JPH03238068A - フォトレジストを塗布する方法 - Google Patents
フォトレジストを塗布する方法Info
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- JPH03238068A JPH03238068A JP3088790A JP3088790A JPH03238068A JP H03238068 A JPH03238068 A JP H03238068A JP 3088790 A JP3088790 A JP 3088790A JP 3088790 A JP3088790 A JP 3088790A JP H03238068 A JPH03238068 A JP H03238068A
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Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
噂業上の利用分野
本発明は、集積回路素子の製造工程におけるフォトリソ
工程でのフォトレジスト塗布方法に関するものである。
工程でのフォトレジスト塗布方法に関するものである。
従来の技術
近年の集積回路素子は高集積化が進み、素子の微細化が
進む一方、シリコン基板の大口径化が進んでおり、すで
に４Ｍビットの製造で一部のメーカーにおいては、６イ
ンチから８インチに移行している。更に、今後も大口径
化が進むものと考えられる。この大口径のシリコン基板
にフォトレジストをいかに均一に塗布できるかが大きな
問題になってきている。
進む一方、シリコン基板の大口径化が進んでおり、すで
に４Ｍビットの製造で一部のメーカーにおいては、６イ
ンチから８インチに移行している。更に、今後も大口径
化が進むものと考えられる。この大口径のシリコン基板
にフォトレジストをいかに均一に塗布できるかが大きな
問題になってきている。
従来から行なわれているフォトレジスト塗布方法につい
て第２図に示す工程流れ図によりのべる。１は保持回転
器具、２はシリコン基板、３は容器、４はフォトレジス
ト、５はフォトレジストである。
て第２図に示す工程流れ図によりのべる。１は保持回転
器具、２はシリコン基板、３は容器、４はフォトレジス
ト、５はフォトレジストである。
第２図（ａ）のように、保持回転器具１上に、シリコン
基板２の塗布面を上にして保持し、次に、第２図（ｂ）
のように上部にある容器３のノズルより、フォトレジス
ト４を基板の中央に噴射しながら基板を回転させること
により、第２図（ｃ）のようにフォトレジスト４を基板
２の上面に塗布している。
基板２の塗布面を上にして保持し、次に、第２図（ｂ）
のように上部にある容器３のノズルより、フォトレジス
ト４を基板の中央に噴射しながら基板を回転させること
により、第２図（ｃ）のようにフォトレジスト４を基板
２の上面に塗布している。
発明が解決しようとする課題
従来の方法では、基板を上にして、基板の中央部よりフ
ォトレジストを注ぎ、基板の回転の遠心力によりフォト
レジストを基板の外周部の方に広げて行くことにより塗
布する方法のため、基板が大きくなる程塗布時間がかか
り、塗布中の溶剤の揮発により中心部と周辺部とで溶液
の粘度に差が生じやすくなり、中心部と周辺部との塗布
厚さに差が生じる。また、この弊害をやわらげるために
回転数を増せば、中心部と周辺部との回転速度の差がよ
り大きくなるために、中心部と周環部との塗布厚差がよ
り大きくなる。また、中心部よりフォトレジストを遠心
力によって広げる方法は、フォトレジストと基板との界
面が広がっていくため、基板の界面状態が広がり方に大
きな影響を及ぼし、ストリエーションが生じ易くなる。
ォトレジストを注ぎ、基板の回転の遠心力によりフォト
レジストを基板の外周部の方に広げて行くことにより塗
布する方法のため、基板が大きくなる程塗布時間がかか
り、塗布中の溶剤の揮発により中心部と周辺部とで溶液
の粘度に差が生じやすくなり、中心部と周辺部との塗布
厚さに差が生じる。また、この弊害をやわらげるために
回転数を増せば、中心部と周辺部との回転速度の差がよ
り大きくなるために、中心部と周環部との塗布厚差がよ
り大きくなる。また、中心部よりフォトレジストを遠心
力によって広げる方法は、フォトレジストと基板との界
面が広がっていくため、基板の界面状態が広がり方に大
きな影響を及ぼし、ストリエーションが生じ易くなる。
そこで、本発明はこれらの問題点の解決を図ることを目
的とする。
的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明のフォトレジストの
塗布方法は基板のフォトレジスト塗布面を下にして保持
し、容器中のフォトレジストに同時に塗布面全面を浸し
、基板を溶液中より上げると同時に回転させる。
塗布方法は基板のフォトレジスト塗布面を下にして保持
し、容器中のフォトレジストに同時に塗布面全面を浸し
、基板を溶液中より上げると同時に回転させる。
作用
この方法のように、基板に同時に全面フォトレジストを
塗布した後に回転させるため、回転速度も比較的小さく
てすみ、膜厚において中心部と周辺部で差を小さくでき
、かつ、基板界面の影響が受けにくいためストリエーシ
ョンを抑えることができる。
塗布した後に回転させるため、回転速度も比較的小さく
てすみ、膜厚において中心部と周辺部で差を小さくでき
、かつ、基板界面の影響が受けにくいためストリエーシ
ョンを抑えることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明のフォトレジスト塗布方法の
工程流れ図である。まず、第２図（ａ）のように先端が
厚さ１０ｍｍ、直径１００ ｍｍのアルミニウムの円板
で、下面に２０個の０．５ｍｍ の吸引穴を持ち、円板
の上面中央より吸引用の管と回転棒とを同円心状に備え
た保持回転器具１に、８インチのシリコン基板２の裏面
を真空吸着させ、次に、第１図（ｂｌのように容器３に
入れられたフォトレジスト４に基板の表面を浸し、つい
で、第１図（Ｃ１のように液面より３０ｍｍ引き上げた
地点で、シリコン基板を１０００回／分で回転させた。
説明する。第１図は本発明のフォトレジスト塗布方法の
工程流れ図である。まず、第２図（ａ）のように先端が
厚さ１０ｍｍ、直径１００ ｍｍのアルミニウムの円板
で、下面に２０個の０．５ｍｍ の吸引穴を持ち、円板
の上面中央より吸引用の管と回転棒とを同円心状に備え
た保持回転器具１に、８インチのシリコン基板２の裏面
を真空吸着させ、次に、第１図（ｂｌのように容器３に
入れられたフォトレジスト４に基板の表面を浸し、つい
で、第１図（Ｃ１のように液面より３０ｍｍ引き上げた
地点で、シリコン基板を１０００回／分で回転させた。
これにより、第１図（ｄ）のように、フォトレジストの
厚さが１．０μｍでばらつきが１０ｎｍでストリエーシ
ョンのないものが得られた。
厚さが１．０μｍでばらつきが１０ｎｍでストリエーシ
ョンのないものが得られた。
発明の効果
本発明は、大口径のシリコン基板に対しても、フォトレ
ジストの膜厚が均一でストリエーションのない塗布を可
能にするものである。
ジストの膜厚が均一でストリエーションのない塗布を可
能にするものである。
第１図は本発明の塗布方法を示す工程流れ図、第２図は
従来の塗布方法を示す工程流れ図である。 １・・・・・・保持回転器具、２・・・・・・シリコン
基板、３・・・・・・容器、４・・・・・・フォトレジ
スト、５・・・・・・フォトレジスト。
従来の塗布方法を示す工程流れ図である。 １・・・・・・保持回転器具、２・・・・・・シリコン
基板、３・・・・・・容器、４・・・・・・フォトレジ
スト、５・・・・・・フォトレジスト。
Claims (1)
- フォトレジスト塗布を必要とする基板の面を下にした状
態に保持し、前記基板より大きい容器に入れられたフォ
トレジスト溶液に基板表面のみを浸し、溶液面より離脱
後面を下に保ったまま基板を高速回転することにより基
板にフォトレジストを塗布する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3088790A JPH03238068A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | フォトレジストを塗布する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3088790A JPH03238068A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | フォトレジストを塗布する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238068A true JPH03238068A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12316242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3088790A Pending JPH03238068A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | フォトレジストを塗布する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238068A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445732B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-08-25 | 동부전자 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 크리티컬 디멘젼 균일도 향상 및이물질을 제거하기 위한 장치 및 방법 |
| WO2016132830A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | 住友精密工業株式会社 | 充填方法および充填装置 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP3088790A patent/JPH03238068A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445732B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-08-25 | 동부전자 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 크리티컬 디멘젼 균일도 향상 및이물질을 제거하기 위한 장치 및 방법 |
| WO2016132830A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | 住友精密工業株式会社 | 充填方法および充填装置 |
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