JPS63301520A - フォトレジスト塗布装置 - Google Patents

フォトレジスト塗布装置

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JPS63301520A
JPS63301520A JP13674787A JP13674787A JPS63301520A JP S63301520 A JPS63301520 A JP S63301520A JP 13674787 A JP13674787 A JP 13674787A JP 13674787 A JP13674787 A JP 13674787A JP S63301520 A JPS63301520 A JP S63301520A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
wafer
nozzles
turning center
discharging positions
Prior art date
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Pending
Application number
JP13674787A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Kawai
研至 河合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS63301520A publication Critical patent/JPS63301520A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体！Ｉ！造工程に関し、特にフォトリソグ
ラフィーにおける、半導体基板すなわら半導体ウェハー
表面へのフォトレジスト塗布処理に関するものである。
［従来の技術］ 従来、この種のフォトレジスト塗布装置は第３図に示す
様に固定式の滴下ノズル４，５．６よりフォトレジスト
をスピンチャック１上に真空吸着された半導体ウェハー
２の表面に滴下し、これを処理カップ３内で回転塗布す
るものである。
［発明が解決しようとする問題点］ 上述した従来のフォトレジスト塗布装置はウェハー上に
滴下されたフォトレジストを、回転により生じる遠心力
によりウェハー表面全体に広げる方式のため、複数の固
定式ノズルを備えた装置においてはウェハーの回転中心
に対して偏心してフォトレジストが滴下されることにな
り、ウェハーの回転中心にフォトレジストを滴下した場
合と比べると、この分余計にフォトレジストを滴下させ
ないと均一な塗布膜の形成が困難となる。
また、固定式ノズルによる滴下方式では滴下位置からウ
ェハーの最外周までフォトレジストを広げなければなら
ないために、ウェハーの大口径化に伴ないフォトレジス
トの使用題はますます増大してしまう。
以上の理由から従来技術ではフォトレジストの使用量を
削減することが非常に困難であった。
本発明の目的は前記問題点を解消したフォトレジスト塗
布装置を提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］ 上）ホした従来のフォトレジスト塗布装置に対し、本発
明は複数のフォトレジスト滴下用ノズルと各ノズルの吐
出位置をウェハーの回転中心に高精度に位置決めを行う
機構と、上記各ノズルの吐出位置をウェハーの回転中心
から外周方向へ任意に移動させる機構とを有することに
より、多種類のフォトレジストを自動的に切り換えるこ
とができ、滴下すべきフォトレジストに対応したノズル
の吐出位置を正確にウェハーの回転中心にセットした後
、ウェハーを回転させ、ノズルを外周方向に移動させな
がらフォトレジストを滴下することにより、ウェハー上
にフォトレジスト塗布膜を形成させる際のフォトレジス
トの使用量を大幅に削減できるという独創的内容を有す
る。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は半導体ウェハーを回転させ、遠心力の作用によ
り、該ウェハー上にフォトレジストを塗布する装置にお
いて、複数のフォトレジスト滴下用ノズルと、各ノズル
の吐出位置をウェハーの回転中心に位置決めを行う機構
と、上記各ノズルの吐出位置をウェハーの回転中心から
外周方向へ任意に移動させる機構とを有することを特徴
とするフォトレジスト塗布装置である。
［実施例］ 次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例の概略図でおる。
３本のフォトレジスト滴下用のノズル４，５．６はノズ
ルブロック７にセットされており、３本のノズル４，５
．６はノズルブロック７ごと送りネジ８によって半径方
向に移動可能となっている。
送りネジ８はモータ９により駆動され、かつノズルの高
精度な位置検出を行うエンコーダ１０を備えている。
上記機構によりフォトレジストを滴下すべきノズル４，
５．６を正確に半導体ウェハー２の回転中心にセットす
ることができる。ウェハー２をスピンチャック１で処理
カップ３内を回転させ、ノズル４，５．６を外周方向に
移動させながらフォトレジストを滴下することによりウ
ェハー２上にフォトレジスト塗布膜を形成させる。
（実施例２） 第２図は本発明の第２の実施例の概略図である。
３本のフォトレジスト）＾下用のノズル４，５．６はア
ーム１１にセットされている。アーム１１は支点１１ａ
のまわりにパルスモータ１４により駆動され回転される
ようになっている。パルスモータ１４の制御により所定
のノズルをウェハーの回転中心にセットし、ざらに外周
方向に移動させることができる。
フォトレジストの滴下、ノズル移動、ウェハーの回転の
方法については実施例１と同様である。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、複数のノズルを設
置しても滴下時においてはフォトレジストを正確にウェ
ハーの回転中心に滴下することができるため、偏心して
滴下することによるフォトレジスト使用量の増加を防ぐ
ことができる。ざらにウェハーを回転させながらフォト
レジストの滴下位置をウェハーの外周方向に移動させて
いくことにより、従来技術では滴下位置からウェハーの
最外周まで遠心力によりフォトレジストを広げるに十分
な滴下量を必要とするのに対し、本発明によればウェハ
ーが１回転する間にノズルが移動する距離をうめるに十
分なフォトレジストの滴下量ですますことができるため
、従来技術に比ベフォトレジストの使用量を大幅に削減
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す概略図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す概略図、第３図は従来のフ
ォトレジスト塗布装置の概略図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体ウェハーを回転させ、遠心力の作用により
    、該ウェハー上にフォトレジストを塗布する装置におい
    て、複数のフォトレジスト滴下用ノズルと、各ノズルの
    吐出位置をウェハーの回転中心に位置決めを行う機構と
    、上記各ノズルの吐出位置をウェハーの回転中心から外
    周方向へ任意に移動させる機構とを有することを特徴と
    するフォトレジスト塗布装置。
JP13674787A 1987-05-30 1987-05-30 フォトレジスト塗布装置 Pending JPS63301520A (ja)

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