JP2000269110A

JP2000269110A - レジストの現像装置

Info

Publication number: JP2000269110A
Application number: JP6755599A
Authority: JP
Inventors: Shinji Yamana; 慎治山名
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-03-12
Filing date: 1999-03-12
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、クオーターミクロンオーダーを更
に超える微細なレジストのパターニングを行なう場合で
あっても、基板外周部側に順次より多くの現像液を確実
に、かつ、均一に供給することができ、クオーターミク
ロンオーダーよりも微細なレジストをパターニングした
場合の仕上り寸法のばらつきを抑制できる現像装置の提
供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板２０上に積層された膜の
上に形成されたレジストに基板回転時に現像液を供給し
て現像する装置であり、基板半径方向に伸びるように配
置されるノズル本体２１が具備され、このノズル本体２
１の基板側に複数の吐出口２５が形成されるとともに、
前記吐出口２５の数が前記基板中心側から基板外周側に
向けて順次増加されてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サブミクロンオー
ダーのレジストパターン仕上り寸法のばらつきを抑制す
ることができるレジストの現像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造分野においては、シリコン
単結晶の基板上面にＳｉＯ₂などからなるゲート酸化膜
とポリＳｉなどからなるゲート膜を積層し、それらの上
にレジストを被覆し、所定のパターンを具備したレチク
ルを介してレジストに光露光を行った後にレジストを現
像して光露光部分あるいは未露光部分をパターニング
し、このパターニングされたレジストを用いてそれらの
下に位置する各種の膜をエッチングすることで半導体素
子を形成することがなされている。また、これらの膜に
加えてＡｌやＣｕの薄膜を形成し、これらの上にレジス
トを被覆してからパターニングを施して配線回路を形成
することがなされている。

【０００３】図１１にこの種のレジスト用の現像液を基
板に供給して現像するための装置の一構成例を示す。こ
の例の現像装置は、モータなどの回転駆動装置によって
周回りに回転自在に支持された円板状の基板１の上方に
位置するノズル２を具備して構成されたもので、このノ
ズル２は直方体中空ブロック状に形成されて基板２の表
面上に所定の間隔をあけた状態で基板半径方向に沿って
設置され、現像液供給装置からこのノズル２に送られた
現像液を前記ノズル２の底面に複数形成された吐出口３
・・・から回転中の基板１に供給することができるもので
ある。

【０００４】従来のこの種のノズル２にあっては、基板
１の上面全部に均一に現像液を供給することを目的とし
て、ノズル２の底面側に基板１の半径方向に沿って一定
のピッチで複数の吐出口３・・・が形成されたものが主体
であった。ところが、この種のノズル２を備えた現像装
置を用いてクオーターミクロンオーダーよりも更に微細
なレジストパターンを形成すると、図１２に示すように
基板１の半径方向でレジストパターンの仕上り寸法にば
らつきを生じるということが判明した。

【０００５】図１２は、クリプトンフルオロライド光源
（波長２４８ｎｍ：ＫｒＦ光源）用化学増幅系レジスト
を基板（Ｓｉウェハ）上に塗布し、開口率ＮＡ＝０.６
０、可干渉度（コヒーレンシイ）σ＝０.７５の光学条
件でＫｒＦ露光機により露光し、図１１に示す現像装置
を用いて幅０.１５μｍの孤立したレジストラインを形
成したところ、基板中心付近でレジストラインの寸法が
細くなり、基板外周部側で基板中心部側よりもレジスト
ラインの寸法が太くなるという試験結果を示している。
なお、図１２に示す試験結果は、ノズル２における吐
出口３の径を７ｍｍ、吐出口３のピッチを７ｍｍに設定
し、基板１を５００ｒｐｍで回転させるとともに、回転
中の基板１に現像液を２秒間滴下し、その後、６０秒放
置した後に得られた結果を示すものである。

【０００６】図１２に示す結果から、レジストラインの
寸法差は、基板１の中心側と外周部側で約０.０２μｍ
（約２０ｎｍ）も生じたことになる。このような差異が
生じる原因として本発明者は、ノズル２から基板１に対
して半径方向に均等に現像液を供給したとしても、回転
している基板１の外周部側は基板１の内周部側よりも面
積が大きいので、外周部側の全面に現像液が行き渡って
現像開始するまでのタイムラグを生じ、結果的に基板１
の内周部側の全面に先に現像液が行き渡って内周部側で
現像が早くスタートするので、現像開始が遅くなる外周
部と比べて現像結果に差異を生じるものと推定してい
る。また、本発明者は、レジストの現像を行なう場合
に、レジストに現像液が到達して現像開始する場合の初
期段階での反応が現像結果に大きな影響を与えるものと
推定している。従って本発明者は、基板１の外周部側に
内周部側との時間差の無い状態でいかに均一に現像液を
供給するかということを課題として考えている。

【０００７】ところで、半導体製造分野以外において
も、基板上に精密なレジストパターンを形成するという
技術が求められている分野があり、その一例として、特
公平６−９５４０１号公報に開示されている光ディスク
のスピン現像方法と装置が知られている。この特許の技
術によれば、図１３に示すように、モータ５によって回
転駆動されるガラス板６の上にホストレジスト７が塗布
され、現像液を基板側に噴出するためのノズル８が設け
られ、このノズル８の底面に孔１０が複数形成されて現
像装置が構成されている。

【０００８】前記特許技術は、現像液のレジストへの供
給量を前記ガラス板（ディスク板）６の回転中心からの
距離に比例するようにしたものである。そして、そのよ
うな技術を具体化する構成として前記特許では、孔１０
の位置の回転中心からの距離をγとすると孔１０の面積
Ｓ（γ）はγに比例するようにし、孔１０からの流下量
がγに比例するようにしている。更に、前記特許では、
最外孔径２ｍｍで６ｍｍピッチで１６個の孔を中心側程
小径とした構成が開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述の特許では、光デ
ィスクのレジストに対する現像液の供給に関する問題に
鑑み、等ピッチで外周側程大きい孔を形成した例である
が、前述のような半導体基板のレジストにクオーターミ
クロンオーダーよりも小さい微細レジストラインを形成
する場合を想定してみると、簡単には適応できない問題
を有していた。まず、現像液を供給する孔１０をガラス
板６の外周側程大きく形成すると、大きい孔１０の中心
部側では大量の現像液を供給できるものの、大きい孔１
０の周辺部分では現像液が広がるための時間差を生じる
ので満足な量の現像液を短時間で供給できない問題があ
る。特にクオーターミクロンオーダーを超える微細加工
を行なう半導体基板にあっては、現像液がレジストの現
像を開始する現像開始初期段階での反応が重要であり、
でき得る限り均一に現像液を供給したいのであるが、外
周部側で単に孔１０の大きさを大きく形成した現像用ノ
ズル８では、クオーターミクロンオーダーよりも微細な
レジストラインを形成しようとする半導体基板の現像用
には不十分な問題がある。

【００１０】次に、半導体基板の現像において、基板の
全面に均一に現像液を供給することを目的として、基板
全面に被さる程度の大きな円盤型のノズルを用い、この
ノズルの底面全域に密に多数の吐出口を形成したノズル
が特開平１０−２４６９６７号公報に開示されている。
この公報に記載されたノズルは、現像液を大量に供給し
て基板に現像液を供給すれば基板のほぼ全面に現像液を
一度に満足に供給することができるが、高価な現像液を
大量に無駄に消費する欠点がある。また、現像液の量を
適宜調整して少量で現像しようとすると、現像液供給手
段からノズルに現像液を供給した部分に近い吐出口から
は圧力の関係で勢い良く適量の現像液を供給できても、
現像液の供給部分から遠い部分に位置する吐出口から供
給できる現像液量が圧力の関係で少なくなるので、サブ
ミクロンオーダーの微細なレジストラインを形成しよう
とする場合に現像液を基板に満足には供給できないもの
であった。

【００１１】本発明は前記の事情に鑑みてなされたもの
で、クオーターミクロンオーダーを更に超える微細なレ
ジストのパターニングを行なう場合であっても、基板外
周部側に順次より多くの現像液を確実に、かつ、均一に
供給することができ、クオーターミクロンオーダーより
も微細なレジストをパターニングした場合の仕上り寸法
のばらつきを抑制できる現像装置の提供を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、基板上に積層された膜の上に形成されたレ
ジストに基板回転時に現像液を供給して現像する装置で
あり、基板半径方向に伸びるように配置されるノズル本
体が具備され、このノズル本体の基板側に基板半径方向
と円周方向に複数の吐出口が形成されるとともに、前記
吐出口の基板円周方向に並べる数が前記基板中心側から
基板外周側に向けて順次増加されてなることを特徴とす
る。この構成により回転時の基板に現像液を噴出する場
合に基板の外周部側に向かうにつれてより多くの現像液
を噴出させて現像ができる。

【００１３】本発明は、前記吐出口の大きさが全て同一
であり、前記吐出口が基板半径方向に所定のピッチで配
置され、前記基板中心から一定の任意の円周位置に存在
する複数の吐出口が基板円周方向に沿って隣接配置され
てなることを特徴とする。本発明は、前記基板中心から
半径方向任意の位置の吐出口までの距離をｒ、基板中心
に最も近い吐出口まで距離をｒ₀、吐出口数をｎ₀とする
と、前記距離ｒにおける吐出口数ｎがｎ＝ｎ₀・ｒ／ｒ₀
の関係とされたことを特徴とする。この式に合致する吐
出口数であるならば、基板の内周部側あるいは外周部側
を問わず、基板の任意の位置に対して均等に現像液の噴
出が可能となる。

【００１４】更に本発明は、基板上に積層された膜の上
に形成されたレジストに基板回転時に現像液を供給して
現像する装置であり、基板半径方向に伸びるように配置
されるノズル本体が具備され、このノズル本体の基板側
に基板中心側で狭く、基板外周部側に向けて徐々に広く
なる扇形の吐出口が形成されてなる。本発明において、
前記ノズル本体が少なくとも前記基板直径に相当する長
さであって、前記基板中心から基板外周部側に２方向に
伸びる形状とされてなることが好ましい。本発明におい
て、前記ノズル本体が基板中心から基板外周方向に向い
て少なくとも３方に伸びる放射形状とされてなることが
好ましい。本発明において、前記ノズル本体の幅が基板
中心部側から基板外周部側に向かうにつれて徐々に大き
くされてなることが好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に本発明の第１実施形態につ
いて図面を参照して説明するが、本発明は以下の各実施
形態に限定されるものではない。図１と図２は、本発明
に係る現像装置の第１実施形態を示すもので、この実施
形態の現像装置は円板状の基板２０に対して基板２０上
に所定間隔離間して配置された中空のブロック状のノズ
ル本体２１を備えて構成される。前記基板２０は図２に
示すモータなどの回転駆動装置２３の基台２４に、水平
に周回りに回転自在に支持されるもので、半導体素子を
形成するために用いられるＳｉ基板などからなり、その
上面にはＳｉＯ₂などからなるゲート酸化膜とポリＳｉ
などからなるゲート膜などの半導体素子製造用、あるい
は、ＡｌやＣｕの配線用に必要な膜が積層され、更にそ
れらの積層膜の上にレジストが塗布されたものである。
このレジストは現像工程の前に行なわれる露光工程にお
いて必要な回路を備えたレチクルを介して露光されてお
り、この露光後のレジストを現像しようとするものが本
実施形態の現像装置である。

【００１６】前記ノズル本体２１は、基板２０の半径に
相当する長さを有した細長い中空のブロック構造とさ
れ、基板半径方向に伸びるように配置されるとともに、
このノズル本体２１の基板側の底面２１ａには同一径の
複数の吐出口２５が形成され、前記吐出口２５の数が前
記基板２０の中心側から基板外周側に向けて順次増加さ
れている。また、前記吐出口２５・・・が基板半径方向に
所定のピッチで配置され、前記基板中心から一定の任意
の円周位置に存在する複数の吐出口２５が基板円周方向
に沿って隣接配置されている。なお、図１ではノズル本
体２１の底面部分の輪郭のみを示し、その底面に配置さ
れた吐出口２５・・・と基板２０との相対位置関係のみを
示している。

【００１７】本実施形態における吐出口２５・・・の形成
位置は、以下に説明する式に合致する条件で決定され
る。まず、現像液吐出口２５の口径をａ、吐出口数をｎ
とし、基板２０の中心に最も近い位置にある吐出口の口
径をａ₀、吐出口数をｎ₀とすると、基板２０の任意の半
径ｒの位置での吐出口数ｎをｎ＝ｒ／ｒ₀と定義するこ
とができる。これは、基板２０の半径ｒ、ｒ₀での円周
方向での単位長さ当たりの現像液滴下量の比は、ｎπａ
²（２πｒ）^-1：ｎ₀ａ₀ ²（２πｒ₀）^-1であるので、現
像液を基板２０上で均一にするためには、ｎπａ²（２πｒ）^-1＝ｎ₀ａ₀ ²（２πｒ₀）^-1 の関係を満足させなくてはならない。ここで上の式にお
いて吐出口の口径は一定値ａであるので、上の式は、ｎ
πａ²（２πｒ）^-1＝ｎ₀πａ²（２πｒ₀）^-1となり、更
にこの関係を整理すると、ｎ＝ｎ₀・ｒ／ｒ₀の関係が成
立する。例えば、基板２０の中心から１０ｍｍの位置に
存在する吐出口の数に対して基板２０の中心から３０ｍ
ｍの位置の位置に存在する吐出口の数は３倍とし、基板
２０の中心から５０ｍｍの位置の位置に存在する吐出口
の数は５倍とする必要がある。

【００１８】また、前記ノズル本体２１の上部には、図
２に示す現像液供給源２６に接続するための供給管２７
が接続されていて、現像液供給源２６からノズル本体２
１に必要量の現像液を供給して現像液をノズル本体２１
の吐出口２５・・・から噴出できるように構成されてい
る。

【００１９】図１と図２に示す構成の現像装置であるな
らば、基板上のレジストに露光装置で露光を行なった
後、基台２４に基板２０を水平にセットし、この基板２
０の上に所定間隔離間させてノズル本体２１を基板２０
の径方向に沿って配置し、基板２０を５００ｒｐｍ程度
の回転速度で回転させるとともに、現像液供給源２６か
らノズル本体２１に供給された現像液をノズル本体２１
の吐出口２５・・・から基板２０の上面に噴出することが
できる。そして、この現像液噴出の際に、吐出口２５・・
・の形成位置を先の式に合致するように形成して基板２
０の内周部側よりも外周部側において順次多くなるよう
に現像液を噴出できるようにしているので、基板２０の
すべての位置で面積当たり均等に現像液を供給できる結
果、現像むらを生じることなくレジストの現像ができ
る。従ってクオーターミクロンオーダーよりも更に小さ
いレジストラインを現像しようとする場合であってもレ
ジストラインの太さに大きなばらつきを生じない。

【００２０】そして特に、吐出口２５・・・の大きさは全
て同一であり、基板２１の外周部側に向かうにつれて数
を増やすことによって現像液供給量を増加させているの
で、外周部側に向かうにつれて吐出口１０の口径を大き
くした図１３に示す従来構造のノズル８よりも均等に現
像液を供給することができる。これは、従来の径の大き
な吐出口１０であると、吐出口１０の中心部では現像液
の供給量が多いものの吐出口１０の周辺部側では現像液
供給量が少なくなる、換言すると突出口１０の周辺部分
側では現像液がゆきわたる際に時間差が生じやすいので
吐出口１０の半径方向で現像液供給量が変動するが、本
実施形態の如く吐出口２５の数を増加させた構造では同
一半径位置において複数の吐出口１０が均一に現像液を
噴出するので、より均一な現像液噴出ができることに起
因する。

【００２１】また、基板の全面に対向する大きさの円盤
状のシャワーノズル型のノズル本体では、基板全面に均
一に現像液を供給するために大量の現像液を基板に噴出
する必要があるが、その点において本実施形態のノズル
本体２１では基板２０の半径に相当する長さの中空ブロ
ック状のノズル本体２１に現像液を満たして噴出するこ
とで現像ができるので、シャワーノズル型のノズル本体
に比べて現像液の無駄を省くことができる。

【００２２】図３は本発明に係る現像装置の第２実施形
態を示すもので、この第２実施形態の構成ではノズル本
体３０が基板２０の直径に相当する長さの中空ブロック
状に形成され、このノズル本体３０においては基板２０
の中心に近い部分から基板２０の外周部側に向かうにつ
れて順次吐出口３１の数が多くなるように形成されてな
る。従ってこの第３実施形態の構造では、ノズル本体３
０の長さ方向中心部から両端部側に向けて順次吐出口３
１の数が多くなるように、換言すると、本実施形態のノ
ズル本体３０は第１実施形態のノズル本体２１を２つ接
続した構造とされている。なお、吐出口３１の数の設定
は、先の第１実施形態の構造の場合に用いた式に基づい
て先の実施形態の場合と同様に決定される。この実施形
態の構造においても先の第２実施形態の構造と同等の効
果を得ることができる。

【００２３】図４は本発明に係る現像装置の第３実施形
態を示すもので、この第３実施形態の現像装置ではノズ
ル本体４０が基板２０の半径に相当する長さに形成さ
れ、ノズル本体４０が平面涙滴型に形成されるととも
に、このノズル本体４０においては基板２０の中心に近
い端部４０ａ側から基板２０の外周部に近い端部４０ｂ
側に向かうにつれて順次吐出口４１の数が多くなるよう
に形成されてなる。また、ノズル本体４０の平面形状が
涙滴型とされて基板２０の外周部側に向かうにつれて徐
々にノズル本体４０の内容積が大きくなるように形成さ
れている。これらの吐出口４１・・・の数の設定は、先の
第１実施形態の構造の場合に用いた式に基づいて先の第
１実施形態の場合と同様に決定される。

【００２４】この第３実施形態の構造においても先の第
２実施形態の構造と同等の効果を得ることができる。更
にこの第３実施形態のノズル本体４０においては、吐出
口４１の数が多い端部４０ｂ側においてノズル本体４０
の内容積を大きくしているので、吐出口４１の数が多い
側での吐出口４１・・・からの現像液噴出圧力と吐出口４
１が少ない端部４１ａ側の現像液噴出圧力を容易に均一
にすることができる。

【００２５】図５は本発明に係る現像装置の第４実施形
態を示すもので、この第４実施形態ではノズル本体５０
が基板２０の直径に相当する長さに形成され、このノズ
ル本体５０においては基板２０の中心に近い部分から基
板２０の外周部側に向かうにつれて順次吐出口５１の数
が多くなるように形成されてなる。従ってこの第４実施
形態の構造では、ノズル本体５０の長さ方向中心部から
両端部側に向けて順次吐出口５１の数が多くなるように
形成されている。なお、吐出口５１の数の設定は、先の
第１実施形態の構造の場合に用いた式に基づいて先の実
施形態の場合と同様に決定される。この実施形態の構造
においても先の第３実施形態の構造と同等の効果を得る
ことができる。

【００２６】図６は本発明に係る現像装置の第５実施形
態を示すもので、この第５実施形態ではノズル本体６０
が基板２０の半径に相当する長さの細長い中空ブロック
状に形成されており、その底面に扇形の１つの吐出口６
１が形成された例である。この実施形態においては、基
板２０の中心部側に吐出口６１の開口面積が小さい側の
端部６１ａが配置され、基板２０の外周部側に吐出口６
１の開口面積が大きい側の端部６１ｂが配置されてい
る。このように扇形の開口部を有する吐出口６１であっ
ても先の第１実施形態の現像装置と同様に、基板１の内
周部側から外周部側にかけて外周部側にゆくほど多くの
現像液を供給できるので基板１の内周部側と外周部側と
で現像むらのない状態の現像処理ができるという第１実
施形態の場合と同等の効果を得ることができる。

【００２７】図７は本発明に係る現像装置の第６実施形
態を示すもので、この第６実施形態ではノズル本体７０
が基板２０の半径に相当する長さの平面涙滴型の中空ブ
ロック状に形成されており、その底面に扇形の１つの吐
出口７１が形成された例である。この実施形態において
は、基板２０の中心部側に吐出口７１の開口面積が小さ
い側の端部７１ａが配置され、基板２０の外周部側に吐
出口７１の開口面積が大きい側の端部７１ｂが配置され
ている。このように扇形の開口部を有する吐出口７１で
あっても先の第１実施形態の現像装置と同等の効果を得
ることができる。更にこの第６実施形態のノズル本体７
０においては、吐出口７１の開口面積が多い端部７１ｂ
側においてノズル本体７０の内容積を大きくしているの
で、吐出口７１の開口面積が大きい端部７１ｂ側からの
現像液噴出圧力と吐出口７１の開口面積が小さい端部７
１ａ側からの現像液噴出圧力を同一にすることが容易に
できる。

【００２８】図８は本発明に係る現像装置の第７実施形
態を示すもので、この第７実施形態では図６に示すノズ
ル本体６０と同等形状のノズルを基板２０の直径方向に
２つ接合してなる外形を有している。更に図９は本発明
に係る現像装置の第８実施形態を示すもので、この第８
実施形態では図７に示すノズル本体７０と同等形状のノ
ズルを基板２０の直径方向に２つ接合してなる外形を有
している。これらの第７実施形態と第８実施形態のノズ
ル本体８０、９０においても先の第５、第６実施形態の
ノズル本体６０、７０と同等の効果を得ることができ
る。

【００２９】図１０は本発明に係る現像装置の第９実施
形態を示すもので、この実施形態の現像装置は基板２０
の周方向に１２０°間隔で放射状に配置したノズル１０
０を備えてなる。ノズル１００は先の第１実施形態のノ
ズル本体２１を３本接合した形状のものであり、各ノズ
ル本体２１においては吐出口２５が先の第１実施形態の
構造で採用した式と同じ関係で吐出口２５・・・が形成さ
れている。この実施形態の構造においても先の第１実施
形態の構造と同等の効果を得ることができる。なお、こ
の実施形態ではノズル本体２１を３本放射状に接合した
形状とされているが、ノズル本体２１を４本以上接合し
た形状としても良いのは勿論であり、また、ノズル本体
２１を接合する場合にＬ字型やＸ字型等の他の形状に接
合しても良いのは勿論である。

【００３０】

【実施例】クリプトンフルオロライド光源（波長２４８
ｎｍ：ＫｒＦ光源）化学増幅系レジストを基板（Ｓｉウ
ェハ）上に塗布し、続いて開口率ＮＡ＝０.６０、可干
渉度σ＝０.７５の光学条件でＫｒＦ露光機により露光
し、図１に示す現像装置を用いて幅０.１５μｍの孤立
したレジストラインを形成したところ、基板中心付近で
のレジストラインの寸法と、基板外周部側でのレジスト
ラインの寸法差の最大値が０.０１１μｍ（１１ｎｍ）
となった。

【００３１】なお、図１に示す試験結果は、ノズルにお
ける吐出口の径を２ｍｍ、吐出口３のピッチを８ｍｍに
設定し、基板最外周部における突出口数を３５個とし、
基板を５００ｒｐｍで回転させるとともに、回転中の基
板に現像液を秒間滴下し、その後、６０秒放置した後に
得られた結果を示すものである。以上の結果から、クオ
ーターミクロンレベルよりも更に微細な加工を行なう場
合、例えば、０.１５μｍレベルのレジスト現像時のレ
ジストラインの内周部側と外周部側の寸法差を先の従来
例における最大寸法差（０.０２μｍ）よりも遥かに小
さな寸法差に収めることができた。従ってこの結果か
ら、０.１４〜０.１８μｍの範囲のレベルのレジストラ
インを１１ｎｍレベルの誤差の少ない精度で現像できる
ことが判明した。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板半径方向に配置されるノズル本体の基板側の面に形成
される複数の吐出口の数が基板中心側から基板外周側に
向けて順次増加されてなるので、基板中心側から外周側
に向かうにつれて順次多くの量の現像液を基板に噴出さ
せて現像することができる。従って基板回転現像の際に
基板内周部側と基板外周部側に面積当たり均一の現像液
を供給して現像することができ、現像むらの無いレジス
トパターンを形成できる効果がある。具体的には太さの
ばらつきの少ないレジストパターンを形成することがで
きる。次に、前記吐出口の大きさが全て同一であり、前
記吐出口が基板半径方向に所定のピッチで配置され、前
記基板中心から一定の任意の円周位置に存在する複数の
吐出口が基板円周方向に沿って隣接配置されてなる構成
ならば、基板中心側から外周側に向かうにつれて順次多
くの量の現像液を基板に確実に噴出させて現像液を基板
上に広げつつ現像することができる。

【００３３】更に本発明において、基板中心から半径方
向任意の位置の吐出口までの距離をｒ、基板中心に最も
近い吐出口まで距離をｒ₀、吐出口数をｎ₀とすると、前
記距離ｒにおける吐出口数ｎがｎ＝ｎ₀・ｒ／ｒ₀の関係
とすることで、基板中心側から外周側に向かうにつれて
順次多くの正確な量の現像液を基板に確実に噴出させて
現像することができる。これにより、サブミクロンオー
ダーのレジストパターンを形成する場合であっても、現
像むらのない、レジストパターンの太さのばらつきの少
ない現像を行なうことができる。

【００３４】更に本発明において、ノズル本体の基板側
の面に基板中心側で狭く、基板外周部側に向けて徐々に
広くなる扇形の吐出口を形成する構造を採用しても、目
的を達成することができる。また、前記ノズル本体が少
なくとも前記基板直径に相当する長さを有し、前記基板
中心から基板外周部側に２方向に伸びる形状とするこ
と、あるいは、前記ノズル本体が基板中心から基板外周
方向に向いて少なくとも３方に伸びる放射形状とするこ
とによっても目的を達成することができる。

【００３５】本発明において、前記ノズル本体の幅が基
板中心部側から基板外周部側に向かうにつれて徐々に大
きくされてなる場合、吐出口の全面における現像液の噴
出圧力の均一化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る現像装置の第１実施形態の要部
を示す構成図。

【図２】同現像装置の第１実施形態を示す全体構成
図。

【図３】本発明に係る現像装置の第２実施形態の要部
を示す構成図。

【図４】本発明に係る現像装置の第３実施形態の要部
を示す構成図。

【図５】本発明に係る現像装置の第４実施形態の要部
を示す構成図。

【図６】本発明に係る現像装置の第５実施形態の要部
を示す構成図。

【図７】本発明に係る現像装置の第６実施形態の要部
を示す構成図。

【図８】本発明に係る現像装置の第７実施形態の要部
を示す構成図。

【図９】本発明に係る現像装置の第８実施形態の要部
を示す構成図。

【図１０】本発明に係る現像装置の第９実施形態の要
部を示す構成図。

【図１１】従来の現像装置の第１の例を示す構成図。

【図１２】図１１に示す現像装置でレジストをパター
ニングした場合の試験結果を示す図。

【図１３】従来の現像装置の第２の例を示す構成図。

【符号の説明】

２０・・・基板、２１、３０、４０、５０、６０、７０、
８０、９０、１００・・・ノズル本体、２５、３１、４
１、５１、６１、７１、８１、９１・・・吐出口。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に積層された膜の上に形成された
レジストに基板回転時に現像液を供給して現像する装置
であり、基板半径方向に伸びるように配置されるノズル本体が具
備され、このノズル本体の基板側に基板半径方向と円周
方向に複数の吐出口が形成されるとともに、前記吐出口
の基板円周方向に並べる数が前記基板中心側から基板外
周側に向けて順次増加されてなることを特徴とするレジ
ストの現像装置。
【請求項２】前記吐出口の大きさが全て同一であり、
前記吐出口が基板半径方向に所定のピッチで配置され、
前記基板中心から一定の任意の円周位置に存在する複数
の吐出口が基板円周方向に沿って隣接配置されてなるこ
とを特徴とする請求項１記載のレジストの現像装置。
【請求項３】前記基板中心から半径方向任意の位置の
吐出口までの距離をｒ、基板中心に最も近い吐出口まで
距離をｒ₀、吐出口数をｎ₀とすると、前記距離ｒにおけ
る吐出口数ｎがｎ＝ｎ₀・ｒ／ｒ₀の関係とされたことを
特徴とする請求項１または２に記載のレジストの現像装
置。
【請求項４】基板上に積層された膜の上に形成された
レジストに基板回転時に現像液を供給して現像する装置
であり、前記基板半径方向に伸びるように配置されるノズル本体
が具備され、このノズル本体の基板側に基板中心側で狭
く、基板外周部側に向けて徐々に広くなる扇形の吐出口
が形成されてなることを特徴とするレジストの現像装
置。
【請求項５】前記ノズル本体が少なくとも前記基板直
径に相当する長さを有し、前記基板中心から基板外周部
側に２方向に伸びる形状とされてなることを特徴とする
請求項１ないし４のいずれかに記載のレジストの現像装
置。
【請求項６】前記ノズル本体が基板中心から基板外周
方向に向いて少なくとも３方に伸びる放射形状とされて
なることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記
載のレジストの現像装置。
【請求項７】前記ノズル本体の幅が基板中心部側から
基板外周部側に向かうにつれて徐々に大きくされてなる
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のレジ
ストの現像装置。