JP2715775B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2715775B2 JP2715775B2 JP295892A JP295892A JP2715775B2 JP 2715775 B2 JP2715775 B2 JP 2715775B2 JP 295892 A JP295892 A JP 295892A JP 295892 A JP295892 A JP 295892A JP 2715775 B2 JP2715775 B2 JP 2715775B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ上にフォトレジ
ストを回転塗布する半導体製造装置に関するものであ
る。
ストを回転塗布する半導体製造装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のこの種の半導体製造装置の
断面図であり、この図において、１はレジストノズル
で、ウエハ２の中心にフォトレジストを吐出するための
ものである。３は前記ウエハ２を真空吸着および回転さ
せるためのウエハチャックであり、４は前記ウエハ２と
レジストノズル１間の距離である。
断面図であり、この図において、１はレジストノズル
で、ウエハ２の中心にフォトレジストを吐出するための
ものである。３は前記ウエハ２を真空吸着および回転さ
せるためのウエハチャックであり、４は前記ウエハ２と
レジストノズル１間の距離である。
【０００３】次に、動作について説明する。前工程より
搬送されてきたウエハ２はセンタリングされ、ウエハチ
ャック３に載せられ真空吸着される。次に、レジストノ
ズル１をウエハ２の中心位置に移動させ固定する。その
時、ウエハ２とレジストノズル１との距離４はＡｍｍと
する。次に、ウエハ２をウエハチャック３により回転さ
せ、同時にレジストノズル１よりフォトレジストをウエ
ハ２の中心に滴下する（約３〜５秒間）。その後、ウエ
ハ２を高速に回転させフォトレジストを均一にのばし塗
布する。ここで、フォトレジスト吐出時のレジストノズ
ル１とウエハ２間の距離４はＡｍｍの一定値である。
搬送されてきたウエハ２はセンタリングされ、ウエハチ
ャック３に載せられ真空吸着される。次に、レジストノ
ズル１をウエハ２の中心位置に移動させ固定する。その
時、ウエハ２とレジストノズル１との距離４はＡｍｍと
する。次に、ウエハ２をウエハチャック３により回転さ
せ、同時にレジストノズル１よりフォトレジストをウエ
ハ２の中心に滴下する（約３〜５秒間）。その後、ウエ
ハ２を高速に回転させフォトレジストを均一にのばし塗
布する。ここで、フォトレジスト吐出時のレジストノズ
ル１とウエハ２間の距離４はＡｍｍの一定値である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されているので、ウエハ２が大口径
の場合、フォトレジストを大量に吐出しなければなら
ず、また、ウエハ２の周辺にいくほどレジスト膜厚の均
一性が悪くなり、さらに、固定された位置のレジストノ
ズル１よりウエハ２の中心にのみフォトレジストを滴下
するため、滴下時のはねかえりによるフォトレジストの
ミスト状のものが大量に出るなどの問題点があった。
は以上のように構成されているので、ウエハ２が大口径
の場合、フォトレジストを大量に吐出しなければなら
ず、また、ウエハ２の周辺にいくほどレジスト膜厚の均
一性が悪くなり、さらに、固定された位置のレジストノ
ズル１よりウエハ２の中心にのみフォトレジストを滴下
するため、滴下時のはねかえりによるフォトレジストの
ミスト状のものが大量に出るなどの問題点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、大口径のウエハでも膜厚の均一
性をハイレベルで確保できるとともに、フォトレジスト
のミスト状異物も低減できる半導体製造装置を得ること
を目的としている。
ためになされたもので、大口径のウエハでも膜厚の均一
性をハイレベルで確保できるとともに、フォトレジスト
のミスト状異物も低減できる半導体製造装置を得ること
を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、レジストノズルを可動化し、ウエハ上をスキャ
ンさせながらフォトレジストを吐出させることができる
とともに、ウエハとレジストノズル間の距離も同時に変
更できるようにしたものである。
装置は、レジストノズルを可動化し、ウエハ上をスキャ
ンさせながらフォトレジストを吐出させることができる
とともに、ウエハとレジストノズル間の距離も同時に変
更できるようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、ウエハ上へのフォトレジス
トの滴下時にウエハ中心からウエハ端に向ってレジスト
ノズルが移動し、同時にウエハとレジストノズル間の距
離も変えられるため、容易にフォトレジストがウエハ全
面に広がるので、塗布膜厚が均一となり、また、フォト
レジストをウエハ上に滴下した時のはねかえりが少なく
なるため、フォトレジストのミスト状異物も低減でき
る。
トの滴下時にウエハ中心からウエハ端に向ってレジスト
ノズルが移動し、同時にウエハとレジストノズル間の距
離も変えられるため、容易にフォトレジストがウエハ全
面に広がるので、塗布膜厚が均一となり、また、フォト
レジストをウエハ上に滴下した時のはねかえりが少なく
なるため、フォトレジストのミスト状異物も低減でき
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の半導体製造装置の一実施例を示す構
成図である。図１において、１〜４は図３と同じもので
あり、５は前記レジストノズル１を支持するための支
柱、６は前記レジストノズル１をウエハ２上でスキャン
させるため、つまりレジストノズル１をウエハ２の中心
から周辺部に移動可能な水平方向移動手段であって、支
柱５に回転を与えるためのモータ、７は前記レジストノ
ズル１とウエハ２間の距離４を変化させるための上下方
向移動手段であるノズル上下用カムである。８は前記レ
ジストノズル１を左右移動させた時の位置を示し、９
ａ，９ｂは前記レジストノズル１の位置の水平ならびに
上下の移動可能方向を示したものである。また、図２
（ａ）〜（ｃ）はシーケンス例を示したものである。
る。図１は本発明の半導体製造装置の一実施例を示す構
成図である。図１において、１〜４は図３と同じもので
あり、５は前記レジストノズル１を支持するための支
柱、６は前記レジストノズル１をウエハ２上でスキャン
させるため、つまりレジストノズル１をウエハ２の中心
から周辺部に移動可能な水平方向移動手段であって、支
柱５に回転を与えるためのモータ、７は前記レジストノ
ズル１とウエハ２間の距離４を変化させるための上下方
向移動手段であるノズル上下用カムである。８は前記レ
ジストノズル１を左右移動させた時の位置を示し、９
ａ，９ｂは前記レジストノズル１の位置の水平ならびに
上下の移動可能方向を示したものである。また、図２
（ａ）〜（ｃ）はシーケンス例を示したものである。
【０００９】次に、動作について説明する。図２のシー
ケンス例のように、まず、ウエハ２を１００ｒｐｍで回
転させる。４秒後にフォトレジストをウエハ２上に滴下
する（図２（ａ））。滴下スピードは１〜２ｃｃ／ｓｅ
ｃとした。滴下１秒後にモータ６をＯＮする（本実施例
ではパルスモータを使用し、また、スピードはウエハ２
上で５０ｍｍ／ｓｅｃになるようパルス数を調整した
（図２（ｂ））。同時にレジストノズル１とウエハ２間
の距離４も図２（ｃ）のシーケンス図にあるように４ｍ
ｍ／ｓｅｃで上方に上がるようノズル上下用カム７を調
整動作させた。２秒後にフォトレジストの滴下を止め
る。それから１秒後にウエハ２を所定の塗布膜厚が得ら
れる回転数（例では３７００ｒｐｍ）に上げ規定時間回
転し、本シーケンスを終了するといった動作原理であ
る。これにより、塗布膜厚のバラツキを±５０Å以内に
抑えることができ、さらに、フォトレジストのミスト状
の異物を従来例に比し７０％程度低減できた。
ケンス例のように、まず、ウエハ２を１００ｒｐｍで回
転させる。４秒後にフォトレジストをウエハ２上に滴下
する（図２（ａ））。滴下スピードは１〜２ｃｃ／ｓｅ
ｃとした。滴下１秒後にモータ６をＯＮする（本実施例
ではパルスモータを使用し、また、スピードはウエハ２
上で５０ｍｍ／ｓｅｃになるようパルス数を調整した
（図２（ｂ））。同時にレジストノズル１とウエハ２間
の距離４も図２（ｃ）のシーケンス図にあるように４ｍ
ｍ／ｓｅｃで上方に上がるようノズル上下用カム７を調
整動作させた。２秒後にフォトレジストの滴下を止め
る。それから１秒後にウエハ２を所定の塗布膜厚が得ら
れる回転数（例では３７００ｒｐｍ）に上げ規定時間回
転し、本シーケンスを終了するといった動作原理であ
る。これにより、塗布膜厚のバラツキを±５０Å以内に
抑えることができ、さらに、フォトレジストのミスト状
の異物を従来例に比し７０％程度低減できた。
【００１０】なお、上記実施例では、レジストノズル１
を動かすのに回転系を使用したが、リニア動作系のもの
でもよい。また、レジストノズル１の上下動作にノズル
上下用カム７を用いたが、エアーシリンダもしくはモー
タ類でもよい。また、上記実施例では、フォトレジスト
の回転塗布について説明したが、ＳＯＧや他の材量であ
ってもよく、上記実施例と同等の効果を奏する。さら
に、上記実施例では、レジストノズル１が１つの場合で
あったが、複数であってもよい。
を動かすのに回転系を使用したが、リニア動作系のもの
でもよい。また、レジストノズル１の上下動作にノズル
上下用カム７を用いたが、エアーシリンダもしくはモー
タ類でもよい。また、上記実施例では、フォトレジスト
の回転塗布について説明したが、ＳＯＧや他の材量であ
ってもよく、上記実施例と同等の効果を奏する。さら
に、上記実施例では、レジストノズル１が１つの場合で
あったが、複数であってもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、フォト
レジストの滴下時にレジストノズルをウエハの中心から
周辺部に移動可能とするとともに、前記レジストノズル
とウエハ間の距離を前記レジストノズルの移動中も可変
できるようにしたので、大口径のウエハに対してもレジ
スト塗布膜厚の均一性が向上でき、また、フォトレジス
ト滴下時などに生じるミスト状の異物も低減できる効果
がある。
レジストの滴下時にレジストノズルをウエハの中心から
周辺部に移動可能とするとともに、前記レジストノズル
とウエハ間の距離を前記レジストノズルの移動中も可変
できるようにしたので、大口径のウエハに対してもレジ
スト塗布膜厚の均一性が向上でき、また、フォトレジス
ト滴下時などに生じるミスト状の異物も低減できる効果
がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体製造装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の一実施例によるシーケンス例である。
【図３】従来の半導体製造装置を示す概略構成図であ
る。
る。
１ レジストノズル ２ ウエハ ３ ウエハチャック ４ 距離 ５ 支柱 ６ モータ ７ ノズル上下用カム ８ 移動後のレジストノズルの位置 ９ レジストノズル移動可能方向
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハ上にレジストノズルからフォトレ
ジストを滴下して回転させることにより、所定の塗布膜
厚を得る半導体製造装置において、前記フォトレジスト
の滴下時に前記レジストノズルを前記ウエハの中心から
周辺部に移動可能な水平方向移動手段と、前記ウエハと
レジストノズル間の距離を前記レジストノズルの移動中
も可変可能な上下方向移動手段とを備えたことを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP295892A JP2715775B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP295892A JP2715775B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190438A JPH05190438A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2715775B2 true JP2715775B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=11543878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP295892A Expired - Fee Related JP2715775B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715775B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002175973A (ja) | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100706569B1 (ko) * | 2006-05-17 | 2007-04-13 | 주식회사 씨엔디플러스 | 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식분사시스템 |
| JP5143395B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2013-02-13 | 新科實業有限公司 | ウエハへのレジスト形成方法 |
| JP4799390B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2011-10-26 | 中外炉工業株式会社 | 塗布方法 |
| JP5931230B1 (ja) * | 2015-01-15 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP295892A patent/JP2715775B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05190438A (ja) | 1993-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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