JP3545569B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3545569B2 JP3545569B2 JP4944297A JP4944297A JP3545569B2 JP 3545569 B2 JP3545569 B2 JP 3545569B2 JP 4944297 A JP4944297 A JP 4944297A JP 4944297 A JP4944297 A JP 4944297A JP 3545569 B2 JP3545569 B2 JP 3545569B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- processing
- transfer
- storage chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理ユニットおよび基板搬送ユニットを備えた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために複数の処理室を備えた基板処理装置が用いられている。基板処理装置の各処理室で処理される基板は周囲の雰囲気に大きな影響を受けるので、処理室内は清浄な状態に保たれる。
【0003】
処理室内で処理された基板を直ちに大気中に搬出すると、処理された基板が大気の影響を受けることになる。また、処理室内に基板を搬入する際には、処理室内に基板とともに大気が侵入し、処理室の内部が汚染される。そこで、処理室の基板の出入口に密閉空間である搬送室を接続し、搬送室内に窒素等の不活性ガスを充填し、あるいは真空に保持しておくことにより、処理室への基板の搬入および搬出時ならびに搬送工程における基板の汚染を防止している。
【0004】
図12は複数の処理室および搬送室を備えた従来の基板処理装置の一例を示す平面図である。
【0005】
図12の基板処理装置では、基板搬送ユニット110の周囲に3つの基板処理ユニット101および2つの受け渡し室(ロードロック)120が放射状に接続されている。各基板処理ユニット101は、本体部102およびその本体部102上に設けられた処理室103により構成される。処理室103内で基板に対する所定の処理が行われる。本体部102には、駆動機構、処理液供給用配管および排気用配管が内蔵される。
【0006】
基板搬送ユニット110は搬送室111を有する。搬送室111内には、2つの基板保持部113を有する搬送機構112が設けられている。搬送機構112は、受け渡し室120と処理室103との間および処理室103間で基板を搬送する。
【0007】
搬送室111と各処理室103との間には、ガスの流通を遮断可能なゲートバルブ140が設けられ、搬送室111と受け渡し室120との間にも、同様にガスの流通を遮断可能なゲートバルブ150が設けられている。また、受け渡し室120には、外部との間で基板を搬入および搬出するためのゲートバルブ160が設けられている。
【0008】
各処理室103、搬送室111および受け渡し室120内は、予め減圧下に保たれ、あるいはN2 等の不活性ガスにより大気圧または準大気圧下でパージされ、清浄な雰囲気に保たれている。
【0009】
処理前の基板は一方の受け渡し室120内に搬入される。基板の搬送時には、搬送室111と受け渡し室120との間のゲートバルブ150が開かれる。搬送室111内の搬送機構112は、基板保持部113を伸張して受け渡し室120内の基板を受け取った後、1つの処理室103に搬送する。処理室103内で処理された基板は、搬送機構112により他の処理室103または他方の受け渡し室120に搬送される。あるいは、同様の処理が並行して行われる。処理が終了した基板は、受け渡し室120から外部に搬出される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来の基板処理装置においては、搬送室111および各処理室103の内部を不活性ガスで大気圧または準大気圧下でパージし、清浄な雰囲気を保つようにされている。一方、搬送室111内では、基板の搬入時における外部からの異物の侵入や、処理済み基板からのパーティクルの発生を完全に防止することが困難であり、このために搬送室111内に下降流(ダウンフロー)を生じさせてパーティクルを下方側へ排出することが行われている。そして、この下降流によって、搬送室111内の圧力は各処理室103内の圧力よりも低くなっている。
【0011】
しかしながら、搬送室111の内部圧力は変動する場合がある。そのため、例えば、処理室103との間のゲートバルブ140が開放された際に、搬送室111側の圧力が処理室103内の圧力よりも高い場合には、搬送室111側からパーティクルを含む気流が処理室103内に流れ込み、処理室103内の処理雰囲気を乱し、基板を汚染するおそれがある。
【0012】
一方、処理室103内の圧力に対して搬送室111内の圧力が低過ぎる場合には、処理室103側から処理雰囲気が搬送室111側に流れ込み、処理前の基板あるいは処理済みの基板に悪影響を及ぼすおそれがある。
【0013】
本発明の目的は、処理室内と基板の搬送室内との間で雰囲気ガスの侵入が生じることのない基板処理装置を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第1の発明に係る基板処理装置は、基板を搬入および搬出するための開口部を有しかつ基板に所定の処理を行う処理室を備えた基板処理ユニットと、基板処理ユニットの処理室に対して基板を搬入および搬出する基板搬送ユニットとを備え、基板搬送ユニットは、基板を保持して基板処理ユニットの処理室内に開口部を通して移動可能に設けられた基板保持部と、基板保持部が通過可能な基板出入口を有しかつ基板保持部を収納する基板収納室と、基板収納室を取り囲み、基板保持部が通過可能な開口部を有する搬送室とを備え、少なくとも基板収納室の基板出入口と処理室の開口部との間において搬送室の内部でかつ基板収納室の外部に、基板収納室内および処理室内よりも圧力の低い領域が形成されたものである。
【0015】
本発明に係る基板処理装置においては、基板収納室の基板出入口と処理室の開口部との間において搬送室の内部でかつ基板収納室の外部に基板収納室内および処理室内よりも圧力の低い領域を形成することにより、基板出入口から漏洩する基板収納室内の雰囲気ガスは圧力の低い領域に吸引され、処理室の内部に侵入することが防止される。一方、開口部から漏洩する処理室内の雰囲気ガスは圧力の低い領域に吸引され、基板収納室内に侵入することが防止される。また、搬送室の内部に圧力の低い領域を設けることにより、基板の搬入搬出時に搬送室の開口部を通して連通される処理室と基板収納室との間で互いの雰囲気ガスの侵入が妨げられる。このため、基板収納室に収納された基板が処理室の開口部から漏出した雰囲気ガスにさらされて汚染されることが防止され、また基板収納室内に浮遊するパーティクルを含む雰囲気ガスが処理室内に侵入し、処理雰囲気の均一性を乱したり、侵入したパーティクルにより基板が汚染されることが防止される。
【0018】
第2の発明に係る基板処理装置は、第1の発明に係る基板処理装置の構成において、搬送室が、搬送室内に雰囲気ガスを取り込む給気口と、搬送室内の雰囲気ガスを排出する排気口とを備えたものである。これにより、給気口から排気口に向かう雰囲気ガスの気流を生じさせることにより圧力の低い領域を形成し、それによって処理室と基板収納室との間の雰囲気ガスの侵入を妨げることができる。
【0019】
第3の発明に係る基板処理装置は、第1または2の発明に係る基板処理装置の構成において、基板搬送ユニットが、基板処理室内に雰囲気ガスを供給する供給経路と、基板収納室内の雰囲気ガスを排気する排気経路とをさらに備えたものである。
【0020】
これにより、基板収納室内に雰囲気ガスの気流を生じさせて基板処理室内に発生するパーティクル等を排出するとともに基板処理室内を所定の圧力に保持することができる。
【0021】
第4の発明に係る基板処理装置は、第3の発明に係る基板処理装置の構成において、基板保持部が基板収納室内から処理室側に移動する際には基板収納室内に供給される雰囲気ガスの流量が増加し、基板保持部が処理室側から基板収納室内に移動する際には基板収納室内に供給される雰囲気ガスの流量が減少するように雰囲気ガスの流量を制御する制御手段をさらに備えたものである。
【0022】
この場合、基板保持部が基板収納室から処理室側に移動する際に基板収納室内に供給する雰囲気ガスの流量を増加させて基板収納室内の圧力の低下を防止する。これにより、基板収納室の外部から基板収納室の内部に汚染物を含む気流が侵入することが防止される。一方、基板保持部が処理室側から基板収納室内に復帰する際には基板収納室内に供給する雰囲気ガスの流量を減少することにより、基板処理室内から雰囲気ガスが外方に押し出されて処理室内に侵入することが防止される。これにより、処理室内に侵入した基板収納室からの雰囲気ガスによって処理室内の雰囲気が乱され、かつ基板収納室内で発生したパーティクルにより処理室内の基板が汚染されることが防止される。
【0023】
第5の発明に係る基板処理装置は、第1〜第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、基板処理ユニットは基板搬送ユニットの周囲に複数配置され、基板搬送ユニットの搬送室は鉛直方向の軸を中心とする円筒状の外周面を有し、基板処理ユニットの各処理室は搬送室の円筒状の外周面に接する部分円筒状の側面を有し、開口部が部分円筒状の側面に設けられ、搬送室が鉛直方向の軸の周りで回動可能に設けられたものである。
【0024】
この場合、基板搬送ユニットの搬送室を鉛直方向の軸の周りで回動させることにより各基板処理ユニットの処理室の開口部を開閉することができる。それにより、基板処理ユニットの処理室の開口部および基板搬送ユニットの搬送室の開口部を簡単な構造で開閉することが可能となる。
【0025】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施例における基板処理装置の平面図、図2は図1の基板処理装置の横断面図、図3は図1の基板処理装置の部分縦断面図である。また、図4は図1の基板処理装置における1つの基板処理ユニットの斜視図、図5は図1の基板処理装置における基板搬送ユニットの主要部の斜視図である。
【0026】
図1の基板処理装置は、3つの基板処理ユニット1、搬入室2a、搬出室2b、基板搬送ユニット3、2つの制御系ユニット4、および2つの薬液供給系ユニット5を備える。3つの基板処理ユニット1、搬入室2aおよび搬出室2bは鉛直方向の中心軸Sの周りに放射状に配置され、これらの基板処理ユニット1の外側に制御系ユニット4および薬液供給系ユニット5が配置されている。
【0027】
図3に示すように、基板処理ユニット1は、本体部10およびその本体部10上に設けられた処理室11からなる。本体部10は、モータ等の駆動機構、処理液供給用配管および排気用配管を内蔵する。処理室11内には、薬液、洗浄液等の処理液の飛散を防止するためのカップ13が上下動自在に設けられている。
【0028】
処理室11のカップ13の内部には、基板Wを水平姿勢で保持して回転させる回転保持部12が配設されている。この回転保持部12は、本体部10内のモータにより回転駆動される。また、処理室1内には、カップ13内の基板Wに薬液を供給するためのノズル(図示せず)、基板Wに純水を供給するためのノズル(図示せず)、基板Wの表面を洗浄するためのブラシ(図示せず)等が設けられている。本実施例では、基板処理ユニット1は、基板に薬液洗浄処理、水洗処理および乾燥処理を行う。
【0029】
図4に示すように、処理室11の1つの角部には円弧状凹部14が形成され、本体部10上面の外周部側の一部領域である隅部の1/4円形領域18上に1/4円柱状空間19が形成されている。したがって、3つの基板処理ユニット1を1/4円形領域18が近接するように中心軸Sの周りに配置することにより、中央部に円弧状凹部14で囲まれる円柱状空間20が形成される(図2および図3参照)。
【0030】
また、1/4円柱状空間19の下方における本体部10の1つの角部に鉛直方向の面取り部15が形成されている。これにより、図3に示すように、3つの基板処理ユニット1の本体部10の中央部に、面取り部15で囲まれる排気用通路80が形成される。排気通路80は、工場内の排気ラインに接続される。
【0031】
図5に示すように、基板搬送ユニット3は円筒状の搬送室30を有する。この搬送室30は、水平方向に配置された搬送室支持アーム31により上部から吊り下げられている。搬送室30の上面には複数の給気口34が形成され、下面中央部には排気口35が形成されている。
【0032】
搬送室30内には、第1の円筒状支持部材50、第2の円筒状支持部材51および2つの基板収納室40a,40bが配設されている。第1の円筒状支持部材50は、搬送室支持アーム31の下面に鉛直軸の周りで矢印θの方向に回転可能に取り付けられている。搬送室30は第1の円筒状支持部材50に固定され、第1の円筒状支持部材50とともに矢印θの方向に回転可能となっている。また、第2の円筒状支持部材51は、第1の円筒状支持部材50の下部に矢印Zの方向(鉛直方向)に移動可能に取り付けられている。
【0033】
第2の円筒状支持部材51の下部に基板収納室40aが固定され、基板収納室40aの下部に基板収納室40bが固定されている。これにより、2段に配置された基板収納室40a,40bが搬送室30の内部で鉛直軸の周りで回転し、かつ上下方向に移動することができる。
【0034】
この搬送室30は、図2および図3に示すように、3つの処理室11の円弧状凹部14で囲まれる円柱状空間20内に挿入される。
【0035】
図3に示すように、搬送室支持アーム31は鉛直方向に延びるアーム支持部33を介して図1のアーム駆動部32に取り付けられている。アーム駆動部32は薬液供給系ユニット5上に設けられている。このアーム駆動部32は、アーム支持部33を上下方向に駆動させるとともに搬送室支持アーム31を鉛直軸Pの周りで回動させる。それにより、搬送室支持アーム31の下部に取り付けられた搬送室30を上方に移動させるとともに、上方に移動した搬送室30を鉛直軸Pの周りで回動させて基板処理装置の外方に移動させることができる。
【0036】
図2および図3に示すように、各処理室11の円弧状凹部14には、処理室11に対して基板の搬入および搬出を行うための開口部16が形成されている。また、搬送室30には、基板の搬入および搬出を行うための1つの開口部36が形成されている。
【0037】
図2に示すように、搬入室2a内には基板受け渡し台21aが設けられ、搬出室2bには同様に基板受け渡し台21bが設けられている。搬送室30に接する搬入室2aの側面には、搬入室2aから搬送室30内へ基板を搬入するための開口部22aが形成されている。搬送室30に接する搬出室2bの側面には、搬送室30から搬出室2bへ基板を搬出するための開口部22bが形成されている。なお、これらの搬入室2aおよび搬出室2bには、それぞれ基板を搬入および搬出するためのゲートバルブ(図示せず)が設けられている。
【0038】
各処理室11の開口部16、搬入室2aの開口部22a、搬出室2bの開口部22bおよび搬送室30の開口部36は同じ高さに配置されている。本実施例では、搬送室30を鉛直軸の周りで回動させることにより各処理室11の開口部16、搬入室2aの開口部22aおよび搬出室2bの開口部22bを開閉することができる。
【0039】
図6は基板搬送ユニット1の搬送室30の縦断面図、図7は基板搬送ユニット1の搬送室30の横断面図である。
【0040】
図6に示すように、基板収納室40a内に水平移動機構部60aが設けられ、基板収納室40b内に水平移動機構部60bが設けられている。水平移動機構部60a,60bは、水平移動機構を内蔵する収納ボックス61および基板Wを保持する基板保持部62を備える。
【0041】
図7に示すように、収納ボックス61の上面には、矢印Xの方向に延びる2本の案内溝65が設けられている。基板保持部62は、案内溝65に沿って水平方向(矢印X方向)に前進および後退可能に収納ボックス61上に取り付けられている。
【0042】
基板収納室40aの前面には、水平移動機構部60aの基板保持部62が通過可能な基板出入口41aが形成されている。同様に、基板収納室40bの前面には、水平移動機構部60bの基板保持部62が通過可能な基板出入口41bが形成されている。搬送室30の開口部36は、これらの基板収納室40a,40bの開口部41a,41bに対応する位置に配置されている。
【0043】
基板収納室40aの上面には雰囲気ガス供給口42aが設けられ、下面には排気口43aが設けられている。同様に、基板収納室40bの上面には雰囲気ガス供給口42bが設けられ、下面には排気口43bが設けられている。雰囲気ガスとしては、例えばN2 等の不活性ガスが用いられる。後述するように、排気口43a,43bは、それぞれ水平移動機構部60a,60bの収納ボックス61の内部に連通している。
【0044】
雰囲気ガス供給口42aから基板収納室40a内に雰囲気ガスが供給され、排気口43aから収納ボックス61の内部を通して基板収納室40a内の排気が行われる。また、雰囲気ガス供給口42bから基板収納室40b内に雰囲気ガスが供給され、排気口43bから収納ボックス61の内部を通して基板収納室40b内の排気が行われる。
【0045】
また、搬送室30内の上部には、空気清浄用のフィルタ37が設けられている。上部から供給される清浄な空気の下方流(ダウンフロー)500は、搬送室30の上面の給気口34およびフィルタ37を通過して搬送室30内に取り込まれ、搬送室30の下面の排気口35から下方に排出され、図3の排気通路80を通って工場内の排気ラインに導かれる。一方、処理室11および基板収納室40a,40b内には所定の雰囲気ガスが供給される。このとき、処理室11内の圧力および基板収納室40a,40b内の圧力は搬送室30内の圧力よりも高く保たれる。それにより、搬送室30内の基板収納室40a,40bの周囲に中間低圧部Aが形成される。
【0046】
したがって、処理室11内から開口部16,36を通して搬送室30内へ向かう気流の流れが形成されるとともに、基板収納室40a,40b内から基板出入口41a,41bを通して搬送室30内へ向かう気流の流れが形成されるので、処理室11内および基板収納室40a,40b内が清浄な雰囲気ガスの状態に保たれる。
【0047】
このように、中間低圧部Aを設けることにより、搬送室30内を密閉空間とすることなく基板の搬入および搬出時に処理室11内を清浄な雰囲気に保つことができ、かつ基板収納室40a,40bの基板出入口41a,41bに開閉自在なシャッタを設けることなく基板収納室40a,40b内を清浄な雰囲気に保つことが可能となる。その結果、基板搬送ユニット3の構成が簡単になる。
【0048】
図8は基板収納室40a内に設けられる水平移動機構部60aの平面図、図9は図8の水平移動機構部60aの縦断面図である。
【0049】
収納ボックス61の上面に形成された2本の案内溝65内には、支持部材66が矢印Xの方向に移動可能に設けられている。基板保持部62は、支持部材66の上端に水平に固定されている。基板保持部62上に基板支持部63,64が設けられている。基板保持部62上に載置された基板Wは、これらの基板支持部63,64間に支持される。
【0050】
収納ボックス61内には、軸受け70およびモータ71が所定の間隔を隔てて配置されている。軸受け70およびモータ71に取り付けられたプーリ68,69間にベルト72が架け渡されている。このベルト72に支持部材66の一部が取り付けられている。これにより、モータ71が回転すると、基板保持部62が矢印Xの方向に前進および後退する。
【0051】
収納ボックス61の下面には、図6に示した排気口43aに嵌合する排気孔73が設けられている。したがって、雰囲気ガス供給口42aから基板収納室40a内に供給される雰囲気ガスは、案内溝65から収納ボックス61の内部に導入され、排気孔73を通して排気口43aから排出される。これにより、収納ボックス61内の摺動部分から発生するパーティクル(塵埃)が収納ボックス61から基板収納室40a内に排出されずに雰囲気ガスとともに排気口43aから排気され、基板Wへのパーティクルの付着が防止される。
【0052】
なお、基板収納室40b内に設けられる水平移動機構部60bの構成も図8および図9に示される構成と同様である。
【0053】
図10は基板搬送ユニット3の主要部の縦断面図である。なお、図10には、搬送室30および搬送室40a,40b内の水平移動機構部60a,60bは図示されていない。
【0054】
搬送室支持アーム31は、固定フレーム301および固定カバー302により構成される。固定フレーム301に、フランジ303および軸受け304を介して回転部材501が鉛直軸の周りで回転可能に取り付けられている。回転部材501の下部には第1の円筒状支持部材50が固定されている。搬送室30は第1の円筒状支持部材50に固定される。
【0055】
固定フレーム301上に回動用モータ305が取り付けられている。また、回転部材501の外周部にギア308が設けられている。回動用モータ305の回転軸に取り付けられたプーリ306とギア308との間にベルト307が架け渡されている。回動用モータ305が回転すると、プーリ306、ベルト307およびギア308を介して回転部材501が第1の円筒状支持部材50とともに鉛直軸の周りで矢印θの方向に回転駆動される。
【0056】
回転部材501の上部には、上下移動用モータ309が取り付けられている。上下移動用モータ309の回転軸310には、カップリング311によりボールねじ312が連結されている。ボールねじ312は、軸受け313により回転自在に鉛直方向に沿って案内されている。軸受け313はナット314により固定されている。
【0057】
また、回転部材501の下面には、板状部材502が鉛直方向に固定されている。板状部材502には、鉛直方向に延びる2本のリニアガイド503が取り付けられている。一方、第2の円筒状支持部材51内には、移動部材511が固定されている。移動部材511は2本のリニアガイド503に嵌合する2本の案内溝512を有し、リニアガイド503に沿って鉛直方向に摺動自在に案内されている。移動部材511の上端にはナット513が固定されている。このナット513にはボールねじ312が螺合する。これにより、上下移動用モータ309の回転軸310が回転すると、ボールねじ312も回転し、移動部材511が第2の円筒状支持部材51とともに矢印Zの方向に移動する。
【0058】
このようにして、基板収納室40a,40bが、鉛直軸の周りで回動可能かつ鉛直方向に移動可能に第1および第2の円筒状支持部材50,51により搬送室支持アーム31の下部に支持されている。
【0059】
基板収納室40a内の雰囲気ガス供給口42aは、配管44a、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の雰囲気ガス供給チューブ52aおよび搬送室支持アーム31内の雰囲気ガス供給管38aを介して外部の雰囲気ガス供給源に接続される。また、基板収納室40a内の排気口43aは、配管45a、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の排気チューブ53aおよび搬送室支持アーム31内の排気管39aを介して外部の排気装置に接続される。
【0060】
同様に、基板収納室40b内の雰囲気ガス供給口42bは、配管44b、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の雰囲気ガス供給チューブ52bおよび搬送室支持アーム31内の雰囲気ガス供給管38bを介して外部の雰囲気ガス供給源に接続される。また、基板収納室40b内の排気口43bは、配管45b、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の排気チューブ53bおよび搬送室支持アーム31内の排気管39bを介して外部の排気装置に接続される。
【0061】
なお、回動用モータ305、上下移動用モータ309および水平移動機構部60a,60bのモータ71(図8参照)への給電も搬送室支持アーム31内を通して行われる。
【0062】
ここで、基板収納室40a,40b内への雰囲気ガスの供給動作について説明する。図11は、基板収納室内の雰囲気ガスの供給状態を示す説明図である。図11においては、基板収納室40a内に収納された基板保持部62が処理室11に対して進退移動する状態を示している。
【0063】
上述したように、基板処理室40a内には雰囲気ガス供給口42aから雰囲気ガスが供給され、排気口43aから外部の排気装置90を通して排気される。これにより、基板収納室40a内に雰囲気ガスの気流を生じさせ、パーティクル等の異物を基板に付着させることなく外部へ排出させている。そして、通常、基板処理室40a内の圧力Paが中間低圧部Aの圧力Pbよりも高くなるように雰囲気ガスの供給量が調整されている。
【0064】
ところで、基板保持部62が基板処理室40aから処理室11側へ前進する際には、基板保持部62の容積分だけ基板収納室42a内での雰囲気ガスの占有領域が短時間に増加する。このために、基板処理室40aの圧力Paが瞬時に低下して中間低圧部Aよりも低圧となり、中間低圧部A側から雰囲気ガス500や処理室11内の処理雰囲気ガスが基板処理室40a内に侵入する。そして、侵入した気流にパーティクル等が含まれていると基板が汚染されることになる。
【0065】
そこで、制御部70は、水平移動機構部60aの動作を監視し、基板保持部62が基板収納室40aから処理室11側へ前進する際には、雰囲気ガス供給源80からの雰囲気ガスの供給量を増加させるように、雰囲気ガス供給源80あるいは雰囲気ガス供給口42に接続される配管中の流量調整機構(図示せず)を制御する。これにより、基板保持部62が基板収納室40a内から外方へ前進した場合でも基板収納室40a内の圧力Paが低下することが防止される。
【0066】
また、基板保持部62が処理室11から基板収納室40a内に後退する際には、基板保持部62が基板収納室40a内の雰囲気ガスを押し退け、これにより基板収納室40a内の圧力が瞬時に増加する。基板収納室40a内の圧力が急激に増加すると、基板収納室40a内の雰囲気ガスが基板出入口41aから外部へ流出し、処理室11の開口部16を通り、処理室11内へ侵入する。そして、処理室内の雰囲気を乱し、また侵入した雰囲気ガス中に混入したパーティクルにより処理室11内の基板を汚染する。
【0067】
そこで、基板保持部62が基板収納室40a内に後退する際には、制御部70は雰囲気ガス供給口42aからの雰囲気ガスの流量を減少させるように、雰囲気ガス供給源80あるいは配管中に設けられた流量調整機構を制御する。これにより、基板収納室40a内の圧力Paがほぼ一定に保たれ、雰囲気ガスが処理室11側へ侵入することが防止される。
【0068】
このように、基板保持部62の基板搬送時に基板収納室40a内への雰囲気ガスの供給流量を制御することにより、基板収納室40a内および処理室11の内部が清浄に保たれる。
【0069】
なお、上述したように、基板保持部62の基板搬送時以外には、中間低圧部Aにより基板収納室40aからの雰囲気ガスの流出分は搬送室30の下方側へ運び去られ、また処理室11からの雰囲気ガスの流出分も同様に搬送室30の下方向へ運び去られる。
【0070】
また、基板収納室40bにおける基板保持部62の基板搬送動作時においても、上記と同様の雰囲気ガスの流量調整が行われる。
【0071】
本実施例では、中間低圧部Aが圧力の低い領域に相当し、制御部70が制御手段に相当する。また、雰囲気ガス供給口42a,42b、配管44a,44b、雰囲気ガス供給チューブ52a,52bおよび雰囲気ガス供給管38a,38bが給気経路を構成し、排気口43a,43b、配管45a,45b、排気チューブ53a,53bおよび排気管39a,39bが排気経路を構成する。
【0072】
次に、本実施例の基板処理装置の動作を説明する。未処理の基板は図2の搬入室2a内の基板受け渡し台21a上に搬入される。そして、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動するとともに第2の円筒状支持部材51が鉛直方向に移動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40aの基板出入口41aが搬入室2aの開口部22aの前方に位置する。この状態で、基板収納室40a内の水平移動機構部60aの基板保持部62が基板出入口41a、搬送室30の開口部36および搬入室2aの開口部22aを通して前進し、基板受け渡し台21a上の基板を受け取った後、基板収納室40a内に後退する。
【0073】
その後、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40aの基板出入口41aが所定の処理室11の開口部16の前方に位置する。そして、基板収納室40a内の水平移動機構部60aの基板保持部62が基板出入口41a、搬送室30の開口部36および処理室11の開口部16を通して前進し、処理室11内に進入する。このとき、処理室11内のカップ13が下降する。基板保持部62は、基板を回転保持部12上に載置した後、後退して基板収納室40a内に戻る。
【0074】
一方、処理室11内で基板の処理が終了すると、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動するとともに第2の円筒状支持部材51が上方向に移動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40bの基板出入口41bがその処理室11の開口部16の前方に位置する。そして、基板収納室40b内の水平移動機構部60bの基板保持部62が基板出入口41b、搬送室30の開口部36および処理室11の開口部16を通して前進し、処理室11内に進入する。このとき、処理室11内のカップ13が下降する。基板保持部62は、回転保持部12上の基板を受け取った後、後退して基板収納室40b内に戻る。
【0075】
その後、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40bの基板出入口41bが搬出室2bの開口部22bの前方に位置する。そして、基板収納室40b内の水平移動機構部60bの基板保持部62が、基板出入口41b、搬送室30の開口部36および搬出室2bの開口部22bを通して前進し、基板受け渡し台21b上に基板を載置した後、基板収納室40b内に後退する。
【0076】
搬出室2b内の基板受け渡し台21b上に載置された基板は、外部に搬出される。複数の基板に対して上記の処理が順次的または並列的に行われる。
【0077】
本実施例の基板処理装置においては、基板搬送ユニット3の搬送室30が複数の基板処理ユニット1の本体部10上に形成された円柱状空間20に設けられているので、基板搬送ユニット3の投影面積が基板処理ユニット1の投影面積と重複し、基板搬送ユニット3の設置面積が不要となる。それにより、基板処理装置の全体の設置面積が低減される。
【0078】
また、基板搬送ユニット3への電力、雰囲気ガス、排気等の用力の供給が搬送室支持アーム31を通して搬送室30の上方から行われるので、基板処理ユニット1との間で用力供給経路の干渉を回避することができる。その結果、床面における構造が煩雑になることを防止することができる。
【0079】
さらに、処理室11と搬送室3内の基板収納室40a,40bとの間に中間低圧部A(図6および図7参照)が形成されるので、基板収納室40a,40bの基板出入口41a,41bにシャッタを設ける必要がなくなる。また、搬送室3が回動することにより各処理室11の開口部16を開閉することができるので、各処理室11と搬送室30との間にゲートバルブを設ける必要がなくなる。それにより、処理室11および搬送室30の構成が簡単になる。
【0080】
また、未処理の基板が搬入室2aから搬送室30内の一方の基板収納室40aにより所定の処理室11に搬送され、処理済みの基板が処理室11から搬送室30内の他方の基板収納室40bにより搬出室2bに搬送される。このように、処理前の基板と処理済みの基板とが常に別個の経路で搬送されるので、処理前の基板と処理済みの基板とがそれぞれ常に同一の搬送雰囲気に保たれ、互いに影響を及ぼさない。
【0081】
上記実施例では、搬送室30を回動させることにより各処理室11の開口部16を開閉自在に構成しているが、搬送室30が回動しない構成の場合には、複数の処理室11の開口部16に対応して搬送室30に複数の開口部36を設け、各開口部36に開閉自在なシャッタを設ければよい。また、基板収納室40a,40bの基板出入口41a,41bに開閉自在なシャッタを設けてもよい。
【0082】
なお、基板処理ユニット1としては、上記実施例に限らず、処理液の塗布処理、現像処理、加熱処理、冷却処理等の種々の基板処理を行う基板処理ユニットを用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における基板処理装置の平面図である。
【図2】図1の基板処理装置の横断面図である。
【図3】図1の基板処理装置の部分縦断面図である。
【図4】図1の基板処理装置における1つの基板処理ユニットの斜視図である。
【図5】図1の基板処理装置における基板搬送ユニットの搬送室の斜視図である。
【図6】基板搬送ユニットの搬送室の縦断面図である。
【図7】基板搬送ユニットの搬送室の横断面図である。
【図8】水平移動機構部の平面図である。
【図9】水平移動機構部の縦断面図である。
【図10】基板搬送ユニットの主要部の縦断面図である。
【図11】基板収納室の雰囲気ガスの供給動作の説明図である。
【図12】従来の基板処理装置の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 基板処理ユニット
2a 搬入室
2b 搬出室
3 基板搬送ユニット
10 本体部
11 処理室
16,22a,22b,36 開口部
19 1/4円柱状空間
20 円柱状空間
30 搬送室
31 搬送室支持アーム
32 アーム駆動部
33 アーム支持部
34 給気口
35 排気口
40a,40b 基板収納室
41a,41b 基板出入口
42a,42b 雰囲気ガス供給口
43a,43b 排気口
50 第1の円筒状支持部材
51 第2の円筒状支持部材
60a,60b 水平移動機構部
61 収納ボックス
62 基板保持部
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理ユニットおよび基板搬送ユニットを備えた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために複数の処理室を備えた基板処理装置が用いられている。基板処理装置の各処理室で処理される基板は周囲の雰囲気に大きな影響を受けるので、処理室内は清浄な状態に保たれる。
【0003】
処理室内で処理された基板を直ちに大気中に搬出すると、処理された基板が大気の影響を受けることになる。また、処理室内に基板を搬入する際には、処理室内に基板とともに大気が侵入し、処理室の内部が汚染される。そこで、処理室の基板の出入口に密閉空間である搬送室を接続し、搬送室内に窒素等の不活性ガスを充填し、あるいは真空に保持しておくことにより、処理室への基板の搬入および搬出時ならびに搬送工程における基板の汚染を防止している。
【0004】
図12は複数の処理室および搬送室を備えた従来の基板処理装置の一例を示す平面図である。
【0005】
図12の基板処理装置では、基板搬送ユニット110の周囲に3つの基板処理ユニット101および2つの受け渡し室(ロードロック)120が放射状に接続されている。各基板処理ユニット101は、本体部102およびその本体部102上に設けられた処理室103により構成される。処理室103内で基板に対する所定の処理が行われる。本体部102には、駆動機構、処理液供給用配管および排気用配管が内蔵される。
【0006】
基板搬送ユニット110は搬送室111を有する。搬送室111内には、2つの基板保持部113を有する搬送機構112が設けられている。搬送機構112は、受け渡し室120と処理室103との間および処理室103間で基板を搬送する。
【0007】
搬送室111と各処理室103との間には、ガスの流通を遮断可能なゲートバルブ140が設けられ、搬送室111と受け渡し室120との間にも、同様にガスの流通を遮断可能なゲートバルブ150が設けられている。また、受け渡し室120には、外部との間で基板を搬入および搬出するためのゲートバルブ160が設けられている。
【0008】
各処理室103、搬送室111および受け渡し室120内は、予め減圧下に保たれ、あるいはN2 等の不活性ガスにより大気圧または準大気圧下でパージされ、清浄な雰囲気に保たれている。
【0009】
処理前の基板は一方の受け渡し室120内に搬入される。基板の搬送時には、搬送室111と受け渡し室120との間のゲートバルブ150が開かれる。搬送室111内の搬送機構112は、基板保持部113を伸張して受け渡し室120内の基板を受け取った後、1つの処理室103に搬送する。処理室103内で処理された基板は、搬送機構112により他の処理室103または他方の受け渡し室120に搬送される。あるいは、同様の処理が並行して行われる。処理が終了した基板は、受け渡し室120から外部に搬出される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来の基板処理装置においては、搬送室111および各処理室103の内部を不活性ガスで大気圧または準大気圧下でパージし、清浄な雰囲気を保つようにされている。一方、搬送室111内では、基板の搬入時における外部からの異物の侵入や、処理済み基板からのパーティクルの発生を完全に防止することが困難であり、このために搬送室111内に下降流(ダウンフロー)を生じさせてパーティクルを下方側へ排出することが行われている。そして、この下降流によって、搬送室111内の圧力は各処理室103内の圧力よりも低くなっている。
【0011】
しかしながら、搬送室111の内部圧力は変動する場合がある。そのため、例えば、処理室103との間のゲートバルブ140が開放された際に、搬送室111側の圧力が処理室103内の圧力よりも高い場合には、搬送室111側からパーティクルを含む気流が処理室103内に流れ込み、処理室103内の処理雰囲気を乱し、基板を汚染するおそれがある。
【0012】
一方、処理室103内の圧力に対して搬送室111内の圧力が低過ぎる場合には、処理室103側から処理雰囲気が搬送室111側に流れ込み、処理前の基板あるいは処理済みの基板に悪影響を及ぼすおそれがある。
【0013】
本発明の目的は、処理室内と基板の搬送室内との間で雰囲気ガスの侵入が生じることのない基板処理装置を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第1の発明に係る基板処理装置は、基板を搬入および搬出するための開口部を有しかつ基板に所定の処理を行う処理室を備えた基板処理ユニットと、基板処理ユニットの処理室に対して基板を搬入および搬出する基板搬送ユニットとを備え、基板搬送ユニットは、基板を保持して基板処理ユニットの処理室内に開口部を通して移動可能に設けられた基板保持部と、基板保持部が通過可能な基板出入口を有しかつ基板保持部を収納する基板収納室と、基板収納室を取り囲み、基板保持部が通過可能な開口部を有する搬送室とを備え、少なくとも基板収納室の基板出入口と処理室の開口部との間において搬送室の内部でかつ基板収納室の外部に、基板収納室内および処理室内よりも圧力の低い領域が形成されたものである。
【0015】
本発明に係る基板処理装置においては、基板収納室の基板出入口と処理室の開口部との間において搬送室の内部でかつ基板収納室の外部に基板収納室内および処理室内よりも圧力の低い領域を形成することにより、基板出入口から漏洩する基板収納室内の雰囲気ガスは圧力の低い領域に吸引され、処理室の内部に侵入することが防止される。一方、開口部から漏洩する処理室内の雰囲気ガスは圧力の低い領域に吸引され、基板収納室内に侵入することが防止される。また、搬送室の内部に圧力の低い領域を設けることにより、基板の搬入搬出時に搬送室の開口部を通して連通される処理室と基板収納室との間で互いの雰囲気ガスの侵入が妨げられる。このため、基板収納室に収納された基板が処理室の開口部から漏出した雰囲気ガスにさらされて汚染されることが防止され、また基板収納室内に浮遊するパーティクルを含む雰囲気ガスが処理室内に侵入し、処理雰囲気の均一性を乱したり、侵入したパーティクルにより基板が汚染されることが防止される。
【0018】
第2の発明に係る基板処理装置は、第1の発明に係る基板処理装置の構成において、搬送室が、搬送室内に雰囲気ガスを取り込む給気口と、搬送室内の雰囲気ガスを排出する排気口とを備えたものである。これにより、給気口から排気口に向かう雰囲気ガスの気流を生じさせることにより圧力の低い領域を形成し、それによって処理室と基板収納室との間の雰囲気ガスの侵入を妨げることができる。
【0019】
第3の発明に係る基板処理装置は、第1または2の発明に係る基板処理装置の構成において、基板搬送ユニットが、基板処理室内に雰囲気ガスを供給する供給経路と、基板収納室内の雰囲気ガスを排気する排気経路とをさらに備えたものである。
【0020】
これにより、基板収納室内に雰囲気ガスの気流を生じさせて基板処理室内に発生するパーティクル等を排出するとともに基板処理室内を所定の圧力に保持することができる。
【0021】
第4の発明に係る基板処理装置は、第3の発明に係る基板処理装置の構成において、基板保持部が基板収納室内から処理室側に移動する際には基板収納室内に供給される雰囲気ガスの流量が増加し、基板保持部が処理室側から基板収納室内に移動する際には基板収納室内に供給される雰囲気ガスの流量が減少するように雰囲気ガスの流量を制御する制御手段をさらに備えたものである。
【0022】
この場合、基板保持部が基板収納室から処理室側に移動する際に基板収納室内に供給する雰囲気ガスの流量を増加させて基板収納室内の圧力の低下を防止する。これにより、基板収納室の外部から基板収納室の内部に汚染物を含む気流が侵入することが防止される。一方、基板保持部が処理室側から基板収納室内に復帰する際には基板収納室内に供給する雰囲気ガスの流量を減少することにより、基板処理室内から雰囲気ガスが外方に押し出されて処理室内に侵入することが防止される。これにより、処理室内に侵入した基板収納室からの雰囲気ガスによって処理室内の雰囲気が乱され、かつ基板収納室内で発生したパーティクルにより処理室内の基板が汚染されることが防止される。
【0023】
第5の発明に係る基板処理装置は、第1〜第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、基板処理ユニットは基板搬送ユニットの周囲に複数配置され、基板搬送ユニットの搬送室は鉛直方向の軸を中心とする円筒状の外周面を有し、基板処理ユニットの各処理室は搬送室の円筒状の外周面に接する部分円筒状の側面を有し、開口部が部分円筒状の側面に設けられ、搬送室が鉛直方向の軸の周りで回動可能に設けられたものである。
【0024】
この場合、基板搬送ユニットの搬送室を鉛直方向の軸の周りで回動させることにより各基板処理ユニットの処理室の開口部を開閉することができる。それにより、基板処理ユニットの処理室の開口部および基板搬送ユニットの搬送室の開口部を簡単な構造で開閉することが可能となる。
【0025】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施例における基板処理装置の平面図、図2は図1の基板処理装置の横断面図、図3は図1の基板処理装置の部分縦断面図である。また、図4は図1の基板処理装置における1つの基板処理ユニットの斜視図、図5は図1の基板処理装置における基板搬送ユニットの主要部の斜視図である。
【0026】
図1の基板処理装置は、3つの基板処理ユニット1、搬入室2a、搬出室2b、基板搬送ユニット3、2つの制御系ユニット4、および2つの薬液供給系ユニット5を備える。3つの基板処理ユニット1、搬入室2aおよび搬出室2bは鉛直方向の中心軸Sの周りに放射状に配置され、これらの基板処理ユニット1の外側に制御系ユニット4および薬液供給系ユニット5が配置されている。
【0027】
図3に示すように、基板処理ユニット1は、本体部10およびその本体部10上に設けられた処理室11からなる。本体部10は、モータ等の駆動機構、処理液供給用配管および排気用配管を内蔵する。処理室11内には、薬液、洗浄液等の処理液の飛散を防止するためのカップ13が上下動自在に設けられている。
【0028】
処理室11のカップ13の内部には、基板Wを水平姿勢で保持して回転させる回転保持部12が配設されている。この回転保持部12は、本体部10内のモータにより回転駆動される。また、処理室1内には、カップ13内の基板Wに薬液を供給するためのノズル(図示せず)、基板Wに純水を供給するためのノズル(図示せず)、基板Wの表面を洗浄するためのブラシ(図示せず)等が設けられている。本実施例では、基板処理ユニット1は、基板に薬液洗浄処理、水洗処理および乾燥処理を行う。
【0029】
図4に示すように、処理室11の1つの角部には円弧状凹部14が形成され、本体部10上面の外周部側の一部領域である隅部の1/4円形領域18上に1/4円柱状空間19が形成されている。したがって、3つの基板処理ユニット1を1/4円形領域18が近接するように中心軸Sの周りに配置することにより、中央部に円弧状凹部14で囲まれる円柱状空間20が形成される(図2および図3参照)。
【0030】
また、1/4円柱状空間19の下方における本体部10の1つの角部に鉛直方向の面取り部15が形成されている。これにより、図3に示すように、3つの基板処理ユニット1の本体部10の中央部に、面取り部15で囲まれる排気用通路80が形成される。排気通路80は、工場内の排気ラインに接続される。
【0031】
図5に示すように、基板搬送ユニット3は円筒状の搬送室30を有する。この搬送室30は、水平方向に配置された搬送室支持アーム31により上部から吊り下げられている。搬送室30の上面には複数の給気口34が形成され、下面中央部には排気口35が形成されている。
【0032】
搬送室30内には、第1の円筒状支持部材50、第2の円筒状支持部材51および2つの基板収納室40a,40bが配設されている。第1の円筒状支持部材50は、搬送室支持アーム31の下面に鉛直軸の周りで矢印θの方向に回転可能に取り付けられている。搬送室30は第1の円筒状支持部材50に固定され、第1の円筒状支持部材50とともに矢印θの方向に回転可能となっている。また、第2の円筒状支持部材51は、第1の円筒状支持部材50の下部に矢印Zの方向(鉛直方向)に移動可能に取り付けられている。
【0033】
第2の円筒状支持部材51の下部に基板収納室40aが固定され、基板収納室40aの下部に基板収納室40bが固定されている。これにより、2段に配置された基板収納室40a,40bが搬送室30の内部で鉛直軸の周りで回転し、かつ上下方向に移動することができる。
【0034】
この搬送室30は、図2および図3に示すように、3つの処理室11の円弧状凹部14で囲まれる円柱状空間20内に挿入される。
【0035】
図3に示すように、搬送室支持アーム31は鉛直方向に延びるアーム支持部33を介して図1のアーム駆動部32に取り付けられている。アーム駆動部32は薬液供給系ユニット5上に設けられている。このアーム駆動部32は、アーム支持部33を上下方向に駆動させるとともに搬送室支持アーム31を鉛直軸Pの周りで回動させる。それにより、搬送室支持アーム31の下部に取り付けられた搬送室30を上方に移動させるとともに、上方に移動した搬送室30を鉛直軸Pの周りで回動させて基板処理装置の外方に移動させることができる。
【0036】
図2および図3に示すように、各処理室11の円弧状凹部14には、処理室11に対して基板の搬入および搬出を行うための開口部16が形成されている。また、搬送室30には、基板の搬入および搬出を行うための1つの開口部36が形成されている。
【0037】
図2に示すように、搬入室2a内には基板受け渡し台21aが設けられ、搬出室2bには同様に基板受け渡し台21bが設けられている。搬送室30に接する搬入室2aの側面には、搬入室2aから搬送室30内へ基板を搬入するための開口部22aが形成されている。搬送室30に接する搬出室2bの側面には、搬送室30から搬出室2bへ基板を搬出するための開口部22bが形成されている。なお、これらの搬入室2aおよび搬出室2bには、それぞれ基板を搬入および搬出するためのゲートバルブ(図示せず)が設けられている。
【0038】
各処理室11の開口部16、搬入室2aの開口部22a、搬出室2bの開口部22bおよび搬送室30の開口部36は同じ高さに配置されている。本実施例では、搬送室30を鉛直軸の周りで回動させることにより各処理室11の開口部16、搬入室2aの開口部22aおよび搬出室2bの開口部22bを開閉することができる。
【0039】
図6は基板搬送ユニット1の搬送室30の縦断面図、図7は基板搬送ユニット1の搬送室30の横断面図である。
【0040】
図6に示すように、基板収納室40a内に水平移動機構部60aが設けられ、基板収納室40b内に水平移動機構部60bが設けられている。水平移動機構部60a,60bは、水平移動機構を内蔵する収納ボックス61および基板Wを保持する基板保持部62を備える。
【0041】
図7に示すように、収納ボックス61の上面には、矢印Xの方向に延びる2本の案内溝65が設けられている。基板保持部62は、案内溝65に沿って水平方向(矢印X方向)に前進および後退可能に収納ボックス61上に取り付けられている。
【0042】
基板収納室40aの前面には、水平移動機構部60aの基板保持部62が通過可能な基板出入口41aが形成されている。同様に、基板収納室40bの前面には、水平移動機構部60bの基板保持部62が通過可能な基板出入口41bが形成されている。搬送室30の開口部36は、これらの基板収納室40a,40bの開口部41a,41bに対応する位置に配置されている。
【0043】
基板収納室40aの上面には雰囲気ガス供給口42aが設けられ、下面には排気口43aが設けられている。同様に、基板収納室40bの上面には雰囲気ガス供給口42bが設けられ、下面には排気口43bが設けられている。雰囲気ガスとしては、例えばN2 等の不活性ガスが用いられる。後述するように、排気口43a,43bは、それぞれ水平移動機構部60a,60bの収納ボックス61の内部に連通している。
【0044】
雰囲気ガス供給口42aから基板収納室40a内に雰囲気ガスが供給され、排気口43aから収納ボックス61の内部を通して基板収納室40a内の排気が行われる。また、雰囲気ガス供給口42bから基板収納室40b内に雰囲気ガスが供給され、排気口43bから収納ボックス61の内部を通して基板収納室40b内の排気が行われる。
【0045】
また、搬送室30内の上部には、空気清浄用のフィルタ37が設けられている。上部から供給される清浄な空気の下方流(ダウンフロー)500は、搬送室30の上面の給気口34およびフィルタ37を通過して搬送室30内に取り込まれ、搬送室30の下面の排気口35から下方に排出され、図3の排気通路80を通って工場内の排気ラインに導かれる。一方、処理室11および基板収納室40a,40b内には所定の雰囲気ガスが供給される。このとき、処理室11内の圧力および基板収納室40a,40b内の圧力は搬送室30内の圧力よりも高く保たれる。それにより、搬送室30内の基板収納室40a,40bの周囲に中間低圧部Aが形成される。
【0046】
したがって、処理室11内から開口部16,36を通して搬送室30内へ向かう気流の流れが形成されるとともに、基板収納室40a,40b内から基板出入口41a,41bを通して搬送室30内へ向かう気流の流れが形成されるので、処理室11内および基板収納室40a,40b内が清浄な雰囲気ガスの状態に保たれる。
【0047】
このように、中間低圧部Aを設けることにより、搬送室30内を密閉空間とすることなく基板の搬入および搬出時に処理室11内を清浄な雰囲気に保つことができ、かつ基板収納室40a,40bの基板出入口41a,41bに開閉自在なシャッタを設けることなく基板収納室40a,40b内を清浄な雰囲気に保つことが可能となる。その結果、基板搬送ユニット3の構成が簡単になる。
【0048】
図8は基板収納室40a内に設けられる水平移動機構部60aの平面図、図9は図8の水平移動機構部60aの縦断面図である。
【0049】
収納ボックス61の上面に形成された2本の案内溝65内には、支持部材66が矢印Xの方向に移動可能に設けられている。基板保持部62は、支持部材66の上端に水平に固定されている。基板保持部62上に基板支持部63,64が設けられている。基板保持部62上に載置された基板Wは、これらの基板支持部63,64間に支持される。
【0050】
収納ボックス61内には、軸受け70およびモータ71が所定の間隔を隔てて配置されている。軸受け70およびモータ71に取り付けられたプーリ68,69間にベルト72が架け渡されている。このベルト72に支持部材66の一部が取り付けられている。これにより、モータ71が回転すると、基板保持部62が矢印Xの方向に前進および後退する。
【0051】
収納ボックス61の下面には、図6に示した排気口43aに嵌合する排気孔73が設けられている。したがって、雰囲気ガス供給口42aから基板収納室40a内に供給される雰囲気ガスは、案内溝65から収納ボックス61の内部に導入され、排気孔73を通して排気口43aから排出される。これにより、収納ボックス61内の摺動部分から発生するパーティクル(塵埃)が収納ボックス61から基板収納室40a内に排出されずに雰囲気ガスとともに排気口43aから排気され、基板Wへのパーティクルの付着が防止される。
【0052】
なお、基板収納室40b内に設けられる水平移動機構部60bの構成も図8および図9に示される構成と同様である。
【0053】
図10は基板搬送ユニット3の主要部の縦断面図である。なお、図10には、搬送室30および搬送室40a,40b内の水平移動機構部60a,60bは図示されていない。
【0054】
搬送室支持アーム31は、固定フレーム301および固定カバー302により構成される。固定フレーム301に、フランジ303および軸受け304を介して回転部材501が鉛直軸の周りで回転可能に取り付けられている。回転部材501の下部には第1の円筒状支持部材50が固定されている。搬送室30は第1の円筒状支持部材50に固定される。
【0055】
固定フレーム301上に回動用モータ305が取り付けられている。また、回転部材501の外周部にギア308が設けられている。回動用モータ305の回転軸に取り付けられたプーリ306とギア308との間にベルト307が架け渡されている。回動用モータ305が回転すると、プーリ306、ベルト307およびギア308を介して回転部材501が第1の円筒状支持部材50とともに鉛直軸の周りで矢印θの方向に回転駆動される。
【0056】
回転部材501の上部には、上下移動用モータ309が取り付けられている。上下移動用モータ309の回転軸310には、カップリング311によりボールねじ312が連結されている。ボールねじ312は、軸受け313により回転自在に鉛直方向に沿って案内されている。軸受け313はナット314により固定されている。
【0057】
また、回転部材501の下面には、板状部材502が鉛直方向に固定されている。板状部材502には、鉛直方向に延びる2本のリニアガイド503が取り付けられている。一方、第2の円筒状支持部材51内には、移動部材511が固定されている。移動部材511は2本のリニアガイド503に嵌合する2本の案内溝512を有し、リニアガイド503に沿って鉛直方向に摺動自在に案内されている。移動部材511の上端にはナット513が固定されている。このナット513にはボールねじ312が螺合する。これにより、上下移動用モータ309の回転軸310が回転すると、ボールねじ312も回転し、移動部材511が第2の円筒状支持部材51とともに矢印Zの方向に移動する。
【0058】
このようにして、基板収納室40a,40bが、鉛直軸の周りで回動可能かつ鉛直方向に移動可能に第1および第2の円筒状支持部材50,51により搬送室支持アーム31の下部に支持されている。
【0059】
基板収納室40a内の雰囲気ガス供給口42aは、配管44a、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の雰囲気ガス供給チューブ52aおよび搬送室支持アーム31内の雰囲気ガス供給管38aを介して外部の雰囲気ガス供給源に接続される。また、基板収納室40a内の排気口43aは、配管45a、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の排気チューブ53aおよび搬送室支持アーム31内の排気管39aを介して外部の排気装置に接続される。
【0060】
同様に、基板収納室40b内の雰囲気ガス供給口42bは、配管44b、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の雰囲気ガス供給チューブ52bおよび搬送室支持アーム31内の雰囲気ガス供給管38bを介して外部の雰囲気ガス供給源に接続される。また、基板収納室40b内の排気口43bは、配管45b、第1および第2の円筒状支持部材50,51内の排気チューブ53bおよび搬送室支持アーム31内の排気管39bを介して外部の排気装置に接続される。
【0061】
なお、回動用モータ305、上下移動用モータ309および水平移動機構部60a,60bのモータ71(図8参照)への給電も搬送室支持アーム31内を通して行われる。
【0062】
ここで、基板収納室40a,40b内への雰囲気ガスの供給動作について説明する。図11は、基板収納室内の雰囲気ガスの供給状態を示す説明図である。図11においては、基板収納室40a内に収納された基板保持部62が処理室11に対して進退移動する状態を示している。
【0063】
上述したように、基板処理室40a内には雰囲気ガス供給口42aから雰囲気ガスが供給され、排気口43aから外部の排気装置90を通して排気される。これにより、基板収納室40a内に雰囲気ガスの気流を生じさせ、パーティクル等の異物を基板に付着させることなく外部へ排出させている。そして、通常、基板処理室40a内の圧力Paが中間低圧部Aの圧力Pbよりも高くなるように雰囲気ガスの供給量が調整されている。
【0064】
ところで、基板保持部62が基板処理室40aから処理室11側へ前進する際には、基板保持部62の容積分だけ基板収納室42a内での雰囲気ガスの占有領域が短時間に増加する。このために、基板処理室40aの圧力Paが瞬時に低下して中間低圧部Aよりも低圧となり、中間低圧部A側から雰囲気ガス500や処理室11内の処理雰囲気ガスが基板処理室40a内に侵入する。そして、侵入した気流にパーティクル等が含まれていると基板が汚染されることになる。
【0065】
そこで、制御部70は、水平移動機構部60aの動作を監視し、基板保持部62が基板収納室40aから処理室11側へ前進する際には、雰囲気ガス供給源80からの雰囲気ガスの供給量を増加させるように、雰囲気ガス供給源80あるいは雰囲気ガス供給口42に接続される配管中の流量調整機構(図示せず)を制御する。これにより、基板保持部62が基板収納室40a内から外方へ前進した場合でも基板収納室40a内の圧力Paが低下することが防止される。
【0066】
また、基板保持部62が処理室11から基板収納室40a内に後退する際には、基板保持部62が基板収納室40a内の雰囲気ガスを押し退け、これにより基板収納室40a内の圧力が瞬時に増加する。基板収納室40a内の圧力が急激に増加すると、基板収納室40a内の雰囲気ガスが基板出入口41aから外部へ流出し、処理室11の開口部16を通り、処理室11内へ侵入する。そして、処理室内の雰囲気を乱し、また侵入した雰囲気ガス中に混入したパーティクルにより処理室11内の基板を汚染する。
【0067】
そこで、基板保持部62が基板収納室40a内に後退する際には、制御部70は雰囲気ガス供給口42aからの雰囲気ガスの流量を減少させるように、雰囲気ガス供給源80あるいは配管中に設けられた流量調整機構を制御する。これにより、基板収納室40a内の圧力Paがほぼ一定に保たれ、雰囲気ガスが処理室11側へ侵入することが防止される。
【0068】
このように、基板保持部62の基板搬送時に基板収納室40a内への雰囲気ガスの供給流量を制御することにより、基板収納室40a内および処理室11の内部が清浄に保たれる。
【0069】
なお、上述したように、基板保持部62の基板搬送時以外には、中間低圧部Aにより基板収納室40aからの雰囲気ガスの流出分は搬送室30の下方側へ運び去られ、また処理室11からの雰囲気ガスの流出分も同様に搬送室30の下方向へ運び去られる。
【0070】
また、基板収納室40bにおける基板保持部62の基板搬送動作時においても、上記と同様の雰囲気ガスの流量調整が行われる。
【0071】
本実施例では、中間低圧部Aが圧力の低い領域に相当し、制御部70が制御手段に相当する。また、雰囲気ガス供給口42a,42b、配管44a,44b、雰囲気ガス供給チューブ52a,52bおよび雰囲気ガス供給管38a,38bが給気経路を構成し、排気口43a,43b、配管45a,45b、排気チューブ53a,53bおよび排気管39a,39bが排気経路を構成する。
【0072】
次に、本実施例の基板処理装置の動作を説明する。未処理の基板は図2の搬入室2a内の基板受け渡し台21a上に搬入される。そして、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動するとともに第2の円筒状支持部材51が鉛直方向に移動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40aの基板出入口41aが搬入室2aの開口部22aの前方に位置する。この状態で、基板収納室40a内の水平移動機構部60aの基板保持部62が基板出入口41a、搬送室30の開口部36および搬入室2aの開口部22aを通して前進し、基板受け渡し台21a上の基板を受け取った後、基板収納室40a内に後退する。
【0073】
その後、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40aの基板出入口41aが所定の処理室11の開口部16の前方に位置する。そして、基板収納室40a内の水平移動機構部60aの基板保持部62が基板出入口41a、搬送室30の開口部36および処理室11の開口部16を通して前進し、処理室11内に進入する。このとき、処理室11内のカップ13が下降する。基板保持部62は、基板を回転保持部12上に載置した後、後退して基板収納室40a内に戻る。
【0074】
一方、処理室11内で基板の処理が終了すると、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動するとともに第2の円筒状支持部材51が上方向に移動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40bの基板出入口41bがその処理室11の開口部16の前方に位置する。そして、基板収納室40b内の水平移動機構部60bの基板保持部62が基板出入口41b、搬送室30の開口部36および処理室11の開口部16を通して前進し、処理室11内に進入する。このとき、処理室11内のカップ13が下降する。基板保持部62は、回転保持部12上の基板を受け取った後、後退して基板収納室40b内に戻る。
【0075】
その後、搬送室30内の第1の円筒状支持部材50が搬送室30とともに鉛直軸の周りで回動することにより、搬送室30の開口部36および基板収納室40bの基板出入口41bが搬出室2bの開口部22bの前方に位置する。そして、基板収納室40b内の水平移動機構部60bの基板保持部62が、基板出入口41b、搬送室30の開口部36および搬出室2bの開口部22bを通して前進し、基板受け渡し台21b上に基板を載置した後、基板収納室40b内に後退する。
【0076】
搬出室2b内の基板受け渡し台21b上に載置された基板は、外部に搬出される。複数の基板に対して上記の処理が順次的または並列的に行われる。
【0077】
本実施例の基板処理装置においては、基板搬送ユニット3の搬送室30が複数の基板処理ユニット1の本体部10上に形成された円柱状空間20に設けられているので、基板搬送ユニット3の投影面積が基板処理ユニット1の投影面積と重複し、基板搬送ユニット3の設置面積が不要となる。それにより、基板処理装置の全体の設置面積が低減される。
【0078】
また、基板搬送ユニット3への電力、雰囲気ガス、排気等の用力の供給が搬送室支持アーム31を通して搬送室30の上方から行われるので、基板処理ユニット1との間で用力供給経路の干渉を回避することができる。その結果、床面における構造が煩雑になることを防止することができる。
【0079】
さらに、処理室11と搬送室3内の基板収納室40a,40bとの間に中間低圧部A(図6および図7参照)が形成されるので、基板収納室40a,40bの基板出入口41a,41bにシャッタを設ける必要がなくなる。また、搬送室3が回動することにより各処理室11の開口部16を開閉することができるので、各処理室11と搬送室30との間にゲートバルブを設ける必要がなくなる。それにより、処理室11および搬送室30の構成が簡単になる。
【0080】
また、未処理の基板が搬入室2aから搬送室30内の一方の基板収納室40aにより所定の処理室11に搬送され、処理済みの基板が処理室11から搬送室30内の他方の基板収納室40bにより搬出室2bに搬送される。このように、処理前の基板と処理済みの基板とが常に別個の経路で搬送されるので、処理前の基板と処理済みの基板とがそれぞれ常に同一の搬送雰囲気に保たれ、互いに影響を及ぼさない。
【0081】
上記実施例では、搬送室30を回動させることにより各処理室11の開口部16を開閉自在に構成しているが、搬送室30が回動しない構成の場合には、複数の処理室11の開口部16に対応して搬送室30に複数の開口部36を設け、各開口部36に開閉自在なシャッタを設ければよい。また、基板収納室40a,40bの基板出入口41a,41bに開閉自在なシャッタを設けてもよい。
【0082】
なお、基板処理ユニット1としては、上記実施例に限らず、処理液の塗布処理、現像処理、加熱処理、冷却処理等の種々の基板処理を行う基板処理ユニットを用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における基板処理装置の平面図である。
【図2】図1の基板処理装置の横断面図である。
【図3】図1の基板処理装置の部分縦断面図である。
【図4】図1の基板処理装置における1つの基板処理ユニットの斜視図である。
【図5】図1の基板処理装置における基板搬送ユニットの搬送室の斜視図である。
【図6】基板搬送ユニットの搬送室の縦断面図である。
【図7】基板搬送ユニットの搬送室の横断面図である。
【図8】水平移動機構部の平面図である。
【図9】水平移動機構部の縦断面図である。
【図10】基板搬送ユニットの主要部の縦断面図である。
【図11】基板収納室の雰囲気ガスの供給動作の説明図である。
【図12】従来の基板処理装置の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 基板処理ユニット
2a 搬入室
2b 搬出室
3 基板搬送ユニット
10 本体部
11 処理室
16,22a,22b,36 開口部
19 1/4円柱状空間
20 円柱状空間
30 搬送室
