JP2003007799A - 処理システム - Google Patents

処理システム

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JP2003007799A
JP2003007799A JP2001188551A JP2001188551A JP2003007799A JP 2003007799 A JP2003007799 A JP 2003007799A JP 2001188551 A JP2001188551 A JP 2001188551A JP 2001188551 A JP2001188551 A JP 2001188551A JP 2003007799 A JP2003007799 A JP 2003007799A
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JP
Japan
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inert gas
processing system
gas
box
port
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Yoshiaki Sasaki
義明 佐々木
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 待機中の被処理体を収容している収容ボック
ス内に処理システム内の雰囲気ガスが侵入してくること
を防止することができる処理システムを提供する。 【解決手段】 開閉蓋10により密閉状態になされた収
容ボックス2をロードポートの搬出入口44に設置し、
前記収容ボックスの開閉蓋を取り外して内部に収容され
ている被処理体Wを、前記搬出入口を介して搬送室28
内に取り込んで前記被処理体に所定の処理を施すように
した処理システムにおいて、前記搬送室の内側であって
前記搬出入口に臨ませて不活性ガスを流すことにより不
活性ガスカーテン74を形成する。これにより、待機中
の被処理体を収容している収容ボックス内に処理システ
ム内の雰囲気ガスが侵入してくることを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体を気密状態で収容する収容ボックスを利用する
処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、ICやLSI等の半導体集積回
路を製造するためには、半導体ウエハに対して各種の成
膜処理、酸化拡散処理、エッチング処理等を繰り返し行
なうが、各処理を行なうにあたって、半導体ウエハを対
応する装置間で搬送する必要がある。この場合、周知の
ように歩留り向上の上から半導体ウエハの表面にはパー
ティクルや自然酸化膜を付着形成することを避ける必要
があるので、高集積化及び高微細化の要請が大きくなる
に従って、ウエハの搬送には内部が密閉された収容ボッ
クス(例えば特開平11−307623号公報)が用い
られる傾向にある。図9及び図10に示すように、この
収容ボックス2は、一側が開口部4として形成されて、
他側が略半円状になされたボックス容器6を有してお
り、このボックス容器6の内壁面に多段に支持突起8を
設けて、これに半導体ウエハWの周縁部を載置して支持
することにより、略等ピッチで多段に半導体ウエハWを
収容できるようになっている。通常は、1つのボックス
2内に25枚或いは13枚程度のウエハを収容できる。
【0003】このボックス容器6の開口部4には、四角
形の中空板状の開閉蓋10が着脱可能に取り付けられ、
ボックス容器6内をある程度の気密状態として内部は清
浄空気、或いはN2 ガス等の雰囲気になされており、収
容されたウエハWが外気にできるだけ触れないようにし
ている。この開閉蓋10には、2つのロック機構12が
設けられており、このロック機構12を解除することに
より、開閉蓋10を開口部4から離脱し得るようになっ
ている。このロック機構12は、開閉蓋10の高さ方向
の略中央に、回転可能に取り付けられた円板状のロック
板14を有しており、このロック板14には、細長い凹
部状のカギ溝16が形成されている。このロック板14
には、円弧運動を直線運動に変換するクランク機構(図
示せず)等に接続された出没ピン18が上下方向にそれ
ぞれ一対設けられており、このロック板14を正逆90
度回転させることにより、上下の出没ピン18をそれぞ
れ上下方向へ出没させるようになっている。
【0004】この出没ピン18の先端は、ロック時には
上記開口部4を区画する上縁部及び下縁部のピン穴20
(図10では下縁部のみ示す)に挿入されて係合し、開
閉蓋10が開口部4から外れないようになっている。従
って、上記カギ溝16に図示しないカギ部材を嵌合さ
せ、図9に示すロック状態からこれを90度回転させる
ことにより、図10に示すようにアンロック状態とする
ようになっている。尚、収容ボックス22内に清浄な空
気や窒素ガスを導入するためにボックス底部にガス導入
ノズルを設けたものもある。
【0005】上記したような収容ボックス2は、一般的
には、収容ボックスの自動搬送機構や作業者によって半
導体ウエハに実際に所定の処理を施す処理システムに搬
送され、また、蓋開閉機構によって上述のような手順で
収容ボックス2の開閉蓋10を自動的に脱着するように
なっている。例えばこのような処理システムは、特開平
4−180213号公報、特開平8−279546号公
報、特開平11−274267号公報、或いは特開20
01−77177号公報等に開示されており、システム
内部にN2 ガス等の不活性ガスや清浄度の高い清浄空気
が供給されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、処理システム内は、一般的にはN2 等の不活性ガ
スや清浄空気がHEPAフィルタ等を介して供給されて
循環されているが、非常に微量ではあるが、この処理シ
ステム内には上記HEPAフィルタでは除去が困難な成
分として、例えば駆動系に用いているグリースの分子が
浮遊していたり、配線材から発生する分子レベルの有機
物成分が浮遊していたり、更には、水分子やアンモニア
等の各種の不純なガス分子が浮遊していたりしており、
これらの成分を含むガスが開放されているボックス容器
