JPH02237016A - レジスト乾燥装置 - Google Patents

レジスト乾燥装置

Info

Publication number
JPH02237016A
JPH02237016A JP5720989A JP5720989A JPH02237016A JP H02237016 A JPH02237016 A JP H02237016A JP 5720989 A JP5720989 A JP 5720989A JP 5720989 A JP5720989 A JP 5720989A JP H02237016 A JPH02237016 A JP H02237016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
resist
wafer
laminar flow
coated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5720989A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromichi Seki
関 弘道
Hitoshi Sugiyama
仁 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5720989A priority Critical patent/JPH02237016A/ja
Publication of JPH02237016A publication Critical patent/JPH02237016A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、レジスト乾燥装置に関する。
(従来の技術) 半導体装置の製造においては、酸化膜や各種の導電膜が
被覆されたウェハ上にレジスト膜を形成し、露光、現像
処理を施して所望のレジストパターンを形成し、このレ
ジストパターンをマスクとして下地の膜を選択的にエッ
チングしてパターンを形成する工程や、前記レジストパ
ターンをマスクとして不純物をウェハ表面にイオン注入
する工程が行゜なわれている。
ところで、上記ウェハ上にレジストを塗布し、乾燥して
レジスト膜を形成するには、従来、第5図に示すように
チャック機構を備えたスピンヘッドI上にウェハ2を真
空チャックし、該ウェハ2上にレジストを滴下した後、
モータ3により回転軸4を介して前記スピンヘッド1を
回転させ、ウェハ2面内にレジストを均一に塗布する。
この時、スピンヘッドI周辺は塵埃の舞い上がり、浮遊
を防止するためにダウンフロー5が施されて、塗布され
たレジストを乾燥することが行なわれている。
しかしながら、上述したレジスト乾燥のためのダウンフ
o−5のみでは迅速な乾燥を期待することができない。
また、ダウンフローは相当上方から吹き込まれるため、
気流が乱れ、ウェハ面内を均一に乾燥させることができ
ないという間届があった。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、ウェハ上に塗布されたレジストを短時間かつ均一
に乾燥し得るレジスト乾燥装置を提供しようとするもの
である。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、ウェハを回転保持するための保持部材の上方
に配置され、下面が開口された風帽と、この風帽の上部
に連結されたガス供給管と、前記風帽内に配置された拡
散体と、前記風帽の下面の開口部に設けられ、複数の穴
が穿設されたガス層流板とを具備したことを特徴とする
レジスト乾燥装置である。
(作用) 本発明によれば、ガス供給管を通して乾燥のためのガス
を風帽内に供給し、該風帽内に配置した拡散体により放
射状に分散させ、更に前記風帽下面に設けたガス層流板
の複数の穴から吹き出させることによって、前記風帽下
方に所定の距離をあけて設置した保持部材上のレジスト
が塗布されたウェハに層流状態のガスを多量に吹き付け
ることができる。その結果、ウェハ上に塗布されたレジ
ストを短時間かつ均一に乾燥できる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
第1図は、本発明に係わるレジスト乾燥装置を示す概略
図である。図中の11は、下面が開口された半球形の風
帽である。この風帽1lの土壁には、ガス流通口12が
開口されており、かつ該土壁にはガス供給管l3が連結
されている。前記風帽11内には、拡散体14が配置さ
れている。この拡散体l4は、前記供給管l3が連結さ
れた前記風帽11上壁にナットl5を介して固定させた
支持棒lBと、この支持棒IBの下端に連結された穴あ
き板l7とから構成されている。前記風帽11の下面開
口部には、複数の穴l8が放射状に穿設されたガス層流
板l9が設けられている。前記風帽11の下方には、ウ
ェハを回転保持するためのチャック機構を有するスピン
ヘッド20が配置されており、かつ該スピンヘッド20
の下面にはモータ2lにより駆動される回転軸22が連
結されている。なお、前記風帽11は前記スピンヘッド
20に対して水平方向に移動可能となっている。
次に、前記乾燥装置による作用を説明する。
スピンヘッド20上にウェハ23を真空チャックし、該
ウェハ23上にレジストを図示しないノズルを通して滴
下した後、モータ2lを駆動して回転軸22に連結され
た前記スピンヘッド20を回転させ、予め前記ウェハ2
3面内にレジストを均一に塗布する。
レジスト塗布後に前記ノズルを水平方向に移動させ、風
帽11を前記スピンヘッド20の上方に移動させる。こ
うした状態でスピンヘッド20を回転させながら、ガス
供給管l3を通して乾燥のためのガス(例えば乾燥空気
)を風帽it内に供給に供給すると、該風帽11内に配
置した拡散体l4の穴あき板l7により放射状に拡散さ
れ、拡散されたガスは更に前記風帽11下面に設けたガ
ス層流板l9の放射状に穿設された複数の穴1Bから吹
き出される。その結果、前記ウェハ23上に塗布された
レジスト全体に層流状態のガスを多量に吹き付けられる
ため、該レジストを短時間かつ均一に乾燥される。
なお、上記実施例では風帽を半球状としたが、第2図に
示すように円錐台形の風帽11’ を用いてもよい。
上記実施例では、拡散体は風帽の土壁に固定された支持
棒及びこの下端に連結された穴あき板とにより構成した
が、これに限定されない。例えば、前記支持棒を回転で
きるようにしてもよい。また、第3図に示すように風帽
上壁に固定させた支持棒IBと、この支持棒1Bに多段
に連結され、下方程径が大きい3枚の穴あき板IL〜1
73とから拡散体l4゜を構成してもよい。なお、かか
る構成では上下に隣接する穴あき板17+〜173はそ
れらの穴が互いにずれるように配置することが必要であ
る。
上記実施例では、層流板として複数の穴を放射状に穿設
した形状としたが、第4図に示すように円弧状のスリッ
ト18’ を放射状に穿設した形状の層流板19’ を
用いてもよい。
上記実施例では、供給するガスとして乾燥空気を用いた
が、乾燥窒素、その他乾燥したアルゴン、ヘリウム等を
用いてもよい。
[発明の効果] 以上詳述した如く、本発明のレジスト乾燥装置によれば
ウェハなどの基板上に塗布されたレジストを短時間かつ
均一に乾燥でき、ひいては乾燥後のレジスト膜への露光
、現像処理により半導体装置の微細加工などに好適な高
精度かつ微細なレジストパターンを再現性よく形成でき
る等顕著な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例で使用したレジスト乾燥装置
を示す概略断面図、第2図は本発明の乾燥装置に用いら
れる他の風帽を示す斜視図、第3図は本発明の乾燥装置
に用いられる他の拡散体を示す平面図、第4図は本発明
の乾燥装置に用いられる他の層流板を示す平面図、第5
図は従来のレジスト塗布、乾燥工程を説明するための概
略図である。 I1、11’ ・・・風帽、13・・・ガス供給管、1
4、14゜・・・拡散体、19、19゛ ・・・層流板
、20・・・スピンヘッド、21・・・モータ、23・
・・ウェハ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ウェハを回転保持するための保持部材の上方に配置さ
    れ、下面が開口された風帽と、この風帽の上部に連結さ
    れたガス供給管と、前記風帽内に配置された拡散体と、
    前記風帽の下面の開口部に設けられ、複数の穴が穿設さ
    れたガス層流板とを具備したことを特徴とするレジスト
    乾燥装置。
JP5720989A 1989-03-09 1989-03-09 レジスト乾燥装置 Pending JPH02237016A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5720989A JPH02237016A (ja) 1989-03-09 1989-03-09 レジスト乾燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5720989A JPH02237016A (ja) 1989-03-09 1989-03-09 レジスト乾燥装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02237016A true JPH02237016A (ja) 1990-09-19

Family

ID=13049127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5720989A Pending JPH02237016A (ja) 1989-03-09 1989-03-09 レジスト乾燥装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02237016A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275275A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp 乾燥装置、乾燥方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び液晶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275275A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp 乾燥装置、乾燥方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び液晶装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4805758B2 (ja) 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
US6402845B1 (en) Process liquid dispense method and apparatus
US6709523B1 (en) Silylation treatment unit and method
US6602382B1 (en) Solution processing apparatus
US20010003965A1 (en) Coating processing apparatus
US20030022515A1 (en) Method and device of forming a film using a coating material and method of manufacturing a semiconductor device
US4800836A (en) Resist coating apparatus
CN106132564B (zh) 用于旋转涂布中的缺陷控制的盖板
US6579382B2 (en) Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof
WO2002061172A1 (en) Scanning deposition head for depositing particles on a wafer
US20010043813A1 (en) Developing unit and developing method
JP2003001182A (ja) 塗布膜形成装置およびスピンチャック
US10262880B2 (en) Cover plate for wind mark control in spin coating process
JP2006108481A (ja) 現像処理装置
JPH02237016A (ja) レジスト乾燥装置
KR20020041418A (ko) 스피닝 마이크로전자 기판 위의 공기를 제어하기 위한방법 및 장치
KR101300892B1 (ko) 기판의 처리 방법 및 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체
JPS63229169A (ja) 塗布装置
US6372405B1 (en) Method, article and composition for limiting particle aggregation in a mask deposited by a colloidal suspension
JP2001196300A (ja) 液処理装置
JP2715775B2 (ja) 半導体製造装置
JP2881362B2 (ja) 露光装置
JP3109800B2 (ja) 高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法
JPH0985155A (ja) スピンコート装置およびスピンコート方法
JPS63294965A (ja) 回転塗布装置