JP2010080469A - 真空処理装置及び真空搬送装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】真空搬送室内で被処理体を不所望なガスの汚染から保護して真空プロセスの歩留まりを向上させること。
【解決手段】プラットホームPH内で、真空搬送ロボット16は、スライド動作を行うベース部と、ベース部上に旋回可能に取り付けられ、搬送アーム12,14を駆動するアーム駆動部42と、アーム駆動部42および搬送アーム12,14を収容するボックス44とを有し、ボールねじ機構34の直進駆動によってガイドレール32上をスライド移動できるようになっている。ボックス44の側壁には、ガスフィルタ52の窓が取り付けられるとともに、搬送アーム12,14が伸縮運動する際に半導体ウエハWを保持したまま通り抜けられる開口48が形成され、この開口48を開閉するための扉50が取り付けられている。
【選択図】図3

Description

本発明は、真空搬送室を有する真空処理装置、および真空搬送室内に設けられる真空搬送装置に関する。
真空搬送室を有する真空処理装置の一形態として、クラスタツール方式がよく知られている。クラスタツール方式は、プロセスの一貫化、連結化あるいは複合化をはかるために、減圧下で所定の処理を行う複数のプロセス・チャンバを真空のプラットホームの周りに配置する方式であり、マルチチャンバ方式とも称され、典型的には半導体製造装置で採用されている(例えば特許文献1参照)。
一般に、クラスタツールにおいては、一つの被処理体が複数のプロセス・チャンバを渡り歩くように順次転送されて同種または異種の真空処理を連続的に受けられようになっている。半導体デバイス製造では、CVD(化学的気成長)、スパッタ、ドライエッチング、ドライクリーニング等がクラスタツール内で行われる代表的な真空処理である。
上記のような複数のプロセス・チャンバに跨る被処理体の渡り歩き(転送)はプラットホームを通って行われるため、プラットホームの室内は常時減圧状態に保たれる。このようなプラットホームへ未処理の被処理体を大気空間から搬入するために、そして一連の真空処理を終えた被処理体をプラットホームから大気空間へ搬出するために、プラットホームにはゲートバルブを介して大気/真空インタフェースのロードロック・チャンバも接続される。プラットホームの室内には、各プロセス・チャンバまたはロードロック・チャンバとの間で基板の受け渡しを減圧下で行うための真空搬送装置が設けられる。この種の真空搬送装置は、各プロセス・チャンバまたはロードロック・チャンバに対して被処理体の搬入出を行うための伸縮可能な搬送アームを有し、アクセス先に応じて搬送アームを旋回させられるようになっている。
ところで、クラスタツール方式の真空処理装置においては、被処理体カセットの投入、払い出しが行われるロードポート側から見て装置全体の幅サイズを縮小ないし維持しつつ、プラットホームを奥行き方向に長く延ばすことにより、その長辺に沿ってプロセス・チャンバを増設し、装置全体のチャンバ搭載台数を増やすレイアウトが半導体ウエハの大型化にも有利に対応できる手法として一つの傾向になっている(例えば特許文献2参照)。
特開平8−46013号公報 特開2007−12720号公報
上記のように、クラスタツール方式の真空処理装置において、プラットホームを廊下のように長く延ばす場合は、プラットホーム内の真空搬送装置が旋回動作だけでなく長手方向にスライド動作も行う必要があり、このスライド動作のためのスライド機構(典型的にはボールねじ機構、ガイドレール等)がプラットホーム内に設けられる。特に、半導体ウエハが大型化すると、プラットホームの長手方向における搬送装置の移動範囲または距離が増すため、スライド機構が有利とされている。
ところが、スライド機構のボールねじやガイドレールにはグリースが塗られている。特に、大口径の半導体ウエハを被処理体とする場合は、ウエハを支持して搬送する真空搬送装置も大型化し、スライド機構に多量のグリースを使用する。そのような真空搬送装置のスライド機構に用いられているグリースから放出されるガス、特に有機物のガスがプラットホーム内で被処理体に付着し、結果として真空プロセスに悪い影響を与えることが懸念されている。とりわけ、いずれかのプロセス・チャンバでCVD等の真空成膜処理が行われる場合に、上記のようなプラットホーム雰囲気の汚染が成膜不良の原因になりやすく、プロセスの歩留まりを大きく低下させる。
一方で、クラスタツールのスループットを上げるには、プラットホーム内の搬送装置の高速動作が求められ、高速動作やスライド動作にグリースは欠かせないものになっており、グリースレスのスライド機構やグリース代替品は現実的には採用するのが難しい。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、真空搬送室内で被処理体を不所望なガスの汚染から保護して真空プロセスの歩留まりを向上させる真空処理装置および真空搬送装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の真空処理装置は、室内が減圧状態に保たれる真空搬送室と、前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる1つまたは複数の真空処理室と、前記真空搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置くロードロック室と、前記真空搬送室内で移動可能に設けられ、特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームとを有し、被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する真空搬送装置とを有する。
また、本発明の真空搬送装置は、室内が減圧状態に保たれる真空搬送室の周囲に、前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる1つまたは複数の真空処理室と、前記搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置く1つまたは複数のロードロック室とを配置する真空処理装置において、前記真空搬送室と前記真空処理室または前記ロードロック室との間で被処理体の受け渡しを行うために前記真空搬送室内に設けられる真空搬送装置であって、特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームとを有し、被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する。
本発明の真空処理装置または真空搬送装置においては、真空搬送室内で被処理体を搬送するときは、該被処理体がボックス内で搬送アームに支持されるので、真空搬送室内に不所望な汚染ガス(たとえばグリースから放出されるガス)が浮遊していても被処理体に影響するおそれはない。また、そのような汚染ガスをトラップするガスフィルタがボックスに取り付けられているので、被処理体を汚染ガスから保護し、あるいは室内の汚染ガスを除去し、さらにはボックス内の圧力を真空搬送室内と同じ圧力に保つことができる。
なお、本発明においては、不所望な汚染ガスを選択的に除去するための任意の方式または種類のガスフィルタが使用可能であり、たとえばガスを吸着または反応・固定化するタイプのガスフィルタ、あるいは触媒により分解・除去するタイプのガスフィルタ等を好適に用いることができる。
本発明の好ましい一態様においては、ボックスに、搬送アームが通り、被処理体が出入りするための開口を設けられ、さらには開口に開閉扉が取り付けられる。ガスフィルタを窓にすることで、この開閉扉を閉めても、ボックスの内外で圧力差が生じないようにすることができる。
また、好ましい一態様においては、搬送機構が、真空搬送室内に敷設されるガイドレールと、このガイドレールに沿ってボックスを移動させるためにガイドレール上でスライド移動するスライダ部とを有する。この場合、真空搬送室を水平な一方向に最も長い一対の辺を有する多角形に形成されてよく、その長辺とガイドレールが平行に延びてよく、さらには一長辺に沿って真空処理室が複数台並べて配置されてよい。
スライダ部は、典型的には、ボールねじ機構あるいはリニアモータを有するものでよい。本発明においては、上記のように被処理体をグリース放出ガスから保護できるので、真空搬送装置の搬送動作の高速化、搬送精度の向上を図るうえでスライダ部やガイドレール等にグリースを気兼ねなく使用することができる。
また、真空搬送装置はボックスを旋回させるための旋回駆動部を有してよく、この旋回駆動部でもグリースを気兼ねなく使用することができる。
本発明の真空処理装置においては、真空搬送室と真空処理室との間、および真空搬送室とロードロック室との間にゲートバルブを設けられてよい。
本発明は、特に、少なくとも1つの真空処理室内で被処理体上に化学的気相成長法による薄膜形成が行われる場合に、大なる利点(真空搬送室雰囲気の汚染から被処理体を保護して真空プロセスの歩留まりを向上させること)がある。
本発明の真空処理装置または真空搬送装置によれば、上記のような構成および作用により、真空搬送室内で被処理体を不所望なガスの汚染から保護して真空プロセスの歩留まりを向上させることができる。
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態について説明する。
図1に、本発明の一実施形態に係るクラスタツール方式の真空処理装置の構成を示す。この真空処理装置は、クリーンルーム内に設置され、装置奥行き方向に延びる一対の辺が他の辺よりも約2倍長い六角形の形状を有する真空のプラットホーム(真空搬送室)PHの周りに6つの真空プロセス・チャンバ(真空処理室)PC1,PC2,PC3,PC4,PC5,PC6と2つのロードロック・チャンバ(ロードロック室)LLCa,LLCbとをクラスタ状に配置している。
より詳細には、プラットホームPHには、図の時計回りの順序で、第1の長辺に2台のプロセス・チャンバPC1,PC2がゲートバルブGV1,GV2を介して連結され、第1および第2の短辺にプロセス・チャンバPC3,PC4がゲートバルブGV3,GV4を介してそれぞれ1台ずつ連結され、第2の長辺に2台のプロセス・チャンバPC5,PC6がゲートバルブGV5,GV6を介して連結され、第3および第4の短辺にロードロック・チャンバLLCa,LLCbがゲートバルブGVa,GVbを介してそれぞれ1台ずつ連結されている。
各々のプロセス・チャンバPC1〜PC6は、専用の真空排気装置(図示せず)に接続されており、室内が可変の圧力で常時減圧状態に保たれる。典型的には、室内の中央部に配置した載置台10の上に被処理体たとえば半導体ウエハWを載せ、所定の用力(処理ガス、高周波等)を用いて所要の枚葉処理、たとえばCVD、ALD(Atomic Layer Deposition)あるいはスパッタ等の真空成膜処理、熱処理、半導体ウエハ表面のクリーニング処理、ドライエッチング加工等を行うようになっている。
プラットホームPHは、専用の真空排気装置10に接続されており(図2)、室内が通常は一定の圧力で常時減圧状態に保たれる。室内には、伸縮可能な一対の搬送アーム12,14を有し、スライド動作、旋回動作および昇降動作等も可能な真空搬送ロボット(真空搬送装置)16が設けられている。プラットホームPHおよび真空搬送ロボット16の構成および作用は、後に詳細に説明する。
ロードロック・チャンバLLCa,LLCbは、それぞれ開閉弁を介して専用の真空排気装置(図示せず)に接続されており、室内を大気圧状態および真空状態のいずれにも随時切り換えられるようになっている。プラットホームPHから見て反対側でロードロック・チャンバLLCa,LLCbはそれぞれゲートバルブGVc,GVdを介して大気圧下のローダ搬送室LMに連結されている。ロードロック・チャンバLLCa,LLCbの室内の中央部には留置中の半導体ウエハWを載せる受渡台18が配置されている。
ローダ搬送室LMと隣接してロードポートLPおよびオリフラ合わせ機構ORTが設けられている。ロードポートLPは、外部搬送車との間でたとえば1バッチ25枚の半導体ウエハWを収納可能なウエハカセットCRの投入、払出しに用いられる。ここで、ウエハカセットCRはSMIF(Standard Mechanical Interface)ボックスまたはポッドとして構成されている。オリフラ合わせ機構ORTは、半導体ウエハWのオリエンテーションまたはノッチを所定の位置または向きに合わせるために用いられる。
ローダ搬送室LM内に設けられている大気搬送ロボット20は、伸縮可能な一対の搬送アーム22,24を有し、リニアモータ26のリニアガイド28上で水平方向に移動可能であるとともに、昇降・旋回可能であり、ロードポートLP、オリフラ合わせ機構ORTおよびロードロック・チャンバLLMa,LLMbの間を行き来して半導体ウエハWを枚葉単位(あるいはバッチ単位)で搬送する。ここで、大気搬送ロボット20は、それぞれのウエハカセットCR前面に設けられているLPドア25の開状態において半導体ウエハWをローダ搬送室LM内に搬入する。リニアガイド28は、たとえば永久磁石からなるマグネット、駆動用磁気コイルおよびスケールヘッド等で構成され、制御部30からのコマンドに応じて大気搬送ロボット20の直線運動制御を行う。
ここで、ロードポートLPに投入されたウエハカセットCR内の1枚のウエハにこのクラスタツール内で一連の処理を受けさせるための基本的なウエハ搬送シーケンスを説明する。
ローダ搬送室LM内の大気搬送ロボット20は、ロードポートLP上のウエハカセットCRから1枚の半導体ウエハWを取り出し、この半導体ウエハWをオリフラ合わせ機構ORTに搬送してオリフラ合わせを受けさせ、それが済んだ後にロードロック・チャンバLLMa,LLMbのいずれか一方(たとえばLLMa)に移送する。移送先のロードロック・チャンバLLMaは、大気圧状態で半導体ウエハWを受け取り、搬入後に室内を真空引きし、減圧状態で半導ウエハWをプラットホームPHの真空搬送ロボット16に渡す。
真空搬送ロボット16は、搬送アーム12,14の片方を用いて、ロードロック・チャンバLLMaより取り出した半導体ウエハWを1番目のプロセス・チャンバ(たとえばPM1)に搬入する。プロセス・チャンバPM1内では、予め設定されたレシピにしたがい所定のプロセス条件(ガス、圧力、電力、時間等)で第1工程の枚葉処理が行われる。
この第1工程の枚葉処理が終了した後に、真空搬送ロボット16は、半導体ウエハWをプロセス・チャンバPM1から搬出し、その搬出した半導体ウエハWを次に2番目のプロセス・チャンバ(たとえばPM2)に搬入する。この2番目のプロセス・チャンバPM2でも、予め設定されたレシピにしたがい所定のプロセス条件で第2工程の枚葉処理が行われる。
この第2工程の枚葉処理が終了すると、真空搬送ロボット16は、半導体ウエハWを2番目のプロセス・チャンバPM2から搬出し、その搬出した半導体ウエハWを、次工程があるときは3番目のプロセス・チャンバ(たとえばPM3)に搬入し、次工程がないときはロードロック・チャンバLLMa,LLMbの片方に搬送する。3番目以降のプロセス・チャンバ(たとえばPM5)で処理が行われた場合も、その後に次工程があるときは後段のプロセス・チャンバ(たとえばPM6)に搬入し、次工程がないときはロードロック・チャンバLLMa,LLMbの片方に戻す。
なお、プラットホームPHの真空搬送ロボット16は、その周囲の各プロセス・チャンバPM1〜PM6または各ロードロック・チャンバLLMa,LLMbに対する1回のアクセスで、一対の搬送アーム12,14を交互に使用し、最初に当該モジュールから半導体ウエハWを搬出し、次いでそれと入れ替わりに当該モジュールに別の半導体ウエハWを搬入するピック&プレース動作を行えるようになっている。
上記のようにしてクラスタツール内の複数のプロセス・チャンバPM1,PM2・・で一連の処理を受けた半導体ウエハWがロードロック・チャンバの片方(たとえばLLMb)に搬入されると、このロードロック・チャンバLLMbの室内は減圧状態から大気圧状態に切り替えられる。しかる後、ローダ搬送室LM内の大気搬送ロボット20が、大気圧状態のロードロック・チャンバLLMbから半導体ウエハWを取り出して該当のウエハカセットCRに戻す。なお、ロードロック・チャンバLLMa,LLMbにおいて滞在中の半導体ウエハWに所望の雰囲気下で加熱または冷却処理を施すこともできる。
上記のように、このクラスタツール方式の真空処理装置は、減圧下のプラットホームPHを介して一つの半導体ウエハWを複数のプロセス・チャンバに順次転送することで、当該半導体ウエハWに一連の真空処理をインラインで連続的に施すことが可能であり、特に真空薄膜形成加工では複数のプロセス・チャンバで異なる成膜加工を連続的に行って所望の薄膜をインラインで積層形成することができる。
次に、図1〜図3につき、この実施形態におけるプラットホームPH内の構成、特に真空搬送ロボット16の構成および作用を説明する。
図示のように、プラットホームPH内にはその長手方向に一対のガイドレール32とボールねじ機構34の送りねじ36が平行に敷設されており、真空搬送ロボット16はボールねじ機構34の直進駆動によってガイドレール32上をスライド移動できるようになっている。ボールねじ機構34において、送りねじ36の一端はモータ38(図1)に結合されている。
真空搬送ロボット16は、スライド動作を行うベース部40と、ベース部40上に旋回可能に取り付けられ、搬送アーム12,14を駆動するアーム駆動部42と、アーム駆動部42および搬送アーム12,14を収容するボックス44とを有している。
ここで、ベース部40は、ガイドレール32に摺動可能に係合するガイド部46と、送りねじ36に螺合するボールねじ(図示せず)と、アーム駆動部42およびボックス44を任意の回転角で旋回させる旋回駆動部(図示せず)とを有している。アーム駆動部42は、水平多関節ロボットからなる搬送アーム12,14を伸縮運動させて、上記のような半導体ウエハWの搬入出またはピック&プレース動作を行う。アーム駆動部42、ベース部40内の旋回駆動部、およびボールねじ機構34(モータ38)の各動作は制御部30によって制御される。
ボックス44の側壁には、搬送アーム12,14が伸縮運動する際に半導体ウエハWを保持したまま通り抜けられる開口48が形成され、この開口48を開閉するための扉50が取り付けられている。この開閉扉50も、制御部30の制御の下でアクチエータ(図示せず)により開閉駆動されるようになっている。
ボックス44は、搬送アーム12,14が半導体ウエハWを保持してボックス44内に設定されている伸縮運動の原位置に後退しているときにその半導体ウエハWもすっぽり収容する空間スペースを有している。
ボックス44の側壁には、周回方向の少なくとも一壁面に、好ましくは開口48の付いている正面を除く全壁面にガスフィルタ52の窓が取り付けられている。このガスフィルタ52は、たとえば中空糸膜からなり、特定のガス、典型的にはグリースが気化することにより放出されるガス(特に有機物のガス)を吸着してトラップする。
ここで、プラットホームPH内では、真空搬送ロボット16の殆ど全ての可動部(特に軸受や摺接部等)にグリースが使用されており、とりわけボールねじ機構34の送りねじ36やガイドレール32は露出しているために、それらに塗られているグリースから放出されるガスがプラットホームPHの室内に拡散しやすい。ガスは、パーティクルとは異なり、上下左右に拡散または浮遊するので、半導体ウエハWがカバー等で覆われても微小な隙間があればそこを通り抜けてウエハWに容易に付着することができる。
この実施形態では、このようにプラットホームPH内で使用されるグリースから放出されたガスのうち、一部はプラットホームPHの底に設けられた排気口54から排気管56を通って真空排気装置10側へ排出され、残りはプラットホームPHの室内で浮遊し、ボックス44のガスフィルタ52に付着したものはそこでトラップされる。いずれにしても、プラットホームPH内でグリースから放出されたガスが、ボックス44内に収容されている搬送中の半導体ウエハWに実質的な程度(プロセスに悪影響を与えるほど)に付着するおそれはない。
ガスフィルタ52はグリース放出ガス以外の雰囲気ガスたとえば不活性ガス等を通すので、半導体ウエハWの搬送中に開閉扉50を閉めている間もボックス44の内外の圧力差は実質的に零である。これにより、開閉扉50の開閉動作に圧力の抗力が働くことはなく、開閉扉50を開けた際に開口48を通って気流が発生したり、パーティクルが巻き上がるようなこともない。
上記のように、この実施形態の真空処理装置においては、プラットホームPH内で稼動する真空搬送ロボット16の搬送アーム12,14がロボット本体に取り付けられたボックス44の中の原位置とボックス44の外の往動位置との間で伸縮動作するように構成し、原位置で半導体ウエハWを保持しているときは、その半導体ウエハWもボックス44内に収容されるようにしている。
かかる構成によれば、プラットホームPH内でグリース放出ガスまたはコンタミネーションの原因になる他の不所望なガスが如何様に(たとえば多量に)浮遊しても、ガスフィルタ52を備えるボックス44により半導体ウエハWを不所望ガスの浮遊する雰囲気から隔離して、真空搬送ロボット16により搬送される半導体ウエハWに対するガス汚染を防止できるので、クラスタツールにおける真空プロセス、特に真空薄膜形成プロセスの歩留まりを大きく向上させることができる。
さらには、グリースを大量に使用するスライド機構を採用してもグリースから放出されるガスの影響を軽減できるので、被処理体のサイズ、プラットホームのサイズ・形状、プロセス・チャンバのサイズ・形状・搭載台数等に左右されない理想的なプラットホームを提供することができる。このことによって、クラスタツール方式における装置レイアウトの自由度、装置性能および処理効率を一層向上させることができる。
以上本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形・変更が可能である。
たとえば、本発明の効果をある程度減少させることになるが、ボックス44において開閉扉50を省く構成、つまり開口48を常時開けたままにしておく構成も可能である。ボックス44に取り付けるガスフィルタ52の窓の位置、形状、サイズは任意に選定できる。ガスフィルタ52の材質やトラップ方式(吸着方式、触媒方式等)も任意に選択してよい。図示省略するが、ボールねじ機構34に換えてリニアモータなどの他のスライド機構を使用することも可能である。また、ボックス44の内部に、たとえば内壁にガスフィルタ52を取り付ける構成も可能である。
なお、ローダ搬送室LM内の大気搬送ロボット20でもグリースが使用され、そのグリースからガスが放出されるが、ローダ搬送室LM内は天井のFFU(ファン・フィルタ・ユニット)からのダウンフローの清浄空気が流れているので、グリース放出ガスが室内に拡散することはなく、半導体ウエハWが汚染されるおそれはない。しかし、ローダ搬送室LM内でそのようなダウンフローの清浄空気を流さない場合などには、大気搬送ロボット20に上記実施形態におけるボックス44と同様の構成および機能を有するボックスを装着してもよい。
本発明における被処理体は、半導体ウエハに限らず、FPD基板などガス汚染が懸念される他の被処理体であってもよい。
本発明の一実施形態におけるクラスタツール方式の真空処理装置の構成を示す略平面図である。 上記真空処理装置におけるプラットホーム(真空搬送室)内の構成を模式的に示す断面図である。 上記真空処理装置における真空搬送ロボットの要部の構成を示す斜視図である。
符号の説明
10 真空排気装置
12,14 搬送アーム
16 真空搬送ロボット
32 ガイドレール
34 ボールねじ機構
36 送りねじ
40 ベース部
42 アーム駆動部
44 ボックス
46 ガイド部
48 開口
50 開閉扉
52 ガスフィルタ窓
PH プラットホーム(真空搬送室)
PC1〜PC6 プロセス・チャンバ(真空処理室)
LLMa,LLMb ロードロック・チャンバ(ロードロック室)

Claims (16)

  1. 室内が減圧状態に保たれる真空搬送室と、
    前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる1つまたは複数の真空処理室と、
    前記真空搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置く1つまたは複数のロードロック室と、
    前記真空搬送室内で移動可能に設けられ、特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームとを有し、被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する真空搬送装置と
    を有する真空処理装置。
  2. 前記ガスフィルタが、前記真空搬送室内に存在するグリースから放出されるガスを吸着してトラップする請求項1に記載の真空処理装置。
  3. 前記ボックスに、前記搬送アームが通り、被処理体が出入りするための開口を設ける請求項1または請求項2に記載の真空処理装置。
  4. 前記開口に開閉扉を取り付ける請求項3に記載の真空処理装置。
  5. 前記真空搬送装置が、
    前記真空搬送室内に敷設されるガイドレールと、
    前記ガイドレールに沿って前記ボックスを移動させるために前記ガイドレール上でスライド移動するスライダ部と
    を有する請求項1〜4のいずれか一項に記載の真空処理装置。
  6. 前記真空搬送室が水平な一方向に最も長い一対の辺を有する多角形に形成され、前記ガイドレールが前記長辺と平行に延びる請求項5に記載の真空処理装置。
  7. 前記真空搬送室の一長辺に沿って前記真空処理室が複数台並べて配置される請求項6に記載の真空処理装置。
  8. 前記スライダ部がボールねじ機構を有する請求項5〜7のいずれか一項に記載の真空処理装置。
  9. 前記スライダ部がリニアモータを有する請求項5〜7のいずれか一項に記載の真空処理装置。
  10. 前記真空搬送装置が前記ボックスを旋回させるための旋回駆動部を有する請求項1〜9のいずれか一項に記載の真空処理装置。
  11. 前記真空搬送室と前記真空処理室との間、および前記真空搬送室と前記ロードロック室との間にゲートバルブを設ける請求項1〜10のいずれか一項に記載の真空処理装置。
  12. 少なくとも1つの前記真空処理室内で被処理体上に化学的気相成長法による薄膜形成が行われる請求項1〜11のいずれか一項に記載の真空処理装置。
  13. 室内が減圧状態に保たれる真空搬送室の周囲に、前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる1つまたは複数の真空処理室と、前記搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置く1つまたは複数のロードロック室とを配置する真空処理装置において、前記真空搬送室と前記真空処理室または前記ロードロック室との間で被処理体の受け渡しを行うために前記真空搬送室内に設けられる真空搬送装置であって、
    特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、
    前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームと
    を有し、
    被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する真空搬送装置。
  14. 前記ガスフィルタが、前記真空搬送室内に存在するグリースから放出されるガスを吸着してトラップする請求項13に記載の真空搬送装置。
  15. 前記ボックスに、前記搬送アームが通り、被処理体が出入りするための開口を設ける請求項13または請求項14に記載の真空搬送装置。
  16. 前記開口に開閉扉を取り付ける請求項15に記載の真空搬送装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012099584A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置
JP2015211152A (ja) * 2014-04-28 2015-11-24 日新イオン機器株式会社 真空処理システム、真空処理装置、潤滑剤供給装置および潤滑剤供給方法
JP2024006122A (ja) * 2022-06-30 2024-01-17 蘇州芯慧聯半導体科技有限公司 基板自動搬送装置
JP2024006121A (ja) * 2022-06-30 2024-01-17 蘇州芯慧聯半導体科技有限公司 真空ウエーハ搬送システム

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013107766A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Tel Solar Ag Vacuum deposition system
TWI460810B (zh) * 2012-08-07 2014-11-11 Univ Nat Taiwan 晶圓傳送裝置
JP5956324B2 (ja) * 2012-12-13 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 搬送基台及び搬送システム
JP6553388B2 (ja) * 2015-03-31 2019-07-31 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法
CN106239562B (zh) * 2016-08-24 2018-08-24 合肥凌翔信息科技有限公司 一种机器人竞赛训练台
JP6819450B2 (ja) * 2017-04-28 2021-01-27 トヨタ自動車株式会社 ウエハの真空加工装置
US11315816B2 (en) * 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63133643A (ja) * 1986-11-26 1988-06-06 Shimizu Constr Co Ltd クリ−ンル−ム内工作物移送装置
JPH1067429A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JP3559747B2 (ja) * 2000-03-30 2004-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法および処理装置
JP2003007799A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 処理システム
JP4841183B2 (ja) * 2005-06-28 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置,搬送装置,搬送装置の制御方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012099584A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置
JP2015211152A (ja) * 2014-04-28 2015-11-24 日新イオン機器株式会社 真空処理システム、真空処理装置、潤滑剤供給装置および潤滑剤供給方法
JP2024006122A (ja) * 2022-06-30 2024-01-17 蘇州芯慧聯半導体科技有限公司 基板自動搬送装置
JP2024006121A (ja) * 2022-06-30 2024-01-17 蘇州芯慧聯半導体科技有限公司 真空ウエーハ搬送システム

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