JPH0740545B2 - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPH0740545B2 JPH0740545B2 JP62066705A JP6670587A JPH0740545B2 JP H0740545 B2 JPH0740545 B2 JP H0740545B2 JP 62066705 A JP62066705 A JP 62066705A JP 6670587 A JP6670587 A JP 6670587A JP H0740545 B2 JPH0740545 B2 JP H0740545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- semiconductor wafer
- processed
- developing solution
- rotating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等の表面に形成された感光性膜
の現像に利用される現像方法に関する。
の現像に利用される現像方法に関する。
（従来の技術） 一般に、現像装置は、半導体ウエハ等の表面に形成され
た感光性膜に現像液を供給し、所定時間感光性膜と、現
像液とを接触させて、現像を行う。
た感光性膜に現像液を供給し、所定時間感光性膜と、現
像液とを接触させて、現像を行う。
第４図は、このような従来の現像装置の一例として、半
導体ウエハ上に形成された感光性膜の現像を行う現像装
置を示すもので、処理室１内には、真空チャック等で半
導体ウエハ２を保持する保持台３が配置されており、保
持台３上方には現像液を供給するための現像液供給ノズ
ル４およびリンス液を供給するためのリンス液供給ノズ
ル５が配置されている。なお、保持台３は、モータ等か
らなる回転機構3aに接続されている。
導体ウエハ上に形成された感光性膜の現像を行う現像装
置を示すもので、処理室１内には、真空チャック等で半
導体ウエハ２を保持する保持台３が配置されており、保
持台３上方には現像液を供給するための現像液供給ノズ
ル４およびリンス液を供給するためのリンス液供給ノズ
ル５が配置されている。なお、保持台３は、モータ等か
らなる回転機構3aに接続されている。
上記構成の従来の現像装置では、保持台３上に半導体ウ
エハ２を載置し、真空チャック等で半導体ウエハ２をこ
の保持台３上に吸着させ、回転を停止した状態で現像液
供給ノズル４から、例えばテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドの３％溶液等の現像液をスプレイし、
半導体ウエハ２上に液盛りして所定の時間例えば60秒現
像を行う。
エハ２を載置し、真空チャック等で半導体ウエハ２をこ
の保持台３上に吸着させ、回転を停止した状態で現像液
供給ノズル４から、例えばテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドの３％溶液等の現像液をスプレイし、
半導体ウエハ２上に液盛りして所定の時間例えば60秒現
像を行う。
現像時間が経過すると、半導体ウエハ２を回転させ、リ
ンス液供給ノズル５から純水等のリンス液を供給し、リ
ンス操作を行った後、リンス液の供給を停止して、半導
体ウエハ２を回転させることにより乾燥を行う。
ンス液供給ノズル５から純水等のリンス液を供給し、リ
ンス操作を行った後、リンス液の供給を停止して、半導
体ウエハ２を回転させることにより乾燥を行う。
（発明が解決しようとする問題点） 上記現像装置においては、現像時間の短縮がスループッ
トの向上につながる。
トの向上につながる。
しかしながら、現像時間を短くした場合、半導体ウエハ
の全面に、現像液を短時間で均一に供給する必要があ
り、上述した従来の現像方法においては、現像むらが生
じてしまうという問題があった。
の全面に、現像液を短時間で均一に供給する必要があ
り、上述した従来の現像方法においては、現像むらが生
じてしまうという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、均一に現像を行うことのできる現像方法を提供しよ
うとするものである。
で、均一に現像を行うことのできる現像方法を提供しよ
うとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明の現像方法は、被処理体を高速回転させ
ながら現像液をスプレー供給する工程と、被処理体を低
速回転させながら現像液をスプレー供給する工程と、被
処理体の回転を停止して、現像処置を行う工程と、被処
理体を回転させながらリンス液を供給する工程と、被処
理体を回転させて乾燥を行う工程とを順次行うことを特
徴とする。
ながら現像液をスプレー供給する工程と、被処理体を低
速回転させながら現像液をスプレー供給する工程と、被
処理体の回転を停止して、現像処置を行う工程と、被処
理体を回転させながらリンス液を供給する工程と、被処
理体を回転させて乾燥を行う工程とを順次行うことを特
徴とする。
（作用） 本発明の現像方法では、最初に被処理体を高速回転させ
ながら現像液をスプレー供給し、短時間で半導体ウエハ
全面を均一に濡らし、この後、被処理体を低速回転させ
ながら現像液をスプレー供給し、しかる後、被処理体の
回転を停止して、現像処理を行う。
ながら現像液をスプレー供給し、短時間で半導体ウエハ
全面を均一に濡らし、この後、被処理体を低速回転させ
ながら現像液をスプレー供給し、しかる後、被処理体の
回転を停止して、現像処理を行う。
ことによって、半導体ウエハの全面に、現像液を短時間
で均一に供給することができ、均一に現像を行うことが
できる。
で均一に供給することができ、均一に現像を行うことが
できる。
また、一般に感光性膜の未露光部分の膜減り量は、ノズ
ルからスプレイされる現像液の液圧が高くなると多くな
る傾向にある。
ルからスプレイされる現像液の液圧が高くなると多くな
る傾向にある。
このため、現像液を複数のノズルから被処理物的にスプ
レイし、ノズル１つ当たりの流量を減少させて現像液の
液圧を減少させるとともに、スプレイされる面内におけ
る液圧を均一化して、感光性膜の未露光部分の膜減り量
を減少および均一化することが好ましい。
レイし、ノズル１つ当たりの流量を減少させて現像液の
液圧を減少させるとともに、スプレイされる面内におけ
る液圧を均一化して、感光性膜の未露光部分の膜減り量
を減少および均一化することが好ましい。
（実施例） 以下本発明の現像方法を図面を参照して一実施例につい
て説明する。
て説明する。
処理室11内には、真空チャック等で半導体ウエハ12を保
持する保持台13が配置されており、保持台13上方には現
像液を供給するための２つの現像液供給ノズル14a、14b
およびリンス液を供給するためのリンス液供給ノズル15
が配置されている。なお、保持台13は、モータ等からな
る回転機構13aに接続されている。
持する保持台13が配置されており、保持台13上方には現
像液を供給するための２つの現像液供給ノズル14a、14b
およびリンス液を供給するためのリンス液供給ノズル15
が配置されている。なお、保持台13は、モータ等からな
る回転機構13aに接続されている。
上記構成のこの実施例の現像装置で現像を行う場合は、
まず、保持台13上に半導体ウエハ12を載置し、真空チャ
ック等で半導体ウエハ12をこの保持台13上に吸着させ
る。
まず、保持台13上に半導体ウエハ12を載置し、真空チャ
ック等で半導体ウエハ12をこの保持台13上に吸着させ
る。
次に、回転機構13aにより例えば1000rpm程度で半導体ウ
エハ12を回転させながら、現像液供給ノズル14a、14bか
ら、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドの３％溶液等の現像液を例えば0.3秒間スプレイし、
この後回転速度を例えば30rpm程度として例えば３秒間
程度スプレイし、しかる後、回転を停止して所定の時間
例えば60秒現像を行う。なお、現像液供給ノズル14a、1
4bからの現像液の流量は、例えばそれぞれ0.12l/min程
度である。
エハ12を回転させながら、現像液供給ノズル14a、14bか
ら、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドの３％溶液等の現像液を例えば0.3秒間スプレイし、
この後回転速度を例えば30rpm程度として例えば３秒間
程度スプレイし、しかる後、回転を停止して所定の時間
例えば60秒現像を行う。なお、現像液供給ノズル14a、1
4bからの現像液の流量は、例えばそれぞれ0.12l/min程
度である。
このように、最初に被処理体を高速回転させながら現像
液をスプレー供給し、短時間で半導体ウエハ全面を均一
に濡らし、この後、被処理体を低速回転させながら現像
液をスプレー供給し、しかる後、被処理体の回転を停止
して、現像処理を行うので、半導体ウエハの全面に、現
像液を短時間で均一に供給することができ、均一に現像
を行うことができる。
液をスプレー供給し、短時間で半導体ウエハ全面を均一
に濡らし、この後、被処理体を低速回転させながら現像
液をスプレー供給し、しかる後、被処理体の回転を停止
して、現像処理を行うので、半導体ウエハの全面に、現
像液を短時間で均一に供給することができ、均一に現像
を行うことができる。
現像時間が経過した後、再び半導体ウエハ12を回転さ
せ、リンス液供給ノズル15から純水等のリンス液を供給
し、リンス操作を行い、この後、リンス液の供給を停止
して、半導体ウエハ12を回転させることにより乾燥を行
う。
せ、リンス液供給ノズル15から純水等のリンス液を供給
し、リンス操作を行い、この後、リンス液の供給を停止
して、半導体ウエハ12を回転させることにより乾燥を行
う。
縦軸を感光性膜の未露出部分の膜減り量、横軸を半導体
ウエハ中心からの距離とした第２図のグラフの曲線ａ
は、上述のこの実施例の現像装置を用い、現像液供給ノ
ズル14a、14bからの現像液流量をそれぞれ0.12l/min、
スプレイ時間3.3秒、停止現像時間60秒の現像操作を行
った場合の感光性膜の未露出部分の膜減り量を示してい
る。なお、現像液スプレイ中の半導体ウエハ12の回転速
度は、最初の0.3秒間1000rpm、次の３秒間30rpmであ
る。
ウエハ中心からの距離とした第２図のグラフの曲線ａ
は、上述のこの実施例の現像装置を用い、現像液供給ノ
ズル14a、14bからの現像液流量をそれぞれ0.12l/min、
スプレイ時間3.3秒、停止現像時間60秒の現像操作を行
った場合の感光性膜の未露出部分の膜減り量を示してい
る。なお、現像液スプレイ中の半導体ウエハ12の回転速
度は、最初の0.3秒間1000rpm、次の３秒間30rpmであ
る。
このグラフの曲線ａに示されるように、この実施例の現
像装置では、感光性膜の未露光部分の膜減り量は、最大
172.2nm、最小165.1nm、平均168.6nmとなる。この場合
の標準偏差は、1.98となり半導体ウエハ各部における感
光性膜の未露光部分の膜減り量を均一化することができ
る。
像装置では、感光性膜の未露光部分の膜減り量は、最大
172.2nm、最小165.1nm、平均168.6nmとなる。この場合
の標準偏差は、1.98となり半導体ウエハ各部における感
光性膜の未露光部分の膜減り量を均一化することができ
る。
比較のために第４図に示す現像液供給ノズルが１つの現
像装置で本実施例と同様な現像方法を実行した場合を第
５図に示す。このグラフに示される結果は、感光性膜の
未露光部分の膜減り量が、最大192.1nm、最小172.8nm、
平均184.2nmであり、標準偏差は、56.8で、感光性膜の
未露光部分の膜減り量が、半導体ウエハの中央部で多
く、周辺部で少なく不均一になる。
像装置で本実施例と同様な現像方法を実行した場合を第
５図に示す。このグラフに示される結果は、感光性膜の
未露光部分の膜減り量が、最大192.1nm、最小172.8nm、
平均184.2nmであり、標準偏差は、56.8で、感光性膜の
未露光部分の膜減り量が、半導体ウエハの中央部で多
く、周辺部で少なく不均一になる。
なお、上記実施例では、２つの現像液供給ノズル14a、1
4bを備えた実施例について説明したが、本発明は係る実
施例に限定されるものではなく、現像液供給ノズルの数
は、２以上いくつとしてもよい。
4bを備えた実施例について説明したが、本発明は係る実
施例に限定されるものではなく、現像液供給ノズルの数
は、２以上いくつとしてもよい。
また、現像液供給ノズル14a、14bは、第３図に示すよう
に、駆動機構により図示矢印方向に移動させ、半導体ウ
エハ12表面に対する現像液のスプレイ角度を変えるよう
にスキャンさせながら現像液をスプレイするよう構成す
ることにより、第２図のグラフに曲線ｂで示すようにさ
らに未露光部分の膜減り量の減少および均一化を図るこ
とができる。
に、駆動機構により図示矢印方向に移動させ、半導体ウ
エハ12表面に対する現像液のスプレイ角度を変えるよう
にスキャンさせながら現像液をスプレイするよう構成す
ることにより、第２図のグラフに曲線ｂで示すようにさ
らに未露光部分の膜減り量の減少および均一化を図るこ
とができる。
［発明の効果］ 上述のように、本発明の現像方法では、半導体ウエハの
全面に、現像液を短時間で均一に供給することができ、
均一に現像を行うことができる。
全面に、現像液を短時間で均一に供給することができ、
均一に現像を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例の現像装置を示す構成図、第
２図は感光性膜の未露光部分の膜減り量を示すグラフ、
第３図は第１図に示す現像装置の変形例の説明図、第４
図は従来の現像装置を示す構成図、第５図は感光性膜の
未露光部分の膜減り量を示すグラフである。 12……半導体ウエハ、13……保持台、14a、14b……現像
液供給ノズル。
２図は感光性膜の未露光部分の膜減り量を示すグラフ、
第３図は第１図に示す現像装置の変形例の説明図、第４
図は従来の現像装置を示す構成図、第５図は感光性膜の
未露光部分の膜減り量を示すグラフである。 12……半導体ウエハ、13……保持台、14a、14b……現像
液供給ノズル。
Claims (1)
- 【請求項１】被処理体を高速回転させながら現像液をス
プレー供給する工程と、 被処理体を低速回転させながら現像液をスプレー供給す
る工程と、 被処理体の回転を停止して、現像処理を行う工程と、 被処理体を回転させながらリンス液を供給する工程と、 被処理体を回転させて乾燥を行う工程と を順次行うことを特徴とする被処理体の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066705A JPH0740545B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066705A JPH0740545B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 現像方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8098111A Division JP2864366B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 被処理体の現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232431A JPS63232431A (ja) | 1988-09-28 |
| JPH0740545B2 true JPH0740545B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=13323619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066705A Expired - Lifetime JPH0740545B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740545B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2874155B2 (ja) * | 1994-11-02 | 1999-03-24 | 株式会社フロンテック | レジスト現像装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149978A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-13 | Hitachi Ltd | Developing treatment method of photoresist film |
| JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS57164985A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Surface treatment of substrate to be treated |
| JPS57198457A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Nec Corp | Developing method for photoresist |
| JPS5888749A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Hitachi Ltd | 現像装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066705A patent/JPH0740545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149978A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-13 | Hitachi Ltd | Developing treatment method of photoresist film |
| JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS57164985A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Surface treatment of substrate to be treated |
| JPS57198457A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Nec Corp | Developing method for photoresist |
| JPS5888749A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Hitachi Ltd | 現像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63232431A (ja) | 1988-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |