JP6153886B2 - 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、被処理基板と支持基板の間において被処理基板側から順に保護剤、剥離剤及び接着剤が積層されて当該被処理基板と支持基板が接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置、当該洗浄装置を備えた剥離システム、当該洗浄装置を用いた洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

近年、例えば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。半導体基板上には複数の電子回路が形成され、以下、かかる基板を被処理基板という。大口径で薄い被処理基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、被処理基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を被処理基板から剥離する処理が行われている。

例えば特許文献１に開示されているとおり、接合された被処理基板と支持基板の間には、これら被処理基板と支持基板を接着するための接着剤、被処理基板と支持基板を円滑に剥離させるための剥離剤、被処理基板の電子回路を保護するための保護剤が設けられる。

また、被処理基板と支持基板を剥離の剥離は、例えば特許文献２に開示されている剥離システムによって行われる。この剥離システムは、被処理基板と支持基板を剥離する剥離装置と、当該剥離装置で剥離された被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置とを有する。洗浄装置では、基板保持部で被処理基板を保持して回転させながら、被処理基板上に接着剤の溶剤を供給して、当該被処理基板の接合面を洗浄する。

特開２０１３−２４７２９２号公報 特開２０１４−０６０３４８号公報

ここで、上述した被処理基板と支持基板の間では、保護剤、剥離剤及び接着剤が被処理基板側からこの順で積層される。そして、発明者らが鋭意検討した結果、上述した被処理基板と支持基板は、剥離剤と接着剤の界面で剥離されることが分かった。そうすると、剥離後の被処理基板上には保護剤と剥離剤が残存し、当該被処理基板を洗浄する際には、これら保護剤と剥離剤が除去される。

しかしながら、特許文献２の剥離システムでは、接着剤で接合された被処理基板と支持基板を剥離しており、被処理基板と支持基板の間に接着剤のほか、保護剤と剥離剤が設けられることは考慮されていない。そして、特許文献２の洗浄装置では、被処理基板上に接着剤の溶剤を供給して、当該被処理基板上の接着剤を除去しているが、上述したように被処理基板上の保護剤と剥離剤を除去することは考慮されていない。したがって、従来の方法では、被処理基板の接合面を適切に洗浄できない場合がある。また、例えば保護剤と接着剤が異なる材料の場合、従来の方法を用いると、これら保護剤と接着剤を除去するのに多大な時間を要する。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、支持基板から剥離された被処理基板の接合面を適切且つ効率よく洗浄することを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板の間において被処理基板側から順に保護剤、剥離剤及び接着剤が積層されて当該被処理基板と支持基板が接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、前記被処理基板の接合面に前記保護剤の溶剤を供給する溶剤ノズルと、前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤を吸引する吸引ノズルと、前記吸引ノズルで吸引された前記剥離剤を回収する廃棄容器と、少なくとも前記吸引ノズルの内部又は前記吸引ノズルと前記廃棄容器との間に設けられ、前記剥離剤を細断する細断部と、を有することを特徴としている。なお、被処理基板の接合面とは支持基板と接合される面をいう。

重合基板は剥離剤と接着剤の界面で剥離され、剥離された被処理基板の接合面には保護剤と剥離剤が残存する。本発明によれば、溶剤ノズルから被処理基板の接合面に保護剤の溶剤を供給するので、当該接合面上の保護剤が溶剤によって溶解されて除去される。そうすると、被処理基板の接合面上の剥離剤が接合面から浮遊した状態となり、この剥離剤も吸引ノズルに吸引されて除去される。したがって、剥離剤の材質によらず、保護剤と剥離剤を共に除去することができ、被処理基板の接合面を適切に洗浄することができる。しかも、本発明では被処理基板の接合面に保護剤の溶剤を供給するだけでよく、剥離剤を溶解させずに剥離剤と保護剤を除去するので、被処理基板の接合面を短時間で洗浄することが可能となる。

ここで、本発明らが調べたところ、例えば被処理基板の接合面から浮遊した剥離剤は固体であるため、当該剥離剤を吸引ノズルで吸引して除去しようとすると、吸引ノズルの内部や吸引ノズルに接続される配管の内部などが詰まる場合があることが分かった。この点、本発明によれば、少なくとも吸引ノズルの内部又は吸引ノズルと廃棄容器との間に設けられた細断部によって剥離剤が細断されるので、吸引ノズルから廃棄容器までの間が詰まるのを抑制することができる。したがって、剥離剤を適切に吸引して除去することができる。

前記洗浄装置は、前記細断部を複数有していてもよい。

前記細断部は、複数の開口部を備えたメッシュ板を有していてもよい。

前記細断部は、回転自在のスクリュー軸の外周面に形成されたスクリューを有していてもよい。

前記洗浄装置は、前記吸引ノズルの先端部に設けられ、前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤に当接する中空のパッドをさらに有していてもよい。

前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が拡大するテーパ形状を有していてもよい。或いは、前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が縮小するテーパ形状を有していてもよい。

前記洗浄装置は、前記吸引ノズルに吸引される前記剥離剤に振動を付与する振動機構をさらに有していてもよい。

前記洗浄装置は、前記被処理基板を回転させる回転機構と、前記吸引ノズルを前記被処理基板の径方向に移動させる移動機構と、をさらに有していてもよい。

別な観点による本発明は、前記洗浄装置を備えた剥離システムであって、前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、前記支持基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、前記第１処理ブロックは、前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び前記洗浄ステーションの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、前記第２処理ブロックは、前記支持基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴としている。

また別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板の間において被処理基板側から順に保護剤、剥離剤及び接着剤が積層されて当該被処理基板と支持基板が接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、溶剤ノズルから前記被処理基板の接合面に前記保護剤の溶剤を供給して、当該接合面から前記保護剤を除去する保護剤除去工程と、前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤を吸引ノズルで吸引して、当該接合面から前記剥離剤を除去する剥離剤除去工程と、を有し、前記剥離剤除去工程において、前記剥離剤を前記吸引ノズルで吸引してから廃棄容器に回収する間に、当該剥離剤は細断部で細断されることを特徴としている。

前記細断部は、少なくとも前記吸引ノズルの内部又は前記吸引ノズルと前記廃棄容器との間に複数設けられていてもよい。

前記細断部は、複数の開口部を備えたメッシュ板を有し、前記剥離剤除去工程において、前記剥離剤は前記メッシュ板を通過して細断されてもよい。

前記細断部は、回転自在のスクリュー軸の外周面に形成されたスクリューを有し、前記剥離剤除去工程において、回転中の前記スクリューによって前記剥離剤は細断されてもよい。

前記吸引ノズルの先端部には中空のパッドが設けられ、前記剥離剤除去工程において、前記パッドが前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤に当接した状態で、当該剥離剤を前記吸引ノズルで吸引してもよい。

前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が拡大するテーパ形状を有していてもよい。或いは、前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が縮小するテーパ形状を有していてもよい。

前記剥離剤除去工程において、前記吸引ノズルに吸引される前記剥離剤に振動を付与してもよい。

前記剥離剤除去工程において、前記被処理基板を回転させながら、前記吸引ノズルを前記被処理基板の径方向に移動させて、前記剥離剤を除去してもよい。

また別な観点による本発明によれば、前記洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、支持基板から剥離された被処理基板の接合面を適切且つ効率よく洗浄することができる。

本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。 ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。 ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。 剥離システムによって実行される剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。 第１洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 吸引ノズル及び接続部材の内部構成の概略を示す縦断面図である。 メッシュ板の構成の概略を示す平面図である。 吸引ノズルによる剥離剤の除去動作の説明図である。 他の実施形態にかかるメッシュ板の構成の概略を示す平面図である。 第１洗浄装置における洗浄処理の主な工程を示すフローチャートである。 第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる吸引ノズルの内部構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施形態にかかる吸引ノズルによる剥離剤の除去動作の説明図である。 他の実施形態にかかる吸引ノズルの内部構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施形態にかかる吸引ノズル及び接続部材の内部構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施形態にかかる吸引ノズル及び接続部材の内部構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施形態にかかる吸引ノズル及び接続部材の内部構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置における洗浄処理の主な工程を示すフローチャートである。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置による洗浄処理動作の説明図である。 他の実施形態にかかる第１洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

＜１．剥離システム＞
先ず、本実施形態に係る剥離システムの構成について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図３は、同重合基板の模式平面図である。

なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す本実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが保護剤Ｐ、剥離剤Ｒ及び接着剤Ｇを介して接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓに剥離する。

以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、保護剤Ｐ、剥離剤Ｒ及び接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、保護剤Ｐ、剥離剤Ｒ及び接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。

被処理基板Ｗは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、例えば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜５０μｍである。

一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。

被処理基板Ｗと支持基板Ｓの間には、被処理基板Ｗ側から順に保護剤Ｐ、剥離剤Ｒ及び接着剤Ｇが積層されて設けられる。保護剤Ｐは、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに形成された電子回路を保護するために設けられる。剥離剤Ｒは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを円滑に剥離させるために設けられる。接着剤Ｇは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを接着するために設けられる。

また、図３に示すように、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定される。ダイシングフレームＦは、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームＦの厚みは、例えば１ｍｍ程度である。

重合基板Ｔは、かかるダイシングフレームＦにダイシングテープＤを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合基板Ｔを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐように被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎ及びダイシングフレームＦの裏面にダイシングテープＤを貼り付ける。これにより、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定（保持）された状態となる。

図１に示すように、剥離システム１は、第１処理ブロック１０及び第２処理ブロック２０の２つの処理ブロックを備える。第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とは、第２処理ブロック２０及び第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に隣接して配置される。

第１処理ブロック１０では、重合基板Ｔの搬入、重合基板Ｔの剥離処理、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板（重合基板Ｔと被処理基板Ｗ）に対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、待機ステーション１２と、第１搬送領域１３と、剥離ステーション１４と、第１洗浄ステーション１５と、エッジカットステーション１６とを備える。

搬入出ステーション１１、待機ステーション１２、剥離ステーション１４、第１洗浄ステーション１５及びエッジカットステーション１６は、第１搬送領域１３に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション１１と待機ステーション１２とは、第１搬送領域１３のＹ軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション１４の一の剥離装置１４１と第１洗浄ステーション１５の２つの第１洗浄装置１５１、１５２とは、第１搬送領域１３のＹ軸正方向側に並べて配置される。また、剥離ステーション１４の他の剥離装置１４２は、第１搬送領域１３のＸ軸負方向側に配置され、エッジカットステーション１６は、第１搬送領域１３のＸ軸正方向側に配置される。

搬入出ステーション１１には、複数のカセット載置台１１１が設けられており、各カセット載置台１１１には、重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔ又は剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、これらカセットＣｔとカセットＣｗが外部との間で搬入出される。

待機ステーション１２には、例えばダイシングフレームＦのＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。なお、待機ステーション１２では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１２には、後述する第１搬送装置１３１によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。

第１搬送領域１３には、重合基板Ｔ又は剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置１３１が配置される。第１搬送装置１３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第１搬送領域１３では、かかる第１搬送装置１３１により、重合基板Ｔを待機ステーション１２、剥離ステーション１４及びエッジカットステーション１６へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Ｗを第１洗浄ステーション１５及び搬入出ステーション１１へ搬送する処理が行われる。

剥離ステーション１４には、２つの剥離装置１４１、１４２が配置される。剥離ステーション１４では、かかる剥離装置１４１、１４２によって、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓに剥離する剥離処理が行われる。具体的には剥離装置１４１、１４２では、被処理基板Ｗを下側に配置し且つ支持基板Ｓを上側に配置した状態で、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓに剥離する。剥離装置１４１、１４２としては、例えば特開２０１４−０６０３４８号公報に記載の剥離装置を用いることができる。なお、剥離ステーション１４に配置される剥離装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の剥離装置１４１、１４２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。

第１洗浄ステーション１５には、２つの第１洗浄装置１５１、１５２が配置される。第１洗浄ステーション１５では、かかる第１洗浄装置１５１、１５２によって、剥離後の被処理基板ＷがダイシングフレームＦに保持された状態で、当該被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄する洗浄処理が行われる。なお、第１洗浄ステーション１５に配置される洗浄装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の第１洗浄装置１５１、１５２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。

エッジカットステーション１６には、エッジカット装置が配置される。エッジカット装置は、重合基板Ｔにおける接着剤Ｇの周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部を除去することで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。なお、エッジカット装置は、例えば重合基板Ｔを接着剤Ｇの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させる。

また、第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されていない基板（支持基板Ｓ）に対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、第１受渡ステーション２１と、第２受渡ステーション２２と、第２洗浄ステーション２３と、第２搬送領域２４と、搬出ステーション２５とを備える。

第１受渡ステーション２１は、剥離ステーション１４の剥離装置１４１のＸ方向負方向側であって、剥離装置１４２のＹ方向正方向側に配置される。また、第２受渡ステーション２２、第２洗浄ステーション２３及び搬出ステーション２５は、第２搬送領域２４に隣接して配置される。具体的には、第２受渡ステーション２２及び第２洗浄ステーション２３とは第２搬送領域２４のＹ軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション２５は第２搬送領域２４のＹ軸負方向側に並べて配置される。

第１受渡ステーション２１では、剥離ステーション１４の剥離装置１４１、１４２から剥離後の支持基板Ｓを受け取って第２受渡ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。第１受渡ステーション２１には、受渡装置２１１が配置される。受渡装置２１１は、例えばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有し、この非接触保持部は水平軸回りに回動自在に構成される。具体的に受渡装置２１１としては、例えば特開２０１４−０６０３４８号公報に記載の搬送装置を用いることができる。そして受渡装置２１１は、剥離後の支持基板Ｓの表裏面を反転させつつ、剥離装置１４１、１４２から第２処理ブロック２０へ支持基板Ｓを非接触で搬送する。

第２受渡ステーション２２には、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１をＹ方向に移動させる移動部２２２とが配置される。載置部２２１は、例えば３つの支持ピンを備え、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを支持して載置する。移動部２２２は、Ｙ方向に延伸するレールと、載置部２２１をＹ方向に移動させる駆動部とを備える。第２受渡ステーション２２では、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１から載置部２２１に支持基板Ｓが載置された後、移動部２２２によって載置部２２１を第２搬送領域２４側に移動させる。そして、載置部２２１から後述する第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１に支持基板Ｓが受け渡される。なお、本実施形態では、載置部２２１はＹ方向のみに移動するが、これに加えてＸ方向にも移動可能に構成されていてもよい。

なお、上述した第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１はベルヌーイチャック等の非接触保持部で支持基板Ｓを保持するため、搬送信頼性は高くない。このため、受渡装置２１１から後述する第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１に支持基板Ｓを直接受け渡そうとすると、当該支持基板Ｓを取り落す可能性がある。そこで、本実施形態では、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４との間に第２受渡ステーション２２を設け、当該第２受渡ステーション２２で一旦支持基板Ｓを載置している。

第２洗浄ステーション２３には、剥離後の支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄する第２洗浄装置が配置される。第２洗浄装置としては、例えば特開２０１４−０６０３４８号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。

第２搬送領域２４には、剥離後の支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置２４１が配置される。第２搬送装置２４１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第２搬送領域２４では、かかる第２搬送装置２４１により、剥離後の支持基板Ｓを搬出ステーション２５へ搬送する処理が行われる。

搬出ステーション２５には、複数のカセット載置台２５１が設けられており、各カセット載置台２５１には、剥離後の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、このカセットＣｓが外部との間で搬出される。

また、剥離システム１は、制御装置３０を備える。制御装置３０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置３０は、例えばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置３０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理方法について説明する。図４は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。なお、剥離システム１は、制御装置３０の制御に基づき、図４に示す各処理手順を実行する。

先ず、複数枚の重合基板Ｔを収容したカセットＣｔと、空のカセットＣｗとが、搬入出ステーション１１の所定のカセット載置台１１１に載置されると共に、空のカセットＣｓが、搬出ステーション２５の所定のカセット載置台２５１に載置される。そして、剥離システム１では、第１処理ブロック１０の第１搬送装置１３１が、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｔから重合基板Ｔを取り出す。このとき、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置１３１の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置１３１は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１２へ搬入する基板搬入処理を行う（図４のステップＡ１０１）。

続いて、待機ステーション１２では、ＩＤ読取装置が、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う（図４のステップＡ１０２）。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置３０へ送信される。その後、重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によって待機ステーション１２から取り出されて、エッジカットステーション１６へ搬入される。

エッジカットステーション１６では、エッジカット装置が、重合基板Ｔに対してエッジカット処理を行う（図４のステップＡ１０３）。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることにより、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。

このように本実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１６が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置１３１を用いてエッジカットステーション１６へ直接搬入することができる。したがって、一連の剥離処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。

なお、例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１２に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。

続いて、エッジカット処理後の重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によってエッジカットステーション１６から取り出されて、剥離ステーション１４の剥離装置１４１へ搬入される。剥離ステーション１４では、剥離装置１４１が、重合基板Ｔに対して剥離処理を行う（図４のステップＡ１０４）。かかる剥離処理により、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓに剥離される。このとき、重合基板Ｔは、剥離剤Ｒと接着剤Ｇの界面で被処理基板Ｗと支持基板Ｓに剥離される。このように剥離するのは、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力の方が、剥離剤Ｒと保護剤Ｐとの接着力より強いためである。そして、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊには保護剤Ｐと剥離剤Ｒが残存し、支持基板Ｓの接合面Ｓｊには接着剤Ｇが残存する。

その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。

第１処理ブロック１０では、剥離後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出されて、第１洗浄ステーション１５の第１洗浄装置１５１へ搬入される。第１洗浄ステーション１５では、第１洗浄装置１５１が、剥離後の被処理基板Ｗに対して洗浄処理を行う（図４のステップＡ１０５）。かかる洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する保護剤Ｐと剥離剤Ｒが除去される。

洗浄処理後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって第１洗浄ステーション１５の第１洗浄装置１５１から取り出されて、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｗに収容される。その後、複数の被処理基板Ｗを収容したカセットＣｗは、搬入出ステーション１１から搬出されて、回収される（図４のステップＡ１０６）。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。

一方、第２処理ブロック２０では、ステップＡ１０５及びステップＡ１０６の処理と並行して、剥離後の支持基板Ｓに対する処理（後述するステップＡ１０７〜ステップＡ１０９）が行われる。

第２処理ブロック２０では、先ず、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う。具体的には、受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出して、第２受渡ステーション２２へ搬入する（図４のステップＡ１０７）。

ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置１４１によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、受渡装置２１１は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。その後、受渡装置２１１は、保持した支持基板Ｓを反転させたうえで、第２受渡ステーション２２の載置部２２１へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊを上方に向けた状態で載置部２２１に載置される。

第２受渡ステーション２２では、支持基板Ｓが載置された載置部２２１が移動部２２２によって第２搬送領域２４側の所定の位置まで移動する。この所定の位置とは、第２搬送装置２４１の搬送アーム部が載置部２２１上の支持基板Ｓを受け取ることができる位置である。

続いて、支持基板Ｓは、第２搬送装置２４１によって第２受渡ステーション２２から取り出されて、第２洗浄ステーション２３へ搬入される。第２洗浄ステーション２３では、第２洗浄装置が、剥離後の支持基板Ｓに対して洗浄処理を行う（図４のステップＡ１０８）。かかる洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。

洗浄処理後の支持基板Ｓは、第２搬送装置２４１によって第２洗浄ステーション２３から取り出されて、搬出ステーション２５に載置されたカセットＣｓに収容される。その後、複数の支持基板Ｓを収容したカセットＣｓは、搬出ステーション２５から搬出されて、回収される（図４のステップＡ１０９）。こうして、支持基板Ｓについての処理も終了する。

以上のように本実施形態に係る剥離システム１は、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理を行う第１処理ブロック１０と、支持基板Ｓに対する処理を行う第２処理ブロック２０とを備える。このため、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理と、支持基板Ｓに対す処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。より具体的には、本実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板（重合基板Ｔ及び剥離後の被処理基板Ｗ）用のフロントエンド（搬入出ステーション１１及び第１搬送領域１３）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板（剥離後の支持基板Ｓ）用のフロントエンド（搬出ステーション２５及び第２搬送領域２４）とを備える。これにより、被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、支持基板Ｓを搬出ステーション２５へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。

また、本実施形態によれば、重合基板Ｔと被処理基板ＷがダイシングフレームＦに保持されていても、ダイシングフレームＦで保持された重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗの搬送と、ダイシングフレームＦに保持されない支持基板Ｓの搬送とは、それぞれ別個の第１搬送装置１３１と第２搬送装置２４１とで行われる。したがって、従来のように１つの搬送装置でダイシングフレームに保持された基板とダイシングフレームに保持されない基板を搬送する場合に比べて、本実施形態では、重合基板Ｔ、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓを搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。

さらに、本実施形態に係る剥離システム１では、剥離ステーション１４、第２洗浄ステーション２３及び第２搬送領域２４が第１受渡ステーション２１と第２受渡ステーション２２を介して接続される。これにより、第１搬送領域１３を経由することなく、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４から第２搬送領域２４へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓの搬送を円滑に行うことができる。

しかも、第２受渡ステーション２２は、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１を水平方向に移動させる移動部２２２とを備える。これにより、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４との間で支持基板Ｓを受け渡す際、支持基板Ｓを載置した載置部２２１を移動できるので、当該第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１の非接触保持部や第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１の搬送アーム部を伸長させる必要がない。したがって、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４の専有面積を小さくでき、剥離システム１全体の専有面積を小さくすることができる。

なお、以上の剥離システム１において、第１処理ブロック１０は、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームＦが取り付けられていない重合基板ＴをカセットＣｔから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けた後、ダイシングフレームＦに固定された重合基板Ｔを剥離ステーション１４へ搬送することとなる。なお、マウント装置は、第１処理ブロック１０の任意の位置に配置すればよい。

また、以上の剥離システム１の第１処理ブロック１０に設けられた第１洗浄ステーション１５とエッジカットステーション１６は、剥離システム１の外部に設けられていてもよい。さらに、第２処理ブロック２０に設けられた第２洗浄ステーション２３は、剥離システム１の外部に設けられていてもよい。

また、以上の剥離システム１において、各処理ステーションの処理装置や搬送領域の配置は任意に設計することができ、水平方向に並べて配置してもよいし、鉛直方向に積層して配置してもよい。

＜２．第１洗浄装置の構成＞
次に、第１洗浄ステーション１５に設置される第１洗浄装置１５１、１５２の構成について図５及び図６を参照して説明する。図５は本実施形態に係る第１洗浄装置１５１の構成を示す縦断面図であり、図６は第１洗浄装置１５１の構成を示す横断面図である。なお、第１洗浄装置１５２の構成は、第１洗浄装置１５１の構成と同様であるので説明を省略する。

図５に示すように、第１洗浄装置１５１は処理容器３００を有する。処理容器３００の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器３００内の中央部には、被処理基板Ｗを保持して回転させる保持部３１０が設けられる。保持部３１０には、例えばポーラスチャックが用いられる。保持部３１０は、例えばアルミニウムなどの金属部材で構成される。

保持部３１０の表面には、吸着面３１１が設けられる。吸着面３１１は、被処理基板Ｗと略同径であり、被処理基板Ｗの非接合面Ｗ_Ｎと当接する。この吸着面３１１は、例えば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。

保持部３１０の内部には、吸着面３１１を介して外部と連通する吸引空間３１２が形成される。吸引空間３１２には、配管３１３が接続される。配管３１３は、バルブ３１４を介して２本の配管に枝分かれしている。一の配管３１３には、例えば真空ポンプなどの吸気装置３１５が接続される。吸気装置３１５には、その吸気圧力、すなわち保持部３１０で被処理基板Ｗを吸引する際の吸引圧力を測定するセンサ（図示せず）が設けられる。他の配管３１３には、内部に気体、例えば窒素ガスや大気を貯留する気体供給源３１６が接続される。

かかる保持部３１０は、吸気装置３１５の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面Ｗ_ＮをダイシングテープＤを介して吸着面３１１に吸着させる。これにより、保持部３１０は被処理基板Ｗを保持する。また、保持部３１０は、表面から気体を噴出して被処理基板Ｗを浮上させながら保持することもできる。なお、ここでは、保持部３１０がポーラスチャックである場合の例を示したが、保持部３１０は、例えば静電チャック等であってもよい。

保持部３１０の下方には、支持部材３１７を介して、回転機構３２０が設けられる。回転機構３２０は例えばモータなどの駆動部を備え、保持部３１０を鉛直軸回りに回転させる。また、回転機構３２０には例えばシリンダなどの昇降駆動部が設けられており、この昇降駆動部により保持部３１０が昇降する。

また、保持部３１０の下方には、支持部材３１７を囲う環状のガイドリング３３０が設けられる。ガイドリング３３０の周縁部は下方側に屈曲して伸びている。保持部３１０及びガイドリング３３０の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する物体を受け止め、回収するカップ３４０が設けられる。

カップ３４０の上面にはダイシングフレームＦより大径の開口部が形成されると共に、カップ３４０の側周面とガイドリング３３０の周縁部との間に排出路をなす隙間３４１が形成される。カップ３４０の下部は、ガイドリング３３０の周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。

カップ３４０の下部に形成された気液分離部の外側領域には、当該カップ３４０で回収した液体を排出するための排液管３４２が接続される。排液管３４２は、回収した廃液を貯留する廃液容器（図示せず）に連通する。

また、カップ３４０の下部に形成された気液分離部の内側領域には、当該カップ３４０内の雰囲気を排気するための排気管３４３が接続される。排気管３４３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に連通する。

図６に示すようにカップ３４０のＸ方向負方向（図６中の下方向）側には、Ｙ方向（図６中の左右方向）に沿って延伸するレール３５０が設けられる。レール３５０は、例えばカップ３４０のＹ方向負方向（図６中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図６中の右方向）側の外方まで形成される。レール３５０には、例えば２本のアーム３５１、３５２が取り付けられる。

第１アーム３５１には、図５及び図６に示すように保護剤Ｐの溶剤を供給する溶剤ノズル３５３が支持される。第１アーム３５１は、図６に示すノズル駆動部３５４により、レール３５０上を移動自在である。これにより、溶剤ノズル３５３は、カップ３４０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３５５から、カップ３４０内の被処理基板Ｗの上方を径方向に移動できる。また、第１アーム３５１は、ノズル駆動部３５４によって昇降自在であり、溶剤ノズル３５３の高さを調節できる。

溶剤ノズル３５３には、図５に示すように当該溶剤ノズル３５３に保護剤Ｐの溶剤を供給する供給管３５６が接続される。供給管３５６は、内部に保護剤Ｐの溶剤を貯留する溶剤供給源３５７に連通する。また、供給管３５６には、保護剤Ｐの溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群３５８が設けられる。

第２アーム３５２には、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから剥離した剥離剤Ｒを吸引する吸引ノズル３６０が支持される。第２アーム３５２は、図６に示す移動機構としてのノズル駆動部３６１によってレール３５０上を移動自在である。これにより、吸引ノズル３６０は、カップ３４０のＹ方向負方向側の外側に設けられた待機部３６２から、カップ３４０内の被処理基板Ｗの上方を径方向に移動できる。また、第２アーム３５２は、ノズル駆動部３６１によって昇降自在であり、吸引ノズル３６０の高さを調節できる。

吸引ノズル３６０には、図７に示すように接続部材３６３を介して、剥離剤Ｒを吸引する吸引管３６４が接続される。吸引ノズル３６０の内部と接続部材３６３の内部には、ぞれぞれ剥離剤Ｒの流通路３６０ａ、３６３ａが形成される。すなわち、流通路３６０ａ、流通路３６３ａ、吸引管３６４が連通する。吸引管３６４は、図５に示すように内部に剥離剤Ｒを貯留可能な廃棄容器３６５に連通する。廃棄容器３６５には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が設けられ、この負圧発生装置によって剥離剤Ｒは吸引管３６４を介して廃棄容器３６５内に回収される。

図７に示すように吸引ノズル３６０と接続部材３６３には、それぞれ細断部としてのメッシュ板３７０が設けられる。メッシュ板３７０は、図８に示すように円環形状の枠３７１と、枠３７１の内側に設けられた格子状のメッシュ３７２とが一体に構成されている。枠３７１とメッシュ３７２は、剥離剤Ｒや溶剤Ｍに耐性を有する材料、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＰ（ポリプロピレン）などが用いられる。このメッシュ３７２によって、枠３７１の内側に複数の開口部３７３が形成される。また、メッシュ板３７０は、図７に示すように枠３７１が吸引ノズル３６０と接続部材３６３に支持され、複数の開口部３７３が流通路３６０ａ、３６３ａに位置するように設けられる。そして、図９に示すように吸引ノズル３６０に吸引された剥離剤Ｒは、吸引ノズル３６０のメッシュ板３７０を通過する際に細断され、さらに接続部材３６３のメッシュ板３７０を通過する際にも細断される。このため、吸引ノズル３６０から廃棄容器３６５までの間が詰まるのを抑制できる。

なお、メッシュ板３７０を吸引ノズル３６０と接続部材３６３に設けると、設けた部分に微小な隙間が生じる可能性があるが、吸引ノズル３６０で吸引される剥離剤Ｒは負圧発生装置によって真空引きされるため、当該剥離剤Ｒが吸引ノズル３６０や接続部材３６３から漏れることはない。

また、本実施形態のメッシュ３７２は枠３７１と一体に構成されているが、メッシュ板３７０の構成はこれに限定されない。例えば図１０に示すようにメッシュ３７２にはワイヤが用いられてもよい。ワイヤには、剥離剤Ｒや溶剤Ｍに耐性を有する材料、例えばＳＵＳ（ステンレス鋼）、ナイロンなどが用いられる。

また、本実施形態の第１洗浄装置１５１では吸引ノズル３６０は１つ設けられていたが、複数設けられてもよい。かかる場合、さらに効率よく剥離剤Ｒを除去することができる。

また、本実施形態の第１洗浄装置１５１では、溶剤ノズル３５３と吸引ノズル３６０は別々に設けられていたが、これらは一体に設けられていてもよい。

＜３．第１洗浄装置の動作＞
次に、第１洗浄装置１５１を用いて行われる被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの洗浄方法について説明する。図１１は、かかる洗浄処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図１２〜図１７は、洗浄処理の説明図である。なお、第１洗浄装置１５１は、制御装置３０の制御に基づき、図１１に示す各処理手順を実行する。

先ず、第１搬送装置１３１によって第１洗浄装置１５１に搬入された被処理基板Ｗは、図１２に示すように保持部３１０に受け渡され保持される（図１１のステップＡ２０１）。

続いて、図１３に示すように第１アーム３５１によって待機部３５５の溶剤ノズル３５３を被処理基板Ｗの中心部上方まで移動させる。その後、図１４に示すように回転機構３２０によって保持部３１０（被処理基板Ｗ）を回転させながら、溶剤ノズル３５３から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに溶剤Ｍを供給する（図１１のステップＡ２０２）。供給された溶剤Ｍは遠心力により被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に拡散される。

所定時間経過後、図１５に示すように被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの保護剤Ｐは、溶剤Ｍによって溶解して除去される（図１１のステップＡ２０３）。このとき、例えば剥離剤Ｒが溶剤Ｍに溶解しない、或いは剥離剤Ｒが溶剤Ｍに溶解し難い場合、剥離剤Ｒは被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから浮遊した状態になる。なお、剥離剤Ｒは保護剤Ｐと同様に溶剤Ｍに溶解する場合も考えられるが、かかる場合、溶剤Ｍによって保護剤Ｐと剥離剤Ｒが溶解することで被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの洗浄処理が終了する。

なお、ステップＡ２０３において保護剤Ｐが溶解して除去されると、溶剤ノズル３５３からの溶剤Ｍの供給を停止し、第１アーム３５１によって被処理基板Ｗの中心部上方の溶剤ノズル３５３を待機部３５５に移動させる。

その後、図１６に示すように回転機構３２０によって保持部３１０（被処理基板Ｗ）を回転させ、この遠心力によって溶剤Ｍを被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから外方に飛散させて除去する（図１１のステップＡ２０４）。飛散した溶剤Ｍはカップ３４０に回収され、排液管３４２から排出される。このとき、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊには剥離剤Ｒが残存するが、剥離剤Ｒは接合面Ｗｊに存するだけであり、接合面Ｗｊに接着されていない。

その後、図１７に示すように第２アーム３５２によって待機部３６２の吸引ノズル３６０を被処理基板Ｗの外周部上方まで移動させる。続けて、回転機構３２０によって保持部３１０（被処理基板Ｗ）を回転させながら、吸引ノズル３６０を被処理基板Ｗの一端Ｗ１から他端Ｗ２まで径方向に移動させる。そして、この吸引ノズル３６０の一端Ｗ１から他端Ｗ２までの移動中、当該吸引ノズル３６０によって剥離剤Ｒを吸引する。そうすると、吸引ノズル３６０は被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面で剥離剤Ｒを吸引することができ、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから剥離剤Ｒが除去される（図１１のステップＡ２０５）。

このステップＡ２０５では剥離剤Ｒと共に、上記ステップＡ２０４で除去しきれなかった溶剤Ｍが吸引ノズル３６０から吸引されて除去される。このように溶剤Ｍを吸引することによって、周囲の外気が吸引されるのを抑制でき、剥離剤Ｒが引っ張られて吸引ノズル３６０に吸引される。

そして、ステップＡ２０５では、吸引ノズル３６０に吸引された剥離剤Ｒは、吸引ノズル３６０のメッシュ板３７０を通過する際に細断され、さらに接続部材３６３のメッシュ板３７０を通過する際にも細断される。このように細断された剥離剤Ｒは吸引管３６４を通って廃棄容器３６５内に回収される。こうして、第１洗浄装置１５１における一連の洗浄処理が終了する。

本実施形態によれば、ステップＡ２０２において溶剤ノズル３５３から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに保護剤Ｐの溶剤Ｍを供給するので、ステップＡ２０３において当該接合面Ｗｊ上の保護剤Ｐが溶剤Ｍによって溶解されて除去される。そうすると、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ上の剥離剤Ｒが接合面Ｗｊから浮遊した状態となり、その後のステップＡ２０５において、吸引ノズル３６０により剥離剤Ｒが吸引除去される。したがって、剥離剤Ｒの材質によらず、保護剤Ｐと剥離剤Ｒを共に除去することができ、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを適切に洗浄することができる。

しかも、本実施形態では被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに溶剤Ｍを供給するだけでよく、剥離剤Ｒを溶解させずに除去するので、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを短時間で洗浄することが可能となる。

また、吸引ノズル３６０と接続部材３６３にはメッシュ板３７０が設けられるので、吸引ノズル３６０に吸引された剥離剤Ｒはメッシュ板３７０によって細断され、吸引ノズル３６０から廃棄容器３６５までの間が詰まるのを抑制できる。しかも、メッシュ板３７０が複数（２つ）設けられるので、吸引ノズル３６０から廃棄容器３６５までの間が詰まるのをより確実に抑制することができる。したがって、吸引ノズル３６０によって剥離剤Ｒを適切に除去することができる。

＜４．その他の実施形態＞
次に、他の実施形態の細断部の構成について説明する。

例えば図１８に示すように吸引ノズル３６０の先端部には、当該先端部の外側面を覆うように中空のパッド４００が設けられてもよい。パッド４００は、吸引ノズル３６０の先端部から、当該吸引ノズル３６０に対向する剥離剤Ｒに向かって径が拡大するテーパ形状を有する。

かかる場合、ステップＡ２０５において、図１９に示すように吸引ノズル３６０で剥離剤Ｒを吸引する際、パッド４００は剥離剤Ｒに当接する。またパッド４００は、負圧発生装置による剥離剤Ｒの真空引きによって下方に撓む。そうすると、吸引ノズル３６０で剥離剤Ｒを吸引する際、周囲の外気を吸引するのをさらに抑制できる。また、吸引ノズル３６０で剥離剤Ｒが吸引される範囲Ａは、パッド４００が剥離剤Ｒに当接する範囲に限定される。しかも、パッド４００の構成は簡易である。したがって、吸引ノズル３６０で剥離剤Ｒをさらに効率よく吸引することができる。

また、例えば図２０に示すように吸引ノズル３６０の先端部には、他の形状を有する中空のパッド４１０が設けられてもよい。パッド４１０は、吸引ノズル３６０の先端部から、当該吸引ノズル３６０に対向する剥離剤Ｒに向かって径が縮小するテーパ形状を有する。

かかる場合、ステップＡ２０５において吸引ノズル３６０で剥離剤Ｒを吸引する際、パッド４１０は剥離剤Ｒに当接し、負圧発生装置による剥離剤Ｒの真空引きによって上方に撓む。そうすると、上記パッド４００を設けた実施形態と同様の効果を享受でき、すなわち吸引ノズル３６０で剥離剤Ｒをさらに効率よく吸引することができる。しかも、パッド４１０が上方に撓み、被処理基板Ｗから離れる方向に移動する。このため、パッド４１０が被処理基板Ｗに接触するのを抑制でき、当該被処理基板Ｗの電子回路が損傷を被るのを抑制することができる。

また、例えば図２１に示すように接続部材３６３に振動機構４２０を設けてもよい。振動機構４２０は例えば超音波を発生させて、吸引ノズル３６０に吸引された剥離剤Ｒに振動を付与する。なお、振動機構４２０の構成は本実施形態に限定されず、超音波を発生する以外の方法で溶剤Ｍに振動を付与してもよい。また、振動機構４２０の配置も本実施形態に限定されず、任意の位置に設定できる。例えば吸引ノズル３６０に振動機構４２０を設けてもよい。

かかる場合、ステップＡ２０５においてメッシュ板３７０を通過する剥離剤Ｒに振動が付与され、当該剥離剤Ｒがより確実に細断される。また、メッシュ板３７０に剥離剤Ｒが引っかかるのを抑制し、メッシュ板３７０に剥離剤Ｒがより確実に通過する。したがって、吸引ノズル３６０で剥離剤Ｒをさらに効率よく吸引することができる。

また、この振動機構４２０を用いて、ステップＡ２０２及びＡ２０３で被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの保護剤Ｐを溶剤Ｍによって溶解除去する際、当該溶剤Ｍに振動を付与してもよい。かかる場合、溶剤Ｍによる保護剤Ｐの溶解が促進されるので、より短時間で被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄することができる。なお、溶剤Ｍに振動を付与する場合、振動機構４２０は保持部３１０側、例えば保持部３１０の下面に設けられてもよいし、或いは溶剤ノズル３５３に設けられてもよい。

また、例えば図２２に示すように接続部材３６３の流通路３６３ａには、細断部としてのスクリュー４３０が設けられてもよい。スクリュー４３０は、スクリュー軸４３１の外周面に形成される。またスクリュー軸４３１は、接続部材３６３の外部に設けられ、例えばモータなどを備えた駆動部４３２によって回転自在に構成される。なお、流通路３６３ａにおいてスクリュー４３０の下流側には、さらにメッシュ板３７０が設けられる。

かかる場合、ステップＡ２０５において吸引ノズル３６０に吸引された剥離剤Ｒは、回転するスクリュー４３０によって細断され、さらにメッシュ板３７０を通過する際にも細断される。したがって、吸引ノズル３６０から廃棄容器３６５までの間が詰まるのを抑制でき、剥離剤Ｒを適切に除去することができる。

なお、スクリュー４３０及びスクリュー軸４３１は、図２３に示すように吸引ノズル３６０の流通路３６０ａに設けられてもよい。かかる場合でも、上記実施形態と同様の効果を享受でき、すなわち吸引ノズル３６０から廃棄容器３６５までの間が詰まるのを抑制でき、剥離剤Ｒを適切に除去することができる。

次に、他の実施形態の第１洗浄装置１５１の構成について説明する。

以上の実施形態では、ステップＡ２０２及びＡ２０３において保持部３１０（被処理基板Ｗ）を回転させながら、溶剤ノズル３５３から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに溶剤Ｍを供給して、当該接合面Ｗｊの保護剤Ｐを除去していたが、保護剤Ｐの除去方法はこれに限定されない。例えばダイシングフレームＦを上昇させて、溶剤ノズル３５３から供給された溶剤Ｍに接合面Ｗｊの保護剤Ｐを浸漬させて除去してもよい。

かかる場合、例えば図２４に示す第１洗浄装置１５１が用いられる。第１洗浄装置１５１の処理容器３００内には、保持部３１０の周囲において、ダイシングフレームＦを昇降させる昇降機構５００が設けられる。昇降機構５００は、ボールベア５０１と、支持部材５０２と、駆動部５０３とを備える。支持部材５０２の先端部にボールベア５０１が支持され、支持部材５０２の基端部に駆動部５０３が設けられる。駆動部５０３は例えばモータなどを備え、支持部材５０２を介してボールベア５０１を昇降させる。ボールベア５０１はダイシングフレームＦの下方に配置され、当該ダイシングフレームＦに貼り付けられたダイシングテープＤに当接して、当該ダイシングフレームＦを昇降させる。

昇降機構５００は複数設けられ、ベース部５１０に支持される。ベース部５１０は、その内側に支持部材３１７を挿通させるように構成される。また、ベース部５１０は、固定機構（図示せず）によって後述するカップ３４０に固定される。

なお、昇降機構５００の構成は本実施形態に限定されず、ダイシングフレームＦを昇降させる構成であれば、任意の構成を取り得る。また、第１洗浄装置１５１の他の構成については、上記実施形態（図５）の第１洗浄装置１５１の構成と同様であるので、説明を省略する。

次に、図２４に示した第１洗浄装置１５１を用いて行われる被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの洗浄方法について説明する。図２５は、かかる洗浄処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図２６〜図３２は、洗浄処理の説明図である。なお、第１洗浄装置１５１は、制御装置３０の制御に基づき、図２５に示す各処理手順を実行する。

先ず、第１搬送装置１３１によって第１洗浄装置１５１に搬入された被処理基板Ｗは、図２６に示すように保持部３１０に受け渡され保持される（図２５のステップＡ３０１）。このとき、昇降機構５００のボールベア５０１はダイシングフレームＦを支持していない。

続いて、図２７に示すように第１アーム３５１によって待機部３５５の溶剤ノズル３５３を被処理基板Ｗの中心部上方まで移動させる。また、昇降機構５００によってダイシングフレームＦを上昇させ、当該ダイシングフレームＦを被処理基板Ｗに対して上方に配置する（図２５のステップＡ３０２）。ダイシングフレームＦの高さ位置は任意に設定できるが、保持部３１０によって被処理基板Ｗが適切に保持される位置であって、後述するように少なくとも被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの保護剤Ｐが、溶剤ノズル３５３から供給される保護剤Ｐの溶剤に浸漬する位置に設定される。具体的には、ダイシングフレームＦの表面と被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの間の距離Ｈが、例えば５ｍｍ〜１０ｍｍになるようにダイシングフレームＦは配置される。そして、このようにダイシングフレームＦを被処理基板Ｗの上方に配置することにより、ダイシングテープＤが伸び、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊには、後述する保護剤Ｐの溶剤を一時的に貯留可能な貯留空間５２０が形成される。

その後、図２８に示すように溶剤ノズル３５３から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに保護剤Ｐの溶剤Ｍを供給する（図２５のステップＡ３０３）。供給された溶剤Ｍは貯留空間５２０に貯留される。そして、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの保護剤Ｐは、この貯留空間５２０の溶剤Ｍに浸漬される。なお、所定量の溶剤Ｍが貯留空間５２０に貯留されると、溶剤ノズル３５３からの溶剤Ｍの供給を停止し、第１アーム３５１によって被処理基板Ｗの中心部上方の溶剤ノズル３５３を待機部３５５に移動させる。

所定時間経過後、図２９に示すように被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの保護剤Ｐは、溶剤Ｍによって溶解して除去される（図２５のステップＡ３０４）。このとき、例えば剥離剤Ｒが溶剤Ｍに溶解しない、或いは剥離剤Ｒが溶剤Ｍに溶解し難い場合、剥離剤Ｒは被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから浮遊した状態になる。なお、剥離剤Ｒは保護剤Ｐと同様に溶剤Ｍに溶解する場合も考えられるが、かかる場合、溶剤Ｍによって保護剤Ｐと剥離剤Ｒが溶解することで被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの洗浄処理が終了する。

その後、図３０に示すように昇降機構５００によってダイシングフレームＦを下降させる（図２５のステップＡ３０５）。そして、ダイシングテープＤが平坦になる位置にダイシングフレームＦを戻す。

その後、図３１に示すように回転機構３２０によって保持部３１０（被処理基板Ｗ）を回転させ、この遠心力によって溶剤Ｍを被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから外方に飛散させて除去する（図２５のステップＡ３０６）。飛散した溶剤Ｍはカップ３４０に回収され、排液管３４２から排出される。このとき、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊには剥離剤Ｒが残存するが、剥離剤Ｒは接合面Ｗｊに存するだけであり、接合面Ｗｊに接着されていない。

その後、図３２に示すように第２アーム３５２によって待機部３６２の吸引ノズル３６０を被処理基板Ｗの外周部上方まで移動させる。続けて、回転機構３２０によって保持部３１０（被処理基板Ｗ）を回転させながら、吸引ノズル３６０を被処理基板Ｗの一端Ｗ１から他端Ｗ２まで径方向に移動させる。そして、この吸引ノズル３６０の一端Ｗ１から他端Ｗ２までの移動中、当該吸引ノズル３６０によって剥離剤Ｒを吸引する。そうすると、吸引ノズル３６０は被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面で剥離剤Ｒを吸引することができ、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから剥離剤Ｒが除去される（図２５のステップＡ３０７）。こうして、第１洗浄装置１５１における一連の洗浄処理が終了する。

本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる、すなわち、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの保護剤Ｐが溶解することにより、剥離剤Ｒが接合面Ｗｊから浮遊する。このため、剥離剤Ｒの材質によらず、保護剤Ｐと剥離剤Ｒを共に除去することができ、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを適切に洗浄することができる。しかも、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに溶剤Ｍを供給するだけでよいので、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを短時間で洗浄することが可能となる。

また、本実施形態のようにステップＡ３０３及びＡ３０４において貯留空間５２０の溶剤Ｍに接合面Ｗｊの保護剤Ｐを浸漬させて除去する場合、例えば上記実施形態のようにいわゆるスピン法を用いた場合に比べて、さらに短時間で被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄することができる。具体的に発明者らが調べたところ、従来の方法を用いた場合には接合面Ｗｊを洗浄するのに約９００秒かかったのに対し、本実施形態の方法を用いた場合、６０秒〜６００秒で接合面Ｗｊを洗浄することができた。

また、上記実施形態のスピン法では被処理基板Ｗを回転させながら溶剤Ｍを供給するため、供給された溶剤Ｍは被処理基板Ｗから飛散し、多量の溶剤Ｍが必要となる。これに対して、本実施形態によれば、供給された溶剤Ｍは貯留空間５２０に貯留され、すべての溶剤Ｍが保護剤Ｐを溶解させるのに使用されるので無駄がない。したがって、溶剤Ｍの供給量を少量に抑えることができる。

さらに、本実施形態のように貯留空間５２０に溶剤Ｍを貯留する場合、当該溶剤ＭがダイシングフレームＦの裏面に回り込むのを抑制することができる。

以上の実施形態の第１洗浄装置１５１では、ステップＡ３０３及びＡ３０４において貯留空間５２０の溶剤Ｍに接合面Ｗｊの保護剤Ｐを浸漬させて除去する際、保持部３１０（被処理基板Ｗ）は静止しているが、この保持部３１０を回転させてもよい。

図３３に示すように貯留空間５２０に溶剤Ｍが貯留された状態で、回転機構３２０によって保持部３１０（被処理基板Ｗ）を回転させる。このとき、ボールベア５０１は回転自在に構成されているため、当該ボールベア５０１に支持されたダイシングフレームＦも回転する。かかる場合、貯留空間５２０内の溶剤Ｍに振動が付与され、当該溶剤Ｍによる保護剤Ｐの溶解が促進される。したがって、本実施形態によれば、さらに短時間で被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄することができる。

また、ステップＡ３０３及びステップＡ３０４において保持部３１０を回転させるため、例えば図３４に示す第１洗浄装置１５１を用いてもよい。この第１洗浄装置１５１では、昇降機構５００を支持するベース部５１０は、複数の支持部材５３０を介して保持部３１０も支持する。また、上記実施形態で保持部３１０を直接支持していたが支持部材３１７は、本実施形態ではベース部５１０を支持する。そして、回転機構３２０によってベース部５１０が回転することで、保持部３１０及び支持部材３１７（被処理基板Ｗ）と昇降機構５００（ダイシングフレームＦ）が一体に回転する。かかる場合においても、貯留空間５２０に溶剤Ｍが貯留された状態で、被処理基板ＷとダイシングフレームＦが回転するので、より短時間で被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄することができる。

上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持されることを要しない。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１ 剥離システム
１０ 第１処理ブロック
１１ 搬入出ステーション
１３ 第１搬送領域
１４ 剥離ステーション
１５ 第１洗浄ステーション
２０ 第２処理ブロック
２４ 第２搬送領域
２５ 搬出ステーション
３０ 制御装置
１３１ 第１搬送装置
１４１、１４２ 剥離装置
１５１、１５２ 第１洗浄装置
２４１ 第２搬送装置
３１０ 保持部
３２０ 回転機構
３５３ 溶剤ノズル
３６０ 吸引ノズル
３６１ ノズル駆動部
３６３ 接続部材
３６４ 吸引管
３６５ 廃棄容器
３７０ メッシュ板
３７３ 開口部
４００ パッド
４１０ パッド
４２０ 振動機構
４３０ スクリュー
４３１ スクリュー軸
Ｄ ダイシングテープ
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｍ 溶剤
Ｐ 保護剤
Ｒ 剥離剤
Ｓ 支持基板
Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板

Claims (21)

1. 被処理基板と支持基板の間において被処理基板側から順に保護剤、剥離剤及び接着剤が積層されて当該被処理基板と支持基板が接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、
   前記被処理基板の接合面に前記保護剤の溶剤を供給する溶剤ノズルと、
   前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤を吸引する吸引ノズルと、
   前記吸引ノズルで吸引された前記剥離剤を回収する廃棄容器と、
   少なくとも前記吸引ノズルの内部又は前記吸引ノズルと前記廃棄容器との間に設けられ、前記剥離剤を細断する細断部と、を有することを特徴とする、洗浄装置。
2. 前記細断部を複数有することを特徴とする、請求項１に記載の洗浄装置。
3. 前記細断部は、複数の開口部を備えたメッシュ板を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄装置。
4. 前記細断部は、回転自在のスクリュー軸の外周面に形成されたスクリューを有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の洗浄装置。
5. 前記吸引ノズルの先端部に設けられ、前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤に当接する中空のパッドをさらに有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の洗浄装置。
6. 前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が拡大するテーパ形状を有することを特徴とする、請求項５に記載の洗浄装置。
7. 前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が縮小するテーパ形状を有することを特徴とする、請求項５に記載の洗浄装置。
8. 前記吸引ノズルに吸引される前記剥離剤に振動を付与する振動機構をさらに有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の洗浄装置。
9. 前記被処理基板を回転させる回転機構と、
   前記吸引ノズルを前記被処理基板の径方向に移動させる移動機構と、をさらに有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の洗浄装置。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の洗浄装置を備えた剥離システムであって、
    前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、
    前記支持基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、
    前記第１処理ブロックは、
    前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、
    前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、
    前記洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、
    前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び前記洗浄ステーションの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、
    前記第２処理ブロックは、
    前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
    前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴とする、剥離システム。
11. 被処理基板と支持基板の間において被処理基板側から順に保護剤、剥離剤及び接着剤が積層されて当該被処理基板と支持基板が接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、
    溶剤ノズルから前記被処理基板の接合面に前記保護剤の溶剤を供給して、当該接合面から前記保護剤を除去する保護剤除去工程と、
    前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤を吸引ノズルで吸引して、当該接合面から前記剥離剤を除去する剥離剤除去工程と、を有し、
    前記剥離剤除去工程において、前記剥離剤を前記吸引ノズルで吸引してから廃棄容器に回収する間に、当該剥離剤は細断部で細断されることを特徴とする、洗浄方法。
12. 前記細断部は、少なくとも前記吸引ノズルの内部又は前記吸引ノズルと前記廃棄容器との間に複数設けられていることを特徴とする、請求項１１に記載の洗浄方法。
13. 前記細断部は、複数の開口部を備えたメッシュ板を有し、
    前記剥離剤除去工程において、前記剥離剤は前記メッシュ板を通過して細断されることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の洗浄方法。
14. 前記細断部は、回転自在のスクリュー軸の外周面に形成されたスクリューを有し、
    前記剥離剤除去工程において、回転中の前記スクリューによって前記剥離剤は細断されることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の洗浄方法。
15. 前記吸引ノズルの先端部には中空のパッドが設けられ、
    前記剥離剤除去工程において、前記パッドが前記被処理基板の接合面から剥離した前記剥離剤に当接した状態で、当該剥離剤を前記吸引ノズルで吸引することを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の洗浄方法。
16. 前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が拡大するテーパ形状を有することを特徴とする、請求項１５に記載の洗浄方法。
17. 前記パッドは、前記吸引ノズルの先端部から前記剥離剤に向かって径が縮小するテーパ形状を有することを特徴とする、請求項１５に記載の洗浄方法。
18. 前記剥離剤除去工程において、前記吸引ノズルに吸引される前記剥離剤に振動を付与することを特徴とする、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の洗浄方法。
19. 前記剥離剤除去工程において、前記被処理基板を回転させながら、前記吸引ノズルを前記被処理基板の径方向に移動させて、前記剥離剤を除去することを特徴とする、請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の洗浄方法。
20. 請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
21. 請求項２０に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。

Images