JPS5941300B2 - 現像処理装置 - Google Patents
現像処理装置Info
- Publication number
- JPS5941300B2 JPS5941300B2 JP51066550A JP6655076A JPS5941300B2 JP S5941300 B2 JPS5941300 B2 JP S5941300B2 JP 51066550 A JP51066550 A JP 51066550A JP 6655076 A JP6655076 A JP 6655076A JP S5941300 B2 JPS5941300 B2 JP S5941300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- development
- developer
- spray
- development processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フォトレジスト膜の現像処理装置に関する。
半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体ウェーハ上
にパターンを形成する際には、フォトエッチングが使用
され、このフォトエッチングの良否が半導体集積回路等
の半導体装置を作つた際の性能や歩留りを左右すること
はよく知られている。
にパターンを形成する際には、フォトエッチングが使用
され、このフォトエッチングの良否が半導体集積回路等
の半導体装置を作つた際の性能や歩留りを左右すること
はよく知られている。
従来のフォトエッチングにおける現像方式には、デイプ
式、滴下式、スプレー式があるが、これらの現像方式に
は下記に述べるような諸問題がある。すなわち、デイプ
式の現像方式は、フォトレジスト膜が被着された半導体
ウェーハを現像液中に所定時間浸す方法であるために、
作業能率が悪く人件費が大となる欠点がある。滴下式の
現像方式は、フォトレジスト膜が被着された半導体ウェ
ーハを回転させながら（またはそのままの状態で）この
フォトレジスト膜に現像液を滴下して行なうものである
ために、ウェーハ周辺のフォトレジスト膜には現像され
ない領域が生じやすく、またこの現像残りを防止するに
は現像処理時間を長くする必要があり、処理能力の点で
問題がある。また、スプレー式の現像方式は、フォトレ
ジスト膜が被着された半導体ウェーハを回転させながら
このフォトレジスト膜に現像液を噴霧状にして噴射する
ものであるために、スプレー部分外のフォトレジスト膜
表面に現像液の飛沫が付着し、この部分だけ現像が速く
進みフォトレジスト膜に粒状の現像斑が生ずる欠点があ
る。それゆえ本発明の目的は、従来の諸問題を解決して
現像斑を生ずることなく均一な現像を速やかに行ない分
解能の良好なフォトエッチングが行なえるフォトレジス
ト膜の現像処理法を提供することにある。
式、滴下式、スプレー式があるが、これらの現像方式に
は下記に述べるような諸問題がある。すなわち、デイプ
式の現像方式は、フォトレジスト膜が被着された半導体
ウェーハを現像液中に所定時間浸す方法であるために、
作業能率が悪く人件費が大となる欠点がある。滴下式の
現像方式は、フォトレジスト膜が被着された半導体ウェ
ーハを回転させながら（またはそのままの状態で）この
フォトレジスト膜に現像液を滴下して行なうものである
ために、ウェーハ周辺のフォトレジスト膜には現像され
ない領域が生じやすく、またこの現像残りを防止するに
は現像処理時間を長くする必要があり、処理能力の点で
問題がある。また、スプレー式の現像方式は、フォトレ
ジスト膜が被着された半導体ウェーハを回転させながら
このフォトレジスト膜に現像液を噴霧状にして噴射する
ものであるために、スプレー部分外のフォトレジスト膜
表面に現像液の飛沫が付着し、この部分だけ現像が速く
進みフォトレジスト膜に粒状の現像斑が生ずる欠点があ
る。それゆえ本発明の目的は、従来の諸問題を解決して
現像斑を生ずることなく均一な現像を速やかに行ない分
解能の良好なフォトエッチングが行なえるフォトレジス
ト膜の現像処理法を提供することにある。
このような目的を達成するための本発明の要旨は、半導
体ウェーハを載置する回転板と、この回転板上に載置さ
れる半導体ウェーハ上に現像液を滴下するための第１の
ノズルと、前記第１のノズルから滴下された前記現像液
と同種の現像液をスプレーするための第２のノズルを有
することを特徴とする現像処理装置にある。
体ウェーハを載置する回転板と、この回転板上に載置さ
れる半導体ウェーハ上に現像液を滴下するための第１の
ノズルと、前記第１のノズルから滴下された前記現像液
と同種の現像液をスプレーするための第２のノズルを有
することを特徴とする現像処理装置にある。
以下、本発明にかかる実施例を用いて具体的に説明する
。
。
本発明にかかるフォトレジスト膜の現像処理法は、まず
滴下式でフォトレジスト膜全面に現像液を滴下したのち
スプレー式により再び現像液をフオトレジスト膜に噴射
してフオトレジスト膜を粒状の現像斑のない均一な現像
をするものである。
滴下式でフォトレジスト膜全面に現像液を滴下したのち
スプレー式により再び現像液をフオトレジスト膜に噴射
してフオトレジスト膜を粒状の現像斑のない均一な現像
をするものである。
すなわち、本発明は、たとえば、第１図に略示するよう
な現像処理装置を用い、マスクアライメント装置で焼き
付けられたフオトレジスト膜１が被着された基体たとえ
ば７６Ｔ１Ｌｍφシリコンウエーハ２を真空チヤツクを
有する回転板３に載置し、３０００ｒｐｍ程度の回転数
をもつて回転させながら現像液を２ｃｃ／秒の割合で１
２秒程度滴下ノズル４より滴下する（第２図〜第３図）
ｏこれにより現像液がフオトレジスト膜１全面に速やか
に行き渡ることになる。ついで、シリコンウエーハ２を
３００ｒｐｍ程度に下げ、前記滴下した現像液が乾燥し
ないうちに新らたな現像液を１ｃｃ／秒の割合で２０秒
程度スプレーノズル５によりスプレーする（第２図〜第
３図）。
な現像処理装置を用い、マスクアライメント装置で焼き
付けられたフオトレジスト膜１が被着された基体たとえ
ば７６Ｔ１Ｌｍφシリコンウエーハ２を真空チヤツクを
有する回転板３に載置し、３０００ｒｐｍ程度の回転数
をもつて回転させながら現像液を２ｃｃ／秒の割合で１
２秒程度滴下ノズル４より滴下する（第２図〜第３図）
ｏこれにより現像液がフオトレジスト膜１全面に速やか
に行き渡ることになる。ついで、シリコンウエーハ２を
３００ｒｐｍ程度に下げ、前記滴下した現像液が乾燥し
ないうちに新らたな現像液を１ｃｃ／秒の割合で２０秒
程度スプレーノズル５によりスプレーする（第２図〜第
３図）。
この場合、現像液は噴霧状にフオトレジスト膜１表面に
噴射され、そのスプレー圧でもつて現像液により溶解さ
れたものはつぎつぎに洗い流されるので、仕上り表面は
きれいでかつ均一な現像膜が得られる。ついで、リンス
液を滴下ノズル４またはスプレーノズル５を用いてスプ
レーないし（↓滴下したのち、回転数を５０００ｒｐｍ
程度に高めて現像されたフオトレジスト膜を回転乾燥す
る（第２図〜第４図）ｏなお、第１図において、６は装
置の外枠、６ａは、液の流出口である。このような本発
明にかかるフオトレジスト膜の現像処理法は、現像液を
フオトレジスト膜にスプレーする前に滴下して一様に現
像するものである。
噴射され、そのスプレー圧でもつて現像液により溶解さ
れたものはつぎつぎに洗い流されるので、仕上り表面は
きれいでかつ均一な現像膜が得られる。ついで、リンス
液を滴下ノズル４またはスプレーノズル５を用いてスプ
レーないし（↓滴下したのち、回転数を５０００ｒｐｍ
程度に高めて現像されたフオトレジスト膜を回転乾燥す
る（第２図〜第４図）ｏなお、第１図において、６は装
置の外枠、６ａは、液の流出口である。このような本発
明にかかるフオトレジスト膜の現像処理法は、現像液を
フオトレジスト膜にスプレーする前に滴下して一様に現
像するものである。
ために、スプレー式による現像の際生ずる粒状の現像斑
が皆無となると共に、滴下式に比してスプレー式の現像
方式を用いているためにその現像液のスプレー圧により
速やかにかつ確実にフオトレジスト膜を現像処理するこ
とができる。第５図は本発明にかかる現像処理装置によ
るフオトレジスト膜の現像状況と従来の現像処理装置に
よるフオトレジスト膜の現像状況とを比較した図である
。同図において、横軸は、膜厚１μｍのフオトレジスト
膜が被覆された７６ｍｍφシリコンウエーハにおける中
心からの距離を示し、縦軸は、２０秒間それぞれの方式
により現像した場合の未現像のフオトレジスト膜厚（初
期膜厚は１００００゛λである）を示す。また、実線で
示すもの（Ａ印）は、本発明によるもの、一点錯線で示
すもの（Ｂ線）は、従来の滴下式によるもの、点線で示
すもの（Ｃ印）は、従来のスプレー式により現像処理を
行なつたものを示す。同図よりあきらかのように、本発
明の現像処理装置を用いれば、滴下式に比して現像処理
時間が短縮でき、スプレー式に比してその現像されたフ
オトレジスト膜表面は均一に現像することができる。そ
のため、本発明によれば、滴下式とスプレー式の長所の
みを利用することができるため、フオトレジストの場所
により現像が過度になつたり、小さすぎたりあるいは粒
状の現像斑が生じたりすることがなくなり、分解能を大
幅にあげることができる。また、現像処理時間が従来の
ものに比して短縮でき、しかも高分解能をもつてフオト
レジスト膜を現像することができることより微細加工を
もつてフアインなパターンを有するフオトエツチングが
行なえる。本発明にかかる現像処理装置は、酸化膜の窓
開き用フオトレジスト、電極パターン用エツチングまた
ははくり用フオトレジスト、部分めつきに対するフオト
レジスト、半導体ウエーハそのもののエツチングの保護
膜としてのフオトレジスト等の現像処理に適用でき、フ
オトレジスト膜を被着した基体としては、半導体ウエー
ハに限定されることなく種々の態様の基体を用いること
ができる。
が皆無となると共に、滴下式に比してスプレー式の現像
方式を用いているためにその現像液のスプレー圧により
速やかにかつ確実にフオトレジスト膜を現像処理するこ
とができる。第５図は本発明にかかる現像処理装置によ
るフオトレジスト膜の現像状況と従来の現像処理装置に
よるフオトレジスト膜の現像状況とを比較した図である
。同図において、横軸は、膜厚１μｍのフオトレジスト
膜が被覆された７６ｍｍφシリコンウエーハにおける中
心からの距離を示し、縦軸は、２０秒間それぞれの方式
により現像した場合の未現像のフオトレジスト膜厚（初
期膜厚は１００００゛λである）を示す。また、実線で
示すもの（Ａ印）は、本発明によるもの、一点錯線で示
すもの（Ｂ線）は、従来の滴下式によるもの、点線で示
すもの（Ｃ印）は、従来のスプレー式により現像処理を
行なつたものを示す。同図よりあきらかのように、本発
明の現像処理装置を用いれば、滴下式に比して現像処理
時間が短縮でき、スプレー式に比してその現像されたフ
オトレジスト膜表面は均一に現像することができる。そ
のため、本発明によれば、滴下式とスプレー式の長所の
みを利用することができるため、フオトレジストの場所
により現像が過度になつたり、小さすぎたりあるいは粒
状の現像斑が生じたりすることがなくなり、分解能を大
幅にあげることができる。また、現像処理時間が従来の
ものに比して短縮でき、しかも高分解能をもつてフオト
レジスト膜を現像することができることより微細加工を
もつてフアインなパターンを有するフオトエツチングが
行なえる。本発明にかかる現像処理装置は、酸化膜の窓
開き用フオトレジスト、電極パターン用エツチングまた
ははくり用フオトレジスト、部分めつきに対するフオト
レジスト、半導体ウエーハそのもののエツチングの保護
膜としてのフオトレジスト等の現像処理に適用でき、フ
オトレジスト膜を被着した基体としては、半導体ウエー
ハに限定されることなく種々の態様の基体を用いること
ができる。
第１図は、本発明に従つた現像処理装置を示す図、第２
図〜第４図は、本発明にかかる現像処理装置を説明する
ための図、第５図は、本発明にかかる現像処理装置の効
果を示す図である。 １・・・・・・フオトレジスト膜、２・・・・・・シリ
コンウエーハ、３・・・・・・真空千ヤツクを具備した
回転板、４・・・・・・滴下ノズル、５・・・・・・ス
プレーノズル、６・・・・・・現像処理装置の外枠。
図〜第４図は、本発明にかかる現像処理装置を説明する
ための図、第５図は、本発明にかかる現像処理装置の効
果を示す図である。 １・・・・・・フオトレジスト膜、２・・・・・・シリ
コンウエーハ、３・・・・・・真空千ヤツクを具備した
回転板、４・・・・・・滴下ノズル、５・・・・・・ス
プレーノズル、６・・・・・・現像処理装置の外枠。
Claims (1)
- １ 半導体ウェーハを載置する回転板と、この回転板上
に載置される半導体ウェーハ上に現像液を滴下するため
の第１のノズルと前記第１のノズルから滴下される前記
現像液と同種の現像液をスプレーするための第２のノズ
ルを有することを特徴とする現像処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51066550A JPS5941300B2 (ja) | 1976-06-09 | 1976-06-09 | 現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51066550A JPS5941300B2 (ja) | 1976-06-09 | 1976-06-09 | 現像処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52149978A JPS52149978A (en) | 1977-12-13 |
| JPS5941300B2 true JPS5941300B2 (ja) | 1984-10-05 |
Family
ID=13319120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51066550A Expired JPS5941300B2 (ja) | 1976-06-09 | 1976-06-09 | 現像処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941300B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053305B2 (ja) * | 1979-01-17 | 1985-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 現像方法 |
| JPS55133054U (ja) * | 1979-03-13 | 1980-09-20 | ||
| JPS55124232A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Application method of substrate treatment solution and the device therefor |
| JPS5732445A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-22 | Nec Corp | Developing method for photoresist |
| FR2509484B1 (fr) | 1981-07-08 | 1986-06-13 | Pioneer Electronic Corp | Procede et dispositif pour developper un materiau photo-sensible utilise comme milieu d'enregistrement |
| JPH0740545B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1995-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法 |
-
1976
- 1976-06-09 JP JP51066550A patent/JPS5941300B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52149978A (en) | 1977-12-13 |
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