JPH10151406A - 塗布液塗布方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布液の利用効率を向上させつつも、基板上
に均一な膜厚の塗布被膜を形成することができる。 【解決手段】 基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚
の被膜を形成する塗布液塗布方法であって、基板を静止
させた状態のｔ_S 時点で塗布液の供給を開始し、ｔ₁ 時
点にて回転数を比較的高速の回転数Ｒ３に上げて塗布液
を基板のほぼ全面に拡げ、ｔ_E 時点にて回転数Ｒ４に減
速して乱流などに起因する膜厚不均一要因を抑制するの
とほぼ同時に塗布液の供給を停止し、その後に回転数Ｒ
５で回転させて塗布被膜の膜厚を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称す
る）に対して、SOG(Spin On Glass,シリカ系被膜形成材
とも呼ばれる) 液、フォトレジスト液、ポリイミド樹脂
などの塗布液を塗布する塗布液塗布方法に係り、特に基
板の表面に塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形成
する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の塗布液塗布方法について
図５を参照して説明する。図５は、回転式基板塗布装置
の要部を示す図である。この装置は、基板Ｗをほぼ水平
姿勢で吸着支持して回転させる吸引式スピンチャック１
０と、そのほぼ回転中心の上方に、塗布液であるフォト
レジスト液Ｒを基板Ｗの表面に供給するための吐出ノズ
ル３０とを備えている。

【０００３】上記のように構成された装置を利用する従
来例に係る塗布方法では、例えば、図６のタイムチャー
トに示すように回転数制御を行って基板Ｗの表面に所望
膜厚のフォトレジスト被膜を形成するようになってい
る。すなわち、まず基板Ｗを吸引式スピンチャック１０
に吸着支持させる。そして、基板Ｗを回転させることな
く静止させたままｔ_S 時点にて、吐出ノズル３０からほ
ぼ一定流量でフォトレジスト液Ｒの供給を開始する。次
に、図示しない回転モータにより吸引式スピンチャック
１０を回転駆動して、基板Ｗを回転数Ｒ１（例えば、９
００ｒｐｍ）で回転駆動する。基板Ｗの回転数が回転数
Ｒ１に到達した後、ｔ_E 時点でフォトレジスト液Ｒの供
給を停止する。その後、回転数Ｒ１による回転を一定時
間保持した後、現在の回転数Ｒ１よりも高い回転数Ｒ２
（例えば、３，０００ｒｐｍ）に回転数を上げて所定時
間これを保持することによって、基板Ｗの表面に供給さ
れた余剰分のフォトレジスト液Ｒを振り切って基板Ｗの
表面に所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例に係る塗布液塗布方法には次のような問題点
がある。図６に示したタイムチャートにおいて、ｔ_S 時
点から回転数を上げてゆく時点までの過程（つまり基板
Ｗが静止している過程）では、基板Ｗの中心付近に供給
されたフォトレジスト液Ｒが平面視ほぼ円形状を保った
まま、同心円状にその径を拡大してゆく。しかしなが
ら、回転数Ｒ１で回転駆動する過程では、基板Ｗの中心
付近に供給されたフォトレジスト液Ｒが半径方向に均等
に拡がらず、図７に示すように、基板Ｗの中心付近に存
在するフォトレジスト液Ｒの円形状の塊Ｒ_a（以下、こ
れをコアＲ_a と称する）から、基板Ｗの周縁部に向かっ
て多数の細長いフォトレジスト液Ｒの流れＲ_b （以下、
これをヒゲＲ_b と称する）が生じ始める。

【０００５】このような状態でフォトレジスト液Ｒが供
給され続けると、まずヒゲＲ_b が延びて基板Ｗの周縁部
に到達する。なおもフォトレジスト液Ｒが供給される
と、コアＲ_a の径が拡大するとともに、各ヒゲＲ_b の各
々の幅が拡大して多数のヒゲＲ _b 同士の間の未塗布領域
がフォトレジスト液Ｒにより埋められてゆき、ついには
基板Ｗの表面全体がフォトレジスト液Ｒによって覆われ
る。

【０００６】回転数Ｒ１の過程では、以上のようなフォ
トレジスト液Ｒの挙動により基板Ｗの表面全体が覆われ
るが、ヒゲＲ_b が基板Ｗの周縁部に到達すると、基板Ｗ
上のフォトレジスト液Ｒの多くはヒゲＲ_b を通して基板
Ｗの周辺に放出・飛散することになる。そのため、基板
Ｗの表面全体をフォトレジスト液Ｒで覆うためには、ヒ
ゲＲ_b を通して周囲に飛散するフォトレジスト液Ｒの量
を予め見込んでおき、その分多めにフォトレジスト液Ｒ
を供給しなければならない。フォトレジスト液Ｒの供給
量が少ないと、各ヒゲＲ_b 間の未塗布領域がフォトレジ
スト液Ｒにより埋まらないので、基板Ｗの回転数を回転
数Ｒ２に切り換えても、基板Ｗの表面に均一な膜厚のフ
ォトレジスト被膜を形成することができないからであ
る。

【０００７】このように従来例に係る塗布液塗布方法に
よれば、基板Ｗ上に均一な膜厚のフォトレジスト被膜を
形成するためには多量のフォトレジスト液Ｒを供給しな
ければならないので、極めてフォトレジスト液Ｒの利用
効率が悪い。フォトレジスト液Ｒは、半導体装置製造工
程で使用される他の現像液やリンス液などに比較して非
常に高価であるので、フォトレジスト液Ｒの飛散量を抑
えてフォトレジスト液Ｒの利用効率を高めることは半導
体装置などの製造コストを低減する上で非常に重要な課
題である。加えて最近では、半導体製造工程で使用され
る半導体ウエハが、大口径化する動きがありフォトレジ
スト液Ｒの使用量をできるだけ抑えつつも、均一な膜厚
のフォトレジスト被膜を得るという技術的課題の達成は
急務になっている。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、塗布液の利用効率を向上させつつも、
基板上に均一な膜厚の塗布被膜を形成することができる
塗布液塗布方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の塗布液塗布方法は、基板の表面に
塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形成する塗布液
塗布方法であって、（ａ）基板を静止させた状態で、そ
の中心付近に塗布液の供給を開始する過程と、（ｂ）前
記基板の回転数を比較的高速の第１の回転数に上げてゆ
く過程と、（ｃ）前記基板の回転数を所定の加速度で第
２の回転数に減速する過程と、（ｄ）前記基板の回転数
を第２の回転数に減速するのとほぼ同時に、前記基板へ
の塗布液の供給を停止する過程と、（ｅ）前記基板を、
前記第１の回転数より低くかつ前記第２の回転数より高
い第３の回転数で回転させて、その表面全体を覆ってい
る塗布被膜の膜厚を調整する過程と、をその順に実施す
ることを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項２に記載の塗布液塗布方法
は、請求項１に記載の塗布液塗布方法において、前記第
２の回転数を『０』にして、前記基板を静止させること
を特徴とするものである。

【００１１】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板を静止させた状態で塗布液の供給を開始した状
態（過程（ａ））では、塗布液は基板の表面中心付近で
円形状のコアとなって存在し、供給され続ける塗布液に
より同心円状にその径を拡大してゆく。次に、塗布液の
供給を継続しつつ基板の回転数を比較的高速の第１の回
転数に上げてゆくと（過程（ｂ））、その高速回転に伴
う大きな遠心力によってコアが急激にその径を拡大す
る。この過程においてコアからは多数のヒゲが発生し、
それらの先端部が基板の周縁部に到達した時点から塗布
液がコアからヒゲを通って飛散するが、塗布液が大量に
飛散する間もなくコアが拡がってきて基板表面のほぼ全
体を覆う。したがって、ヒゲを通して塗布液が飛散する
時間を短縮することができる。換言すると飛散する塗布
液の量を少なくすることができる。

【００１２】上述したように塗布液を供給し始めた後、
比較的高速の第１の回転数により基板を回転駆動してい
ると、その周縁部表層の気流に乱流が生じて基板表面全
体における溶剤蒸発のバランスが崩れることや、大きな
遠心力によって塗布液やその成分の流動に偏りが生じる
こと等に起因して、基板の中央部に比較して周辺部の膜
厚が厚くなる現象が生じるという問題がある。そこで、
比較的高速の第１の回転数で回転駆動した後、基板の回
転数を所定の加速度で第２の回転数に減速する。さらに
減速とほぼ同時に、塗布液の供給を停止する（過程
（ｃ））。このように一時的に第２の回転数に減速する
ことにより、基板表面に生じている乱流を整えるととも
に塗布液の流動の偏りを抑制して、上記の膜厚不均一要
因を抑制することができる。次いで、比較的高速の第１
の回転数より低くかつ第２の回転数よりも高い第３の回
転数で基板を再び回転させ、これを所定時間保持するこ
とにより、基板の表面全体を覆っている塗布液の余剰分
を振り切って膜厚を調整する。上記のように基板を一時
的に減速して膜厚不均一要因を除去しているので、第３
の回転数で基板を回転駆動すると塗布被膜の膜厚を基板
の表面全体にわたってほぼ均一にすることができる。

【００１３】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板を静止させることによって、比較的高速の第１の回転
数で回転駆動した際に生じる膜厚不均一要因をさらに抑
制することができる。したがって、より膜厚を均一にす
ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明方法に基づく回転数
制御を行う回転式基板塗布装置を示す縦断面図である。

【００１５】図中、符号１０は吸引式スピンチャックで
あって、基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着支持するものであ
る。この吸引式スピンチャック１０は、中空の回転軸１
１を介してモータ１２によって回転駆動される。吸引式
スピンチャック１０の周囲にには、塗布液であるフォト
レジスト液などの飛散を防止するための飛散防止カップ
１３が配備されている。また、図示しない搬送手段が未
処理の基板Ｗを吸引式スピンチャック１０に載置した
り、吸引式スピンチャック１０から処理済みの基板Ｗを
受け取る際には、図示しない昇降手段が回転軸１１と飛
散防止カップ１３とを相対昇降させることによって、吸
引式スピンチャック１０を飛散防止カップ１３の上方へ
と移動させる（図中の二点鎖線）。

【００１６】飛散防止カップ１３は、上カップ１４と、
円形整流板１５と、下カップ１７等から構成されてい
る。上カップ１４は、上部に開口部１４ａと、基板Ｗの
回転によるフォトレジスト液などの飛沫を下方に案内す
る傾斜面１４ｂとを有する。

【００１７】円形整流板１５は、開口部１４ａから流入
して基板Ｗの周縁に沿って流下する気流を下カップ１７
に整流して案内するとともに、上カップ１４の傾斜面１
４ｂによって下方に案内されたフォトレジスト液などの
飛沫をこの気流に乗せて下カップ１７に案内する。

【００１８】下カップ１７の底部には、排液口１７ａが
配設されている。この排液口１７ａは、排液タンク１７
ｂに接続されており、回転振り切り後のフォトレジスト
液などを回収するようになっている。下カップ１７の底
部には、さらにカップ排気口１７ｃが配設されている。
このカップ排液口１７ｃは、排気ポンプ１７ｄに接続さ
れており、飛散防止カップ１３内に滞留する霧状のフォ
トレジスト液などを空気とともに吸引して排気するよう
になっている。

【００１９】円形整流板１５の内側には、基板Ｗの裏面
に回り込んだフォトレジスト液や付着したミストを除去
するための洗浄液を基板Ｗの裏面に向けて吐出するため
のバックリンスノズル２０が配設されている。このバッ
クリンスノズル２０には、管継手１８と供給配管１８ａ
を介して洗浄液供給部１８ｂから洗浄液が供給されるよ
うになっている。

【００２０】さらに、飛散防止カップ１３の開口部１４
ａの上方であって、基板Ｗのほぼ回転中心の上方には、
フォトレジスト液を吐出する吐出ノズル３０が配備され
ている。また、吐出ノズル３０へフォトレジスト液を所
定量だけ供給する図示しない塗布液供給手段と、スピン
チャック１０と飛散防止カップ１３とを相対昇降する図
示しない昇降手段と、モータ１２とは、制御部５０によ
って制御されるように構成されている。なお、制御部５
０は、メモリ５１に格納された、後述するタイムチャー
トに応じた処理プログラムによって上記各部の制御を行
うようになっている。

【００２１】上述したような構成の回転式基板塗布装置
に適用された本発明方法に基づく回転数制御の一例を図
２を参照して説明する。なお、以下のタイムチャートで
は省略しているが、上記バックリンスノズル２０から洗
浄液を吐出して、基板Ｗの裏面に付着したフォトレジス
ト液やそのミストを洗浄除去するように命令を付加して
おくことが好ましい。

【００２２】まず、未処理の基板Ｗを吸引式スピンチャ
ック１０に吸着保持させただけの状態で、ｔ_S 時点にお
いて吐出ノズル３０から一定流量でフォトレジスト液の
供給を開始する。この供給開始時点ｔ_S から回転開始遅
れ時間Ｔ₀ （例えば、０．１〜０．４ｓｅｃ）経過後の
ｔ₁ 時点でモータ１２を回転させ始め、ｔ₂ 時点で基板
Ｗの回転数が比較的高速の回転数Ｒ３（例えば、６，０
００ｒｐｍ）に到達するように所定の加速度（例えば、
２４，０００ｒｐｍ／ｓｅｃ）で回転数を上昇させる。
なお、上記回転数Ｒ３が本発明の第１の回転数に相当
し、ｔ_S 時点が過程（ａ）に相当する。また、ｔ₁ 時点
からｔ₂ 時点までが本発明における過程（ｂ）に相当す
る。

【００２３】上記の過程においてフォトレジスト液の供
給を開始した直後は、フォトレジスト液が基板Ｗの中心
付近にほぼ円形状のコアの状態で存在し、その後、フォ
トレジスト液が供給され続けることにより同心円状にそ
の径を次第に拡大してゆく。そして、回転数が比較的高
速の回転数Ｒ３に上昇されると、極めて大きな遠心力に
よってコアがその径を速やかに拡大し、基板Ｗの表面全
体をほぼ覆うことになる。このとき、コアの円周部から
基板Ｗの周縁部に向かって多数のヒゲが発生し、これら
が基板Ｗの周縁部に到達した時点からフォトレジスト液
がヒゲを通して周囲に飛散することになるが、コアの拡
大が極めて速いためヒゲを通して飛散する時間が短くな
る。したがって、飛散するフォトレジスト液の量を少な
くすることができる。

【００２４】また、このように静止した状態の基板Ｗに
フォトレジスト液を供給し、その後に回転を開始する方
法においては、基板Ｗとフォトレジスト液との温度差な
どの影響により、静止時に滴下されたフォトレジスト液
の接触部分が滴下跡となって塗布ムラを発生させる場合
があるが、上記のように回転開始遅れ時間Ｔ₀ が０．１
〜０．４ｓｅｃと非常に短いので、滴下跡に起因する塗
布ムラの発生をも抑制することができる。

【００２５】回転数Ｒ３による回転駆動を高速回転保持
時間Ｔ₁ （例えば、０．３〜０．９ｓｅｃ）だけ維持す
ることにより、基板Ｗのほぼ表面全体にフォトレジスト
液を行き渡らせて塗り拡げる。そして、ｔ₃ 時点から所
定の加速度（例えば、５０，０００ｒｐｍ／ｓｅｃ）で
急激に減速を開始し、ｔ_E 時点で回転数Ｒ４＝０ｒｐ
ｍ、すなわち、基板Ｗの回転を停止させる。停止させる
とともに、吐出ノズル３０からフォトレジスト液の供給
を停止して、フォトレジスト液の供給を完了する。この
停止状態を、ｔ_E 時点からｔ₄ 時点までの減速保持時間
Ｔ₂ （例えば、０．１ｓｅｃ）だけ保持する。なお、フ
ォトレジスト液の供給完了時点ｔ_E において、基板Ｗの
表面全体がフォトレジスト液によって覆われている必要
はない。つまり、この後の回転数Ｒ５による回転駆動に
よって基板Ｗの表面全体が覆われるので、ｔ_E 時点では
所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成するのに必要な量
のフォトレジスト液が基板Ｗに供給されていればよい。
なお、上記回転数Ｒ４が本発明の第２の回転数に相当
し、ｔ₃ 時点からｔ₄ 時点までが過程（ｃ）に相当す
る。また、ｔ_E 時点が本発明の過程（ｄ）に相当する。

【００２６】回転数Ｒ３のような高速回転で基板Ｗを回
転し続けるとフォトレジスト液を基板Ｗの表面全体に短
時間で行き渡らせることが可能であるが、その一方で、
基板Ｗの表面周縁部における周速度が非常に大きくなる
ため、周縁部から次第に回転中心側に向かって表層の乱
流域が進行し始める。この乱流域が長時間に渡って生じ
ていると、基板Ｗの表面中心部と周縁部とで溶媒の揮発
度合いに極端な差異が生じることや、フォトレジスト液
に含まれる感光性樹脂などの成分の流動に偏りが生じる
ことなどに起因して基板Ｗの面内における膜厚が不均一
となる。

【００２７】しかし、上述したように一時的に基板Ｗの
回転数を回転数Ｒ４＝０ｒｐｍに減速すると、基板Ｗの
表層に生じている乱流を整えるとともにフォトレジスト
液の流動の偏りを抑制することができ、膜厚不均一要因
を抑制することができる。

【００２８】その後、減速保持時間Ｔ₂ が経過したｔ₄
時点から再び基板Ｗの回転駆動を開始し、ｔ₅ 時点にお
いて回転数Ｒ５（例えば、３，０００ｒｐｍ）に到達す
るように制御する。そして、この回転数Ｒ５による回転
駆動をｔ₆ 時点まで所定時間（例えば、２０〜３０ｓｅ
ｃ）だけ維持して、フォトレジスト液を基板Ｗの表面全
体にわたって拡げつつその余剰分を振り切るとともに、
溶媒を揮発させて所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成
する。なお、上記の回転数Ｒ５が本発明における第３の
回転数に相当し、ｔ₄ 時点からｔ₆ 時点までが本発明に
おける過程（ｅ）に相当する。

【００２９】上述したように比較的高速の回転数Ｒ３に
より基板Ｗのほぼ表面全体に短時間でフォトレジスト液
を塗り拡げるので、ヒゲを通して飛散するフォトレジス
ト液の量を少なくすることができる。したがって、所望
膜厚のフォトレジスト被膜を形成するのに要するフォト
レジスト液の量を少なくすることができる。その結果、
現像液やリンス液などの処理液に比較して高価なフォト
レジスト液の利用効率を向上させることが可能となり、
半導体装置の製造コストを低減することができる。

【００３０】また、高速回転の後に基板Ｗの回転を減速
（停止）させることにより、高速回転によって生じる膜
厚不均一要因を抑制することができるので、回転数Ｒ５
によって形成されるフォトレジスト被膜の膜厚を均一な
ものとすることができる。したがって、３００ｍｍ径の
大口径基板であっても同様の効果を期待できる。

【００３１】なお、上記タイムチャートにおけるフォト
レジスト液の供給開始時点ｔ_S およびその供給完了時点
ｔ_E は、図２中に括弧書き（ｔ_S ），（ｔ_E ）で示すよ
うなタイミングであってもよい。

【００３２】また、被膜を形成するのに要するフォトレ
ジスト液量は、回転数Ｒ３，回転数Ｒ４，これらの回転
数へ切り換える際の加速度，回転数Ｒ３とフォトレジス
ト液の供給開始時点ｔ_S とのタイミング，フォトレジス
ト液の種類（溶媒や感光性樹脂の種類）やその粘度，基
板Ｗの表面状態（パターンの複雑さや凹凸状態）などの
種々の条件によって変化するものであるので、上記の高
速回転保持時間Ｔ₁ を調節することによって供給時間Ｔ
_SUを調整し、フォトレジスト液の供給量を調整するよう
にすればよい。

【００３３】因みに、上記のタイムチャートによって８
インチ径の基板を処理した結果、２２ｃｐ（センチポイ
ズ）のフォトレジスト液を使用した場合に約０．８７ｍ
ｌの少ない液量で均一な膜厚のフォトレジスト被膜を形
成することができた。

【００３４】ここで上述した減速保持時間Ｔ₂ を取り入
れた場合の効果について、図３の膜厚分布図を参照して
説明する。なお、サンプルとしては８インチ径の基板を
採用している。記号×でプロットした点線による曲線
は、減速しなかった（減速保持時間Ｔ₂＝０ｓｅｃ）場
合、つまり、図２中において回転数Ｒ３の次に回転数Ｒ
５で回転駆動してフォトレジスト被膜を形成した場合を
示している。また、記号△でプロットした実線による曲
線は、上述したように減速した場合、つまり、減速保持
時間Ｔ₂ ＝０．１ｓｅｃで処理した場合を示している。
この膜厚分布図から明らかなように、減速しない場合に
は高速回転（回転数Ｒ３）による膜厚不均一要因が存在
しているので基板Ｗの中心部の膜厚が薄く周縁部に向か
って厚くなり（その形状からＶプロファイルとも呼ばれ
る）、膜厚が不均一になっていることが判る。その一
方、図２に示すように減速した場合には、膜厚不均一要
因が抑制されているのでＶプロファイルのような不均一
な分布にならず基板Ｗのほぼ全面にわたって均一に被膜
が形成できていることが判る。

【００３５】なお、上述したように回転数Ｒ４を『０ｒ
ｐｍ』として基板Ｗの回転を停止させる方が膜厚不均一
要因をより抑制できるので好ましい。しかし、膜厚不均
一要因を抑制できるのであれば停止させる必要はない。
つまり、図４のタイムチャートに示すように回転数Ｒ３
から所定の加速度で減速して、例えば、５００ｒｐｍ程
度の回転数Ｒ４にしてもよい。この回転数Ｒ４の値は、
膜厚不均一要因の発生度合い、換言すれば基板Ｗのサイ
ズや高速の回転数Ｒ３による高速回転保持時間Ｔ₁ など
を勘案して、膜厚不均一要因を抑制できるように設定す
ればよい。

【００３６】また、上記の回転数Ｒ３は、フォトレジス
ト液を短時間で基板Ｗのほぼ表面全体に拡げるために高
い方が好ましく、例えば、４，０００ｒｐｍ以上が好ま
しい。また、回転数Ｒ３への加速度も大きいほうが好ま
しく、回転数Ｒ４に減速する際の加速度も大きい方が好
ましい。

【００３７】また、上記の説明ではフォトレジスト液を
例に採って説明したが、本発明はＳＯＧ液やポリイミド
樹脂などの塗布液であっても適用可能であることは言う
までもない。

【００３８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、塗布液の供給を開始した後、
比較的高速の第１の回転数で基板を回転駆動することに
より、塗布液の同心円状の塊から発生する塗布液の流れ
が基板周縁部に到達して大量に飛散する間もなく、塗布
液の塊が基板のほぼ表面全体を短時間で覆うので、塗布
液の流れを通して塗布液が飛散する時間を短縮すること
ができる。したがって、塗布被膜の形成に要する塗布液
の量を少なくすることができ、塗布液の利用効率を向上
させることができる。その結果、現像液やリンス液など
に比較して高価な塗布液の使用量を極めて少なくするこ
とができるので、半導体装置のコストを抑制することが
できる。

【００３９】さらに、比較的高速の第１の回転数で塗布
液を基板のほぼ表面全体に拡げた後、第２の回転数に減
速して高速回転時に生じる膜厚不均一要因を抑制するの
で、第３の回転数によって基板表面の塗布液を振り切っ
て膜厚調整を行うことにより、基板の表面全体にわたっ
てほぼ均一な膜厚の塗布被膜を形成することができる。
したがって、膜厚不均一要因を生じやすい大口径基板で
あっても同様の効果を期待できる。

【００４０】また、請求項２に記載の発明によれば、高
速回転後に基板を静止させることにより膜厚不均一要因
をさらに抑制できるので、より均一な膜厚の塗布被膜を
形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法を適用した回転式基板塗布装置の構
成を示す縦断面図である。

【図２】基板の回転数制御の一例を示すタイムチャート
である。

【図３】減速した場合および減速しない場合に形成され
たフォトレジスト被膜の膜厚分布図である。

【図４】基板の回転数制御のその他の例を示すタイムチ
ャートである。

【図５】従来例に係る回転式基板塗布装置の要部を示す
図である。

【図６】従来の塗布方法の一例を示すタイムチャートで
ある。

【図７】従来の塗布方法における問題点の説明に供する
図である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 １０ … 吸引式スピンチャック １２ … モータ １３ … 飛散防止カップ ３０ … 吐出ノズル Ｒ３ … 回転数（第１の回転数） Ｒ４ … 回転数（第２の回転数） Ｒ５ … 回転数（第３の回転数） Ｔ₀ … 回転開始遅れ時間 Ｔ₁ … 高速回転保持時間 Ｔ₂ … 減速保持時間

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚
   の塗布被膜を形成する塗布液塗布方法であって、 （ａ）基板を静止させた状態で、その中心付近に塗布液
   の供給を開始する過程と、 （ｂ）前記基板の回転数を比較的高速の第１の回転数に
   上げてゆく過程と、 （ｃ）前記基板の回転数を所定の加速度で第２の回転数
   に減速する過程と、 （ｄ）前記基板の回転数を第２の回転数に減速するのと
   ほぼ同時に、前記基板への塗布液の供給を停止する過程
   と、 （ｅ）前記基板を、前記第１の回転数より低くかつ前記
   第２の回転数より高い第３の回転数で回転させて、その
   表面全体を覆っている塗布被膜の膜厚を調整する過程
   と、 をその順に実施することを特徴とする塗布液塗布方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の塗布液塗布方法におい
   て、前記第２の回転数を『０』にして、前記基板を静止
   させることを特徴とする塗布液塗布方法。