JP3909574B2 - レジスト塗布装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理基板の表面に形成されるレジスト膜の膜質を制御可能なレジスト塗布装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウエハの製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ基板等（以下にウエハ等という）の表面に、レジストのパターンを形成するため、フォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術は、ウエハ等の表面にレジスト液を供給（吐出、塗布）してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光工程と、露光後のウエハ等に現像液を供給（吐出、塗布）して現像処理を行う現像工程とを有している。
【０００３】
また、上記処理工程間においては、例えばレジスト塗布工程と露光処理工程との間で行われる、レジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてウエハ等とレジスト膜との密着性を向上させるための加熱処理｛プリベーク（ＰＡＢ）｝や、露光処理工程と現像処理工程との間で行われる、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ：chemically amplified resist）における酸触媒反応を誘起するための加熱処理｛ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）｝や、現像処理工程後に行われる、レジスト中の残留溶剤（残留溶媒）や現像時にレジスト中に取り込まれたリンス液を除去し、ウェットエッチング時の浸み込みを改善するための加熱処理（ポストベーク）等、種々の加熱処理が行われている。
【０００４】
フォトリソグラフィー工程においては、回路パターンや線幅（ＣＤ）の微細化が進むにつれて、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均一性）が厳しく求められており、パターン寸法に大きく影響を与えるとされていた現像工程及びＰＥＢ工程以外に、露光前の工程における線幅変動要因を改善することが求められている。
【０００５】
そこで従来では、ウエハ表面に形成されたレジスト膜の膜厚均一性の向上を図ることにより、線幅変動の改善を行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、レジスト膜の膜厚が均一であっても例えば、レジスト膜に残留する溶剤量等のレジスト構成物の量分布や、レジスト中の保護基の比率分布差、レジスト中のポリマーの集結状態差等、レジスト膜の化学的、物理的性質（以下に膜質という）の差によって線幅が異なる膜質変化起因の線幅変動が確認されるに至り、レジスト膜の膜質均一性を改善することが非常に重要となっている。
【０００７】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、膜質均一性に影響を与える残留溶剤量（残留溶媒量）を制御可能なレジスト塗布装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の第１のレジスト塗布装置は、被処理基板を保持して回転する保持手段と、この保持手段を包囲する処理容器と、上記被処理基板にレジスト液を供給するレジスト液供給手段とを具備するレジスト塗布装置において、上記被処理基板表面の異なる同心円上に向けて、上記レジスト液の溶媒を含む溶剤ガスを供給可能な複数の溶剤ガス供給手段と、上記溶剤ガス供給手段が供給する溶剤ガスの溶剤濃度を調節可能な溶剤濃度調節手段と、上記溶剤ガス供給手段が供給する溶剤ガスの供給量を調節可能な供給量調節手段と、上記溶剤ガスの圧力を調整可能な圧力調整器と、を設けてなり、上記溶剤濃度調節手段は、開閉弁を介して溶剤供給源に接続されると共に、開閉弁を介して不活性ガス供給源に接続され、かつ、溶剤を不活性ガスに揮発させて溶剤ガスを生成可能に形成されていることを特徴とする（請求項１）。ここで、溶剤ガスとは、レジスト液の溶媒（溶剤）を不活性ガスに揮発させたものを意味する。この場合、上記溶剤ガス供給手段は、処理容器内に設けられるか、または、処理容器内に進退可能なノズルアームに設けられる方が好ましい（請求項２，３）。また、溶剤ガス供給手段の被処理基板に対する角度を調節可能に形成する方が好ましい（請求項４）。
【０００９】
また、この発明の第２のレジスト塗布装置は、被処理基板を保持して回転する保持手段と、この保持手段を包囲する処理容器と、上記被処理基板にレジスト液を供給するレジスト液供給手段とを具備するレジスト塗布装置において、上記被処理基板の表面との間に一定の隙間を形成する複数の隙間形成手段と、上記複数の隙間形成手段を、それぞれ上記被処理基板上の半径方向に水平移動可能な位置調整手段と、上記複数の隙間形成手段が形成する隙間の大きさをそれぞれ調整可能な間隔調整手段と、を設けたことを特徴とする（請求項５）。この場合、上記隙間形成手段の温度を調節可能な隙間温度調節手段を設ける方が好ましい（請求項６）。
【００１０】
この発明によれば、被処理基板上の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度を制御することができるので、被処理基板表面の残留溶剤量を均一にすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１はレジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は図１の正面図、図３は図２の背面図である。
【００１３】
上記処理システムは、被処理基板として半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなるこの発明の処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置４０（ＥＸＰ）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００１４】
上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、水平のθ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００１５】
上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図１において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００１６】
この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ２３（処理容器）内でウエハＷをスピンチャック７１（保持手段）｛図４参照｝に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニット、例えばウエハＷの表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）｛レジスト塗布装置｝及びウエハＷの表面に現像液を供給して現像処理を行う現像ユニット（ＤＥＶ）が、垂直方向に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニット例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
【００１７】
図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００１８】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００１９】
なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００２０】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００２１】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央部には、ウエハ搬送アーム３４が配設されている。
【００２２】
ウエハ搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００２３】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム５０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００２４】
次に、上記処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００２５】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００２６】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤（溶媒）を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を受ける。なお、周辺露光装置３３内に膜厚測定器を設けて、定期的にウエハＷの膜厚を測定し、膜厚均一性又は膜質均一性の検査を行うこともできる。
【００２７】
周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接する露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置４０（ＥＸＰ）へ渡される前に、バッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００２８】
露光装置４０（ＥＸＰ）で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００２９】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）処理が施される。
【００３０】
その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なくかけられる。現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００３１】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００３２】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【００３３】
次に、本願発明におけるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）｛レジスト塗布装置｝の構成について説明する。
【００３４】
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、図４に示すように、例えばウエハＷを回転保持するスピンチャック７１（保持手段）と、このスピンチャック７１の外側及び下部側を包囲すると共に、上方部が開口したカップ７２（処理容器）と、スピンチャック７１の上方位置に移動可能であると共に、ウエハＷにレジスト液を供給（吐出、塗布）可能なレジスト液供給ノズル７３（レジスト液供給手段）とで主に構成されている。
【００３５】
スピンチャック７１は例えばポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）製の耐熱性合成樹脂性部材にて形成され、ウエハＷの下面を真空吸着して保持可能な載置部７１ａと、この載置部７１ａの下面中央に突出し、回転駆動手段例えばモータＭに連結される回転軸７１ｂとで構成されている。この場合、モータＭは、例えばサーボモータにて形成されており、予めプログラミングされた信号に基づいて回転数が制御されるようになっている。また、回転軸７１ｂは、図示しない昇降シリンダ等の駆動によって上下方向に移動し、主ウエハ搬送機構２１との間でウエハＷを受渡可能に形成されている。
【００３６】
カップ７２は、例えばステンレス鋼製部材にて形成され、側壁７２ａの上部が上側に向って縮径されたテーパ面７２ｂを有している。
【００３７】
レジスト液供給ノズル７３は、レジスト液供給管路７４を介してレジスト液が貯留されるレジスト液供給源７６に連通されている。また、レジスト液供給管路７４には、レジスト液供給源７６側から順に、開閉弁Ｖ１と、レジスト液を圧送する圧送手段例えばポンプ７５と、ウエハＷの表面に供給するレジスト液の供給量を調節可能なレジスト液供給量調節手段、例えばマスフローコントローラＣ１と、レジスト液供給ノズル７３がレジスト液の供給を停止した際にレジスト液供給ノズル７３の供給部７３ａに残留するレジスト液を吸引し、供給口７３ｂからの液だれを抑制する処理液吸引手段例えばサックバックバルブＳＶとが介設されている。
【００３８】
また、レジスト液供給ノズル７３には、レジスト液の溶剤を供給可能な溶剤供給ノズル７７が隣接位置に一体に形成されている。この溶剤供給ノズル７７は、溶剤供給管路７８を介して溶剤タンク７９に接続されており、溶剤タンク７９内に供給される窒素ガス等の加圧を制御することによって溶剤タンク７９内の溶剤を溶剤供給ノズル７７からウエハＷ表面に供給可能となっている。また、溶剤供給管路７８には、溶剤の供給量を調節可能なマスフローコントローラＣ２と、開閉弁Ｖ２が設けられている。
【００３９】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の動作態様を以下に説明する。
【００４０】
主ウエハ搬送機構２１によってウエハＷが搬入されると、スピンチャック７１は、昇降シリンダによってカップ７２外に上昇し、ウエハＷを真空吸着によって保持する。
【００４１】
次にスピンチャック７１がカップ７２内の所定位置に下降すると、スピンチャック上のウエハＷは、モータの駆動により処理時の定常回転より低速、例えば２００〜８００ｒｐｍに回転され、溶剤供給ノズル７７からウエハＷの表面に溶剤が所定時間、例えば２０秒間供給（滴下、塗布）される。なお、ウエハＷを回転させずに静止した状態で溶剤を供給し、その後に回転してもよい。
【００４２】
このようにして溶剤を供給した後、スピンチャック７１の回転数を上記低速回転数に維持した状態で溶剤の供給を停止する。このとき、溶剤はウエハＷの全面に拡散され塗布される。
【００４３】
次にスピンチャック７１は高速回転、例えば１０００ｒｐｍで回転されると同時に、ウエハＷの中心部上方に移動されたレジスト液供給ノズル７３からレジスト液を例えば５秒間例えば８ｃｃ供給（滴下、塗布）され、レジスト膜が形成される。
【００４４】
この後、ウエハＷ表面に広がったレジスト膜の乾燥を促進させるため、所定の回転数で一定時間ウエハＷを回転（以下に乾燥回転という）させた後、回転を停止してレジスト塗布処理を終了する。レジスト塗布処理が終了すると、スピンチャック７１が上昇し、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２１に受け渡されて次の工程へと搬送される。
【００４５】
以下に、この発明のレジスト塗布装置について、図５ないし図１４を参照して説明する。
【００４６】
◎第一実施形態
この発明の第一実施形態は、上述のように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）において、ウエハＷ表面の異なる同心円上に向けて溶剤ガスを供給（吐出、噴霧）可能な複数の溶剤ガス供給ノズル８０（溶剤ガス供給手段）と、溶剤ガス供給ノズル８０が供給する溶剤ガスの溶剤濃度を調節可能な混合器８５（溶剤濃度調節手段）と、溶剤ガス供給ノズル８０が供給する溶剤ガスの供給量を調節可能な例えばマスフローコントローラＣ３（供給量調節手段）とを設けたものである。
【００４７】
この場合、溶剤ガス供給ノズル８０は、カップ７２内のテーパ面７２ｂに複数、例えば図５に示すように、対向するテーパ面７２ｂにそれぞれ４個ずつ合計８個設けられている。また、各溶剤ガス供給ノズル８０は、ウエハＷ表面の異なる同心円上に向けて溶剤ガスを供給し得るようにそれぞれ角度を調節して設けられている。
【００４８】
混合器８５は、図５に示すように、開閉弁Ｖ３を介して溶剤供給源８３に接続されると共に、開閉弁Ｖ４を介して不活性ガス供給源８４と接続されており、例えば温度調節機能を有するヒータ等（図示せず）によって、溶剤を不活性ガスに安定的に揮発させて溶剤ガスを生成可能に形成されている。また、混合器８５には、溶剤ガスに含まれる溶剤の濃度を調節可能な例えば気化濃度制御弁（図示せず）が設けられており、後述するＣＰＵ１００の制御信号に基づいて、この溶剤ガスに含まれる溶剤の濃度を後述するウエハＷの残留溶剤（残留溶媒）の揮発を制御する所定の濃度に調節することができる。
【００４９】
また、溶剤ガス供給ノズル８０と混合器８５とは、図５に示すように、溶剤ガス供給管路８２によって接続されており、溶剤ガス供給管路８２には、溶剤ガス供給ノズル８０側から順に、溶剤ガスの流量（供給量）を計測可能であると共に、溶剤ガスの供給量（流量）を調節可能なマスフローコントローラＣ３と、溶剤ガスの圧力を調整可能な例えばレギュレータ等の圧力調整器８６が介設されている。
【００５０】
また、開閉弁Ｖ３，Ｖ４、混合器８５、圧力調整器８６、マスフローコントローラＣ３は、それぞれ制御手段例えばＣＰＵ１００と電気的に接続されており、予め求められたウエハＷの残留溶剤量に応じて、溶剤ガスに含まれる溶剤の濃度や溶剤ガスの圧力、溶剤ガスの流量（供給量）等を制御可能に構成されている。
【００５１】
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を、このように構成することにより、例えば、ウエハＷの中心部の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度が、周縁部の残留溶剤の揮発速度より小さい場合には、中心部に溶剤濃度の低い溶剤ガスを供給（噴霧）して、残留溶剤の揮発を促進し、周縁部に溶剤濃度の高い溶剤ガスを供給（噴霧）して、残留溶剤の揮発を抑制することにより、乾燥回転中に揮発する被処理基板上の残留溶剤の揮発速度を調節することができるので、被処理基板表面の残留溶剤量を均一にすることができる。すなわち、膜質均一性を向上することができる。
【００５２】
また、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハＷのレジスト膜中の残留溶剤の揮発速度は乾燥回転中に一定ではなく、時間と共に、すなわち残留溶剤の減少と共に小さくなっていく。
【００５３】
一方、本発明者等が、鋭意研究した結果、乾燥回転後の残留溶剤量がウエハＷの面内で均一な場合には、面内における乾燥回転中の揮発速度、特に乾燥回転初期の揮発速度を、レジストの種類によって異なる一定速度（以下に理想揮発速度という）にした方が、膜質は均一になることが分かった。
【００５４】
したがって、ウエハＷの乾燥回転中に溶剤ガス供給ノズル８０が供給する溶剤ガスの濃度及び供給量を、ＣＰＵ１００によって制御すれば、更に膜質の均一性を向上することができる。
【００５５】
例えば、図６（ａ），（ｂ）に示すように、揮発速度が理想揮発速度（一点鎖線）よりも小さい場合には、溶剤ガス供給ノズル８０がウエハＷの表面に供給する溶剤ガスの溶剤濃度を混合器８５で０％、すなわち不活性ガスのみに調整すると共に、図６（ｃ），（ｄ）の破線で示すように、不活性ガスの供給量をマスフローコントローラＣ３によって調整し、揮発速度を理想揮発速度に近づくように大きくすればよい。
【００５６】
また、図６（ｂ）に示すように、揮発速度が理想揮発速度よりも大きい場合には、溶剤ガス供給ノズル８０がウエハＷの表面に供給する溶剤ガスの溶剤濃度を混合器８５で調整すると共に、図６（ｄ）の実線で示すように、溶剤ガスの供給量をマスフローコントローラＣ３によって調整し、揮発速度を理想揮発速度に近づくように小さくすればよい。
【００５７】
このように構成することにより、乾燥回転初期の揮発速度を理想揮発速度に調整することができるので、膜質均一性を更に向上することができる。
【００５８】
なお、上記説明では、溶剤ガス供給ノズル８０をカップ７２内のテーパ面７２ｂに設ける場合について説明したが、溶剤ガス供給ノズル８０を設ける位置はこれに限らず、カップ７２の内外に進退移動可能なノズルアーム８８に複数設けるようにしてもよい（図７参照）。
【００５９】
この場合、ノズルアーム８８は、カップ７２上を水平移動可能な例えばモータとボールねじ機構等により構成される移動手段（図示せず）と、カップ７２上で昇降移動可能な例えばエアシリンダ等の昇降手段（図示せず）とで構成すればよい。
【００６０】
また、溶剤ガス供給ノズル８０に、その角度を調節可能な角度調節手段を設ければ、ウエハＷの種類（形状、大きさ等）又はレジスト液の種類、あるいは乾燥回転中のウエハＷの残留溶剤の量に応じて、溶剤ガス供給ノズル８０の角度を変えて、処理することができる。
【００６１】
次に、溶剤ガス供給ノズル８０をノズルアーム８８に設けた場合のレジスト膜形成方法について、図７を参照して説明する。
【００６２】
まず、カップ７２内へウエハＷを搬入する際には、ノズルアーム８８は、主ウエハ搬送機構２１との干渉を避けるため、カップ７２外へ一時待機させておき、スピンチャック７１を上昇させてウエハＷを主ウエハ搬送機構２１から受け取る。スピンチャック７１は、受け取ったウエハＷを吸着保持した後、カップ７２内へ下降する｛図７（ａ）｝。
【００６３】
次に、レジスト液供給ノズル７３がウエハＷの上方に移動され、ウエハＷ表面にレジスト液が供給されると共に、スピンチャック７１が回転されてレジスト膜が形成される｛図７（ｂ）｝。
【００６４】
レジスト膜が形成されると、レジスト液供給ノズル７３は、ウエハＷの上方から図示しない待機位置に移動され、スピンチャック７１が、乾燥回転を開始する。乾燥回転が開始すると、ノズルアーム８８はウエハＷの上方へ移動される｛図７（ｃ）｝。
【００６５】
乾燥回転中に、各溶剤ガス供給ノズル８０は、ＣＰＵ１００の制御信号に基づいて、ウエハＷ表面の異なる同心円上に向けて、それぞれ異なる溶剤濃度の溶剤ガスを供給（吐出、噴霧）し、ウエハＷの残留溶剤の揮発速度を制御する｛図７（ｄ）｝。
【００６６】
乾燥処理が終了すると、ノズルアーム８８はカップ７２外へ退避された後｛図７（ｅ）｝、ウエハＷの縁部裏面がリンス処理される。
【００６７】
その後、スピンチャック７１が上昇し、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２１によってレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）外へ搬出され、レジスト塗布処理が終了する。
【００６８】
◎第一参考実施形態
この発明の第一参考実施形態は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）において、スピンチャック７１の上方に、異なる同心円上で下面側の厚さが異なる天板９０を設けて、残留溶剤の揮発速度を制御するようにした場合である。
【００６９】
例えば、乾燥回転中におけるウエハＷの周縁部の残留溶剤の揮発速度が、中心部の残留溶剤の揮発速度より大きい場合には、図８に示すように、スピンチャック７１に保持されるウエハＷ上に、下面に向かって拡開するテーパ凹状部を有するウエハＷと略同形の天板９０を、ウエハＷの上方に近接させて設ければよい。
【００７０】
天板９０をこのように構成すれば、ウエハＷの周縁部上方の空間が狭くなるため、揮発した溶剤が拡散し難く、処理雰囲気中の溶剤濃度が高くなり溶剤の揮発速度が抑制される。一方、ウエハＷの中心部ではウエハＷ上の空間が広いため、揮発した溶剤は拡散し易く、処理雰囲気中の溶剤濃度はそれ程高くならないため、残留溶剤の揮発速度は抑制されない。したがって、ウエハＷの中心部と周縁部の揮発速度を調節して、ウエハＷ表面の残留溶剤量を均一にすることができる。
【００７１】
なお、天板９０は、カップ７２の内外に進退移動可能な天板搬送アームに取り外し可能に設けてもよいし、カップ７２に蓋体を設けて、その蓋体の下面に取り外し可能に設けてもよい。
【００７２】
この場合、天板９０は、上記第一実施形態のノズルアーム８８に保持される溶剤ガス供給ノズル８０の場合と同様に、レジスト塗布後の乾燥回転中に、カップ７２内のウエハＷの上方に移動され、所定時間の乾燥回転後、カップ７２外へ退避させられる。
【００７３】
また、天板９０は、断面が下面に向かって拡開するテーパ凹状に形成されるものに限らず、例えば、下面側が断面階段状で中心部が最も薄く形成される天板９１｛図９（ａ）｝とすることも可能である。また、乾燥回転中におけるウエハＷの中心部の残留溶剤の揮発速度が、周縁部の残留溶剤の揮発速度より大きい場合には、断面が下面側に縮径するテーパ凸状に形成される天板９２｛図９（ｂ）｝とするか、又は、下面側が断面階段状で中心部が最も厚い天板９３｛図９（ｃ）｝とすることもできる。また、レジスト膜の残留溶剤量又は揮発速度の状況に応じて、その他の種々の形状、例えば図９（ｄ）に示す天板９４のような形状にすることも勿論可能である。
【００７４】
また、天板９０に天板用昇降手段を設けて、天板９０を昇降可能に形成し、乾燥回転中に天板９０とウエハＷとの距離を調整すれば、更に確実に揮発速度を制御することができる。
【００７５】
また、天板９０に例えばヒータ等の天板温度調節手段を設けて、天板の異なる同心円上の温度を調節可能に形成すれば、更に確実にウエハＷの中心部と周縁部の揮発速度を制御することができる。
【００７６】
◎第二参考実施形態
この発明の第二参考実施形態は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）において、スピンチャック７１の上方に、異なる同心円上で開孔率が異なる天板９５を設けて、残留溶剤の揮発速度を制御するようにした場合である。
【００７７】
例えば、乾燥回転中におけるウエハＷの中心部の残留溶剤の揮発速度が、周縁部の残留溶剤の揮発速度より小さい場合には、図１０に示すように、中心部から順番に開口率の高い、例えば開口率が１０〜４０％程度の多孔質材９５ａ，９５ｂを用い、周縁部には例えばアルミニウムやステンレス等の開口率が０％の金属９５ｃを用いた天板９５を、スピンチャック７１に保持されるウエハＷ上に設ければよい。
【００７８】
このように天板９５を構成することにより、ウエハＷの中心部上方では、多孔質材９５ａ，９５ｂの開口率が高いので、揮発した溶剤は多孔質材９５ａ，９５ｂを透過して拡散することができるのに対し、周縁部上方では、揮発した溶剤は金属９５ｃによって遮断されるため、処理雰囲気中の溶剤濃度が高くなる。したがって、ウエハＷの中心部と周縁部とで揮発速度を調節して、ウエハＷ表面の残留溶剤量を均一にすることができる。
【００７９】
なお、上記説明では、天板９５を多孔質材と金属で形成する場合について説明したが、天板９５はこれに限らず、例えばアルミニウムやステンレス等の金属製の天板９５に、溶剤蒸気（溶媒蒸気）が通過可能な通気孔を複数設け、異なる同心円上で通気孔の数や大きさを異ならせたものを用いることも可能である。
【００８０】
また、天板９５の開口率は、残留溶剤の揮発速度に応じて、自由に変更可能であり、例えば乾燥回転中におけるウエハＷの中心部の残留溶剤の揮発速度が、周縁部の残留溶剤の揮発速度より大きい場合には、中心部の開口率を周縁部の開口率より小さく形成することも可能である。
【００８１】
更に、天板９５の形状を、異なる同心円上で下面側の厚さが異なるように形成すれば、第一参考実施形態と同様に、ウエハＷ上方の空間の大きさを変えて、残留溶剤の揮発速度を制御することができるという効果が得られる｛図１０（ｂ）参照｝。また、第一参考実施形態と同様に、天板９５に天板用昇降手段や天板温度調節手段を設けることも勿論可能である。
【００８２】
◎第二実施形態
この発明の第二実施形態は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）において、ウエハＷ上に一定の隙間を形成する複数のブロック１１０（隙間形成手段）と、ブロック１１０を、それぞれウエハＷ上の半径方向に水平移動可能なブロック用アーム１１１（位置調整手段）と、ブロック１１０が形成する隙間の大きさをそれぞれ調整可能なブロック用昇降手段１１２（間隔調整手段）とを設けて、残留溶剤の揮発速度を制御するようにした場合である。
【００８３】
ブロック１１０は、図１１、図１２に示すように、例えば下面がウエハＷ表面と平行な円柱状に形成されており、乾燥回転中にウエハＷと一定の隙間を保つことにより残留溶剤の揮発を抑制することができる。なお、ブロック１１０は、例えばアルミニウムやステンレス等の材料によって形成される。
【００８４】
ブロック用昇降手段１１２は、図１１に示すように、ウエハＷがスピンチャック７１に保持される際に干渉しない位置に、例えば等間隔に４個設けられ、例えばモータとボールねじ機構等により構成される昇降手段（図示せず）の駆動によりブロック１１０を昇降し、ブロック１１０の下面とウエハＷの表面が形成する隙間の間隔を調整することができるように構成されている。
【００８５】
ブロック用アーム１１１は、図１１に示すように、一端がブロック１１０を保持可能に形成されると共に他端がブロック用昇降手段１１２の上部に接続され、回転手段例えばモータ等（図示せず）の駆動により、ブロック用アーム１１１をウエハＷの半径方向に水平移動可能に形成される。また、ブロック用アーム１１１は、回転時にスピンチャックの回転中心上をブロック１１０が通過可能な長さに形成されている。
【００８６】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を用いた処理方法について説明する。
【００８７】
まず、レジスト液供給ノズル７３がレジスト液の供給を開始する前においては、図１２（ａ）に示すように、ブロック１１０は、ウエハＷ外周の待機位置において、ウエハＷ表面から３０ｍｍ程度上方の位置に待機している。
【００８８】
次に、レジスト液供給ノズル７３がレジスト液の供給を開始しすると、ブロック用アーム１１１は、図１２（ｂ）に示すように、回転手段の駆動により所定の角度だけ回転し、ブロック１１０をウエハＷ上方の所定位置に移動する。
【００８９】
ブロック１１０が所定位置に移動すると、ブロック用昇降手段１１２は、図１２（ｃ）に示すように、ブロック１１０を下降して、ブロック１１０の下面とウエハＷ表面との間に所定間隔、例えば０．３〜３ｍｍの隙間を形成するように調整する。
【００９０】
所定時間が経過すると、ブロック１１０は、ブロック用アーム１１１によって次の位置まで移動されると共に、ブロック用昇降手段１１２の駆動により隙間の大きさを調整される。
【００９１】
このようにして、レジスト液の塗布処理中又は乾燥回転中に、複数のブロック１１０を種々の位置に移動した後、最終的に待機位置に戻して、レジスト塗布処理を終了する。
【００９２】
このように構成することにより、乾燥回転中のウエハＷ表面に形成される隙間の位置及び大きさを変えて残留溶剤の揮発速度を制御することができるので、ウエハＷ表面の残留溶剤量を均一にすることができる。
【００９３】
なお、ブロック１１０に、例えば１５〜３０℃に温調された水等を流すことが可能な温調水管路を螺旋状に設ければ、ブロック１１０の温度を調節することができ、更に確実に残留溶剤の揮発を制御することができる。
【００９４】
また、上記説明では、ブロック１１０の形状を円柱状にしたものについて説明したが、ブロック１１０の形状はこれに限らず、ウエハＷ上に一定の隙間を形成するものであれば、例えば四角柱や半球状等に形成することも可能である。
【００９５】
◎第三参考実施形態
この発明の第三参考実施形態は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）において、複数の領域に分割され、ウエハＷ表面に向けて清浄なエアを供給可能な空気清浄手段１２０と、空気清浄手段１２０が供給するエアの温度を、各領域ごとに調節可能な複数の温調器（エア温度調節手段）と、ウエハＷの異なる同心円上の表面近傍の温度を検出可能な複数の熱電対１２２（温度検出手段）と、熱電対１２２が検出した検出信号に基づいて、温調器を制御するＣＰＵ１００（制御手段）とを設けて、残留溶剤の揮発速度を制御するようにした場合である。
【００９６】
空気清浄手段１２０は、図１３に示すように、異なる同心円上の複数の領域、例えば３つの領域１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃに分割されており、パーティクル等を除去可能な例えばＵＬＰＡフィルタ等によって、清浄なエアをウエハＷ表面に供給可能に形成されている。
【００９７】
また、図１３に示すように、空気清浄手段１２０の各領域１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは、それぞれエア供給管路１２４ａ，１２４ｂ，１２４ｃを介してエア供給源１２６に接続されており、例えばファンやポンプ等のエア供給手段１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃによって、各領域１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃに所定量のエアを供給可能に形成されている。
【００９８】
また、エア供給管路１２４ａ，１２４ｂ，１２４ｃには、領域１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃとエア供給手段１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃとの間に、それぞれ温調器１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃが設けられており、後述するＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて、エアの温度をそれぞれ調節可能に形成されている。
【００９９】
熱電対１２２は、図１３に示すように、スピンチャック７１に保持されるウエハＷの半径方向に延びる熱電対搬送アーム１２３に複数、例えば３つ設けられ、ウエハＷの異なる同心円上の表面近傍、例えばウエハＷ表面から２〜３ｍｍ程度の高さ位置の温度を検出可能に形成されている。
【０１００】
また、熱電対１２２は、後述するＣＰＵ１００と電気的に接続されており、検出した温度をＣＰＵ１００に伝達可能に形成されている。
【０１０１】
また、熱電対搬送アーム１２３は、カップ７２を貫挿して設けられており、例えばモータとボールねじ機構等により構成される駆動手段によって、ウエハＷ上方を半径方向に水平移動可能に構成されている。
【０１０２】
熱電対搬送アーム１２３を、このように構成することにより、ウエハＷの搬入・搬出時には、図１４（ａ）に示すように、ウエハＷと熱電対搬送アーム１２３とが干渉しない位置、例えば熱電対搬送アーム１２３の先端が、スピンチャック７１に保持されるウエハＷの外周より外側の位置まで退避させることができ、また、レジスト塗布処理時には、図１４（ｂ）に示すように、熱電対搬送アーム１２３の先端が、スピンチャック７１に保持されるウエハＷの中心上方の位置に水平移動することができる。
【０１０３】
ＣＰＵ１００は、熱電対１２２が検出した検出信号と、予め記憶された溶剤の揮発速度と温度との相関情報とに基づいて、温調器１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃを制御可能に形成されている。
【０１０４】
上記のように構成することにより、空気清浄手段１２０の各領域１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃが供給するエアの温度によって、ウエハＷ表面の異なる同心円上で揮発速度を制御することができるので、均一な膜質のレジスト膜を形成することができる。
【０１０５】
なお、空気清浄手段１２０に、例えばモータとボールねじ機構等によって構成される空気清浄手段用昇降手段を設けて、レジスト塗布処理時に空気清浄手段１２０を昇降可能とすれば、更に確実にウエハＷ表面の温度を調整して、揮発速度を制御することができる。
【０１０６】
なお、上記実施形態では、被処理基板が半導体ウエハの場合について説明したが、ウエハ以外の例えばＬＣＤ基板やフォトマスク用のレチクル基板等においてもこの発明が適用できることは勿論である。
【０１０７】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、被処理基板上の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度を制御することができるので、被処理基板表面の残留溶剤量を均一にすることができる。したがって、パターン線幅を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係るレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】 上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図３】 上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図４】 この発明のレジスト塗布装置の主要部を示す概略構成図である。
【図５】 この発明の第一実施形態のレジスト塗布装置を示す概略構成図である。
【図６】 この発明の第一実施形態のレジスト塗布装置を用いた処理方法を説明するグラフである。
【図７】 この発明におけるノズルアームの動作態様を説明する概略説明図である。
【図８】 この発明の第一参考実施形態のレジスト塗布装置を示す概略構成図である。
【図９】 この発明の第一参考実施形態における天板の形状を示す断面図である。
【図１０】 この発明の第二参考実施形態のレジスト塗布装置を示す概略構成図である。
【図１１】 この発明の第二実施形態のレジスト塗布装置を示す概略構成図である。
【図１２】 この発明の第二実施形態のレジスト塗布装置を用いた処理方法を説明する概略構成図である。
【図１３】 この発明の第三参考実施形態のレジスト塗布装置を示す概略構成図である。
【図１４】 この発明の第三参考実施形態における熱電対搬送アームの動作態様を示す概略構成図である。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
Ｖ３ 開閉弁（供給量調節手段）
７１ スピンチャック（保持手段）
７２ カップ（処理容器）
７３ レジスト液供給ノズル（レジスト液供給手段）
８０ 溶剤ガス供給ノズル（溶剤ガス供給手段）
８５ 混合器（溶剤濃度調節手段）
８８ ノズルアーム
９０，９１，９２，９３，９４ 天板
９５ 天板
１００ ＣＰＵ（制御手段）
１１０ ブロック（隙間形成手段）
１１１ ブロック用アーム（位置調整手段）
１１２ ブロック用昇降手段（間隔調整手段）
１２０ 空気清浄手段
１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ 領域
１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ 温調器（エア温度調節手段）
１２２ 熱電対（温度検出手段）

Claims (6)

1. 被処理基板を保持して回転する保持手段と、この保持手段を包囲する処理容器と、上記被処理基板にレジスト液を供給するレジスト液供給手段とを具備するレジスト塗布装置において、
   上記被処理基板表面の異なる同心円上に向けて、上記レジスト液の溶媒を含む溶剤ガスを供給可能な複数の溶剤ガス供給手段と、
   上記溶剤ガス供給手段が供給する溶剤ガスの溶剤濃度を調節可能な溶剤濃度調節手段と、
   上記溶剤ガス供給手段が供給する溶剤ガスの供給量を調節可能な供給量調節手段と、
   上記溶剤ガスの圧力を調整可能な圧力調整器と、を設けてなり、
   上記溶剤濃度調節手段は、開閉弁を介して溶剤供給源に接続されると共に、開閉弁を介して不活性ガス供給源に接続され、かつ、溶剤を不活性ガスに揮発させて溶剤ガスを生成可能に形成されていることを特徴とするレジスト塗布装置。
2. 請求項１記載のレジスト塗布装置において、
   上記溶剤ガス供給手段は、処理容器内に設けられることを特徴とするレジスト塗布装置。
3. 請求項１記載のレジスト塗布装置において、
   上記溶剤ガス供給手段は、処理容器内に進退移動可能なノズルアームに設けられることを特徴とするレジスト塗布装置。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載のレジスト塗布装置において、
   上記溶剤ガス供給手段の被処理基板に対する角度を調整可能に形成してなることを特徴とするレジスト塗布装置。
5. 被処理基板を保持して回転する保持手段と、この保持手段を包囲する処理容器と、上記被処理基板にレジスト液を供給するレジスト液供給手段とを具備するレジスト塗布装置において、
   上記被処理基板の表面との間に一定の隙間を形成する複数の隙間形成手段と、
   上記複数の隙間形成手段を、それぞれ上記被処理基板上の半径方向に水平移動可能な位置調整手段と、
   上記複数の隙間形成手段が形成する隙間の大きさをそれぞれ調整可能な間隔調整手段と、
   を設けたことを特徴とするレジスト塗布装置。
6. 請求項５記載のレジスト塗布装置において、
   上記隙間形成手段の温度を調節可能な隙間温度調節手段を設けたことを特徴とするレジスト塗布装置。

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