JP2003203892A - 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 親水性又は疎水性のいずれかの基板に関わら
ず、基板上へのパーティクルの付着を防止できる基板洗
浄装置及び基板洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 ２流体ノズル３６から吐出された洗浄液
がカップＣＰの内側で跳ね返り、ミスト状となってウエ
ハＷの中心側へ向けて飛散するが、リンスノズル３５に
よりリンス液をウエハＷに供給して水膜５１を形成して
いるため、水膜５１上にミストが付着してもウエハ面に
直接ミストが付着するわけではないので、ミストに含ま
れるパーティクルがウエハＷ上に付着することを防止で
き、ウエハＷに対する悪影響を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造において、半導体ウエハ基板を洗浄する基板洗浄装
置及び基板洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、半導
体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の表裏面、特に半
導体デバイスが形成されるウエハの表面の清浄度を高く
維持する必要があり、このため、種々の製造プロセスの
前後でウエハの表裏面の洗浄が行われている。

【０００３】特に、フォトリソグラフィ工程において
は、ウエハの表裏面の洗浄は不可欠であり、例えば、洗
浄液の飛散を防止したり使用後の洗浄液を収集して廃棄
したりするためのカップ内にウエハを収容し、このカッ
プ内でウエハを回転させそのウエハ上面に洗浄液を供給
しながら、回転するブラシをウエハ上面に当接しつつウ
エハの中心部と周縁部との間で往復移動させることで、
ウエハ上面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去
するスクラブ洗浄が行われている。

【０００４】また、近年では、このスクラブ洗浄におい
て、回転ブラシによる洗浄だけでなく、例えばウエハ上
に超音波洗浄水や、不活性ガスと純水とを混合した混合
流体（２流体）等をノズルによりジェット噴射し、より
微細なパーティクルを除去するようにしている。（例え
ば、特許文献１参照。）。

【０００５】

【特許文献１】特開平１０−１５６２２９号公報（図１
等）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、超音波
洗浄水や２流体等の洗浄液をジェット噴射してウエハを
洗浄する場合、特にウエハを収容したカップの内壁面で
ジェット噴射の洗浄水がミスト状となって跳ね返ること
により、当該カップの内壁面に付着したパーティクル等
をまき散らし、このようにまき散らされたパーティクル
がウエハに付着する。すなわち、本来カップは、ウエハ
洗浄中に洗浄液が周囲に飛散するのを防止したり、洗浄
液がカップの内壁面に沿って下方に流れ落ちる、という
機能を有しているが、超音波洗浄水や２流体等の洗浄水
を使用した場合、これらの洗浄水は流量が多く噴射勢い
が強いので、カップ内壁面で跳ね返ってしまう。

【０００７】この場合、例えば処理対象であるウエハが
親水性のウエハである場合には、ウエハに付着したパー
ティクルを含む洗浄液のウエハ表面に対する接触角が小
さく、当該洗浄液はパーティクルとともにウエハから流
れ落ちやすい状態となるので問題はない。しかし、処理
対象であるウエハが疎水性のウエハである場合には、洗
接触角が大きく濡れ性が悪いので、洗浄液の吐出途中で
あるにも関わらずウエハ面が露出し、ウエハ面に直接ミ
スト状のパーティクルが付着してしまいこれを除去でき
ない。

【０００８】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、親水性又は疎水性のいずれかの基板に関わらず、当
該基板上へのパーティクルの付着を防止できる基板洗浄
装置及び基板洗浄方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点に係る基板洗浄装置は、基板を
回転可能に保持する回転保持部と、回転する基板上を径
方向に移動可能に設けられ、洗浄液を吐出する洗浄ノズ
ルと、前記洗浄ノズルによる洗浄の際に、基板上に液体
を供給し基板上に液膜を形成する液体供給ノズルとを具
備する。

【００１０】このような構成によれば、基板上に、基板
に対して親水性の液膜を形成させながら洗浄液を吐出し
て洗浄を行っているので、例えば疎水性の基板を使用し
た場合であって、この基板をカップ内に収容して洗浄処
理を行う場合には、このカップから跳ね返る洗浄液のミ
ストが当該親水性の液膜上に付着し、このミストに含ま
れるパーティクルは回転する基板の遠心力により液膜と
ともに基板の外に排出される。これにより、直接基板上
にパーティクルが付着することを防止できる。

【００１１】ここで、「親水性の液膜を形成」とは、基
板表面を親水性の膜を形成するという意味である。すな
わち、液膜を基板上に形成することにより、疎水性の基
板表面があたかも親水性になることを意味する。

【００１２】本発明の一の形態によれば、前記液体供給
ノズルによって基板上に供給される液体は、前記洗浄ノ
ズルより基板の回転中心側に供給される。

【００１３】本発明の一の形態によれば、前記洗浄ノズ
ルが基板の周縁部付近に移動したときに、前記液体供給
ノズルによる液体の供給を開始するように制御する手段
を更に具備する。

【００１４】本発明の一の形態によれば、前記基板は、
疎水性の基板である。

【００１５】本発明の一の形態によれば、前記液体供給
ノズルによって基板上に供給される液体は、リンス液で
ある。

【００１６】本発明の一の形態によれば、前記液体供給
ノズルによって基板上に供給されるリンス液は、純水で
ある。

【００１７】本発明の一の形態によれば、前記洗浄液は
不活性ガスと液体との混合流体である。この不活性ガス
として例えば窒素ガスを用い、また、液体として純水を
用い、このガスの吐出圧と純水とにより基板の洗浄処理
を行うようにしているので、洗浄ノズルによる洗浄液の
飛散量が多くミストが発生しやすい状況となる。この場
合に、本発明の液膜形成によるミスト付着防止効果は大
きい。ここで、洗浄液の不活性ガスの流量は、１０Ｎｌ
／ｍｉｎ〜２００Ｎｌ／ｍｉｎとする。より好ましく
は、８０Ｎｌ／ｍｉｎである。

【００１８】本発明の一の形態によれば、前記液体供給
ノズルは、前記移動する洗浄ノズルと一体的に移動可能
に配置されている。また、この場合、前記液体供給ノズ
ルは、前記移動する洗浄ノズルに対し基板中心側に配置
され、更に、前記洗浄ノズルと液体供給ノズルとの距離
は５ｍｍ〜８０ｍｍとすることが好ましい。このように
移動して洗浄液を吐出する洗浄ノズルの基板中心側に、
液体供給ノズルを配置し、洗浄液が基板に供給される位
置よりも基板中心側に永代を供給するようにしたので、
例えば、洗浄ノズルが基板周縁部から外側に外れていく
場合であっても、液体供給ノズルは、常に基板周縁部に
液体を供給して液膜を形成している。従って、特にカッ
プからの跳ね返りミストが多い基板周縁部にパーティク
ルが付着することを防止できる。また、液体としてリン
ス液を使用した場合にも同様の効果が得られる。

【００１９】本発明の一の形態によれば、前記基板の周
縁部に供給される液体の流量を、基板中心部に供給され
る液体の流量よりも多くするように制御する手段をさら
に具備する。あるいは、前記基板の周縁部に前記液体が
供給されるときの液体供給ノズルの速度を、基板中心部
に供給されるときの液体供給ノズルの速度よりも小さく
するように制御する手段を更に具備する。基板の回転速
度がその中心部と周縁部とで異なるが、このように液体
の流量又は液体供給ノズルの移動速度を変えることで、
基板面上の単位時間当りに供給される液体の供給量を中
心部と周縁部とで可及的に同じにすることができる結
果、基板全面で洗浄性能を均一にすることができる。こ
こで、液体の流量は、０．５ｌ／ｍｉｎ〜１．２ｌ／ｍ
ｉｎとし、液体供給ノズルの速度は、５ｍｍ／ｓｅｃ〜
３０ｍｍ／ｓｅｃとすることが好ましい。

【００２０】本発明の一の形態によれば、前記基板の周
縁部に前記液体が供給されるときの基板の回転数を、基
板中心部に前記液体が供給されるときの回転数よりも小
さくするように制御する手段を更に具備する。このよう
に液体の供給位置に対応して基板の回転速度を可変して
いるので、基板面上の単位時間当りに供給される液体の
供給量を中心部と周縁部とで可及的に同じにすることが
できる結果、基板全面で洗浄性能を均一にすることがで
きる。ここで、基板の回転数は、３００ｒｐｍ〜５００
０ｒｐｍとすることが好ましい。

【００２１】本発明の第２の観点に係る基板洗浄装置
は、基板を回転可能に保持する回転保持部と、回転する
基板上を径方向に移動可能に設けられ、洗浄液を吐出す
る洗浄ノズルと、前記移動する洗浄ノズルと一体的に移
動可能に配置され、前記洗浄ノズルによる洗浄の際に、
基板上に液体を供給し基板上に液膜を形成する第１の液
体供給ノズルと、前記洗浄ノズルによる洗浄の際に、前
記基板の所定の位置に液体を供給し前記第１の液体供給
ノズルとともに基板上に液膜を形成する第２の液体供給
ノズルとを具備する。

【００２２】このような構成によれば、第１の液体供給
ノズルを洗浄ノズルとともに一体的に移動させ、基板上
に親水性の液膜を形成させながら洗浄液を吐出して、特
に洗浄ノズル近傍の液膜形成を確実に行い、更に、第２
の液体供給ノズルにより、例えば基板中心部に液体を供
給して基板全面に確実に液膜形成を行う。その結果、例
えば疎水性の基板を使用した場合であって、この基板を
カップ内に収容して洗浄処理を行う場合には、このカッ
プから跳ね返る洗浄液のミストが当該親水性の液膜上に
付着し、このミストに含まれるパーティクルは回転する
基板の遠心力により液膜とともに基板の外に排出され
る。これにより、直接基板上にパーティクルが付着する
ことを防止できる。

【００２３】本発明の一の形態によれば、前記洗浄ノズ
ルが前記基板の周縁部付近に移動したときに、前記第２
の液体供給ノズルによる液体の供給を行うように制御す
る手段を具備する。これにより、カップ跳ね返りのミス
トの付着を防止できるとともに、例えば液体にリンス液
を使用した場合、リンス液の使用量を削減できる。

【００２４】本発明の基板洗浄方法は、回転する基板上
に洗浄液を吐出する工程と、前記洗浄工程の際、該基板
上に液体を供給して基板上に液膜を形成する工程とを具
備する。

【００２５】このような構成によれば、基板上に親水性
の液膜を形成させながら洗浄液を吐出して洗浄を行って
いるので、例えば疎水性の基板を使用した場合であって
も、直接基板上にパーティクルが付着することを防止で
きる。

【００２６】本発明の基板処理システムは、基板上にレ
ジストを塗布する塗布処理部と、前記レジストが塗布さ
れた基板に現像処理を行う現像処理部と、基板に熱的な
処理を施す熱処理部と、基板を回転可能に保持する回転
保持部と、回転する基板上を径方向に移動可能に設けら
れ、洗浄液を吐出する洗浄ノズルと、前記洗浄ノズルに
よる洗浄の際に、基板上に液体を供給し基板上に液膜を
形成する液体供給ノズルとを有する基板洗浄装置と、前
記塗布処理部、現像処理部、熱処理部及び基板洗浄装置
の間で基板の搬送を行う搬送機構とを具備する。

【００２７】このような構成によれば、レジスト塗布処
理、現像処理、熱処理等を含むフォトリソグラフィ工程
において、前記基板洗浄装置を塗布処理部、現像処理部
及び熱処理部と一体化して、搬送機構により基板を各処
理部及び処理装置に自動搬送することにより、スループ
ットの向上が図れる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００２９】図１〜図３は本発明に係る塗布現像処理シ
ステムの全体構成を示す図であり、図１はその平面図、
図２は正面図及び図３は背面図である。

【００３０】この塗布現像処理システム１は、被処理基
板として半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚
例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入し又はシス
テムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエ
ハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーショ
ン１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定
の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多
段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステ
ーション１１と隣接して設けられる露光装置（図示せ
ず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェース部１２とを一体に接続した構成を有している。

【００３１】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれ
のウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方
向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウ
エハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方
向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハ
カセットＣＲに選択的にアクセスするようになってい
る。さらに、このウエハ搬送体２１は、θ方向に回転可
能に構成されており、後述するように処理ステーション
１１側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。

【００３２】処理ステーション１１では、図１に示すよ
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５の多段配置構成であ
り、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシス
テム正面（図１において手前）側に並置され、第３の組
Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接
して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター
フェース部１２に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多
段ユニットは背部側に配置されている。なお第５の組Ｇ
５は、主ウエハ搬送機構２２のメンテナンスのためにレ
ール２５に沿って移動可能に構成されている。

【００３３】主ウエハ搬送機構２２は、筒状支持体４９
の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に
昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図
示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転
駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装
置４６と一体に回転し、これによりこのウエハ搬送装置
４６は、θ方向に回転自在となっている。

【００３４】図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カ
ップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の
処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び本発明に係る基板
洗浄装置としての洗浄処理ユニット５０が下から順に２
段に重ねられている。第２の組Ｇ２では、２台のスピン
ナ型処理ユニット、例えば現像処理ユニット（ＤＥＶ）
及び第１の組Ｇ１と同様の洗浄処理ユニット５０が下か
ら順に２段に重ねられている。

【００３５】図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウ
エハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の
処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット
（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、リバースユニット（ＲＶＳ）及びプリベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が重ねられてい
る。第４の組Ｇ４でも、オーブン型の処理ユニット、例
えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、
イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯ
Ｌ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベー
キングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が重ねられている。

【００３６】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）や
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を上段に配
置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくす
ることができる。しかし、ランダムな多段配置とするこ
とも可能である。

【００３７】インターフェース部１２は、奥行方向では
処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向で
は小さなサイズにつくられている。インターフェース部
１２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面
部には周辺露光装置２３が配設され、中央部にはウエハ
搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４
は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲ及び周
辺露光装置２３にアクセスするようになっている。さら
に、ウエハ搬送体２４は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション１１側の第４の組Ｇ４の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）に
も、及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せ
ず）にもアクセスできるようになっている。

【００３８】図４は、上記洗浄処理ユニット５０の概略
構造を示す平面図、図５は図４においてＸ方向から見た
断面図、図６は図４においてＹ方向から見た断面図であ
る。

【００３９】この洗浄処理ユニット５０のケース６８に
は、主ウエハ搬送機構２２の搬送アームがウエハを搬入
出するための開口部６８ａが形成され、この開口部６８
ａには開閉機構を有するシャッタ部材６９が配置されて
いる。

【００４０】ユニット中央部には、ウエハＷの周縁部を
囲繞するようにウエハＷを収容するカップＣＰが配置さ
れており、このカップＣＰは、昇降機構７４により昇降
自在に構成され、主ウエハ搬送機構２２との間でウエハ
の受け渡しを行う場合には下降位置に配置され、後述す
る洗浄処理中においては上昇位置に配置されるようにな
っている。これにより、洗浄処理中に発生したミスト化
した洗浄液がカップＣＰの外部に向けて拡散することを
防止できる。

【００４１】このカップＣＰ内には、ウエハＷを保持し
て回転させるスピンチャック７１が設けられている。こ
のスピンチャック７１は、チャックプレート７１ａと、
このチャックプレート７１ａを支持する枢軸７１ｂと、
この枢軸７１ｂを回転させる回転駆動モータ７１ｃと、
チャックプレート７１ａにおいてウエハＷの脱着を行う
脱着機構７１ｄとを有する。また、チャックプレート７
１ａの表面には、支持ピン７１ｅ（図４において６箇
所）配設されており、このウエハＷはこの支持ピン７１
ｅの頂点に接して載置されるようになっている。回転駆
動モータ７１ｃは、回転数が調整可能となっており、例
えば０ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍの範囲で動的に可変でき
るようになっている。

【００４２】チャックプレート７１ａの周縁３箇所に
は、ウエハＷの脱着機構７１ｄが配設されている。ここ
で、図５において左側の脱着機構７１ｄはウエハＷを保
持した状態が示されており、図５において右側の脱着機
構７１ｄはウエハＷを保持していない状態を示してい
る。チャックプレート７１ａの下方部には、昇降シリン
ダ７９により昇降可能な１枚の連結テーブル７２が設け
られ、この連結テーブル７２上において脱着機構７１ｄ
の配設位置にそれぞれ対応する３箇所には、当接治具７
２ｂが配設されている。昇降シリンダ７９によって当接
治具７２ｂを上昇させると当接治具７２ｂが脱着機構７
１ｄにそれぞれ当接して押圧することにより、図５中右
側の脱着機構７１ｄのようにウエハＷの保持状態を解除
し、逆に当接治具７２ｂを下降させると図示しない弾性
部材により、図５中左側の脱着機構７１ｄのようにウエ
ハＷを保持するようになっている。

【００４３】カップＣＰの内周側底部にはドレイン７５
が設けられており、カップＣＰ内の排気及び洗浄液やリ
ンス液の排出が行われるようになっている。この排気に
関しては、例えば図示しないバキューム装置により排気
されるようになっており、主ウエハ搬送機構２２との間
でのウエハの受け渡しの際は排気を弱めるか又は停止す
ることにより、受け渡しの際の機械的動作により発生す
るパーティクルのカップＣＰ内への引き込みを防止する
ことができる。

【００４４】カップＣＰの側方部には、ノズル待機位置
６７に待機された第１の液体供給ノズルである第１のリ
ンスノズル３５及び洗浄ノズルとしての２流体ノズル３
６が一体的に連結部材４０に固定されている。これらの
第１のリンスノズル３５と２流体ノズル３６との間の距
離は、例えば５ｍｍ〜８０ｍｍとされている。

【００４５】図６を参照して、第１のリンスノズル３５
にはリンス液供給源３９から供給管４３を介してリンス
液としての例えば純水が供給されるようになっており、
例えばベローズポンプ３２によりノズル３５からの当該
リンス液の供給量が動的に可変できるようになってい
る。本実施形態では、リンス液供給量は例えば０．５ｌ
／ｍｉｎ〜１．２ｌ／ｍｉｎとされている。

【００４６】２流体ノズル３６は、図７に示すように、
バッファ室４４ａを備えたバッファ部４４と、洗浄液を
吐出する吐出部４５とを有している。バッファ室４４ａ
には例えば不活性ガスとして窒素ガスを当該バッファ室
４４ａに供給するための窒素ガス流路２８と、純水を供
給するための液流路２７が形成されている。吐出部４５
には、バッファ室４４ａにおける窒素ガス流路２８の出
口付近で純水と混合された混合流体（窒素ガスを含む純
水）を勢いよくウエハ上に吐出するための流路４５ａが
形成されている。

【００４７】図６を参照して、これら第１のリンスノズ
ル３５と２流体ノズル３６とを固定した連結部材４０
は、Ｙ方向に延設されたガイドレール３４に沿って移動
可能なノズル保持アーム７７に取り付けられている。こ
の保持アーム７７は、例えばステッピングモータ３８に
より駆動プーリ３１を介して駆動するベルト４１に接続
されており、ステッピングモータ３８の回転数によって
保持アーム７７の移動速度が可変に構成され、これによ
り、第１のリンスノズル３５及び２流体ノズル３６の移
動速度が可変になっている。本実施形態では、この移動
速度は５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃとされてい
る。なお、保持アーム７７は、図示しない昇降機構によ
り昇降可能とされており、両ノズル３５、３６の高さ位
置が調節できるようになっている。

【００４８】上記回転駆動モータ７１ｃの回転数、ベロ
ーズポンプ３２の作動量及びステッピングモータ３８の
回転数は制御系３３により統合的に制御されるようにな
っており、例えば保持アーム７７の移動速度に基づいて
第１のリンスノズル３５からのリンス液供給量を動的に
可変でき、また、回転駆動モータ７１ｃの回転数に基づ
いてリンス液供給量を動的に可変できるようになってい
る。

【００４９】カップＣＰの外側上部にも、上記第１のリ
ンスノズル３５と同様に、ウエハＷ上に液体を供給する
第２の液体供給ノズルのである第２のリンスノズル８３
が配置されている。この第２のリンスノズル８３から
は、リンス液として例えば純水が供給される。この第２
のリンスノズル８３は、高さ・方向調節機構８５によ
り、Ｚ方向高さ及びリンス液の吐出角度を変えることが
可能となっている。

【００５０】ここで、液体供給ノズルからは、例えば洗
浄液と同じ液体、本実施の形態の場合純水が供給され
る。洗浄液が薬液を含む場合、液体供給ノズルから同じ
薬液を供給すると濃度変化がないという効果がある。ま
た、ミストのカップへの付着物の薬液濃度を減少させる
効果を求める場合、純水や洗浄液より濃度の低い薬液を
使うことも考えられる。また、純水は洗浄後のリンス液
としても使用される。

【００５１】次に、以上説明した塗布現像処理システム
１における一連の処理工程について説明する。

【００５２】先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前
のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、
そのカセットＣＲから１枚のウエハＷを取り出し、アラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送される。このアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）にてウエハＷの位置合わ
せが行われた後、主ウエハ搬送機構２２によりウエハＷ
は、リバースユニット（ＲＶＳ）へ搬送され、ウエハに
おいてデバイスが形成される面である表面が下になるよ
うに裏面を上に向けて反転させる。そして洗浄処理ユニ
ット５０へ搬送され、裏面側の洗浄処理が行われる。そ
の後、再びウエハＷはリバースユニット（ＲＶＳ）へ搬
送され、今度は表面が上になるように反転させ、再び洗
浄処理ユニット５０へ搬送され所定の洗浄処理が行われ
る。このウエハＷの洗浄処理については後述する。な
お、必要に応じてウエハ表面側を先に洗浄し、裏面側を
後に洗浄するようにしてもよい。

【００５３】そして、次にアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）へ搬送され疎水化処理が行われ、次いでクーリング
ユニット（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理が行われる。そ
の後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送さ
れ、レジストの回転塗布が行われる。そして、プリベー
キングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）で所定の加熱処理が
行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却処
理され、その後ウエハ搬送体２４によりインターフェー
ス部１２を介して図示しない露光装置により露光処理が
行われる。露光処理が終了した後は、ウエハＷは現像処
理ユニット（ＤＥＶ）に搬送されて現像処理が行われ、
エクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセット
ＣＲに戻される。なお、現像処理後に、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）により加熱処理が行われる
場合もある。

【００５４】次に、洗浄処理ユニット５０における洗浄
処理について図８に示すフローを参照しながら説明す
る。

【００５５】先ず、スピンチャック７１にウエハＷが受
け渡され、このウエハＷの周縁部を覆うようにカップＣ
Ｐが上昇する。次に２流体ノズル３６がウエハＷの中心
上に位置するように、２流体ノズル３６及びリンスノズ
ル３５が移動し（ステップ１）、図９（ａ）に示すよう
に、この両ノズルの位置から洗浄液及びリンス液の吐出
を開始するとともに、ウエハＷ周縁部へ径方向に両ノズ
ルの移動が開始される（ステップ２）。また、これと同
時にウエハＷの回転を開始する。なお、このウエハＷの
回転開始については、洗浄液及びリンス液の吐出開始と
同時でなくともこれより前に回転を開始させるようにし
てもよい。

【００５６】次に、図９（ｂ）に示すように、２流体ノ
ズル３６がウエハＷ周縁部付近に移動してきた場合に、
この２流体ノズル３６から吐出された洗浄液がカップＣ
Ｐの内側で跳ね返り、ミスト状となってウエハＷの中心
側へ向けて飛散する。しかし、ここでリンスノズル３５
によりリンス液をウエハＷに供給して親水性の液膜、す
なわち水膜５１を形成しているため、カップＣＰに付着
したパーティクルを含むミストが水膜５１上に付着する
ことになる。しかし、水膜５１上にミストが付着しても
ウエハ面に直接ミストが付着するわけではないので、ウ
エハＷに悪影響を及ぼすおそれがなく、また、この水膜
５１上に付着したミストは回転するウエハＷの遠心力に
よりリンス液とともにカップＣＰの下方に排出されるの
で問題はない。

【００５７】この後、図９（ｃ）に示すように、２流体
ノズル３６がウエハＷ周縁部より外側に位置したら、洗
浄液及びリンス液の吐出を停止し（ステップ３）、両ノ
ズル３５，３６をカップＣＰの外側に配置させ、次に図
９（ｄ）に示すように、例えばウエハＷを４０００ｒｐ
ｍの回転数で回転させてウエハ上の液を振り切り、乾燥
処理を行う（ステップ４）。

【００５８】ここで本実施形態においては、リンス液の
流量、両ノズル３５及び３６の移動速度、ウエハＷの回
転数は、それぞれ以下に示す通りであり、それぞれ一定
の値とした。 リンス液の流量 １．０ ｌ／ｍｉｎ 両ノズルの移動速度 ６ ｍｍ／ｓｅｃ ウエハの回転数 １３００ ｒｐｍ 前述したように本実施形態では、ウエハＷの回転数は１
３００ｒｐｍとしたが、これより小さくても大きくても
よい。しかし、ウエハ回転数を３００ｒｐｍより小さく
すると、ウエハが疎水性の場合にはウエハ上全面に液膜
を形成することができず、多数の水玉がウエハ面上に散
在する状態となってしまうので、３００ｒｐｍ以上とす
ることが必要である。

【００５９】以上のように、本実施形態によれば、ウエ
ハ上に親水性の液膜５１を形成させながら洗浄液を吐出
して洗浄を行っているので、疎水性のウエハであっても
パーティクルの付着を防止することができる。

【００６０】また、移動して洗浄液を吐出する２流体ノ
ズル３６のウエハ中心側に、リンスノズル３５を配置
し、洗浄液がウエハに供給される位置よりもウエハ中心
側にリンス液を供給するようにしたので、例えば図９
（ｂ）〜（ｃ）に示すように、２流体ノズル３６がウエ
ハ周縁部から外側に外れていく場合であっても、２流体
ノズル３６に近接したリンスノズル３５は、常にウエハ
周縁部にリンス液を供給して液膜を形成している。従っ
て、特にカップＣＰからの跳ね返りミストが多いウエハ
周縁部にパーティクルが付着することを防止できる。

【００６１】ここで、図１０〜図１３を参照して、従来
のように２流体洗浄液の吐出のみによる洗浄処理と、本
実施形態のようにリンス液を供給して液膜を形成した場
合の洗浄処理とにおける、それぞれウエハ面上のパーテ
ィクルの除去率（図１０，１１）及び増加量（図１２，
１３）を比較してみる。ウエハの種類は親水性と疎水性
とについて実験を行った。また、図１０〜図１４におい
て横軸は２流体ノズルにおける窒素ガスの流量であり、
「Ｎｌ」の「Ｎ」とは、標準状態を表す。

【００６２】図１０は、親水性のウエハについて示して
おり、リンス液供給の有無でパーティクルの除去率はほ
ぼ同一であり、親水性のウエハについては洗浄性能に変
化はない。ところが、図１１に示すように疎水性のウエ
ハにおいては、リンス液の供給の有無で、特に、窒素ガ
スの流量が６０Ｎｌ／ｍｉｎ以上においてパーティクル
の除去率に顕著な差が生じた。この結果より、窒素ガス
の流量は６０Ｎｌ／ｍｉｎ〜１００Ｎｌ／ｍｉｎとする
ことが好ましく、特に８０Ｎｌ／ｍｉｎの場合に最もパ
ーティクルの除去率が高いことが分かる。

【００６３】また、図１２及び図１３は、窒素ガス流量
に対するウエハ１枚上のパーティクルの増加量を示して
おり、実質的な内容はそれぞれ図１０及び図１１と同様
である。

【００６４】次に図１４を参照して、リンスノズル３５
のウエハ上の移動途中において、リンス液の流量、リン
スノズル３５の移動速度（＝２流体ノズルの移動速度）
又はウエハＷの回転数を動的に可変する場合について説
明する。

【００６５】例えば、リンス液の流量を可変とし、リン
スノズル３５の移動速度及びウエハ回転数を一定とする
場合、ウエハＷの周縁部に供給されるリンス液の流量
を、ウエハ中心部に供給されるリンス液の流量よりも多
くする。一実施形態として図１４（ａ）に示すように、
例えば中心部で０．５ｌ／ｍｉｎとし、周縁部で１．２
ｌ／ｍｉｎとしている。この場合、ウエハＷの周速度が
その中心部と周縁部とで異なるが、このようにリンス液
の流量を変えることで、ウエハ面上の単位時間当りに供
給されるリンス液の供給量を中心部と周縁部とで可及的
に同じにすることができる。なお、この場合、リンスノ
ズル３５の移動途中において例えば２段階で供給量を可
変してもよいし、３段階以上で徐々に０．５ｌ／ｍｉｎ
から１．２ｌ／ｍｉｎまで可変してもよい。

【００６６】次に、リンスノズル３５の移動速度を可変
とし、リンス液の供給量及びウエハ回転速度を一定とす
る場合、ウエハＷの周縁部にリンス液が供給されるとき
のリンスノズル３５の速度を、ウエハ中心部に供給され
るときのリンスノズル３５の速度よりも小さくする。一
実施形態として図１４（ｂ）に示すように、例えば中心
部で７ｍｍ／ｓｅｃとし、周縁部で５ｍｍ／ｓｅｃとし
ている。この場合、ウエハＷの周速度がその中心部と周
縁部とで異なるが、このようにリンスノズル３５の移動
速度を変えることで、ウエハ面上の単位時間当りに供給
されるリンス液の供給量を中心部と周縁部とで可及的に
同じにすることができる。なお、このリンスノズル３５
の移動途中において例えば２段階で移動速度を可変して
もよいし、３段階以上で徐々に７ｍｍ／ｓｅｃから５ｍ
ｍ／ｓｅｃまで可変してもよい。

【００６７】次に、ウエハＷの回転数を可変とし、リン
スノズル３５の移動速度及びリンス液の供給量を一定と
する場合、ウエハＷ周縁部にリンス液が供給されるとき
のウエハ回転数を、ウエハ中心部にリンス液が供給され
るときの回転数よりも小さくする。一実施形態として図
１４（ｃ）に示すように、例えば中心部で１５００ｒｐ
ｍとし、周縁部で１０００ｒｐｍとしている。この場
合、ウエハ面上の単位時間当りに供給されるリンス液の
供給量を中心部と周縁部とで可及的に同じにすることが
できる。なお、このリンスノズル３５の移動途中におい
て例えば２段階で回転数を可変してもよいし、３段階以
上で徐々に１５００ｒｐｍから１０００ｒｐｍまで可変
してもよい。

【００６８】以上のように、リンスノズル３５のウエハ
上の移動途中において、リンス液の流量、リンスノズル
３５の移動速度又はウエハＷの回転数を動的に可変する
ことにより、ウエハの全面について洗浄性能を均一にで
きる。

【００６９】次に、図１５〜図１８を参照して、第２の
リンスノズル８３を使用した場合の洗浄処理について説
明する。

【００７０】図１５においては、第１のリンスノズル３
５を使用せず、２流体ノズル３６のみをウエハＷの径方
向に中心部から周縁部まで移動させながら洗浄液を吐出
しつつ、第２のリンスノズル８３によりリンス液を所定
の位置、例えばウエハＷの中心部に供給し、液膜５１を
形成している。これにより、２流体ノズル３６がウエハ
周縁部まで移動した際に発生するカップ跳ね返りミスト
がウエハＷに直接付着することを防止できる。

【００７１】図１６においても第１のリンスノズル３５
を使用していない。先ず、図１６（ａ）に示すように、
ウエハ中心部に２流体ノズル３６から洗浄液を吐出しつ
つ中心部から周縁部へ移動させていくが、この時点では
第２のリンスノズル８３からリンス液を吐出していな
い。これは、図１６（ａ）に示すように、２流体ノズル
３６がウエハＷの中心位置から洗浄液の吐出を開始した
時点では、洗浄液がカップＣＰに跳ね返ることが少ない
からである。そして次に、図１６（ｂ）に示すように、
２流体ノズル３６がウエハＷの周縁部付近まで移動した
ときに、カップ跳ね返りのミストが増加するため、この
時にリンス液を供給し液膜５１を形成することにより、
跳ね返りミストの付着を防止できるとともに、図１５に
おける場合に比べリンス液の使用量を削減できる。

【００７２】図１７（ａ）及び図１７（ｂ）においても
第１のリンスノズル３５を使用していない。先ず図１７
（ａ）に示すように、２流体ノズル３６から洗浄液を吐
出しつつ中心部から周縁部へ移動させるとともに、リン
ス液供給により液膜５１を形成する。そして、図１７
（ｂ）に示すように、２流体ノズル３６が周縁部に来た
ときに、第２のリンスノズル８３のリンス液の吐出角度
を変えることにより、洗浄液が吐出される位置に合わせ
て、リンス液の供給位置をウエハ周縁部付近にすること
により、より確実にウエハ周縁部でのミストの付着を防
止できる。

【００７３】図１８は、第１、第２のリンスノズル３
６、８３の両方を使用している。この場合、２流体ノズ
ル３６及び第１のリンスノズル３５が中心部から周縁部
への移動しつつ洗浄液及びリンス液を吐出し、更にこれ
に加えて第２のリンスノズル８３からもリンス液を供給
している。これにより、ウエハＷ全面に確実に液膜５１
を形成でき、ミストの付着を確実に防止できる。

【００７４】図１９及び図２０は、一実施形態に係る洗
浄処理システムの全体構成を示す平面図及び正面図であ
る。なお、図１９及び図２０において、図１及び図２に
おける構成要素と同一のものについては同一の符号を付
すものとし、その説明を省略する。

【００７５】処理ステーション１１の正面側には、ウエ
ハＷの洗浄のための洗浄処理ユニット５０が４台、中央
部に主ウエハ搬送機構２２が配設されている。この主ウ
エハ搬送機構２２に隣接して、洗浄後の乾燥に必要な熱
処理ユニット（ＨＰ）及び冷却処理ユニット（ＣＯＬ）
９１、ウエハＷをカセットステーション１０と処理ステ
ーション１１との間で受け渡すトランジションユニット
（ＴＲＳ）及びウエハＷの表裏を反転させるリバースユ
ニット（ＲＶＳ）９０が配設されている。また処理ステ
ーション１１の背面側には、洗浄処理システム２全体の
動作・制御を行うための電装ユニット（ＥＢ）９３と機
械制御ユニット（ＭＢ）９４、洗浄処理ユニット５０で
使用される所定の洗浄液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット
（ＣＴＢ）９２が配設されている。更に、処理ステーシ
ョン１１には、その天井部より清浄な空気をダウンフロ
ーするためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）９５が
配設されている。

【００７６】このような洗浄処理システム２は、上記塗
布現像処理システム１以外の工程における洗浄専用シス
テムとして用いることができる。例えば、塗布現像工程
以外の工程としては、特定ガス、又は数種の化合物ガス
をウエハＷ上に供給し、ウエハＷ表面での化学反応によ
り所望の薄膜を形成させるＣＶＤ工程、ウエハＷ表面上
に形成された薄膜の全面又は特定部分を必要な厚さだけ
食刻するエッチング工程等があるが、これらＣＶＤ工程
又はエッチング工程の処理中に汚染したウエハを洗浄す
るための専用処理システムとして用いることができる。

【００７７】なお、本実施形態では、洗浄処理システム
２を単体のシステムとして説明したが、上記のＣＶＤ工
程で使用するＣＶＤ装置や、エッチング工程で使用する
エッチング装置等と、洗浄処理システム２とをインター
フェース装置等を介して接続し、インライン化された複
合装置として使用することができる。

【００７８】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。

【００７９】例えば、図９（ａ）、（ｂ）に示す洗浄処
理工程において、２流体ノズル３６がウエハＷの中心位
置から洗浄液の吐出を開始するときに、リンスノズル３
５からのリンス液の吐出は行わず、例えば図９（ｂ）に
示すように、２流体ノズル３６がウエハ周縁部に来た時
にカップ跳ね返りミストが増加するため、図１６
（ａ）、（ｂ）に示す場合と同様にリンス液を供給する
ようにしてもよい。これは、２流体ノズル３６がウエハ
Ｗの中心位置から洗浄液の吐出を開始した時点では、洗
浄液がカップＣＰに跳ね返ることは少なく、２流体ノズ
ル３６がウエハＷの周縁部付近まで移動したときに、跳
ね返りのミストが発生しやすい状態となるからである。
これにより、リンス液の使用量を削減することができ
る。

【００８０】また、図１５、図１６（ａ）、（ｂ）及び
図１８において、リンスノズル８３からのリンス液は、
ウエハ中心部に供給するようにしたが、２流体ノズル３
６による洗浄液と干渉しない供給位置ならば、ウエハ中
心部に限られない。

【００８１】更に、上記実施形態では、基板として半導
体ウエハを使用したが、これに限らず、液晶ディスプレ
イ等に使用されるガラス基板についても本発明は適用可
能である。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の親水性又は疎水性に関わらず、ミスト発生に起因
するパーティクルの付着を防止し、洗浄性能を向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムの平面図である。

【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図であ
る。

【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図であ
る。

【図４】本発明の一実施形態に係る洗浄処理ユニットの
平面図である。

【図５】図４に示す洗浄処理ユニットのＸ方向から見た
断面図である。

【図６】図４に示す洗浄処理ユニットのＹ方向から見た
断面図である。

【図７】一実施形態に係る２流体ノズルの断面図であ
る。

【図８】一実施形態に係る洗浄処理工程を示すフロー図
である。

【図９】一実施形態に係る洗浄処理工程を順に示す側面
図である

【図１０】リンス液供給の有無で親水性ウエハのパーテ
ィクル除去率を比較した図である。

【図１１】リンス液供給の有無で疎水性ウエハのパーテ
ィクル除去率を比較した図である。

【図１２】リンス液供給の有無で親水性ウエハのパーテ
ィクル増加率を比較した図である。

【図１３】リンス液供給の有無で疎水性ウエハのパーテ
ィクル増加率を比較した図である。

【図１４】ウエハ中心部と周縁部とにおいて、リンス流
量、リンスノズル移動速度又はウエハ回転数をそれぞれ
可変した場合の各値の一例を示す図である。

【図１５】２流体ノズルと第２のリンスノズルとを使用
した場合の側面図である。

【図１６】図１５において、２流体ノズルの移動途中か
らリンス液を供給した場合の側面図である。

【図１７】２流体ノズルを吐出角度を可変した場合の側
面図である。

【図１８】第１及び第２のリンスノズルの両方を使用し
た場合の側面図である。

【図１９】一実施形態に係る洗浄処理システムの全体構
成を示す平面図である。

【図２０】図１９に示す洗浄処理システムの全体構成を
示す正面図である。

【符号の説明】

Ｗ…半導体ウエハ １…塗布現像処理システム ３１…駆動プーリ ３２…ベローズポンプ ３３…制御系 ３４…ガイドレール ３５…第１のリンスノズル ３６…２流体ノズル ３８…ステッピングモータ ３９…リンス液供給源 ４０…連結部材 ４１…ベルト ４３…供給管 ５０…洗浄処理ユニット ５１…液膜 ７１ａ…チャックプレート ７１ｂ…枢軸 ７１ｃ…回転駆動モータ ７１ｄ…脱着機構 ７２…連結テーブル ７７…ノズル保持アーム ８３…第２のリンスノズル

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を回転可能に保持する回転保持部
   と、 回転する基板上を径方向に移動可能に設けられ、洗浄液
   を吐出する洗浄ノズルと、 前記洗浄ノズルによる洗浄の際に、基板上に液体を供給
   し基板上に液膜を形成する液体供給ノズルとを具備する
   ことを特徴とする基板洗浄装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板洗浄装置におい
   て、 前記液体供給ノズルによって基板上に供給される液体
   は、前記洗浄ノズルより基板の回転中心側に供給される
   ことを特徴とする基板洗浄装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板洗
   浄装置において、 前記洗浄ノズルが基板の周縁部付近に移動したときに、
   前記液体供給ノズルによる液体の供給を開始するように
   制御する手段を更に具備することを特徴とする基板洗浄
   装置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか１
   項に記載の基板洗浄装置において、 前記基板は、疎水性の基板であることを特徴とする基板
   洗浄装置。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちいずれか１
   項に記載の基板洗浄装置において、 前記液体供給ノズルによって基板上に供給される液体
   は、リンス液であることを特徴とする基板洗浄装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板洗浄装置におい
   て、 前記液体供給ノズルによって基板上に供給されるリンス
   液は、純水であることを特徴とする基板洗浄装置。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のうちいずれか１
   項に記載の基板洗浄装置において、 前記洗浄液は不活性ガスと液体との混合流体であること
   を特徴とする基板洗浄装置。
8. 【請求項８】 請求項１から請求項７のうちいずれか１
   項に記載の基板洗浄装置において、 前記液体供給ノズルは、前記移動する洗浄ノズルと一体
   的に移動可能に配置されていることを特徴とする基板洗
   浄装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の基板洗浄装置におい
   て、 前記液体供給ノズルは、前記移動する洗浄ノズルに対し
   基板中心側に配置されることを特徴とする基板洗浄装
   置。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載の基板洗浄装置におい
    て、 前記洗浄ノズルと液体供給ノズルとの距離は５ｍｍ〜８
    ０ｍｍであることを特徴とする基板洗浄装置。
11. 【請求項１１】 請求項８から請求項１０のうちいずれ
    か１項に記載の基板洗浄装置において、 前記基板の周縁部に供給される液体の流量を、基板中心
    部に供給される液体の流量よりも多くするように制御す
    る手段を更に具備することを特徴とする基板洗浄装置。
12. 【請求項１２】 請求項８から請求項１０のうちいずれ
    か１項に記載の基板洗浄装置において、 前記基板の周縁部に前記液体が供給されるときの液体供
    給ノズルの速度を、基板中心部に供給されるときの液体
    供給ノズルの速度よりも小さくするように制御する手段
    を更に具備することを特徴とする基板洗浄装置。
13. 【請求項１３】 請求項８から請求項１０のうちいずれ
    か１項に記載の基板洗浄装置において、 前記基板の周縁部に前記液体が供給されるときの基板の
    回転数を、基板中心部に前記液体が供給されるときの回
    転数よりも小さくするように制御する手段を更に具備す
    ることを特徴とする基板洗浄装置。
14. 【請求項１４】 請求項７に記載の基板洗浄装置におい
    て、 前記洗浄液の不活性ガスの流量は、１０Ｎｌ／ｍｉｎ〜
    ２００Ｎｌ／ｍｉｎであることを特徴とする基板洗浄装
    置。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の基板洗浄装置にお
    いて、 前記洗浄液の不活性ガスの流量は、８０Ｎｌ／ｍｉｎで
    あることを特徴とする基板洗浄装置。
16. 【請求項１６】 請求項１に記載の基板洗浄装置におい
    て、 前記液体供給ノズルによって供給される前記液体の流量
    は、０．５ｌ／ｍｉｎ〜１．２ｌ／ｍｉｎであることを
    特徴とする基板洗浄装置。
17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の基板洗浄装置にお
    いて、 前記液体供給ノズルの速度は、５ｍｍ／ｓｅｃ〜３０ｍ
    ｍ／ｓｅｃであることを特徴とする基板洗浄装置。
18. 【請求項１８】 請求項１に記載の基板洗浄装置におい
    て、 前記基板の回転数は、３００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍで
    あることを特徴とする基板洗浄装置。
19. 【請求項１９】 基板を回転可能に保持する回転保持部
    と、 回転する基板上を径方向に移動可能に設けられ、洗浄液
    を吐出する洗浄ノズルと、 前記移動する洗浄ノズルと一体的に移動可能に配置さ
    れ、前記洗浄ノズルによる洗浄の際に、基板上に液体を
    供給し基板上に液膜を形成する第１の液体供給ノズル
    と、 前記洗浄ノズルによる洗浄の際に、前記基板の所定の位
    置に液体を供給し前記第１の液体供給ノズルとともに基
    板上に液膜を形成する第２の液体供給ノズルとを具備す
    ることを特徴とする基板洗浄装置。
20. 【請求項２０】 請求項１９に記載の基板洗浄装置にお
    いて、 前記洗浄ノズルが前記基板の周縁部付近に移動したとき
    に、前記第２の液体供給ノズルによる液体の供給を行う
    ように制御する手段を具備することを特徴とする基板洗
    浄装置。
21. 【請求項２１】 請求項２０に記載の基板洗浄装置にお
    いて、 前記第２の液体供給ノズルにより供給される液体は、基
    板の中心部に供給されることを特徴とする基板洗浄装
    置。
22. 【請求項２２】 回転する基板上に洗浄液を吐出する工
    程と、 前記洗浄工程の際、該基板上に液体を供給して基板上に
    液膜を形成する工程とを具備することを特徴とする基板
    洗浄方法。
23. 【請求項２３】 請求項２２に記載の基板洗浄方法にお
    いて、 前記洗浄液は不活性ガスと所定の液体との混合流体であ
    って、この洗浄液を吐出する洗浄ノズルを具備すること
    を特徴とする基板洗浄方法。
24. 【請求項２４】 請求項２３に記載の基板洗浄方法にお
    いて、 前記洗浄ノズルは、前記回転する基板上を径方向に移動
    可能に設けられ、 前記洗浄ノズルの移動の際、洗浄液が吐出される基板上
    の位置より中心側に前記液体が供給されることを特徴と
    する基板洗浄方法。
25. 【請求項２５】 請求項２４に記載の基板洗浄方法にお
    いて、 前記洗浄ノズルが前記基板の周縁部付近に移動したとき
    に、前記液体の供給を開始する工程を更に具備すること
    を特徴とする基板洗浄方法。