在する物体までの距離を計測する。計測部２１０による計測結果は、制御装置６０（図１参照）へ送信される。

切込部２２０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分、つまり、接着剤Ｇの部分に対して切り込みを入れる。ここで、切込部２２０の構成について図１５を参照して説明する。図１５は、切込部２２０の構成を示す摸式斜視図である。

図１５に示すように、切込部２２０は、本体部２２１と、鋭利部材２２２と、気体噴出部２２３とを備える。

本体部２２１は、重合基板Ｔ等の基板の側面に合わせて弓なりに形成される。かかる本体部２２１の右側部２２１Ｒには固定部２２４を介して鋭利部材２２２が取り付けられ、中央部２２１Ｃには気体噴出部２２３が取り付けられる。

鋭利部材２２２は、たとえば刃物であり、先端がＤＦ付重合基板Ｔへ向けて突出するように位置調整部２３０に支持される。かかる鋭利部材２２２を被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇへ進入させ、接着剤Ｇに切り込みを入れることにより、ＤＦ付重合基板Ｔの剥離の起点を生成することができる。

第２の実施形態において、鋭利部材２２２は片刃の刃物であり、刃先角を形成する傾斜面が上面側、すなわち、支持基板Ｓ側に設けられる。このように、支持基板Ｓ側に鋭利部材２２２の傾斜面を向ける、言い換えれば、被処理基板Ｗ側に鋭利部材２２２の平坦面を向けることにより、鋭利部材２２２を接着剤Ｇへ進入させた場合に、製品基板である被処理基板Ｗへのダメージを抑えることができる。

なお、刃物としては、たとえば、カミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いることができる。また、セラミック樹脂系の刃物あるいはフッ素コーティングされた刃物を用いることで、ＤＦ付重合基板Ｔに対して切り込みを入れた際のパーティクルの発生を抑えることができる。固定部２２４は、右側部２２１Ｒに対して着脱自在であり、切込部２２０は、固定部２２４を取り替えることにより、鋭利部材２２２の交換を容易に行うことができる。

なお、ここでは、本体部２２１の右側部２２１Ｒにのみ鋭利部材２２２を取り付けた場合の例を示したが、切込部２２０は、本体部２２１の左側部２２１Ｌにも鋭利部材２２２を備えていてもよい。切込部２２０は、右側部２２１Ｒと左側部２２１Ｌとで、異なる種類の鋭利部材２２２を備えていてもよい。

気体噴出部２２３は、鋭利部材２２２によって切り込みが入れられた接合部分の切り込み箇所へ向けて空気や不活性ガス等の気体を噴出する。すなわち、気体噴出部２２３は、鋭利部材２２２による切り込み箇所からＤＦ付重合基板Ｔの内部へ気体を注入することにより、ＤＦ付重合基板Ｔの剥離をさらに促進させる。

図１４に戻り、位置調整部２３０について説明する。位置調整部２３０は、駆動装置２３１とロードセル２３２とを備える。駆動装置２３１は、切込部２２０を鉛直方向または水平方向に沿って移動させる。位置調整部２３０は、かかる駆動装置２３１を用いて切込部２２０を鉛直方向へ移動させることにより、切込部２２０の接着剤Ｇへの切り込み位置を調整する。また、位置調整部２３０は、駆動装置２３１を用いて切込部２２０を水平方向へ移動させることにより、鋭利部材２２２の先端を接着剤Ｇへ進入させる。また、ロードセル２３２は、切込部２２０にかかる負荷を検知する。

鋭利部材２２２の接着剤Ｇへの進入は、上記駆動装置２３１およびロードセル２３２を用いて制御されるが、かかる点については、後述する。

また、第２の実施形態に係る制御装置６０（図１参照）は、図示しない記憶部に、外部装置によって予め取得されたＤＦ付重合基板Ｔの厚みに関する情報（以下、「事前厚み情報」と記載する）を記憶する。かかる事前厚み情報には、ＤＦ付重合基板Ｔの厚み、被処理基板Ｗの厚み、支持基板Ｓの厚み、接着剤Ｇの厚みおよびダイシングテープＰの厚みが含まれる。

制御装置６０は、計測部２１０から取得した計測結果と、記憶部に記憶された事前厚み情報とに基づき、接着剤Ｇの厚み範囲内に収まるように切込部２２０の切り込み位置を決定する。そして、制御装置６０は、決定した切り込み位置に鋭利部材２２２の先端が位置するように位置調整部２３０を制御して切込部２２０を移動させる。かかる位置調整処理の具体的な内容については、後述する。

フレーム保持部１６０は、図１４に示すように、第２保持部１５０よりも低い位置でダイシングフレームＦを保持する。これにより、第２保持部１５０に保持されたＤＦ付重合基板Ｔへ向けて切込部２２０が移動するためのスペースを確保することができる。

次に、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａが実行する切込部２２０の位置調整処理について図１６および図１７Ａ，１７Ｂを参照して説明する。図１６は、切込部２２０の位置調整処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１７Ａおよび図１７Ｂは、剥離装置５Ａの動作説明図である。なお、剥離装置５Ａは、制御装置６０の制御に基づき、図１６に示す各処理手順を実行する。

図１６に示すように、剥離装置５Ａは、まず、切込部診断処理を行う（ステップＳ３０１）。かかる切込部診断処理では、計測部２１０を用い、鋭利部材２２２の損傷（たとえば、刃こぼれ等）の有無が診断される。

具体的には、図１７Ａに示すように、剥離装置５Ａは、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を水平方向へ移動させながら、計測部２１０を用いて鋭利部材２２２の上面までの距離Ｄ１を計測し、計測結果を制御装置６０へ送信する。そして、制御装置６０は、たとえば距離Ｄ１の変化率が所定の範囲を超える場合、あるいは、新品の鋭利部材２２２を用いて予め計測しておいた基準距離と距離Ｄ１との誤差が所定の範囲を超える場合に、鋭利部材２２２が損傷していると判定する。

ステップＳ３０１の切込部診断処理において鋭利部材２２２が損傷していると判定された場合（ステップＳ３０２，Ｙｅｓ）、剥離装置５Ａは、その後の処理を中止する（ステップＳ３０３）。このように、剥離装置５Ａは、切込部２２０を水平移動させた場合における、測定基準位置から切込部２２０までの距離Ｄ１の変化に基づいて鋭利部材２２２の損傷を検出する。これにより、損傷した鋭利部材２２２を用いてＤＦ付重合基板Ｔへの切り込みを行うことで、被処理基板Ｗにダメージを与えてしまうことを未然に防ぐことができる。

一方、ステップＳ３０１の切込部診断処理において鋭利部材２２２の損傷が検出されなかった場合（ステップＳ３０２，Ｎｏ）、剥離装置５Ａは、計測部２１０を用いて第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２（図１７Ｂ参照）を計測する（ステップＳ３０４）。このとき、剥離装置５Ａには、ＤＦ付重合基板Ｔが未だ搬入されていない状態である。

なお、図１７Ｂに示すＤＦ付重合基板Ｔの厚みＤ４、被処理基板Ｗの厚みＤ４ｗ、接着剤Ｇの厚みＤ４g、支持基板Ｓの厚みＤ４ｓおよびダイシングテープＰの厚みＤ４pは、事前厚み情報として制御装置６０の記憶部に記憶された情報である。

つづいて、剥離装置５Ａは、第１搬送装置３０によって剥離ステーション１５へ搬入されたＤＦ付重合基板ＴのダイシングフレームＦをフレーム保持部１６０を用いて下方から吸着保持する（ステップＳ３０５）。さらに、剥離装置５Ａは、移動機構１６３（図６参照）を用いてフレーム保持部１６０を降下させる（ステップＳ３０６）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが、ダイシングテープＰを介して第２保持部１５０に当接する。その後、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０を用いてＤＦ付重合基板ＴをダイシングテープＰを介して吸着保持する（ステップＳ３０７）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔは、第２保持部１５０によって被処理基板Ｗが保持され、フレーム保持部１６０によってダイシングフレームＦが保持された状態となる。

その後、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０によって吸着保持されたＤＦ付重合基板Ｔの上面、すなわち、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎまでの距離Ｄ３（図１７Ｂ参照）を計測する（ステップＳ３０８）。かかる計測結果は、制御装置６０へ送信される。制御装置６０は、計測部２１０の計測結果より算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚み（Ｄ２−Ｄ３）と、事前厚み情報に含まれるＤＦ付重合基板Ｔの厚み（Ｄ４）との差が所定範囲内であるか否かを判定する。

ここで、計測部２１０の計測結果より算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚み（Ｄ２−Ｄ３）と、事前厚み情報（Ｄ４）との誤差が所定範囲を超える場合には、たとえば本来搬入されるべきＤＦ付重合基板Ｔとは異なるＤＦ付重合基板Ｔが誤って搬入された可能性がある。このような場合には、事前厚み情報に基づき算出される接着剤Ｇの厚み範囲が実際の厚み範囲からずれ、鋭利部材２２２の先端が被処理基板Ｗや支持基板Ｓに接触して被処理基板Ｗや支持基板Ｓが損傷するおそれがある。このため、計測部２１０の計測結果を用いて算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚みと、事前厚み情報に含まれるＤＦ付重合基板Ｔの厚みとの誤差が所定範囲内を超える場合には（ステップＳ３０９，Ｎｏ）、剥離装置５Ａは、その後の処理を中止する（ステップＳ３０３）。

一方、事前厚み情報との誤差が所定範囲内である場合（ステップＳ３０９，Ｙｅｓ）、制御装置６０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇの厚み範囲を事前厚み情報に基づいて算出する。

たとえば、図１７Ｂに示すように、計測部２１０の測定基準位置から第１保持部１１０の保持面、すなわち、吸着パッド１１２の下面までの距離をＤ５とすると、第１保持部１１０によってＤＦ付重合基板Ｔが吸着保持された場合における接着剤Ｇの厚み範囲は、Ｄ５＋Ｄ４ｗ〜Ｄ５＋Ｄ４ｗ＋Ｄ４ｇとなる。そして、制御装置６０は、かかる厚み範囲内に切込部２２０の切り込み位置を決定する。たとえば、制御装置６０は、上記厚み範囲の中央であるＤ５＋Ｄ４ｗ＋Ｄ４ｇ／２を切り込み位置として決定する。なお、測定基準位置から本体部１１１の下面までの距離Ｄ５は、図示しない記憶部に予め記憶されているものとする。

制御装置６０によって切込部２２０の切り込み位置が決定されると、剥離装置５Ａは、制御装置６０の制御に基づき、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を移動させることによって、接着剤Ｇの厚み範囲内に切込部２２０の切り込み位置を調整する（ステップＳ３１０）。すなわち、剥離装置５Ａは、制御装置６０によって決定された切り込み位置に鋭利部材２２２の先端が位置するように、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を鉛直方向に移動させる。

その後、剥離装置５Ａは、図９のステップＳ２０４以降の処理を行う。そして、剥離装置５Ａは、ステップＳ２０６において局所移動部１３０を用いて第１保持部１１０の外周部の一部を引っ張る際に、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を水平移動させることによって鋭利部材２２２を接着剤Ｇへ進入させる。これにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇに切り込みが入り、局所移動部１３０によるＤＦ付重合基板Ｔの剥離が促進される。

なお、鋭利部材２２２の接着剤Ｇへの進入距離は、たとえば２ｍｍ程度である。また、鋭利部材２２２を接着剤Ｇへ進入させるタイミングは、ステップＳ２０５とステップＳ２０６との間でもよいし、ステップＳ２０６とステップＳ２０７との間でもよし、ステップＳ２０６と同時でもよい。

