TWI501332B - 剝離系統、剝離方法、及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Description

剝離系統、剝離方法、及電腦記憶媒體
本發明是有關將重合基板剝離成被處理基板及支持基板的剝離系統，利用該剝離系統的剝離方法、程式及電腦記憶媒體。
近年來，例如在半導體裝置的製造製程中，半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)的大口徑化日益進展。並且，在安裝等特定的工程中，被要求晶圓的薄型化。例如若將大口徑且薄的晶圓原封不動搬送或研磨處理，則晶圓恐有彎曲或破裂之虞。因此，例如為了補強晶圓，而例如在支持基板(晶圓)或玻璃基板貼附晶圓。然後，在如此接合晶圓與支持基板的狀態下進行晶圓的研磨處理等預定的處理之後，剝離晶圓及支持基板。
如此的晶圓及支持基板的剝離是例如使用剝離裝置進行。剝離裝置是例如具有保持晶圓的第1保持具、及保持支持基板的第2保持具、以及在晶圓與支持基板之間噴射液體的噴嘴。然後，此剝離裝置是由此噴嘴來對所被接合的晶圓與支持基板之間以比該晶圓與支持基板之間的接合強度大的噴射壓，較理想是比接合強度大2倍以上的噴射壓噴射液體，藉此進行晶圓與支持基板的剝離(專利文獻1)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開平9-167724號公報
可是，晶圓及支持基板的剝離處理是如上述般在剝離晶圓及支持基板後，分別洗淨該等晶圓的接合面及支持基板的接合面而完成。
然而，在剝離裝置中，因為處理洗淨前的晶圓及支持晶圓，所以隨剝離處理所產生的污垢會附著於剝離裝置內，從該剝離裝置產生微粒。
而且，一旦從剝離裝置產生的微粒擴散至剝離裝置的外部，則微粒的產生源會擴展。如此一來，例如處理前的晶圓會被此微粒污染，在晶圓處理時產生缺陷。
本發明是有鑑於如此的點而研發者，其目的是在於抑制藉由剝離裝置來進行被處理基板及支持基板的剝離處理時所產生的微粒擴散至該剝離裝置的外部。
為了達成上述的目的，本發明係將以接著劑接合被處理基板及支持基板的重合基板剝離成被處理基板及支持基板的剝離系統，其特徵係具有：剝離處理站，其係對被處理基板、支持基板及重合基板進行預定的處理；搬出入站，其係對上述剝離處理站搬出入被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個；及搬送站，其係於上述剝離處理站與上述搬出入站之間搬送被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個，上述剝離處理站係具有：剝離裝置，其係將重合基板剝離成被處理基板及支持基板；第1洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的被處理基板；第2洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的支持基板；搬送裝置，其係於上述剝離裝置與上述第1洗淨裝置之間搬送被處理基板，上述搬送站內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力、上述第1洗淨裝置內的壓力及上述第2洗淨裝置內的壓力，為陽壓，上述搬送裝置內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力及上述第1洗淨裝置內的壓力，為陽壓。
若根據本發明的剝離系統，則由於搬送站內的壓力相對於剝離裝置內的壓力，為陽壓，因此產生從搬送站往剝離裝置的氣流。又，由於搬送裝置內的壓力相對於剝離裝置內的壓力，成為陽壓，因此產生從搬送裝置往剝離裝置的氣流。亦即，不會有環境從剝離裝置流出至外部的情形。所以，不會有微粒從剝離裝置流出至外部的情形。藉此，可抑制在進行被處理基板及支持基板的剝離處理時所產生的微粒擴散至剝離裝置的外部。
別的觀點的本發明係使用剝離系統來將以接著劑接合被處理基板及支持基板的重合基板剝離成被處理基板及支持基板之剝離方法，其特徵為：上述剝離系統係具有：一剝離處理站，其係具備：剝離裝置，其係將重合基板剝離成被處理基板及支持基板；第1洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的被處理基板；及第2洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的支持基板；一搬出入站，其係對上述剝離處理站搬出入被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個；及一搬送站，其係於上述剝離處理站與上述搬出入站之間搬送被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個，上述剝離方法係具有：剝離工程，其係於上述剝離裝置中，將重合基板剝離成被處理基板及支持基板；第1洗淨工程，其係於上述第1洗淨裝置中，洗淨在上述剝離工程所被剝離的被處理基板；及第2洗淨工程，其係於上述第2洗淨裝置中，洗淨在上述剝離工程所被剝離的支持基板，上述搬送站內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力、上述第1洗淨裝置內的壓力及上述第2洗淨裝置內的壓力，為陽壓，上述搬送裝置內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力、及上述第1洗淨裝置內的壓力，為陽壓。
又，若根據別的觀點的本發明，則可提供一種可讀取的電腦記憶媒體，其係儲存有：為了使上述剝離方法藉由剝離系統來實行，而在控制該剝離系統的控制部的電腦上動作的程式。
若根據本發明，則可抑制藉由剝離處理來進行被處理基板及支持基板的剝離處理時所產生的微粒擴散於該剝離裝置的外部。
以下，說明有關本發明的實施形態。圖1是表示本實施形態的剝離系統1的構成的概略平面圖。
在剝離系統1，如圖2所示，將以接著劑G接合被處理晶圓W(作為被處理基板)及支持晶圓S(作為支持基板)的重合晶圓T(作為重合基板)剝離成被處理晶圓W及支持晶圓S。以下，在被處理晶圓W中，將經由接著劑G來與支持晶圓S接合的面稱為「接合面WJ 」，與該接合面WJ 相反側的面稱為「非接合面WN 」。同樣，在支持晶圓S中，將經由接著劑G來與被處理晶圓W接合的面稱為「接合面SJ 」，相反側的面稱為「非接合面SN 」。另外，被處理晶圓W是成為製品的晶圓，例如在接合面WJ 形成有複數的電子電路。並且被處理晶圓W是例如非接合面WN 會被研磨處理，成薄型化(例如厚度為50μm)。支持晶圓S是具有與被處理晶圓W的直徑相同的直徑，為支持該被處理晶圓W的晶圓。另外，在本實施形態是說明有關使用晶圓作為支持基板的情況，但亦可例如使用玻璃基板等其他的基板。
如圖1所示，剝離系統1是具有一體連接搬出入站2、剝離處理站3、介面站5及檢查裝置6的構成，該搬出入站2是例如在與外部之間搬出入可分別收容複數的被處理晶圓W、複數的支持晶圓S及複數的重合晶圓T的卡匣CW 、CS 、CT ，該剝離處理站3是具備對被處理晶圓W、支持晶圓S及重合晶圓T實施預定的處理之各種處理裝置，該介面站5是在與和剝離處理站3鄰接的後處理站4之間進行被處理晶圓W的交接，該檢查裝置6是檢查交接至後處理站4之前的被處理晶圓W。
搬出入站2及剝離處理站3是在X方向(圖1中的上下方向)排列配置。在該等搬出入站2與剝離處理站3之間設有搬送站7。介面站5是被配置於剝離處理站3的Y方向負方向側(圖1中的左方向側)。又，檢查裝置6是被配置於介面站5的X方向正方向側(圖1中的上方向側)，隔著介面站5，在檢查裝置6的相反側，亦即在介面站5的X方向負方向側配置有洗淨檢查後的被處理晶圓W的檢查後洗淨裝置8。
在搬出入站2設有卡匣載置台10。在卡匣載置台10設有複數例如3個的卡匣載置板11。卡匣載置板11是在Y方向(圖1中的左右方向)排成一列配置。在該等的卡匣載置板11，對剝離系統1的外部搬出入卡匣CW 、CS 、CT 時，可載置卡匣CW 、CS 、CT 。如此，搬出入站2是構成可保有複數的被處理晶圓W、複數的支持晶圓S、複數的重合晶圓T。另外，卡匣載置板11的個數並非限於本實施形態，可任意決定。並且，對被搬入至搬出入站2的複數個重合晶圓T預先進行檢查，判別成包含正常的被處理晶圓W的重合晶圓T及包含有缺陷的被處理晶圓W的重合晶圓T。
在搬送站7的內部所形成的晶圓搬送區域9中配置有搬送機構20。搬送機構20是具有例如在垂直方向、水平方向(Y方向、X方向)及繞著垂直軸移動自如的搬送臂。搬送機構20是移動於晶圓搬送區域9內，可在搬出入站2與剝離處理站3之間搬送被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T。在搬送站7的內部，亦即在晶圓搬送區域9中使被稱為下流式(down flow)之朝垂直下方向的氣流發生。而且，晶圓搬送區域9的內部環境是從排氣口(未圖示)排氣。
剝離處理站3是具有將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離裝置30。在剝離裝置30的Y方向負方向側(圖1中的左方向側)配置有用以洗淨所被剝離的被處理晶圓W之第1洗淨裝置31。在剝離裝置30與第1洗淨裝置31之間設有搬送裝置32。並且，在剝離裝置30的Y方向正方向側(圖1中的右方向側)設有用以洗淨所被剝離的支持晶圓S之第2洗淨裝置33。如此，在剝離處理站3是從介面站5側依序排列第1洗淨裝置31、搬送裝置32、剝離裝置30、第2洗淨裝置33。
在檢查裝置6是檢查藉由剝離裝置30所剝離的被處理晶圓W上有無接著劑G的殘渣。並且，在檢查後洗淨裝置8是進行在檢查裝置6被確認有接著劑G的殘渣之被處理晶圓W的洗淨。此檢查後洗淨裝置8是具有：洗淨被處理晶圓W的接合面WJ 之接合面洗淨部8a、洗淨被處理晶圓W的非接合面WN 之非接合面洗淨部8b、及使被處理晶圓W上下反轉的反轉部8c。
在介面站5設有作為可在延伸於Y方向的搬送路40上移動自如的其他搬送機構之搬送機構41。搬送機構41是亦可在垂直方向及繞著垂直軸(θ方向)移動自如，可在剝離處理站3、後處理站4、檢查裝置6及檢查後洗淨裝置8之間搬送被處理晶圓W。在介面站5的內部是使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流發生。而且，介面站5的內部環境是從排氣口(未圖示)排氣。
另外，在後處理站4是對於在剝離處理站3所被剝離的被處理晶圓W進行預定的後處理。預定的後處理是例如安裝被處理晶圓W的處理、或進行被處理晶圓W上的電子電路的電氣特性檢查的處理、按每個晶片切割被處理晶圓W的處理等。並且，在後處理站4的內部也使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流發生。而且，後處理站4的內部環境是從排氣口(未圖示)排氣。
其次，說明有關上述剝離裝置30的構成。剝離裝置30是如圖3所示具有在其內部收容複數的機器之框體100。在框體100的側面形成有被處理晶圓W、支持晶圓S及重合晶圓T的搬出入口(未圖示)，且在該搬出入口設有開閉遮門(未圖示)。另外，本實施形態的框體100是例如以不鏽鋼的薄板等所構成，不是密閉其內部者，但框體100的構造並非限於本實施形態，亦可為例如可密閉內部的氣密容器。
在框體100的底面形成有將該框體100的內部環境予以排氣的排氣口101。在排氣口101連接例如連通至真空泵等的排氣裝置102的排氣管103。然後，從排氣口101將框體100內部的環境排氣，藉此使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流在框體100內部產生。
在框體100的內部設有：在下面吸附保持被處理晶圓W的第1保持部110、及在上面載置保持支持晶圓S的第2保持部111。第1保持部110是被設於第2保持部111的上方，配置成與第2保持部111對向。亦即，在框體100的內部是將被處理晶圓W配置於上側，且將支持晶圓S配置於下側的狀態下，對重合晶圓T進行剝離處理。
在第1保持部110是例如使用多孔吸盤(porous-chuck)。第1保持部110具有平板狀的本體部120。在本體部120的下面側設有多孔質體121。多孔質體121是具有例如與被處理晶圓W大致相同的直徑，與該被處理晶圓W的非接合面WN 抵接。另外，多孔質體121是例如使用碳化矽。
並且，在本體部120的內部，多孔質體121的上方形成有吸引空間122。吸引空間122是例如形成覆蓋多孔質體121。在吸引空間122連接吸引管123。吸引管123是被連接至例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)。然後，從吸引管123經由吸引空間122及多孔質體121來吸引被處理晶圓的非接合面WN ，該被處理晶圓W會被吸附保持於第1保持部110。
並且，在本體部120的內部，吸引空間122的上方設有用以加熱被處理晶圓W的加熱機構124。在加熱機構124是例如使用加熱器。
在第1保持部110的上面設有用以支持該第1保持部110的支持板130。支持板130是被框體100的頂面所支持。另外，亦可省略本實施形態的支持板130，將第1保持部110抵接於框體100的頂面而支持。
在第2保持部111的內部設有用以吸附保持支持晶圓S的吸引管140。吸引管140是被連接至例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)。
並且，在第2保持部111的內部設有用以加熱支持晶圓S的加熱機構141。在加熱機構141是例如使用加熱器。
在第2保持部111的下方設有使第2保持部111及支持晶圓S移動於垂直方向及水平方向的移動機構150。移動機構150是具有：使第2保持部111移動於垂直方向的垂直移動部151、及使第2保持部111移動於水平方向的水平移動部152。
垂直移動部151是具有：用以支持第2保持部111的下面的支持板160、及使支持板160昇降的驅動部161、及用以支持支持板160的支持構件162。驅動部161是例如具有滾珠螺桿(未圖示)及使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。並且，支持構件162是構成可在垂直方向伸縮自如，在支持板160與後述的支持體171之間例如設於3處。
水平移動部152是具有：沿著X方向(圖3中的左右方向)延伸的軌道170、及被安裝於軌道170的支持體171、及使支持體171沿著軌道170移動的驅動部172。驅動部172是例如具有滾珠螺桿(未圖示)及使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。
另外，在第2保持部111的下方設有用以由下方來支持重合晶圓T或支持晶圓S而使昇降的昇降銷(未圖示)。昇降銷是插通在第2保持部111所形成的貫通孔(未圖示)，可從第2保持部111的上面突出。
其次，說明有關上述第1洗淨裝置31的構成。第1洗淨裝置31是如圖4所示具有框體180。在框體180的側面形成有被處理晶圓W的搬出入口(未圖示)，在該搬出入口設有開閉遮門(未圖示)。
在框體180內的中央部設有保持被處理晶圓W而使旋轉的多孔吸盤190。多孔吸盤190是具有：平板狀的本體部191、及設於本體部191的上面側的多孔質體192。多孔質體192是具有例如與被處理晶圓W大致相同的直徑，與該被處理晶圓W的非接合面WN 抵接。另外，多孔質體192是例如使用碳化矽。在多孔質體192連接吸引管(未圖示)，從該吸引管經由多孔質體192來吸引被處理晶圓W的非接合面WN ，藉此可將該被處理晶圓W吸附保持於多孔吸盤190上。
在多孔吸盤190的下方設有例如具備馬達等的吸盤驅動部193。多孔吸盤190可藉由吸盤驅動部193來旋轉成預定的速度。並且，在吸盤驅動部193設有例如汽缸等的昇降驅動源，多孔吸盤190可昇降自如。
在多孔吸盤190的周圍設有杯194，該杯194是接受回收從被處理晶圓W飛散或落下的液體。在杯194的下面是連接有：將回收的液體予以排出的排出管195、及將杯194內的環境抽真空而排氣的排氣管196。另外，在洗淨裝置31的框體180的內部使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流發生。而且，排氣管196是連框體180的內部環境也排氣。
如圖5所示，在杯194的X方向負方向(圖5中的下方向)側，形成有沿著Y方向(圖5中的左右方向)延伸的軌道200。軌道200是例如從杯194的Y方向負方向(圖5中的左方向)側的外方形成至Y方向正方向(圖5中的右方向)側的外方。在軌道200安裝有臂201。
如圖4及圖5所示，在臂201支持有用以對被處理晶圓W供給洗淨液例如有機溶劑的洗淨液噴嘴203。臂201是藉由圖5所示的噴嘴驅動部204在軌道200上移動自如。藉此，洗淨液噴嘴203可從設於杯194的Y方向正方向側的外方的待機部205來移動至杯194內的被處理晶圓W的中心部上方，且可在該被處理晶圓W上移動於被處理晶圓W的徑方向。並且，臂201是藉由噴嘴驅動部204來昇降自如，可調節洗淨液噴嘴203的高度。
洗淨液噴嘴203是例如使用2流體噴嘴。在洗淨液噴嘴203如圖4所示連接有用以對該洗淨液噴嘴203供給洗淨液的供給管210。供給管210是連通至內部積存洗淨液的洗淨液供給源211。在供給管210設有包含控制洗淨液的流動的閥或流量調節部等之供給機器群212。並且，在洗淨液噴嘴203連接有用以對該洗淨液噴嘴203供給不活性氣體例如氮氣體的供給管213。供給管213是連通至內部積存不活性氣體的氣體供給源214。在供給管213設有包含控制不活性氣體的流動的閥或流量調節部等之供給機器群215。而且，洗淨液與不活性氣體是在洗淨液噴嘴203內被混合，從該洗淨液噴嘴203供給至被處理晶圓W。另外，在以下有時將混合洗淨液與不活性氣體者簡稱為「洗淨液」。
另外，亦可在多孔吸盤190的下方設有用以由下方支持被處理晶圓W而使昇降的昇降銷(未圖示)。如此的情況，昇降銷是插通在多孔吸盤190所形成的貫通孔(未圖示)，可從多孔吸盤190的上面突出。然後，使昇降銷昇降來取代使多孔吸盤190昇降，在與多孔吸盤190之間進行被處理晶圓W的交接。另外，上述檢查後洗淨裝置8的接合面洗淨部8a及非接合面洗淨部8b的構成是與此第1洗淨裝置31同樣，包含在內部使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流發生，因此有關接合面洗淨部8a及非接合面洗淨部8b是省略說明。
並且，第2洗淨裝置33的構成是與上述第1洗淨裝置31的構成大致同樣。在第2洗淨裝置33是如圖6所示，取代第1洗淨裝置31的多孔吸盤190，而設有旋轉夾頭(spin chuck)220。旋轉夾頭220是具有水平的上面，在該上面設有例如吸引支持晶圓S的吸引口(未圖示)。藉由來自此吸引口的吸引，可將支持晶圓S吸附保持於旋轉夾頭220上。第2洗淨裝置33的其他的構成是與上述第1洗淨裝置31的構成同樣，包含在內部使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流發生，因此省略說明。
另外，在第2洗淨裝置33中，亦可在旋轉夾頭220的下方設有朝被處理晶圓W的背面亦即非接合面WN 噴射洗淨液的背面沖洗噴嘴(未圖示)。藉由從此背面沖洗噴嘴噴射的洗淨液來洗淨被處理晶圓W的非接合面WN 及被處理晶圓W的外周部。
其次，說明有關上述搬送裝置32的構成。搬送裝置32是如圖1所示具有被設在晶圓搬送區域230的搬送機構231，該晶圓搬送區域230是被第1洗淨裝置31、剝離裝置30及晶圓搬送區域9所包圍的區域。搬送機構231是如圖7所示具有保持被處理晶圓W的白努利吸盤(Bernoulli chuck)232。白努利吸盤232是藉由噴出空氣來使被處理晶圓W浮游，可在非接觸的狀態下吸引懸垂保持被處理晶圓W。白努利吸盤232是被支持臂233所支持。支持臂233是被第1驅動部234所支持。藉由此第1驅動部234，支持臂233可繞著水平軸轉動自如，且可伸縮於水平方向。在第1驅動部234的下方設有第2驅動部235。藉由此第2驅動部235，第1驅動部234可繞著垂直軸旋轉自如，且可昇降於垂直方向。另外，在搬送裝置32的內部，亦即在晶圓搬送區域230中使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流發生。而且，晶圓搬送區域230的內部環境是從排氣口(未圖示)排氣。
另外，搬送機構41是具有與上述搬送裝置32的搬送機構231同樣的構成，因此省略說明。但，搬送機構41的第2驅動部235是被安裝於圖1所示的搬送路40，搬送機構41可移動於搬送路40上。
在以上的剝離系統1中，如圖1所示設有控制部300。控制部300是例如電腦，具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部中儲存有用以控制剝離系統1的被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T的處理之程式。並且，在程式儲存部中亦儲存有用以控制上述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系的動作而使剝離系統1的後述剝離處理實現的程式。另外，上述程式亦可記錄於例如電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取的記憶媒體H，由該記憶媒體H來安裝於控制部300。
其次，根據圖8來說明有關在以上那樣構成的剝離系統1中進行重合晶圓T的剝離處理時，產生於該剝離系統1內的氣流。另外，圖8中的箭號是表示氣流的方向。
剝離系統1在後處理站4、介面站5及剝離處理站3之中，後處理站內的壓力會形成最高壓，剝離處理站3內的壓力會形成最低壓。所以，後處理站4內的壓力相對於介面站5內的壓力是成為陽壓，因此產生從後處理站4往介面站5的氣流。並且，介面站5內的壓力相對於剝離處理站3內的壓力是成為陽壓，因此產生從介面站5往剝離處理站3的氣流。
並且，在介面站5內的壓力相對於檢查裝置6內的壓力是陰壓，相對於檢查後洗淨裝置8的接合面洗淨部8a、非接合面洗淨部8b及反轉部8c是成為陽壓。藉此，產生從檢查裝置6往介面站5的氣流、及從介面站5分別往檢查後洗淨裝置8的接合面洗淨部8a、非接合面洗淨部8b及反轉部8c的氣流。
又，搬送站7內的壓力壓力相對於剝離處理站3的剝離裝置30內的壓力、第1洗淨裝置31內的壓力及第2洗淨裝置33內的壓力是成為陽壓。藉此，產生從搬送站7分別往剝離裝置30、第1洗淨裝置31及第2洗淨裝置33的氣流。
又，搬送裝置32內的壓力相對於剝離裝置30內的壓力及第2洗淨裝置內的壓力是成為陽壓。藉此，產生從搬送裝置32分別往剝離裝置30及第2洗淨裝置31的氣流。
其次，說明有關利用以上那樣構成的剝離系統1來進行的被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離處理方法。圖9是表示如此的剝離處理的主要工程例的流程圖。
首先，收容複數片重合晶圓T的卡匣CT 、空的卡匣CW 、及空的卡匣CS 會被載置於搬出入站2的預定的卡匣載置板11。藉由搬送機構20來取出卡匣CT 內的重合晶圓T，搬送至剝離處理站3的剝離裝置30。此時，重合晶圓T是在將被處理晶圓W配置於上側，且將支持晶圓S配置於下側的狀態下被搬送。
被搬入剝離裝置30的重合晶圓T是被吸附保持於第2保持部111。然後，藉由移動機構150來使第2保持部111上昇，如圖10所示，以第1保持部110及第2保持部111來夾入重合晶圓T而保持。此時，在第1保持部110吸附保持被處理晶圓W的非接合面WN ，在第2保持部111吸附保持支持晶圓S的非接合面SN 。
然後，藉由加熱機構124、141來將重合晶圓T加熱至預定的溫度，例如200℃。如此一來，重合晶圓T中的接著劑G會軟化。
接著，藉由加熱機構124、141來加熱重合晶圓T，一邊維持接著劑G的軟化狀態，一邊如圖11所示藉由移動機構150來使第2保持部111及支持晶圓S移動於垂直方向及水平方向，亦即斜下方。然後，如圖12所示，被保持於第1保持部110的被處理晶圓W、及被保持於第2保持部111的支持晶圓S會被剝離(圖9的工程A1)。
此時，第2保持部111是在垂直方向移動100μm，且在水平方向移動300mm。在此，就本實施形態而言，重合晶圓T中的接著劑G的厚度是例如30μm～40μm，在被處理晶圓W的接合面WJ 所形成的電子電路(凸塊)的高度是例如20μm。因此，被處理晶圓W上的電子電路與支持晶圓S之間的距離微小。於是，例如使第2保持部111只移動於水平方向時，電子電路與支持晶圓S會接觸，恐有電子電路受損之虞。此點，像本實施形態那樣，藉由使第2保持部111移動於水平方向且在垂直方向也移動，可迴避電子電路與支持晶圓S的接觸，抑制電子電路的損傷。另外，此第2保持部111的垂直方向的移動距離與水平方向的移動距離的比率是根據被處理晶圓W上的電子電路(凸塊)的高度來設定。
然後，在剝離裝置30所被剝離的被處理晶圓W是藉由搬送機構231來搬送至第1洗淨裝置31。在此，說明有關搬送機構231之被處理晶圓W的搬送方法。
如圖13所示，使支持臂233伸長，而將白努利吸盤232配置於被第1保持部110所保持的被處理晶圓W的下方。然後，使白努利吸盤232上昇，停止來自第1保持部110的吸引管123之被處理晶圓W的吸引。然後，從第1保持部110交接被處理晶圓W至白努利吸盤232。此時，雖被處理晶圓W的接合面WJ 被保持於白努利吸盤232，但因為白努利吸盤232是以非接觸的狀態來保持被處理晶圓W，所以不會有被處理晶圓W的接合面WJ 上的電子電路受損的情形。
其次，如圖14所示，使支持臂233轉動，而使白努利吸盤232移動至第1洗淨裝置31的多孔吸盤190的上方，且使白努利吸盤232反轉來將被處理晶圓W朝下方。此時，先使多孔吸盤190上昇至比杯194更上方而待機。然後，從白努利吸盤232交接被處理晶圓W至多孔吸盤190而吸附保持。
如此，一旦被處理晶圓W被多孔吸盤190吸附保持，則使多孔吸盤190下降至預定的位置。接著，藉由臂201來使待機部205的洗淨液噴嘴203移動至被處理晶圓W的中心部的上方。然後，一邊藉由多孔吸盤190來使被處理晶圓W旋轉，一邊從洗淨液噴嘴203供給洗淨液至被處理晶圓W的接合面WJ 。所被供給的洗淨液是藉由離心力來擴散於被處理晶圓W的接合面WJ 的全面，而洗淨該被處理晶圓W的接合面WJ (圖9的工程A2)。
在此，像上述那樣被搬入至搬出入站2的複數個重合晶圓T是預先進行檢查，判別成包含正常的被處理晶圓W的重合晶圓T及包含有缺陷的被處理晶圓W的重合晶圓T。
從正常的重合晶圓T剝離的正常的被處理晶圓W是在工程A2被洗淨接合面WJ 之後，藉由搬送機構41來搬送至檢查裝置6。另外，此搬送機構41之被處理晶圓W的搬送是與上述搬送機構231之被處理晶圓W的搬送幾乎同樣，因此省略說明。
在檢查裝置6中是檢查被處理晶圓W的接合面WJ 有無接著劑G的殘渣(圖9的工程A3)。在檢查裝置6中被確認有接著劑G的殘渣時，被處理晶圓W是藉由搬送機構41來搬送至檢查後洗淨裝置8的接合面洗淨部8a，以接合面洗淨部8a來洗淨接合面WJ (圖9的工程A4)。一旦接合面WJ 被洗淨，則被處理晶圓W會藉由搬送機構41來搬送至反轉部8c，在反轉部8c中被上下方向反轉。另外，未被確認有接著劑G的殘渣時，被處理晶圓W不被搬送至接合面洗淨部8a，在反轉部8c被反轉(圖9的工程A5)。
然後，被反轉的被處理晶圓W會藉由搬送機構41再度搬送至檢查裝置6，進行非接合面WN 的檢查(圖9的工程A6)。然後，在非接合面WN 中被確認有接著劑G的殘渣時，被處理晶圓W會藉由搬送機構41來搬送至非接合面洗淨部8c，進行非接合面WN 的洗淨(圖9的工程A7)。其次，被洗淨的被處理晶圓W會藉由搬送機構41來搬送至後處理站4。另外，在檢查裝置6未被確認有接著劑G的殘渣時，被處理晶圓W不被搬送至非接合面洗淨部8b，原封不動被搬送至後處理站4。
然後，在後處理站4中對被處理晶圓W進行預定的後處理(圖9的工程A8)。如此，被處理晶圓W會被製品化。
另一方面，從有缺陷的重合晶圓T剝離之有缺陷的被處理晶圓W是在工程A2洗淨接合面WJ 之後，藉由搬送機構20來搬送至搬出入站2。然後，有缺陷的被處理晶圓W是從搬出入站2搬出至外部而回收(圖9的工程A9)。
對被處理晶圓W進行上述工程A1～A9的期間，在剝離裝置30所被剝離的支持晶圓S是藉由搬送機構20來搬送至第2洗淨裝置33。然後，在第2洗淨裝置33中，洗淨支持晶圓S的接合面SJ (圖9的工程A10)。另外，第2洗淨裝置33之支持晶圓S的洗淨是與上述第1洗淨裝置31之被處理晶圓W的洗淨同樣，因此省略說明。
然後，接合面SJ 被洗淨的支持晶圓S會藉由搬送機構20來搬送至搬出入站2。然後、支持晶圓S從搬出入站2搬出至外部而回收(圖9的工程A11)。如此，完成一連串的被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離處理。
若根據以上的實施形態，則由於搬送站7內的壓力相對於剝離裝置30內的壓力是成為陽壓，因此產生從搬送站7往剝離裝置30的氣流。換言之，不會有剝離裝置30內的環境流出至搬送站7側的情形。又，由於搬送裝置32內的壓力也相對於剝離裝置30內的壓力是成為陽壓，因此產生從搬送裝置32往剝離裝置30的氣流。所以，也不會有剝離裝置30內的環境流出至搬送裝置32側的情形。因此，不會有微粒從剝離裝置30流出至外部的情形。藉此，可抑制在進行被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離處理時所發生的微粒擴散至剝離裝置30的外部。
又，由於介面站5內的壓力相對於剝離處理站3內的壓力是成為陽壓，相對於後處理站4內的壓力是成為陰壓，因此產生從後處理站4往剝離處理站3的氣流。所以，即使在微粒擴散至剝離處理站3內時，還是可抑制微粒從剝離處理站3流入至介面站5及後處理站4。藉此，可將進行後工程的後處理站4內保持於清淨，可抑制在後處理站4中因為微粒附著於被處理晶圓W造成良品率降低。
又，由於搬送站7內的壓力相對於第1洗淨裝置31內的壓力及第2洗淨裝置33的壓力是成為陽壓，因此分別產生從搬送站7往第1洗淨裝置31及第2洗淨裝置33的氣流。所以，可抑制隨著洗淨所產生的微粒從各洗淨裝置31、33流入至搬送站7。藉此，可抑制在搬送中微粒附著於重合晶圓T、被處理晶圓W、支持晶圓S。
又，由於檢查裝置6內的壓力相對於介面站5內的壓力是成為陽壓，因此產生從檢查裝置6往介面站5的氣流。所以，即使在微粒擴散至介面站5時，還是可抑制微粒流入至檢查裝置6。藉此，可將檢查裝置6內保持於清淨，所以不會有例如正常的被處理晶圓W在檢查裝置6內被微粒污染的情形。
又，由於介面站5內的壓力相對於檢查後洗淨裝置8內的壓力是成為陽壓，因此產生從介面站5往檢查後洗淨裝置8的氣流。所以可抑制在介面站5的被處理晶圓W的搬送中微粒附著於被處理晶圓W。
又，由於第1洗淨裝置31、第2洗淨裝置33、剝離裝置30及檢查後洗淨裝置8內的環境是被排氣至外部，因此剝離系統1內的環境是全部被排氣至外部。所以，可抑制在剝離系統1內的環境中存在微粒。
若根據以上的實施形態，則在剝離裝置30中將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W及支持晶圓S之後，可在第1洗淨裝置31中，洗淨所被剝離的被處理晶圓W，且在第2洗淨裝置33中，洗淨所被剝離的支持晶圓S。如此若根據本實施形態，則可在一剝離系統1內有效率地進行被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離乃至被處理晶圓W的洗淨及支持晶圓S的洗淨之一連串的剝離處理。並且，在第1洗淨裝置31及第2洗淨裝置33中，可分別並行被處理晶圓W的洗淨及支持晶圓S的洗淨。而且，在剝離裝置30中剝離被處理晶圓W及支持晶圓S的期間，亦可在第1洗淨裝置31及第2洗淨裝置33中處理別的被處理晶圓W及支持晶圓S。因此，可有效率進行被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離，可使剝離處理的總處理能力提升。
並且，在剝離處理站3所被剝離的被處理晶圓W為正常的被處理晶圓W時，在後處理站5中對該被處理晶圓W進行預定的後處理，製品化。另一方面，在剝離處理站3所被剝離的被處理晶圓W為有缺陷的被處理晶圓W時，該被處理晶圓W會從搬出入站2回收。如此只正常的被處理晶圓W會被製品化，所以可使製品的良品率提升。而且，亦可回收有缺陷的被處理晶圓W，依缺陷的程度來再利用此被處理晶圓W，可有效活用資源的同時使製造成本低廉化。
並且，在如此一連串的製程中，可從被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離進行至被處理晶圓W的後處理，因此可使晶圓處理的總處理能力更提升。
並且，在剝離裝置30所被剝離的支持晶圓S是在洗淨後，從搬出入站2回收，因此可再利用該支持晶圓S。所以，可有效活用資源的同時使製造成本低廉化。
並且，在剝離裝置30是一邊加熱重合晶圓T，一邊藉由移動機構150來使第2保持部111及支持晶圓S移動於垂直方向及水平方向，而剝離被處理晶圓W及支持晶圓S。藉由如此使第2保持部111移動於垂直方向及水平方向的兩方向，即使被處理晶圓W上的電子電路與支持晶圓S之間的距離微小時，還是可迴避電子電路與支持晶圓S的接觸。因此，可抑制電子電路的損傷，適當地進行被處理晶圓W與支持晶圓S的剝離處理。
並且，搬送機構231及搬送機構41是具有保持被處理晶圓W的白努利吸盤232，因此即使被處理晶圓W薄型化，還是可適當地保持該被處理晶圓W。而且，在搬送機構231中，雖被處理晶圓W的接合面WJ 被保持於白努利吸盤232，但由於白努利吸盤232是在非接觸的狀態下保持被處理晶圓W，所以不會有被處理晶圓W的接合面WJ 上的電子電路受損的情形。
又，由於第1洗淨裝置31是具有保持被處理晶圓W的多孔吸盤190，因此即使被處理晶圓W薄型化，還是可適當地保持該被處理晶圓。
以上的實施形態，可在檢查裝置6中檢查被處理晶圓W，所以可根據檢查結果來修正剝離系統1的處理條件。因此，可更適當地剝離被處理晶圓W及支持晶圓S。
以上的實施形態是在剝離裝置30中使第2保持部111移動於垂直方向及水平方向，但亦可使第1保持部110移動於垂直方向及水平方向。或，使第1保持部110及第2保持部111的雙方移動於垂直方向及水平方向。
在以上的剝離裝置30中使第2保持部111移動於垂直方向及水平方向，但亦可使第2保持部111只移動於水平方向，使該第2保持部111的移動速度變化。具體而言，亦可使第2保持部111開始移動時的移動速度成低速，然後慢慢地加快移動速度。亦即，在使第2保持部111開始移動時，因為被處理晶圓W與支持晶圓S的接著面積大，被處理晶圓W上的電子電路容易受接著劑G的影響，因此使第2保持部111的移動速度成低速。然後，隨著被處理晶圓W與支持晶圓S的接著面積變小，被處理晶圓W上的電子電路不易受接著劑G的影響，所以慢慢地加快第2保持部111的移動速度。此情況亦可迴避電子電路與支持晶圓S的接觸，抑制電子電路的損傷。
並且，以上的實施形態是在剝離裝置30中使第2保持部111移動於垂直方向及水平方向，但例如當被處理晶圓W上的電子電路與支持晶圓S之間的距離夠大時，亦可使第2保持部111只移動於水平方向。此情況，可迴避電子電路與支持晶圓S的接觸，且第2保持部111的移動的控制容易。而且，亦可使第2保持部111只移動於垂直方向來使被處理晶圓W及支持晶圓S剝離，或亦可使第2保持部111的外周部端部只移動於垂直方向來使被處理晶圓W及支持晶圓S剝離。
另外，以上的實施形態是在將被處理晶圓W配置於上側，且將支持晶圓S配置於下側的狀態下，剝離該等被處理晶圓W及支持晶圓S，但亦可將被處理晶圓W及支持晶圓S的上下配置形成相反。
在以上的實施形態的搬送機構231中，亦可在白努利吸盤232的表面形成有用以供給洗淨液的複數個供給口(未圖示)。此情況，從白努利吸盤232交接被處理晶圓W至第1洗淨裝置31的多孔吸盤190時，可從白努利吸盤232供給洗淨液至被處理晶圓W的接合面WJ ，而來洗淨該接合面WJ ，且白努利吸盤232本身也可洗淨。於是，可縮短之後的第1洗淨裝置31的被處理晶圓W的洗淨時間，可使剝離處理的總處理能力更提升。而且，因為白努利吸盤232也可洗淨，所以可適當地搬送其次的被處理晶圓W。
以上的實施形態是搬送機構41具有白努利吸盤232，但亦可取代此白努利吸盤232，而具有多孔吸盤(未圖示)。此情況，可藉由多孔吸盤來適當地吸附保持薄型化的被處理晶圓W。
以上的實施形態是在第1洗淨裝置31及第2洗淨裝置33的洗淨液噴嘴203使用2流體噴嘴，但洗淨液噴嘴203的形態並非限於本實施形態，亦可使用各種的噴嘴。例如洗淨液噴嘴203亦可使用將供給洗淨液的噴嘴及供給不活性氣體的噴嘴一體化的噴嘴體、或噴霧噴嘴、噴射噴嘴、超音波噴嘴等。又，為了使洗淨處理的總處理能力提升，亦可供給被加熱至例如80℃的洗淨液。
並且，在第1洗淨裝置31及第2洗淨裝置33中，除了洗淨液噴嘴203外，亦可設置供給IPA(異丙醇)的噴嘴。此情況，藉由來自洗淨液噴嘴203的洗淨液來洗淨被處理晶圓W或支持晶圓S後，將被處理晶圓W或支持晶圓S上的洗淨液置換成IPA。於是，被處理晶圓W或支持晶圓S的接合面WJ 、SJ 會被更確實地洗淨。
在以上的實施形態的剝離系統1中，亦可設置溫度調節裝置(未圖示)，其係將在剝離裝置30所被加熱的被處理晶圓W冷卻至預定的溫度。此情況，由於被處理晶圓W的溫度會被調節於適當的溫度，所以可更順利地進行後續的處理。
並且，在以上的實施形態是針對在後處理站4中對被處理晶圓W進行後處理而製品化的情況說明，但本發明在從支持晶圓剝離使用於3次元集成技術的被處理晶圓時也可適用。另外，所謂3次元集成技術是回應近年來半導體裝置的高集成化的要求之技術，取代在水平面內配置高集成化的複數個半導體裝置，為3次元層疊該複數個半導體裝置的技術。在此3次元集成技術中也要求所被層疊的被處理晶圓的薄型化，將該被處理晶圓接合於支持晶圓來進行預定的處理。
另外，在以上的實施形態是說明有關對於藉由研磨處理來薄型化的被處理晶圓W進行剝離處理時，但本發明亦可適用於剝離藉由研磨處理來使被處理晶圓W薄型化之前的重合晶圓T時。在被處理晶圓W被薄型化之前的階段的重合晶圓T的剝離處理是例如在被薄型化之前的階段進行該重合晶圓T的檢查，在藉由檢查來檢測出異常時等進行。此情況，例如圖15所示，藉由具有搬出入站2、剝離處理站3、搬送站7及後處理站310的剝離系統320來進行。另外，因為在剝離系統320中是處理被薄型化之前的被處理晶圓W，所以圖15所示的第2洗淨裝置33亦可為第1洗淨裝置31。
後處理站310是處理被剝離之研磨處理前的被處理晶圓W，亦即處理藉由檢查來檢測出異常的被處理晶圓W者，與搬送站7鄰接而設。在後處理站310的內部是使被稱為下流式之朝垂直下方向的氣流發生。而且，後處理站4的內部環境是從排氣口(未圖示)排氣。
而且，在剝離系統320是以後處理站310內的壓力相對於搬送站7內的壓力是成為陰壓的方式設定壓力。因此，產生從搬送站7往後處理站310的氣流。另外，搬送站7內的壓力與剝離處理站3內的壓力的關係是與上述剝離系統1同樣，所以說明省略。
而且，在剝離裝置30所被剝離的被處理晶圓W是藉由搬送站7的搬送機構來搬送至後處理站310，在後處理站進行預定的處理。
若根據以上的實施形態，則不會有微粒從剝離裝置30流出至搬送站7側的情形。藉此，可抑制在進行被處理晶圓W及支持晶圓S的剝離處理時所發生的微粒擴散至剝離裝置30的外部。又，由於分別形成有從搬送站7往剝離處理站3及後處理站310的氣流，因此可抑制在搬送中微粒附著於重合晶圓T、被處理晶圓W、支持晶圓S。
另外，在圖8及圖15中，在中空箭號所位置的部分的側壁設有用以使晶圓通過的開口。然後，經由該等的開口，如圖8及圖15所示，形成中空箭號的方向的氣流。
又，上述的實施形態是表示收納處理後的被處理晶圓W的卡匣Cw被配置於搬出入站2的例子。但，配置卡匣Cw的位置並非限此位置。例如圖16所示，亦可將載置卡匣Cw的載置台400設於後處理站4內。若配置於此位置，則不需要將在後處理站4最後的處理終了的被處理晶圓W搬送至搬出入站2，可在後處理站4回收。由於後處理站4是比其他的區域還設定內部的壓力成陽壓，因此不用擔心塵埃從其他的區域進入至後處理站4。所以，可在清淨的狀態下回收處理終了後的被處理晶圓W。
又，圖8的變形例亦可為圖17所示的構成。在圖17中，說明與圖8相異的點。圖17是在洗淨裝置31中，在搬送站7側的側壁未設有供以晶圓通過的開口。在洗淨裝置31中，供以被處理晶圓W通過的開口是只設於搬送裝置32側的側壁、及介面站5側的側壁。而且，對洗淨裝置31之被處理晶圓W的搬出入是經由此2個的開口，利用搬送裝置32或搬送機構41來進行。藉由如此的構成，比起圖8的構成，裝置可單純化，裝置的可靠度會提升。
並且，亦可在上述供以晶圓通過的開口設置用以開閉開口的遮門，或不設遮門，將開口設為經常開啟的狀態。
其次，敘述使用多孔吸盤的理由。被處理晶圓W是為了儘可能變薄，而以研削裝置來削薄。該工程之後，在此剝離系統1進行剝離處理。在剝離時，被處理晶圓W的厚度是例如約40μm的薄度。在剝離被處理晶圓W時，必須保持被處理晶圓W的一面的幾乎全體的區域。若非如此，則剝離後，被處理晶圓W會翹曲，例如像捲起的紙那樣彎曲。為了防止此情況，需要利用多孔吸盤來吸附保持被處理晶圓W的一面的幾乎全體的區域。
其次，敘述在被處理晶圓W的搬送機構中使用白努利吸盤的理由。一旦剝離處理被處理晶圓W，則接合面WJ會露出，在接合面WJ附著有接著劑G。一旦例如接觸保持此接合面WJ來搬送，則接著劑G會附著於搬送機構，弄髒了搬送機構。於是，在被處理晶圓W的保持部使用白努利吸盤。白努利吸盤是可在被處理晶圓W從白努利吸盤浮上的狀態下(非接觸下)保持。因此，接著劑G不會附著於白努利吸盤，搬送機構不會弄髒。另外，白努利吸盤的形狀，為了防止被處理晶圓W的翹曲的發生，最好是可保持基板的一面的幾乎全體的區域那樣的形狀。
另外，被處理晶圓W從支持晶圓S剝離後，為了防止翹曲，需要使用上述多孔吸盤或白努利吸盤來經常保持被處理晶圓W的一面的幾乎全體的區域。例如，在多孔吸盤與努利吸盤之間交接被處理晶圓W時也必須任一的吸盤全面保持被處理晶圓W。而且，在後處理站4中，被處理晶圓W是被固定於用以防止翹曲的框體。
另外，亦可組合上述實施形態的一部分來實施，可取得同樣的作用、效果。
以上，一邊參照附圖，一邊說明有關本發明的較佳實施形態，但本發明並非限於如此的例子。只要是該當業者，便可在申請專利範圍記載的思想範疇內想到各種的變更例或修正例，當然該等亦屬於本發明的技術範圍。本發明並非限於此例，為採用各種的形態者。本發明是基板為晶圓以外的FPD(Flat Panel Display)、光罩用的掩膜板等其他的基板時也可適用。
1．．．剝離系統
2．．．搬出入站
3．．．剝離處理站
4．．．後處理站
5．．．介面站
6．．．檢查裝置
7．．．搬送站
8．．．檢查後洗淨裝置
9．．．晶圓搬送區域
20．．．搬送機構
30．．．剝離裝置
31．．．第1洗淨裝置
32．．．搬送裝置
33．．．第2洗淨裝置
41．．．搬送機構
100．．．框體
110．．．第1保持部
111．．．第2保持部
124．．．加熱機構
141．．．加熱機構
150．．．移動機構
151．．．垂直移動部
152．．．水平移動部
190．．．多孔吸盤
230．．．搬送區域
231．．．搬送機構
232．．．白努利吸盤
300．．．控制部
310．．．後處理站
320．．．剝離系統
G．．．接著劑
S．．．支持晶圓
T．．．重合晶圓
W．．．被處理晶圓
圖1是表示本實施形態的剝離系統的構成的概略的平面圖。
圖2是被處理晶圓及支持晶圓的側面圖。
圖3是表示剝離裝置的構成的概略的縱剖面圖。
圖4是表示第1洗淨裝置的構成的概略的縱剖面圖。
圖5是表示第1洗淨裝置的構成的概略的橫剖面圖。
圖6是表示第2洗淨裝置的構成的概略的縱剖面圖。
圖7是表示第2搬送裝置的構成的概略的側面圖。
圖8是剝離系統內產生的氣流的說明圖。
圖9是表示剝離處理的主要工程的流程圖。
圖10是表示以第1保持部及第2保持部來保持重合晶圓的樣子的說明圖。
圖11是表示使第2保持部移動於垂直方向及水平方向的樣子的說明圖。
圖12是表示剝離被處理晶圓及支持晶圓的樣子的說明圖。
圖13是表示由第1保持部來將被處理晶圓交接至白努利吸盤的樣子的說明圖。
圖14是表示由白努利吸盤來將被處理晶圓交接至多孔吸盤的樣子的說明圖。
圖15是表示其他的實施形態的剝離系統的構成的概略的平面圖。
圖16是表示回收其他的實施形態的被處理晶圓的卡匣載置台的位置的說明圖。
圖17是其他的實施形態的圖8的剝離系統的變形例。
1．．．剝離系統
2．．．搬出入站
3．．．剝離處理站
4．．．後處理站
5．．．介面站
6．．．檢查裝置
7．．．搬送站
8．．．檢查後洗淨裝置
8a．．．接合面洗淨部
8b．．．非接合面洗淨部
8c．．．反轉部
9．．．晶圓搬送區域
10．．．卡匣載置台
11．．．卡匣載置板
20．．．搬送機構
30．．．剝離裝置
31．．．第1洗淨裝置
32．．．搬送裝置
33．．．第2洗淨裝置
41．．．搬送機構
230．．．搬送區域
231．．．搬送機構
S．．．支持晶圓
T．．．重合晶圓
W．．．被處理晶圓
CW 、CS 、CT ．．．卡匣

Claims (19)

  1. 一種剝離系統，係將以接著劑接合被處理基板及支持基板的重合基板剝離成被處理基板及支持基板的剝離系統，其特徵係具有：剝離處理站，其係對被處理基板、支持基板及重合基板進行預定的處理；搬出入站，其係對上述剝離處理站搬出入被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個；及搬送站，其係於上述剝離處理站與上述搬出入站之間搬送被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個，上述剝離處理站係具有：剝離裝置，其係將重合基板剝離成被處理基板及支持基板；第1洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的被處理基板；第2洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的支持基板；及搬送裝置，其係於上述剝離裝置與上述第1洗淨裝置之間搬送被處理基板，上述搬送站內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力、上述第1洗淨裝置內的壓力及上述第2洗淨裝置內的壓力，為陽壓，上述搬送裝置內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力及上述第1洗淨裝置內的壓力，為陽壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之剝離系統，其中，具有介面站，其係於上述剝離處理站與對該剝離處理站所剝離的被處理基板進行預定的後處理的後處理站之間搬送被處理基板，上述介面站內的壓力相對於上述後處理站內的壓力，為陰壓，相對於上述剝離處理站內的壓力，為陽壓。
  3. 如申請專利範圍第2項之剝離系統，其中，具有檢查裝置，其係與上述介面站鄰接而設，檢查被處理基板，上述檢查裝置內的壓力相對於上述介面站內的壓力，為陽壓。
  4. 如申請專利範圍第3項之剝離系統，其中，具有檢查後洗淨裝置，其係與上述介面站鄰接而設，洗淨在上述檢查裝置所被檢查的基板，上述檢查後洗淨裝置內的壓力相對於上述介面站內的壓力，為陰壓。
  5. 如申請專利範圍第4項之剝離系統，其中，上述檢查後洗淨裝置係具有：接合面洗淨部，其係洗淨被處理基板的接合面；非接合面洗淨部，其係洗淨被處理基板的非接合面；及反轉部，其係使被處理基板的背表面反轉。
  6. 如申請專利範圍第2項之剝離系統，其中，具有控制部，其係控制上述介面站及上述搬送站，而使對上述搬出入站搬入包含正常的被處理基板的重合基板、及包含有缺陷的被處理基板的重合基板，使上述正常的被處理基板在上述第1洗淨裝置洗淨後，搬送至上述後處理站，使上述有缺陷的被處理基板在上述第1洗淨裝置洗淨後，搬送至上述搬出入站。
  7. 如申請專利範圍第1項之剝離系統，其中，上述剝離裝置係具有：第1保持部，其係具備加熱被處理基板的加熱機構，且保持該被處理基板；第2保持部，其係具備加熱支持基板的加熱機構，且保持該支持基板；及移動機構，其係至少使上述第1保持部或上述第2保持部相對地移動於水平方向。
  8. 如申請專利範圍第1項之剝離系統，其中，上述搬送裝置係具有：以白努利吸盤來保持被處理基板而搬送的搬送機構。
  9. 如申請專利範圍第1項之剝離系統，其中，上述第1洗淨裝置係具有：保持被處理基板的多孔吸盤。
  10. 如申請專利範圍第1項之剝離系統，其中，上述搬送站係於上述剝離處理站與對該剝離處理站所剝離的被處理基板進行預定的後處理的後處理站之間更搬送被處理基板，上述搬送站內的壓力相對於上述後處理站內的壓力，為陽壓。
  11. 一種剝離方法，係使用剝離系統來將以接著劑接合被處理基板及支持基板的重合基板剝離成被處理基板及支持基板之剝離方法，其特徵為：上述剝離系統係具有：一剝離處理站，其係具備：剝離裝置，其係將重合基板剝離成被處理基板及支持基板；第1洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的被處理基板；及第2洗淨裝置，其係洗淨在上述剝離裝置所被剝離的支持基板；一搬出入站，其係對上述剝離處理站搬出入被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個；及一搬送站，其係於上述剝離處理站與上述搬出入站之間搬送被處理基板、支持基板或重合基板的至少1個，上述剝離方法係具有：剝離工程，其係於上述剝離裝置中，將重合基板剝離成被處理基板及支持基板；第1洗淨工程，其係於上述第1洗淨裝置中，洗淨在上述剝離工程所被剝離的被處理基板；及第2洗淨工程，其係於上述第2洗淨裝置中，洗淨在上述剝離工程所被剝離的支持基板，上述搬送站內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力、上述第1洗淨裝置內的壓力及上述第2洗淨裝置內的壓力，為陽壓，上述搬送裝置內的壓力相對於上述剝離裝置內的壓力、及上述第1洗淨裝置內的壓力，為陽壓。
  12. 如申請專利範圍第11項之剝離方法，其中，上述剝離系統係具有介面站，該介面站係於上述剝離處理站與對該剝離處理站所剝離的被處理基板進行預定的後處理的後處理站之間搬送被處理基板，上述第1洗淨工程後，具有在上述後處理站中對被處理基板進行後處理的後處理工程，上述介面站內的壓力相對於上述後處理站內的壓力，為陰壓，相對於上述剝離處理站內的壓力，為陽壓。
  13. 如申請專利範圍第12項之剝離方法，其中，上述剝離系統係具有：與上述介面站鄰接而設，檢查被處理基板的檢查裝置，在上述第1洗淨工程後，上述後處理工程前，具有檢查被處理基板的檢查工程，上述檢查裝置內的壓力相對於上述介面站內的壓力，為陽壓。
  14. 如申請專利範圍第13項之剝離方法，其中，上述剝離系統係具有：與上述介面站鄰接而設，洗淨在上述檢查裝置所被檢查的基板的檢查後洗淨裝置，在上述檢查工程之後，上述載後處理工程前，具有洗淨被處理基板的後洗淨工程，上述檢查後洗淨裝置內的壓力相對於上述介面站內的壓力，為陰壓。
  15. 如申請專利範圍第11項之剝離方法，其中，對上述搬出入站搬入包含正常的被處理基板的重合基板、及包含有缺陷的被處理基板的重合基板，對於上述正常的被處理基板，在上述第1洗淨工程後，進行上述後處理工程，對於上述有缺陷的被處理基板，在上述第1洗淨工程後，搬送至上述搬出入站。
  16. 如申請專利範圍第11項之剝離方法，其中，上述搬送站係於上述剝離處理站與對該剝離處理站所剝離的被處理基板進行預定的後處理的後處理站之間更搬送被處理基板，在上述第1洗淨工程後，具有在上述後處理站中對被處理基板進行後處理的後處理工程，上述搬送站內的壓力相對於上述後處理站內的壓力，為陽壓。
  17. 如申請專利範圍第11項之剝離方法，其中，上述剝離裝置係具有：第1保持部，其係具備加熱被處理基板的加熱機構，且保持該被處理基板；第2保持部，其係具備加熱支持基板的加熱機構，且保持該支持基板；及移動機構，其係至少使上述第1保持部或上述第2保持部相對地移動於水平方向，在上述剝離工程中，一邊加熱被上述第1保持部所保持的被處理基板及被上述第2保持部所保持的支持基板，一邊至少使上述第1保持部或上述第2保持部相對地移動於水平方向，而剝離被處理基板及支持基板。
  18. 如申請專利範圍第17項之剝離方法，其中，上述移動機構係至少使第1保持部或上述第2保持部相對地移動於垂直方向，在上述剝離工程中，至少使上述第1保持部或上述第2保持部相對地移動於水平方向及垂直方向，而剝離被處理基板及支持基板。
  19. 一種可讀取的電腦記憶媒體，其係儲存有：為了使申請專利範圍第11項所記載的剝離方法藉由剝離系統來實行，而在控制該剝離系統的控制部的電腦上動作的程式。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015088620A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6076884B2 (ja) 2013-11-19 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
KR102075994B1 (ko) * 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
JP6577714B2 (ja) * 2015-02-04 2019-09-18 株式会社 ハリーズ 透明板検査装置及び透明板清掃検査システム
JP6846943B2 (ja) * 2017-02-10 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、および塗布方法
DE102017205635A1 (de) 2017-04-03 2018-10-04 3D-Micromac Ag Verfahren und Fertigungssystem zur Herstellung mikroelektronischer Komponenten mit Schichtaufbau
CN111696858A (zh) * 2019-03-13 2020-09-22 东京毅力科创株式会社 接合系统和接合方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5934856A (en) * 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
US6672358B2 (en) * 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
US6698486B2 (en) * 2000-12-07 2004-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for removing wafer ring tape
US20080093025A1 (en) * 2006-10-20 2008-04-24 Nitto Denko Corporation Adhesive tape cutting method and apparatus using the same
US20090139662A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd Separating device
US20090202951A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0634787B1 (en) * 1993-07-15 1997-05-02 Applied Materials, Inc. Subsrate tray and ceramic blade for semiconductor processing apparatus
JP3486462B2 (ja) * 1994-06-07 2004-01-13 東京エレクトロン株式会社 減圧・常圧処理装置
KR0165467B1 (ko) 1995-10-31 1999-02-01 김광호 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
JPH09199569A (ja) 1996-01-17 1997-07-31 Yamaha Corp ウエハ処理装置
JP3665716B2 (ja) * 1998-09-28 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP2000158332A (ja) 1998-11-25 2000-06-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 試料研磨装置
JP2002100595A (ja) * 2000-07-21 2002-04-05 Enya Systems Ltd ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置
JP2004266071A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Canon Inc 貼り合わせシステム
JP2004349503A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理システム及び処理方法
US20050150597A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
JP4401322B2 (ja) 2005-04-18 2010-01-20 日東電工株式会社 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法
JP2006352099A (ja) * 2005-05-17 2006-12-28 Olympus Corp 基板検査装置
JP2007173364A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5354900B2 (ja) * 2007-12-28 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の作製方法
JP2009252785A (ja) 2008-04-01 2009-10-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5291392B2 (ja) 2008-06-18 2013-09-18 東京応化工業株式会社 支持板剥離装置
JP5552462B2 (ja) * 2010-08-23 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5379171B2 (ja) * 2010-08-23 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 接合システム、基板処理システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5934856A (en) * 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
US6672358B2 (en) * 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
US6698486B2 (en) * 2000-12-07 2004-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for removing wafer ring tape
US20080093025A1 (en) * 2006-10-20 2008-04-24 Nitto Denko Corporation Adhesive tape cutting method and apparatus using the same
US20090139662A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd Separating device
US20090202951A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium

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Publication number Publication date
US20130280825A1 (en) 2013-10-24
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KR20140005913A (ko) 2014-01-15
US9165758B2 (en) 2015-10-20
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JP2012146756A (ja) 2012-08-02

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