31 搬送室支持アーム
32 アーム駆動部
33 アーム支持部
34 給気口
35 排気口
40a,40b 基板収納室
41a,41b 基板出入口
42a,42b 雰囲気ガス供給口
43a,43b 排気口
50 第1の円筒状支持部材
51 第2の円筒状支持部材
60a,60b 水平移動機構部
61 収納ボックス
62 基板保持部
Claims (5)
- 基板を搬入および搬出するための開口部を有しかつ基板に所定の処理を行う処理室を備えた基板処理ユニットと、
前記基板処理ユニットの前記処理室に対して基板を搬入および搬出する基板搬送ユニットとを備え、
前記基板搬送ユニットは、
基板を保持して前記基板処理ユニットの前記処理室内に前記開口部を通して移動可能に設けられた基板保持部と、
前記基板保持部が通過可能な基板出入口を有しかつ前記基板保持部を収納する基板収納室と、
前記基板収納室を取り囲み、前記基板保持部が通過可能な開口部を有する搬送室とを備え、
少なくとも前記基板収納室の前記基板出入口と前記処理室の前記開口部との間において前記搬送室の内部でかつ前記基板収納室の外部に、前記基板収納室内および前記処理室内よりも圧力の低い領域が形成されたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記搬送室は、前記搬送室内に雰囲気ガスを取り込む給気口と、前記搬送室内の雰囲気ガスを排出する排気口とを備えたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板搬送ユニットは、
前記基板収納室内に雰囲気ガスを供給する供給経路と、
前記基板収納室内の雰囲気ガスを排気する排気経路とをさらに備えたことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記基板保持部が前記基板収納室内から前記処理室側に移動する際には前記基板収納室内に供給される雰囲気ガスの流量が増加し、前記基板保持部が前記処理室側から前記基板収納室内に移動する際には前記基板収納室内に供給される雰囲気ガスの流量が減少するように前記雰囲気ガスの流量を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記基板処理ユニットは前記基板搬送ユニットの周囲に複数配置され、前記基板搬送ユニットの前記搬送室は鉛直方向の軸を中心とする円筒状の外周面を有し、前記基板処理ユニットの各処理室は前記搬送室の前記円筒状の外周面に接する部分円筒状の側面を有し、前記開口部は前記部分円筒状の側面に設けられ、前記搬送室は鉛直方向の軸の周りで回動可能に設けられたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4944297A JP3545569B2 (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4944297A JP3545569B2 (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10247677A JPH10247677A (ja) | 1998-09-14 |
JP3545569B2 true JP3545569B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=12831247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4944297A Expired - Fee Related JP3545569B2 (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3545569B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100307628B1 (ko) * | 1999-04-03 | 2001-10-29 | 윤종용 | 반도체 제조설비의 청정방법 및 이를 적용한 반도체 제조 설비 |
US6251195B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-06-26 | Fsi International, Inc. | Method for transferring a microelectronic device to and from a processing chamber |
JP2007277014A (ja) * | 1999-07-16 | 2007-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
JP2006310561A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nec Electronics Corp | 真空処理装置および真空処理方法 |
US20070119393A1 (en) | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Ashizawa Kengo | Vacuum processing system |
JP4634918B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
KR101236810B1 (ko) | 2009-11-16 | 2013-02-25 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 그리고 그의 처리 방법 |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP4944297A patent/JP3545569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10247677A (ja) | 1998-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5725664A (en) | Semiconductor wafer processing apparatus including localized humidification between coating and heat treatment sections | |
US6915809B2 (en) | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus | |
JPH08213446A (ja) | 処理装置 | |
US7935185B2 (en) | Film forming system and film forming method | |
JP2003007799A (ja) | 処理システム | |
JP2005072525A (ja) | 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置 | |
CN111415884B (zh) | 基板处理装置 | |
JP2003203892A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
TWI788422B (zh) | Efem及efem之氣體置換方法 | |
JP3213748B2 (ja) | 処理システム | |
JP3950299B2 (ja) | 基板処理装置及びその方法 | |
JP3545569B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4005609B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 | |
KR100379649B1 (ko) | 기판처리방법및기판처리장치 | |
JP2003332213A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP3638393B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH10247676A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101582569B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비, 그리고 이를 이용하는 기판 처리 방법 | |
JP2011061156A (ja) | 基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法 | |
CN111058015A (zh) | 基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法 | |
JP3966884B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 | |
JP3611568B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法 | |
TW202312324A (zh) | 設備前端模組 | |
JPH10139155A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH1056051A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040408 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |