KR101521302B1 - 회전 도포 장치의 세정용 지그 및 세정 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 회전 도포 장치의 세정에 이용하는 세정용 지그로서, 세정용 지그를 비교적 낮은 회전 속도로 회전시키는 경우에도, 용기를 상측부에서 세정하는 것이 가능한 세정용 지그 및 이 세정용 지그를 이용한 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 세정용 지그(50)는, 용기 내에 회전 가능하게 유지된 기판 상에 처리액을 적하하고, 이 기판의 회전에 의해 이 기판 상에 처리액의 막을 도포하는 회전 도포 장치에서 용기를 세정하는 데 사용할 수 있는 세정용 지그로서, 회전 도포 장치에서 회전되었을 때에, 이면에 공급되어 회전에 의해 안내되는 용제를 유지하여 용기 내로 비산시킬 수 있도록 형성된 외주면(500)을 구비한다.

Description

회전 도포 장치의 세정용 지그 및 세정 방법{CLEANING JIG AND CLEANING METHOD FOR ROTARY APPLICATION APPARATUS}

본 발명은, 용기 내에 회전 가능하게 유지된 반도체 웨이퍼나 플랫 패널 디스플레이 기판 등의 위에 레지스트액 등의 처리액을 적하하고, 기판의 회전에 의해 이 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 장치에서, 회전에 의해 비산된 처리액이 부착된 용기를 세정하는 데 이용 가능한 세정용 지그에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼나 FPD 기판 상에 형성되어 처리 대상이 되는 막 위에 레지스트를 도포하고, 도포한 레지스트를 소정의 포토마스크(레티클)를 이용하여 노광하며, 현상함으로써 소정의 패턴을 갖는 에칭 마스크를 형성하고, 이 에칭 마스크를 이용한 에칭에 의해 소정의 회로 등이 형성된다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제7-66116호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평성 제10-144599호 공보

[비특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-315671호 공보

현재, 웨이퍼 표면 상으로의 레지스트 도포에는, 회전 도포 장치가 가장 자주 이용되고 있다. 회전 도포 장치에 있어서는, 웨이퍼 상에 레지스트액이 적하되고, 웨이퍼의 회전에 따른 원심력에 의해 적하된 레지스트액이 웨이퍼 표면에서 확산되어 레지스트막이 도포된다. 이 때, 남은 레지스트액은 웨이퍼 외주로부터 비산되어 웨이퍼 외주를 둘러싸도록 형성된 용기의 내면에 부착된다. 용기 내면에 부착된 레지스트는, 웨이퍼에 대한 레지스트 도포를 반복할 때마다 두꺼워지고, 건조되어 용기로부터 박리되는 경우가 있다. 박리된 레지스트가 웨이퍼의 표면에 부착되면, 제조 수율이 저하된다고 하는 문제가 발생한다.

이 때문에, 용기의 내면에 정기적으로 용제를 공급하여 용기 내면에 부착된 레지스트를 씻어내는 것이 행해지고 있다. 용기 내면으로의 용제의 공급 방법으로서, 용기의 내면에 개구되는 복수의 도관을 마련하고, 이들 도관으로부터 용기 내면으로 용제를 공급하는 제1 방법과, 웨이퍼 대신에 원반형의 세정용 지그를 회전시켜, 세정용 지그로부터 용기 내면을 향해 용제를 산포(散布)하는 제2 방법이 알려져 있다(특허 문헌 1∼특허 문헌 3). 제1 방법은, 도관의 간격이 지나치게 넓거나, 도관의 막힘이 생기거나 하면, 용기의 내면을 균일하게 세정할 수 없게 된다는 문제를 갖고 있다. 또한, 이것을 해결하고자 하면, 용기의 구성이 복잡해진다고 하는 문제를 일으킨다. 이에 비하여, 제2 방법은, 세정용 지그를 이용하여 용제를 산포하기 때문에, 용기를 그 내주 방향을 따라 균일하게 세정할 수 있고, 또한 용 기의 구성을 단순화할 수 있다고 하는 이점을 갖고 있다.

단, 본 발명자들의 검토 결과에 따르면, 용기의 상측부에 용제를 산포하기 위해서는 세정용 지그를 비교적 높은 회전 속도(예컨대 약 2400 rpm)로 비교적 장시간(예컨대 약 240초간) 회전시켜야만 하므로, 회전 모터에 큰 부하가 걸리게 된다. 이러한 상황 하에서는, 회전 모터가 고온이 되고, 그 열이 스핀 척으로 전달되어 스핀 척의 온도가 상승하게 된다. 이 경우, 용기의 세정을 마친 직후에 웨이퍼에 레지스트를 도포하면, 웨이퍼의 온도도 높아지고, 레지스트의 용제의 증발이 웨이퍼의 중앙부에서 촉진되어 레지스트의 막 두께가 중앙부에서 두꺼워지는 등의 문제가 발생할 수 있다. 그렇다면, 웨이퍼의 중앙부와 주연부에서의 레지스트 마스크의 패턴이 달라서, 제조되는 디바이스 등의 특성에 편차가 생긴다. 또한, 이 문제를 해소하기 위해서, 용기 세정 후에 스핀 척을 식히는 시간을 마련하면, 회전 도포 장치의 다운 타임이 증가하여 스루풋이 저하되는 등의 문제가 발생한다.

본 발명은 상기한 사정을 감안하여 이루어지며, 세정용 지그를 비교적 낮은 회전 속도로 회전시키는 경우에도, 용기를 상측부에서 세정하는 것이 가능한 세정용 지그 및 이 세정용 지그를 이용한 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제1 양태는, 용기 내에 회전 가능하게 유지된 기판 상에 처리액을 적하하고, 이 기판의 회전에 의해 이 기판 상에 처리액의 막을 도포하는 회전 도포 장치에서 용기의 세정에 사용할 수 있는 세정용 지그로서, 회전 도포 장치에서 회전되었을 때에, 이면에 공급되어 회전에 의해 안 내되는 용제를 유지하여 용기 내로 비산시킬 수 있도록 형성된 외주면을 구비하는 세정용 지그를 제공한다.

또한, 본 발명의 제2 양태는, 제1 양태의 세정용 지그로서, 상기한 외주면이, 세정용 지그의 외주 가장자리를 따라 형성되는 융기부의 외벽면을 포함하는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제3 양태는, 제1 양태 또는 제2 양태의 세정용 지그로서, 외주면의 하단부가 세정용 지그의 이면과 동일한 높이에 있는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제4 양태는, 제1 양태 내지 제3 양태 중 어느 한 양태의 세정용 지그로서, 외주면의 높이가 2 ㎜∼7 mm의 범위에 있는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제5 양태는, 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 한 양태의 세정용 지그로서, 외주면에 둘레 방향으로 연장되는 홈부를 더 구비하는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제6 양태는, 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 한 양태의 세정용 지그로서, 외주면에 오목부를 더 구비하는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제7 양태는, 제1 내지 제6 중 어느 한 양태의 세정용 지그로서, 세정용 지그의 이면으로부터 표면으로 관통하는 관통 구멍을 더 구비하고, 관통 구멍은 용제가 이면으로부터 표면을 통과하여 외주면에 도달하는 것을 허용하도록 형성되는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제8 양태는, 제1 내지 제7 중 어느 한 양태의 세정용 지그로서, 세정용 지그의 이면으로부터 외주면으로 관통하는 관통 구멍을 더 구비하는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제9 양태는, 제1 내지 제8 중 어느 한 양태의 세정용 지그로서, 기판을 유지하기 위해서 회전 도포 장치에 마련되는 기판 유지부의 크기와 동일하거나 약간 큰 크기를 갖는 판형부와, 전술한 외주면을 포함하고, 판형부와 접속되는 환형부에 의해 구성되는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제10 양태는, 제9 양태의 세정용 지그로서, 상기 판형부가 상기 환형부와 착탈 가능하게 구성되는 세정용 지그를 제공한다.

본 발명의 제11 양태는, 용기 내에 회전 가능하게 유지된 기판 상에 처리액을 적하하고, 이 기판의 회전에 의해 이 기판 상에 처리액의 막을 도포하는 회전 도포 장치를 상기 제1 내지 제8 중 어느 한 양태의 세정용 지그를 이용하여 세정하는 방법으로서, 회전 도포 장치에 구비되는 회전 유지부에 의해 세정용 지그를 회전시키는 단계와, 회전 도포 장치에 구비되는 용제 공급부로부터 세정용 지그의 이면에 용제를 공급하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.

본 발명의 제12 양태는, 제9 양태의 방법으로서, 세정용 지그를 회전시키는 단계가, 세정용 지그의 회전 속도를 변화시키는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.

본 발명의 실시형태에 따르면, 세정용 지그를 비교적 낮은 회전 속도로 회전시키는 경우에도, 용기를 상측부에서 세정하는 것이 가능한 세정용 지그 및 이 세정용 지그를 이용한 세정 방법이 제공된다.

이하, 첨부한 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그를 설명한다. 첨부한 모든 도면 중, 동일하거나 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는 동일하거나 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 도면은 부재 혹은 부품간의 상대비를 나타내는 것을 목적으로 하지 않고, 따라서 구체적인 치수는 이하의 한정적이지 않은 실시형태에 비추어 당업자에 의해 결정되어야 하는 것이다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 세정용 지그는 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼 W」라고 함)의 표면에, 예컨대 레지스트막 등의 막을 스핀 코트하여 현상하는 도포 현상 장치에 적합하게 이용된다.

먼저, 도 1 및 도 2를 참조하면서, 도포 현상 장치(20)에 대해서 설명한다. 도포 현상 장치(20)는 소위, FOUP(Front Opening Universal Pod) 등의 기판 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)를 반입/반출하기 위한 카세트 스테이션(S1)을 갖는다. 카세트 스테이션(S1)은 복수의 웨이퍼 카세트(C)를 놓을 수 있는 적재대(21)와, 이 적재대(21)에 놓여지는 복수의 웨이퍼 카세트(C)에 대응하는 복수의 개폐부(22)와, 웨이퍼 카세트 개폐부(22)를 통과하여 웨이퍼 카세트(C)로부터 또는 웨이퍼 카세트(C)로 웨이퍼를 전달하는 반송 기구(23)(도 2)를 갖는다. 또한, 웨이퍼 카세트(C)는 복수(예컨대 13장)의 웨이퍼를 수납할 수 있다.

또한, 도포 현상 장치(20)는, 카세트 스테이션(S1) 옆에 케이스(24)로 둘러싸인 처리부(S2)를 갖는다. 도 2에 도시된 바와 같이, 처리부(S2)에 있어서는, 선반 유닛(U1), 주반송부(25A), 선반 유닛(U2), 주반송부(25B) 및 선반 유닛(U3)이 이러한 순서로 X 방향을 따라 배치되어 있다.

선반 유닛(U1, U2, U3)의 각각은, 액처리 유닛(U4, U5)(후술)에서 행해지는 처리에 대한 전처리 및 후처리를 행하기 위한 다단(예컨대 10단)의 가열 유닛 또한/또는 냉각 유닛을 구비하고 있다.

또한, 주반송부(25A, 25B)는, 선반 유닛(U1, U2, U3)이나, 도포·현상 유닛을 포함한 여러 가지 처리 유닛 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 선반 유닛(U1, U2, U3) 및 주반송부(25A, 25B) 각각에는 도시 생략된 개구부가 형성되고, 개구부를 통하여 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U1)으로부터 선반 유닛(U3)까지 반송할 수 있다.

반송부(25A)는 선반 유닛(U1), 액처리 유닛(U4) 및 선반 유닛(U2)에 둘러싸이도록 배치되어 있다. 마찬가지로, 반송부(25B)는 선반 유닛(U2), 액처리 유닛(U5) 및 선반 유닛(U3)에 둘러싸이도록 배치되어 있다.

액처리 유닛(U4, U5)은, 도 1에 도시된 바와 같이 레지스트액이나 현상액 등을 수납하는 수납부(29)와, 수납부(29) 위에 배치되고 도포 유닛(COT), 현상 유닛(DEV) 및 반사 방지막 형성 유닛(BARC) 등을 포함하는 복수단(예컨대 5단)의 유닛을 구비한다. 또한, 액처리 유닛(U4)은 3단의 도포 유닛(COT)과 2단의 반사 방지막 형성 유닛(BARC)을 구비하고, 액처리 유닛(U5)은 5단의 현상 유닛(DEV)을 구비하고 있지만, 도포 유닛(COT), 현상 유닛(DEV) 및 반사 방지막 형성 유닛(BARC)의 조합은 도시한 예에 한정되지 않으며, 적절하게 조합되어도 좋다. 또한, 액처리 유닛[U4(U5)] 옆에는, 액처리 유닛에서 사용되는 액의 온도 조절 장치나, 온도 및 습도 조절에 이용되는 덕트 등을 포함하는 온도 및 습도 조정 유닛[27(28)]이 마련되어 있다.

처리부(S2)의 옆에는, 도 1 및 도 2의 X축의 정방향을 따라 인터페이스부(S3)가 마련되고, 처리부(S2)가 카세트 스테이션(S1)과 인터페이스부(S3) 사이에 끼여 있다. 인터페이스부(S3)는 제1 반송실(31)과 제2 반송실(32)을 구비한다. 제2 반송실(32)의 일측면이 제1 반송실(31)에 접속되는 한편, 제2 반송실(32)의 다른 측면은 노광 장치를 포함한 노광부(S4)에 접속되어 있다. 인터페이스부(S3)의 내부에는, 처리부(S2)와 노광부(S4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 2개의 전달부(33, 34)와, 선반 유닛(U6)과, 버퍼 카세트(CO)가 마련되어 있다.

이 도포 현상 장치(20)에 있어서, 웨이퍼는 예컨대 이하와 같이 처리된다. 우선, 웨이퍼(W)가 수납된 기판 카세트(C)가 적재대(21)에 놓여진다. 다음에, 기판카세트(C)의 덮개가 벗겨지고, 이 기판 카세트(C)에 대응하는 개폐부(22)가 열려, 반송 기구(23)에 의해 기판 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 빼낼 수 있다. 그리고, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 1단을 이루는 전달 유닛(도시하지 않음)을 통해 주반송부(25A)에 인도된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 주반송부(25A)에 의해 선반 유닛(U1∼U3) 내의 어느 한 선반으로 반송되며, 전처리로서 예컨대 소수화 처리나 냉각 처리 등이 행해지고, 추가로 도포 유닛(COT)으로 반송되어 레지스트막이 회전 도포된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1∼U3) 중 어느 하나의 선반인 가열 유닛에서 가열되며, 냉각된 후, 선반 유닛(U3)의 전달 유닛을 경유하여, 인터페이스부(S3)에 반입된다. 이 인터페이스부(S3)에 있어서 웨이퍼(W)는, 예컨대 전달부(33)로부터 선반 유닛(U6)과 전달 수단(34)을 통해 노광부(S4)로 반송되어 노광 이 행해진다. 노광 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U3)으로부터 노광부(S4)까지의 반송 경로와 반대의 경로를 통해 선반 유닛(U3)에 복귀되고, 선반 유닛(U3)에서 가열되어 냉각된다. 그 후, 주반송부(25B)에 의해 현상 유닛(DEV)으로 반송되며, 현상 유닛(DEV)에서 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 현상되어 레지스트 마스크가 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 적재대(21) 상의 원래의 기판 카세트(C)로 복귀된다.

다음에, 도포 현상 장치(20)의 도포 유닛(COT)에 대해서 도 3 내지 도 5를 참조하면서 설명한다.

도 3을 참조하면, 도포 유닛(COT)은 예컨대 직방체의 케이스(10)를 갖고 있고, 그 내부에 액처리가 행해지는 처리 공간(10a)이 구획되어 있다. 도포 유닛(COT)은 케이스(10) 내에 처리 대상인 웨이퍼(W)를 유지하는 스핀 척(11)과, 스핀 척(11)에 유지되는 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 적하하는 적하 노즐(15)과, 웨이퍼(W)의 이면에 돌아 들어가는 레지스트 등을 제거하기 위한 백 린스 노즐(14)과, 웨이퍼(W)의 주연부에 도포된 레지스트액을 제거하기 위한 린스 노즐(17)(도 4, 도 5)과, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 비산된 레지스트액이나 레지스트액의 미스트 등을 받기 위한 컵체(2)를 구비하고 있다.

케이스(10)에는, 처리 공간(10a)에 대한 웨이퍼(W)의 반입/반출을 위해 웨이퍼(W) 및 주반송부(25A)가 통과할 수 있는 반입/반출구(10b)가 마련되어 있다.

스핀 척(11)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡인하여 대략 수평으로 유지한다. 또한, 스핀 척(11)은 축부(12)를 통해 구동 기구(스핀 척 모터)(13)에 접속되어 있고, 이 스핀 척 모터(13)에 의해, 유지한 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 또 한, 스핀 척(11)은 상하 방향(도 3 및 도 4의 Z 방향)으로 이동할 수 있다.

적하 노즐(15)은 도시하지 않은 공급 유닛으로부터 송출된 레지스트액을 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W) 표면에 적하한다. 적하 노즐(15)은 베이스(16a)에 지지되어 있고, 이 베이스(16a)는 상하 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 베이스(16a)는 베이스(16a)의 기부(基部)에 마련된 가이드 레일(16b)에 의해 좌우 방향(도 3 및 도 4의 X 방향)으로 이동할 수 있다. 이들 구성에 의해, 적하 노즐(15)은 예컨대 홈 위치[도 4에 도시된 가이드 레일(16b)의 좌단의 위치]로부터 이동하여 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W) 표면의, 예컨대 중앙부와 마주하고, 그 표면에 레지스트액을 적하할 수 있다.

린스 노즐(17)은, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막의 주연부의 박리를 방지하기 위해서, 레지스트막을 제거하는 린스액을 웨이퍼(W) 주연부에 공급한다. 린스 노즐(17)은, 도 5의 측면도에 도시된 바와 같이 대략 Γ형의 형상을 갖고 있고, 구동부(18)에 부착되어 있다. 또한, 린스 노즐(17)은, 내부에 도관을 가지며, 구동부(18)의 내부에 동일하게 마련된 도관을 통해 접속되는 린스액 공급부로부터 린스액을 토출할 수 있다. 린스액으로서는 처리액에 함유된 용제, 예컨대 시너 등을 사용할 수 있다. 또한, 린스 노즐(17)은, 정상시에는 도 4에 이점쇄선으로 나타낸 홈 위치에 있고, 구동부(18)에 의해 구동부(18)를 중심으로 하여 회동할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 에지 린스 중에는, 린스 노즐(17)의 선단부가 웨이퍼(W)의 주연부와 대향하는 위치까지 이동하며, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 린스액을 토출할 수 있다.

또한, 도포 유닛(COT)은 각 기기의 동작을 통괄 제어하는 역할을 수행하는 제어부(6)를 구비하고 있고, 이 제어부(6)에는 스핀 척(11)의 스핀 척 모터(13)나 베이스(16a) 등이 접속되어 있다. 제어부(6)는 구성 요소로서 CPU를 포함하는 예컨대 컴퓨터이어도 좋고, 또한 제어부(6)에는 기억 장치(6a)나 입출력 장치(6b)가 접속되어 있다. 또한, 제어부(6)는, 후술하는 세정 방법을 도포 유닛(COT)에 실행시키기 위한 프로그램에 기초하여 도포 유닛(COT)의 각 기기를 동작시키고, 그 세정 방법을 실시한다. 이 프로그램은 하드디스크, 광 디스크, 자기 디스크, 반도체 메모리 디바이스 등의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체(6c)에 저장되어도 좋고, 소정의 판독 장치에 의해 기억 장치(6a)에 기억되며, 필요에 따라 제어부(6)에 독출된다. 또한, 제어부(6)는 도포 유닛(COT)을 도포 유닛으로서 구비하는 도포 현상 장치(20)의 전체의 동작을 통괄 제어하는 기능도 구비하고 있다.

다음에, 컵체(2)에 대해서 도 3 내지 도 5를 참조하면서 설명한다. 컵체(2)는 웨이퍼(W) 상에 적하되고 웨이퍼(W)의 회전에 의해 비산하는 레지스트액이나 그 미스트를 받아, 도포 유닛(COT) 밖으로 배출한다.

컵체(2)는, 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)로부터 비산된 레지스트액 등의 드레인을 제공하는 베이스부(2a)와, 베이스부(2a)의 외주부에 놓여져 웨이퍼(W)로부터 비산되는 레지스트액 등을 받는 외측컵(2b)과, 베이스부(2a)의 내주부에 놓여져 웨이퍼(W)나 외측컵(2b)으로부터 흘러내리는 레지스트액 등을 베이스부(2a)의 드레인으로 유도하는 내측컵(2c)을 갖는다.

베이스부(2a)의 바닥부에는 드레인 포트(45)와, 배기 포트(46)가 마련되어 있다. 드레인 포트(45)는, 레지스트액 등을 배출하는 드레인관(52)에 접속되고, 외측컵(2b)으로부터 흘러내리는 레지스트액 등이나 내측컵(2c)에 의해 안내되는 레지스트액 등을 배출한다. 배기 포트(46)는, 베이스부(2a)의 바닥부의 상하로 연장되어 하단에 있어서 배기부(도시하지 않음)에 연결되는 배기관(51)에 접속되고, 레지스트액으로부터 증발하는 용매나 레지스트액의 미스트를 배기한다. 도 3 중에 화살표로 도시한 바와 같이, 레지스트액으로부터의 용매나 레지스트의 미스트는, 외측컵(2b)과 내측컵(2c) 사이의 개구부(41a)로부터, 베이스부(2a)의 외벽(24a)과 내측컵(2c)의 유로판(43) 사이의 공간과, 이 유로판(43)과 배기 포트(45)의 상단 사이의 공간을 통과하여 배기 포트(46)에 이르는 기류로를 통해 배기된다. 또한, 케이스(10)의 천장부에는 컵체(2)와 대향하는 필터 유닛(19)이 부착되어 있고, 필터 유닛(19)으로부터 예컨대 청정 공기가 소정 유량으로 공급되고 있다. 필터 유닛(19)으로부터 송출되는 청정 공기는, 도시하지 않은 배기구로부터 배기되어 처리 공간(10a)에 있어서, 다운 플로우가 형성되고, 상기한 기류로를 통해 배기된다. 따라서, 컵체(2) 내부도 또한 청정 환경이 실현되고 있다.

또한, 베이스부(2a)에는, 스핀 척(11)에 의해 유지되는 웨이퍼(W)의 아래쪽에 위치하도록 백 린스 노즐(14)이 마련되어 있다. 백 린스 노즐(14)은, 베이스부(2a)를 관통하는 도관과 솔레노이드 밸브(14a)를 통해 용제 탱크(14b)와 접속되어 있다. 이러한 구성에 따르면, 솔레노이드 밸브(14a)를 개방하고 용제 탱크(14b)를 가압함으로써, 백 린스 노즐(14)로부터 웨이퍼(W)의 이면을 향해 용제를 공급할 수 있다. 또한, 도시한 예에서는, 스핀 척(11)의 축부(12)를 중심으로 하 여 2개의 백 린스 노즐(14)이 있지만, 이것에 한정되지 않고, 3개 이상의 백 린스 노즐(14)을 마련하여도 좋다. 또한, 이 용제로서는, 레지스트에 함유된 용제, 예컨대 시너를 사용할 수 있다.

다음에, 도 6 내지 도 8을 참조하면서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 세정용 지그를 설명한다. 도 6의 (a)는 본 실시형태에 따른 세정용 지그를 도시한 사시도이고, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 I-I선을 따라 취한 단면도의 대략 절반을 확대하여 도시한 도면이다. 도 6의 (a)를 참조하면, 세정용 지그(50)는 전체적으로 원반형의 형상을 갖고 있다. 세정용 지그(50)는, 예컨대 원형의 원판 부재인 중심부(50a)와, 환형의 형상을 가지며, 중심부(50a)에 대하여 착탈 가능하게 접속된 환형부(50b)를 갖고 있다. 중심부(50a)는 도포 유닛(COT)의 스핀 척(11)에 유지될 수 있는 크기, 즉 스핀 척(11)의 직경과 동일하거나 직경보다도 약간 큰 직경을 갖고 있다. 이 때문에, 세정용 지그(50)가 주반송부(25A)(도 2)에 의해 케이스(10)로 반입되어 승강핀(도시하지 않음)에 의해 스핀 척(11)에 전달되었을 때, 세정용 지그(50)는 스핀 척(11)에 의해 중심부(50a)의 이면이 흡착되어 유지된다. 또한, 중심부(50a)는 스핀 척(11)에 의한 진공 흡착에 의해 변형되지 않도록 강고한 재료, 예컨대 유리나 수지, 구체적으로는 폴리옥시메틸렌(POM)으로 제작되는 것이 바람직하다. 또한, 중심부(50a)는 강도를 더욱 높여 흡착에 의한 변형이나 회전시의 왜곡 등을 보다 저감시키기 위해서, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 환형부(50b)보다도 두껍게 형성하여도 좋다.

환형부(50b)는 친수성(린스액에 대하여 젖기 쉬운 성질)을 갖는 재료, 또는 친수성 처리를 행한 재료로, 또한 린스액에 대하여 내식성을 갖는 재료로 제작되는 것이 바람직하고, 예컨대 에폭시수지로 제작된다. 또한, 환형부(50b)는 도포 유닛(COT)으로 처리할 수 있는 웨이퍼(W)의 직경(예컨대 약 300 ㎜)과 거의 동일한 직경을 갖고 있다. 또한, 환형부(50b)의 표면 외주를 따라 환형의 융기부(50d)가 마련되어 있다. 도 6의 (b)를 참조하면, 융기부(50d)는 사변이 중심부(50a)를 향해 경사진 직각 삼각 형상의 단면을 갖고 있다. 도 6의 (b)의 단면도 내에서 융기부(50)의 수직 방향으로 기립한 변은, 환형부(50b)의 외연을 따라 외벽면을 형성하고 있다. 즉, 융기부(50)의 외벽면은 세정용 지그(50)의 외주면(500)의 일부를 형성하고 있다. 이에 따라, 외주면(500)은 환형부(50b)의 두께보다도 높은 높이(h)(도 6의 (b))를 가질 수 있다. 또한, 외주면(500)의 최하단은 환형부(50b)의 이면과 동일한 레벨에 위치하고 있다. 환언하면, 외주면(500)은 환형부(50b)의 이면보다도 낮은 위치로까지 연장되어 있지 않다. 외주면(500)의 높이(h)에 대해서는 후술한다.

또한, 환형부(50b)는, 전술한 바와 같이 친수성을 갖는 재료, 또는 친수성 처리가 행해진 재료로 형성되는 것이 바람직하지만, 친수성 처리는 외주면(500)에 대해서만 행하여도 좋다. 또한, 외주면(500)과 환형부(50b)의 이면에 대하여 친수성 처리를 행하여도 좋다.

또한, 환형부(50b)와 중심부(50a)가 서로 착탈 가능하게 접속되는 것은, 중심부(50a)에 손상 등이 발생했을 경우에도, 중심부(50a)를 교환하는 것만으로, 세정용 지그(50) 전체를 폐기하지 않고 계속해서 사용할 수 있도록 하기 위함이다. 도시한 예에서는, 환형부(50b)는, 내주부에 있어서, 중심부(50a)에 대하여 자유자재로 착탈 가능하게 나사 고정되어 있다. 단, 다른 실시형태에 있어서는, 다른 방법에 의해 서로 착탈 가능하게 접속하여도 좋다. 또한, 중심부(50a)는 원형에 한정되지 않고, 스핀 척(11)에 의해 유지될 수 있는 한, 어떠한 평면 형상을 갖고 있어도 좋다. 이 경우, 환형부(50b)는 환형에 한정되지 않고, 중심부(50a)의 형상에 따른 형상을 가져도 좋다.

세정용 지그(50)는, 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한 도포 현상 장치(20)의 선반 유닛(U1, U2, U3) 내의 정해진 위치, 예컨대 냉각 유닛 상의 공간에 보관할 수 있고, 정해진 보관 장소로부터 주반송부[25A(25B)]를 이용하여 도포 유닛(COT)으로 반송된다.

이하, 도 7 및 도 8을 참조하면서, 본 실시형태에 따른 세정용 지그(50)를 이용한 도포 유닛(COT)의 컵 본체(2)의 세정 방법과, 세정용 지그(50)가 발휘하는 작용에 대해서 설명한다. 도 7은 그 세정 방법을 도시한 흐름도이다. 도 8은 컵체(2)의 세정 중에 있어서, 도포 유닛(COT)과, 도포 유닛(COT)의 스핀 척(11)에 유지된 세정용 지그(50)의 단면을 도시한 모식도이다. 또한, 이 세정 방법은 소정 매수의 웨이퍼에 레지스트를 도포한 후에 정기적으로 행하여도 좋고, 또는 도포 현상 장치(20)에서 처리해야 할 웨이퍼(로트)의 도입 간격이 긴 경우에, 이들 로트 사이에 행하여도 좋다.

우선, 상기한 바와 같이 구성되는 세정용 지그(50)를 주반송부(25A)에 의해 정해진 보관 장소로부터 도포 유닛(COT)의 케이스(10) 내로 반입하고, 도시하지 않은 승강핀에 의해 주반송부(25A)로부터 스핀 척(11) 상으로 세정용 지그(50)를 전달한다. 다음에, 흡인에 의해, 스핀 척(11)에 의해 세정용 지그(50)를 유지한다(단계 S1). 계속해서, 세정용 지그(50)를 제1 회전 속도로 회전시킨다(단계 S2). 제1 회전 속도는 예컨대 약 70 rpm∼약 300 rpm이 좋고, 보다 바람직하게는 약 100 rpm∼약 200 rpm이어도 좋다.

다음에, 백 린스 노즐(14)로부터 용제를 세정용 지그(50)[환형부(50b)]의 이면을 향해 공급한다(단계 S3). 용제의 공급량은 예컨대 약 50 ㎤/분∼약 200 ㎤/분이 좋고, 약 80 ㎤/분∼약 120 ㎤/분이어도 좋다. 백 린스 노즐(14)로부터 세정용 지그(50)의 이면에 도달한 용제는, 도 8에 도시된 바와 같이, 세정용 지그(50)의 회전에 의해 생기는 원심력에 의해 세정용 지그(50)의 외주를 향해 이면에서 흘러, 이면 외주 가장자리(50e)에 도달한다. 이면 외주 가장자리(50e)에 도달한 용제는, 그 용제가 갖는 점성이나 표면 장력에 의해 외주면(500)에 돌아 들어간다. 그리고, 외주면(500)에 돌아 들어간 용제는, 세정용 지그(50)의 회전에 의해 컵체(2)의 외측컵(2b)의 내면을 향해 비산된다. 여기서, 용제는 외주면(500)을 따라 상향으로 돌아 들어가기 때문에, 수평 방향보다도 상향의 앙각(仰角)에서 비산되고, 외측컵(2b)의 내면의 높은 부분에 도달할 수 있다. 그 부분은, 스핀 척(11)에 유지되는 웨이퍼의 높이보다도 높게 할 수 있다. 따라서, 용제는, 외측컵(2b)의 내면을, 레지스트가 부착된 부분보다도 높은 위치로부터 베이스부(2a)의 바닥부까지 흘러, 외측컵(2b)의 내면에 부착된 레지스트액을 씻어낼 수 있다.

또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 용제의 비산 중에는, 백 린스 노즐(14)로부 터 공급되어 외주 가장자리(50e)에 도달하여 외주면(500)에 돌아 들어가는 용제의 유입량과, 외주면(500)으로부터 비산되는 용제의 유출량의 균형을 맞추어 결정되는 소정 양의 용제 집합부(R)가 외주면(500)에 형성된다. 그리고, 그 양은 백 린스 노즐(14)로부터의 용제의 공급량, 용제의 점성 등과, 세정용 지그(50)의 회전 속도뿐만 아니라, 외주면(500)의 높이(h)에 따라서도 변화된다. 적량의 용제 집합부(R)를 형성함으로써, 외측컵(2b)에 대하여 용제를 확실하게 도달시킬 수 있기 때문에, 외주면(500)의 높이(h)를 조정하는 것은 중요하다. 예컨대, 세정용 지그(50)의 외주부가 가장자리를 향해 갈수록 얇아지도록(에지 형상으로) 형성되는 극단적인 경우[외주면(500)의 높이(h)가 거의 0인 경우]에는, 용제 집합부가 형성되지 않게 되어 버린다. 한편, 외주면(500)을 높게 한다고 해도, 용제가 도달할 수 있는 높이의 한도를 넘을 정도로 높게 할 필요는 없다. 또한, 외주면(500)을 과도하게 높게 하면, 세정용 지그(50)를 안정되게 회전시킬 수 없는 사태도 될 수 있다. 따라서, 외주면(500)의 높이(h)는 예비적인 실험을 통해서 결정하는 것이 바람직하다. 본 발명의 발명자들이 행한 검토에 따르면, 외주면(500)의 높이(h)는 약 2 ㎜∼약 7 ㎜가 바람직하고, 약 3 ㎜∼약 5 ㎜이면 더욱 바람직하다.

소정 시간, 외측컵(2b)으로 용제를 비산시킨 후, 회전 속도를 제2 회전 속도까지 저하시킨다(단계 S4). 제2 회전 속도는 예컨대 약 30 rpm∼약 70 rpm이어도 좋다. 이에 따라, 외주면(500)으로부터 비산되는 용제는, 내측컵(2c)의 상면으로 쏟아지게 된다. 따라서, 내측컵(2c)의 상면으로부터 베이스부(2a)의 바닥부까지 용제에 의해 세정된다.

소정 시간, 내측컵(2c)으로 용제를 비산시킨 후, 백 린스 노즐(14)로부터 용제를 공급하는 것을 정지시키고(단계 S5), 세정용 지그(50)의 회전 속도를 높여 세정용 지그(50)를 건조시킨다(단계 S6). 이 후, 세정용 지그(50)의 회전을 정지시키고, 승강핀(도시하지 않음)에 의해 세정용 지그(50)를 들어 올리며, 주반송부(25A)에 의해 세정용 지그(50)를 도포 유닛(COT)으로부터 반출시켜(단계 S7), 정해진 보관 장소로 반송한다.

다음에, 도 9 및 도 10을 참조하면서, 상기한 세정 방법의 실시예와 비교예를 설명한다. 실시예와 비교예에 있어서 사용한 세정용 지그의 구성을 표 1에 나타낸다. 비교예에 있어서의 세정용 지그는 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 융기부(50d)가 없고, 환형부(50b)가 외연까지 일정한 두께를 갖는 점에서 실시예의 세정용 지그(50)와 상이하며, 다른 점에서는 동일하다. 이하, 비교예의 세정용 지그를 설명의 편의상, 세정용 지그(60)라고 기재한다.

	세정용 지그 50	세정용 지그 60
중심부의 재질	POM
중심부의 직경	약 130 ㎜
중심부의 두께	약 5 ㎜
환형부의 두께	약 1 ㎜
환형부의 재질	에폭시 수지
환형부의 외경	약 300 ㎜
외주면의 높이	약 3 ㎜	약 1 ㎜

세정용 지그(50, 60)를 사용하여 상기한 세정 방법에 따라 동일한 컵체(2)를 세정하였다. 양쪽 경우 모두, 컵체(2)에 있어서 1500장의 웨이퍼에 레지스트를 도포한 후에 세정을 행하였다. 또한, 세정용 지그(50, 60)의 회전 속도 등의 세정 조건은 표 2 및 표 3의 도포 유닛(COT)의 레시피에 나타내는 바와 같다. 표 2에 나타내는 실시예에 있어서의 세정 조건과 비교예에 있어서의 세정 조건은 모두, 세정용 지그(50, 60)를 이용하여 컵체(2)를 세정했을 때에 컵체(2)를 충분히 세정할 수 있도록 조정함으로써 정하였다. 세정용 지그(50, 60)를 이용한 세정 전후에 있어서의 컵체(2)의 전형예를 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)에 나타낸다. 도 9의 (a)는 세정 전의 컵체(2)의 내면을 나타내고, 도 9의 (b)는 세정 후의 컵체(2)를 나타내고 있다. 이들 도면에 있어서, 흰 부분은 컵체(2)가 보이고 있는 부분을 나타내고, 검은 부분이 컵체(2)에 부착된 레지스트를 나타내고 있다. 도 9의 (a)와 도 9의 (b)를 비교하면, 실시예 및 비교예 양쪽 모두에 있어서, 세정 후에는 컵체(2)의 거의 전역(全域)이 노출되어 있고, 세정 전에 컵체(2)의 내면에 부착되어 있던 레지스트가 세정에 의해 제거되고 있는 것을 알 수 있다.

	시간 (초)	회전수 (rpm)	가속도 (rpm/s)	비고
1	1.0	150	1000
2	50.0	150	1000	용제 공급
3	50.0	50	1000	용제 공급
4	10.0	2000	1000
5	380.0	0	1000

	시간 (초)	회전수 (rpm)	가속도 (rpm/s)	비고
1	2.0	2000	1000
2	240.0	2000	1000	용제 공급
3	2.0	2000	1000
4	2.0	70	1000
5	240.0	70	1000	용제 공급
6	2.0	70	1000
7	10.0	2000	1000
8	600.0	0	1000

표 2를 참조하면, 실시예에 있어서는, 외측컵(2b)을 세정하는 경우라도 세정용 지그(50)의 회전 속도는 150 rpm이며, 또한 이 회전 속도에 있어서의 세정 시간은 불과 50초이다.

한편, 비교예에 있어서는, 외측컵(2b)의 세정시에는 세정용 지그(60)의 회전 속도는 2000 rpm이며, 세정 시간은 6분이나 필요하다. 이와 같이, 2000 rpm까지 회전 속도를 높이기 위해서, 램프업(ramp up)과 램프다운(ramp down)이 필요하게 되어 더욱 시간이 걸린다.

또한, 비교예에 있어서는, 표 3의 가장 아래 란에 나타낸 바와 같이 600초간, 세정용 지그(60)를 회전시키지 않고 유지하고 있다. 이것은, 스핀들 척(11)의 온도를 상온[또는 회전 도포 장치(20)가 설치되는 환경의 온도]으로 되돌리기 위해서 마련되어 있다. 즉, 2000 rpm이라는 높은 회전 속도로 세정용 지그(60)를 회전시키면, 스핀들 모터(13)가 고온이 되며, 그 영향에 의해 스핀들 척(11)의 온도가 상승하게 된다. 이 직후에 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하면, 레지스트막의 균일성이 악화되기 때문에, 이것을 방지하기 위해 스핀들 척(11)의 온도를 상온으로 되돌릴 필요가 있다.

비교예에서는 600초로 긴 데 비해, 실시예에 있어서의 스핀들 척(11)의 냉각 기간은 380초로 짧다. 이것은, 외측컵(2b)의 세정시의 회전 속도가 150 rpm으로 낮으므로, 스핀들 모터(13)는 그 정도로 고온이 되지 않기 때문이다. 이러한 관점에서도, 실시예에 있어서는 세정에 필요한 시간이 단축된다.

또한, 내측컵(2c)의 세정에 있어서도, 실시예에 있어서는, 비교예에 비하여 낮은 회전 속도, 짧은 시간으로 끝나는 점에도 주목해야 한다.

이상의 결과로부터, 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그(50)에 의하면, 비교적 낮은 회전 속도, 짧은 시간으로 컵체(2)를 세정할 수 있는 것이 분명해졌다. 구체적으로는, 비교예에 있어서는 컵체(2)를 세정하는 데 약 18분이 필요한 데 비해 실시예에 있어서는 약 8분이면 된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따른 세정용 지그(50)에 의하면, 백 린스 노즐(14)로부터 세정용 지그(50)의 이면에 공급된 용제는, 세정용 지그(50)의 회전에 의해 세정용 지그(50)의 외주면(500)을 따라 상향으로 돌아 들어가, 외주면(500)으로부터 컵체(2)를 향해 비산되기 때문에, 세정용 지그(50)의 회전 속도가 비교적 낮은 경우라도, 컵체(2)의 외측컵(2b)의 높은 부분에 도달할 수 있으며, 따라서 외측컵(2b)을 거의 전체에 걸쳐 세정할 수 있다. 또한, 회전 속도를 더욱 낮게 조정함으로써, 내측컵(2c)도 다시 세정할 수 있다.

또한, 세정용 지그(50)는, 서로 나사 고정되는 중심부(50a)와 환형부(50b)로 구성되고, 중심부(50a)의 이면이 스핀 척(11)에 의해 유지된다. 이 때문에, 중심부(50a)를 열용량이 작고 열을 방산하기 쉬운 재료로 형성함으로써, 스핀 척 모터(13)로부터 스핀 척(11)으로 전달되는 열을 신속하게 방산시켜, 스핀 척(11)의 온도 상승을 방지할 수 있다. 따라서, 컵체(2)의 세정 중에, 가령 회전 모터의 온도가 상승했을 경우에도, 스핀 척(11)의 온도를 실온 정도까지 저하시키는 시간을 짧게 할 수 있다. 그 결과, 도포 현상 장치(20)의 다운 타임이 저감되어 스루풋을 향상시킬 수 있다.

이하, 상기한 세정용 지그(50)의 변형예에 대해서 설명한다.

<제1 변형예>

도 10의 (a)는 본 발명의 일 실시형태의 제1 변형예에 따른 세정용 지그를 도시한 단면도이고, 도 10의 (b)는 도 10의 (a)에 있어서의 I-I선을 따라 취한 단면도이다. 도시한 바와 같이, 세정용 지그(51)는 외주면(510)에 원주 방향을 따라 형성된 홈부(511)를 갖고 있다. 홈부(511)에 의해, 외주면(510)에 유지되는 용제 집합부(R)의 양을 증가시킬 수 있고, 외주면(510)으로부터 컵체(2)로 비산되는 용제의 양을 증가시킬 수 있게 된다.

<제2 변형예>

도 11의 (a)는 본 발명의 일 실시형태의 제2 변형예에 따른 세정용 지그를 도시한 사시도이고, 도 11의 (b)는 도 11의 (a)에 있어서의 I-I선을 따라 취한 단면도이다. 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 세정용 지그(52)는, 환형부(52b)에 있어서의 융기부(52e)의 내주를 따라, 소정의 각도 간격으로 복수의 관통 구멍(521)이 형성되어 있다. 관통 구멍(521)은, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이 백 린스 노즐(14)로부터 환형부(52b)의 이면을 따라 흐르는 용제가 환형부(52b)의 표면에 돌아 들어가는 것을 허용한다. 표면에 돌아 들어간 용제는, 융기부(52e)를 넘어서 외주면(520)에 도달한다. 즉, 융기부(52e) 위에서 용제 집합부(R)까지 용제를 공급할 수 있으며, 따라서 외주면(520)으로부터 컵체(2)로 비산되는 용제의 양을 증가시킬 수 있게 된다.

<제3 변형예>

도 12의 (a)는 본 발명의 일 실시형태의 제2 변형예에 따른 세정용 지그를 도시한 사시도이고, 도 12의 (b)는 도 12의 (a)에 있어서의 I-I선을 따라 취한 단면도이다. 도시한 바와 같이, 세정용 지그(53)는, 환형부(53b)의 이면으로부터 융기부(53e)를 관통하고, 외주면(530)에 개구되는 복수의 관통 구멍(531)을 갖고 있다. 복수의 관통 구멍(531)은, 제2 변형예에 따른 세정용 지그(52)의 관통 구멍(521)과 마찬가지로 소정의 각도 간격으로 형성되어 있다. 이 관통 구멍(531)을 통해 백 린스 노즐(14)로부터의 용제를 용제 집합부(R)로 공급할 수 있기 때문에, 외주면(530)으로부터 컵체(2)로 비산되는 용제의 양을 증가시킬 수 있게 된다.

이상, 몇 가지 실시형태 및 변형예를 참조하면서 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되지 않고, 첨부한 특허청구범위 내에서 다양하게 변경할 수 있다.

예컨대, 전술한 실시형태에서는, 세정용 지그(50, 51, 52, 53)의 표면 외연에 융기부(50d, 51d, 52d, 53d)를 마련하여 외주면(500)을 형성하였지만, 세정용 지그(50)의 전체[또는 환형부(50b)]를 두껍게 함으로써 외주면(500)을 형성하여도 좋다. 단, 비교적 얇은 환형부(50b) 등에 융기부(50d) 등을 마련하는 경우는, 세정용 지그(50) 등을 경량화할 수 있고, 모터에 대한 부하를 저감할 수 있는 점에서 바람직하다.

또한, 세정용 지그(50) 등을 중심부(50a) 등과 환형부(50b) 등으로 형성하였지만, 하나의 원반으로 형성하여도 좋은 것은 물론이다.

융기부(50d) 등의 단면 형상(도 6의 (b))은 직각 삼각형에 한정되지 않고, 직사각형이어도 좋으며, 사다리꼴이어도 좋다. 또한, 외주면(500)이 용제를 외주면(500)에 돌아 들어가게 할 수 있도록 형성되는 한, 외주면(500) 이외의 면이 만곡되어 있어도 상관없다.

또한, 세정용 지그(50) 등의 외주면(500) 등은 도시한 예에서는 수직 방향으로 연장되어 있지만, 용제를 외주면(500) 등에 돌아 들어가게 할 수 있고 용제 집합부(R)가 형성되는 한, 경사져 있어도 상관없다.

세정용 지그(51)에 있어서의 홈부(511)는, 도 10에서는 V홈 형상으로 형성되어 있지만, 이것에 한정되지 않고, 오목홈이어도 좋다. 또한, 홈부(511) 대신에, 외주면(510)의 원주 방향을 따라 복수의 오목부를 마련하여도 좋다. 이것에 의해서도, 외주면(510)의 용제 집합부의 양을 증가시킬 수 있다.

제2 변형예에 따른 세정용 지그(52)의 관통 구멍(521)은, 도 11의 (b)에 있어서는, 환형부(52b)의 이면(표면)에 대하여 수직인 방향으로 연장되도록 도시되어 있지만, 경사져 있어도 좋다. 특히, 관통 구멍(521)은, 이면으로부터의 용제를 융기부(52d)를 향해 안내할 수 있도록, 이면으로부터 표면을 향해 갈수록 바깥쪽으로 경사져 있는 것이 바람직하다.

또한, 제1 변형예 내지 제3 변형예 중 2개 또는 3개를 조합하여도 좋다. 즉, 예컨대, 제2 변형예에 따른 세정용 지그(52)의 관통 구멍(521)을 제1 변형예에 따른 세정용 지그(51)에 형성하여도 좋다.

또한, 컵체(2)는 외측컵(2b)과 내측컵(2c) 사이에 중간컵을 갖고 있어도 좋다. 세정용 지그(50)의 회전 속도를 조정함으로써, 중간컵에 부착된 레지스트를 씻어낼 수 있는 것은 물론이다. 또한, 중간컵은, 레지스트액으로부터 증발하는 용매나 레지스트액의 미스트를 전술한 기류로를 통해 배기할 때에, 기류의 방향을 조정하는 역할을 수행하는 것이어도 좋다.

도 7의 흐름도의 각 단계는, 1 또는 2 이상의 별개의 단계 또는 쌍방을 포함하여도 좋다. 따라서, 단계 S1∼S7의 7개의 단계를 기재하고 있다고 해서, 상기한 세정 방법이 7개의 단계에만 한정된다고 이해해서는 안된다.

또한, 단계 S2에 있어서의 제1 회전 속도를, 단계 S4에 있어서의 제2 회전 속도보다 느리게 하여, 외측컵(2b)을 세정하기 전에 내측컵(2c)을 세정하여도 좋다. 또한, 백 린스 노즐(14)로부터 세정용 지그(50) 등의 이면에 용제를 공급하는 단계 S3을 세정용 지그(50) 등의 회전을 시작하는 단계 S2와 동시에 또는 단계 S2보다 전에 행하여도 좋다.

또한, 회전 속도는 사용하는 용제의 점성 등이나 컵체(2)의 형상에 맞추어 조정해야 하는 것은 물론이다.

상기한 실시형태 및 변형예에 있어서의 웨이퍼(W)는 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, FPD 기판이어도 좋은 것은 물론이다. 또한, 본 발명에 따른 세정용 지그 및 세정 방법은, 기판의 표면에 막을 형성하는 도포 장치(도포 유닛)에 한정되지 않고, 현상 처리 장치에 대해서도 적용 가능하다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그가 적합하게 사용되는 도포 현상 장치를 도시한 사시도이다.

도 2는 도 1의 도포 현상 장치의 평면도이다.

도 3은 도 1의 도포 현상 장치에 구비되는 도포 유닛을 도시한 단면도이다.

도 4는 도 3의 도포 유닛의 평면도이다.

도 5는 도 3의 도포 유닛의 린스 노즐을 도시한 측면도이다.

도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그를 도시한 사시도(a) 및 단면도(b)이다.

도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 세정 방법을 도시한 흐름도이다.

도 8은 도포 유닛 세정 중의, 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그를 도시한 모식도이다.

도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그를 이용하여 세정되는 도포 유닛의 용기의 세정 전후를 도시한 도면이다.

도 10은 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그의 변형예를 도시한 사시도(a) 및 단면도(b)이다.

도 11은 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그의 다른 변형예를 도시한 사시도(a) 및 단면도(b)이다.

도 12는 본 발명의 실시형태에 따른 세정용 지그의 또 다른 변형예를 도시한 사시도(a) 및 단면도(b)이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

2 : 컵체

2b : 외측컵

2c : 내측컵

11 : 스핀 척

14 : 백 린스 노즐

10 : 도포 유닛

20 : 도포 현상 장치

50, 51, 52, 53 : 세정용 지그

500, 510, 520, 530 : 외주면

Claims (12)

1. 용기 내에 마련된 기판 유지구에 의해 회전 가능하게 유지된 기판 상에 처리액을 적하하고, 이 기판의 회전에 의해 이 기판 상에 상기 처리액의 막을 도포하는 회전 도포 장치에 있어서 상기 용기의 세정에 사용할 수 있는 세정용 지그로서,

   상기 기판 유지구보다 큰 치수로 형성되며, 이 기판 유지구에 유지되는 중심 부재와,

   상기 중심 부재에 착탈 가능하게 접속되고, 상기 기판과 동일한 직경을 갖는 환형 부재

   를 구비하며,

   상기 환형 부재의 외주부는, 상기 기판 유지구에 의해 회전되면서 세정액이 이면에 대하여 공급되었을 때에, 이 세정액이 상기 이면보다 상향으로 돌아 들어가도록 형성된 외주면을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정용 지그.
2. 제1항에 있어서, 상기 중심 부재는 상기 환형 부재보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 세정용 지그.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중심 부재는 수지에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 세정용 지그.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중심 부재는 유리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 세정용 지그.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 환형 부재는 친수성을 갖는 재료에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 세정용 지그.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 외주면의 높이는 2 ㎜∼7 ㎜의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 세정용 지그.
7. 용기 내에 마련된 기판 유지구에 의해 회전 가능하게 유지된 기판 상에 처리액을 적하하고, 이 기판의 회전에 의해 이 기판 상에 상기 처리액의 막을 도포하는 회전 도포 장치를 제1항 또는 제2항에 기재된 세정용 지그를 이용하여 세정하는 세정 방법으로서,

   상기 세정용 지그를 정해진 보관 장소로부터 꺼내어 상기 기판 유지구에 배치하는 단계와,

   상기 기판 유지구에 의해 상기 세정용 지그를 회전시키는 단계와,

   상기 회전 도포 장치에 구비되는 용제 공급부로부터 상기 세정용 지그의 이면에 용제를 공급하는 단계

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 정해진 보관 장소는 냉각 유닛인 것을 특징으로 하는 세정 방법.
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