JP2004349503A - 被処理体の処理システム及び処理方法 - Google Patents
被処理体の処理システム及び処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004349503A JP2004349503A JP2003145303A JP2003145303A JP2004349503A JP 2004349503 A JP2004349503 A JP 2004349503A JP 2003145303 A JP2003145303 A JP 2003145303A JP 2003145303 A JP2003145303 A JP 2003145303A JP 2004349503 A JP2004349503 A JP 2004349503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer chamber
- vacuum
- atmospheric pressure
- chamber
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】占有スペースやコストを大幅に削減することができ、しかもスループットを向上させることが可能な被処理体の処理システムを提供する。
【解決手段】第1の大気圧搬送室4と、第1の大気圧搬送室内に設けられた第1の搬送機構20と、第1の大気圧搬送室にロードロック室を介して直交するように設けた第1の真空搬送室6と、第1の真空搬送室内に設けた第2の搬送機構36と、第1の大気圧搬送室に接続した大気圧バッファ搬送室8と、大気圧バッファ搬送室内に設けたバッファ用搬送機構44と、大気圧バッファ搬室に直列に接続した第2の大気圧搬送室10と、第2の大気圧搬送室内に設けた第3の搬送機構54と、第1の真空搬送室に接続した真空処理室12A〜12Cと、第2の大気圧搬送室にロードロック室を介して接続した真空処理室12D、12Eとを備えて処理システムを形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】第1の大気圧搬送室4と、第1の大気圧搬送室内に設けられた第1の搬送機構20と、第1の大気圧搬送室にロードロック室を介して直交するように設けた第1の真空搬送室6と、第1の真空搬送室内に設けた第2の搬送機構36と、第1の大気圧搬送室に接続した大気圧バッファ搬送室8と、大気圧バッファ搬送室内に設けたバッファ用搬送機構44と、大気圧バッファ搬室に直列に接続した第2の大気圧搬送室10と、第2の大気圧搬送室内に設けた第3の搬送機構54と、第1の真空搬送室に接続した真空処理室12A〜12Cと、第2の大気圧搬送室にロードロック室を介して接続した真空処理室12D、12Eとを備えて処理システムを形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を施すための被処理体の処理システム及び処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスを製造するためには、被処理体である例えば半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、アニール処理、改質処理、プリクリーン処理等が必要に応じて繰り返し行われ、薄膜が多層に積層されて行く。このように、半導体ウエハに対しては、必要な処理が多数行われるので、各処理の効率化を図ってスループットを向上させる目的で、ウエハを搬送するための1つの搬送室に対して、複数の処理室を連通及び遮断可能に接続し、ウエハに対してある1つの処理室で所定の処理が終了したならば、このウエハを上記搬送室を介して他の処理室へ搬送するようにして別の処理を行う、という具合に必要な処理を連続的に行うようにしている。
【0003】
このような処理システムの一例としては、以下の処理システムが知られている。まず、特許文献1には、多角形、例えば6角形、或いは8角形状の真空搬送室の周囲に必要な処理室を直接的に連結してクラスタツール化し、各処理室間に亘ってウエハを渡り歩くようにしながら連続処理を行うようにしている点が開示されている。
特許文献2には、横に長い直方体状に形成された真空搬送室の側壁に、複数の処理室を直接的に連結し、各処理室間に亘ってウエハを渡り歩くようにしながら連続処理を行うようにしている点が開示されている。
また特許文献3、4には、横に長い直方体状に形成された大気圧搬送室の側壁に、真空引き可能になされたロードロック室を介して複数の処理室を連結し、処理室間に亘ってウエハを渡り歩くようにしながら連続処理を行うようにしている点が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−324829号公報
【特許文献2】
特開平8−119409号公報
【特許文献3】
特開2002−151568号公報
【特許文献4】
特開2002−134587号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記半導体ウエハに対して真空雰囲気下で処理を行う場合、処理の種類によっては、当該処理の後に次の処理室へウエハを搬送する時に、自然酸化膜等の付着防止を図るために真空雰囲気下でこのウエハを搬送することが望まれる場合もあるし、或いは自然酸化膜の付着等の恐れがない場合には真空雰囲気下でなくて大気圧の雰囲気下で搬送してもよいような場合もある。上記した真空搬送室は、その機構上においてシール性や内部の搬送機構の駆動系が非常に複雑化することから、できるだけこの真空搬送室を小型化することが望ましい。
【0006】
しかしながら、特許文献1の場合のように、全ての処理室を多角形の真空搬送室に連結してクラスタツール状の処理システムとした場合には、各処理室間に空きスペースがかなり発生し、処理システムの占有スペースがかなり増大する、といった問題がある。特に、真空搬送室を複数個連結したような場合には、処理システムの外部に対してウエハを搬出入させるウエハ搬出入側の搬送機構が多忙となってウエハ搬送待ちが生ずる恐れがあるので、スループットを低下させる問題がある。
また特許文献2の場合のように、横長の大きな真空搬送室を有する場合には、上述のようにこの真空搬送室のコストは同じ大きさの大気圧搬送室のコストと比較して非常に高価になるため、コストパフォーマンスが低下する、といった問題がある。
【0007】
また特許文献3、4の場合のように、横長の大きな大気圧搬送室を有する場合には、このコストは真空搬送室のコストと比較して低い、という利点はあるが、この場合には、2つの処理室に亘ってウエハを搬送する際にはこのウエハは必ず大気圧の雰囲気下を通るので、処理後のウエハを真空雰囲気下にて搬送することができない、という問題点がある。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、真空雰囲気下での搬送が必要な真空処理室を真空搬送室に連結し、大気圧雰囲気下でも搬送が可能な真空処理室を大気圧搬送室へ連結することにより、占有スペースやコストを大幅に削減することができ、しかもスループットを向上させることが可能な被処理体の処理システム及び処理方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、被処理体を搬出入するロードポートを有して第1の方向に沿って設けた第1の大気圧搬送室と、前記第1の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第1の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に、前記第1の大気圧搬送室に直交するように第2の方向に沿って設けられる第1の真空搬送室と、前記第1の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第2の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に接続されると共に前記第2の真空搬送室に沿って並行させて設けられる大気圧バッファ搬送室と、前記大気圧バッファ搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するためのバッファ用搬送機構と、前記大気圧バッファ搬送室に直列に接続されると共に、前記第1の真空搬送室に沿って並行させて設けられる第2の大気圧搬送室と、前記第2の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第3の搬送機構と、前記第1の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、前記第2の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続された少なくとも1つの真空処理室と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理システムである。
【0009】
このように、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と大気圧バッファ搬送室をそれぞれ連結して設け、更にこの大気圧バッファ搬送室に第2の大気圧搬送室を連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
【0010】
この場合、例えば請求項2に規定するように、前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に前記大気圧バッファ搬送室を前記第1の真空搬送室との間で挟み込むようにして前記大気圧バッファ搬送室に沿って並行させて設けられる第2の真空搬送室と、前記第2の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第4の搬送機構と、前記第2の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、を備える。
また例えば請求項3に規定するように、前記バッファ用搬送機構は高速移動が可能である。
【0011】
請求項4に係る発明は、被処理体を搬出入するロードポートを有して第1の方向に沿って設けた第1の大気圧搬送室と、前記第1の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第1の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に、前記第1の大気圧搬送室に直交するように第2の方向に沿って設けられる第1の真空搬送室と、前記第1の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第2の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に接続されると共に、前記第1の真空搬送室に沿って並行させて設けられる第2の大気圧搬送室と、前記第2の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第3の搬送機構と、前記第1の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、前記第2の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続された少なくとも1つの真空処理室と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理システムである。
【0012】
このように、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と第2の大気圧搬送室をそれぞれ連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
【0013】
この場合、例えば請求項5に規定するように、前記第1の大気圧搬送室と前記第2の大気圧搬送室との接続部には、前記被処理体を一時的に保持する中継載置台が設けられる。
また例えば請求項6に規定するように、前記真空搬送室と前記第2の大気圧搬送室との間には、真空引き可能になされたロードロック室が設けられる。
また例えば請求項7に規定するように、前記第1及び第2の大気圧搬送室の端部には前記被処理体の位置合わせを行うための位置合わせ機構が設けられる。 また例えば請求項8に規定するように、前記真空搬送室に接続される真空処理室には、前記被処理体に対して大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う真空処理室が含まれ、且つ前記第2の大気圧搬送室に接続される真空処理室では前記被処理体に対して処理前、或いは処理後において大気に晒されても影響を与えない処理が行われる。
【0014】
請求項9に係る発明は、上記処理システムを用いて行われる方法発明であり、すなわち上記いずれかの被処理体の処理システムを用いて被処理体に所定の処理を連続的に施す処理方法において、前記被処理体に、真空搬送室に接続された複数の真空処理室で連続的に所定の処理を施した後に、大気圧搬送室に接続された真空処理室で所定の処理を施すようにしたことを特徴とする処理方法である。
請求項10に係る発明は、上記処理システムを用いて行われる他の方法発明であり、すなわち上記いずれかの被処理体の処理システムを用いて被処理体に所定の処理を連続的に施す処理方法において、前記被処理体に、大気圧搬送室に接続された真空処理室で所定の処理を施した後に、真空搬送室に接続された複数の真空処理室で連続的に所定の処理を施すようにしたことを特徴とする処理方法である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る被処理体の処理システム及び処理方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
<第1実施例>
図1は本発明に係る被処理体の処理システムの第1実施例を示す概略構成図、図2は位置決め装置を示す側面図、図3はバッファ用搬送機構の一例を示す構成図である。ここでは被処理体として半導体ウエハを用いた場合について説明する。
【0016】
まず、図1を参照して被処理体の処理システムについて説明する。
図1に示すように、この処理システム2は、第1の方向に沿って延びる横長の箱体により形成される第1の大気圧搬送室4と、上記第1の方向に対して直交する第2の方向に沿って延びる横長の箱体によりそれぞれ形成される第1の真空搬送室6、大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10とを有している。上記各搬送室4、6、8、10は例えばステンレススチールによりその外殻が形成されている。
【0017】
そして、上記第1の真空搬送室6を区画する長手方向の側壁には、被処理体である例えば半導体ウエハWに所定の処理を施すための複数、図示例では3つの真空処理室12A、12B、12Cがそれぞれ開閉可能になされたゲートバルブGを介して直接的に接続して設けられている。
また、上記第2の大気圧搬送室10を区画する長手方向の側壁には、それぞれ真空引き可能になされたロードロック室14D、14E及びこの両側に設けられるゲートバルブGを介して図示例では2つの真空処理室12D、12Eがそれぞれ接続して設けられている。尚、この真空処理室12D、12Eは、少なくとも1つ設けられており、更に3個以上設けるようにしてもよい。
【0018】
上記第1の大気圧搬送室4内は、清浄空気やN2 ガス等の不活性ガスにより大気圧状態、または陽圧状態の雰囲気になされており、その長手方向の一側壁には、複数、図示例では3つの搬出入口16が設けられている。そして、この各搬出入口16にはロードポート18がそれぞれ設けられており、このロードポート18に、半導体ウエハWを複数枚、例えば25枚程度収容し得るカセットCが載置できるようになっている。そして、この第1の大気圧搬送室4内には、上記ウエハWを保持して搬送するための第1の搬送機構20が設けられている。具体的には、この第1の搬送機構20は、この長手方向に沿って設けられる案内レール22上に沿って、例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース23を有しており、このベース23に複数本、例えば2本の屈伸可能になされた多関節アーム24A、24Bが取り付けられている。この多関節アーム24A、24Bは、上下方向及び旋回方向にも移動可能になされており、このアーム24A、24BでウエハWを保持して搬送するようになっている。尚、このアーム24A、24Bは多関節のものに限定されず、その数量も3以上設けてもよい。この点は後述する他の搬送機構も同様である。
【0019】
また、この第1の大気圧搬送室4の一端部には、ウエハWの位置合わせを行うための第1の位置合わせ機構として第1のオリエンタ26が設けられている。この第1のオリエンタ26は、図2にも示すように駆動モータ28によって回転される基準台30を有しており、この上にウエハWを載置した状態で回転するようになっている。基準台30の外周には、ウエハWの周縁部を検出するための、例えば光学式の光学センサ32が設けられる。この光学センサ32は基準台30の半径方向に沿って配置した所定の長さのライン状の発光素子32Aと、ウエハ周縁部を挟んでこれと対応するように配置した受光素子32Bとよりなり、カーテン状のレーザ光Lをウエハ端部に照射してこの変動を検出できるようになっている。そして、検出演算部34ではウエハWの偏心量、偏心方向及びウエハWに形成されている切り欠き目印としての例えばノッチやオリエンテーションフラットの回転位置、すなわち方位を認識できるようになっている。
【0020】
また上記第1の真空搬送室6内は、例えば10〜100Pa程度の真空雰囲気になされており、この第1の真空搬送室6は、真空状態と大気圧復帰状態とを迅速に実現することができるように真空引き可能になされたロードロック室14A(以下に説明するロードロック室は全てこのような特性を有する)と、この両側に設けられるゲートバルブGを介して上記第1の大気圧搬送室4の他方の側壁の略中央部に、これに直交するように接続して設けられる。上記ロードロック室14A内では少なくとも1枚のウエハWを保持できるようになされている。そして、この第1の真空搬送室6内には、上記ウエハWを保持して搬送するための第2の搬送機構36が設けられている。
【0021】
具体的には、この第2の搬送機構36は、この長手方向に沿って設けられる案内レール38上に沿って、例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース40を有しており、このベース40に先の第1の搬送機構20の構成と同様に、複数本、例えば2本の屈伸可能になされた多関節アーム42A、42Bが取り付けられている。この多関節アーム42A、42Bは、上下方向及び旋回方向にも移動可能になされており、このアーム42A、42BでウエハWを保持して搬送するようになっている。
【0022】
そして、この第1の真空搬送室6の長手方向の側壁に、前述したように、複数、ここでは3つの真空処理室12A〜12Cが、それぞれゲートバルブGを介して接続されている。これらの真空処理室12A〜12Cでは、ウエハWに対しては少なくとも2つ以上の処理を連続的に行うような真空処理室12A〜12Cが接続されており、しかもウエハWに対して大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う真空処理室が少なくとも含まれている。例えば処理後のウエハWを大気圧の雰囲気に晒したくないような処理を行う真空処理室は、この第1の真空処理室6に接続されることになる。尚、この場合、この第1の真空搬送室6から搬出する直前にウエハWに対して行う処理は、この処理後のウエハWを大気圧の雰囲気に晒しても影響のない処理が行われ、またそのような処理を行う真空処理室が上記3つの真空処理室12A〜12Cの内の1つに含まれる。
【0023】
また、上記大気圧バッファ搬送室8は、上記第1の大気圧搬送室4の長手方向の側壁に、これと直交するように接続し、且つ上記第1の真空処理室6と並行するようにして設けられている。この大気圧バッファ搬送室8内は、上記第1の大気圧搬送室4内と連通状態になされており、従ってその内部は清浄空気やN2 ガス等の不活性ガスにより大気圧状態、または陽圧の状態になされている。
そして、この大気圧バッファ搬送室8内には、その長手方向に沿ってウエハWを搬送するためのバッファ用搬送機構44が設けられる。具体的には、図3にも示すように、このバッファ用搬送機構44は、この長手方向に沿って設けられる案内レール46上に沿って例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース48を有している。そして、このベース48に複数段、例えば図3では5段になされたウエハ支持棚50を有するウエハ収容容器52を取り付け固定して設けており、上記ウエハ支持棚50にウエハWを支持させた状態で最大5枚のウエハWを搬送し得るようになっている。
【0024】
また、上記第2の大気圧搬送室10は、上記大気圧バッファ搬送室8に直列状態となるように連通させて接続されている。従って、この第2の大気圧搬送室10内も清浄空気やN2 ガス等の不活性ガスで大気圧状態、はたは陽圧状態の雰囲気になされている。
そして、この第2の大気圧搬送室10内には、上記ウエハWを保持して搬送するための第3の搬送機構54が設けられている。具体的には、この第3の搬送機構54は、この長手方向に沿って設けられる案内レール56上に沿って、例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース58を有しており、このベース58に先の第1に搬送機構20の構成と同様に、複数本、例えば2本の屈伸可能になされた多関節アーム60A、60Bが取り付けられている。この多関節アーム60A、60Bは、上下方向及び旋回方向にも移動可能になされており、このアーム60A、60BでウエハWを保持して搬送するようになっている。
【0025】
また、この第2の大気圧搬送室10の一端部には、ウエハWの位置合わせを行うために、先の第1のオリエンタ26と同様な構成の第2の位置合わせ機構として第2のオリエンタ62が設けられている。そして、この第2の大気圧搬送室10の長手方向の側壁に、それぞれ真空引き可能になされたロードロック室14D、14Eを介して前記2つの真空処理室12D、12Eが接続されている。このロードロック室14D、14Eの両側にはそれぞれゲートバルブGが介在されている。そして各ロードロック室14D、14Eは、先のロードロック室14Aよりもその寸法が長く設定されており、内部に少なくとも2枚のウエハを保持できるように例えば前後に2ヵ所のウエハ載置部(図示せず)が設けられる。そして、これらのウエハ載置部間に屈伸及び旋回が可能になされた搬送アーム64D、64Eが設けられており、これらのロードロック室14D、14Eと上記各真空処理室12D、12Eとの間で、それぞれウエハWの受け渡しをできるようになっている。そして、上記真空処理室12D、12Eでは、ウエハWに対して処理前、或いは処理後において大気に晒されても影響を与えない処理が行われる。
【0026】
また、上記第2の大気圧搬送室10の長手方向の側壁の一端部と、上記第1の真空搬送室6の他端部との間には、真空引き可能になされたロードロック室14Bがその90度方向の側壁にゲートバルブGをそれぞれ介在させて設けられており、上記第2の大気圧搬送室10と上記第1の真空搬送室6との間でウエハWを搬送し得るようになっている。このロードロック室14B内では少なくとも1枚のウエハWを保持できるようになされている。
【0027】
次に、以上のように構成された処理システム2を用いて行われる被処理体の処理方法及び搬送方法について説明する。
まず、未処理の半導体ウエハWは、第1の大気圧搬送室4に設けた各ロードポート18に載置したカセットCから第1の搬送機構20を用いて取り出されて、この処理システム2内に取り込まれる。そして、この取り込まれたウエハWに対して所定の一連の処理が行われて処理が完了したウエハWは、再度このカセットC内に収容されることになる。
【0028】
<最初に真空処理室12A〜12Cで処理を行う場合>
上記取り込まれたウエハWに対して最初に真空処理室12A〜12Cで処理を行う場合には、ウエハWは概略的には、第1のオリエンタ26→ロードロック室14A→第1の真空搬送室6→真空処理室12A〜12C→ロードロック室14B→第2の大気圧搬送室10→ロードロック室14D、14E→真空処理室12D、12E→第2の大気圧搬送室10→大気圧バッファ搬送室8→第1の大気圧搬送室4の順で移送される。
すなわち、最初に第1の真空搬送室6に接続された真空処理室12A〜12Cの内のいずれかの真空処理室内で処理を行う場合には、第1の搬送機構20により上記ロードポート18から取り込んだウエハWを第1のオリエンタ26に搬送してこのウエハWを位置合わせし、位置合わせ後のウエハWをロードロック室14Aへ搬送し、そして、このロードロック室14A内のウエハWを第2の搬送機構36を用いて第1の真空搬送室6内へ取り込む。尚、ロードロック室14Aを開閉する際には、周知のように真空室側の真空破壊が生じないように必ず圧力調整がなされるが、この点は他の全てのロードロック室においても同様である。
【0029】
この第1の真空搬送室6内へ取り込んだウエハWは、必要に応じて各真空処理室12A〜12C間を渡り歩くように搬送されて連続処理が行われることになる。当然のこととして、ウエハWを各真空処理室12A〜12C間に亘って連続搬送する際には上記第2の搬送機構36を用いて真空雰囲気下にて行われることになり、ウエハWは大気圧の雰囲気に晒されることはない。尚、上記真空処理室12A〜12Cの各処理の態様によっては、必ずしも全ての真空処理室12A〜12Cで連続的に処理を行う必要はなく、少なくとも2以上の真空処理室で処理が行われる。この場合、2つ或いは3つの処理の内、最後の処理は、この処理後にウエハWを大気に晒しても悪影響を与えないような処理が行われる。
【0030】
このようにして、真空処理室12A〜12Cにて必要とする連続処理が完了したウエハWは、この第1の真空搬送室6の他端部に設けたロードロック室14Bに搬出され、このウエハWは第3の搬送機構54を用いてロードロック室14Bから第2の大気圧搬送室10内に取り込まれる。尚、この場合、ウエハWを、他方のロードロック室14A、第1の大気圧搬送室4及び大気圧バッファ搬送室8を介して第2の大気圧搬送室10へ搬送してもよいが、この経路は長過ぎて搬送に長時間を要すことからスループットを低下させるので好ましくない。
【0031】
そして、第2の大気圧搬送室10内へ取り込まれたこのウエハWは、この第2の大気圧搬送室10に接続されたロードロック室14D、14Eのいずれか一方へ第3の搬送機構54を用いて搬入され、このロードロック室14D、或いは14Eへ搬入されたウエハWは圧力調整後に、搬送アーム64D、或いは64Eを用いて真空処理室12D、或いは12Eへ搬入されてここで所定の処理が施される。処理後のウエハWは上記とは逆の経路を経て第2の大気圧搬送室10側に戻されることになる。この場合、両真空処理室12D、12Eで連続処理する場合もあるし、いずれか一方の真空処理室のみで処理をする場合もある。
【0032】
このようにして、上記真空処理室12D、12Eでの処理が完了したウエハWは、第3の搬送機構54により大気圧バッファ搬送室8内のバッファ用搬送機構44のウエハ収容容器52(図3参照)へ移載される。このバッファ用搬送機構44では、図3に示すように最大5枚のウエハWを保持でき、適当枚数の処理済みのウエハWを保持したならば、これを第1の大気圧搬送室4に向けて走行移動させる。尚、この場合、すでに全ての処理が完了しているので、走行移動中にウエハWにある程度の許容範囲の位置ずれが生じてもよいので、バッファ用搬送機構44を高速走行させてもよく、その分、スループットを向上できる。
そして、このバッファ用搬送機構44が第1の大気圧搬送室4側に到達したならば(図1中で右側に到達)、このバッファ用搬送機構44に保持されている処理済みのウエハWは、第1の大気圧搬送室4内の第1の搬送機構20を用いてロードポート18における所定のカセットC内へ収容されることになる。
【0033】
<最初に真空処理室12D、12Eで処理を行う場合>
この処理システム2内に取り込まれたウエハWに対して最初に真空処理室12D、12Eで処理を行う場合には、ウエハWは、概略的には、大気圧バッファ搬送室8→第2の大気圧搬送室10→第2のオリエンタ62→ロードロック室14D、14E→真空処理室12D、12E→第2の大気圧搬送室10→ロードロック室14B→第1の真空搬送室6→真空処理室12A〜12C→ロードロック室14A→第1の大気圧搬送室4の順で移送される。
【0034】
すなわち、最初に第2の大気圧搬送室10に接続した真空処理室12D、12Eの内のいずれかの真空処理室内で処理を行う場合には、第1の搬送機構20により上記ロードポート18から取り込んだウエハWを大気圧バッファ搬送室8内のバッファ用搬送機構44のウエハ収容容器52(図3参照)へ移載する。このバッファ用搬送機構44では最大5枚のウエハWを保持でき、適当枚数の未処理のウエハWを保持したならば、これを第2の大気圧搬送室10に向けて走行移動させる。この際、後でウエハの位置合わせを行うことから走行移動中にウエハWにある程度の許容範囲の位置ずれが生じてもよいので、バッファ用搬送機構44を高速走行させてもよく、この場合にはその分、スループットを向上できる。
【0035】
そして、このバッファ用搬送機構44が第2の大気圧搬送室10に到達したならば、ここにバッファ用搬送機構44を待機させた状態で第3の搬送機構54を用いて上記バッファ用搬送機構44からウエハWを受け取り、このウエハWを第2のオリエンタ62に搬送してこのウエハWを位置合わせする。そして、位置合わせ後のウエハWをロードロック室14D、14Eのいずれか一方へ搬入し、このロードロック室14D、或いは14Eへ搬入されたウエハWは圧力調整後に、搬送アーム64D、或いは64Eを用いて真空処理室12D、或いは12Eへ搬入されて所定の処理が施される。
処理後のウエハWは上記と逆の経路を経て第2の大気圧搬送室10側に戻される。この場合、両真空処理室12D、12Eで連続処理する場合もあるし、いずれか一方の真空処理室のみで処理する場合もある。
【0036】
このように真空処理室12D、12Eでの処理が完了したウエハWは、第3の搬送機構54を用いてロードロック室14B内に搬入され、このロードロック室14B内のウエハWは第2の搬送機構36を用いて第1の真空搬送室6内に取り込まれる。この場合、ウエハWを大気圧バッファ搬送室8、第1の大気圧搬送室4及びロードロック室14Aを経由して第1の真空搬送室6内へ取り込んでもよいが、この経路は長過ぎてスループットを低下させるので好ましくない。
そして、この第1の真空搬送室6内へ取り込まれたウエハWは、必要に応じて各真空処理室12A〜12C間を渡り歩くように搬送されて連続処理が行われることになる。当然のこととして、ウエハWを各真空処理室12A〜12C間に亘って連続搬送する際には上記第2の搬送機構36を用いて真空雰囲気下にて行われることになり、ウエハWは大気圧の雰囲気に晒されることはない。尚、上記真空処理室12A〜12Cの各処理の態様によっては、必ずしも全ての真空処理室12A〜12Cで連続的に処理を行う必要はなく、少なくとも2以上の真空処理室で処理が行われる。この場合、2つ或いは3つの処理の内、最後の処理は、この処理後にウエハWを大気に晒しても悪影響を与えないような処理が行われる。
【0037】
このようにして、真空処理室12A〜12Cにて必要とする連続処理が完了した処理済みのウエハWは、この第1の真空搬送室6の基端部に設けたロードロック室14Aに搬出され、この処理済みのウエハWは第1の搬送機構20を用いてロードロック室14Aから第1の大気圧搬送室4内に取り込まれる。そして、この処理済みのウエハWはロードポート18における所定のカセットC内へ収容されることになる。
このように設備コストの高い第1の真空処理室6の長さ及び大きさをできるだけ小さくしているので、設備コストを低減できる。また、この処理システム2の全体の配列は無駄な空間が少ないので、その分、占有面積を抑制することができる。尚、上記第1の真空搬送室6には3個の真空処理室12A〜12Cを接続したが、この設置数は2以上であればよく、この設置数は特に限定されない。また第2の大気圧搬送室10に接続する真空処理室も1以上であればよく、その設置数は限定されない。
【0038】
また、上記各真空処理室12A〜12Eの一例としては、例えば真空処理室12Aがウエハ表面の自然酸化膜を除去する洗浄処理を行い、真空処理室12Bが上記洗浄処理後のウエハにTi膜をCVD成膜する処理を行い、真空処理室12Cが上記Ti膜上にTiN膜をCVD成膜する処理を行い、真空処理室12D、12Eが上記TiN膜上にW(タングステン)膜をCVD成膜する処理を行う場合などに本発明を適用できる。この場合には、ウエハWは、真空処理室12A→真空処理室12B→真空処理室12C→真空処理室12D、或いは真空処理室12Eの順序で搬送されて行くことになる。
【0039】
<第2実施例>
次に、本発明の処理システムの第2実施例について説明する。
上記第1実施例では、大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10の長手方向の他方の側壁側には何ら部材を配置していなかったが、この第2実施例ではこの他方の側壁側にも種々の部材を配置している。図4はこのような本発明の処理システムの第2実施例を示す概略構成図である。尚、図1に示す構成部分と同一構成には同一符号を付してその説明を省略する。
図4に示すように、この第2実施例では、図1に示す第1実施例の第1の大気圧搬送室4に対する大気圧バッファ搬送室8の連結位置をその長手方向の略中央部に位置させ、且つ大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10の長手方向の他方の側壁側にも、図1に示す第1の真空処理室6や真空処理室12A〜12Eと同様な構成部材を配置している。すなわち上記大気圧バッファ搬送室8と第2の大気圧搬送室10を中心として、その両側(図4中では上下方向)に略対称となるように真空搬送室や真空処理室を配置して設けるようにしている。
【0040】
具体的には、上記大気圧バッファ搬送室8を線対称の中心として、上記ロードロック室14A及び第1の真空搬送室6と対称になるようにロードロック室66A、第2の真空搬送室68及び3つの真空処理室72A、72B、72Cがそれぞれ設けられ、この第2の真空搬送室68内には、上記第2の搬送機構36と同じ構成の第4の搬送機構70が設けられている。上記各真空処理室72A、72B、72Cでは、例えば先の3つの真空処理室12A〜12Cとそれぞれ同様な処理が行われる。
また上記第2の大気圧搬送室10を線対称の中心として、上記ロードロック室14B、14D、14E及び真空処理室12D、12Eと対称となるように、ロードロック室66B、66D、66E及び2つの真空処理室72D、72Eが設けられる。上記各真空処理室72D、72Eでは、例えば先の2つの真空処理室12D、12Eとそれぞれ同様な処理が行われる。
【0041】
以上の結果、上記大気圧バッファ搬送室8は第1と第2の真空搬送室6、68との間に挟み込まれたような状態で互いに並行に配置された状態となる。
このように構成された第2実施例の場合の動作は、先に説明した第1実施例の動作と全く同じであり、第1実施例と同様な作用効果を発揮することができる。ただし、大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10の両側に各処理室が配置されているので、バッファ用搬送機構44、第3の搬送機構54及び第1の搬送機構20の各動作は設置された真空処理室の数が増加した分だけの忙しさとなる。
【0042】
尚、上記各真空処理室72A〜72Cでの処理は、上記真空処理室12A〜12Cの各処理とそれぞれ同じである必要はなく、ウエハWに対して大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う真空処理室が含まれていればよい。
また上記真空処理室72D、72Eでの処理も、上記真空処理室12D、12Eの各処理とそれぞれ同じである必要はなく、ウエハWに対して処理前、或いは処理後において大気に晒されても影響を与えないような処理を行う真空処理室であればよい。
【0043】
<第3実施例>
次に第3実施例について説明する。
先の図1に示す第1実施例では、第2の大気圧搬送室10と第1の大気圧搬送室4との間のウエハWの高速搬送とウエハWの搬送に対するバッファ機能を可能とするために大気圧バッファ搬送室8とバッファ用搬送機構44を設けたが、これに限定されず、この部分を第2の大気圧搬送室で構成してもよい。図5はこのような本発明の処理システムの第3実施例を示す概略構成図である。尚、図1に示す構成部分と同一構成には同一符号を付してその説明を省略する。
【0044】
図5に示すように、この第3実施例では、図1に示す第1実施例中の大気圧バッファ搬送室8及びバッファ用搬送機構44を設けず、その分、第2の大気圧搬送室10及び案内レール56の各長さを延長させて第1の大気圧搬送室4の側壁に連通するように接続している。そして、この第1の大気圧搬送室4との接続部に、ウエハWを一時的に保持する中継載置台80が設けられて、ウエハWの搬送に対してバッファ機能を持たせている。図6はこの中継載置台80の斜視図を示しており、例えば図3中に示すバッファ用搬送機構44の上部構造と同様な構成になっており、ウエハ収容容器82とこの内面に多段、図示例では5段に設けたウエハ支持棚84とよりなり、このウエハ支持棚84に最大5枚のウエハWを保持させ得るようになっている。そして、この中継載置台80にウエハWを一時的に保持させることにより、第1と第3の搬送機構20、54との間でウエハWの受け渡しをバッファ的に弾力性を持たせながら行い得るようになっている。
【0045】
尚、この場合、上記中継載置台80を設けないで、第1と第3の搬送機構20、54との間で直接的にウエハWの受け渡しを行うようにしてもよい。
この第3実施例の場合には、大気圧バッファ搬送室8を設けていない分だけウエハWの搬送に少し時間を要してスループットは低下するが、それ以外の点については第1実施例の場合と同様な作用効果を発揮することができる。
【0046】
<第4実施例>
次に第4実施例について説明する。
図7は本発明の処理システムの第4実施例を示す概略構成図である。
この第4実施例は、図5に示す第3実施例中の第2の大気圧搬送室10に連結した2つのロードロック室14D、14E付きの真空処理室12D、12Eを、上記第2の大気圧搬送室10の反対側の側壁であって、第1の大気圧搬送室4に近い側に取り付け固定している。そして、この第2の大気圧搬送室10の長さを、可能な限り短くしてこの処理システムの長さ方向(図7中の左右方向)の占有スペースを減じて幅方向(図7中の上下方向)へ振り分けるようにしている。この第4実施例の場合にも、先の第3実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
【0047】
尚、上記各実施例では第1及び第2の真空搬送室6、68内ではリニアモータ機構を利用した第2及び第4の搬送機構36、70を用いたが、これに代えて、例えば多関節アーム42A、42Bの設けられたベース40(図1参照)を、図示しない旋回可能になされた大型の屈伸アームの先端に取り付けるようにし、そして、この大型の屈伸アームを屈伸させることにより上記ベース40を所望する真空処理室12A〜12C、或いは72A〜72Cの前に位置付けするようにしてもよい。これによれば、リニアモータ機構を使用しない分だけ摺動部分がなくなり、その分、パーティクルの発生を抑制することができる。
またここでは被処理体として半導体ウエハWを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板等にも本発明を適用することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の被処理体の処理システム及び処理方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項1〜3、5〜10に係る発明によれば、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と大気圧バッファ搬送室をそれぞれ連結して設け、更にこの大気圧バッファ搬送室に第2の大気圧搬送室を連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
請求項4に係る発明によれば、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と第2の大気圧搬送室をそれぞれ連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る被処理体の処理システムの第1実施例を示す概略構成図である。
【図2】位置決め装置を示す側面図である。
【図3】バッファ用搬送機構の一例を示す構成図である。
【図4】本発明の処理システムの第2実施例を示す概略構成図である。
【図5】本発明の処理システムの第3実施例を示す概略構成図である。
【図6】中継載置台を示す斜視図である。
【図7】本発明の処理システムの第4実施例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
2 処理システム
4 第1の大気圧搬送室
6 第1の真空搬送室
8 大気圧バッファ搬送室
10 第2の大気圧搬送室
12A〜12E 真空処理室
14A,14B,14D,14E ロードロック室
18 ロードポート
20 第1の搬送機構
26 第1のオリエンタ(位置合わせ機構)
36 第2の搬送機構
44 バッファ用搬送機構
54 第3の搬送機構
62 第2のオリエンタ(位置合わせ機構)
W 半導体ウエハ(被処理体)
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を施すための被処理体の処理システム及び処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスを製造するためには、被処理体である例えば半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、アニール処理、改質処理、プリクリーン処理等が必要に応じて繰り返し行われ、薄膜が多層に積層されて行く。このように、半導体ウエハに対しては、必要な処理が多数行われるので、各処理の効率化を図ってスループットを向上させる目的で、ウエハを搬送するための1つの搬送室に対して、複数の処理室を連通及び遮断可能に接続し、ウエハに対してある1つの処理室で所定の処理が終了したならば、このウエハを上記搬送室を介して他の処理室へ搬送するようにして別の処理を行う、という具合に必要な処理を連続的に行うようにしている。
【0003】
このような処理システムの一例としては、以下の処理システムが知られている。まず、特許文献1には、多角形、例えば6角形、或いは8角形状の真空搬送室の周囲に必要な処理室を直接的に連結してクラスタツール化し、各処理室間に亘ってウエハを渡り歩くようにしながら連続処理を行うようにしている点が開示されている。
特許文献2には、横に長い直方体状に形成された真空搬送室の側壁に、複数の処理室を直接的に連結し、各処理室間に亘ってウエハを渡り歩くようにしながら連続処理を行うようにしている点が開示されている。
また特許文献3、4には、横に長い直方体状に形成された大気圧搬送室の側壁に、真空引き可能になされたロードロック室を介して複数の処理室を連結し、処理室間に亘ってウエハを渡り歩くようにしながら連続処理を行うようにしている点が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−324829号公報
【特許文献2】
特開平8−119409号公報
【特許文献3】
特開2002−151568号公報
【特許文献4】
特開2002−134587号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記半導体ウエハに対して真空雰囲気下で処理を行う場合、処理の種類によっては、当該処理の後に次の処理室へウエハを搬送する時に、自然酸化膜等の付着防止を図るために真空雰囲気下でこのウエハを搬送することが望まれる場合もあるし、或いは自然酸化膜の付着等の恐れがない場合には真空雰囲気下でなくて大気圧の雰囲気下で搬送してもよいような場合もある。上記した真空搬送室は、その機構上においてシール性や内部の搬送機構の駆動系が非常に複雑化することから、できるだけこの真空搬送室を小型化することが望ましい。
【0006】
しかしながら、特許文献1の場合のように、全ての処理室を多角形の真空搬送室に連結してクラスタツール状の処理システムとした場合には、各処理室間に空きスペースがかなり発生し、処理システムの占有スペースがかなり増大する、といった問題がある。特に、真空搬送室を複数個連結したような場合には、処理システムの外部に対してウエハを搬出入させるウエハ搬出入側の搬送機構が多忙となってウエハ搬送待ちが生ずる恐れがあるので、スループットを低下させる問題がある。
また特許文献2の場合のように、横長の大きな真空搬送室を有する場合には、上述のようにこの真空搬送室のコストは同じ大きさの大気圧搬送室のコストと比較して非常に高価になるため、コストパフォーマンスが低下する、といった問題がある。
【0007】
また特許文献3、4の場合のように、横長の大きな大気圧搬送室を有する場合には、このコストは真空搬送室のコストと比較して低い、という利点はあるが、この場合には、2つの処理室に亘ってウエハを搬送する際にはこのウエハは必ず大気圧の雰囲気下を通るので、処理後のウエハを真空雰囲気下にて搬送することができない、という問題点がある。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、真空雰囲気下での搬送が必要な真空処理室を真空搬送室に連結し、大気圧雰囲気下でも搬送が可能な真空処理室を大気圧搬送室へ連結することにより、占有スペースやコストを大幅に削減することができ、しかもスループットを向上させることが可能な被処理体の処理システム及び処理方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、被処理体を搬出入するロードポートを有して第1の方向に沿って設けた第1の大気圧搬送室と、前記第1の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第1の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に、前記第1の大気圧搬送室に直交するように第2の方向に沿って設けられる第1の真空搬送室と、前記第1の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第2の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に接続されると共に前記第2の真空搬送室に沿って並行させて設けられる大気圧バッファ搬送室と、前記大気圧バッファ搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するためのバッファ用搬送機構と、前記大気圧バッファ搬送室に直列に接続されると共に、前記第1の真空搬送室に沿って並行させて設けられる第2の大気圧搬送室と、前記第2の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第3の搬送機構と、前記第1の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、前記第2の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続された少なくとも1つの真空処理室と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理システムである。
【0009】
このように、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と大気圧バッファ搬送室をそれぞれ連結して設け、更にこの大気圧バッファ搬送室に第2の大気圧搬送室を連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
【0010】
この場合、例えば請求項2に規定するように、前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に前記大気圧バッファ搬送室を前記第1の真空搬送室との間で挟み込むようにして前記大気圧バッファ搬送室に沿って並行させて設けられる第2の真空搬送室と、前記第2の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第4の搬送機構と、前記第2の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、を備える。
また例えば請求項3に規定するように、前記バッファ用搬送機構は高速移動が可能である。
【0011】
請求項4に係る発明は、被処理体を搬出入するロードポートを有して第1の方向に沿って設けた第1の大気圧搬送室と、前記第1の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第1の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に、前記第1の大気圧搬送室に直交するように第2の方向に沿って設けられる第1の真空搬送室と、前記第1の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第2の搬送機構と、前記第1の大気圧搬送室に接続されると共に、前記第1の真空搬送室に沿って並行させて設けられる第2の大気圧搬送室と、前記第2の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第3の搬送機構と、前記第1の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、前記第2の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続された少なくとも1つの真空処理室と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理システムである。
【0012】
このように、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と第2の大気圧搬送室をそれぞれ連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
【0013】
この場合、例えば請求項5に規定するように、前記第1の大気圧搬送室と前記第2の大気圧搬送室との接続部には、前記被処理体を一時的に保持する中継載置台が設けられる。
また例えば請求項6に規定するように、前記真空搬送室と前記第2の大気圧搬送室との間には、真空引き可能になされたロードロック室が設けられる。
また例えば請求項7に規定するように、前記第1及び第2の大気圧搬送室の端部には前記被処理体の位置合わせを行うための位置合わせ機構が設けられる。 また例えば請求項8に規定するように、前記真空搬送室に接続される真空処理室には、前記被処理体に対して大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う真空処理室が含まれ、且つ前記第2の大気圧搬送室に接続される真空処理室では前記被処理体に対して処理前、或いは処理後において大気に晒されても影響を与えない処理が行われる。
【0014】
請求項9に係る発明は、上記処理システムを用いて行われる方法発明であり、すなわち上記いずれかの被処理体の処理システムを用いて被処理体に所定の処理を連続的に施す処理方法において、前記被処理体に、真空搬送室に接続された複数の真空処理室で連続的に所定の処理を施した後に、大気圧搬送室に接続された真空処理室で所定の処理を施すようにしたことを特徴とする処理方法である。
請求項10に係る発明は、上記処理システムを用いて行われる他の方法発明であり、すなわち上記いずれかの被処理体の処理システムを用いて被処理体に所定の処理を連続的に施す処理方法において、前記被処理体に、大気圧搬送室に接続された真空処理室で所定の処理を施した後に、真空搬送室に接続された複数の真空処理室で連続的に所定の処理を施すようにしたことを特徴とする処理方法である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る被処理体の処理システム及び処理方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
<第1実施例>
図1は本発明に係る被処理体の処理システムの第1実施例を示す概略構成図、図2は位置決め装置を示す側面図、図3はバッファ用搬送機構の一例を示す構成図である。ここでは被処理体として半導体ウエハを用いた場合について説明する。
【0016】
まず、図1を参照して被処理体の処理システムについて説明する。
図1に示すように、この処理システム2は、第1の方向に沿って延びる横長の箱体により形成される第1の大気圧搬送室4と、上記第1の方向に対して直交する第2の方向に沿って延びる横長の箱体によりそれぞれ形成される第1の真空搬送室6、大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10とを有している。上記各搬送室4、6、8、10は例えばステンレススチールによりその外殻が形成されている。
【0017】
そして、上記第1の真空搬送室6を区画する長手方向の側壁には、被処理体である例えば半導体ウエハWに所定の処理を施すための複数、図示例では3つの真空処理室12A、12B、12Cがそれぞれ開閉可能になされたゲートバルブGを介して直接的に接続して設けられている。
また、上記第2の大気圧搬送室10を区画する長手方向の側壁には、それぞれ真空引き可能になされたロードロック室14D、14E及びこの両側に設けられるゲートバルブGを介して図示例では2つの真空処理室12D、12Eがそれぞれ接続して設けられている。尚、この真空処理室12D、12Eは、少なくとも1つ設けられており、更に3個以上設けるようにしてもよい。
【0018】
上記第1の大気圧搬送室4内は、清浄空気やN2 ガス等の不活性ガスにより大気圧状態、または陽圧状態の雰囲気になされており、その長手方向の一側壁には、複数、図示例では3つの搬出入口16が設けられている。そして、この各搬出入口16にはロードポート18がそれぞれ設けられており、このロードポート18に、半導体ウエハWを複数枚、例えば25枚程度収容し得るカセットCが載置できるようになっている。そして、この第1の大気圧搬送室4内には、上記ウエハWを保持して搬送するための第1の搬送機構20が設けられている。具体的には、この第1の搬送機構20は、この長手方向に沿って設けられる案内レール22上に沿って、例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース23を有しており、このベース23に複数本、例えば2本の屈伸可能になされた多関節アーム24A、24Bが取り付けられている。この多関節アーム24A、24Bは、上下方向及び旋回方向にも移動可能になされており、このアーム24A、24BでウエハWを保持して搬送するようになっている。尚、このアーム24A、24Bは多関節のものに限定されず、その数量も3以上設けてもよい。この点は後述する他の搬送機構も同様である。
【0019】
また、この第1の大気圧搬送室4の一端部には、ウエハWの位置合わせを行うための第1の位置合わせ機構として第1のオリエンタ26が設けられている。この第1のオリエンタ26は、図2にも示すように駆動モータ28によって回転される基準台30を有しており、この上にウエハWを載置した状態で回転するようになっている。基準台30の外周には、ウエハWの周縁部を検出するための、例えば光学式の光学センサ32が設けられる。この光学センサ32は基準台30の半径方向に沿って配置した所定の長さのライン状の発光素子32Aと、ウエハ周縁部を挟んでこれと対応するように配置した受光素子32Bとよりなり、カーテン状のレーザ光Lをウエハ端部に照射してこの変動を検出できるようになっている。そして、検出演算部34ではウエハWの偏心量、偏心方向及びウエハWに形成されている切り欠き目印としての例えばノッチやオリエンテーションフラットの回転位置、すなわち方位を認識できるようになっている。
【0020】
また上記第1の真空搬送室6内は、例えば10〜100Pa程度の真空雰囲気になされており、この第1の真空搬送室6は、真空状態と大気圧復帰状態とを迅速に実現することができるように真空引き可能になされたロードロック室14A(以下に説明するロードロック室は全てこのような特性を有する)と、この両側に設けられるゲートバルブGを介して上記第1の大気圧搬送室4の他方の側壁の略中央部に、これに直交するように接続して設けられる。上記ロードロック室14A内では少なくとも1枚のウエハWを保持できるようになされている。そして、この第1の真空搬送室6内には、上記ウエハWを保持して搬送するための第2の搬送機構36が設けられている。
【0021】
具体的には、この第2の搬送機構36は、この長手方向に沿って設けられる案内レール38上に沿って、例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース40を有しており、このベース40に先の第1の搬送機構20の構成と同様に、複数本、例えば2本の屈伸可能になされた多関節アーム42A、42Bが取り付けられている。この多関節アーム42A、42Bは、上下方向及び旋回方向にも移動可能になされており、このアーム42A、42BでウエハWを保持して搬送するようになっている。
【0022】
そして、この第1の真空搬送室6の長手方向の側壁に、前述したように、複数、ここでは3つの真空処理室12A〜12Cが、それぞれゲートバルブGを介して接続されている。これらの真空処理室12A〜12Cでは、ウエハWに対しては少なくとも2つ以上の処理を連続的に行うような真空処理室12A〜12Cが接続されており、しかもウエハWに対して大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う真空処理室が少なくとも含まれている。例えば処理後のウエハWを大気圧の雰囲気に晒したくないような処理を行う真空処理室は、この第1の真空処理室6に接続されることになる。尚、この場合、この第1の真空搬送室6から搬出する直前にウエハWに対して行う処理は、この処理後のウエハWを大気圧の雰囲気に晒しても影響のない処理が行われ、またそのような処理を行う真空処理室が上記3つの真空処理室12A〜12Cの内の1つに含まれる。
【0023】
また、上記大気圧バッファ搬送室8は、上記第1の大気圧搬送室4の長手方向の側壁に、これと直交するように接続し、且つ上記第1の真空処理室6と並行するようにして設けられている。この大気圧バッファ搬送室8内は、上記第1の大気圧搬送室4内と連通状態になされており、従ってその内部は清浄空気やN2 ガス等の不活性ガスにより大気圧状態、または陽圧の状態になされている。
そして、この大気圧バッファ搬送室8内には、その長手方向に沿ってウエハWを搬送するためのバッファ用搬送機構44が設けられる。具体的には、図3にも示すように、このバッファ用搬送機構44は、この長手方向に沿って設けられる案内レール46上に沿って例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース48を有している。そして、このベース48に複数段、例えば図3では5段になされたウエハ支持棚50を有するウエハ収容容器52を取り付け固定して設けており、上記ウエハ支持棚50にウエハWを支持させた状態で最大5枚のウエハWを搬送し得るようになっている。
【0024】
また、上記第2の大気圧搬送室10は、上記大気圧バッファ搬送室8に直列状態となるように連通させて接続されている。従って、この第2の大気圧搬送室10内も清浄空気やN2 ガス等の不活性ガスで大気圧状態、はたは陽圧状態の雰囲気になされている。
そして、この第2の大気圧搬送室10内には、上記ウエハWを保持して搬送するための第3の搬送機構54が設けられている。具体的には、この第3の搬送機構54は、この長手方向に沿って設けられる案内レール56上に沿って、例えばリニアモータ機構によって走行移動し得るベース58を有しており、このベース58に先の第1に搬送機構20の構成と同様に、複数本、例えば2本の屈伸可能になされた多関節アーム60A、60Bが取り付けられている。この多関節アーム60A、60Bは、上下方向及び旋回方向にも移動可能になされており、このアーム60A、60BでウエハWを保持して搬送するようになっている。
【0025】
また、この第2の大気圧搬送室10の一端部には、ウエハWの位置合わせを行うために、先の第1のオリエンタ26と同様な構成の第2の位置合わせ機構として第2のオリエンタ62が設けられている。そして、この第2の大気圧搬送室10の長手方向の側壁に、それぞれ真空引き可能になされたロードロック室14D、14Eを介して前記2つの真空処理室12D、12Eが接続されている。このロードロック室14D、14Eの両側にはそれぞれゲートバルブGが介在されている。そして各ロードロック室14D、14Eは、先のロードロック室14Aよりもその寸法が長く設定されており、内部に少なくとも2枚のウエハを保持できるように例えば前後に2ヵ所のウエハ載置部(図示せず)が設けられる。そして、これらのウエハ載置部間に屈伸及び旋回が可能になされた搬送アーム64D、64Eが設けられており、これらのロードロック室14D、14Eと上記各真空処理室12D、12Eとの間で、それぞれウエハWの受け渡しをできるようになっている。そして、上記真空処理室12D、12Eでは、ウエハWに対して処理前、或いは処理後において大気に晒されても影響を与えない処理が行われる。
【0026】
また、上記第2の大気圧搬送室10の長手方向の側壁の一端部と、上記第1の真空搬送室6の他端部との間には、真空引き可能になされたロードロック室14Bがその90度方向の側壁にゲートバルブGをそれぞれ介在させて設けられており、上記第2の大気圧搬送室10と上記第1の真空搬送室6との間でウエハWを搬送し得るようになっている。このロードロック室14B内では少なくとも1枚のウエハWを保持できるようになされている。
【0027】
次に、以上のように構成された処理システム2を用いて行われる被処理体の処理方法及び搬送方法について説明する。
まず、未処理の半導体ウエハWは、第1の大気圧搬送室4に設けた各ロードポート18に載置したカセットCから第1の搬送機構20を用いて取り出されて、この処理システム2内に取り込まれる。そして、この取り込まれたウエハWに対して所定の一連の処理が行われて処理が完了したウエハWは、再度このカセットC内に収容されることになる。
【0028】
<最初に真空処理室12A〜12Cで処理を行う場合>
上記取り込まれたウエハWに対して最初に真空処理室12A〜12Cで処理を行う場合には、ウエハWは概略的には、第1のオリエンタ26→ロードロック室14A→第1の真空搬送室6→真空処理室12A〜12C→ロードロック室14B→第2の大気圧搬送室10→ロードロック室14D、14E→真空処理室12D、12E→第2の大気圧搬送室10→大気圧バッファ搬送室8→第1の大気圧搬送室4の順で移送される。
すなわち、最初に第1の真空搬送室6に接続された真空処理室12A〜12Cの内のいずれかの真空処理室内で処理を行う場合には、第1の搬送機構20により上記ロードポート18から取り込んだウエハWを第1のオリエンタ26に搬送してこのウエハWを位置合わせし、位置合わせ後のウエハWをロードロック室14Aへ搬送し、そして、このロードロック室14A内のウエハWを第2の搬送機構36を用いて第1の真空搬送室6内へ取り込む。尚、ロードロック室14Aを開閉する際には、周知のように真空室側の真空破壊が生じないように必ず圧力調整がなされるが、この点は他の全てのロードロック室においても同様である。
【0029】
この第1の真空搬送室6内へ取り込んだウエハWは、必要に応じて各真空処理室12A〜12C間を渡り歩くように搬送されて連続処理が行われることになる。当然のこととして、ウエハWを各真空処理室12A〜12C間に亘って連続搬送する際には上記第2の搬送機構36を用いて真空雰囲気下にて行われることになり、ウエハWは大気圧の雰囲気に晒されることはない。尚、上記真空処理室12A〜12Cの各処理の態様によっては、必ずしも全ての真空処理室12A〜12Cで連続的に処理を行う必要はなく、少なくとも2以上の真空処理室で処理が行われる。この場合、2つ或いは3つの処理の内、最後の処理は、この処理後にウエハWを大気に晒しても悪影響を与えないような処理が行われる。
【0030】
このようにして、真空処理室12A〜12Cにて必要とする連続処理が完了したウエハWは、この第1の真空搬送室6の他端部に設けたロードロック室14Bに搬出され、このウエハWは第3の搬送機構54を用いてロードロック室14Bから第2の大気圧搬送室10内に取り込まれる。尚、この場合、ウエハWを、他方のロードロック室14A、第1の大気圧搬送室4及び大気圧バッファ搬送室8を介して第2の大気圧搬送室10へ搬送してもよいが、この経路は長過ぎて搬送に長時間を要すことからスループットを低下させるので好ましくない。
【0031】
そして、第2の大気圧搬送室10内へ取り込まれたこのウエハWは、この第2の大気圧搬送室10に接続されたロードロック室14D、14Eのいずれか一方へ第3の搬送機構54を用いて搬入され、このロードロック室14D、或いは14Eへ搬入されたウエハWは圧力調整後に、搬送アーム64D、或いは64Eを用いて真空処理室12D、或いは12Eへ搬入されてここで所定の処理が施される。処理後のウエハWは上記とは逆の経路を経て第2の大気圧搬送室10側に戻されることになる。この場合、両真空処理室12D、12Eで連続処理する場合もあるし、いずれか一方の真空処理室のみで処理をする場合もある。
【0032】
このようにして、上記真空処理室12D、12Eでの処理が完了したウエハWは、第3の搬送機構54により大気圧バッファ搬送室8内のバッファ用搬送機構44のウエハ収容容器52(図3参照)へ移載される。このバッファ用搬送機構44では、図3に示すように最大5枚のウエハWを保持でき、適当枚数の処理済みのウエハWを保持したならば、これを第1の大気圧搬送室4に向けて走行移動させる。尚、この場合、すでに全ての処理が完了しているので、走行移動中にウエハWにある程度の許容範囲の位置ずれが生じてもよいので、バッファ用搬送機構44を高速走行させてもよく、その分、スループットを向上できる。
そして、このバッファ用搬送機構44が第1の大気圧搬送室4側に到達したならば(図1中で右側に到達)、このバッファ用搬送機構44に保持されている処理済みのウエハWは、第1の大気圧搬送室4内の第1の搬送機構20を用いてロードポート18における所定のカセットC内へ収容されることになる。
【0033】
<最初に真空処理室12D、12Eで処理を行う場合>
この処理システム2内に取り込まれたウエハWに対して最初に真空処理室12D、12Eで処理を行う場合には、ウエハWは、概略的には、大気圧バッファ搬送室8→第2の大気圧搬送室10→第2のオリエンタ62→ロードロック室14D、14E→真空処理室12D、12E→第2の大気圧搬送室10→ロードロック室14B→第1の真空搬送室6→真空処理室12A〜12C→ロードロック室14A→第1の大気圧搬送室4の順で移送される。
【0034】
すなわち、最初に第2の大気圧搬送室10に接続した真空処理室12D、12Eの内のいずれかの真空処理室内で処理を行う場合には、第1の搬送機構20により上記ロードポート18から取り込んだウエハWを大気圧バッファ搬送室8内のバッファ用搬送機構44のウエハ収容容器52(図3参照)へ移載する。このバッファ用搬送機構44では最大5枚のウエハWを保持でき、適当枚数の未処理のウエハWを保持したならば、これを第2の大気圧搬送室10に向けて走行移動させる。この際、後でウエハの位置合わせを行うことから走行移動中にウエハWにある程度の許容範囲の位置ずれが生じてもよいので、バッファ用搬送機構44を高速走行させてもよく、この場合にはその分、スループットを向上できる。
【0035】
そして、このバッファ用搬送機構44が第2の大気圧搬送室10に到達したならば、ここにバッファ用搬送機構44を待機させた状態で第3の搬送機構54を用いて上記バッファ用搬送機構44からウエハWを受け取り、このウエハWを第2のオリエンタ62に搬送してこのウエハWを位置合わせする。そして、位置合わせ後のウエハWをロードロック室14D、14Eのいずれか一方へ搬入し、このロードロック室14D、或いは14Eへ搬入されたウエハWは圧力調整後に、搬送アーム64D、或いは64Eを用いて真空処理室12D、或いは12Eへ搬入されて所定の処理が施される。
処理後のウエハWは上記と逆の経路を経て第2の大気圧搬送室10側に戻される。この場合、両真空処理室12D、12Eで連続処理する場合もあるし、いずれか一方の真空処理室のみで処理する場合もある。
【0036】
このように真空処理室12D、12Eでの処理が完了したウエハWは、第3の搬送機構54を用いてロードロック室14B内に搬入され、このロードロック室14B内のウエハWは第2の搬送機構36を用いて第1の真空搬送室6内に取り込まれる。この場合、ウエハWを大気圧バッファ搬送室8、第1の大気圧搬送室4及びロードロック室14Aを経由して第1の真空搬送室6内へ取り込んでもよいが、この経路は長過ぎてスループットを低下させるので好ましくない。
そして、この第1の真空搬送室6内へ取り込まれたウエハWは、必要に応じて各真空処理室12A〜12C間を渡り歩くように搬送されて連続処理が行われることになる。当然のこととして、ウエハWを各真空処理室12A〜12C間に亘って連続搬送する際には上記第2の搬送機構36を用いて真空雰囲気下にて行われることになり、ウエハWは大気圧の雰囲気に晒されることはない。尚、上記真空処理室12A〜12Cの各処理の態様によっては、必ずしも全ての真空処理室12A〜12Cで連続的に処理を行う必要はなく、少なくとも2以上の真空処理室で処理が行われる。この場合、2つ或いは3つの処理の内、最後の処理は、この処理後にウエハWを大気に晒しても悪影響を与えないような処理が行われる。
【0037】
このようにして、真空処理室12A〜12Cにて必要とする連続処理が完了した処理済みのウエハWは、この第1の真空搬送室6の基端部に設けたロードロック室14Aに搬出され、この処理済みのウエハWは第1の搬送機構20を用いてロードロック室14Aから第1の大気圧搬送室4内に取り込まれる。そして、この処理済みのウエハWはロードポート18における所定のカセットC内へ収容されることになる。
このように設備コストの高い第1の真空処理室6の長さ及び大きさをできるだけ小さくしているので、設備コストを低減できる。また、この処理システム2の全体の配列は無駄な空間が少ないので、その分、占有面積を抑制することができる。尚、上記第1の真空搬送室6には3個の真空処理室12A〜12Cを接続したが、この設置数は2以上であればよく、この設置数は特に限定されない。また第2の大気圧搬送室10に接続する真空処理室も1以上であればよく、その設置数は限定されない。
【0038】
また、上記各真空処理室12A〜12Eの一例としては、例えば真空処理室12Aがウエハ表面の自然酸化膜を除去する洗浄処理を行い、真空処理室12Bが上記洗浄処理後のウエハにTi膜をCVD成膜する処理を行い、真空処理室12Cが上記Ti膜上にTiN膜をCVD成膜する処理を行い、真空処理室12D、12Eが上記TiN膜上にW(タングステン)膜をCVD成膜する処理を行う場合などに本発明を適用できる。この場合には、ウエハWは、真空処理室12A→真空処理室12B→真空処理室12C→真空処理室12D、或いは真空処理室12Eの順序で搬送されて行くことになる。
【0039】
<第2実施例>
次に、本発明の処理システムの第2実施例について説明する。
上記第1実施例では、大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10の長手方向の他方の側壁側には何ら部材を配置していなかったが、この第2実施例ではこの他方の側壁側にも種々の部材を配置している。図4はこのような本発明の処理システムの第2実施例を示す概略構成図である。尚、図1に示す構成部分と同一構成には同一符号を付してその説明を省略する。
図4に示すように、この第2実施例では、図1に示す第1実施例の第1の大気圧搬送室4に対する大気圧バッファ搬送室8の連結位置をその長手方向の略中央部に位置させ、且つ大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10の長手方向の他方の側壁側にも、図1に示す第1の真空処理室6や真空処理室12A〜12Eと同様な構成部材を配置している。すなわち上記大気圧バッファ搬送室8と第2の大気圧搬送室10を中心として、その両側(図4中では上下方向)に略対称となるように真空搬送室や真空処理室を配置して設けるようにしている。
【0040】
具体的には、上記大気圧バッファ搬送室8を線対称の中心として、上記ロードロック室14A及び第1の真空搬送室6と対称になるようにロードロック室66A、第2の真空搬送室68及び3つの真空処理室72A、72B、72Cがそれぞれ設けられ、この第2の真空搬送室68内には、上記第2の搬送機構36と同じ構成の第4の搬送機構70が設けられている。上記各真空処理室72A、72B、72Cでは、例えば先の3つの真空処理室12A〜12Cとそれぞれ同様な処理が行われる。
また上記第2の大気圧搬送室10を線対称の中心として、上記ロードロック室14B、14D、14E及び真空処理室12D、12Eと対称となるように、ロードロック室66B、66D、66E及び2つの真空処理室72D、72Eが設けられる。上記各真空処理室72D、72Eでは、例えば先の2つの真空処理室12D、12Eとそれぞれ同様な処理が行われる。
【0041】
以上の結果、上記大気圧バッファ搬送室8は第1と第2の真空搬送室6、68との間に挟み込まれたような状態で互いに並行に配置された状態となる。
このように構成された第2実施例の場合の動作は、先に説明した第1実施例の動作と全く同じであり、第1実施例と同様な作用効果を発揮することができる。ただし、大気圧バッファ搬送室8及び第2の大気圧搬送室10の両側に各処理室が配置されているので、バッファ用搬送機構44、第3の搬送機構54及び第1の搬送機構20の各動作は設置された真空処理室の数が増加した分だけの忙しさとなる。
【0042】
尚、上記各真空処理室72A〜72Cでの処理は、上記真空処理室12A〜12Cの各処理とそれぞれ同じである必要はなく、ウエハWに対して大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う真空処理室が含まれていればよい。
また上記真空処理室72D、72Eでの処理も、上記真空処理室12D、12Eの各処理とそれぞれ同じである必要はなく、ウエハWに対して処理前、或いは処理後において大気に晒されても影響を与えないような処理を行う真空処理室であればよい。
【0043】
<第3実施例>
次に第3実施例について説明する。
先の図1に示す第1実施例では、第2の大気圧搬送室10と第1の大気圧搬送室4との間のウエハWの高速搬送とウエハWの搬送に対するバッファ機能を可能とするために大気圧バッファ搬送室8とバッファ用搬送機構44を設けたが、これに限定されず、この部分を第2の大気圧搬送室で構成してもよい。図5はこのような本発明の処理システムの第3実施例を示す概略構成図である。尚、図1に示す構成部分と同一構成には同一符号を付してその説明を省略する。
【0044】
図5に示すように、この第3実施例では、図1に示す第1実施例中の大気圧バッファ搬送室8及びバッファ用搬送機構44を設けず、その分、第2の大気圧搬送室10及び案内レール56の各長さを延長させて第1の大気圧搬送室4の側壁に連通するように接続している。そして、この第1の大気圧搬送室4との接続部に、ウエハWを一時的に保持する中継載置台80が設けられて、ウエハWの搬送に対してバッファ機能を持たせている。図6はこの中継載置台80の斜視図を示しており、例えば図3中に示すバッファ用搬送機構44の上部構造と同様な構成になっており、ウエハ収容容器82とこの内面に多段、図示例では5段に設けたウエハ支持棚84とよりなり、このウエハ支持棚84に最大5枚のウエハWを保持させ得るようになっている。そして、この中継載置台80にウエハWを一時的に保持させることにより、第1と第3の搬送機構20、54との間でウエハWの受け渡しをバッファ的に弾力性を持たせながら行い得るようになっている。
【0045】
尚、この場合、上記中継載置台80を設けないで、第1と第3の搬送機構20、54との間で直接的にウエハWの受け渡しを行うようにしてもよい。
この第3実施例の場合には、大気圧バッファ搬送室8を設けていない分だけウエハWの搬送に少し時間を要してスループットは低下するが、それ以外の点については第1実施例の場合と同様な作用効果を発揮することができる。
【0046】
<第4実施例>
次に第4実施例について説明する。
図7は本発明の処理システムの第4実施例を示す概略構成図である。
この第4実施例は、図5に示す第3実施例中の第2の大気圧搬送室10に連結した2つのロードロック室14D、14E付きの真空処理室12D、12Eを、上記第2の大気圧搬送室10の反対側の側壁であって、第1の大気圧搬送室4に近い側に取り付け固定している。そして、この第2の大気圧搬送室10の長さを、可能な限り短くしてこの処理システムの長さ方向(図7中の左右方向)の占有スペースを減じて幅方向(図7中の上下方向)へ振り分けるようにしている。この第4実施例の場合にも、先の第3実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
【0047】
尚、上記各実施例では第1及び第2の真空搬送室6、68内ではリニアモータ機構を利用した第2及び第4の搬送機構36、70を用いたが、これに代えて、例えば多関節アーム42A、42Bの設けられたベース40(図1参照)を、図示しない旋回可能になされた大型の屈伸アームの先端に取り付けるようにし、そして、この大型の屈伸アームを屈伸させることにより上記ベース40を所望する真空処理室12A〜12C、或いは72A〜72Cの前に位置付けするようにしてもよい。これによれば、リニアモータ機構を使用しない分だけ摺動部分がなくなり、その分、パーティクルの発生を抑制することができる。
またここでは被処理体として半導体ウエハWを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板等にも本発明を適用することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の被処理体の処理システム及び処理方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項1〜3、5〜10に係る発明によれば、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と大気圧バッファ搬送室をそれぞれ連結して設け、更にこの大気圧バッファ搬送室に第2の大気圧搬送室を連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
請求項4に係る発明によれば、被処理体を搬出入するロードポートを有する第1の大気圧搬送室に対して直交するように第1の真空搬送室と第2の大気圧搬送室をそれぞれ連結して設け、上記第1の真空搬送室に、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う複数の真空処理室をそれぞれ接続して設け、第2の大気圧搬送室に例えば処理の前後に大気に晒されても影響を与えない真空処理室を接続して設けるようにしたので、例えば大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理は第1の真空搬送室に接続した真空処理室で連続的に行い、処理の前後に大気に晒されても影響を与えない処理は第2の大気圧搬送室に接続した真空処理室で行うことができる。従って、処理システム全体の占有スペースと装置コストをそれぞれ削減でき、しかもスループットも高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る被処理体の処理システムの第1実施例を示す概略構成図である。
【図2】位置決め装置を示す側面図である。
【図3】バッファ用搬送機構の一例を示す構成図である。
【図4】本発明の処理システムの第2実施例を示す概略構成図である。
【図5】本発明の処理システムの第3実施例を示す概略構成図である。
【図6】中継載置台を示す斜視図である。
【図7】本発明の処理システムの第4実施例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
2 処理システム
4 第1の大気圧搬送室
6 第1の真空搬送室
8 大気圧バッファ搬送室
10 第2の大気圧搬送室
12A〜12E 真空処理室
14A,14B,14D,14E ロードロック室
18 ロードポート
20 第1の搬送機構
26 第1のオリエンタ(位置合わせ機構)
36 第2の搬送機構
44 バッファ用搬送機構
54 第3の搬送機構
62 第2のオリエンタ(位置合わせ機構)
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (10)
- 被処理体を搬出入するロードポートを有して第1の方向に沿って設けた第1の大気圧搬送室と、
前記第1の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第1の搬送機構と、
前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に、前記第1の大気圧搬送室に直交するように第2の方向に沿って設けられる第1の真空搬送室と、
前記第1の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第2の搬送機構と、
前記第1の大気圧搬送室に接続されると共に前記第2の真空搬送室に沿って並行させて設けられる大気圧バッファ搬送室と、
前記大気圧バッファ搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するためのバッファ用搬送機構と、
前記大気圧バッファ搬送室に直列に接続されると共に、前記第1の真空搬送室に沿って並行させて設けられる第2の大気圧搬送室と、
前記第2の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第3の搬送機構と、
前記第1の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、
前記第2の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続された少なくとも1つの真空処理室と、
を備えたことを特徴とする被処理体の処理システム。 - 前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に前記大気圧バッファ搬送室を前記第1の真空搬送室との間で挟み込むようにして前記大気圧バッファ搬送室に沿って並行させて設けられる第2の真空搬送室と、
前記第2の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第4の搬送機構と、
前記第2の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、
を備えたことを特徴とする請求項1記載の被処理体の処理システム。 - 前記バッファ用搬送機構は高速移動が可能であることを特徴とする請求項1または2記載の被処理体の処理システム。
- 被処理体を搬出入するロードポートを有して第1の方向に沿って設けた第1の大気圧搬送室と、
前記第1の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第1の搬送機構と、
前記第1の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続されると共に、前記第1の大気圧搬送室に直交するように第2の方向に沿って設けられる第1の真空搬送室と、
前記第1の真空搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第2の搬送機構と、
前記第1の大気圧搬送室に接続されると共に、前記第1の真空搬送室に沿って並行させて設けられる第2の大気圧搬送室と、
前記第2の大気圧搬送室内にその長手方向へ移動可能に設けられて前記被処理体を保持して搬送するための第3の搬送機構と、
前記第1の真空搬送室に接続された複数の真空処理室と、
前記第2の大気圧搬送室に、真空引き可能になされたロードロック室を介して接続された少なくとも1つの真空処理室と、
を備えたことを特徴とする被処理体の処理システム。 - 前記第1の大気圧搬送室と前記第2の大気圧搬送室との接続部には、前記被処理体を一時的に保持する中継載置台が設けられることを特徴とする請求項4記載の被処理体の処理システム。
- 前記真空搬送室と前記第2の大気圧搬送室との間には、真空引き可能になされたロードロック室が設けられることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の被処理体の処理システム。
- 前記第1及び第2の大気圧搬送室の端部には、前記被処理体の位置合わせを行うための位置合わせ機構が設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の被処理体の処理システム。
- 前記真空搬送室に接続される真空処理室には、前記被処理体に対して大気に晒されることなく連続搬送を行うことが望ましい処理を行う真空処理室が含まれ、且つ前記第2の大気圧搬送室に接続される真空処理室では前記被処理体に対して処理前、或いは処理後において大気に晒されても影響を与えない処理が行われることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の被処理体の処理システム。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の被処理体の処理システムを用いて被処理体に所定の処理を連続的に施す処理方法において、
前記被処理体に、真空搬送室に接続された複数の真空処理室で連続的に所定の処理を施した後に、大気圧搬送室に接続された真空処理室で所定の処理を施すようにしたことを特徴とする処理方法。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の被処理体の処理システムを用いて被処理体に所定の処理を連続的に施す処理方法において、
前記被処理体に、大気圧搬送室に接続された真空処理室で所定の処理を施した後に、真空搬送室に接続された複数の真空処理室で連続的に所定の処理を施すようにしたことを特徴とする処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003145303A JP2004349503A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 被処理体の処理システム及び処理方法 |
US10/849,062 US20050005849A1 (en) | 2003-05-22 | 2004-05-20 | Semiconductor processing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003145303A JP2004349503A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 被処理体の処理システム及び処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349503A true JP2004349503A (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=33532519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003145303A Pending JP2004349503A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 被処理体の処理システム及び処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050005849A1 (ja) |
JP (1) | JP2004349503A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008068859A1 (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Hirata Corporation | 搬送装置 |
JP2010135495A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2010238783A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板搬送方法 |
WO2012093610A1 (ja) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム、剥離方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2012133218A1 (ja) * | 2011-03-26 | 2012-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2013131542A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Ulvac Japan Ltd | インライン式成膜装置 |
KR101296570B1 (ko) | 2010-03-16 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 진공 처리 장치 |
JP2015159296A (ja) * | 2011-06-15 | 2015-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | レーザ・プラズマエッチングによる基板のダイシング用水溶性マスク |
KR20160072217A (ko) * | 2013-10-18 | 2016-06-22 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 공정 장치 |
KR20180111545A (ko) | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 시스템 |
KR20190020042A (ko) | 2016-07-22 | 2019-02-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4619116B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2011-01-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 真空処理システムのための搬送チャンバ |
