JPH10144589A - 半導体装置の現像処理方法 - Google Patents
半導体装置の現像処理方法Info
- Publication number
- JPH10144589A JPH10144589A JP30033596A JP30033596A JPH10144589A JP H10144589 A JPH10144589 A JP H10144589A JP 30033596 A JP30033596 A JP 30033596A JP 30033596 A JP30033596 A JP 30033596A JP H10144589 A JPH10144589 A JP H10144589A
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- Japan
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- silicon substrate
- chuck
- pure water
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン基板の全面に対して均一な現像処理
を簡単に行う。 【解決手段】 シリコン基板３を回転させて、そのシリ
コン基板上への現像液の液盛り形成、純水洗浄、回転処
理による純水除去処理を行う半導体装置の現像処理方法
おいて、シリコン基板を、スピンモータ１に接続された
チャック２にその回転中心ＣＬ（Ａ１）に対して偏心
（Ｂ１）させた状態で支持すると共に、シリコン基板を
偏心回転運動をさせた状態にてシリコン基板上にノズル
４から現像液吐出を行うことによりシリコン基板表面に
現像液の液盛り形成を行う工程と、現像終了後、シリコ
ン基板を偏心運動回転させた状態にて純水吐出を行うこ
とで洗浄処理を行う工程と、純水洗浄処理終了後、シリ
コン基板を偏心運動回転を行わせた状態にて前記シリコ
ン基板の純水除去処理を行う。 【効果】 回転中心から偏心した位置に吐出された液が
基板全体に均一に拡散し得る。
を簡単に行う。 【解決手段】 シリコン基板３を回転させて、そのシリ
コン基板上への現像液の液盛り形成、純水洗浄、回転処
理による純水除去処理を行う半導体装置の現像処理方法
おいて、シリコン基板を、スピンモータ１に接続された
チャック２にその回転中心ＣＬ（Ａ１）に対して偏心
（Ｂ１）させた状態で支持すると共に、シリコン基板を
偏心回転運動をさせた状態にてシリコン基板上にノズル
４から現像液吐出を行うことによりシリコン基板表面に
現像液の液盛り形成を行う工程と、現像終了後、シリコ
ン基板を偏心運動回転させた状態にて純水吐出を行うこ
とで洗浄処理を行う工程と、純水洗浄処理終了後、シリ
コン基板を偏心運動回転を行わせた状態にて前記シリコ
ン基板の純水除去処理を行う。 【効果】 回転中心から偏心した位置に吐出された液が
基板全体に均一に拡散し得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のフォ
トリソグラフィ技術の現像処理工程における半導体装置
の現像処理方法に関するものである。
トリソグラフィ技術の現像処理工程における半導体装置
の現像処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトリソグラフィ工程における
現像処理に関して図３の断面図に示す構造を用いたもの
がある。図３に示す構造にあっては、スピンモータ１０
１にチャックが１０２が接続されており、現像処理すべ
きシリコン基板（ウェハ）１０３が、真空吸着にてチャ
ック１０２上に保持されている。この際、チャック１０
２の回転中心であるチャック中心軸Ａ３と、シリコン基
板１０３の中心である基板中心軸Ｂ３と、スピンモータ
１０１の回転中心軸ＣＬとは、互いに一致しており、同
一軸線上に位置している。
現像処理に関して図３の断面図に示す構造を用いたもの
がある。図３に示す構造にあっては、スピンモータ１０
１にチャックが１０２が接続されており、現像処理すべ
きシリコン基板（ウェハ）１０３が、真空吸着にてチャ
ック１０２上に保持されている。この際、チャック１０
２の回転中心であるチャック中心軸Ａ３と、シリコン基
板１０３の中心である基板中心軸Ｂ３と、スピンモータ
１０１の回転中心軸ＣＬとは、互いに一致しており、同
一軸線上に位置している。
【０００３】次に、現像液吐出による液盛り、純水吐出
による洗浄、ならびに回転運動による遠心力を用いた純
水振り切り処理などは全てチャック中心軸Ａ３を中心に
回転させて行われていた。
による洗浄、ならびに回転運動による遠心力を用いた純
水振り切り処理などは全てチャック中心軸Ａ３を中心に
回転させて行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術において
は、シリコン基板（ウェハ）を保持するチャックとシリ
コン基板とが同一回転軸上にあり、シリコン基板の中心
点においては遠心力が発生しないこととなり、その近傍
においても遠心力が弱く、したがって、基板中心軸Ｂ３
上に配設された現像液吐出ノズル１０４によりシリコン
基板の中心近傍に吐出された現像液の拡散や、同位置に
位置することになる図示されない純水吐出ノズルにより
吐出された純水の置換が遅延するという問題があった。
は、シリコン基板（ウェハ）を保持するチャックとシリ
コン基板とが同一回転軸上にあり、シリコン基板の中心
点においては遠心力が発生しないこととなり、その近傍
においても遠心力が弱く、したがって、基板中心軸Ｂ３
上に配設された現像液吐出ノズル１０４によりシリコン
基板の中心近傍に吐出された現像液の拡散や、同位置に
位置することになる図示されない純水吐出ノズルにより
吐出された純水の置換が遅延するという問題があった。
【０００５】また、回転運動のみによる純水洗浄後のシ
リコン基板上からの純水振り切りにおいても、シリコン
基板の中心点に遠心力が発生しないために、振り切りが
不完全となり、純水の残留が生じるという問題があっ
た。
リコン基板上からの純水振り切りにおいても、シリコン
基板の中心点に遠心力が発生しないために、振り切りが
不完全となり、純水の残留が生じるという問題があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決し
て、シリコン基板の全面に対して均一な現像処理を簡単
に行うことを実現するために、本発明に於いては、シリ
コン基板を回転させて、該シリコン基板上への現像液の
液盛り形成、純水洗浄、回転処理による純水除去処理を
行う半導体装置の現像処理方法おいて、前記シリコン基
板を、スピンモータに接続されたチャックに当該チャッ
クの回転中心に対して偏心させた状態で支持すると共
に、前記シリコン基板を偏心回転運動をさせた状態にて
前記シリコン基板上に現像液吐出を行うことにより前記
シリコン基板表面に現像液の液盛り形成を行う工程と、
現像終了後、前記シリコン基板を偏心運動回転させた状
態にて純水吐出を行うことで洗浄処理を行う工程と、前
記純水洗浄処理終了後、前記シリコン基板を偏心運動回
転を行わせた状態にて前記シリコン基板の純水除去処理
を行う工程とを有するものとした。
て、シリコン基板の全面に対して均一な現像処理を簡単
に行うことを実現するために、本発明に於いては、シリ
コン基板を回転させて、該シリコン基板上への現像液の
液盛り形成、純水洗浄、回転処理による純水除去処理を
行う半導体装置の現像処理方法おいて、前記シリコン基
板を、スピンモータに接続されたチャックに当該チャッ
クの回転中心に対して偏心させた状態で支持すると共
に、前記シリコン基板を偏心回転運動をさせた状態にて
前記シリコン基板上に現像液吐出を行うことにより前記
シリコン基板表面に現像液の液盛り形成を行う工程と、
現像終了後、前記シリコン基板を偏心運動回転させた状
態にて純水吐出を行うことで洗浄処理を行う工程と、前
記純水洗浄処理終了後、前記シリコン基板を偏心運動回
転を行わせた状態にて前記シリコン基板の純水除去処理
を行う工程とを有するものとした。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に添付の図面に示された具体
例に基づいて本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。
例に基づいて本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。
【０００８】図１は、本発明が適用されたシリコン基板
現像処理構造の第１の実施の形態を示す模式的側断面図
であり、スピンモータ１の駆動軸には、その軸線上に同
軸にかつ直接または間接的にチャック２が接続されてい
る。したがって、チャック２は、その中心であるチャッ
ク中心軸Ａ１をスピンモータ１の回転中心軸ＣＬに一致
させた回転運動を行う。一方、チャック２には、その回
転中心であるチャック中心軸Ａ１に対して偏心した位置
に基板中心軸Ｂ１を位置させたシリコン基板（ウェハ）
３が配設され、従来例と同様にチャック２に真空吸着に
て固定されている。
現像処理構造の第１の実施の形態を示す模式的側断面図
であり、スピンモータ１の駆動軸には、その軸線上に同
軸にかつ直接または間接的にチャック２が接続されてい
る。したがって、チャック２は、その中心であるチャッ
ク中心軸Ａ１をスピンモータ１の回転中心軸ＣＬに一致
させた回転運動を行う。一方、チャック２には、その回
転中心であるチャック中心軸Ａ１に対して偏心した位置
に基板中心軸Ｂ１を位置させたシリコン基板（ウェハ）
３が配設され、従来例と同様にチャック２に真空吸着に
て固定されている。
【０００９】このようにして構成された図１の構造にお
いて、スピンモータ１を駆動してシリコン基板３を回転
運動させた場合には、チャック中心軸Ａ１と回転中心軸
ＣＬとが一致していることから、チャック２には偏心回
転運動が生じないが、シリコン基板３のみに偏心回転運
動が生じることになる。
いて、スピンモータ１を駆動してシリコン基板３を回転
運動させた場合には、チャック中心軸Ａ１と回転中心軸
ＣＬとが一致していることから、チャック２には偏心回
転運動が生じないが、シリコン基板３のみに偏心回転運
動が生じることになる。
【００１０】したがって、現像液吐出ノズル４による吐
出位置が図に示されるように基板中心軸Ｂ１の軸線上に
位置していることにより、回転中心ではない所に現像液
が液盛りされるため、その位置では遠心力が働くことか
ら、従来例のように回転中心に液盛りされるものに対し
て、現像液が好適に速やかに均一に拡散し得る。また、
純水吐出ノズルも同位置に配設され、同様の作用によ
り、純水置換が速やかに行われることになる。
出位置が図に示されるように基板中心軸Ｂ１の軸線上に
位置していることにより、回転中心ではない所に現像液
が液盛りされるため、その位置では遠心力が働くことか
ら、従来例のように回転中心に液盛りされるものに対し
て、現像液が好適に速やかに均一に拡散し得る。また、
純水吐出ノズルも同位置に配設され、同様の作用によ
り、純水置換が速やかに行われることになる。
【００１１】図２は、本発明が適用されたシリコン基板
現像処理構造の第２の実施の形態を示す模式的側断面図
であり、スピンモータ１の駆動軸には、その回転中心軸
ＣＬに対して偏心した位置にチャック中心軸Ａ２を位置
させたチャック２が接続されている。また、シリコン基
板３は、その中心を通る基板中心軸Ｂ２をチャック中心
軸Ａ３と同一軸線上に位置させて、従来例と同様に真空
吸着にてチャック２に固定されている。
現像処理構造の第２の実施の形態を示す模式的側断面図
であり、スピンモータ１の駆動軸には、その回転中心軸
ＣＬに対して偏心した位置にチャック中心軸Ａ２を位置
させたチャック２が接続されている。また、シリコン基
板３は、その中心を通る基板中心軸Ｂ２をチャック中心
軸Ａ３と同一軸線上に位置させて、従来例と同様に真空
吸着にてチャック２に固定されている。
【００１２】このようにして構成された図２の構造にお
いて、スピンモータ１を駆動してシリコン基板３を回転
運動させた場合には、スピンモータ１に対してチャック
２が偏心回転運動するため、結果的にシリコン基板３に
偏心回転運動が生じることになる。また、前記第１の実
施の形態と同様の効果を奏する。
いて、スピンモータ１を駆動してシリコン基板３を回転
運動させた場合には、スピンモータ１に対してチャック
２が偏心回転運動するため、結果的にシリコン基板３に
偏心回転運動が生じることになる。また、前記第１の実
施の形態と同様の効果を奏する。
【００１３】前記第１の実施の形態におけるチャック中
心軸Ａ１とシ基板中心軸Ｂ１との偏心量、ならびに前記
第２の実施の形態におけるスピンモータ１の回転中心軸
ＣＬと、シリコン基板３のチャック２との共通の回転軸
となる基板中心軸Ｂ２との偏心量については、使用する
シリコン基板３の外径、許容最大回転数、ならびにチャ
ック２のシリコン基板３に対する真空度により決定され
る。
心軸Ａ１とシ基板中心軸Ｂ１との偏心量、ならびに前記
第２の実施の形態におけるスピンモータ１の回転中心軸
ＣＬと、シリコン基板３のチャック２との共通の回転軸
となる基板中心軸Ｂ２との偏心量については、使用する
シリコン基板３の外径、許容最大回転数、ならびにチャ
ック２のシリコン基板３に対する真空度により決定され
る。
【００１４】これらの最適値に関しては、真空度を例え
ば５０±１０mmＨ２Ｏとすると、各シリコン基板３の外
径の違い（５インチと６インチ）に応じて、実験結果か
ら下記の数値が得られた。
ば５０±１０mmＨ２Ｏとすると、各シリコン基板３の外
径の違い（５インチと６インチ）に応じて、実験結果か
ら下記の数値が得られた。
【００１５】５インチの場合の各最大回転数に対する偏
心量を、 最大許容回転数 rpm/m 偏心量（Ｘ）mm ＝＜５０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜１．０ ＝＜４０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜２．５ ＝＜３０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜４．５ ＝＜２０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜６．０ とすると良い。
心量を、 最大許容回転数 rpm/m 偏心量（Ｘ）mm ＝＜５０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜１．０ ＝＜４０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜２．５ ＝＜３０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜４．５ ＝＜２０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜６．０ とすると良い。
【００１６】６インチの場合の各最大回転数に対する偏
心量を、 最大許容回転数 rpm/m 偏心量（Ｘ）mm ＝＜３０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜３．０ ＝＜２０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜５．０ とすると良い。
心量を、 最大許容回転数 rpm/m 偏心量（Ｘ）mm ＝＜３０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜３．０ ＝＜２０００ ０．５＝＜Ｘ＝＜５．０ とすると良い。
【００１７】以上の各実施の形態のいずれかの構成を用
い、かつ上記設定を行って、また、偏心位置へ吐出され
た現像液などが基板中心側へも流れ込み得るようにその
吐出量や流出面積を回転数や偏心量に応じて設定して、
本発明に基づく偏心回転運動により、シリコン基板の現
像処理を好適に行うことができる。
い、かつ上記設定を行って、また、偏心位置へ吐出され
た現像液などが基板中心側へも流れ込み得るようにその
吐出量や流出面積を回転数や偏心量に応じて設定して、
本発明に基づく偏心回転運動により、シリコン基板の現
像処理を好適に行うことができる。
【００１８】
【発明の効果】このように本発明によれば、現像処理す
べきシリコン基板に偏心回転運動を生じせしめることに
よりシリコン基板中心に遠心力を発生させることが可能
となり、現像液の液盛り形成時に行われるシリコン基板
への吐出時の一定箇所への供給による局所的現像速度差
の発生を抑制することができると共に、純水吐出洗浄の
シリコン基板中心部の純水置換の遅延制御や、回転運動
によるシリコン基板中心部の純水残りを阻止することが
できるという効果を奏し得る。特に、シリコン基板中心
部に生じる線幅の不安定性を排除して、シリコン基板全
面に対して均一な線幅によるレジストパターン形成を安
定して行うことが可能となる。
べきシリコン基板に偏心回転運動を生じせしめることに
よりシリコン基板中心に遠心力を発生させることが可能
となり、現像液の液盛り形成時に行われるシリコン基板
への吐出時の一定箇所への供給による局所的現像速度差
の発生を抑制することができると共に、純水吐出洗浄の
シリコン基板中心部の純水置換の遅延制御や、回転運動
によるシリコン基板中心部の純水残りを阻止することが
できるという効果を奏し得る。特に、シリコン基板中心
部に生じる線幅の不安定性を排除して、シリコン基板全
面に対して均一な線幅によるレジストパターン形成を安
定して行うことが可能となる。
【図１】本発明が適用されたシリコン基板現像処理構造
の第１の実施の形態を示す模式的側断面図。
の第１の実施の形態を示す模式的側断面図。
【図２】本発明に基づく第２の実施の形態を示す図１と
同様の図。
同様の図。
【図３】従来のシリコン基板現像処理構造を示す模式的
側断面図。
側断面図。
１ スピンモータ ２ チャック ３ シリコン基板 ４ 現像液吐出ノズル １０１ スピンモータ ２０２ チャック ３０３ シリコン基板 ４０４ 現像液吐出ノズル Ａ１・Ａ２・Ａ３ チャック中心軸 Ｂ１・Ｂ２・Ｂ３ 基板中心軸 ＣＬ 回転中心軸
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板を回転させて、該シリコン
基板上への現像液の液盛り形成、純水洗浄、回転処理に
よる純水除去処理を行う半導体装置の現像処理方法おい
て、 前記シリコン基板を、スピンモータに接続されたチャッ
クに当該チャックの回転中心に対して偏心させた状態で
支持すると共に、 前記シリコン基板を偏心回転運動をさせた状態にて前記
シリコン基板上に現像液吐出を行うことにより前記シリ
コン基板表面に現像液の液盛り形成を行う工程と、 現像終了後、前記シリコン基板を偏心運動回転させた状
態にて純水吐出を行うことで洗浄処理を行う工程と、 前記純水洗浄処理終了後、前記シリコン基板を偏心運動
回転を行わせた状態にて前記シリコン基板の純水除去処
理を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の
現像処理方法。 - 【請求項２】 前記シリコン基板が前記チャックの回転
中心軸に対して偏心して配設されていることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置の現像処理方法。 - 【請求項３】 前記シリコン基板が前記チャックに同軸
的に支持され、かつ前記チャックが前記スピンモータの
回転中心に対して偏心して配設されていることを特徴と
する請求項１に記載の半導体装置の現像処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30033596A JPH10144589A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 半導体装置の現像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30033596A JPH10144589A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 半導体装置の現像処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144589A true JPH10144589A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17883541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30033596A Pending JPH10144589A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 半導体装置の現像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100323307A1 (en) * | 2004-08-20 | 2010-12-23 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus and method |
| JP2011187614A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1996
- 1996-11-12 JP JP30033596A patent/JPH10144589A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100323307A1 (en) * | 2004-08-20 | 2010-12-23 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus and method |
| JP2011187614A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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