また、上述したように、鋭利部材２２２の接着剤Ｇへの進入は、上記駆動装置２３１およびロードセル２３２を用いて制御される。具体的には、鋭利部材２２２は、駆動装置２３１によって所定の速度で接着剤Ｇへ進入する。また、切り込み開始位置（鋭利部材２２２の先端が接着剤Ｇに接触した位置）がロードセル２３２によって検知され、かかる切り込み開始位置から予めプログラムされた量だけ、駆動装置２３１を用いて鋭利部材２２２を進入させる。

このように、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａは、切込部２２０による接着剤Ｇへの切り込みを行うことにより、ＤＦ付重合基板Ｔの剥離の起点を生成することができる。

また、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａは、計測部２１０の計測結果と事前厚み情報とに基づいて切込部２２０の位置を調整することとしたため、鋭利部材２２２の先端を接着剤Ｇへより確実に進入させることができる。

すなわち、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび接着剤Ｇは非常に薄いため、切込部２２０の位置合わせを肉眼で行うことは困難である。これに対し、計測部２１０を用いることとすれば、接着剤Ｇの位置を容易に且つ正確に検出して切込部２２０の切り込み位置を合わせることができる。また、カメラ等による画像認識によって切り込み位置を確認することも考えられるが、重合基板Ｔ等の基板の側面部は曲面であるため焦点が合い難く、基板からの反射があり、接着剤Ｇも透明であるため、画像認識により接着剤Ｇの位置を確認することは難しい。これに対し、計測部２１０を用いることとすれば、上記のような問題点を生じることなく、接着剤Ｇの位置を容易に確認することができる。

また、切込部２２０は、測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２と測定基準位置から第１保持部１１０に保持されたＤＦ付重合基板Ｔまでの距離Ｄ３とを用いて算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚みと、予め取得されたＤＦ付重合基板Ｔの厚みとの差が所定の範囲内である場合に、接着剤Ｇへの切り込みを行う。これにより、鋭利部材２２２による被処理基板Ｗや支持基板Ｓの損傷を未然に防ぐことができる。

なお、ここでは、鋭利部材２２２が片刃の刃物である場合の例について説明したが、鋭利部材は両刃の刃物であってもよい。また、必ずしも刃物である必要はなく、皮下針等の管状の針体やワイヤー等であってもよい。

ところで、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａは、計測部２１０を用いて、第２保持部１５０の傾きを検出することもできる。具体的には、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０を回転機構１８０によって回転させながら、測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２（図１７Ｂ参照）を計測する。そして、剥離装置５Ａは、かかる距離Ｄ２の変化量が所定以上である場合、たとえば２０μｍ以上である場合には、第２保持部１５０の保持面が傾斜していると判定し、その後の処理を中止する。

このように、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０を回転させた場合における、測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２の変化に基づいて第２保持部１５０の保持面の傾斜を検出することもできる。

第２保持部１５０の保持面が傾斜している場合、事前厚み情報を用いて算出される接着剤Ｇの厚み範囲と実際の接着剤Ｇの厚み範囲とに誤差が生じ、鋭利部材２２２を接着剤Ｇに対して適切に進入させることができない可能性がある。そこで、第２保持部１５０の保持面が傾斜している場合に、その後の処理を中止することで、鋭利部材２２２による被処理基板Ｗや支持基板Ｓの損傷を未然に防ぐことができる。なお、第２保持部１５０の傾きを検出する処理は、ＤＦ付重合基板Ｔが剥離装置５Ａへ搬入される前に行えばよい。

（第３の実施形態）
ところで、上述してきた剥離装置は、第１保持部が、中心から径方向に伸びる複数の線と、複数の円弧とによって吸着領域が分割された吸着パッド１１２（図７Ｂ参照）を備える場合の例について説明した。しかし、第１保持部が備える吸着パッドの構成は、これに限ったものではない。そこで、以下では、第１保持部が備える吸着パッドの他の構成例について図１８Ａ〜１８Ｃを参照して説明する。図１８Ａ〜１８Ｃは、吸着パッドの他の構成例を示す摸式平面図である。

図１８Ａに示すように、吸着パッド１１２Ａの吸着領域は、剥離の進行方向ｄに対して直交する線で分割されてもよい。図１８Ａに示す例では、吸着パッド１１２Ａの吸着領域が、剥離の進行方向ｄに対して直交する２つの直線Ｌ３，Ｌ４によって個別領域Ｒ５〜Ｒ７に分割される。

このように、吸着パッドの吸着領域は、剥離の進行方向に対して直交する線で分割されてもよい。なお、かかる構成の吸着パッドは、一方向から剥離する場合に好適である。

なお、図７Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、吸着パッド１１２Ａの各個別領域Ｒ５〜Ｒ７には、吸気口１１４ａ〜１１４ｃがそれぞれ形成され、各吸気口１１４ａ〜１１４ｃは、吸気管を介して吸気装置へ接続される。これにより、図７Ｂに示す吸着パッド１１２同様、支持基板Ｓを適切に保持しておくことができる。

また、図７Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、各個別領域Ｒ５〜Ｒ７は、剥離の進行方向ｄの基端側に設けられる個別領域Ｒ５よりも進行方向ｄの先端側に設けられる個別領域Ｒ７が大きく形成される。これにより、図７Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、剥離動作中における支持基板Ｓの第１保持部１１０からの剥がれ落ちを防止することができる。

ここでは、吸着パッド１１２Ａの吸着領域を３つの個別領域Ｒ５〜Ｒ７に分割する場合の例を示したが、吸着領域の分割数は、３つに限定されない。

また、図１８Ｂに示すように、吸着パッド１１２Ｂの吸着領域は、格子状に分割されてもよい。図１８Ｂでは、吸着パッド１１２Ｂの吸着領域が９つの個別領域Ｒ８〜Ｒ１５に分割される場合の例を示している。図７Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、各個別領域Ｒ８〜Ｒ１５には、吸気口１１５ａ〜１１５ｉがそれぞれ形成され、各吸気口１１５ａ〜１１５ｉは、吸気管を介して吸気装置へ接続される。

このように、吸着パッドの吸着領域は、格子状に分割されてもよい。なお、ここでは、吸着パッド１１２Ｂの吸着領域を分割する直線が、剥離の進行方向ｄに対して斜めである場合の例を示したが、吸着パッドは、剥離の進行方向ｄに対して平行な直線と、剥離の進行方向ｄに直行する直線とによって格子状に分割されてもよい。

また、上述してきた各実施形態では、剥離の進行方向が１方向である場合の例について説明したが、局所移動部１３０を複数設けることによって複数の方向から剥離を行なってもよい。

かかる場合には、図１８Ｃに示すように、中心から径方向に伸びる複数の線によって吸着パッドの吸着領域を剥離の進行方向ｄ１〜ｄ３ごとに分割し、さらに、進行方向ごとに分割された各吸着領域を円弧によってさらに複数の個別領域に分割してもよい。たとえば、図１８Ｃに示す吸着パッド１１２Ｃの吸着領域は、剥離の進行方向ｄ１〜ｄ３ごとに３つに分割され、さらに、各進行方向に対応する吸着領域が円弧によって３つの分割領域に分割されている。

具体的には、進行方向ｄ１に対応する吸着領域は、個別領域Ｒ１７〜Ｒ１９に分割され、進行方向ｄ２に対応する吸着領域は、個別領域Ｒ２０〜Ｒ２２に分割され、進行方向ｄ３に対応する吸着領域は、個別領域Ｒ２３〜Ｒ２５に分割される。各個別領域Ｒ１７〜Ｒ２５には、吸気口１１６ａ〜１１６ｃ、１１７ａ〜１１７ｃ、１１８ａ〜１１８ｃがそれぞれ形成され、各吸気口１１６ａ〜１１６ｃ、１１７ａ〜１１７ｃ、１１８ａ〜１１８ｃは、吸気管を介して吸気装置へ接続される。なお、吸気口１１６ａ〜１１６ｃ、１１７ａ〜１１７ｃ、１１８ａ〜１１８ｃは、単一の吸気装置に接続されてもよいし、剥離の進行方向ｄ１〜ｄ３ごとに設けられた吸気装置にそれぞれ接続されてもよい。

ところで、重合基板Ｔには、結晶方向、反り方向、パターン等によって最適な切り込み方向がある。そこで、第２の実施形態では、重合基板Ｔの種類に応じて鋭利部材２２２の周方向の位置を変更することとしてもよい。かかる場合、たとえば、ダイシングフレームＦをフレーム保持部１６０（図１４参照）で保持した後、回転機構１８０を所定の位置に回転させることによって鋭利部材２２２の周方向における切り込み位置を調整し、その後、鋭利部材２２２を進入させればよい。これにより、鋭利部材２２２を周方向の任意の位置に設定することができるため、いかなる種類の重合基板Ｔであっても、その重合基板Ｔに応じた最適な位置で切り込みを入れることができる。なお、重合基板Ｔの剥離後は、再び回転機構１８０を回転させて元の回転位置に戻す。

また、第１の回転位置において剥離不能の場合、回転機構１８０を第２の回転位置に回転させて剥離をトライすることも可能である。剥離不能か否かは、たとえば、第１保持部１１０および第２保持部１５０による吸着保持が外れた場合や、回転機構１８０の駆動部にモータを用いた場合にはモータの過負荷などで判定することができる。このようなリトライ機能を設けることで、接着剤Ｇの部分的変質や第１保持部１１０・第２保持部１５０による剥離不能状態が生じた場合であっても、剥離処理を中断することなく完遂させることができる。

（その他の実施形態）
上述してきた各実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。たとえば、上述してきた各実施形態の剥離装置では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。

ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図１９Ａおよび図１９Ｂを参照して説明する。図１９Ａおよび図１９Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図１９Ａに示すように、ＳＯＩ基板を形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。

ドナー基板Ｋは、表面に絶縁膜６が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層７が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。

上述してきた各実施形態に係る剥離装置では、たとえば、第１保持部でドナー基板Ｋを保持し、第２保持部でハンドル基板Ｈを保持した状態で、重合基板Ｔａの外周部を引っ張ることで、ドナー基板Ｋに形成された水素イオン注入層７に対して機械的衝撃を与える。これにより、図１９Ｂに示すように、水素イオン注入層７内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｋからシリコン層８が剥離する。その結果、ハンドル基板Ｈの上面に絶縁膜６とシリコン層８とが転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。なお、第１保持部でドナー基板Ｋを保持し、第２保持部でハンドル基板Ｈを保持することが好適であるが、第１保持部でハンドル基板Ｈを保持し、第２保持部でドナー基板Ｋを保持してもよい。

また、上述した実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ，Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。

また、上述した実施形態では、第１保持部を用いて支持基板Ｓを保持し、第２保持部を用いて被処理基板Ｗを保持する場合の例について説明したが、これとは逆に、第１保持部を用いて被処理基板Ｗを保持し、第２保持部を用いて支持基板Ｓを保持してもよい。

また、上述した実施形態では、第１保持部が、重合基板Ｔを上方から保持する場合の例を示したが、第１保持部は、重合基板Ｔを下方から保持してもよい。

また、上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持される必要はない。

また、上述した実施形態では、重合基板Ｔの剥離を常温で行う場合の例について説明したが、重合基板Ｔを加熱しながら剥離を行なってもよい。かかる場合、たとえば、第１保持部１１０の本体部１１１に、ヒータ等の加熱部を設ければよい。重合基板Ｔを加熱することで、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接合している接着剤Ｇが軟化するため、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを容易に剥離させることができる。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

１ 剥離システム
５ 剥離装置
１０ 第１処理ブロック
１１ 搬入出ステーション
１２ 第１搬送領域
１３ 待機ステーション
１４ エッジカットステーション
１５ 剥離ステーション
１６ 第１洗浄ステーション
２０ 第２処理ブロック
２１ 受渡ステーション
２２ 第２洗浄ステーション
２３ 第２搬送領域
２４ 搬出ステーション
３０ 第１搬送装置
４０ 第２搬送装置
５０ 第３搬送装置
６０ 制御装置
１１０ 第１保持部
１１１ 本体部
１１２ 吸着パッド
１３０ 局所移動部
１４０ 移動機構
１５０ 第２保持部
１６０ フレーム保持部
２１０ 計測部
２２０ 切込部
２３０ 位置調整部
Ｆ ダイシングフレーム
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持基板
Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板

Claims (14)

1. 第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち前記第２基板を保持する第１保持部と、
   前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第２保持部と、
   前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる局所移動部と
   を備え、
   前記第１保持部は、柔軟性を有する部材で形成されること
   を特徴とする剥離装置。
2. 前記第１保持部は、
   薄板状の弾性部材と、
   前記弾性部材の表面に貼り付けられ、前記第２基板に当接する樹脂部材と
   を備え、
   前記樹脂部材に形成された吸気口から吸引することによって前記第２基板を吸着保持すること
   を特徴とする請求項１に記載の剥離装置。
3. 前記弾性部材側において前記第１保持部と空隙を介して対向配置されるベース部と、
   前記ベース部から前記弾性部材へ向けて突設された支持部材と
   をさらに備え、
   前記弾性部材は、
   前記支持部材に対応する外周部に設けられ、前記支持部材に固定される固定部
   をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の剥離装置。
4. 前記固定部は、
   前記弾性部材の外周部の周方向に沿って複数設けられ、前記支持部材に固定されることによって前記局所移動部による前記第１保持部の移動を制限すること
   を特徴とする請求項３に記載の剥離装置。
5. 前記樹脂部材は、
   吸着領域が複数の個別領域に分割されており、前記個別領域ごとに設けられた吸気口から吸引することによって前記第２基板を前記個別領域ごとに吸着保持すること
   を特徴とする請求項２、３または４に記載の剥離装置。
6. 剥離の進行方向の基端側に設けられる前記個別領域よりも前記進行方向の先端側に設けられる前記個別領域が大きく形成されること
   を特徴とする請求項５に記載の剥離装置。
7. 前記吸着領域は、円形であり、中心から径方向に伸びる複数の線と、複数の円弧とによって分割されること
   を特徴とする請求項５または６に記載の剥離装置。
8. 前記吸着領域は、剥離の進行方向に対して直交する線で分割されること
   を特徴とする請求項５または６に記載の剥離装置。
9. 前記第１基板と前記第２基板との接合部分に対して切り込みを入れる切込部
   をさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の剥離装置。
10. 前記切込部は、
    鋭利部材と、
    前記鋭利部材によって切り込みが入れられた前記接合部分の切り込み箇所へ向けて気体を噴出する気体噴出部と
    を備えることを特徴とする請求項９に記載の剥離装置。
11. 所定の測定基準位置から前記第２保持部の保持面までの距離または前記測定基準位置と前記保持面との間に介在する物体までの距離を計測する計測部と、
    前記計測部の計測結果と、予め取得された前記重合基板の厚みに関する情報とに基づいて前記切込部の切り込み位置を調整する位置調整部と
    をさらに備えることを特徴とする請求項９または１０に記載の剥離装置。
12. 前記第１保持部と前記第２保持部とを相対的に回転させる回転機構
    をさらに備えることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の剥離装置。
13. 第１基板と第２基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
    前記搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する基板搬送装置と、
    前記基板搬送装置によって搬送された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置が設置される剥離ステーションと
    を備え、
    前記剥離装置は、
    前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第１保持部と、
    前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第２保持部と、
    前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる局所移動部と
    を備え、
    前記第１保持部は、柔軟性を有する部材で形成されること
    を特徴とする剥離システム。
14. 柔軟性を有する部材で形成され、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち前記第２基板を保持する第１保持部によって、前記第２基板を保持する第１保持工程と、
    前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第２保持部によって、前記第１基板を保持する第２保持工程と、
    前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる局所移動部によって、前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる局所移動工程と
    を含むことを特徴とする剥離方法。

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