JPH03262567A - 多層レジスト塗布方法 - Google Patents
多層レジスト塗布方法Info
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- JPH03262567A JPH03262567A JP5787290A JP5787290A JPH03262567A JP H03262567 A JPH03262567 A JP H03262567A JP 5787290 A JP5787290 A JP 5787290A JP 5787290 A JP5787290 A JP 5787290A JP H03262567 A JPH03262567 A JP H03262567A
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- JP
- Japan
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- resist
- layer
- semiconductor substrate
- coating method
- resist layer
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Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は多層レジスト塗布方法に係り、特に半導体装置
製造プロセスにおける多層レジスト塗布方法に関し、 １回の現像処理によって現像が可能な多層レジスト塗布
方法を提供することを目的とし、半導体基板上に形成さ
れた第１のレジスト層上に更に該第１のレジストを溶解
せしめる溶剤を含む第２のレジスト層をスピンコート法
により塗布する多層レジスト塗布方法において、前記第
１のレジスト層が形成された前記半導体基板を回転させ
ながら、前記第２のレジストを滴下流速５ｃｃ／秒以上
で滴下塗布しその完了と同時に前記半導体基板の回転を
更に高速にすることを構成とする。
製造プロセスにおける多層レジスト塗布方法に関し、 １回の現像処理によって現像が可能な多層レジスト塗布
方法を提供することを目的とし、半導体基板上に形成さ
れた第１のレジスト層上に更に該第１のレジストを溶解
せしめる溶剤を含む第２のレジスト層をスピンコート法
により塗布する多層レジスト塗布方法において、前記第
１のレジスト層が形成された前記半導体基板を回転させ
ながら、前記第２のレジストを滴下流速５ｃｃ／秒以上
で滴下塗布しその完了と同時に前記半導体基板の回転を
更に高速にすることを構成とする。
本発明は多層レジスト塗布方法に係り、特に半導体装置
製造プロセスにおける多層レジスト塗布方法に関する。
製造プロセスにおける多層レジスト塗布方法に関する。
近年の半導体装置の集積化に伴い、微細パターンの形成
が要求されている。このため、種類の違うレジストを多
層に塗布することによって解像力の限界を向上させる必
要がある。
が要求されている。このため、種類の違うレジストを多
層に塗布することによって解像力の限界を向上させる必
要がある。
従来、半導体基板上に２層、３層等多層構造のレジスト
を形成する、いわゆる多層レジスト塗布方法ではレジス
トの種類は感光剤、染料濃度が異なっても溶剤は例えば
エチルセロソルブアセテートと同一のために連続して塗
布した場合レジスト同志の混合が生じ所定の多層レジス
ト層が得られない。
を形成する、いわゆる多層レジスト塗布方法ではレジス
トの種類は感光剤、染料濃度が異なっても溶剤は例えば
エチルセロソルブアセテートと同一のために連続して塗
布した場合レジスト同志の混合が生じ所定の多層レジス
ト層が得られない。
そこで例えばスピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）等の溶剤
の異なる中間層を各レジスト層間に形成してレジスト同
志の混合を防止している。
の異なる中間層を各レジスト層間に形成してレジスト同
志の混合を防止している。
従って各レジスト層の現像は１回の処理では不可能で、
異なった溶剤を有するレジスト層毎に現像処理を変える
必要があった。そのため工程数が増加し、ひいては生産
コストの増大をも招いていた。
異なった溶剤を有するレジスト層毎に現像処理を変える
必要があった。そのため工程数が増加し、ひいては生産
コストの増大をも招いていた。
本発明は１回の現像処理によって現像が可能な多層レジ
スト塗布方法を提供することを目的とする。
スト塗布方法を提供することを目的とする。
上記課題は本発明によれば半導体基板上に形成された第
１のレジスト層上に更に該第１のレジストを溶解せしめ
る溶剤を含む第２のレジスト層をスピンコート法により
塗布する多層レジスト塗布方法において、 前記第１のレジスト層が形成された前記半導体基板を回
転させながら、前記第２のレジストを滴下流速５ｃｃ／
秒以上で滴下塗布し、その完了と同時に前記半導体基板
の回転を更に高速にすることを特徴とする多層レジスト
塗布方法によって解決される。
１のレジスト層上に更に該第１のレジストを溶解せしめ
る溶剤を含む第２のレジスト層をスピンコート法により
塗布する多層レジスト塗布方法において、 前記第１のレジスト層が形成された前記半導体基板を回
転させながら、前記第２のレジストを滴下流速５ｃｃ／
秒以上で滴下塗布し、その完了と同時に前記半導体基板
の回転を更に高速にすることを特徴とする多層レジスト
塗布方法によって解決される。
本発明では第２レジストと第２レジストが全く同一の材
質である場合、特に有効である。
質である場合、特に有効である。
第２のレジストを滴下塗布する際に；第ルジスト層が形
成された半導体基板は１０００〜２００Ｏｒｐｍで回転
されているのが第２のレジスト層の形成状態（膜厚分布
等）から好ましい。
成された半導体基板は１０００〜２００Ｏｒｐｍで回転
されているのが第２のレジスト層の形成状態（膜厚分布
等）から好ましい。
また第２のレジスト滴下流速を５ｃｃ／秒以上としたの
は一時に出来るだけ多量の第２のレジストを第１のレジ
スト層上に滴下塗布するためであり、該滴下流速は３〜
６ｃｃ／秒が好ましい。
は一時に出来るだけ多量の第２のレジストを第１のレジ
スト層上に滴下塗布するためであり、該滴下流速は３〜
６ｃｃ／秒が好ましい。
更に本発明では第２のレジストを第１のレジスト上に滴
下塗布しその完了と同時に半導体基板の回転を更に高速
にしてレジスト層の乾燥を早め第１のレジスト、第２の
レジストの混合を防止している。
下塗布しその完了と同時に半導体基板の回転を更に高速
にしてレジスト層の乾燥を早め第１のレジスト、第２の
レジストの混合を防止している。
本発明によれば下層レジスト （第１のレジスト）が溶
解する前に上層レジストの塗布を終了するようにしてい
る。従って、第１のレジストを溶解せしめる溶剤を含む
異なる種類の第２のレジストを重ね塗ることができる。
解する前に上層レジストの塗布を終了するようにしてい
る。従って、第１のレジストを溶解せしめる溶剤を含む
異なる種類の第２のレジストを重ね塗ることができる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための模式図であ
る。
る。
第１図において、１はレジスト滴下用ノズルであり、通
常の約２倍の径を持っている。２は滴下用ポンプ、３は
下層レジスト、５はウェハ、６はモーター及びチャック
である。７は滴下ノズル移動用のアームである。第２図
（ａ）、 （ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれアーム７の移動
、レジスト滴下及びウェハ回転のシーケンスを示す図で
あり、このシーケンスにより滴下用ノズル１は移動し、
ウェハ回転中に２層目のレジストが滴下される。その後
、滴下を終了し、高速で回転数を上昇させる。その後、
回転数を維持したまま乾燥のための回転を行なう。
常の約２倍の径を持っている。２は滴下用ポンプ、３は
下層レジスト、５はウェハ、６はモーター及びチャック
である。７は滴下ノズル移動用のアームである。第２図
（ａ）、 （ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれアーム７の移動
、レジスト滴下及びウェハ回転のシーケンスを示す図で
あり、このシーケンスにより滴下用ノズル１は移動し、
ウェハ回転中に２層目のレジストが滴下される。その後
、滴下を終了し、高速で回転数を上昇させる。その後、
回転数を維持したまま乾燥のための回転を行なう。
実施例では下層レジスト塗布を下記条件で通常通り行っ
た。
た。
レジスト種類 二ノボラック系レジスト滴下時間
：２秒 滴下流量 ：１ｃｃ／秒 滴下中ウェハ回転数：Ｑｒｐｍ ウェハ最高回転数 ： ５０００ｒｐｍ（膜厚決定） 上記条件により下層レジスト３は約０．７Ｒ１の厚さに
形成された。
：２秒 滴下流量 ：１ｃｃ／秒 滴下中ウェハ回転数：Ｑｒｐｍ ウェハ最高回転数 ： ５０００ｒｐｍ（膜厚決定） 上記条件により下層レジスト３は約０．７Ｒ１の厚さに
形成された。
次に上記下層レジスト上に下記条件で上層レジストを形
成した。
成した。
レジスト種類 二ノボラック系レジスト（下層レジ
ストと同一） 滴下時間 ：０．２秒 滴下流量 ： ６． Ｏｃｃ／秒滴下中ウェハ
回転数： １５００ｒｐｍウェハ最高回転数 ： ５５
００ｒｐｍ（膜厚決定） 上記条件により上層レジストを約０．５ハの厚さに形成
した。膜厚分布は従来と同様であった。
ストと同一） 滴下時間 ：０．２秒 滴下流量 ： ６． Ｏｃｃ／秒滴下中ウェハ
回転数： １５００ｒｐｍウェハ最高回転数 ： ５５
００ｒｐｍ（膜厚決定） 上記条件により上層レジストを約０．５ハの厚さに形成
した。膜厚分布は従来と同様であった。
第３図はレジスト滴下流速と形成されたレジスト層の膜
厚分布（３σ）との関係を示すグラフである。膜厚分布
は従来の単層レジストでの値を１としたものである。
厚分布（３σ）との関係を示すグラフである。膜厚分布
は従来の単層レジストでの値を１としたものである。
総滴下量は一定としており、従って流量を上げることに
よりレジスト滴下時間を短縮出来ることがわかる。
よりレジスト滴下時間を短縮出来ることがわかる。
また第４図は半導体基板（ウェハ）の回転数と上記膜厚
分布（３σ）との関係を示すグラフである。この図から
ウェハの回転数が約１５００ｒｐｍ以上であれは膜厚分
布は従来とほぼ同様である。
分布（３σ）との関係を示すグラフである。この図から
ウェハの回転数が約１５００ｒｐｍ以上であれは膜厚分
布は従来とほぼ同様である。
以上説明した様に本発明によれば下層レジストが溶解す
る前に上層レジストの塗布が可能となり、−度の現像処
理も可能になる。
る前に上層レジストの塗布が可能となり、−度の現像処
理も可能になる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための模式図であ
り、 第２図（ａ）、 （ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれアーム
７の移動、レジスト滴下及びウェハ回転のシーケンスを
示す図であり、 第３図はレジスト滴下流速と形成されたレジスト層の膜
厚分布（３σ）との関係を示すグラフであり、 第４図は半導体基板（ウェハ〉の回転数と上記膜厚分布
（３σ）との関係を示すグラフである。 １・・・レジスト滴下用ノズル、 ２・・・滴下用ポンプ、 ３・・・下層レジスト （第１のレジスト層）、５・・
・ウェハ ６・・・モーター及びチャック、 ７・・・レジスト滴下用ノズル移動用アーム、８・・・
上層レジスト（第２のレジスト層）。
り、 第２図（ａ）、 （ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれアーム
７の移動、レジスト滴下及びウェハ回転のシーケンスを
示す図であり、 第３図はレジスト滴下流速と形成されたレジスト層の膜
厚分布（３σ）との関係を示すグラフであり、 第４図は半導体基板（ウェハ〉の回転数と上記膜厚分布
（３σ）との関係を示すグラフである。 １・・・レジスト滴下用ノズル、 ２・・・滴下用ポンプ、 ３・・・下層レジスト （第１のレジスト層）、５・・
・ウェハ ６・・・モーター及びチャック、 ７・・・レジスト滴下用ノズル移動用アーム、８・・・
上層レジスト（第２のレジスト層）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に形成された第１のレジスト層上に更
に該第１のレジストを溶解せしめる溶剤を含む第２のレ
ジスト層をスピンコート法により塗布する多層レジスト
塗布方法において、 前記第１のレジスト層が形成された前記半導体基板を回
転させながら前記第２のレジストを滴下流速５ｃｃ／秒
以上で滴下塗布し、その完了と同時に前記半導体基板の
回転を更に高速にすることを特徴とする多層レジスト塗
布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5787290A JPH03262567A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 多層レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5787290A JPH03262567A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 多層レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03262567A true JPH03262567A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=13068075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5787290A Pending JPH03262567A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 多層レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03262567A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071960A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法 |
| JP2012069823A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP5787290A patent/JPH03262567A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071960A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法 |
| JP2012069823A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
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