JPS63229169A - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

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JPS63229169A
JPS63229169A JP6104387A JP6104387A JPS63229169A JP S63229169 A JPS63229169 A JP S63229169A JP 6104387 A JP6104387 A JP 6104387A JP 6104387 A JP6104387 A JP 6104387A JP S63229169 A JPS63229169 A JP S63229169A
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JP
Japan
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filter
wafer
center
periphery
coating
Prior art date
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Pending
Application number
JP6104387A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Miyazaki
功 宮崎
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、塗布技術、特に、被塗布物を処理容器内に収
容した状態で塗布材を塗布する技術に関し、例えば、電
子装置の製造において、ウェハ上にレジストを塗布する
のに利用して有効な技術に関する。
〔従来の技術〕
電子装置の製造において、ウェハ上にレジストを塗布・
する塗布装置として、処理容器の内部に設けた回転可使
なスピンヘッド上にウェハを載せて保持せしめ、ウェハ
を回転させながらレジスト液をウェハの表面上に供給し
てレジストを塗布するように構成されているものがある
(特公昭53−37189号公報参照)。
このレジスト塗布袋fiにおいては、高速回転時にレジ
スト液がウェハの周方に飛散した後、処理容器の内周面
に衝突して、はね返ることによりウェハに再付着する危
険がある。
そこで、ウェハの内周面を下向きに傾斜させるとともに
、ウェハの周辺空間に下向きの排気流を形成せしめるこ
とにより、はね返った飛沫がウェハに再付着しないよう
に排出させている。
なお、スピンナ塗布技術を述べである例としては、株式
会社工業調査会発行「電子材料1986年11月号別冊
」昭和61年11月18日発行P97〜P100.があ
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このようなレジスト塗布装置においては、ウェハ上方か
らの気流については何らの配慮もなされずに、排気力に
よって生成される自然気流力1ウェハに接触することに
なるため、ウェハの中央部での接触風量が少なく、周辺
部でのそれが多くなり、その結果、周辺部での塗布材の
溶剤蒸発が促進されることにらり、周辺部の膜厚が厚く
なるという問題点があることが、本発明者によって明ら
かにされた。
本発明の目的は、塗布膜の膜厚分布を中央部から周辺部
にわたって全体的に均一化することができる塗布技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、被塗布物の真上に気流制御用フィルタを配設
するとともに、このフィルタは制御風量がその中央部で
大きく、周辺部で小さくなるように構成したものである
〔作用〕
前記した手段によれば、被塗布物に供給される気流はフ
ィルタによって、その流量が中央部で大きく、周辺部で
小さくなるように制御されるため、被塗布物に塗布され
た塗布膜に接触する流量は全体にわたつて略均等化され
ることになる。なぜなら、中央部に供給された風量の大
部分は周辺部を通過して被塗布物の外方へ流れて行くた
め、風量が少ない周辺部が風量が多い中央部の風量によ
り補充されることになるからである。
塗布膜に接触する風量が均等化されることにより、塗布
材中の溶剤蒸発量も全体にわたって均等化されるため、
塗布膜の膜厚分布は全体にわたって均一化されることに
なる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例であるレジスト塗布装置を示
す縦断面図、第2図は気流制御用フィル7タを示す平面
図、第3図および第4図はその作用を説明するための各
膜厚分布図である。
本実施例において、このレジスト塗布装置は処理容器1
を備えており、この容器lは上下面がそれぞれ開口され
た略円筒形状に形成されている。
処理容器1の下側開口には、上面が閉塞された略円筒形
状の底板2が同心円に配設されており、底板2にはサー
ボモータ等のような適当な駆動装置4によって回転され
る回転軸3が、中心線上に配されて挿入されている。処
理容器l内における回転軸3の上端にはスピンヘッド5
が水平回転し得るように配されて固着されており、スピ
ンヘッド5は被塗布物としてのウェハ6を真空吸着によ
って保持し得るように構成されている。底板2の回転軸
3周りには給気ロアが複数、スピンヘッド5の裏面に向
けて気流を供給し得るように開設されており、底板2の
円筒形状部外問と、処理容器1内周との間には円形環帯
中空形状の排気口8が実質的に構成されている。
他方、処理容11の上側開口部には傾斜面部9が上方す
ぼまりに形成されており、この傾斜面部9の傾斜角度は
後述するようにウェハ6の周縁から飛来したレジスト液
の飛沫がウェハ6の方向へはね返らさないように設定さ
れている。
処理容器lの上側開口には略円形リング形状に形成され
たカバーIOが同心的に配されて、相対的に上下移動し
得るように設備されている。カバー10には略円盤形状
の中空体に形成されているフィルタユニット12が嵌入
されており、フィルタユニット12には、塗布材として
のレジスト液17を滴下するための滴下管16が同心的
に配されて、垂直下向きに挿入されている。このユニッ
ト12における中空部はバッファ部13を実質的に形成
するようになっており、その下壁には気流制御用フィル
タ11が構成されている。
すなわち、ユニット12の上壁には給気口14が複数個
、上方空間とバッファ部13とを連通させるように開設
されており、ユニット12の下壁には吹出口15が複数
個、バッファ部13と下方空間とを連通させるように開
設されている。第2図に示されているように、この気流
制御用フィルタ11における吹出口15群は互いに同径
の円形小孔に形成されており、これら小孔群は周辺部に
行くしたがってそのピッチが次第に大きくなって行く同
心円上において、周方向に略等間隔放射状に配されて開
設されている。したがって、吹出口15群の開口面積は
中央部で大きく、周辺部で小さくなるように設定されて
いる。つまり、吹出口15群から吹き出される気流の風
量は中央部で大きく、周辺部で小さく制御されることに
なる。
次に作用を説明する。
被塗布物としてのウェハ6はスピンヘッド5上に載せら
れて真空吸着等のような適当な手段により保持された後
、駆動装置4により回転軸3を介して回転される。この
回転が安定したところで、滴下管16からレジスト液1
7がウェハ6の中心上に滴下されると、レジスト液17
は遠心力によって放射方向に拡散するため、ウェハ6の
表面には塗布1ff18が形成されることになる。
このとき、第1図に実線矢印でそれぞれ示されているよ
うに、ウェハ1の周方においては排気口8の方向に垂直
下向きに流れる気流A1が、ウェハ6の裏面においては
給気ロアから排気口8の方向にウェハ6の裏面に沿うて
径方向外向きに流れる気流A!が、また、ウェハ6の表
面においてはフィルタユニット12の吹出口15群から
排気口8の方向にウェハ表面に緩やかに吹きつけられた
後、径方向外向きに流れる気流A3がそれぞれ形成され
ている。
ここで、フィルタユニット12における吹出口15群か
らの吹出流は、吹出口15群にバッファ部13を通して
気流が供給されているため、吹出口15群全体において
流速および流圧が全体的に均等化されるとともに、吹出
口15群が前記したように構成されているため、流量が
中央部で大きく、周辺部で小さくなるように制御されて
吹き出されることになる。その結果、後述するように、
塗布されたレジスト液の乾燥等が全体にわたって均等化
ささるため、ウェハ6上に形成される塗布11918の
膜厚分布は全体にわたって均一化されることになる。
レジスト液17が滴下されて遠心力によって放射方向に
拡散されると、飛沫19がウェハ6の外周縁から外方向
に放射状に飛散する。
ところで、処理容器の内周面が垂直面に形成されていた
場合、レジスト液の飛沫はその垂直面ではね返って、そ
の垂直面に対する入射角および気流の方向によっては飛
んで来た元の方向へ戻るため、ウェハ上に再付着するこ
とになる。このようにして飛沫がウェハに再付着すると
、レジスト塗布面が実質的に損傷されることになるため
、リソグラフィー処理が不通正になる。
しかし、本実施例においては、処理容器1の上部に傾斜
面9が形成されていることによりウェハ6から飛んで来
た飛沫19がウェハ6に戻るようにはね返ることは防止
されるため、飛沫19のウェハ6への再付着は未然に回
避されることになる。
すなわち、第1図に示されているようにレジスト液の飛
沫19が傾斜面9に衝突すると、飛沫19は傾斜角によ
って規定される入射角と反射角との関係によって常に下
向きに反射されるため、飛んで来チ体の方向へ戻ること
はない。
ウェハ6に対するレジスト液の塗布作業が終了すると、
カバー10が処理容SLに対して相対的に上昇され、処
理容器lの上面開口から塗布膜形成済みのウェハ6が取
り出される。
ところで、ウェハの真上に気流制御用フィルタが配設さ
れていない場合、処理容器の上側開口から進入した気流
は、第3図に示されているようにウェハ6の表面に対し
て全体的に等速および等圧の太い束になって吹き当たる
ため、ウェハ6表面に吹き当たる風量は全体にわたって
略均等になる。
ところが、ウェハ表面に吹き当った気流は、第3図に示
されているようにウェハ表面に沿って周辺部へと流れて
行くため、ウェハ表面に接触する風量は周辺部において
大きく、中央部において小さくなる。そして、周辺部に
おける接触風量が大きいと、ウェハにスピンナ塗布され
た塗布膜における溶剤は周辺部において早く蒸発される
ことになるため、この場合における塗布膜の膜圧分布は
第3図に示されているように周辺部で厚く、中央部で薄
くなる。このように膜圧分布が不均一になると、例えば
、レジスト膜の場合、現像時に周辺部の厚い部分におい
て現像残り等のような弊害が発生する。
しかし、本実施例においては、ウェハ6の真上に気流制
御用フィルタ11が配設されており、このフィルタ11
がその吹出口15群からの吹出流の風量を中央部で大き
く、周辺部で小さくなるべく制御するように構成されて
いるため、塗布Wit 18の膜厚分布は周辺部から中
央部にかけて全体的に略均−化されることになる。
すなわち、第4図に示されているように、気流制御用フ
ィルタ11に制御されているため、ウェハ6の表面に吹
き当たる風量は中央部で大きく、周辺部で小さくなるが
、ウェハ表面に吹き当たった気流はウェハ表面に沿って
周辺部へと流れて行くため、ウェハ表面に接触する風量
は、吹き当たったf@量が周辺部で小さくなった分だけ
周辺部での増加が抑制されることにより、中央部から周
辺部にかけて全体的に略均等化されることになる。
そして、ウェハ6表面に塗布された塗布膜18に対する
接触風量が全体的に均等であると、その溶剤の蒸発量も
均等化されるため、塗布1it18の膜厚分布は第4図
に示されているように周辺部から中央部にかけて全体的
に均一になる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(1)  被塗布物の真上に気流制御用フィルタを配設
し、このフィルタは気流をその風量が中央部で大きく、
周辺部で小さくなるべく制御するように構成することに
より、被塗布物表面に塗布された塗布膜に対する接触風
量を中央部から周辺部にかけて全体的に均等化させるこ
とができるため、塗布膜の溶剤についての蒸発量を均等
に制御させることにより、塗布膜の膜厚分布を全体にわ
たって均一させることができる。
(2)塗布膜の膜厚分布を全体的に均一化することによ
り、塗布膜の品質および信頼性を高めることができるた
め、レジスト膜においては現像時における現像残り箇所
や現像過多箇所の発生等を防止することができ、リソグ
ラフィー処理全体としての精度を向上させることができ
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を過膜しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、気流制御用フィルタにおける吹出口群の開口面
積を中央部で大きく、周辺部で小さく設定する構成は、
第2図に示されている構造を使用するに限らず、第5図
または第6図に示されている構造等を使用してもよい。
第5図に示されている気流制御用フィルタ11Aは、径
の相異する円形の小孔15Aが複数個開設されており、
これら小孔15A群は等ピッチの同心円上において周方
向に略等間隔放射状に配されているとともに、中央部か
ら周辺部にかけてその径が次第に小径になって行くよう
に整列されている。
第6図に示されている気流制御用フィルタ11Bは、同
一内径を有する円形の小孔15B群と、略十字形状の窓
孔20aが開設されているマスク20とを備えている。
小孔1513は等ピッチの同心円上において周方向に略
等間隔放射状に配されて開設されており、その開口面積
は全体的に均一になるように設定されている。マスク2
0の窓孔20aは十字形中央の基端部で大きく開口し、
十字形の先端部で細く開口するように形成されている。
したがって、マスク20により小孔15B群が被覆され
ると、窓孔20aによって開放される小孔15B群の開
口面積は中央部で大きく、周辺部で小さくなる。
また、気流制御用フィルタにおける制御風量を中央部で
大きく、周辺部で小さくなるように構成する手段として
は、吹出口群の開口面積を中央部で大きく、周辺部で小
さく設定して成る構成を使用するに限らず、吹出流速が
中央部で早く、周辺部で遅くなるように制御する構成、
または、吹出時間が中央部で長く、周辺部で短くなるよ
うに制御する構成等を使用してもよい、吹出時間の制御
は断続的に実行して総計により相異させるように構成し
てもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハ上にレジスト
を塗布する装置に通用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、マスクにレジストを塗布
する場合等にも適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
被塗布物の真上に気流制御用フィルタを配設し、このフ
ィルタは気流をその風量が中央部で大きく、周辺部で小
さくなるべく制御するように構成することにより、被塗
布物表面に塗布された塗布膜に対する接触風量を中央部
から周辺部にかけて全体的に均等化させることができる
ため、塗布膜の溶剤についての蒸発量を均等に制御させ
ることにより、塗布膜の膜厚分布を全体にわたって均一
させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるレジスト塗布装置を示
す縦断面図、 第2図は気流制御用フィルタを示す平面図、第3図およ
び第4rI!Jはその作用を説明するため形例を示す各
平面図である。 1・・・処理容器、2・・・底板、3川回転軸、4・・
・駆動装置、5・・・スピンヘッド、6・・・ウェハ(
被塗布物)、7.14・・・給気口、8・・・排気口、
9・・・傾斜面、10・・・カバー、11、IIA、I
IB・・・気流制御用フィルタ、12・・・フィルタユ
ニット、13・・・バッファ部、15.15A、15B
・・・吹出口(小孔)、1G・・・滴下管、17・・・
レジスト液(塗布液)、18・・・塗布膜、19・・・
飛沫、20・・・マスク、20a・・・窓孔。 第  1  図 第  3   図 第  5  図 第  4  図 第  6  図 2必シ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被塗布物の真上に気流制御用フィルタが配設されて
    おり、このフィルタは制御風量がその中央部で大きく、
    周辺部で小さくなるように構成されていることを特徴と
    する塗布装置。 2、気流制御用フィルタは、吹出口の開口面積が中央部
    で大きく、周辺部で小さくなるように構成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の塗布装置。 3、気流制御用フィルタは、流速が中央部で早く周辺部
    で小さくなるように構成されていることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の塗布装置。 4、気流制御用フィルタは、吹出時間が中央部で長く、
    周辺部で短くなるように構成されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の塗布装置。
JP6104387A 1987-03-18 1987-03-18 塗布装置 Pending JPS63229169A (ja)

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JP6104387A JPS63229169A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 塗布装置

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