JPH05166712A - 回転塗布方法 - Google Patents
回転塗布方法Info
- Publication number
- JPH05166712A JPH05166712A JP33506191A JP33506191A JPH05166712A JP H05166712 A JPH05166712 A JP H05166712A JP 33506191 A JP33506191 A JP 33506191A JP 33506191 A JP33506191 A JP 33506191A JP H05166712 A JPH05166712 A JP H05166712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- air flow
- humidity
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の回転半径方向に複数区分した領域ごと
に、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流を
基板に供給することによって、均一な薄膜を形成する回
転塗布方法に関する。 【構成】 気流供給ダクト装置３０は、ウエハ１の表面
上の比較的中心部に気流を供給する円筒状の中心部気流
供給ダクト９と、ウエハ１の表面上の比較的周辺部に気
流を供給する周辺部気流供給ダクト１１とを備えてい
る。そして、中心部気流供給ダクト９と周辺部気流供給
ダクト１とから、温度と湿度が異なるように制御された
気流をそれぞれウエハ１に供給して均一な厚さの薄膜を
形成する。
に、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流を
基板に供給することによって、均一な薄膜を形成する回
転塗布方法に関する。 【構成】 気流供給ダクト装置３０は、ウエハ１の表面
上の比較的中心部に気流を供給する円筒状の中心部気流
供給ダクト９と、ウエハ１の表面上の比較的周辺部に気
流を供給する周辺部気流供給ダクト１１とを備えてい
る。そして、中心部気流供給ダクト９と周辺部気流供給
ダクト１とから、温度と湿度が異なるように制御された
気流をそれぞれウエハ１に供給して均一な厚さの薄膜を
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ、液晶表
示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板、フォト
マスク用ガラス基板といった各種の基板に、フォトレジ
スト材、ＳＯＧ材、ド−パント材といった塗布液を塗布
する回転塗布方法に関し、特に、基板の上方から清浄な
空気等の気流を供給して薄膜の厚さを均一にする回転塗
布方法に関する。
示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板、フォト
マスク用ガラス基板といった各種の基板に、フォトレジ
スト材、ＳＯＧ材、ド−パント材といった塗布液を塗布
する回転塗布方法に関し、特に、基板の上方から清浄な
空気等の気流を供給して薄膜の厚さを均一にする回転塗
布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、基板に塗布液を回転塗布する
際には、基板の周辺の環境条件（温度や湿度や風速等）
をできるだけ均一にするのが一般的な傾向である。しか
し、単に基板の周辺の環境条件を均一にしても、実際に
は基板の回転中では、基板の中心部と周辺部とで風切り
の程度が異なるので、基板表面上において必ずしも環境
条件は一定ではない。このため、基板表面の比較的周辺
部では塗布液の溶剤成分が揮発し易く、結果的に粘度の
高い塗布液を供給したような状況であるから、拡散流動
性が下がって遠心力で振り切られる作用が低下して、周
辺部で膜が厚くなることがある。また、ある場合には、
同じように拡散流動性が下がっても遠心力で飛散してい
る塗布液が基板の周辺部にある塗布液を強く引っ張っ
て、逆に周辺部で膜が薄くなることもある。
際には、基板の周辺の環境条件（温度や湿度や風速等）
をできるだけ均一にするのが一般的な傾向である。しか
し、単に基板の周辺の環境条件を均一にしても、実際に
は基板の回転中では、基板の中心部と周辺部とで風切り
の程度が異なるので、基板表面上において必ずしも環境
条件は一定ではない。このため、基板表面の比較的周辺
部では塗布液の溶剤成分が揮発し易く、結果的に粘度の
高い塗布液を供給したような状況であるから、拡散流動
性が下がって遠心力で振り切られる作用が低下して、周
辺部で膜が厚くなることがある。また、ある場合には、
同じように拡散流動性が下がっても遠心力で飛散してい
る塗布液が基板の周辺部にある塗布液を強く引っ張っ
て、逆に周辺部で膜が薄くなることもある。
【０００３】特に、最近では、半導体ウエハの８インチ
化等の基板の大口径化に伴って、基板の周辺の環境条件
を均一にするだけでは、均一な厚さの薄膜を形成するこ
とがますます困難になってきている。
化等の基板の大口径化に伴って、基板の周辺の環境条件
を均一にするだけでは、均一な厚さの薄膜を形成するこ
とがますます困難になってきている。
【０００４】そこで、膜厚を均一にする方法としては、
基板の上方からの気流の流量を制御することによって均
一な膜厚を形成するもの（特開昭６３−７２３７３号公
報）が提案されている。これは、基板の周囲を覆うカッ
プ内に、基板の上方を覆うように円錐台状のガイド手段
を設けて気流を複数に分割し、それぞれの気流の流量を
流量調節手段で制御することによって、流量を基板の回
転半径方向に異なるように気流を供給して、基板全面に
均一な膜厚を形成しようとしている。
基板の上方からの気流の流量を制御することによって均
一な膜厚を形成するもの（特開昭６３−７２３７３号公
報）が提案されている。これは、基板の周囲を覆うカッ
プ内に、基板の上方を覆うように円錐台状のガイド手段
を設けて気流を複数に分割し、それぞれの気流の流量を
流量調節手段で制御することによって、流量を基板の回
転半径方向に異なるように気流を供給して、基板全面に
均一な膜厚を形成しようとしている。
【０００５】また、他の従来例としては、特開昭６２−
２２５２６８号公報記載の技術が知られている。この技
術は、一旦基板に供給された洗浄ガスを独立に排気する
方向と排気量とを制御する排気構造を設けることによっ
て、膜厚の均一性を向上しようとするものである。
２２５２６８号公報記載の技術が知られている。この技
術は、一旦基板に供給された洗浄ガスを独立に排気する
方向と排気量とを制御する排気構造を設けることによっ
て、膜厚の均一性を向上しようとするものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の塗布方法にあっては、次のような問題点を有
している。
うな従来の塗布方法にあっては、次のような問題点を有
している。
【０００７】即ち、従来の技術は、気流を複数に分割し
それぞれの気流の流量を制御したり、あるいは、独立に
気流の排気方向と排気量とを制御しているが、実際には
均一な膜厚を形成するように意図した通り気流の流量や
排気量を制御することは難しい。これは、基板上では流
量や排気量の制御された複数の異なる気流が互いに影響
を受けあって、気流の流量や排気量の制御が基板の表面
に及ばないのが原因となっている。その結果、基板の回
転半径方向に流量や排気量を違えた気流を供給するだけ
では、均一な膜厚を形成することが困難であるという問
題がある。
それぞれの気流の流量を制御したり、あるいは、独立に
気流の排気方向と排気量とを制御しているが、実際には
均一な膜厚を形成するように意図した通り気流の流量や
排気量を制御することは難しい。これは、基板上では流
量や排気量の制御された複数の異なる気流が互いに影響
を受けあって、気流の流量や排気量の制御が基板の表面
に及ばないのが原因となっている。その結果、基板の回
転半径方向に流量や排気量を違えた気流を供給するだけ
では、均一な膜厚を形成することが困難であるという問
題がある。
【０００８】本発明は、このような従来の問題点を解決
するためになされたものであって、基板の回転半径方向
に、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流を
基板に供給することによって、均一な薄膜を形成する回
転塗布方法を提供することを目的とする。
するためになされたものであって、基板の回転半径方向
に、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流を
基板に供給することによって、均一な薄膜を形成する回
転塗布方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る回転塗布方法は、基板を回転すること
によって、基板へ供給した塗布液で基板上で薄膜を形成
する回転塗布方法において、基板の回転中心に対して同
心円状に複数分割した給気口を有する分割給気手段によ
って、基板の回転半径方向に同心円状に複数区分した領
域ごとに、温度と湿度の双方が異なるように制御された
気流を基板に供給するようにしている。
に、本発明に係る回転塗布方法は、基板を回転すること
によって、基板へ供給した塗布液で基板上で薄膜を形成
する回転塗布方法において、基板の回転中心に対して同
心円状に複数分割した給気口を有する分割給気手段によ
って、基板の回転半径方向に同心円状に複数区分した領
域ごとに、温度と湿度の双方が異なるように制御された
気流を基板に供給するようにしている。
【００１０】
【作用】本発明に係る回転塗布方法によれば、分割供給
手段が基板の回転中心に対して同心円状に複数分割した
給気口から、基板の回転半径方向に複数区分した領域ご
とに、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流
を基板に供給するので、膜厚の均一性を向上させること
ができる。すなわち、通常大気開放系の雰囲気でその全
圧は大気圧であるから、ここで仮に複数区分された給気
口のある部分において、気流の湿度を高く、即ち水蒸気
圧を高くすると、そのような気流に触れる基板上の領域
では、基板の周囲は大気圧に開放された状態にあるの
で、塗布液が親水性であろうと親油性であろうと、その
溶剤成分の蒸気分圧が下がる。他方、仮に給気流の湿度
を低くすると、塗布液の溶剤成分の蒸気分圧が上がる。
手段が基板の回転中心に対して同心円状に複数分割した
給気口から、基板の回転半径方向に複数区分した領域ご
とに、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流
を基板に供給するので、膜厚の均一性を向上させること
ができる。すなわち、通常大気開放系の雰囲気でその全
圧は大気圧であるから、ここで仮に複数区分された給気
口のある部分において、気流の湿度を高く、即ち水蒸気
圧を高くすると、そのような気流に触れる基板上の領域
では、基板の周囲は大気圧に開放された状態にあるの
で、塗布液が親水性であろうと親油性であろうと、その
溶剤成分の蒸気分圧が下がる。他方、仮に給気流の湿度
を低くすると、塗布液の溶剤成分の蒸気分圧が上がる。
【００１１】また、給気口のある部分において、仮に給
気流の温度を高くすると、そのような気流に触れる基板
上の領域では、基板上の塗布液の溶剤成分の蒸気分圧は
上がり、仮に給気流の温度を低くすると、塗布液の溶剤
成分の蒸気分圧は下がる。
気流の温度を高くすると、そのような気流に触れる基板
上の領域では、基板上の塗布液の溶剤成分の蒸気分圧は
上がり、仮に給気流の温度を低くすると、塗布液の溶剤
成分の蒸気分圧は下がる。
【００１２】このため、複数区分された給気口のある部
分において、温度と湿度の双方を給気口の他の部分と異
なるように制御された気流を供給することにより、従来
例とと比較して、そのような気流に触れる基板上の領域
では、塗布液の溶剤成分が気化する程度に変わり、基板
上のその領域での塗布液の流動性を他の領域と均一に、
あるいは、意図的に違うようにできる。
分において、温度と湿度の双方を給気口の他の部分と異
なるように制御された気流を供給することにより、従来
例とと比較して、そのような気流に触れる基板上の領域
では、塗布液の溶剤成分が気化する程度に変わり、基板
上のその領域での塗布液の流動性を他の領域と均一に、
あるいは、意図的に違うようにできる。
【００１３】そこで、複数区分された給気口のある部分
において、温度と湿度の双方を給気口の他の部分と違え
ることによって、塗布液の流動性が不均一であることに
よる膜厚の不均一を塗布液の流動性を均一にすることで
解消することはもとより、流動性以外の要素による膜厚
の不均一も、その要素を打ち消すように意図的に塗布液
の流動性を操作することで解消される。
において、温度と湿度の双方を給気口の他の部分と違え
ることによって、塗布液の流動性が不均一であることに
よる膜厚の不均一を塗布液の流動性を均一にすることで
解消することはもとより、流動性以外の要素による膜厚
の不均一も、その要素を打ち消すように意図的に塗布液
の流動性を操作することで解消される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図１は、本発明に係る回転塗布方法に用い
る第１の回転塗布装置の断面図である。この回転塗布装
置は、塗布装置本体２０と気流供給ダクト装置３０とか
ら主に構成されている。
て説明する。図１は、本発明に係る回転塗布方法に用い
る第１の回転塗布装置の断面図である。この回転塗布装
置は、塗布装置本体２０と気流供給ダクト装置３０とか
ら主に構成されている。
【００１５】塗布装置本体２０は、半導体ウエハ１（以
下単にウエハと記す）を支持するスピンチャック２と、
ウエハ１を数千回転で回転させるためのスピンドル３
と、ウエハ１の下方で気流を整える整流手段４と、ウエ
ハ１を周囲から覆うように構成しているカップ５と、こ
のカップ５内の気流を排気するための排気手段（図示せ
ず）に連通している排気口６とを備えている。スピンチ
ャック２の上方には、フォトレジスト等の塗布液供給用
のノズル（図示せず）が吐出口を下向きにした状態で配
置され、このノズルは、ウエハ１上に塗布液を塗布する
ときにはウエハ１の上方に移動し、塗布しないときには
カップ５の側方上の場所に退避するようになっている。
下単にウエハと記す）を支持するスピンチャック２と、
ウエハ１を数千回転で回転させるためのスピンドル３
と、ウエハ１の下方で気流を整える整流手段４と、ウエ
ハ１を周囲から覆うように構成しているカップ５と、こ
のカップ５内の気流を排気するための排気手段（図示せ
ず）に連通している排気口６とを備えている。スピンチ
ャック２の上方には、フォトレジスト等の塗布液供給用
のノズル（図示せず）が吐出口を下向きにした状態で配
置され、このノズルは、ウエハ１上に塗布液を塗布する
ときにはウエハ１の上方に移動し、塗布しないときには
カップ５の側方上の場所に退避するようになっている。
【００１６】一方、塗布装置本体２０の上方には、ウエ
ハ１の上面に気流を複数に分割して供給する気流供給ダ
クト装置３０が設けられている。この気流供給ダクト装
置３０は、ウエハ１の表面上の比較的中心部に気流を供
給する円筒状の中心部気流供給ダクト９と、この中心部
気流供給ダクト９の外側に同心円状に形成されていると
共にウエハ１の表面上の比較的周辺部に気流を供給する
周辺部気流供給ダクト１１とを備えている。
ハ１の上面に気流を複数に分割して供給する気流供給ダ
クト装置３０が設けられている。この気流供給ダクト装
置３０は、ウエハ１の表面上の比較的中心部に気流を供
給する円筒状の中心部気流供給ダクト９と、この中心部
気流供給ダクト９の外側に同心円状に形成されていると
共にウエハ１の表面上の比較的周辺部に気流を供給する
周辺部気流供給ダクト１１とを備えている。
【００１７】中央部気流供給ダクト９は、第１温度・湿
度調整ユニット７に連通されており、このユニット９で
空調された気流は、パンチングプレート８を通過して第
１給気口１０から主にウエハ１の中心部に向かって供給
される。中央部気流供給ダクト９内に設けられているパ
ンチングプレート８は、中央部気流供給ダクト９から気
流をむらなく供給するための流体抵抗の役割をしてい
る。また、周辺部気流供給ダクト１１は、第２温度・湿
度調整ユニット１２に連通されており、上記の第１温度
・湿度調整ユニット７で空調された気流とは温度と湿度
の双方が異なるように気流を空調している。そして、こ
の空調された気流は、スリット１３を通過して第２給気
口１４から主にウエハ１の周辺部に向かって供給され
る。このスリット１３は、第２給気口１４において、第
２温度・湿度調整ユニット１２との連通部に近い辺りだ
けが強く給気されることがないように、周辺部気流供給
ダクト１１内の気流を律速して、第２給気口１４の開口
全面から、なるべく均一に供給できるように設けられて
いるものである。
度調整ユニット７に連通されており、このユニット９で
空調された気流は、パンチングプレート８を通過して第
１給気口１０から主にウエハ１の中心部に向かって供給
される。中央部気流供給ダクト９内に設けられているパ
ンチングプレート８は、中央部気流供給ダクト９から気
流をむらなく供給するための流体抵抗の役割をしてい
る。また、周辺部気流供給ダクト１１は、第２温度・湿
度調整ユニット１２に連通されており、上記の第１温度
・湿度調整ユニット７で空調された気流とは温度と湿度
の双方が異なるように気流を空調している。そして、こ
の空調された気流は、スリット１３を通過して第２給気
口１４から主にウエハ１の周辺部に向かって供給され
る。このスリット１３は、第２給気口１４において、第
２温度・湿度調整ユニット１２との連通部に近い辺りだ
けが強く給気されることがないように、周辺部気流供給
ダクト１１内の気流を律速して、第２給気口１４の開口
全面から、なるべく均一に供給できるように設けられて
いるものである。
【００１８】さらに、上記のように構成された気流供給
ダクト装置３０をウエハ１の上方と上方以外の場所とに
移動させる移動手段（図示せず）が設けられている。こ
の移動手段は、ウエハ１に気流を供給するときは気流供
給ダクト装置３０をウエハ１の上方に移動し、供給しな
いときはウエハ１の上方以外の場所に退避させるように
なっている。
ダクト装置３０をウエハ１の上方と上方以外の場所とに
移動させる移動手段（図示せず）が設けられている。こ
の移動手段は、ウエハ１に気流を供給するときは気流供
給ダクト装置３０をウエハ１の上方に移動し、供給しな
いときはウエハ１の上方以外の場所に退避させるように
なっている。
【００１９】なお、第１温度・湿度調整ユニット７及び
第２温度・湿度調整ユニット１２で空調されている気流
は、それぞれ温度と湿度の双方が異なるように制御され
ているが、供給される気流の温度は２０〜３０℃、湿度
は４０〜５０％ＲＨ（相対湿度）の範囲で、流速は０．
数m/min(数十cm/min) 程度にしておくのが望ましい。
第２温度・湿度調整ユニット１２で空調されている気流
は、それぞれ温度と湿度の双方が異なるように制御され
ているが、供給される気流の温度は２０〜３０℃、湿度
は４０〜５０％ＲＨ（相対湿度）の範囲で、流速は０．
数m/min(数十cm/min) 程度にしておくのが望ましい。
【００２０】次に上記第１の回転塗布装置を用いた本発
明に係る回転塗布方法を説明する。まず、スピンドル３
を始動させる前に、図示しない搬送手段によりウエハ１
を回転塗布装置内に搬入し、スピンチャック２上に載置
して真空吸着等を行って、保持する。そして、ノズルを
ウエハ１の上方に移動させる。このとき、気流供給ダク
ト装置３０はカップ５の側方上の位置か、ウエハ１の搬
入やノズル移動が可能な程度にカップ５の上方の場所に
退避している。
明に係る回転塗布方法を説明する。まず、スピンドル３
を始動させる前に、図示しない搬送手段によりウエハ１
を回転塗布装置内に搬入し、スピンチャック２上に載置
して真空吸着等を行って、保持する。そして、ノズルを
ウエハ１の上方に移動させる。このとき、気流供給ダク
ト装置３０はカップ５の側方上の位置か、ウエハ１の搬
入やノズル移動が可能な程度にカップ５の上方の場所に
退避している。
【００２１】この状態で、ノズルの吐出口より所定量の
塗布液をウエハ１上に塗布し、その後すぐにノズルはウ
エハ１上方から退避する。あるいは、先にスピンドル３
を作動させてウエハ１を比較的低速（例えば、１０００
ｒｐｍ以下）で回転しながら塗布液を供給し、その後す
ぐにノズルを基板１の上方から退避させる。その後、退
避していた気流供給ダクト装置３０は移動手段によりウ
エハ１の上方に移動し、さらに、ウエハ１の表面上約２
０ｍｍまで降下する。
塗布液をウエハ１上に塗布し、その後すぐにノズルはウ
エハ１上方から退避する。あるいは、先にスピンドル３
を作動させてウエハ１を比較的低速（例えば、１０００
ｒｐｍ以下）で回転しながら塗布液を供給し、その後す
ぐにノズルを基板１の上方から退避させる。その後、退
避していた気流供給ダクト装置３０は移動手段によりウ
エハ１の上方に移動し、さらに、ウエハ１の表面上約２
０ｍｍまで降下する。
【００２２】次いで、ウエハ１の回転半径方向に同心円
状に複数区分した領域ごとに、温度と湿度の双方を違え
た気流を供給する。例えば、ウエハ１の中心部と比較し
てウエハ１の周辺部では溶剤成分の気化し易い場合に
は、第１と第２の両温度・湿度調整ユニット間での相対
比較において、あらかじめ、第１温度・湿度調整ユニッ
ト７で高温で湿度の低い気流を空調し、また第２温度・
湿度調整ユニット１２で低温で湿度の高い気流をそれぞ
れ空調しておき、その空調した気流をウエハ１の中心部
と周辺部にそれぞれ供給する。そうすると、ウエハ１の
全面に渡って塗布液からの溶剤成分の気化が均一にな
る。一方、ウエハ１に供給された気流の大部分は、排気
手段により排気口６から排気される。
状に複数区分した領域ごとに、温度と湿度の双方を違え
た気流を供給する。例えば、ウエハ１の中心部と比較し
てウエハ１の周辺部では溶剤成分の気化し易い場合に
は、第１と第２の両温度・湿度調整ユニット間での相対
比較において、あらかじめ、第１温度・湿度調整ユニッ
ト７で高温で湿度の低い気流を空調し、また第２温度・
湿度調整ユニット１２で低温で湿度の高い気流をそれぞ
れ空調しておき、その空調した気流をウエハ１の中心部
と周辺部にそれぞれ供給する。そうすると、ウエハ１の
全面に渡って塗布液からの溶剤成分の気化が均一にな
る。一方、ウエハ１に供給された気流の大部分は、排気
手段により排気口６から排気される。
【００２３】なお、第１給気口１０と第２給気口１４と
から供給する気流は、温度と湿度の双方ともウエハ１ま
で流れる間に多少混じり合うので第１給気口１０と第２
給気口１４の境界直下において、ウエハ１上の塗布液の
膜厚が急に変化することはない。また、従来の技術のよ
うに円錐台状のガイド手段で気流の流量を制御する手段
では、流量が違う気流どうしの境界にて気流が乱れるこ
とにより膜厚の不均一を生じる等のように、違えること
による不都合を生じるおそれがあるが、温度と湿度の双
方が異なるように制御する本発明では、気流の乱れを生
じるおそれがない。
から供給する気流は、温度と湿度の双方ともウエハ１ま
で流れる間に多少混じり合うので第１給気口１０と第２
給気口１４の境界直下において、ウエハ１上の塗布液の
膜厚が急に変化することはない。また、従来の技術のよ
うに円錐台状のガイド手段で気流の流量を制御する手段
では、流量が違う気流どうしの境界にて気流が乱れるこ
とにより膜厚の不均一を生じる等のように、違えること
による不都合を生じるおそれがあるが、温度と湿度の双
方が異なるように制御する本発明では、気流の乱れを生
じるおそれがない。
【００２４】以上が本発明に係る回転塗布方法であり、
塗布液からの溶剤成分の気化が均一になった結果、膜厚
はウエハ１の全面に渡って均一になる。なお、上記本実
施例は、塗布液をウエハ１上に塗布した後に気流を供給
するような工程で説明したが、常時、ウエハ１に温度と
湿度の双方を違えた気流を供給する場合には、気流供給
ダクト装置３０を移動手段で移動させる必要はなく、ウ
エハ１の上方であってノズルが移動する空間より上方
に、気流供給ダクト装置３０を固定した状態で設けてお
けばよい。
塗布液からの溶剤成分の気化が均一になった結果、膜厚
はウエハ１の全面に渡って均一になる。なお、上記本実
施例は、塗布液をウエハ１上に塗布した後に気流を供給
するような工程で説明したが、常時、ウエハ１に温度と
湿度の双方を違えた気流を供給する場合には、気流供給
ダクト装置３０を移動手段で移動させる必要はなく、ウ
エハ１の上方であってノズルが移動する空間より上方
に、気流供給ダクト装置３０を固定した状態で設けてお
けばよい。
【００２５】また、本発明に係る回転塗布方法に用いる
回転塗布装置は、種々の装置が考えられる。図２は、本
発明に係る回転塗布方法に用いる第２の回転塗布装置の
断面図である。第１の回転塗布装置と異なる点は、中心
部気流供給ダクト９と周辺部気流供給ダクト１１との間
に気流排気ダクト１６を設けている点である。そして、
この回転塗布装置でも、第１の回転塗布装置を用いた回
転塗布方法と同じように、ウエハ１の回転半径方向に同
心円状に複数区分された領域ごとに、温度と湿度の双方
が異なるように制御された気流を供給する。しかし、ウ
エハ１に供給された気流の大部分は排気口６から排気さ
れるが、気流の一部が図示しない排気手段によって、排
気口１８から気流排気ダクト１６内に設けられているス
リット１７とダンパ１５とを介して排気される。なお、
ダンパ１５は排気流を調節するために、また、スリット
１７は排気流を律速するためにそれぞれ設けられている
ものである。
回転塗布装置は、種々の装置が考えられる。図２は、本
発明に係る回転塗布方法に用いる第２の回転塗布装置の
断面図である。第１の回転塗布装置と異なる点は、中心
部気流供給ダクト９と周辺部気流供給ダクト１１との間
に気流排気ダクト１６を設けている点である。そして、
この回転塗布装置でも、第１の回転塗布装置を用いた回
転塗布方法と同じように、ウエハ１の回転半径方向に同
心円状に複数区分された領域ごとに、温度と湿度の双方
が異なるように制御された気流を供給する。しかし、ウ
エハ１に供給された気流の大部分は排気口６から排気さ
れるが、気流の一部が図示しない排気手段によって、排
気口１８から気流排気ダクト１６内に設けられているス
リット１７とダンパ１５とを介して排気される。なお、
ダンパ１５は排気流を調節するために、また、スリット
１７は排気流を律速するためにそれぞれ設けられている
ものである。
【００２６】図３は、本発明に係る回転塗布方法に用い
る第３の回転塗布装置の断面図である。第１の回転塗布
装置と異なる点は、中央部気流供給ダクト９の代わり
に、第１温度・湿度調整ユニット７で空調された気流を
塗布装置本体２０全体に気流を供給する気流供給ダクト
１９と、塗布装置本体２０を周囲から覆う円筒部材２１
と、を設けている点である。そして、この回転塗布装置
では、第１温度・湿度調整ユニット７で空調された気流
がパンチングプレ−ト８を通過してウエハ１全体に供給
され、第２温度・湿度空調ユニット１２で空調された気
流はスリット１３を介して、ウエハ１上の中心部と周辺
部との境界の平面視で環状の領域に供給している。
る第３の回転塗布装置の断面図である。第１の回転塗布
装置と異なる点は、中央部気流供給ダクト９の代わり
に、第１温度・湿度調整ユニット７で空調された気流を
塗布装置本体２０全体に気流を供給する気流供給ダクト
１９と、塗布装置本体２０を周囲から覆う円筒部材２１
と、を設けている点である。そして、この回転塗布装置
では、第１温度・湿度調整ユニット７で空調された気流
がパンチングプレ−ト８を通過してウエハ１全体に供給
され、第２温度・湿度空調ユニット１２で空調された気
流はスリット１３を介して、ウエハ１上の中心部と周辺
部との境界の平面視で環状の領域に供給している。
【００２７】いずれの回転塗布装置を用いた回転塗布方
法でも、第１の回転塗布装置を用いた場合と同様に、膜
厚は基板全面に渡って均一になる。
法でも、第１の回転塗布装置を用いた場合と同様に、膜
厚は基板全面に渡って均一になる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の回転半径方向に同心円状に複数区分した領域ごと
に、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流を
供給するので、基板の全面に渡って塗布液からの溶剤成
分の気化が均一になり、あるいは、膜厚を不均一にする
何等かの要素を打ち消すように意図的に溶剤成分の気化
を高めることや低くすることができ、この結果、基板上
に均一な厚さの薄膜を形成することができる。
基板の回転半径方向に同心円状に複数区分した領域ごと
に、温度と湿度の双方が異なるように制御された気流を
供給するので、基板の全面に渡って塗布液からの溶剤成
分の気化が均一になり、あるいは、膜厚を不均一にする
何等かの要素を打ち消すように意図的に溶剤成分の気化
を高めることや低くすることができ、この結果、基板上
に均一な厚さの薄膜を形成することができる。
【図１】本発明に係る回転塗布方法を用いた第１の回転
塗布装置の断面図を示す。
塗布装置の断面図を示す。
【図２】本発明に係る回転塗布方法に用いた第２の回転
塗布装置の断面図を示す。
塗布装置の断面図を示す。
【図３】本発明に係る回転塗布方法に用いた第３の回転
塗布装置の断面図を示す。
塗布装置の断面図を示す。
１ ウエハ ７ 第１温度・湿度調整ユニット ９ 中央部気流供給ダクト １０ 第１給気口 １１ 周辺部気流供給ダクト １２ 第２温度・湿度調整ユニット １４ 第２給気口 ２０ 塗布装置本体 ３０ 気流供給ダクト装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】このため、複数区分された給気口のある部
分において、温度と湿度の双方を給気口の他の部分と異
なるように制御された気流を供給することにより、他の
部分と異ならせない場合と比較して、そのような気流に
触れる基板上の領域では、塗布液の溶剤成分が気化する
程度が変わり、基板上のその領域での塗布液の流動性
を、他の領域と均一に、あるいは意図的に違うようにで
きる。
分において、温度と湿度の双方を給気口の他の部分と異
なるように制御された気流を供給することにより、他の
部分と異ならせない場合と比較して、そのような気流に
触れる基板上の領域では、塗布液の溶剤成分が気化する
程度が変わり、基板上のその領域での塗布液の流動性
を、他の領域と均一に、あるいは意図的に違うようにで
きる。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を回転することによって、基板へ供
給した塗布液で基板上に薄膜を形成する回転塗布方法に
おいて、基板の回転中心に対して、同心円状に複数分割
した給気口を有する分割給気手段によって、基板の回転
半径方向に複数区分した領域ごとに、温度と湿度の双方
が異なるように制御された気流を基板に供給することを
特徴とする回転塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33506191A JPH05166712A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 回転塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33506191A JPH05166712A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 回転塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166712A true JPH05166712A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18284322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33506191A Pending JPH05166712A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 回転塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166712A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP2001291660A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成方法及び膜形成装置 |
| JP2003209036A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
| JP2005161245A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | 膜形成方法、膜形成装置及び素子 |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6982102B2 (en) | 2000-10-10 | 2006-01-03 | Tokyo Electron Limited | Coating unit and coating method |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| WO2007069728A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Limited | 塗布装置及び塗布方法 |
| US7364771B2 (en) | 2003-03-06 | 2008-04-29 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method and apparatus for production of fluorine-containing polyimide film |
| US20120234356A1 (en) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| KR20210046116A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP33506191A patent/JPH05166712A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370728B1 (ko) * | 1994-10-27 | 2003-04-07 | 실리콘 밸리 그룹, 인크. | 기판을균일하게코팅하는방법및장치 |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP2001291660A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成方法及び膜形成装置 |
| US6982102B2 (en) | 2000-10-10 | 2006-01-03 | Tokyo Electron Limited | Coating unit and coating method |
| JP2003209036A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
| US7364771B2 (en) | 2003-03-06 | 2008-04-29 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method and apparatus for production of fluorine-containing polyimide film |
| JP2005161245A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | 膜形成方法、膜形成装置及び素子 |
| JP4495955B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2010-07-07 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 膜形成方法、膜形成装置及び素子 |
| JP2007189185A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| WO2007069728A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Limited | 塗布装置及び塗布方法 |
| TWI423303B (zh) * | 2005-12-15 | 2014-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating apparatus and coating method |
| US20120234356A1 (en) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| JP2012195444A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
| KR101464613B1 (ko) * | 2011-03-16 | 2014-11-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 |
| US9305767B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-04-05 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| KR20210046116A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11923212B2 (en) | 2019-10-17 | 2024-03-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6511540B1 (en) | Spin coating spindle and chuck assembly | |
| US5705223A (en) | Method and apparatus for coating a semiconductor wafer | |
| US7553374B2 (en) | Coating treatment apparatus and coating treatment method | |
| US5762709A (en) | Substrate spin coating apparatus | |
| US6168660B1 (en) | Spin coating bowl | |
| JP3276449B2 (ja) | 回転塗布方法 | |
| US20060127575A1 (en) | Substrate coating unit and substrate coating method | |
| US5254367A (en) | Coating method and apparatus | |
| US5769945A (en) | Spin coating bowl exhaust system | |
| JPH05166712A (ja) | 回転塗布方法 | |
| JPH11165114A (ja) | 枚葉式基板処理装置 | |
| US6716285B1 (en) | Spin coating of substrate with chemical | |
| WO2019105405A1 (zh) | 涂胶装置及方法 | |
| JP5098791B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法並びに記憶媒体 | |
| JPS62214621A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH11151462A (ja) | 回転塗布方法及び回転塗布装置 | |
| JP2004128214A (ja) | 回転塗布装置および回転塗布方法 | |
| JPH07308625A (ja) | 基板の回転塗布装置 | |
| JPH02133916A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP2005000726A (ja) | 回転塗布装置および回転塗布方法 | |
| JPH04302414A (ja) | 塗布機 | |
| JPH02149367A (ja) | スピン塗布装置 | |
| JPH09260276A (ja) | 塗布方法および塗布装置 | |
| JPS6372373A (ja) | 回転塗布機 | |
| JP2002263558A (ja) | 塗布方法 |