JPH07263302A - レジストの現像方法 - Google Patents
レジストの現像方法Info
- Publication number
- JPH07263302A JPH07263302A JP4757094A JP4757094A JPH07263302A JP H07263302 A JPH07263302 A JP H07263302A JP 4757094 A JP4757094 A JP 4757094A JP 4757094 A JP4757094 A JP 4757094A JP H07263302 A JPH07263302 A JP H07263302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- developing
- nozzle
- speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パドル方式のレジスト現像方法に関し、特に
ウェーハ上のレジストが現像されてなるレジストパター
ンのパターン幅のバラツキを小さくできるレジストの現
像方法の提供を目的とする。 【構成】 ウェーハ11を2000RPM以上で回転さ
せているウェーハの周辺部から中心部に向けて30mm
/秒以下の速度で移動する現像液供給手段22から現像
液14を滴下してレジスト12を現像する工程と、現像
液供給手段がウェーハの中心部に到達したらその移動を
停止するとともに、ウェーハの回転を徐々に減速しなが
らレジストを現像する工程と、ウェーハの回転の停止と
同時に現像液供給手段からの現像液の滴下も停止してレ
ジスト上に現像液溜まり15を形成してそれを現像する
工程とを含ませて構成する。
ウェーハ上のレジストが現像されてなるレジストパター
ンのパターン幅のバラツキを小さくできるレジストの現
像方法の提供を目的とする。 【構成】 ウェーハ11を2000RPM以上で回転さ
せているウェーハの周辺部から中心部に向けて30mm
/秒以下の速度で移動する現像液供給手段22から現像
液14を滴下してレジスト12を現像する工程と、現像
液供給手段がウェーハの中心部に到達したらその移動を
停止するとともに、ウェーハの回転を徐々に減速しなが
らレジストを現像する工程と、ウェーハの回転の停止と
同時に現像液供給手段からの現像液の滴下も停止してレ
ジスト上に現像液溜まり15を形成してそれを現像する
工程とを含ませて構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パドル方式のレジスト
現像方法、特にウェーハ上のレジストが現像されてなる
レジストパターンのパターン幅のバラツキを小さくでき
るレジストの現像方法に関する。
現像方法、特にウェーハ上のレジストが現像されてなる
レジストパターンのパターン幅のバラツキを小さくでき
るレジストの現像方法に関する。
【0002】
【従来の技術】次に、図2を参照し、従来のレジストの
現像方法について説明する。なお、本明細書において
は、同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同
じ符号を付与してある。
現像方法について説明する。なお、本明細書において
は、同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同
じ符号を付与してある。
【0003】従来のレジストの現像方法は、図2(a)
で示すように、まず (1)レジスト12を表面上に被着したウェーハ11を
回転チャック21で水平に吸着し、この回転チャック2
1とともにウェーハ11をその中心部を回転中心にして
800RPM程度の速度で水平方向に回転させる。 (3)この後、前述の回転速度でもって回転を継続して
いるウェーハ11上に、その周辺部から中心部に向けて
75mm/秒程度の速度でもって移動するノズル22か
ら現像液14を滴下し、ウェーハ11上のレジスト12
を現像する(第1の現像工程)。 (4)ノズル22がウェーハ11の中心部に到達した
ら、このノズル22からの現像液14の滴下を継続しな
がらウェーハ11の回転速度を徐々に落とし、レジスト
12の現像を継続する(第2の現像工程)。 (5)そして、ウェーハ11の回転の停止と同時にノズ
ル22からの現像液14の滴下を停止してレジスト12
上に現像液溜まり15を形成し、この状態を所定時間保
持すればレジスト12は現像液溜まり15によって現像
されてレジストパターン13となる(第3の現像工
程)。
で示すように、まず (1)レジスト12を表面上に被着したウェーハ11を
回転チャック21で水平に吸着し、この回転チャック2
1とともにウェーハ11をその中心部を回転中心にして
800RPM程度の速度で水平方向に回転させる。 (3)この後、前述の回転速度でもって回転を継続して
いるウェーハ11上に、その周辺部から中心部に向けて
75mm/秒程度の速度でもって移動するノズル22か
ら現像液14を滴下し、ウェーハ11上のレジスト12
を現像する(第1の現像工程)。 (4)ノズル22がウェーハ11の中心部に到達した
ら、このノズル22からの現像液14の滴下を継続しな
がらウェーハ11の回転速度を徐々に落とし、レジスト
12の現像を継続する(第2の現像工程)。 (5)そして、ウェーハ11の回転の停止と同時にノズ
ル22からの現像液14の滴下を停止してレジスト12
上に現像液溜まり15を形成し、この状態を所定時間保
持すればレジスト12は現像液溜まり15によって現像
されてレジストパターン13となる(第3の現像工
程)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のレジス
トの現像方法においては、ウェーハ11の中心部のレジ
スト12は、ウェーハ11の周辺部のレジスト12と比
較し、現像液14と接触している時間が長くなる。
トの現像方法においては、ウェーハ11の中心部のレジ
スト12は、ウェーハ11の周辺部のレジスト12と比
較し、現像液14と接触している時間が長くなる。
【0005】その結果として、ウェーハ11の周辺部