6内に入り込んでこの中で待機中の半導体ウエハの表面
に悪影響を与える場合があった。特に、半導体集積回路
の設計ルールが緩い従来にあっては、上記した現象はそ
れ程問題はなかったが、最近のように設計ルールがより
厳しくなると、上記した現象が大きな問題点となってき
た。
【0007】そこで、上記した問題点を解決するため
に、HEPAフィルタの他に、活性炭等を用いたケミカ
ルフィルタを設けることも行われているが、この場合に
はランニングコストがかかるのみならず、このケミカル
フィルタをもってしても水分子までは十分に除去するこ
とが困難であり、根本的な解決には至っていない。本発
明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決
すべく創案されたものである。本発明の目的は、待機中
の被処理体を収容している収容ボックス内に処理システ
ム内の雰囲気ガスが侵入してくることを防止することが
できる処理システムを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
開閉蓋により密閉状態になされた収容ボックスをロード
ポートの搬出入口に設置し、前記収容ボックスの開閉蓋
を取り外して内部に収容されている被処理体を、前記搬
出入口を介して搬送室内に取り込んで前記被処理体に所
定の処理を施すようにした処理システムにおいて、前記
搬送室の内側であって前記搬出入口に臨ませて不活性ガ
スを流すことにより不活性ガスカーテンを形成するよう
に構成したことを特徴とする処理システムである。この
ように、開放された収容ボックスの搬出入口に臨ませて
不活性ガスカーテンを形成することにより、処理システ
ム内の雰囲気は上記不活性ガスカーテンに阻害されて収
容ボックス内に侵入することができず、この結果、収容
ボックス内の雰囲気をより高い清浄度に維持でき、この
収容ボックス内に待機中の被処理体に好ましからざる影
響を与えることを防止することが可能となる。
【0009】この場合、例えば請求項2に規定するよう
に、前記搬出入口の一側には、前記不活性ガスを噴出す
るガス噴出ヘッドが設けられ、前記搬出入口の他側に
は、前記不活性ガスの流れを吸い込んで下流側へ排出す
るためのガス吸込ヘッドが設けられている。また、例え
ば請求項3に規定するように、前記ガス噴出ヘッド内に
は、フィルタ手段が設けられる。
【0010】また、例えば請求項4に規定するように、
前記ガス吸込ヘッド内には、前記収容ボックスの開閉蓋
を開閉するための蓋開閉機構が収容されている。これに
よれば、蓋開閉機構の動作によってこれにパーティクル
が発生しても、このパーティクルはガス吸込ヘッド内を
流れるガス流によって下流側へ排出されるので、このパ
ーティクルが処理システム内に滞留することを防止する
ことが可能となる。また、例えば請求項5に規定するよ
うに、前記不活性ガスカーテンは、前記搬出入口の上方
より下方へ向けて流れる下降気流である。
【0011】また、例えば請求項6に規定するように、
前記不活性ガスカーテンの流速は、前記搬送室内に形成
されている清浄気体のダウンフローの流速以上の速さに
設定されている。これによれば、処理システム内のダウ
ンフローよりも不活性ガスカーテンの下降気流の方が流
速が速いので、上記ダウンフローが不活性ガスカーテン
側に巻き込まれることがなくなり、その分、収容ボック
ス内に、ダウンフロー、すなわち処理システム内の雰囲
気が侵入することをより確実に防止することが可能とな
る。
【0012】また、例えば請求項7に規定するように、
前記不活性ガスカーテンは、前記搬出入口を横方向へ流
れるサイドフローであるようにしてもよい。この場合に
は、収容ボックスに対して搬出入する被処理体の表面方
向に対して平行となるように前記サイドフローが流れる
ので、ここに乱流が生ずることを防止することが可能と
なる。また、この場合には、例えば請求項8に規定する
ように、前記搬出入口の上部には、前記搬送室内に形成
されている清浄気体のダウンフローを遮断するためのフ
ードが設けられるようにしてもよい。これによれば、ダ
ウンフローはフードにより遮断されて収容ボックスの搬
出入口には流れないので、この搬出入口を覆うように流
れる不活性ガスカーテンのサイドフローが乱されること
を防止することが可能となる。
【0013】また、例えば請求項9に規定するように、
前記ロードポートには、前記収容ボックス内に不活性ガ
スを導入するためのガス導入ジョイントが設けられる。
これによれば、収容ボックス内を常に不活性ガスで充填
することができ、この中に処理システム内の雰囲気が侵
入してくることをより確実に阻止することが可能とな
る。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る処理システ
ムの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本
発明に係る処理システムを模式的に示す概略構成図、図
2は図1中のロードポートの部分を示す拡大断面図、図
3は収容ボックスを設置した状態のロードポートの部分
を示す拡大断面図、図4はロードポートの部分を示す拡
大平面図である。
【0015】まず、図1に示すように、この処理システ
ム22は、被処理体としての半導体ウエハWに対して成
膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行なう処理ユ
ニット24と、この処理ユニット24に対してウエハW
を搬入、搬出させる搬送ユニット26とにより主に構成
される。また、この搬送ユニット26は、ウエハWを搬
送する際に共用される搬送室28を有している。上記処
理ユニット24は、2つの処理装置29よりなり、各処
理装置29は、それぞれ処理室30と、これらのそれぞ
れに連設される真空引き可能になされたロードロック室
32を有しており、各処理室30において互いに同種
の、或いは異種の処理をウエハWに対して施すようにな
っている。各処理室30内には、ウエハWを載置するた
めの載置台34がそれぞれ設けられる。尚、このロード
ロック室及び処理室よりなる処理装置は2つに限定され
ず、更に追加して設けるようにしてもよい。
【0016】一方、搬送ユニット26の搬送室28は、
例えばN2 ガスの不活性ガスや清浄空気が循環される横
長の、例えばステンレス等よりなる筐体42により形成
されており、この横長の筐体42の一側には、複数の、
図示例では収容ボックスを載置する3台のロードポート
38が設けられる。そして、各ロードポート38にはボ
ックス台40が設けられ、ここにそれぞれ1つずつ収容
ボックス2を載置できるようになっている。そして、各
ロードポート38に対応する筐体側壁42Aには、それ
ぞれのボックス台40に臨ませて四角形状の搬出入口4
4(図2及び図4参照)が形成されており、これを介し
てウエハを搬出入可能になされている。そして、各搬出
入口44には、これを閉じる開閉ドア46(図2及び図
4参照)が取り付けられている。
【0017】上記搬送室28内には、ウエハWをその長
手方向に沿って搬送する搬送機構48が設けられる。こ
の搬送機構48は、基台50上に固定されており、この
基台50は搬送室28内の中心部を長さ方向に沿って延
びるように設けた案内レール52上にスライド移動可能
に支持されている。この基台50と案内レール52に
は、それぞれリニアモータの可動子と固定子(図示せ
ず)とが設けられている。従って、上記搬送機構48は
案内レール52に沿ってX方向へ制御可能に移動するこ
とになる。また、搬送室28の他端には、ウエハの位置
決めを行なう位置決め装置としてのオリエンタ54が設
けられ、このオリエンタ54は回転台54Aと光学セン
サ54Bとを有する。更に、搬送室28の長手方向の途
中には、真空引き可能になされた先の2つのロードロッ
ク室32がそれぞれ開閉可能になされたゲートバルブ5
7を介して設けられる。各ロードロック室32には、そ
れぞれウエハWを一時的に載置して待機させる一対のバ
ッファ用載置台55、56が設けられる。そして、各バ
ッファ用載置台55、56間には、屈伸、旋回及び昇降
可能になされた多関節アームよりなる移載機構58が設
けられており、両バッファ用載置台55、56間でウエ
ハWの受け渡し移載を行い得るようになっている。そし
て、各ロードロック室32の他端は、開閉可能になされ
たゲートバルブ60を介してそれぞれ上記各処理室30
へ連結されている。尚、処理室30内へのウエハの搬入
搬出は、それぞれに対応させて設けた移載機構58を用
いる。
【0018】また、前記搬送機構48は、上下2段に配
置された多関節形状になされた2つの搬送アーム62、
64を有している。従って、各搬送アーム62、64
は、この中心より半径方向へ向かうR方向へ屈伸自在に
なされており、また、各搬送アーム62、64の屈伸動
作は個別に制御可能になされている。上記搬送アーム6
2、64の各回転軸は、それぞれ基台50に対して同軸
状に回転可能に連結されており、各回転軸は、例えば基
台50に対する旋回方向であるθ方向へ一体的に回転で
きるようになっている。更に、この各回転軸は、基台5
0を中心として、上下方向へ、すなわちZ方向へも例え
ば一体的に移動可能になっている。従って、上記各搬送
アーム62、64は、X、Z、R、θの方向へ移動でき
るようになっている。尚、この搬送機構48の構成とし
ては、このような2ピック方式に限定されず、1ピック
方式のものでもよい。そして、図2にも示すように、搬
送室28を区画する筐体42の天井部42Bには多数の
通気入口66が設けられると共に、この天井部42Bの
直下には、主送風ファン68と、例えばHEPAフィル
タ等よりなる主フィルタ70が順次設けられており、こ
の筐体42内に上方より下方へ向かう清浄気体のダウン
フロー72を形成するようになっている。また、筐体4
2の底部42Cには、上記ダウンフロー72を系外へ排
出する多数の通気出口75が形成されている。
【0019】そして、上記各ロードポート38の搬出入
口44を閉じる開閉ドア46は、この下方にて筐体正面
壁42Aに設けた出没ロッド76Aを有するアクチュエ
ータ76のロッド先端に取り付けられており、昇降可能
になされている。また、この開閉ドア46は、出没ロッ
ド76Aに対して図示しない機構により僅かな距離だけ
前後方向(図2においては左右方向)へ進退できるよう
になっており、前述したように搬出入口44に対して或
る程度の気密性をもって装着可能になされている。そし
て、この開閉ドア46には、前記収容ボックス6の開閉
蓋10のカギ溝16(図10参照)に嵌装されてこれを
回転することにより、ロック・アンロックを行う蓋開閉
機構78が内蔵されている。尚、このような蓋開閉機構
の詳細は、例えば特開2001−77177号公報に示
されている。また、開閉ドア46を設けない構造の場合
には、上記蓋開閉機構78を、上記出没ロッド76Aの
先端部に直接取り付けることになる。
【0020】そして、筐体側壁42Aに形成した各搬出
入口44の搬送室42内側に、上記搬出入口44に臨ま
せて例えばN2 ガス等の不活性ガスを流すことにより、
本発明の特徴とする不活性ガスカーテン74(図3及び
図4参照)を形成し得るようになっている。具体的に
は、図2〜図4に示すように、上記搬出入口44の上辺
の上方であって搬送室48内には、例えば外観が略三角
形状になされた中空のガス噴出ヘッド80が設けられて
いる。このガス噴出ヘッド80の全体は、例えばステン
レス等により成形されており、その下端部の長方形状の
吹出口82の長さは、上記搬出入口44の幅と同等、或
いはそれ以上の長さに設定されている。そして、この吹
出口82には、例えばHEPAフィルタ等よりなるフィ
ルタ手段84が全体に亘って設けられている。また、こ
のガス噴出ヘッド80の上端部には、ガス導入管86が
接続されると共に、このガス導入管86の途中には供給
ガスの圧力調整、或いは流量調整を行うレギュレータ8
8(図1参照)が介設されており、不活性ガスとして例
えば乾燥したN2 ガスを必要に応じて供給し得るように
なっている。
【0021】一方、上記搬出入口44の下辺の下方であ
って搬送室48内には、上記不活性ガスカーテン74の
下降気流の流れを吸い込んで系外へ排出するためのガス
吸込ヘッド90が設けられている。このガス吸込ヘッド
90は中空になされており、その全体は、例えばステン
レス等により成形されて、その外観は略ベース状になさ
れている。このガス吸込ヘッド90の上端部の四角形状
の吸込口92の長さ及び高さは、上記搬出入口44を開
閉する開閉ドア46の全体を収容し得る程度の大きさに
設定されている。また、このガス吸込ヘッド90内に
は、上記開閉ドア46を駆動するアクチュエータ76も
収容されている。そして、このガス吸込ヘッド90の下
部の底板94は、絞り込まれてその開口面積がやや狭く
なされると共に、このガス出口96には、ガス流を促進
させる排気ファン98が設けられており、排気ファン9
8の下流側に排出したガスを筐体底部42Cの通気出口
79(図3参照)から系外へ排気できるようになってい
る。尚、ここで排気したN2ガスを循環使用するため
に、上記ガス噴出ヘッド80へ戻すようにしてもよい。
この場合、不図示の循環路にN2 純度監視装置を設け、
2 純度が所定値以下になったら循環を停止する。
【0022】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、半導体ウエハWの一般的
な流れについて説明する。前工程で処理が完了した半導
体ウエハWは、例えば25枚1セットとして収容ボック
ス2内に収容されて、内部が密閉状態になされた状態
で、自動的に或いは作業者によって3つあるロードポー
ト38の内のいずれかのロードポートに設置されて固定
される。この時の状態は図2に示される。尚、ここでは
収容ボックス2は一点鎖線で記載されている。次に、開
閉ドア46に内蔵されている蓋開閉機構78を駆動する
ことにより、上記収容ボックス2を閉じている開閉蓋1
0(図10参照)のロックを外し、これと同時にこのア
ンロック状態になされた開閉蓋10をこの蓋開閉機構7
8で一体的に保持する。
【0023】次に、この開閉ドア46を支持しているア
クチュエータ76を駆動することにより、開閉ドア46
を下方向へ降下して搬出入口44を開放する。この時の
状態は図3に示されている。この時、開閉ドア46に
は、上記収容ボックス2の開閉蓋10が一体となって支
持されて下方向へ降下している。このようにして、収容
ボックス2の開閉蓋10と開閉ドア46とが同時に開か
れることになる。次に、搬送室28内の搬送機構48を
駆動することにより、先に開放された収容ボックス2内
から半導体ウエハWを取り出す。このようにして、搬送
機構48により収容ボックス2より取り出されたウエハ
は、オリエンタ54まで搬送されてオリエンタ54の回
転台54に移載され、ここで位置決めされる。この位置
決めされたウエハは、再度、上記搬送機構48により受
け取られて保持され、この保持しているウエハの処理に
対応するいずれかの処理装置30のロードロック室32
の直前まで搬送される。そして、圧力調整を行った後に
このロードロック室32のゲートバルブ57を開いてこ
の保持していたウエハをロードロック室32内に収容す
ることになる。
【0024】これと同時に先に処理室30内にて処理さ
れたウエハWをロードロック室32内から取り出すこと
になる。そして、未処理のウエハは処理室30内で所定
の処理が行われ、処理済みのウエハWは、例えば元の収
容ボックス2内へ収容されることになる。ここで搬送機
構48の一般的な動作としては、オリエンタ54では空
き状態の一方の搬送アームで位置決め済みのウエハを取
り出し、そして、他方の搬送アームに保持していた位置
決めを行っていないウエハをオリエンタ54に載置する
ように、ウエハの入れ替えを行う。同様に、ロードロッ
ク室においても、一方の空き状態の搬送アームで処理済
みのウエハを保持し、そして、他方の搬送アームに保持
していた位置決め済みのウエハをロードロック室に載置
するように、ウエハの入れ替えを行う。このようにし
て、常時複数枚のウエハWが搬送途中に存在することに
なる。
【0025】さて、このように半導体ウエハWが搬送さ
れるのであるが、搬送室28では、図2にも示すように
天井部42Bの通気入口66を通った清浄気体、例えば
清浄空気が送風ファン68により下方向へ送られ、この
空気は主フィルタ70を通過してダウンフロー72とな
って搬送室28内を流下し、更に、この筐体底部42C
に設けた通気出口75から系外へ排出されて行くことに
なる。この清浄空気は、パーティクルに関してはかなり
高いクリーン度を維持しているが、前述したように、僅
かではあるが、水分(水分子)、配線材等より気化する
分子レベルの有機物成分、グリースの分子成分ガス等の
不純物ガスが含まれる傾向にある。この場合、収容ボッ
クス2は、25枚全てのウエハWの処理が完了して戻っ
てくるまでは、開閉蓋10は外されて開放されたままで
いるので、この間、例えばウエハの処理態様にもよる
が、30分間程度は収容ボックス2は開放状態になされ
ており、この収容ホックス2内に上記不純物ガスを含ん
だダウンフロー72が侵入して、待機中のウエハ表面に
悪影響を与える恐れが生ずる。
【0026】しかしながら、本実施例にあっては、この
搬出入口44を覆うようにして不活性ガスカーテン74
が形成されているので、このカーテン74の作用によっ
て上記ダウンフロー72の気流が収容ボックス2内に侵
入することを阻止でき、従って、上記したような悪影響
が発生することを未然に防止することが可能となる。す
なわち、収容ボックス2の開閉蓋10が取り外されてい
る間は、ガス導入管86を介してガス噴出ヘッド80内
へ供給された乾燥したN2 ガスはフィルタ手段84を通
った後に、吹出口82から横方向に広がったカーテン状
になって下方向へ吹き出され、この搬出入口44の全体
を覆うような不活性ガスカーテン74を形成する。この
不活性ガスカーテン74は、そのままこの下方に位置す
るガス吸込ヘッド90に吸い込まれて、この内部に収容
した排気ファン98によって強制的に系外へ排出されて
行くことになる。
【0027】このように、上記排出入口44の全体を覆
うようにして不活性ガスカーテン74を形成しているの
で、前述したように、搬送室28内のダウンフロー72
が開放されている収容ボックス2内へ侵入することを防
止でき、従って、収容ボックス2内に待機中のウエハW
に悪影響を与えることを阻止することができる。この場
合、不活性ガスカーテン74の流速を上記清浄空気のダ
ウンフロー72の流速以上の速さに設定しておけば、ダ
ウンフロー72が不活性ガスカーテン74側に巻き込ま
れることはないので、この結果、収容ボックス2内にダ
ウンフロー72が侵入することを一層確実に防止するこ
とができる。実際の流速は、装置の大きさによるが、例
えばダウンフロー72の流速は、0.25〜0.35m
/秒程度なので不活性ガスカーテン74の流速は、0.
35〜0.4m/秒程度に設定すればよい。尚、この搬
送室28内は、外側の大気に対して僅かに陽圧状態に設
定しており、大気がこの搬送室28内に侵入することを
防止しているのは勿論である。
【0028】また、開閉ドア46の開閉時のアクチュエ
ータ76の駆動や、排気ファン98の駆動によってパー
ティクル等が発生する恐れがあるが、万一、パーティク
ルが発生しても、上記アクチュエータ76や排気ファン
98はガス吸込ヘッド90内に収容されているので、発
生したパーティクルは不活性ガスカーテン74のガス流
に随伴して系外へ排出されてしまうことになり、これが
搬送室28内に侵入したり、滞留することを防止でき
る。上記実施例においては、搬出入口44に下降気流と
なる不活性ガスカーテン74を形成した場合を例にとっ
て説明したが、これに限定されず、搬出入口44を覆う
ようにしてこの横方向へ流れるサイドフローとなるよう
に不活性ガスカーテンを形成するようにしてもよい。
【0029】図5はこのような本発明の処理システムの
変形例を模式的に示す概略構成図、図6は本発明の変形
例において収容ボックスを設置した状態のロードポート
の部分を示す拡大断面図、図7は本発明の変形例のロー
ドポートの部分を示す拡大断面図である。尚、ここでは
図1乃至図4に示す部分と同一構成部分については同一
参照符号を付してその説明を省略する。先に、図1乃至
図4を参照して説明した実施例では、フィルタ手段84
の付いたガス噴出ヘッド80を搬出入口44の上辺側に
沿って設けたが、これに代えて、この変形例では搬出入
口44の側部、すなわち一方の側辺に沿ってガス噴出ヘ
ッド102を設け、この四角形状の吹出口104にHE
PAフィルタ等のフィルタ手段100を設けている。そ
して、このガス噴出ヘッド102にガス導入管86を介
してN2 ガスを流量制御しつつ供給できるようになって
いる。
【0030】そして、搬出入口44の他方の側辺に沿っ
てガス吸込ヘッド106を設けると共に、この内部に排
気ファン108を設けている。この場合、この吸込ヘッ
ド106は、先の実施例とは異なって開閉ドア46を収
容することはないので、比較的小型に形成される。これ
により、上述したように搬出入口44に、これを覆うよ
うにして横方向に流れるサイドフローの不活性ガスカー
テン110を形成できるようになっている。そして、上
記ガス吸込ヘッド106の基端部は排気管112を介し
て、先の実施例で設けたガス吸込ヘッド90の側壁に接
続して、上記サイドフローの不活性ガスを排出するよう
になっている。尚、ここでは先の実施例のガス吸込ヘッ
ド90及びその中に排気ファン98を併せて設けた場合
について説明しているが、このガス吸込ヘッド90及び
排気ファン98を設けていない場合には、上記排気管1
12を直接的に筐体底部42Cの通気出口75(図6参
照)側へ導くようにするのがよい。
【0031】そして、ここでは上記搬出入口44の上辺
の上部には、これに沿って下向き傾斜された所定の幅の
フード114が設けられており、このフード114によ
り搬送室28内の清浄気体のダウンフロー72を遮断し
得るようになっている。この場合、このフード114の
筐体側壁42Aに対する延出長さL2(図6参照)は、
上記吹出口104の幅と同じか、或いはこれより少し長
く設定することにより、ダウンフロー72と不活性ガス
カーテン110のサイドフローとが互いに干渉すること
を避けることが可能となる。以上のように構成すること
により、搬出入口44はサイドフロー状態で流れる不活
性ガスカーテン110で覆われるので、先に説明した実
施例と同様に上記カーテン110の作用によって、上記
搬送室28内を下降する上記ダウンフロー72の気流が
収容ボックス2内に侵入することを阻止することがで
き、従って、ウエハ表面に悪影響を与えることを未然に
阻止することが可能となる。
【0032】特に、この不活性ガスカーテン110がサ
イドフロー状態になっている場合には、このサイドフロ
ーが収容ボックス2に対して搬出入される半導体ウエハ
の表面方向に対して平行となるので、ここで乱流が生ず
ることを防止でき、ダウンフロー72が収容ボックス2
内に侵入することを阻止する、というカーテンとしての
機能を高く維持することが可能となる。更には、この搬
出入口44の上部には、フード114を設けて清浄空気
のダウンフロー72を遮断するようにしているので、上
記サイドフローの不活性ガスカーテン110に対して清
浄空気のダウンフロー72が干渉することがなく、この
点よりも上記したカーテンとしての機能を更に高く維持
することが可能となる。図3に示す構造の場合、不活性
ガスカーテン74が収容ボックス2に対して搬出入され
る半導体ウエハの表面に対して垂直となる。このため、
不活性ガスカーテン74の流速を大きくすると、半導体
ウエハの表面で乱流が生じて不活性ガスカーテン74の
効果が低下したり、搬送アーム62、64に保持されて
いる半導体ウエハの位置ずれが起こる場合がある。かか
る場合、半導体ウエハが不活性ガスカーテン74を通過
する期間のみ一時的に不図示の制御手段により不活性ガ
スカーテン74の流速が下げられる。
【0033】尚、上記した処理システムでは、図1に示
すように2つのロードロック室32に対して個別に全体
で2つの処理室30を設けた場合を例にとって説明した
が、これに限定されず、例えば図8に示すように真空引
き可能になされた2つのロードロック室120を例えば
六角形状のトランスファチャンバ122に接続し、そし
て、上記トランスファチャンバ122の各辺に処理室3
0を接続することにより全部で4つの処理室を設置する
ようにしてもよい。この場合、トランスファチャンバ1
22には、屈伸、昇降及び旋回可能になされた多関節搬
送アーム機構124が設定されて、ウエハWの搬送・移
載を行う。
【0034】また、収容ボックス2の底部等に逆止弁等
を介設したガスノズルを設けてある場合には、搬送室2
8の各ボックス台40に、この上に収容ボックス2が載
置された時に上記ガスノズルと自動的に連結されるガス
導入ジョイントを設けるようにしてもよい。これによれ
ば、収容ボックス2がボックス台40上に載置されてい
る間、このボックス2内に不活性ガスを導入することが
可能となる。また、ここでは被処理体として半導体ウエ
ハWを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラ
ス基板、LCD基板等にも本発明を適用することができ
る。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理シス
テムによれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。請求項1〜3、5の発明によれば、開放さ
れた収容ボックスの搬出入口に臨ませて不活性ガスカー
テンを形成することにより、処理システム内の雰囲気は
上記不活性ガスカーテンに阻害されて収容ボックス内に
侵入することができず、この結果、収容ボックス内の雰
囲気をより高い清浄度に維持でき、この収容ボックス内
に待機中の被処理体に好ましからざる影響を与えること
を防止することができる。請求項4の発明によれば、蓋
開閉機構の動作によってこれにパーティクルが発生して
も、このパーティクルはガス吸込ヘッド内を流れるガス
流によって下流側へ排出されるので、このパーティクル
が処理システム内に滞留することを防止することができ
る。請求項6の発明によれば、処理システム内のダウン
フローよりも不活性ガスカーテンの下降気流の方が流速
が速いので、上記ダウンフローが不活性ガスカーテン側
に巻き込まれることがなくなり、その分、収容ボックス
内に、ダウンフロー、すなわち処理システム内の雰囲気
が侵入することをより確実に防止することができる。請
求項7の発明によれば、収容ボックスに対して搬出入す
る被処理体の表面方向に対して平行となるように前記サ
イドフローが流れるので、ここに乱流が生ずることを防
止することがでる。請求項8の発明によれば、ダウンフ
ローはフードにより遮断されて収容ボックスの搬出入口
には流れないので、この搬出入口を覆うように流れる不
活性ガスカーテンのサイドフローが乱されることを防止
することができる。請求項9の発明によれば、収容ボッ
クス内を常に不活性ガスで充填することができ、この中
に処理システム内の雰囲気が侵入してくることを阻止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る処理システムを模式的に示す概略
構成図である。
【図2】図1中のロードポートの部分を示す拡大断面図
である。
【図3】収容ボックスを設置した状態のロードポートの
部分を示す拡大断面図である。
【図4】ロードポートの部分を示す拡大平面図である。
【図5】本発明の処理システムの変形例を模式的に示す
概略構成図である。
【図6】本発明の変形例において収容ボックスを設置し
た状態のロードポートの部分を示す拡大断面図である。
【図7】本発明の変形例のロードポートの部分を示す拡
大断面図である。
【図8】本発明の処理システムの他の形態を示す概略構
成図である。
【図9】収容ボックスを示す斜視図である。
【図10】収容ボックスの開閉蓋が開いた状態を示す斜
視図である。
【符号の説明】
2 収容ボックス 10 開閉蓋 22 処理システム 28 搬送室 30 処理室 38 ロードポート 44 搬出入口 72 ダウンフロー 74 不活性ガスカーテン 80,102 ガス噴出ヘッド 84,100 フィルタ手段 90,106 ガス吸込ヘッド 114 フード W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F031 CA02 CA05 DA08 EA12 EA14 FA01 FA11 FA15 GA43 GA47 GA48 GA49 GA50 KA12 LA08 LA15 MA04 MA07 MA15 NA03 NA04 NA10 NA11 NA14 NA15 NA16 NA17

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 開閉蓋により密閉状態になされた収容ボ
    ックスをロードポートの搬出入口に設置し、前記収容ボ
    ックスの開閉蓋を取り外して内部に収容されている被処
    理体を、前記搬出入口を介して搬送室内に取り込んで前
    記被処理体に所定の処理を施すようにした処理システム
    において、 前記搬送室の内側であって前記搬出入口に臨ませて不活
    性ガスを流すことにより不活性ガスカーテンを形成する
    ように構成したことを特徴とする処理システム。
  2. 【請求項2】 前記搬出入口の一側には、前記不活性ガ
    スを噴出するガス噴出ヘッドが設けられ、前記搬出入口
    の他側には、前記不活性ガスの流れを吸い込んで下流側
    へ排出するためのガス吸込ヘッドが設けられることを特
    徴とする請求項1記載の処理システム。
  3. 【請求項3】 前記ガス噴出ヘッド内には、フィルタ手
    段が設けられることを特徴とする請求項1または2記載
    の処理システム。
  4. 【請求項4】 前記ガス吸込ヘッド内には、前記収容ボ
    ックスの開閉蓋を開閉するための蓋開閉機構が収容され
    ていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記
    載の処理システム。
  5. 【請求項5】 前記不活性ガスカーテンは、前記搬出入
    口の上方より下方へ向けて流れる下降気流であることを
    特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の処理シス
    テム。
  6. 【請求項6】 前記不活性ガスカーテンの流速は、前記
    搬送室内に形成されている清浄気体のダウンフローの流
    速以上の速さに設定されていることを特徴とする請求項
    5記載の処理システム。
  7. 【請求項7】 前記不活性ガスカーテンは、前記搬出入
    口を横方向へ流れるサイドフローであることを特徴とす
    る請求項1乃至4のいずれかに記載の処理システム。
  8. 【請求項8】 前記搬出入口の上部には、前記搬送室内
    に形成されている清浄気体のダウンフローを遮断するた
    めのフードが設けられることを特徴とする請求項7記載
    の処理システム。
  9. 【請求項9】 前記ロードポートには、前記収容ボック
    ス内に不活性ガスを導入するためのガス導入ジョイント
    が設けられることを特徴とする請求項1乃至8のいずれ
    かに記載の処理システム。
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Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004051736A1 (ja) * 2002-12-03 2004-06-17 Kondoh Industries, Ltd. ミニエンバイラメント方式の半導体製造装置
JP2004260172A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Samsung Electronics Co Ltd ウェーハ処理装置及び方法
JP2005353940A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の保管庫、保管方法及びそれを用いた半導体基板の製造方法
JP2006135016A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi High-Technologies Corp ロードポート
JP2006351864A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び処理方法
JP2007165644A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び帯状気流形成装置
JP2008211196A (ja) * 2007-01-31 2008-09-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびパーティクル付着防止方法
JP2009076805A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法
WO2010035385A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空搬送装置
US7726353B2 (en) 2005-11-30 2010-06-01 Tdk Corporation Lid opening/closing system of an airtight container
US7789609B2 (en) 2007-07-31 2010-09-07 Tdk Corporation Lid opening/closing system for closed container and substrate processing method using same
JP2010232522A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7841371B2 (en) 2005-11-30 2010-11-30 Tdk Corporation Lid opening/closing system of an airtight container
JP2011082565A (ja) * 2011-01-07 2011-04-21 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
KR101033408B1 (ko) 2008-01-08 2011-05-09 티디케이가부시기가이샤 수용 대상물 이송 시스템
JP2011119650A (ja) * 2009-11-04 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US8302637B2 (en) 2007-07-31 2012-11-06 Tdk Corporation Method of processing an object in a container and lid opening/closing system used in the method
JP2013118229A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び基板処理システム
US8794896B2 (en) 2005-12-14 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
JP2014239096A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 Tdk株式会社 ロードポートユニット及びefemシステム
KR101482281B1 (ko) 2008-11-26 2015-01-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리 장치
JP2015023037A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem、ロードポート
JP2015146348A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efemシステム
JP2015146349A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
US9136149B2 (en) 2012-11-16 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use
JP2015204344A (ja) * 2014-04-14 2015-11-16 Tdk株式会社 Efemシステム及び蓋開閉方法
US10184177B2 (en) 2016-03-02 2019-01-22 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus capable of adjusting flow rate of inert gas supplied to substrate
JP2019161119A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
US20190304819A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-03 Bum Je WOO Efem, equipment front end module
KR20200056084A (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 주식회사 저스템 웨이퍼 용기로의 외기 유입을 차단하는 외기 차단 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR102208017B1 (ko) * 2019-08-14 2021-01-27 로체 시스템즈(주) 기판 반송 장치
WO2021034008A1 (ko) * 2019-08-22 2021-02-25 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR20210023653A (ko) * 2019-08-22 2021-03-04 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102226506B1 (ko) * 2019-09-09 2021-03-11 주식회사 저스템 반송실 내의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102227652B1 (ko) * 2020-05-20 2021-03-12 이건희 흄 기류 흡입수단을 가지는 이에프이엠
JP2022009019A (ja) * 2018-03-15 2022-01-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム及び容器開閉装置
KR20220021069A (ko) * 2020-08-12 2022-02-22 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR20220114815A (ko) * 2021-02-09 2022-08-17 주식회사 저스템 기류 균일화 장치를 구비한 efem
DE102015105711B4 (de) 2014-04-14 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Mini-Environment zur Be- und Entladung von Transportbehältern und Verfahren hierzu

Cited By (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7416998B2 (en) 2002-12-03 2008-08-26 Kondoh Industries, Ltd. Air-curtain forming apparatus for wafer hermetic container in semiconductor-fabrication equipment of minienvironment system
WO2004051736A1 (ja) * 2002-12-03 2004-06-17 Kondoh Industries, Ltd. ミニエンバイラメント方式の半導体製造装置
JP2004260172A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Samsung Electronics Co Ltd ウェーハ処理装置及び方法
JP2005353940A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の保管庫、保管方法及びそれを用いた半導体基板の製造方法
JP2006135016A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi High-Technologies Corp ロードポート
JP2006351864A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び処理方法
US8082955B2 (en) 2005-11-30 2011-12-27 Tdk Corporation Lid opening/closing system of an airtight container
US8375998B2 (en) 2005-11-30 2013-02-19 Tdk Corporation Lid opening/closing system of an airtight container
US8413693B2 (en) 2005-11-30 2013-04-09 Tdk Corporation Lid opening/closing system of an airtight container
US7841371B2 (en) 2005-11-30 2010-11-30 Tdk Corporation Lid opening/closing system of an airtight container
US7726353B2 (en) 2005-11-30 2010-06-01 Tdk Corporation Lid opening/closing system of an airtight container
US8794896B2 (en) 2005-12-14 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
JP4584821B2 (ja) * 2005-12-14 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び帯状気流形成装置
JP2007165644A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び帯状気流形成装置
JP2008211196A (ja) * 2007-01-31 2008-09-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびパーティクル付着防止方法
US7789609B2 (en) 2007-07-31 2010-09-07 Tdk Corporation Lid opening/closing system for closed container and substrate processing method using same
US9349627B2 (en) 2007-07-31 2016-05-24 Tdk Corporation Lid opening/closing system for closed container and substrate processing method using same
KR101030884B1 (ko) 2007-07-31 2011-04-22 티디케이가부시기가이샤 닫힘 용기용 덮개 개폐 시스템 및 이를 이용한 기재 처리방법
US8302637B2 (en) 2007-07-31 2012-11-06 Tdk Corporation Method of processing an object in a container and lid opening/closing system used in the method
JP2009076805A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法
KR101033408B1 (ko) 2008-01-08 2011-05-09 티디케이가부시기가이샤 수용 대상물 이송 시스템
WO2010035385A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空搬送装置
KR101482281B1 (ko) 2008-11-26 2015-01-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리 장치
JP2010232522A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR101497054B1 (ko) 2009-11-04 2015-02-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2011119650A (ja) * 2009-11-04 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US8662811B2 (en) 2009-11-04 2014-03-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2011082565A (ja) * 2011-01-07 2011-04-21 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
JP2013118229A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び基板処理システム
US9165810B2 (en) 2011-12-01 2015-10-20 Tokyo Electron Limited Conveyance device and substrate processing system
US9136149B2 (en) 2012-11-16 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use
US9583352B2 (en) 2012-11-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of etching and cleaning wafers
JP2014239096A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 Tdk株式会社 ロードポートユニット及びefemシステム
JP2015023037A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem、ロードポート
TWI608876B (zh) * 2013-07-16 2017-12-21 Sinfonia Technology Co Ltd 設備前端模組,載入埠
JP2015146348A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efemシステム
JP2015146349A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
JP2015204344A (ja) * 2014-04-14 2015-11-16 Tdk株式会社 Efemシステム及び蓋開閉方法
DE102015105711B4 (de) 2014-04-14 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Mini-Environment zur Be- und Entladung von Transportbehältern und Verfahren hierzu
US10184177B2 (en) 2016-03-02 2019-01-22 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus capable of adjusting flow rate of inert gas supplied to substrate
US10914005B2 (en) 2016-03-02 2021-02-09 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus having gas guide capable of suppressing gas diffusion
JP2019161119A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
WO2019177045A1 (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
JP2022009019A (ja) * 2018-03-15 2022-01-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム及び容器開閉装置
US11495481B2 (en) 2018-03-15 2022-11-08 Sinfonia Technology Co., Ltd. Efem
JP7277813B2 (ja) 2018-03-15 2023-05-19 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム及び容器開閉装置
US20190304819A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-03 Bum Je WOO Efem, equipment front end module
US10784131B2 (en) * 2018-04-03 2020-09-22 Bum Je WOO EFEM, equipment front end module
KR20200056084A (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 주식회사 저스템 웨이퍼 용기로의 외기 유입을 차단하는 외기 차단 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR102146517B1 (ko) * 2018-11-14 2020-08-21 주식회사 저스템 웨이퍼 용기로의 외기 유입을 차단하는 외기 차단 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR102208017B1 (ko) * 2019-08-14 2021-01-27 로체 시스템즈(주) 기판 반송 장치
KR20210023653A (ko) * 2019-08-22 2021-03-04 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102289650B1 (ko) * 2019-08-22 2021-08-17 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
WO2021034008A1 (ko) * 2019-08-22 2021-02-25 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102226506B1 (ko) * 2019-09-09 2021-03-11 주식회사 저스템 반송실 내의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102227652B1 (ko) * 2020-05-20 2021-03-12 이건희 흄 기류 흡입수단을 가지는 이에프이엠
KR20220021069A (ko) * 2020-08-12 2022-02-22 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR20220137596A (ko) * 2020-08-12 2022-10-12 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102466295B1 (ko) * 2020-08-12 2022-11-15 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102551501B1 (ko) * 2020-08-12 2023-07-06 주식회사 저스템 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR20220114815A (ko) * 2021-02-09 2022-08-17 주식회사 저스템 기류 균일화 장치를 구비한 efem
KR102442234B1 (ko) * 2021-02-09 2022-09-13 주식회사 저스템 기류 균일화 장치를 구비한 efem

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