JP2793554B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2793554B2 JP2793554B2 JP10525496A JP10525496A JP2793554B2 JP 2793554 B2 JP2793554 B2 JP 2793554B2 JP 10525496 A JP10525496 A JP 10525496A JP 10525496 A JP10525496 A JP 10525496A JP 2793554 B2 JP2793554 B2 JP 2793554B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- coating film
- spin
- semiconductor device
- edge rinse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 24
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 1
- -1 acetate ester Chemical class 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に半導体ウェハー周辺部の塗布膜除去方
法に関する。
方法に関し、特に半導体ウェハー周辺部の塗布膜除去方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体ウェハー上に塗布膜を形成するには、図４（ａ）
に示すようにスピンオン液を半導体ウェハー３上に滴下
し、半導体ウェハーを回転させることにより、スピンオ
ン液５を半導体ウェハー表面の全面にひきのばした後、
半導体ウェハー円周部分の周辺部（半導体ウェハー最端
より２〜５ｍｍ）に半導体ウェハー３を回転させながら
ノズル６からエッジリンス液を滴下し、半導体ウェハー
周辺部の塗布膜を除去する方法が用いられていた（例え
ば、特開平２−５２４３１，特開平４−２０６６２
６）。
半導体ウェハー上に塗布膜を形成するには、図４（ａ）
に示すようにスピンオン液を半導体ウェハー３上に滴下
し、半導体ウェハーを回転させることにより、スピンオ
ン液５を半導体ウェハー表面の全面にひきのばした後、
半導体ウェハー円周部分の周辺部（半導体ウェハー最端
より２〜５ｍｍ）に半導体ウェハー３を回転させながら
ノズル６からエッジリンス液を滴下し、半導体ウェハー
周辺部の塗布膜を除去する方法が用いられていた（例え
ば、特開平２−５２４３１，特開平４−２０６６２
６）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の周辺塗
布膜除去方法では、半導体ウェハーオリエンテーション
・フラット（ＯＦ）部分の周辺塗布膜の除去は困難であ
り、塗布膜形成後の半導体装置製造工程において、ＯＦ
部分の周辺塗布膜が剥がれてゴミとして、ウェハーに再
付着し、ＩＣの歩留りを低下させる。その理由は、従来
の周辺塗布膜除去方法では、スピンオン液塗布後、半導
体ウェハー周辺円周部分にエッジリンス液を滴下し、ウ
ェハーを回転させることにより遠心力によって、円周部
分の塗布膜を除去する方法であり、図４（ｂ）のよう
に、ＯＦ部分の周辺塗布膜は、除去出来ないためであ
る。
布膜除去方法では、半導体ウェハーオリエンテーション
・フラット（ＯＦ）部分の周辺塗布膜の除去は困難であ
り、塗布膜形成後の半導体装置製造工程において、ＯＦ
部分の周辺塗布膜が剥がれてゴミとして、ウェハーに再
付着し、ＩＣの歩留りを低下させる。その理由は、従来
の周辺塗布膜除去方法では、スピンオン液塗布後、半導
体ウェハー周辺円周部分にエッジリンス液を滴下し、ウ
ェハーを回転させることにより遠心力によって、円周部
分の塗布膜を除去する方法であり、図４（ｂ）のよう
に、ＯＦ部分の周辺塗布膜は、除去出来ないためであ
る。
【０００４】また、半導体ウェハーのＯＦ部の周辺塗布
膜を除去するには、従来方法を実施後、ウェハー回転を
停止し、ＯＦ部にのみエッジリンス液を滴下する必要が
あるが、この際、ウェハーを３０度〜５０度傾斜させた
状態で滴下しないと、ＩＣの歩留まりを低下させる。そ
の理由は、３０度以下の傾斜では、ウェハーに反射した
エッジリンス液が、内部へ飛散し、半導体装置形成部分
の塗布膜を溶かしてしまい、５０度以上の傾斜では、Ｏ
Ｆ部の周辺塗布膜が残ってしまうためである。
膜を除去するには、従来方法を実施後、ウェハー回転を
停止し、ＯＦ部にのみエッジリンス液を滴下する必要が
あるが、この際、ウェハーを３０度〜５０度傾斜させた
状態で滴下しないと、ＩＣの歩留まりを低下させる。そ
の理由は、３０度以下の傾斜では、ウェハーに反射した
エッジリンス液が、内部へ飛散し、半導体装置形成部分
の塗布膜を溶かしてしまい、５０度以上の傾斜では、Ｏ
Ｆ部の周辺塗布膜が残ってしまうためである。
【０００５】本発明の目的は、半導体ウェハー上にスピ
ンオン液を塗布後のウェハー周辺塗布膜除去方法におい
て、従来の技術では困難であったウェハーＯＦ部分の周
辺塗布膜を除去することにより、塗布膜形成後の半導体
装置製造工程において、ウェハーキャリアあるいは装置
の搬送機構との接触により、ウェハーＯＦ部周辺塗布膜
が剥がれて飛散し、ゴミとして半導体ウェハー表面に付
着し、ＩＣの歩留が低下するのを防止することにある。
ンオン液を塗布後のウェハー周辺塗布膜除去方法におい
て、従来の技術では困難であったウェハーＯＦ部分の周
辺塗布膜を除去することにより、塗布膜形成後の半導体
装置製造工程において、ウェハーキャリアあるいは装置
の搬送機構との接触により、ウェハーＯＦ部周辺塗布膜
が剥がれて飛散し、ゴミとして半導体ウェハー表面に付
着し、ＩＣの歩留が低下するのを防止することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハ
ー上に、スピンオン液を塗布後、ウェハーを回転しなが
らウェハー円周部分の周辺塗布膜を除去する工程と、ウ
ェハー回転を停止した後、ウェハーを傾斜させ、ウェハ
ーＯＦ部分に沿って、エッジリンス液を滴下し、ＯＦ部
分の周辺塗布膜を除去する工程とを有する半導体装置の
製造方法である。ウェハーの傾斜角は３０〜５０度の範
囲が望ましい。
ー上に、スピンオン液を塗布後、ウェハーを回転しなが
らウェハー円周部分の周辺塗布膜を除去する工程と、ウ
ェハー回転を停止した後、ウェハーを傾斜させ、ウェハ
ーＯＦ部分に沿って、エッジリンス液を滴下し、ＯＦ部
分の周辺塗布膜を除去する工程とを有する半導体装置の
製造方法である。ウェハーの傾斜角は３０〜５０度の範
囲が望ましい。
【０００７】本発明は、スピンオン液がウェハー表面全
面に拡散して、ウェハーの全域に塗布膜を形成したの
ち、続いて、ウェハーの周へ部に設けたノズルよりウェ
ハーを回転させながら滴下し、ウェハー円周部分の周辺
塗布膜を除去する。次に、ウェハー回転を停止し、ウェ
ハーを３０〜５０度に傾斜させて、ノズルをＯＦに沿っ
て移動させながら、エッジリンス液を滴下する。このよ
うに、ウェハーを傾斜させることで、ＯＦ部に滴下した
エッジリンス液のはね返りが、ウェハーの半導体装置形
成部分に飛散することなく、ＯＦ部の周辺塗布膜を除去
することが可能となる。
面に拡散して、ウェハーの全域に塗布膜を形成したの
ち、続いて、ウェハーの周へ部に設けたノズルよりウェ
ハーを回転させながら滴下し、ウェハー円周部分の周辺
塗布膜を除去する。次に、ウェハー回転を停止し、ウェ
ハーを３０〜５０度に傾斜させて、ノズルをＯＦに沿っ
て移動させながら、エッジリンス液を滴下する。このよ
うに、ウェハーを傾斜させることで、ＯＦ部に滴下した
エッジリンス液のはね返りが、ウェハーの半導体装置形
成部分に飛散することなく、ＯＦ部の周辺塗布膜を除去
することが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明における周辺塗布
膜の除去方法の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態を説明するた
めの図である。図１（ａ）において、ウェハーカップ１
内に、回転モーター７により軸のまわりに回転するスピ
ンチャック２を設け、このスピンチャック２上にウェハ
ー３を真空吸着して固定する。又、スピンチャック２
は、ウェハー３を固定したまま同図のように３０〜５０
度に傾斜ができるように、スピンチャック傾斜用のモー
ター８を設ける。
膜の除去方法の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態を説明するた
めの図である。図１（ａ）において、ウェハーカップ１
内に、回転モーター７により軸のまわりに回転するスピ
ンチャック２を設け、このスピンチャック２上にウェハ
ー３を真空吸着して固定する。又、スピンチャック２
は、ウェハー３を固定したまま同図のように３０〜５０
度に傾斜ができるように、スピンチャック傾斜用のモー
ター８を設ける。
【０００９】ウェハーカップ中央部上方には、スピンオ
ン液塗布用ノズル４が垂下されており、このノズル４の
先端からスピンオン液５をウェハー３の表面に滴下し、
塗布膜５を形成する。ウェハー周辺部上方には、エッジ
リンス液滴下用ノズル６が垂下されており、先端からエ
ッジリンス液を滴下し、ウェハー周辺の塗布膜を除去す
る。エッジリンス液滴下用ノズル６は、ウェハーＯＦ部
上方をＯＦに沿って移動できる機構とする。図１（ｂ）
は、ウェハー３を示す平面図で、本実施の形態によって
ウェハー円周部およびウェハーＯＦ部の塗布膜を除去し
た状態を示している。
ン液塗布用ノズル４が垂下されており、このノズル４の
先端からスピンオン液５をウェハー３の表面に滴下し、
塗布膜５を形成する。ウェハー周辺部上方には、エッジ
リンス液滴下用ノズル６が垂下されており、先端からエ
ッジリンス液を滴下し、ウェハー周辺の塗布膜を除去す
る。エッジリンス液滴下用ノズル６は、ウェハーＯＦ部
上方をＯＦに沿って移動できる機構とする。図１（ｂ）
は、ウェハー３を示す平面図で、本実施の形態によって
ウェハー円周部およびウェハーＯＦ部の塗布膜を除去し
た状態を示している。
【００１０】次に、本発明の実施の形態の動作につい
て、図２を参照して詳細に説明する。図２（ａ）におい
て、スピンチャック２上に水平に固定されたウェハー３
上中央部にスピンオン液塗布用ノズル４より、スピンオ
ン液を滴下する。この時、スピンチャック２は、スピン
オン液滴下中或いは、スピンオン液滴下後、高速回転さ
せて、ウェハー３表面に３００〜１５００オングストロ
ームの厚さに塗布膜５を形成する。次に、図２（ｂ）に
おいて、スピンチャック２を低速回転（例えば、５０ｒ
ｐｍ以下）させながら、アルコール、酢酸エステル等の
エッジリンス液をノズル６より、ウェハー周辺部に滴下
する。この結果、図４（ｂ）の様に、ウェハー円周部分
の周辺塗布膜除去が完了する。
て、図２を参照して詳細に説明する。図２（ａ）におい
て、スピンチャック２上に水平に固定されたウェハー３
上中央部にスピンオン液塗布用ノズル４より、スピンオ
ン液を滴下する。この時、スピンチャック２は、スピン
オン液滴下中或いは、スピンオン液滴下後、高速回転さ
せて、ウェハー３表面に３００〜１５００オングストロ
ームの厚さに塗布膜５を形成する。次に、図２（ｂ）に
おいて、スピンチャック２を低速回転（例えば、５０ｒ
ｐｍ以下）させながら、アルコール、酢酸エステル等の
エッジリンス液をノズル６より、ウェハー周辺部に滴下
する。この結果、図４（ｂ）の様に、ウェハー円周部分
の周辺塗布膜除去が完了する。
【００１１】次に、図２（ｃ）において、ウェハーの回
転を停止し、ＯＦ合わせ９を用いて、ウェハー３のＯＦ
を所定の位置に合わせ、スピンチャック２用傾斜モータ
８によって、スピンチャック２を、３０〜５０度に傾斜
させる。この時、ウェハーＯＦ部が水平に保たれ、ウェ
ハー内で最も低い位置になる方向へ傾斜させる。
転を停止し、ＯＦ合わせ９を用いて、ウェハー３のＯＦ
を所定の位置に合わせ、スピンチャック２用傾斜モータ
８によって、スピンチャック２を、３０〜５０度に傾斜
させる。この時、ウェハーＯＦ部が水平に保たれ、ウェ
ハー内で最も低い位置になる方向へ傾斜させる。
【００１２】次に、図２（ｄ）において、ノズル６をウ
ェハーＯＦ部上方（例えば５〜１０ｍｍ）に近づけ、図
２（ｅ）の様に、ノズル６をＯＦに沿って移動させなが
ら、ノズル先端より、エッジリンス液を滴下する。この
結果、図１（ｂ）の様に、ウェハー円周部及びＯＦ部の
周辺塗布膜除去が容易となる。この場合、ウェハーの傾
斜角が３０度以下では、ウェハーに反射したエッジリン
ス液が内部へ飛散し、半導体装置形成部分の塗布膜を溶
かしてしまい、５０度以上の傾斜では、ＯＦ部の周辺塗
布膜が残ってしまうので、傾斜角としては３０〜５０度
の範囲が適当である。
ェハーＯＦ部上方（例えば５〜１０ｍｍ）に近づけ、図
２（ｅ）の様に、ノズル６をＯＦに沿って移動させなが
ら、ノズル先端より、エッジリンス液を滴下する。この
結果、図１（ｂ）の様に、ウェハー円周部及びＯＦ部の
周辺塗布膜除去が容易となる。この場合、ウェハーの傾
斜角が３０度以下では、ウェハーに反射したエッジリン
ス液が内部へ飛散し、半導体装置形成部分の塗布膜を溶
かしてしまい、５０度以上の傾斜では、ＯＦ部の周辺塗
布膜が残ってしまうので、傾斜角としては３０〜５０度
の範囲が適当である。
【００１３】次に、本発明の第２の実施の形態を図３に
より説明する。ウェハー３を傾斜させる機構として、ス
ピンチャック２のウェハー支持台部のみを、支持台の一
片を下部に設置された突き上げ棒１０により突き上げる
ことによりウェハー３を３０〜５０度に傾斜させる。こ
の際、突き上げ棒１０は、シリンダ１１によって動作す
るものとする。
より説明する。ウェハー３を傾斜させる機構として、ス
ピンチャック２のウェハー支持台部のみを、支持台の一
片を下部に設置された突き上げ棒１０により突き上げる
ことによりウェハー３を３０〜５０度に傾斜させる。こ
の際、突き上げ棒１０は、シリンダ１１によって動作す
るものとする。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ウェハ
ーのＯＦ部の周辺塗布膜が除去できるようになったの
で、半導体ウェハー上に塗布膜を形成後の半導体装置製
造工程において、ウェハーＯＦ部とキャリヤとのとの接
触或いは、装置搬送機構との接触によって発生するウェ
ハーＯＦ部分周辺からの塗布膜剥がれゴミがなくなり、
ＩＣの歩留り低下を防止できる。
ーのＯＦ部の周辺塗布膜が除去できるようになったの
で、半導体ウェハー上に塗布膜を形成後の半導体装置製
造工程において、ウェハーＯＦ部とキャリヤとのとの接
触或いは、装置搬送機構との接触によって発生するウェ
ハーＯＦ部分周辺からの塗布膜剥がれゴミがなくなり、
ＩＣの歩留り低下を防止できる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態を説明する
ための図、（ｂ）はウェハー上の周辺塗布膜の除去状態
を示す図である。
ための図、（ｂ）はウェハー上の周辺塗布膜の除去状態
を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施の形態の
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明するための図
である。
である。
【図４】（ａ）は従来例を説明するための図、（ｂ）は
ウェハー上の周辺塗布膜の除去状態を示す図である。
ウェハー上の周辺塗布膜の除去状態を示す図である。
１ カップ ２ スピンチャック ３ 半導体ウェハー ４ スピンオン液滴下ノズル ５ 塗布膜 ６ エッジリンス液滴下ノズル ７ スピンチャック回転モータ ８ スピンチャック傾斜モータ ９ ウェハーＯＦ合わせ １０ ウェハー支持台突き上げ棒 １１ シリンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 11/08 G03F 7/16 502 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハー支持台上に水平に支持された半
導体ウェハー上にスピンオン液を塗布した後、ウェハー
を回転しながらノズルよりアルコール等の塗布膜溶剤
（以下エッジリンス液と記す）を供給して、ウェハー円
周部周辺塗布膜を除去する工程と、ウェハー回転を停止
し、オリエンテーション・フラット位置を合わせた後、
ウェハーを傾斜させオリエンテーション・フラット部分
にエッジリンス液を供給してオリエンテーション・フラ
ット部の周辺塗布膜を除去する工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 ウェハーを傾斜させる角度は３０〜５０
度である請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10525496A JP2793554B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10525496A JP2793554B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293658A JPH09293658A (ja) | 1997-11-11 |
| JP2793554B2 true JP2793554B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=14402525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10525496A Expired - Fee Related JP2793554B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2793554B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6748961B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
| US7128823B2 (en) | 2002-07-24 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Anolyte for copper plating |
| US7247222B2 (en) | 2002-07-24 | 2007-07-24 | Applied Materials, Inc. | Electrochemical processing cell |
| JP4966774B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2012-07-04 | オリジン電気株式会社 | 塗布物展延装置 |
| KR102296616B1 (ko) * | 2020-05-27 | 2021-09-01 | (주) 씨엠에스 | 자동차용 스피커 그릴의 회전식 탑코팅 시스템 및 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3112928U (ja) | 2005-03-28 | 2005-09-02 | 真知子 高橋 | クッション型おむつ・おしりふき容器収納具 |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP10525496A patent/JP2793554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3112928U (ja) | 2005-03-28 | 2005-09-02 | 真知子 高橋 | クッション型おむつ・おしりふき容器収納具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09293658A (ja) | 1997-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2845738B2 (ja) | 回転式基板処理装置の基板回転保持具 | |
| US7470344B1 (en) | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing | |
| JPS6053675B2 (ja) | スピンコ−テイング方法 | |
| US11033929B2 (en) | Application method | |
| JP3177728B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| US20040154530A1 (en) | Configuration and a method for reducing contamination with particles on a substrate in a process tool | |
| JP2793554B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09220505A (ja) | 基板表面に形成されたシリカ系被膜の膜溶解方法 | |
| JP3335928B2 (ja) | 塗布方法 | |
| JPH07263302A (ja) | レジストの現像方法 | |
| JP2814184B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JPH1092734A (ja) | レジスト材料の塗布方法 | |
| JPH06244167A (ja) | ウェハーエッジの加工方法とその装置 | |
| JP3168642B2 (ja) | 被膜除去方法およびその装置 | |
| KR100615083B1 (ko) | 스핀 코터 및 이를 이용한 웨이퍼 에지 포토레지스트 제거방법 | |
| JPH05259063A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JP2635476B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JP2909362B2 (ja) | 基板保持装置 | |
| JPH05259050A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 | |
| JP2840182B2 (ja) | 基板への回転式塗布方法並びに基板への回転式塗布装置 | |
| JPH06151405A (ja) | 基板乾燥方法 | |
| JPH05259049A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPH0845923A (ja) | 半導体塗布膜形成方法 | |
| JP3501255B2 (ja) | スピンコート法およびスピンコート装置 | |
| JPH10294266A (ja) | レジスト膜形成方法およびそれに用いるチャック並びに乾燥装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980602 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |