KR20140005913A - 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 박리 시스템은, 피처리 기판, 지지 기판 또는 이들이 접착된 중합 기판을 반출입하는 반출입 스테이션과, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판에 소정의 처리를 행하는 박리 처리 스테이션과, 반출입 스테이션과 박리 처리 스테이션 사이에 설치된 반송 스테이션을 갖고, 박리 처리 스테이션은, 중합 기판을 박리하는 박리 장치와, 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치를 갖고, 반송 스테이션 내의 압력은, 박리 장치 내의 압력, 제1 세정 장치 내의 압력 및 제2 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이고, 반송 장치 내의 압력은 박리 장치 내의 압력 및 제1 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이다.

Description

박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{PEELING SYSTEM, PEELING METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}
본 발명은 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 시스템, 그 박리 시스템을 사용한 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
최근, 예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 함)의 대구경화가 진행되고 있다. 또한, 실장 등의 특정한 공정에 있어서, 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있다. 예를 들어 대구경이며 얇은 웨이퍼를, 그대로 반송하거나, 연마 처리하거나 하면, 웨이퍼에 휨이나 균열이 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 보강하기 위해서, 예를 들어 지지 기판인 웨이퍼나 글래스 기판에 웨이퍼를 부착하는 것이 행해지고 있다. 그리고, 이와 같이 웨이퍼와 지지 기판이 접합된 상태에서 웨이퍼의 연마 처리 등의 소정의 처리가 행해진 후, 웨이퍼와 지지 기판이 박리된다.
이러한 웨이퍼와 지지 기판의 박리는, 예를 들어 박리 장치를 사용해서 행해진다. 박리 장치는, 예를 들어 웨이퍼를 유지하는 제1 홀더와, 지지 기판을 유지하는 제2 홀더와, 웨이퍼와 지지 기판 사이에 액체를 분사하는 노즐을 갖고 있다. 그리고, 이 박리 장치에서는, 노즐로부터 접합된 웨이퍼와 지지 기판 사이에, 그 웨이퍼와 지지 기판 사이의 접합 강도보다 큰 분사압, 바람직하게는 접합 강도보다 2배 이상 큰 분사압으로 액체를 분사함으로써, 웨이퍼와 지지 기판의 박리가 행해지고 있다(특허문헌 1).
일본 특허 공개평 9-167724호 공보
그런데, 웨이퍼와 지지 기판의 박리 처리는, 전술한 바와 같이 웨이퍼와 지지 기판을 박리한 후, 이들 웨이퍼의 접합면과 지지 기판의 접합면을 각각 세정하여 종료된다.
그러나, 박리 장치에 있어서는, 세정 전의 웨이퍼와 지지 웨이퍼를 취급하기 때문에, 박리 처리에 수반하여 발생한 오염이 박리 장치 내에 부착되어, 그 박리 장치로부터 파티클이 발생하게 된다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 박리 장치에 의해 피처리 기판과 지지 기판의 박리 처리를 행할 때에 발생하는 파티클이, 그 박리 장치의 외부로 확산되는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을, 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 시스템으로서, 피처리 기판, 지지 기판 및 중합 기판에 소정의 처리를 행하는 박리 처리 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션에 대해, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반출입하는 반출입 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션과 상기 반출입 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반송하는 반송 스테이션을 갖고 있다. 그리고, 상기 박리 처리 스테이션은, 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치와, 상기 박리 장치와 상기 제1 세정 장치 사이에서, 피처리 기판을 반송하는 반송 장치를 갖고 있다. 그리고, 상기 반송 스테이션 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력, 상기 제1 세정 장치 내의 압력 및 상기 제2 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이고, 상기 반송 장치 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력 및 상기 제1 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이다.
본 발명의 박리 시스템에 따르면, 반송 스테이션 내의 압력이 박리 장치 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있으므로, 반송 스테이션으로부터 박리 장치를 향하는 기류가 발생한다. 또한, 반송 장치 내의 압력이 박리 장치 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있으므로, 반송 장치로부터 박리 장치를 향하는 기류가 발생한다. 즉, 박리 장치로부터 외부로 분위기가 유출되는 것은 없다. 따라서, 박리 장치로부터 외부로 파티클이 유출되는 것은 없다. 이에 의해, 피처리 기판과 지지 기판의 박리 처리를 행할 때에 발생하는 파티클이, 박리 장치의 외부로 확산되는 것을 억제할 수 있다.
다른 관점에 따른 본 발명은, 박리 시스템을 사용해서, 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을, 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 방법으로서, 상기 박리 시스템은, 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치를 구비한 박리 처리 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션에 대해, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반출입하는 반출입 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션과 상기 반출입 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반송하는 반송 스테이션을 갖고 있다. 그리고 상기 박리 방법은, 상기 박리 장치에 있어서, 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 공정과, 상기 제1 세정 장치에 있어서, 상기 박리 공정에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 공정과, 상기 제2 세정 장치에 있어서, 상기 박리 공정에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 공정을 갖고 있다. 그리고 상기 반송 스테이션 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력, 상기 제1 세정 장치 내의 압력 및 상기 제2 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이고, 상기 반송 장치 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력 및 상기 제1 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이다.
또 다른 관점에 따른 본 발명은, 상기 박리 방법을 박리 시스템에 의해 실행시키기 위해서, 그 박리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이다.
본 발명에 따르면, 박리 처리에 의해 피처리 기판과 지지 기판의 박리 처리를 행할 때에 발생하는 파티클이, 그 박리 장치의 외부로 확산되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 2는 피처리 웨이퍼와 지지 웨이퍼의 측면도.
도 3은 박리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 4는 제1 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 5는 제1 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 6은 제2 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 7은 제2 반송 장치의 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 8은 박리 시스템 내에 발생하는 기류의 설명도.
도 9는 박리 처리의 주된 공정을 나타내는 플로우차트.
도 10은 제1 유지부와 제2 유지부에서 중합 웨이퍼를 유지한 모습을 도시하는 설명도.
도 11은 제2 유지부를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 모습을 도시하는 설명도.
도 12는 피처리 웨이퍼와 지지 웨이퍼를 박리한 모습을 도시하는 설명도.
도 13은 제1 유지부로부터 베르누이 척에 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도.
도 14는 베르누이 척으로부터 포러스 척에 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도.
도 15는 다른 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 16은 다른 실시 형태에 있어서의 피처리 웨이퍼를 회수하는 카세트 재치대의 위치를 도시하는 설명도.
도 17은 도 8의 박리 시스템의 변형예.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
박리 시스템(1)에서는, 도 2에 도시한 바와 같이 피처리 기판으로서의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 기판으로서의 지지 웨이퍼(S)가 접착제(G)로 접합된 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)를, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리한다. 이하, 피처리 웨이퍼(W)에 있어서, 접착제(G)를 개재해서 지지 웨이퍼(S)와 접합되는 면을 「접합면(WJ)」이라 하고, 그 접합면(WJ)의 반대측의 면을 「비접합면(WN)」이라 한다. 마찬가지로, 지지 웨이퍼(S)에 있어서, 접착제(G)를 개재해서 피처리 웨이퍼(W)와 접합되는 면을 「접합면(SJ)」이라 하고, 「비접합면(SN)」이라 한다. 또한, 피처리 웨이퍼(W)는, 제품으로 되는 웨이퍼이며, 예를 들어 접합면(WJ)에 복수의 전자 회로가 형성되어 있다. 또한 피처리 웨이퍼(W)는, 예를 들어 비접합면(WN)이 연마 처리되어, 박형화(예를 들어 두께가 50㎛)되어 있다. 지지 웨이퍼(S)는, 피처리 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 직경을 갖고, 그 피처리 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 지지 기판으로서 웨이퍼를 사용한 경우에 대해서 설명하지만, 예를 들어 글래스 기판 등의 다른 기판을 사용하여도 된다.
박리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 각각 수용 가능한 카세트(CW, CS, CT)가 반출입되는 반출입 스테이션(2)과, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)에 대해 소정의 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비한 박리 처리 스테이션(3)과, 박리 처리 스테이션(3)에 인접하는 후처리 스테이션(4)과의 사이에서 피처리 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)과, 후처리 스테이션(4)에 전달하기 전의 피처리 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(6)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
반출입 스테이션(2)과 박리 처리 스테이션(3)은, X 방향(도 1 중 상하 방향)으로 배열하여 배치되어 있다. 이들 반출입 스테이션(2)과 박리 처리 스테이션(3) 사이에는, 반송 스테이션(7)이 설치되어 있다. 인터페이스 스테이션(5)은, 박리 처리 스테이션(3)의 Y 방향 부방향측(도 1 중 좌측 방향측)으로 배치되어 있다. 또한, 검사 장치(6)는 인터페이스 스테이션(5)의 X 방향 정방향측(도 1 중 상측 방향측)에 배치되어 있고, 인터페이스 스테이션(5)을 사이에 두고 검사 장치(6)의 반대측, 즉 인터페이스 스테이션(5)의 X 방향 부방향측에는, 검사 후의 피처리 웨이퍼(W)를 세정하는 검사 후 세정 장치(8)가 배치되어 있다.
반출입 스테이션(2)에는, 카세트 재치대(10)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(10)에는, 복수, 예를 들어 3개의 카세트 재치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 재치판(11)은, Y 방향(도 1 중 좌우 방향)으로 일렬로 배열하여 배치되어 있다. 이들 카세트 재치판(11)에는, 박리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(CW, CS, CT)를 반출입할 때에 카세트(CW, CS, CT)를 재치할 수 있다. 이와 같이 반출입 스테이션(2)은 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 보유 가능하게 구성되어 있다. 또한, 카세트 재치판(11)의 개수는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다. 또한, 반출입 스테이션(2)에 반입된 복수의 중합 웨이퍼(T)에는 미리 검사가 행하여져 있고, 정상의 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)와 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)로 판별되어 있다.
반송 스테이션(7)의 내부에 형성된 웨이퍼 반송 영역(9)에는, 반송 기구(20)가 배치되어 있다. 반송 기구(20)는, 예를 들어 연직 방향, 수평 방향(Y 방향, X 방향) 및 연직축을 중심으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 반송 기구(20)는 웨이퍼 반송 영역(9) 내를 이동하여, 반출입 스테이션(2)과 박리 처리 스테이션(3) 사이에서 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)를 반송할 수 있다. 반송 스테이션(7)의 내부, 즉 웨이퍼 반송 영역(9)에는, 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 영역(9)의 내부의 분위기는, 배기구(도시하지 않음)로부터 배기된다.
박리 처리 스테이션(3)은 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리하는 박리 장치(30)를 갖고 있다. 박리 장치(30)의 Y 방향 부방향측(도 1 중 좌측 방향측)에는, 박리된 피처리 웨이퍼(W)를 세정하는 제1 세정 장치(31)가 배치되어 있다. 박리 장치(30)와 제1 세정 장치(31) 사이에는, 반송 장치(32)가 설치되어 있다. 또한, 박리 장치(30)의 Y 방향 정방향측(도 1 중 우측 방향측)에는, 박리된 지지 웨이퍼(S)를 세정하는 제2 세정 장치(33)가 배치되어 있다. 이와 같이 박리 처리 스테이션(3)에는, 제1 세정 장치(31), 반송 장치(32), 박리 장치(30), 제2 세정 장치(33)가, 인터페이스 스테이션(5)측으로부터 이 순서대로 나란히 배치되어 있다.
검사 장치(6)에서는, 박리 장치(30)에 의해 박리된 피처리 웨이퍼(W) 상의 접착제(G)의 잔사의 유무가 검사된다. 또한, 검사 후 세정 장치(8)에서는, 검사 장치(6)에서 접착제(G)의 잔사가 확인된 피처리 웨이퍼(W)의 세정이 행해진다. 이 검사 후 세정 장치(8)는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정하는 접합면 세정부(8a), 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)을 세정하는 비접합면 세정부(8b), 피처리 웨이퍼(W)를 상하 반전시키는 반전부(8c)를 갖고 있다.
인터페이스 스테이션(5)에는, Y 방향으로 연신하는 반송로(40) 상을 이동 가능한 다른 반송 기구로서의 반송 기구(41)가 설치되어 있다. 반송 기구(41)는, 연직 방향 및 연직축을 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 박리 처리 스테이션(3), 후처리 스테이션(4), 검사 장치(6) 및 검사 후 세정 장치(8) 사이에서 피처리 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 인터페이스 스테이션(5)의 내부에는, 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 그리고, 인터페이스 스테이션(5)의 내부의 분위기는, 배기구(도시하지 않음)로부터 배기된다.
또한, 후처리 스테이션(4)에서는, 박리 처리 스테이션(3)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리를 행한다. 소정의 후처리로서, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)를 마운트하는 처리나, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로의 전기적 특성의 검사를 행하는 처리, 피처리 웨이퍼(W)를 칩마다 다이싱하는 처리 등이 행해진다. 또한, 후처리 스테이션(4)의 내부에도, 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 그리고, 후처리 스테이션(4)의 내부의 분위기는, 배기구(도시하지 않음)로부터 배기된다.
이어서, 전술한 박리 장치(30)의 구성에 대해서 설명한다. 박리 장치(30)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 그 내부에 복수의 기기를 수용하는 하우징(100)을 갖고 있다. 하우징(100)의 측면에는, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 반출입구(도시하지 않음)가 형성되고, 그 반출입구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서의 하우징(100)은, 예를 들어 스테인리스 스틸의 박판 등으로 구성된 것이며, 그 내부를 밀폐하는 것은 아니지만, 하우징(100)의 구조는 본 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 내부를 밀폐 가능한 기밀 용기이어도 된다.
하우징(100)의 저면에는, 그 하우징(100)의 내부의 분위기를 배기하는 배기구(101)가 형성되어 있다. 배기구(101)에는, 예를 들어 진공 펌프 등의 배기 장치(102)에 연통하는 배기관(103)이 접속되어 있다. 그리고, 배기구(101)로부터 하우징(100) 내부의 분위기를 배기함으로써, 하우징(100) 내부에 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다.
하우징(100)의 내부에는, 피처리 웨이퍼(W)를 하면에서 흡착 유지하는 제1 유지부(110)와, 지지 웨이퍼(S)를 상면에서 재치하여 유지하는 제2 유지부(111)가 설치되어 있다. 제1 유지부(110)는, 제2 유지부(111)의 상방에 설치되고, 제2 유지부(111)와 대향하도록 배치되어 있다. 즉, 하우징(100)의 내부에서는, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태에서, 중합 웨이퍼(T)에 대하여 박리 처리가 행해진다.
제1 유지부(110)에는, 예를 들어 포러스 척이 사용되고 있다. 제1 유지부(110)는, 평판 형상의 본체부(120)를 갖고 있다. 본체부(120)의 하면측에는, 다공질체(121)가 형성되어 있다. 다공질체(121)는, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)와 거의 동일한 직경을 갖고, 그 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)과 맞닿아 있다. 또한, 다공질체(121)로서는 예를 들어 탄화규소가 사용된다.
또한, 본체부(120)의 내부이며 다공질체(121)의 상방에는 흡인 공간(122)이 형성되어 있다. 흡인 공간(122)은, 예를 들어 다공질체(121)를 덮도록 형성되어 있다. 흡인 공간(122)에는, 흡인관(123)이 접속되어 있다. 흡인관(123)은, 예를 들어 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그리고, 흡인관(123)으로부터 흡인 공간(122)과 다공질체(121)를 통해서 피처리 웨이퍼의 비접합면(WN)이 흡인되어 그 피처리 웨이퍼(W)가 제1 유지부(110)에 흡착 유지된다.
또한, 본체부(120)의 내부이며 흡인 공간(122)의 상방에는, 피처리 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 기구(124)가 설치되어 있다. 가열 기구(124)에는, 예를 들어 히터가 사용된다.
제1 유지부(110)의 상면에는, 그 제1 유지부(110)를 지지하는 지지판(130)이 설치되어 있다. 지지판(130)은, 하우징(100)의 천정면에 지지되어 있다. 또한, 본 실시 형태의 지지판(130)을 생략하고, 제1 유지부(110)는 하우징(100)의 천정면에 맞닿아 지지되어도 된다.
제2 유지부(111)의 내부에는, 지지 웨이퍼(S)를 흡착 유지하기 위한 흡인관(140)이 설치되어 있다. 흡인관(140)은, 예를 들어 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
또한, 제2 유지부(111)의 내부에는, 지지 웨이퍼(S)를 가열하는 가열 기구(141)가 설치되어 있다. 가열 기구(141)에는, 예를 들어 히터가 사용된다.
제2 유지부(111)의 하방에는, 제2 유지부(111) 및 지지 웨이퍼(S)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구(150)가 설치되어 있다. 이동 기구(150)는, 제2 유지부(111)를 연직 방향으로 이동시키는 연직 이동부(151)와, 제2 유지부(111)를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동부(152)를 갖고 있다.
연직 이동부(151)는, 제2 유지부(111)의 하면을 지지하는 지지판(160)과, 지지판(160)을 승강시키는 구동부(161)와, 지지판(160)을 지지하는 지지 부재(162)를 갖고 있다. 구동부(161)는, 예를 들어 볼 나사(도시하지 않음)와 그 볼 나사를 회동시키는 모터(도시하지 않음)를 갖고 있다. 또한, 지지 부재(162)는, 연직 방향으로 신축 가능하게 구성되고, 지지판(160)과 후술하는 지지체(171) 사이에 예를 들어 3군데에 설치되어 있다.
수평 이동부(152)는, X 방향(도 3 중 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(170)과, 레일(170)에 장착되는 지지체(171)와, 지지체(171)를 레일(170)을 따라 이동시키는 구동부(172)를 갖고 있다. 구동부(172)는, 예를 들어 볼 나사(도시하지 않음)와 그 볼 나사를 회동시키는 모터(도시하지 않음)를 갖고 있다.
또한, 제2 유지부(111)의 하방에는, 중합 웨이퍼(T) 또는 지지 웨이퍼(S)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 승강 핀은 제2 유지부(111)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)을 관통하여, 제2 유지부(111)의 상면으로부터 돌출 가능하게 되어 있다.
이어서, 전술한 제1 세정 장치(31)의 구성에 대해서 설명한다. 제1 세정 장치(31)는, 도 4에 도시한 바와 같이 하우징(180)을 갖고 있다. 하우징(180)의 측면에는, 피처리 웨이퍼(W)의 반출입구(도시하지 않음)가 형성되고, 그 반출입구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
하우징(180) 내의 중앙부에는, 피처리 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 포러스 척(190)이 설치되어 있다. 포러스 척(190)은, 평판 형상의 본체부(191)와, 본체부(191)의 상면측에 형성된 다공질체(192)를 갖고 있다. 다공질체(192)는, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)와 거의 동일한 직경을 갖고, 그 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)과 맞닿아 있다. 또한, 다공질체(192)로서는 예를 들어 탄화규소가 사용된다. 다공질체(192)에는 흡인관(도시하지 않음)이 접속되고, 그 흡인관으로부터 다공질체(192)를 통해서 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)을 흡인함으로써, 그 피처리 웨이퍼(W)를 포러스 척(190) 위에 흡착 유지할 수 있다.
포러스 척(190)의 하방에는, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동부(193)가 설치되어 있다. 포러스 척(190)은, 척 구동부(193)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(193)에는, 예를 들어 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 포러스 척(190)은 승강 가능하게 되어 있다.
포러스 척(190) 주위에는, 피처리 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아서, 회수하는 컵(194)이 설치되어 있다. 컵(194)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(195)과, 컵(194) 내의 분위기를 진공화하여 배기하는 배기관(196)이 접속되어 있다. 또한, 세정 장치(31)의 하우징(180)의 내부에는, 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 그리고, 배기관(196)은, 하우징(180)의 내부의 분위기도 배기한다.
도 5에 도시한 바와 같이 컵(194)의 X 방향 부방향(도 5 중 하측 방향)측에는, Y 방향(도 5 중 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(200)이 형성되어 있다. 레일(200)은, 예를 들어 컵(194)의 Y 방향 부방향(도 5 중 좌측 방향)측의 외방으로부터 Y 방향 정방향(도 5 중 우측 방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(200)에는, 아암(201)이 장착되어 있다.
아암(201)에는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 피처리 웨이퍼(W)에 세정액, 예를 들어 유기 용제를 공급하는 세정액 노즐(203)이 지지되어 있다. 아암(201)은, 도 5에 도시하는 노즐 구동부(204)에 의해, 레일(200) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 세정액 노즐(203)은, 컵(194)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(205)로부터 컵(194) 내의 피처리 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 그 피처리 웨이퍼(W) 상을 피처리 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 아암(201)은 노즐 구동부(204)에 의해 승강 가능하며, 세정액 노즐(203)의 높이를 조절할 수 있다.
세정액 노즐(203)에는, 예를 들어 2유체 노즐이 사용된다. 세정액 노즐(203)에는, 도 4에 도시한 바와 같이 그 세정액 노즐(203)에 세정액을 공급하는 공급관(210)이 접속되어 있다. 공급관(210)은 내부에 세정액을 저류하는 세정액 공급원(211)에 연통하고 있다. 공급관(210)에는 세정액의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(212)이 설치되어 있다. 또한, 세정액 노즐(203)에는, 그 세정액 노즐(203)에 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스를 공급하는 공급관(213)이 접속되어 있다. 공급관(213)은 내부에 불활성 가스를 저류하는 가스 공급원(214)에 연통하고 있다. 공급관(213)에는 불활성 가스의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(215)이 설치되어 있다. 그리고, 세정액과 불활성 가스는 세정액 노즐(203) 내에서 혼합되어, 그 세정액 노즐(203)로부터 피처리 웨이퍼(W)에 공급된다. 또한, 이하에 있어서는, 세정액과 불활성 가스를 혼합한 것을 간단히 「세정액」이라고 하는 경우가 있다.
또한, 포러스 척(190)의 하방에는, 피처리 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 승강 핀은 포러스 척(190)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)을 관통하여, 포러스 척(190)의 상면으로부터 돌출 가능하게 되어 있다. 그리고, 포러스 척(190)을 승강시키는 대신에 승강 핀을 승강시켜, 포러스 척(190)과의 사이에서 피처리 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 또한, 전술한 검사 후 세정 장치(8)의 접합면 세정부(8a)와 비접합면 세정부(8b)의 구성은, 내부에 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있는 것을 비롯하여, 이 제1 세정 장치(31)와 마찬가지이므로, 접합면 세정부(8a)와 비접합면 세정부(8b)에 대해서는 설명을 생략한다.
또한, 제2 세정 장치(33)의 구성은, 전술한 제1 세정 장치(31)의 구성과 거의 마찬가지이다. 제2 세정 장치(33)에는, 도 6에 도시한 바와 같이 제1 세정 장치(31)의 포러스 척(190) 대신에, 스핀 척(220)이 설치된다. 스핀 척(220)은, 수평한 상면을 갖고, 그 상면에는, 예를 들어 지지 웨이퍼(S)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 지지 웨이퍼(S)를 스핀 척(220) 위에 흡착 유지할 수 있다. 제2 세정 장치(33)의 그 밖의 구성은, 내부에 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있는 것을 비롯하여, 전술한 제1 세정 장치(31)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
또한, 제2 세정 장치(33)에 있어서, 스핀 척(220)의 하방에는, 피처리 웨이퍼(W)의 이면, 즉 비접합면(WN)을 향하여 세정액을 분사하는 백린스 노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 이 백린스 노즐로부터 분사되는 세정액에 의해, 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)과 피처리 웨이퍼(W)의 외주부가 세정된다.
이어서, 전술한 반송 장치(32)의 구성에 대해서 설명한다. 반송 장치(32)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 세정 장치(31), 박리 장치(30) 및 웨이퍼 반송 영역(9)에 의해 둘러싸인 영역인, 웨이퍼 반송 영역(230)에 설치된 반송 기구(231)를 갖고 있다. 반송 기구(231)는, 도 7에 도시한 바와 같이 피처리 웨이퍼(W)를 유지하는 베르누이 척(232)을 갖고 있다. 베르누이 척(232)은 공기를 분출함으로써 피처리 웨이퍼(W)를 부유시켜, 비접촉 상태에서 피처리 웨이퍼(W)를 흡인 현수하여 유지할 수 있다. 베르누이 척(232)은 지지 아암(233)에 지지되어 있다. 지지 아암(233)은, 제1 구동부(234)에 지지되어 있다. 이 제1 구동부(234)에 의해, 지지 아암(233)은 수평축을 중심으로 회동 가능하며, 또한 수평 방향으로 신축할 수 있다. 제1 구동부(234)의 하방에는, 제2 구동부(235)가 설치되어 있다. 이 제2 구동부(235)에 의해, 제1 구동부(234)는 연직축을 중심으로 회전 가능하며, 또한 연직 방향으로 승강할 수 있다. 또한, 반송 장치(32)의 내부, 즉 웨이퍼 반송 영역(230)에는, 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 영역(230)의 내부의 분위기는, 배기구(도시하지 않음)로부터 배기된다.
또한, 반송 기구(41)는, 전술한 반송 장치(32)의 반송 기구(231)와 마찬가지의 구성을 갖고 있으므로 설명을 생략한다. 단, 반송 기구(41)의 제2 구동부(235)는, 도 1에 도시한 반송로(40)에 장착되고, 반송 기구(41)는 반송로(40) 상을 이동 가능하게 되어 있다.
이상의 박리 시스템(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 제어부(300)가 설치되어 있다. 제어부(300)는, 예를 들어 컴퓨터이고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 박리 시스템(1)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 전술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 박리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 박리 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있는 것으로, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 이상과 같이 구성된 박리 시스템(1)에 있어서 중합 웨이퍼(T)의 박리 처리를 행할 때, 그 박리 시스템(1) 내에 발생하는 기류에 대해 도 8에 기초하여 설명한다. 또한, 도 8 중 화살표는 기류의 방향을 나타내고 있다.
박리 시스템(1)에서는, 후처리 스테이션(4), 인터페이스 스테이션(5) 및 박리 처리 스테이션(3) 중, 후처리 스테이션 내의 압력이 가장 고압으로 되고, 박리 처리 스테이션(3) 내의 압력이, 가장 저압으로 된다. 따라서, 후처리 스테이션(4) 내의 압력은 인터페이스 스테이션(5) 내의 압력에 대해 정압으로 되기 때문에, 후처리 스테이션(4)으로부터 인터페이스 스테이션(5)을 향하는 기류가 발생한다. 또한, 인터페이스 스테이션(5) 내의 압력은 박리 처리 스테이션(3) 내의 압력에 대해 정압으로 되기 때문에, 인터페이스 스테이션(5)으로부터는, 박리 처리 스테이션(3)을 향하는 기류가 발생한다.
또한, 인터페이스 스테이션(5) 내의 압력은, 검사 장치(6) 내의 압력에 대해 부압이고, 검사 후 세정 장치(8)의 접합면 세정부(8a), 비접합면 세정부(8b) 및 반전부(8c)에 대해 정압으로 되어 있다. 이 에 의해, 검사 장치(6)로부터 인터페이스 스테이션(5)을 향하는 기류와, 인터페이스 스테이션(5)으로부터 검사 후 세정 장치(8)의 접합면 세정부(8a), 비접합면 세정부(8b) 및 반전부(8c)를 각각 향하는 기류가 발생한다.
또한, 반송 스테이션(7) 내의 압력은, 박리 처리 스테이션(3)의 박리 장치(30) 내의 압력, 제1 세정 장치(31) 내의 압력 및 제2 세정 장치(33) 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있다. 이에 의해, 반송 스테이션(7)으로부터 박리 장치(30), 제1 세정 장치(31) 및 제2 세정 장치(33)를 각각 향하는 기류가 발생한다.
또한, 반송 장치(32) 내의 압력은, 박리 장치(30) 내의 압력 및 제2 세정 장치 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있다. 이에 의해, 반송 장치(32)로부터 박리 장치(30) 및 제2 세정 장치(31)를 각각 향하는 기류가 발생한다.
이어서, 이상과 같이 구성된 박리 시스템(1)을 사용해서 행해지는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리 방법에 대해서 설명한다. 도 9는 이러한 박리 처리의 주된 공정의 예를 나타내는 플로우 차트이다.
우선, 복수매의 중합 웨이퍼(T)를 수용한 카세트(CT), 빈 카세트(CW) 및 빈 카세트(CS)가, 반출입 스테이션(2)의 소정의 카세트 재치판(11)에 재치된다. 반송 기구(20)에 의해 카세트(CT) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출되어, 박리 처리 스테이션(3)의 박리 장치(30)로 반송된다. 이때, 중합 웨이퍼(T)는 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태에서 반송된다.
박리 장치(30)로 반입된 중합 웨이퍼(T)는, 제2 유지부(111)에 흡착 유지된다. 그 후, 이동 기구(150)에 의해 제2 유지부(111)를 상승시키고, 도 10에 도시한 바와 같이 제1 유지부(110)와 제2 유지부(111)는 중합 웨이퍼(T)를 사이에 두고 유지한다. 이때, 제1 유지부(110)에 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)이 흡착 유지되고, 제2 유지부(111)에 지지 웨이퍼(S)의 비접합면(SN)이 흡착 유지된다.
그 후, 가열 기구(124, 141)에 의해 중합 웨이퍼(T)가 소정의 온도, 예를 들어 200℃로 가열된다. 그렇게 하면, 중합 웨이퍼(T) 중 접착제(G)가 연화된다.
계속해서, 가열 기구(124, 141)에 의해 중합 웨이퍼(T)를 가열하여 접착제(G)의 연화 상태를 유지하면서, 도 11에 도시한 바와 같이 이동 기구(150)에 의해 제2 유지부(111)와 지지 웨이퍼(S)를 연직 방향 및 수평 방향, 즉 경사 하방으로 이동시킨다. 그리고, 도 12에 도시한 바와 같이 제1 유지부(110)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)와, 제2 유지부(111)에 유지된 지지 웨이퍼(S)가 박리된다(도 9의 공정 A1).
이때, 제2 유지부(111)는, 연직 방향으로 100㎛ 이동하고, 또한 수평 방향으로 300㎜ 이동한다. 여기서, 본 실시 형태에서는, 중합 웨이퍼(T) 중 접착제(G)의 두께는 예를 들어 30㎛ ~ 40㎛이며, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 형성된 전자 회로(범프)의 높이는 예를 들어 20㎛이다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로와 지지 웨이퍼(S) 사이의 거리가 미소로 된다. 따라서, 예를 들어 제2 유지부(111)를 수평 방향으로만 이동시킨 경우, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)가 접촉하여, 전자 회로가 손상을 입을 우려가 있다. 이러한 점에서, 본 실시 형태와 같이 제2 유지부(111)를 수평 방향으로 이동시킴과 함께 연직 방향으로도 이동시킴으로써, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)의 접촉을 피하여, 전자 회로의 손상을 억제할 수 있다. 또한, 이 제2 유지부(111)의 연직 방향의 이동 거리와 수평 방향의 이동 거리의 비율은, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로(범프)의 높이에 기초하여 설정된다.
그 후, 박리 장치(30)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 기구(231)에 의해 제1 세정 장치(31)로 반송된다. 여기서, 반송 기구(231)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송 방법에 대해서 설명한다.
도 13에 도시한 바와 같이 지지 아암(233)을 신장시켜, 베르누이 척(232)을 제1 유지부(110)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)의 하방에 배치한다. 그 후, 베르누이 척(232)을 상승시키고, 제1 유지부(110)에 있어서의 흡인관(123)으로부터의 피처리 웨이퍼(W)의 흡인을 정지한다. 그리고, 제1 유지부(110)로부터 베르누이 척(232)에 피처리 웨이퍼(W)가 전달된다. 이때, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 베르누이 척(232)에 유지되지만, 베르누이 척(232)은 비접촉 상태에서 피처리 웨이퍼(W)가 유지되기 때문에, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 상의 전자 회로가 손상을 입지 않는다.
다음으로 도 14에 도시한 바와 같이, 지지 아암(233)을 회동시켜 베르누이 척(232)을 제1 세정 장치(31)의 포러스 척(190)의 상방으로 이동시킴과 함께, 베르누이 척(232)을 반전시켜 피처리 웨이퍼(W)를 하방으로 향하게 한다. 이때, 포러스 척(190)을 컵(194)보다도 상방까지 상승시켜 대기시켜 둔다. 그 후, 베르누이 척(232)으로부터 포러스 척(190)에 피처리 웨이퍼(W)가 전달되어 흡착 유지된다.
이와 같이 포러스 척(190)에 피처리 웨이퍼(W)가 흡착 유지되면, 포러스 척(190)을 소정의 위치까지 하강시킨다. 계속해서, 아암(201)에 의해 대기부(205)의 세정액 노즐(203)을 피처리 웨이퍼(W)의 중심부의 상방까지 이동시킨다. 그 후, 포러스 척(190)에 의해 피처리 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 세정액 노즐(203)로부터 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 세정액을 공급한다. 공급된 세정액은 원심력에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)의 전체면에 확산되어, 그 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 세정된다(도 9의 공정 A2).
여기서, 전술한 바와 같이 반출입 스테이션(2)에 반입된 복수의 중합 웨이퍼(T)에는 미리 검사가 행해지고 있어, 정상의 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)와 결함이 있는 정상적인 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)로 판별되어 있다.
정상의 중합 웨이퍼(T)로부터 박리된 정상의 피처리 웨이퍼(W)는, 공정 A2에서 접합면(WJ)이 세정된 후, 반송 기구(41)에 의해 검사 장치(6)로 반송된다. 또한, 이 반송 기구(41)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송은, 전술한 반송 기구(231)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송과 거의 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
검사 장치(6)에 있어서는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 있어서의 접착제(G)의 잔사의 유무가 검사된다(도 9의 공정 A3). 검사 장치(6)에 있어서 접착제(G)의 잔사가 확인된 경우, 피처리 웨이퍼(W)는 반송 기구(41)에 의해 검사 후 세정 장치(8)의 접합면 세정부(8a)로 반송되고, 접합면 세정부(8a)에서 접합면(WJ)이 세정된다(도 9의 공정 A4). 접합면(WJ)이 세정되면, 피처리 웨이퍼(W)는 반송 기구(41)에 의해 반전부(8c)로 반송되고, 반전부(8c)에 있어서 상하 방향으로 반전된다. 또한, 접착제(G)의 잔사가 확인되지 않은 경우에는, 피처리 웨이퍼(W)는 접합면 세정부(8a)로 반송되지 않고 반전부(8c)에서 반전된다(도 9의 공정 A5).
그 후, 반전된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 기구(41)에 의해 다시 검사 장치(6)로 반송되어, 비접합면(WN)의 검사가 행해진다(도 9의 공정 A6). 그리고, 비접합면(WN)에 있어서 접착제(G)의 잔사가 확인된 경우, 피처리 웨이퍼(W)는 반송 기구(41)에 의해 비접합면 세정부(8c)로 반송되어, 비접합면(WN)의 세정이 행해진다(도 9의 공정 A7). 계속해서, 세정된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 기구(41)에 의해 후처리 스테이션(4)으로 반송된다. 또한, 검사 장치(6)에서 접착제(G)의 잔사가 확인되지 않은 경우에는, 피처리 웨이퍼(W)는 비접합면 세정부(8b)로 반송되지 않고 그대로 후처리 스테이션(4)으로 반송된다.
그 후, 후처리 스테이션(4)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리가 행해진다(도 9의 공정 A8). 이와 같이 해서, 피처리 웨이퍼(W)가 제품화된다.
한편, 결함이 있는 중합 웨이퍼(T)로부터 박리된 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)는, 공정 A2에서 접합면(WJ)이 세정된 후, 반송 기구(20)에 의해 반출입 스테이션(2)으로 반송된다. 그 후, 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)는, 반출입 스테이션(2)으로부터 외부로 반출되어 회수된다(도 9의 공정 A9).
피처리 웨이퍼(W)에 전술한 공정 A1 ~ A9가 행해지고 있는 동안에, 박리 장치(30)에서 박리된 지지 웨이퍼(S)는, 반송 기구(20)에 의해 제2 세정 장치(33)로 반송된다. 그리고, 제2 세정 장치(33)에 있어서, 지지 웨이퍼(S)의 접합면(SJ)이 세정된다(도 9의 공정 A10). 또한, 제2 세정 장치(33)에 있어서의 지지 웨이퍼(S)의 세정은, 전술한 제1 세정 장치(31)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
그 후, 접합면(SJ)이 세정된 지지 웨이퍼(S)는, 반송 기구(20)에 의해 반출입 스테이션(2)으로 반송된다. 그 후, 지지 웨이퍼(S)는 반출입 스테이션(2)으로부터 외부로 반출되어 회수된다(도 9의 공정 A11). 이와 같이 해서, 일련의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 반송 스테이션(7) 내의 압력이 박리 장치(30) 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있으므로, 반송 스테이션(7)으로부터 박리 장치(30)를 향하는 기류가 발생한다. 바꾸어 말하면, 박리 장치(30) 내의 분위기가 반송 스테이션(7)측으로 유출되는 것은 없다. 또한, 반송 장치(32) 내의 압력도 박리 장치(30) 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있으므로, 반송 장치(32)로부터 박리 장치(30)를 향하는 기류가 발생한다. 이 때문에, 박리 장치(30) 내의 분위기가 반송 장치(32)측으로 유출되는 것도 없다. 따라서, 박리 장치(30)로부터 외부로 파티클이 유출되는 것은 없다. 이에 의해, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리를 행할 때에 발생하는 파티클이, 박리 장치(30)의 외부로 확산되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 인터페이스 스테이션(5) 내의 압력은 박리 처리 스테이션(3) 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있고, 후처리 스테이션(4) 내의 압력에 대해 부압으로 되어 있으므로, 후처리 스테이션(4)으로부터 박리 처리 스테이션(3)을 향하는 기류가 발생한다. 따라서, 박리 처리 스테이션(3) 내에 파티클이 확산되어 버린 경우에 있어서도, 박리 처리 스테이션(3)으로부터 인터페이스 스테이션(5) 및 후처리 스테이션(4)으로 파티클이 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 후공정을 행하는 후처리 스테이션(4) 내를 청정하게 유지할 수 있어, 후처리 스테이션(4)에 있어서 파티클이 피처리 웨이퍼(W)에 부착함으로써 수율이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 반송 스테이션(7) 내의 압력이 제1 세정 장치(31) 내의 압력 및 제2 세정 장치(33)의 압력에 대해 정압으로 되어 있으므로, 반송 스테이션(7)으로부터 제1 세정 장치(31) 및 제2 세정 장치(33)를 향하는 기류가 각각 발생한다. 따라서, 각 세정 장치(31, 33)로부터 세정에 수반하여 발생한 파티클이 반송 스테이션(7)으로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 반송 중에 중합 웨이퍼(T), 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 검사 장치(6) 내의 압력은 인터페이스 스테이션(5) 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있으므로, 검사 장치(6)로부터 인터페이스 스테이션(5)을 향하는 기류가 발생한다. 따라서, 인터페이스 스테이션(5)에 파티클이 확산되어 버린 경우에 있어서도, 검사 장치(6)로 파티클이 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 검사 장치(6) 내를 청정하게 유지할 수 있으므로, 예를 들어 정상의 피처리 웨이퍼(W)가 검사 장치(6) 내에 파티클에 오염되지 않는다.
또한, 인터페이스 스테이션(5) 내의 압력이 검사 후 세정 장치(8) 내의 압력에 대해 정압으로 되어 있으므로, 인터페이스 스테이션(5)으로부터 검사 후 세정 장치(8)를 향하는 기류가 발생한다. 따라서, 인터페이스 스테이션(5)에서의 피처리 웨이퍼(W)의 반송 중에, 피처리 웨이퍼(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제1 세정 장치(31), 제2 세정 장치(33), 박리 장치(30) 및 검사 후 세정 장치(8) 내의 분위기는 외부로 배기되므로, 박리 시스템(1) 내의 분위기는 모두 외부로 배기되게 되어 있다. 따라서, 박리 시스템(1) 내의 분위기 중에 파티클이 존재하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에 따르면, 박리 장치(30)에 있어서 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리한 후, 제1 세정 장치(31)에 있어서, 박리된 피처리 웨이퍼(W)를 세정함과 함께, 제2 세정 장치(33)에 있어서, 박리된 지지 웨이퍼(S)를 세정할 수 있다. 이와 같이 본 실시 형태에 따르면, 하나의 박리 시스템(1) 내에서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리로부터 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 지지 웨이퍼(S)의 세정까지의 일련의 박리 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 제1 세정 장치(31)와 제2 세정 장치(33)에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 지지 웨이퍼(S)의 세정을 각각 병행하여 행할 수 있다. 또한, 박리 장치(30)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리하는 동안에, 제1 세정 장치(31)와 제2 세정 장치(33)에 있어서 다른 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 처리할 수도 있다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리를 효율적으로 행할 수 있어, 박리 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 박리 처리 스테이션(3)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)가 정상의 피처리 웨이퍼(W)인 경우, 후처리 스테이션(5)에 있어서 그 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리가 행하여져, 제품화된다. 한편, 박리 처리 스테이션(3)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)가 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)인 경우, 그 피처리 웨이퍼(W)는 반출입 스테이션(2)으로부터 회수된다. 이와 같이 정상의 피처리 웨이퍼(W)만이 제품화되므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)를 회수하고, 결함의 정도에 따라서는 이 피처리 웨이퍼(W)를 재이용할 수도 있어, 자원을 유효하게 활용할 수 있을 뿐만 아니라 제조 비용을 저렴화할 수도 있다.
또한, 이와 같이 일련의 프로세스에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리로부터 피처리 웨이퍼(W)의 후처리까지 행할 수 있으므로, 웨이퍼 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 박리 장치(30)에서 박리된 지지 웨이퍼(S)는, 세정 후, 반출입 스테이션(2)으로부터 회수되므로, 그 지지 웨이퍼(S)를 재이용할 수 있다. 따라서, 자원을 유효하게 활용할 수 있을 뿐만 아니라 제조 비용을 저렴화할 수도 있다.
또한, 박리 장치(30)에서는, 중합 웨이퍼(T)를 가열하면서, 이동 기구(150)에 의해 제2 유지부(111)와 지지 웨이퍼(S)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시켜, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리하고 있다. 이와 같이 연직 방향 및 수평 방향의 양방향으로 제2 유지부(111)를 이동시킴으로써, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로와 지지 웨이퍼(S) 사이의 거리가 미소한 경우에도, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)의 접촉을 피할 수 있다. 따라서, 전자 회로의 손상을 억제하여, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리를 적절하게 행할 수 있다.
또한, 반송 기구(231)와 반송 기구(41)는 피처리 웨이퍼(W)를 유지하는 베르누이 척(232)을 갖고 있으므로, 피처리 웨이퍼(W)가 박형화되어 있어도 그 피처리 웨이퍼(W)를 적절하게 유지할 수 있다. 또한, 반송 기구(231)에 있어서는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 베르누이 척(232)에 유지되지만, 베르누이 척(232)은 비접촉 상태에서 피처리 웨이퍼(W)를 유지하기 때문에, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 상의 전자 회로가 손상을 입지 않는다.
또한, 제1 세정 장치(31)는 피처리 웨이퍼(W)를 유지하는 포러스 척(190)을 갖고 있으므로, 피처리 웨이퍼(W)가 박형화되어 있어도 그 피처리 웨이퍼를 적절하게 유지할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 검사 장치(6)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)를 검사할 수 있으므로, 검사 결과에 기초하여 박리 시스템(1)에 있어서의 처리 조건을 보정할 수 있다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 적절하게 더 박리할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 박리 장치(30)에 있어서 제2 유지부(111)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키고 있었지만, 제1 유지부(110)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시켜도 된다. 혹은, 제1 유지부(110)와 제2 유지부(111)를 모두 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시켜도 된다.
이상의 박리 장치(30)에 있어서 제2 유지부(111)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키고 있었지만, 제2 유지부(111)를 수평 방향으로만 이동시켜, 그 제2 유지부(111)의 이동 속도를 변화시켜도 된다. 구체적으로는, 제2 유지부(111)를 이동시키기 시작할 때의 이동 속도를 저속으로 하고, 그 후 서서히 이동 속도를 가속하여도 된다. 즉, 제2 유지부(111)를 이동시키기 시작할 때에는, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 접착 면적이 커서, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로가 접착제(G)의 영향을 받기 쉽기 때문에, 제2 유지부(111)의 이동 속도를 저속으로 한다. 그 후, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 접착 면적이 작아짐에 따라, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로가 접착제(G)의 영향을 받기 어려워지기 때문에, 제2 유지부(111)의 이동 속도를 서서히 가속한다. 이러한 경우에도, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)의 접촉을 회피하여, 전자 회로의 손상을 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 박리 장치(30)에 있어서 제2 유지부(111)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키고 있었지만, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로와 지지 웨이퍼(S) 사이의 거리가 충분히 큰 경우에는, 제2 유지부(111)를 수평 방향으로만 이동시켜도 된다. 이러한 경우, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)의 접촉을 피할 수 있는 동시에, 제2 유지부(111)의 이동의 제어가 용이해진다. 또한, 제2 유지부(111)를 연직 방향으로만 이동시켜 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리시켜도 되고, 제2 유지부(111)의 외주부 단부를 연직 방향으로만 이동시켜 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리시켜도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태에서, 이들 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리하고 있었지만, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 상하 배치를 반대로 하여도 된다.
이상의 실시 형태의 반송 기구(231)에 있어서, 베르누이 척(232)의 표면에는, 세정액을 공급하기 위한 복수의 공급구(도시하지 않음)가 형성되어 있어도 된다. 이러한 경우, 베르누이 척(232)으로부터 제1 세정 장치(31)의 포러스 척(190)에 피처리 웨이퍼(W)를 전달할 때, 베르누이 척(232)으로부터 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 세정액을 공급하여 그 접합면(WJ)을 세정함과 함께, 베르누이 척(232) 자체도 세정할 수 있다. 그렇게 하면, 그 후의 제1 세정 장치(31)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W)의 세정 시간을 단축할 수 있어, 박리 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다. 게다가, 베르누이 척(232)도 세정할 수 있으므로, 다음의 피처리 웨이퍼(W)를 적절하게 반송할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 반송 기구(41)는 베르누이 척(232)을 갖고 있었지만, 이 베르누이 척(232) 대신에, 포러스 척(도시하지 않음)을 갖고 있어도 된다. 이러한 경우에도, 포러스 척에 의해 박형화된 피처리 웨이퍼(W)를 적절하게 흡착 유지할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 제1 세정 장치(31)와 제2 세정 장치(33)의 세정액 노즐(203)에는 2유체 노즐이 사용되고 있었지만, 세정액 노즐(203)의 형태는 본 실시 형태에 한정되지 않고 다양한 노즐을 사용할 수 있다. 예를 들어 세정액 노즐(203)로서, 세정액을 공급하는 노즐과 불활성 가스를 공급하는 노즐을 일체화된 노즐체나, 스프레이 노즐, 제트 노즐, 메가소닉 노즐 등을 사용하여도 된다. 또한, 세정 처리의 스루풋을 향상시키기 위해서, 예를 들어 80℃로 가열된 세정액을 공급하여도 된다.
또한, 제1 세정 장치(31)와 제2 세정 장치(33)에 있어서, 세정액 노즐(203)에 더하여, IPA(이소프로필알코올)를 공급하는 노즐을 설치하여도 된다. 이러한 경우, 세정액 노즐(203)로부터의 세정액에 의해 피처리 웨이퍼(W) 또는 지지 웨이퍼(S)를 세정한 후, 피처리 웨이퍼(W) 또는 지지 웨이퍼(S) 상의 세정액을 IPA로 치환한다. 그렇게 하면, 피처리 웨이퍼(W) 또는 지지 웨이퍼(S)의 접합면(WJ, SJ)이 보다 확실하게 세정된다.
이상의 실시 형태의 박리 시스템(1)에 있어서, 박리 장치(30)에서 가열된 피처리 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 냉각하는 온도 조절 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 피처리 웨이퍼(W)의 온도가 적절한 온도로 조절되므로, 후속 처리를 보다 원활하게 행할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 후처리 스테이션(4)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)에 후처리를 행하여 제품화하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 예를 들어 3차원 집적 기술에서 사용되는 피처리 웨이퍼를 지지 웨이퍼로부터 박리하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 3차원 집적 기술이란, 최근의 반도체 디바이스의 고집적화의 요구에 부응한 기술로서, 고집적화된 복수의 반도체 디바이스를 수평면 내에서 배치하는 대신에, 그 복수의 반도체 디바이스를 3차원으로 적층하는 기술이다. 이 3차원 집적 기술에 있어서도, 적층되는 피처리 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있으며, 그 피처리 웨이퍼를 지지 웨이퍼에 접합하여 소정의 처리가 행해진다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 연마 처리에 의해 박형화된 피처리 웨이퍼(W)에 박리 처리를 행한 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 연마 처리에 의해 피처리 웨이퍼(W)가 박형화되기 전의 중합 웨이퍼(T)를 박리하는 경우에도 적용할 수 있다. 피처리 웨이퍼(W)가 박형화되기 전의 단계에서의 중합 웨이퍼(T)의 박리 처리는, 예를 들어 박형화되기 전의 단계에서 그 중합 웨이퍼(T)의 검사를 행하고, 검사에 의해 이상이 검출된 경우 등에 행해진다. 이러한 경우에는, 예를 들어 도 15에 도시한 바와 같이, 반출입 스테이션(2), 박리 처리 스테이션(3), 반송 스테이션(7) 및 후처리 스테이션(310)을 갖는 박리 시스템(320)에 의해 행해진다. 또한, 박리 시스템(320)에 있어서는, 박형화되기 전의 피처리 웨이퍼(W)가 취급되기 때문에, 도 15에 도시하는 제2 세정 장치(33)는 제1 세정 장치(31)이어도 된다.
후처리 스테이션(310)은 박리된 연마 처리 전의 피처리 웨이퍼(W), 즉 검사에 의해 이상이 검출된 피처리 웨이퍼(W)를 처리하는 것으로, 반송 스테이션(7)에 인접하여 설치되어 있다. 후처리 스테이션(310)의 내부에는, 다운 플로우라 불리는 연직 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 또한, 후처리 스테이션(4)의 내부의 분위기는, 배기구(도시하지 않음)로부터 배기된다.
그리고, 박리 시스템(320)에서는, 후처리 스테이션(310) 내의 압력이 반송 스테이션(7) 내의 압력에 대해 부압으로 되도록 압력이 설정되어 있다. 이 때문에, 반송 스테이션(7)으로부터 후처리 스테이션(310)을 향하는 기류가 발생한다. 또한, 반송 스테이션(7) 내의 압력과 박리 처리 스테이션(3) 내의 압력과의 관계는 전술한 박리 시스템(1)과 마찬가지이므로, 설명은 생략한다.
그리고, 박리 장치(30)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 스테이션(7)의 반송 기구에 의해 후처리 스테이션(310)으로 반송되어, 후처리 스테이션에서 소정의 처리가 행해진다.
이상의 실시 형태에 따르면, 박리 장치(30)로부터 반송 스테이션(7)측으로 파티클이 유출되는 것은 없다. 이에 의해, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리를 행할 때에 발생하는 파티클이, 박리 장치(30)의 외부로 확산되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 반송 스테이션(7)으로부터 박리 처리 스테이션(3) 및 후처리 스테이션(310)을 향하는 기류가 각각 형성되므로, 반송 중에 중합 웨이퍼(T), 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 8과 도 15에 있어서, 흰색 화살표가 위치하는 부분의 측벽에는, 실제로는 웨이퍼를 통과시키기 위한 개구(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 그리고, 이들 개구를 통해서, 도 8과 도 15에 도시하는, 흰색 화살표의 방향의 기류가 형성된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 처리 후의 피처리 웨이퍼(W)를 수납하는 카세트(CW)가, 반출입 스테이션(2)에 배치되는 예를 나타냈다. 그러나, 카세트(CW)를 배치하는 위치는, 이 위치에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 16에 도시한 바와 같이, 카세트(CW)를 재치하는 재치대(400)을 후처리 스테이션(4) 내에 설치하여도 된다. 이 위치에 배치하면, 후처리 스테이션(4)에서 최후의 처리가 종료된 피처리 웨이퍼(W)를, 반출입 스테이션(2)까지 반송할 필요가 없어, 후처리 스테이션(4)에서 회수하는 것이 가능하다. 후처리 스테이션(4)은 다른 영역보다 내부의 압력이 정압으로 설정되어 있으므로, 후처리 스테이션(4)에 다른 영역으로부터 먼지가 진입할 우려가 없다. 따라서, 처리 종료 후의 피처리 웨이퍼(W)를, 청정한 상태에서 회수하는 것이 가능하다.
또한, 도 8의 변형예로서, 도 17에 도시하는 구성으로 하여도 된다. 도 17에 있어서, 도 8과 다른 점을 설명한다. 도 17에서는, 세정 장치(31)에 있어서, 반송 스테이션(7)측의 측벽에 웨이퍼가 통과하기 위한 개구가 형성되어 있지 않다. 세정 장치(31)에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)가 통과하기 위한 개구는, 반송 장치(32)측의 측벽과, 인터페이스 스테이션(5)측의 측벽에만 형성된다. 그리고, 세정 장치(31)에 대한 피처리 웨이퍼(W)의 반출입은, 이 2개의 개구를 통해서, 반송 장치(32) 또는 반송 기구(41)에 의해 행해진다. 이러한 구성으로 함으로써, 도 8의 구성보다도 장치를 단순화할 수 있어, 장치의 신뢰성이 향상된다.
또한, 전술한 웨이퍼가 통과하기 위한 개구에는, 개구를 개폐하기 위한 셔터를 설치하여도 되고, 셔터를 설치하지 않고, 개구를 항상 개방한 상태로 하여도 된다.
이어서, 포러스 척을 사용하는 이유를 설명한다. 피처리 웨이퍼(W)는, 가능한 한 얇게 하기 위해서, 연삭 장치로 얇게 연삭된다. 그 공정 후에, 이 박리 시스템(1)으로 박리 처리를 행한다. 박리할 때에는, 피처리 웨이퍼(W)의 두께는, 예를 들어 약 40㎛의 얇기로 되어 있다. 피처리 웨이퍼(W)를 박리할 때에는, 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 거의 모든 영역을 유지하여야만 한다. 그렇지 않으면, 박리한 후에, 피처리 웨이퍼(W)가 휘어져 버려, 예를 들어 감은 종이와 같이 둥글게 되어 버린다. 이를 방지하기 위해서, 포러스 척을 사용해서, 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 거의 모든 영역을 흡착 유지할 필요가 있다.
이어서, 피처리 웨이퍼(W)의 반송 기구에 있어서, 베르누이 척을 사용하는 이유를 설명한다. 피처리 웨이퍼(W)를 박리 처리하면, 접합면(WJ)이 노출되고, 접합면(WJ)에는 접착제(G)가 부착되어 있다. 이 접합면(WJ)을 예를 들어 접촉 유지하여 반송하면, 반송 기구에 접착제(G)가 부착되어, 반송 기구를 더럽히게 된다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)의 유지부에, 베르누이 척을 사용한다. 베르누이 척은, 피처리 웨이퍼(W)가 베르누이 척으로부터 부상된 상태에서 (비접촉으로) 유지할 수 있다. 따라서, 접착제(G)가 베르누이 척에 부착되지 않아, 반송 기구가 더럽혀지지 않는다. 또한, 베르누이 척의 형상으로서는, 피처리 웨이퍼(W)의 휨의 발생을 방지하기 위해서, 기판의 편면의 거의 모든 영역을 유지할 수 있는 형상이 바람직하다.
또한, 피처리 웨이퍼(W)는, 지지 웨이퍼(S)로부터 박리된 후에는 휨을 방지하기 위해서, 전술한 포러스 척 또는 베르누이 척을 사용해서, 항상 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 거의 모든 영역을 유지해 둘 필요가 있다. 예를 들어, 포러스 척과 베르누이 척 사이에서 피처리 웨이퍼(W)를 전달할 때에도, 반드시 어느 한쪽의 척이, 피처리 웨이퍼(W)를 전체면 유지한다. 그리고, 후처리 스테이션(4)에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)는, 휨을 방지하기 위한 틀체에 고정된다.
또한, 전술한 실시 형태의 일부분을 조합하여 실시하여도 되고, 마찬가지의 작용, 효과를 얻는 것이 가능하다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
본 발명은 이 예에 한하지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
1 : 박리 시스템
2 : 반출입 스테이션
3 : 박리 처리 스테이션
4 : 후처리 스테이션
5 : 인터페이스 스테이션
6 : 검사 장치
7 : 반송 스테이션
8 : 검사 후 세정 장치
9 : 웨이퍼 반송 영역
20 : 반송 기구
30 : 박리 장치
31 : 제1 세정 장치
32 : 반송 장치
33 : 제2 세정 장치
41 : 반송 기구
100 : 하우징
110 : 제1 유지부
111 : 제2 유지부
124 : 가열 기구
141 : 가열 기구
150 : 이동 기구
151 : 연직 이동부
152 : 수평 이동부
190 : 포러스 척
230 : 반송 영역
231 : 반송 기구
232 : 베르누이 척
300 : 제어부
310 : 후처리 스테이션
320 : 박리 시스템
G : 접착제
S : 지지 웨이퍼
T : 중합 웨이퍼
W : 피처리 웨이퍼

Claims (19)

  1. 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을, 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 시스템으로서,
    피처리 기판, 지지 기판 및 중합 기판에 소정의 처리를 행하는 박리 처리 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션에 대해, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반출입하는 반출입 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션과 상기 반출입 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반송하는 반송 스테이션을 갖고,
    상기 박리 처리 스테이션은,
    중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와,
    상기 박리 장치에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와,
    상기 박리 장치에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치와,
    상기 박리 장치와 상기 제1 세정 장치 사이에서, 피처리 기판을 반송하는 반송 장치를 갖고,
    상기 반송 스테이션 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력, 상기 제1 세정 장치 내의 압력 및 상기 제2 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이고,
    상기 반송 장치 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력 및 상기 제1 세정 장치 내의 압력에 대해 정압인 박리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 박리 처리 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션에서 박리된 피처리 기판에 소정의 후처리를 행하는 후처리 스테이션 사이에서, 피처리 기판을 반송하는 인터페이스 스테이션을 갖고,
    상기 인터페이스 스테이션 내의 압력은, 상기 후처리 스테이션 내의 압력에 대해 부압이고, 상기 박리 처리 스테이션 내의 압력에 대해 정압인 박리 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 피처리 기판을 검사하는 검사 장치를 갖고,
    상기 검사 장치 내의 압력은, 상기 인터페이스 스테이션 내의 압력에 대해 정압인 박리 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 상기 검사 장치에서 검사된 기판을 세정하는 검사 후 세정 장치를 갖고,
    상기 검사 후 세정 장치 내의 압력은, 상기 인터페이스 스테이션 내의 압력에 대해 부압인 박리 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 검사 후 세정 장치는, 피처리 기판의 접합면을 세정하는 접합면 세정부와, 피처리 기판의 비접합면을 세정하는 비접합면 세정부와, 피처리 기판의 표리면을 반전시키는 반전부를 갖는 박리 시스템.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 반출입 스테이션에는, 정상의 피처리 기판을 포함하는 중합 기판과, 결함이 있는 피처리 기판을 포함하는 중합 기판이 반입되고,
    상기 정상적인 피처리 기판을, 상기 제1 세정 장치에서 세정한 후, 상기 후처리 스테이션으로 반송하고,
    상기 결함이 있는 피처리 기판을, 상기 제1 세정 장치에서 세정한 후, 상기 반출입 스테이션으로 반송하도록, 상기 인터페이스 스테이션과 상기 반송 스테이션을 제어하는 제어부를 갖는 박리 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 박리 장치는,
    피처리 기판을 가열하는 가열 기구를 구비하고, 또한 상기 피처리 기판을 유지하는 제1 유지부와,
    지지 기판을 가열하는 가열 기구를 구비하고, 또한 상기 지지 기판을 유지하는 제2 유지부와,
    적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 갖는 박리 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반송 장치는, 피처리 기판을 베르누이 척으로 유지하여 반송하는 반송 기구를 갖는 박리 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 세정 장치는, 피처리 기판을 유지하는 포러스 척을 갖는 박리 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 반송 스테이션은, 상기 박리 처리 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션에서 박리된 피처리 기판에 소정의 후처리를 행하는 후처리 스테이션 사이에서, 피처리 기판을 더 반송하고,
    상기 반송 스테이션 내의 압력은, 상기 후처리 스테이션 내의 압력에 대해 정압인 박리 시스템.
  11. 박리 시스템을 사용해서, 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을, 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 방법으로서,
    상기 박리 시스템은,
    중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치를 구비한 박리 처리 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션에 대해, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반출입하는 반출입 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션과 상기 반출입 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반송하는 반송 스테이션을 갖고,
    상기 박리 방법은,
    상기 박리 장치에 있어서, 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 공정과,
    상기 제1 세정 장치에 있어서, 상기 박리 공정에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 공정과,
    상기 제2 세정 장치에 있어서, 상기 박리 공정에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 공정을 갖고,
    상기 반송 스테이션 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력, 상기 제1 세정 장치 내의 압력 및 상기 제2 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이고,
    상기 반송 장치 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력 및 상기 제1 세정 장치 내의 압력에 대해 정압인 박리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 박리 시스템은, 상기 박리 처리 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션에서 박리된 피처리 기판에 소정의 후처리를 행하는 후처리 스테이션 사이에서, 피처리 기판을 반송하는 인터페이스 스테이션을 갖고,
    상기 제1 세정 공정 후, 상기 후처리 스테이션에 있어서 피처리 기판에 후처리를 행하는 후처리 공정을 갖고,
    상기 인터페이스 스테이션 내의 압력은, 상기 상기 후처리 스테이션 내의 압력에 대해 부압이고, 상기 박리 처리 스테이션 내의 압력에 대해 정압인 박리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 박리 시스템은, 상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 피처리 기판을 검사하는 검사 장치를 갖고,
    상기 제1 세정 공정 후이고 상기 후처리 공정 전에, 피처리 기판을 검사하는 검사 공정을 갖고,
    상기 검사 장치 내의 압력은, 상기 인터페이스 스테이션 내의 압력에 대해 정압인 박리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 박리 시스템은, 상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 상기 검사 장치에서 검사된 기판을 세정하는 검사 후 세정 장치를 갖고,
    상기 검사 공정 후이고 상기 후처리 공정 전에, 피처리 기판을 세정하는 후 세정 공정을 갖고,
    상기 검사 후 세정 장치 내의 압력은, 상기 인터페이스 스테이션 내의 압력에 대해 부압인 박리 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 반출입 스테이션에는, 정상의 피처리 기판을 포함하는 중합 기판과, 결함이 있는 피처리 기판을 포함하는 중합 기판이 반입되고,
    상기 정상적인 피처리 기판에 대해서는, 상기 제1 세정 공정 후, 상기 후처리 공정을 행하고,
    상기 결함이 있는 피처리 기판에 대해서는, 상기 제1 세정 공정 후, 상기 반출입 스테이션으로 반송하는 박리 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 반송 스테이션은, 상기 박리 처리 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션에서 박리된 피처리 기판에 소정의 후처리를 행하는 후처리 스테이션 사이에서, 피처리 기판을 더 반송하고,
    상기 제1 세정 공정 후, 상기 후처리 스테이션에 있어서 피처리 기판에 후처리를 행하는 후처리 공정을 갖고,
    상기 반송 스테이션 내의 압력은, 상기 후처리 스테이션 내의 압력에 대해 정압인 박리 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 박리 장치는, 피처리 기판을 가열하는 가열 기구를 구비하고, 또한 상기 피처리 기판을 유지하는 제1 유지부와, 지지 기판을 가열하는 가열 기구를 구비하고, 또한 상기 지지 기판을 유지하는 제2 유지부와, 적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 갖고,
    상기 박리 공정에 있어서, 상기 제1 유지부에 유지된 피처리 기판과 상기 제2 유지부에 유지된 지지 기판을 가열하면서, 적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 수평 방향으로 이동시켜, 피처리 기판과 지지 기판을 박리하는 박리 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 이동 기구는, 적어도 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 연직 방향으로 이동시키고,
    상기 박리 공정에 있어서, 적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시켜, 피처리 기판과 지지 기판을 박리하는 박리 방법.
  19. 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을, 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 방법을, 박리 시스템에 의해 실행시키기 위해서, 상기 박리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체로서,
    상기 박리 시스템은,
    중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와, 상기 박리 장치에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치를 구비한 박리 처리 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션에 대해, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반출입하는 반출입 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션과 상기 반출입 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판 중 적어도 하나를 반송하는 반송 스테이션을 갖고,
    상기 박리 방법은,
    상기 박리 장치에 있어서, 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 공정과,
    상기 제1 세정 장치에 있어서, 상기 박리 공정에서 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 공정과,
    상기 제2 세정 장치에 있어서, 상기 박리 공정에서 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 공정을 갖고,
    상기 반송 스테이션 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력, 상기 제1 세정 장치 내의 압력 및 상기 제2 세정 장치 내의 압력에 대해 정압이고,
    상기 반송 장치 내의 압력은, 상기 박리 장치 내의 압력 및 상기 제1 세정 장치 내의 압력에 대해 정압인 컴퓨터 기억 매체.
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