US7784164B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing chamber method |
TWI298895B (en) * | 2004-06-02 | 2008-07-11 | Applied Materials Inc | Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same |
US20060137726A1 (en) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
US20080025821A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Applied Materials, Inc. | Octagon transfer chamber |
KR100887161B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2009-03-09 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
SG151109A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-04-30 | Rokko Ventures Pte Ltd | An apparatus and method for dicing an ic substrate |
JP5562189B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
DE102012100929A1 (de) * | 2012-02-06 | 2013-08-08 | Roth & Rau Ag | Substratbearbeitungsanlage |
JP2014093489A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
CN108630585B (zh) * | 2013-01-22 | 2022-06-21 | 博鲁可斯自动化美国有限责任公司 | 衬底运送器 |
JP6046007B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2016-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63157870A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-30 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
TW295677B (ja) * | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
TW442891B (en) * | 1998-11-17 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum processing system |
JP4021125B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2007-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ウェハ移載装置の装置ユニット接続時に用いられるレールの真直性保持装置 |
JP2002026108A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載機構、処理システム及び移載機構の使用方法 |
JP2002151568A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理システム及び搬送方法 |
JP4937459B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | クラスタツールおよび搬送制御方法 |
-
2003
- 2003-05-22 JP JP2003145303A patent/JP2004349503A/ja active Pending
-
2004
- 2004-05-20 US US10/849,062 patent/US20050005849A1/en not_active Abandoned
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008068859A1 (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Hirata Corporation | 搬送装置 |
JP2010135495A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | 基板処理装置 |
US8504194B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate transport method |
JP2010238783A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板搬送方法 |
US9343340B2 (en) | 2010-03-16 | 2016-05-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus |
KR101296570B1 (ko) | 2010-03-16 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 진공 처리 장치 |
WO2012093610A1 (ja) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム、剥離方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2012146756A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
KR101814856B1 (ko) * | 2011-03-26 | 2018-01-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
WO2012133218A1 (ja) * | 2011-03-26 | 2012-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2012204698A (ja) * | 2011-03-26 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
US9147591B2 (en) | 2011-03-26 | 2015-09-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP2015159296A (ja) * | 2011-06-15 | 2015-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | レーザ・プラズマエッチングによる基板のダイシング用水溶性マスク |
JP2013131542A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Ulvac Japan Ltd | インライン式成膜装置 |
KR20160072217A (ko) * | 2013-10-18 | 2016-06-22 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 공정 장치 |
JP2016540374A (ja) * | 2013-10-18 | 2016-12-22 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 処理装置 |
US10777438B2 (en) | 2013-10-18 | 2020-09-15 | Brooks Automation, Inc. | Processing apparatus |
KR102316440B1 (ko) * | 2013-10-18 | 2021-10-22 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 공정 장치 |
KR20190020042A (ko) | 2016-07-22 | 2019-02-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
US10906756B2 (en) | 2016-07-22 | 2021-02-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device |
KR20180111545A (ko) | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 시스템 |
KR102107896B1 (ko) | 2017-03-31 | 2020-05-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 시스템 |
US10896835B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-01-19 | Tokyo Electron Limited | Processing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050005849A1 (en) | 2005-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004349503A (ja) | 被処理体の処理システム及び処理方法 | |
US6696367B1 (en) | System for the improved handling of wafers within a process tool | |
JP4168642B2 (ja) | 被処理体収納容器体及び処理システム | |
US20080138176A1 (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
KR20060088909A (ko) | 진공 처리 시스템 | |
JP4961894B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
US20190096702A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer storage medium | |
JP2011124565A (ja) | 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法 | |
JP2010080469A (ja) | 真空処理装置及び真空搬送装置 | |
JPH09104982A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11288988A (ja) | アライメント高速処理機構 | |
JPH06314729A (ja) | 真空処理装置 | |
JP7154986B2 (ja) | 基板搬送装置及び基板搬送システム | |
JP2010283334A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR20180111545A (ko) | 처리 시스템 | |
JP2011086795A (ja) | 基板搬送装置及びこの基板搬送装置を備えた真空処理システム | |
JP2010239023A (ja) | 基板搬送装置及び基板処理装置 | |
JP2004146714A (ja) | 被処理体の搬送機構 | |
KR100665662B1 (ko) | 수직형 다중 기판 처리 시스템 및 그 처리 방법 | |
KR20060121008A (ko) | 수직형 다중 기판 처리 시스템 및 그 처리 방법 | |
JP2004221610A (ja) | 半導体処理装置 | |
JP2997717B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP2000323549A (ja) | 真空処理装置 | |
KR102344253B1 (ko) | 사이드 스토리지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 | |
JP7257914B2 (ja) | 基板処理システムおよび基板処理方法 |