(縁部)のレジスト12を最適現像条件でもって現像し
た場合には、ウェーハ11の中心部のレジスト12が現
像過剰となるし、逆にウェーハ11の中心部のレジスト
12を最適現像条件でもって現像した場合には、ウェー
ハ11の周辺部のレジスト12が現像不足となる。
(縁部)のレジスト12を最適現像条件でもって現像し
た場合には、ウェーハ11の中心部のレジスト12が現
像過剰となるし、逆にウェーハ11の中心部のレジスト
12を最適現像条件でもって現像した場合には、ウェー
ハ11の周辺部のレジスト12が現像不足となる。
【0006】たとえば、ウェーハ11の周辺部のレジス
ト12を最適現像条件でもって現像した場合には、本来
は同じであるべきレジストパターン13のパターン幅
(レジスト幅)が、図2(b)で示すようにウェーハ1
1の周辺からその中心部に近くなるほど狭くなり、結果
としてレジストパターン13のパターン幅のバラツキが
大きくなる。
ト12を最適現像条件でもって現像した場合には、本来
は同じであるべきレジストパターン13のパターン幅
(レジスト幅)が、図2(b)で示すようにウェーハ1
1の周辺からその中心部に近くなるほど狭くなり、結果
としてレジストパターン13のパターン幅のバラツキが
大きくなる。
【0007】ところで、本発明者は、レジストパターン
13のパターン幅のバラツキは、ウェーハ11の回転速
度とノズル22の移動速度、特にウェーハ11の回転速
度に応じて変わることを実験によって確認した(図3参
照)。
13のパターン幅のバラツキは、ウェーハ11の回転速
度とノズル22の移動速度、特にウェーハ11の回転速
度に応じて変わることを実験によって確認した(図3参
照)。
【0008】本発明は、上述の実験に基づいてなされた
ものであって、その目的はレジストパターン13のパタ
ーン幅のウェーハ11内バラツキを小さくできるレジス
トの現像方法を提供することにある。
ものであって、その目的はレジストパターン13のパタ
ーン幅のウェーハ11内バラツキを小さくできるレジス
トの現像方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】図1で示すように前記目
的は、レジストを表面上に被着したウェーハを水平に
し、前記レジストをこの上に形成した現像液溜まりでも
って現像するパドル方式のレジストの現像方法におい
て、ウェーハ11をその中心部を回転中心にして200
0RPM以上の回転速度で回転させるとともに、この回
転速度で回転しているウェーハ11の直上をその周辺部
から中心部に向けて30mm/秒以下の速度でもって移
動する現像液供給手段22から現像液14を連続的に滴
下し、レジスト12を現像する工程と、現像液供給手段
22がウェーハ11の中心部に到達したらその移動を停
止するとともに、ウェーハ11の回転を徐々に減速しな
がらその上のレジスト12を現像する現像する工程と、
ウェーハ11の回転の停止と同時に現像液供給手段22
からの現像液14の滴下も停止してレジスト12上に現
像液溜まり15を形成し、この現像液溜まり15によっ
てレジスト12を現像する工程とを含んでなることを特
徴とするレジストの現像方法によって達成される。
的は、レジストを表面上に被着したウェーハを水平に
し、前記レジストをこの上に形成した現像液溜まりでも
って現像するパドル方式のレジストの現像方法におい
て、ウェーハ11をその中心部を回転中心にして200
0RPM以上の回転速度で回転させるとともに、この回
転速度で回転しているウェーハ11の直上をその周辺部
から中心部に向けて30mm/秒以下の速度でもって移
動する現像液供給手段22から現像液14を連続的に滴
下し、レジスト12を現像する工程と、現像液供給手段
22がウェーハ11の中心部に到達したらその移動を停
止するとともに、ウェーハ11の回転を徐々に減速しな
がらその上のレジスト12を現像する現像する工程と、
ウェーハ11の回転の停止と同時に現像液供給手段22
からの現像液14の滴下も停止してレジスト12上に現
像液溜まり15を形成し、この現像液溜まり15によっ
てレジスト12を現像する工程とを含んでなることを特
徴とするレジストの現像方法によって達成される。
【0010】
【作用】本発明のレジストの現像方法は、図2を参照し
て説明した従来のレジストの現像方法と比較し、初期現
像時においてウェーハ11を高速度(たとえば従来例の
800RPMに対して本発明の一実施例では5000R
PM)で回転するとともに、ノズル22を低速(たとえ
ば従来例の75mm/秒に対して本発明の一実施例にお
いては30mm/秒)で移動するように構成している。
て説明した従来のレジストの現像方法と比較し、初期現
像時においてウェーハ11を高速度(たとえば従来例の
800RPMに対して本発明の一実施例では5000R
PM)で回転するとともに、ノズル22を低速(たとえ
ば従来例の75mm/秒に対して本発明の一実施例にお
いては30mm/秒)で移動するように構成している。
【0011】このため、本発明の第1の現像工程におけ
るウェーハ11の中心部のレジスト12の現像レベルと
周辺部のレジスト12の現像レベルの差Aは拡大(周辺
部の現像レベルが中心部の現像レベルより大)し、従来
のレジストの現像方法のそれ(差A’)とも比較して大
きく(A>A’)なる。
るウェーハ11の中心部のレジスト12の現像レベルと
周辺部のレジスト12の現像レベルの差Aは拡大(周辺
部の現像レベルが中心部の現像レベルより大)し、従来
のレジストの現像方法のそれ(差A’)とも比較して大
きく(A>A’)なる。
【0012】その結果、本発明によるレジストパターン
13の線幅のバラツキは、従来例によるレジストパター
ン13のそれと比較して小さくなる。
13の線幅のバラツキは、従来例によるレジストパター
ン13のそれと比較して小さくなる。
【0013】
【実施例】以下、図1を参照し、本発明の一実施例のレ
ジストの現像方法をその工程順にしたがって説明する。
図1(a)で示すように本発明の一実施例でも、先ず、 (1)レジスト12を表面上に被着したウェーハ11、
たとえば6インチウェーハ11を水平にして回転チャッ
ク21上にセットし、それを真空吸着でもって固定す
る。 (2)次いで、ウェーハ11とともに回転チャック21
を水平面内で回転し、その回転速度を5000RPM程
度にする。 (3)この後、ウェーハ11の周辺部(縁部)の直上で
待機状態にあったノズル22を、30mm/秒前後の速
度でもってウェーハ11の中心部方向(矢印L方向)へ
の移動を開始するとともに、このノズル22からウェー
ハ11に向けて現像液14を400cc/分程度の滴下
速度でもって滴下し、その上のレジスト12の現像を開
始する(第1の現像工程)。 (4)そして、ウェーハ11の中心部上へのノズル22
の到達と同時に、ノズル22の移動を停止するととも
に、回転チャック21の回転を徐々に減速しながらレジ
スト12の現像を続行する(第2の現像工程)。 (5)ノズル22の移動を停止、すなわち上記減速開始
時から約5秒後に回転チャック21の回転を停止し、そ
れと同時にノズル22からの現像液14の滴下も停止し
てレジスト12上に現像液溜まり15(現像液14がそ
の表面張力でもってレジスト12上に盛り上がった状態
で溜まっている状態)を形成する。 (6)この状態を所定時間保持すれば、ウェーハ11上
のレジスト12は現像液溜まり15によって現像され、
たとえば図1(b)で示すようなレジストパターン13
となる(第1の現像工程)。
ジストの現像方法をその工程順にしたがって説明する。
図1(a)で示すように本発明の一実施例でも、先ず、 (1)レジスト12を表面上に被着したウェーハ11、
たとえば6インチウェーハ11を水平にして回転チャッ
ク21上にセットし、それを真空吸着でもって固定す
る。 (2)次いで、ウェーハ11とともに回転チャック21
を水平面内で回転し、その回転速度を5000RPM程
度にする。 (3)この後、ウェーハ11の周辺部(縁部)の直上で
待機状態にあったノズル22を、30mm/秒前後の速
度でもってウェーハ11の中心部方向(矢印L方向)へ
の移動を開始するとともに、このノズル22からウェー
ハ11に向けて現像液14を400cc/分程度の滴下
速度でもって滴下し、その上のレジスト12の現像を開
始する(第1の現像工程)。 (4)そして、ウェーハ11の中心部上へのノズル22
の到達と同時に、ノズル22の移動を停止するととも
に、回転チャック21の回転を徐々に減速しながらレジ
スト12の現像を続行する(第2の現像工程)。 (5)ノズル22の移動を停止、すなわち上記減速開始
時から約5秒後に回転チャック21の回転を停止し、そ
れと同時にノズル22からの現像液14の滴下も停止し
てレジスト12上に現像液溜まり15(現像液14がそ
の表面張力でもってレジスト12上に盛り上がった状態
で溜まっている状態)を形成する。 (6)この状態を所定時間保持すれば、ウェーハ11上
のレジスト12は現像液溜まり15によって現像され、
たとえば図1(b)で示すようなレジストパターン13
となる(第1の現像工程)。
【0014】以上説明したように本発明のレジストの現
像方法は、従来のレジストの現像方法と比較し、第1の
現像工程においてウェーハ11を高速度(たとえば従来
例の800RPMに対して本発明の一実施例では500
0RPM)で回転するとともに、ノズル22を低速(た
とえば従来例の75mm/秒に対して本発明の一実施例
においては30mm/秒)で移動するように構成してい
る。
像方法は、従来のレジストの現像方法と比較し、第1の
現像工程においてウェーハ11を高速度(たとえば従来
例の800RPMに対して本発明の一実施例では500
0RPM)で回転するとともに、ノズル22を低速(た
とえば従来例の75mm/秒に対して本発明の一実施例
においては30mm/秒)で移動するように構成してい
る。
【0015】このため、本発明の第1の現像工程におけ
るウェーハ11の中心部のレジスト12の現像レベルと
周辺部のレジスト12の現像レベルの差Aは拡大(周辺
部の現像レベルが中心部の現像レベルより大)し、従来
のレジストの現像方法のそれ(差A’)とも比較して大
きく(A>A’)なる。
るウェーハ11の中心部のレジスト12の現像レベルと
周辺部のレジスト12の現像レベルの差Aは拡大(周辺
部の現像レベルが中心部の現像レベルより大)し、従来
のレジストの現像方法のそれ(差A’)とも比較して大
きく(A>A’)なる。
【0016】上述のように本発明と従来例のレジストの
現像方法においては第1の現像工程は相違するものの、
第2及び第3の現像工程とは基本的に同じ構成である。
その結果、本発明によるレジストパターン13の線幅の
バラツキは、従来例によるレジストパターン13のそれ
と比較して小さくなる。
現像方法においては第1の現像工程は相違するものの、
第2及び第3の現像工程とは基本的に同じ構成である。
その結果、本発明によるレジストパターン13の線幅の
バラツキは、従来例によるレジストパターン13のそれ
と比較して小さくなる。
【0017】たとえば、6インチのウェーハ11に0.
35μmのL&S(Line&Space)からなるレ
ジストパターン13(図1及び図2参照)を従来法及び
本発明の一実施例で形成した際に、その線幅のバラツキ
(σ:標準偏差)の1例は下記の通りとなり、本発明の
レジストの現像方法の有効性が確認された。
35μmのL&S(Line&Space)からなるレ
ジストパターン13(図1及び図2参照)を従来法及び
本発明の一実施例で形成した際に、その線幅のバラツキ
(σ:標準偏差)の1例は下記の通りとなり、本発明の
レジストの現像方法の有効性が確認された。
【0018】従来法:3σ=0.111μm 本発明:3σ=0.027μm なお、本発明のレジストの現像方法は、露光面積に比較
して非露光面積が多いレジスト12や表面の段差が大き
なウェーハ11上に被着したレジスト12の現像、更に
はウェーハ11上の場所によってレジストパターン13
の密度差が大きなレジスト12等の現像に対し、格段の
効果を示すことが確認されている。
して非露光面積が多いレジスト12や表面の段差が大き
なウェーハ11上に被着したレジスト12の現像、更に
はウェーハ11上の場所によってレジストパターン13
の密度差が大きなレジスト12等の現像に対し、格段の
効果を示すことが確認されている。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、現像後に
おけるレジストパターン幅のウェーハ内バラツキを小さ
くできるレジストの現像方法の提供を可能にする。
おけるレジストパターン幅のウェーハ内バラツキを小さ
くできるレジストの現像方法の提供を可能にする。
【0020】したがって本発明のレジストの現像方法を
半導体装置の製造工程等に導入すれば、その製造歩留り
の向上はもとより電気的特性のバラツキを小さくでき
る。
半導体装置の製造工程等に導入すれば、その製造歩留り
の向上はもとより電気的特性のバラツキを小さくでき
る。
【図1】 本発明の一実施例のレジストの現像方法の模
式的な説明図
式的な説明図
【図2】 従来のレジストの現像方法の模式的な説明図
【図3】 ウェーハの回転速度とレジストパターンの線
幅のバラツキを示す説明図
幅のバラツキを示す説明図
11 ウェーハ 12 レジスト 13 レジストパターン 14 現像液 15 現像液溜まり 21 回転チャック 22 ノズル
Claims (1)
- 【請求項1】 レジストを表面上に被着したウェーハを
水平にし、前記レジストをこの上に形成した現像液溜ま
りでもって現像するパドル方式のレジストの現像方法に
おいて、 前記ウェーハ(11)をその中心部を回転中心にして2
000RPM以上の回転速度で回転させるとともに、こ
の回転速度でもって回転している前記ウェーハ(11)
の直上をその周辺部から中心部に向けて30mm/秒以
下の速度でもって移動する現像液供給手段(22)から
前記現像液(14)を連続的に滴下し、前記レジスト
(12)を現像する工程と、 前記現像液供給手段(22)が前記ウェーハ(11)の
中心部に到達したらその移動を停止するとともに、前記
ウェーハ(11)の前記回転を徐々に減速しながらその
上のレジスト(12)を現像する現像する工程と、 前記ウェーハ(11)の前記回転の停止と同時に前記現
像液供給手段(22)からの前記現像液(14)の滴下
も停止して前記レジスト(12)上に現像液溜まり(1
5)を形成し、この現像液溜まり(15)によってレジ
スト(12)を現像する工程とを含んでなることを特徴
とするレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4757094A JPH07263302A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4757094A JPH07263302A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | レジストの現像方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07263302A true JPH07263302A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12778903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4757094A Withdrawn JPH07263302A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | レジストの現像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07263302A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009075182A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜の形成方法 |
JP2009231617A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
US7682463B2 (en) | 2004-03-16 | 2010-03-23 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Resist stripping method and resist stripping apparatus |
US7775729B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing processing method, developing processing program, and computer readable recording medium recording the program |
US7823534B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-11-02 | Tokyo Electron Limited | Development device and development method |
JP2015099925A (ja) * | 2014-12-15 | 2015-05-28 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 現像方法 |
US9581907B2 (en) | 2007-10-18 | 2017-02-28 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Developing apparatus |
US9687874B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-06-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
JP2018022915A (ja) * | 2013-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
US10290521B2 (en) | 2007-06-29 | 2019-05-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP4757094A patent/JPH07263302A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7823534B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-11-02 | Tokyo Electron Limited | Development device and development method |
US8026048B2 (en) | 2003-12-26 | 2011-09-27 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus and developing method |
US7682463B2 (en) | 2004-03-16 | 2010-03-23 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Resist stripping method and resist stripping apparatus |
US7775729B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing processing method, developing processing program, and computer readable recording medium recording the program |
US10290521B2 (en) | 2007-06-29 | 2019-05-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe |
JP2009075182A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜の形成方法 |
US9581907B2 (en) | 2007-10-18 | 2017-02-28 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Developing apparatus |
US9687874B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-06-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
JP2009231617A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
JP2018022915A (ja) * | 2013-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2018022914A (ja) * | 2013-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2015099925A (ja) * | 2014-12-15 | 2015-05-28 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 現像方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6053675B2 (ja) | スピンコ−テイング方法 | |
JP2007318087A (ja) | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JPH07263302A (ja) | レジストの現像方法 | |
JPH09326361A (ja) | レジスト現像処理方法 | |
JP2003318154A (ja) | 基板エッチング方法および基板エッチング装置 | |
JP2000068186A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5941300B2 (ja) | 現像処理装置 | |
JP2002184679A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04206626A (ja) | 周辺レジスト除去方法 | |
JP2793554B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2712392B2 (ja) | レジスト現像方法 | |
JP2000150352A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3602164B2 (ja) | 現像方法 | |
JPH046086B2 (ja) | ||
JPH0246465A (ja) | 現像機 | |
JPH05259063A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
JP2685027B2 (ja) | フォトレジスト現像装置 | |
JPS61184824A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
JPS6269611A (ja) | 塗布装置 | |
JPH11288868A (ja) | レジスト現像装置およびレジスト現像方法 | |
JPH0963946A (ja) | 基板回転式現像装置 | |
JPH0632673Y2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
JPH11186123A (ja) | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 | |
JPH09115808A (ja) | 塗布装置 | |
JPH05315237A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |