JP3420900B2 - 塗布液塗布方法 - Google Patents
塗布液塗布方法Info
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- JP3420900B2 JP3420900B2 JP27804896A JP27804896A JP3420900B2 JP 3420900 B2 JP3420900 B2 JP 3420900B2 JP 27804896 A JP27804896 A JP 27804896A JP 27804896 A JP27804896 A JP 27804896A JP 3420900 B2 JP3420900 B2 JP 3420900B2
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- coating liquid
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- liquid
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称す
る）に対して、フォトレジスト液、ＳＯＧ液（シリカ系
被膜形成材とも呼ばれる）、ポリイミド樹脂などの塗布
液を供給してその表面に塗布被膜を形成する塗布液塗布
方法に係り、特に基板を所定の供給回転数で低速回転さ
せつつ塗布液を供給した後、その基板を被膜形成回転数
で高速回転させて所望膜厚の塗布被膜を形成する技術に
関する。
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称す
る）に対して、フォトレジスト液、ＳＯＧ液（シリカ系
被膜形成材とも呼ばれる）、ポリイミド樹脂などの塗布
液を供給してその表面に塗布被膜を形成する塗布液塗布
方法に係り、特に基板を所定の供給回転数で低速回転さ
せつつ塗布液を供給した後、その基板を被膜形成回転数
で高速回転させて所望膜厚の塗布被膜を形成する技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の塗布液塗布方法につい
て、図１５に示す装置を例に採って説明する。この図は
回転式基板塗布装置の要部を示し、この装置は基板Ｗを
ほぼ水平姿勢で吸引支持して回転させる吸引式スピンチ
ャック１０と、そのほぼ回転中心の上方に、塗布液であ
るフォトレジスト液を基板Ｗの表面に供給するための吐
出ノズル３０とを備えている。
て、図１５に示す装置を例に採って説明する。この図は
回転式基板塗布装置の要部を示し、この装置は基板Ｗを
ほぼ水平姿勢で吸引支持して回転させる吸引式スピンチ
ャック１０と、そのほぼ回転中心の上方に、塗布液であ
るフォトレジスト液を基板Ｗの表面に供給するための吐
出ノズル３０とを備えている。
【０００３】このように構成された装置では、図１６の
タイムチャートに示すように回転数制御を行なって基板
Ｗの表面に所望の膜厚のフォトレジスト被膜を得るよう
になっている。
タイムチャートに示すように回転数制御を行なって基板
Ｗの表面に所望の膜厚のフォトレジスト被膜を得るよう
になっている。
【０００４】すなわち、まず、吸引式スピンチャック１
０を図示しないモータによって回転駆動して、基板Ｗを
所定の供給回転数Ｒ１（例えば９００ｒｐｍ）で低速回
転させる。その回転が安定した時点で、吐出ノズル３０
からほぼ一定の流量でフォトレジスト液Ｒを吐出させ始
め（図１６中の符号ｔS ）、基板Ｗの回転中心付近にフ
ォトレジスト液Ｒを供給し始める。そしてフォトレジス
ト液Ｒの供給開始時点ｔS から所定時間経過した時点
（図１６中の符号ｔE ）でフォトレジスト液Ｒの供給を
停止する。その後、吸引式スピンチャック１０の回転数
を、供給回転数Ｒ１よりも高い被膜形成回転数Ｒ２（例
えば３，０００ｒｐｍ）に上げて所定時間だけ高速回転
に保持することによって、基板Ｗの表面に供給された余
剰のフォトレジスト液Ｒを振り切り、基板Ｗの表面に所
望する膜厚のフォトレジスト被膜を形成するようになっ
ている。
０を図示しないモータによって回転駆動して、基板Ｗを
所定の供給回転数Ｒ１（例えば９００ｒｐｍ）で低速回
転させる。その回転が安定した時点で、吐出ノズル３０
からほぼ一定の流量でフォトレジスト液Ｒを吐出させ始
め（図１６中の符号ｔS ）、基板Ｗの回転中心付近にフ
ォトレジスト液Ｒを供給し始める。そしてフォトレジス
ト液Ｒの供給開始時点ｔS から所定時間経過した時点
（図１６中の符号ｔE ）でフォトレジスト液Ｒの供給を
停止する。その後、吸引式スピンチャック１０の回転数
を、供給回転数Ｒ１よりも高い被膜形成回転数Ｒ２（例
えば３，０００ｒｐｍ）に上げて所定時間だけ高速回転
に保持することによって、基板Ｗの表面に供給された余
剰のフォトレジスト液Ｒを振り切り、基板Ｗの表面に所
望する膜厚のフォトレジスト被膜を形成するようになっ
ている。
【０００５】上述したような従来の塗布液塗布方法にお
いては、図１７（ａ）〜図１７（ｆ）の模式図に示すよ
うなフォトレジスト液Ｒの挙動によってフォトレジスト
被膜が形成される。なお、これらの図では、簡略的に基
板Ｗを円で示し、フォトレジスト液Ｒをハッチングした
領域で示し、各図における基板Ｗの回転数を矢印の大き
さで模式的に示している。
いては、図１７（ａ）〜図１７（ｆ）の模式図に示すよ
うなフォトレジスト液Ｒの挙動によってフォトレジスト
被膜が形成される。なお、これらの図では、簡略的に基
板Ｗを円で示し、フォトレジスト液Ｒをハッチングした
領域で示し、各図における基板Ｗの回転数を矢印の大き
さで模式的に示している。
【０００６】まず、基板Ｗを供給回転数Ｒ１で低速回転
させつつ基板Ｗの表面にフォトレジスト液Ｒを供給し始
めた直後の状態では、図１７（ａ）に示すようにフォト
レジスト液Ｒは平面視で円形状の塊Ｒa （以下、これを
コアＲa と称する）となって基板Ｗの回転中心付近にあ
る。さらにフォトレジスト液Ｒを供給し続けると、この
コアＲa の径は回転に伴う遠心力が作用してほぼ円形状
を保ったまま基板Ｗの周縁に向かって同心円状に拡がっ
ていく。
させつつ基板Ｗの表面にフォトレジスト液Ｒを供給し始
めた直後の状態では、図１７（ａ）に示すようにフォト
レジスト液Ｒは平面視で円形状の塊Ｒa （以下、これを
コアＲa と称する）となって基板Ｗの回転中心付近にあ
る。さらにフォトレジスト液Ｒを供給し続けると、この
コアＲa の径は回転に伴う遠心力が作用してほぼ円形状
を保ったまま基板Ｗの周縁に向かって同心円状に拡がっ
ていく。
【０００７】コアＲa は暫くの間（数秒間）は円形状を
保っているが、その後に大きく形を変えていく。具体的
には、図１７（ａ）に示すようにこの円形状のコアＲa
の円周部から基板Ｗの周縁部に向かって多数の細長いフ
ォトレジスト液Ｒb の流れ（以下、これをヒゲＲb と称
する）が放射状に伸び始める。この多数のヒゲＲb は、
図１７（ｂ）に示すように遠心力によってコアＲa の径
の拡大とともに基板Ｗの周縁部に向かって伸び続ける
が、ヒゲＲb はコアＲa に比べてその回転半径が大き
く、そのために遠心力が大きく加わるので、コアＲa の
径の拡大よりも速く基板Ｗの周縁部に向かって伸びるこ
とになる。
保っているが、その後に大きく形を変えていく。具体的
には、図１７（ａ）に示すようにこの円形状のコアＲa
の円周部から基板Ｗの周縁部に向かって多数の細長いフ
ォトレジスト液Ｒb の流れ（以下、これをヒゲＲb と称
する）が放射状に伸び始める。この多数のヒゲＲb は、
図１７（ｂ）に示すように遠心力によってコアＲa の径
の拡大とともに基板Ｗの周縁部に向かって伸び続ける
が、ヒゲＲb はコアＲa に比べてその回転半径が大き
く、そのために遠心力が大きく加わるので、コアＲa の
径の拡大よりも速く基板Ｗの周縁部に向かって伸びるこ
とになる。
【０００８】さらに、フォトレジスト液Ｒの供給を続け
ながら基板Ｗの回転を供給回転数Ｒ１で続けると、多数
のヒゲＲb の先端部は、図１７（ｃ）に示すように基板
Ｗの周縁部に到達する。このように多数のヒゲＲb が基
板Ｗの周縁部に到達すると、フォトレジスト液Ｒはコア
Ｒa からヒゲＲb を通って基板Ｗの周縁部に達して飛散
（以下、飛散フォトレジスト液Ｒc と称する）する。図
１７（ｃ）中の二点鎖線および図１７（ｄ）に示すよう
に、さらにコアＲa の径が大きくなるとともにヒゲＲb
の幅が拡がることによって、フォトレジスト液Ｒで覆わ
れていないヒゲＲb 間の領域が次第に少なくなって基板
Ｗの全面がフォトレジスト液Ｒ（コアＲ a ，ヒゲＲb ）
によって覆われる（図１７（ｅ））。なお、この時点で
吐出ノズル３０からのフォトレジスト液Ｒの吐出を停止
する（図１６中の符号ｔE ）ように予め時間設定されて
いる。
ながら基板Ｗの回転を供給回転数Ｒ１で続けると、多数
のヒゲＲb の先端部は、図１７（ｃ）に示すように基板
Ｗの周縁部に到達する。このように多数のヒゲＲb が基
板Ｗの周縁部に到達すると、フォトレジスト液Ｒはコア
Ｒa からヒゲＲb を通って基板Ｗの周縁部に達して飛散
（以下、飛散フォトレジスト液Ｒc と称する）する。図
１７（ｃ）中の二点鎖線および図１７（ｄ）に示すよう
に、さらにコアＲa の径が大きくなるとともにヒゲＲb
の幅が拡がることによって、フォトレジスト液Ｒで覆わ
れていないヒゲＲb 間の領域が次第に少なくなって基板
Ｗの全面がフォトレジスト液Ｒ（コアＲ a ，ヒゲＲb ）
によって覆われる（図１７（ｅ））。なお、この時点で
吐出ノズル３０からのフォトレジスト液Ｒの吐出を停止
する（図１６中の符号ｔE ）ように予め時間設定されて
いる。
【０００９】以上のように、フォトレジスト液Ｒが基板
Ｗの表面全体を覆った後に、基板Ｗの回転数を供給回転
数Ｒ１よりも高い被膜形成回転数Ｒ２として、基板Ｗの
表面を覆っているフォトレジスト液Ｒの余剰分（以下、
余剰フォトレジスト液Ｒd と称する）を振り切ることに
より、基板Ｗの表面に所望の膜厚のフォトレジスト被膜
Ｒ’を形成する。
Ｗの表面全体を覆った後に、基板Ｗの回転数を供給回転
数Ｒ１よりも高い被膜形成回転数Ｒ２として、基板Ｗの
表面を覆っているフォトレジスト液Ｒの余剰分（以下、
余剰フォトレジスト液Ｒd と称する）を振り切ることに
より、基板Ｗの表面に所望の膜厚のフォトレジスト被膜
Ｒ’を形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法には、次のような問題点がある。すなわ
ち、図１７（ｃ）に示すように、多数のヒゲＲb が基板
Ｗの周縁部に到達すると、これ以降に供給されるフォト
レジスト液Ｒの大部分は、コアＲa からヒゲＲb を通っ
て基板Ｗの周囲に放出されて飛散する（以下、飛散フォ
トレジスト液Ｒc と称する）ことになる。したがって、
基板Ｗの表面全体がフォトレジスト液Ｒによって覆われ
るまでに大量のフォトレジスト液Ｒを供給する必要があ
り、フォトレジスト液の使用量が極めて多くなるという
問題点がある。つまり、所望膜厚のフォトレジスト被膜
を得る際のフォトレジスト液Ｒの利用効率が極めて低い
という問題点がある。因みに、このフォトレジスト液な
どの塗布液は、現像液やリンス液などの処理液に比較し
て非常に高価であるので、飛散する不要な塗布液の量を
少なくすることは半導体装置等の製造コストを低減する
上で重要な課題となっている。
た従来の方法には、次のような問題点がある。すなわ
ち、図１７（ｃ）に示すように、多数のヒゲＲb が基板
Ｗの周縁部に到達すると、これ以降に供給されるフォト
レジスト液Ｒの大部分は、コアＲa からヒゲＲb を通っ
て基板Ｗの周囲に放出されて飛散する（以下、飛散フォ
トレジスト液Ｒc と称する）ことになる。したがって、
基板Ｗの表面全体がフォトレジスト液Ｒによって覆われ
るまでに大量のフォトレジスト液Ｒを供給する必要があ
り、フォトレジスト液の使用量が極めて多くなるという
問題点がある。つまり、所望膜厚のフォトレジスト被膜
を得る際のフォトレジスト液Ｒの利用効率が極めて低い
という問題点がある。因みに、このフォトレジスト液な
どの塗布液は、現像液やリンス液などの処理液に比較し
て非常に高価であるので、飛散する不要な塗布液の量を
少なくすることは半導体装置等の製造コストを低減する
上で重要な課題となっている。
【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、回転数制御を工夫することによって、
所望膜厚の塗布被膜を得るために供給する塗布液の量を
極めて少なくすることができる塗布液塗布方法を提供す
ることを目的とする。
たものであって、回転数制御を工夫することによって、
所望膜厚の塗布被膜を得るために供給する塗布液の量を
極めて少なくすることができる塗布液塗布方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の塗布液塗布方法は、基板の表面に
塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形成する塗布液
塗布方法であって、（ａ）基板を所定の供給回転数で低
速回転させる過程と、（ｂ）前記基板の回転中心付近に
塗布液を供給する過程と、（ｃ）前記基板の表面全体を
塗布液が覆う前に、前記基板の回転数を前記供給回転数
より低い所定の待機回転数に減速する過程と、（ｄ）前
記基板の表面全体を塗布液が覆う前に、前記基板の回転
数を前記待機回転数より高い目標回転数へと上げてゆく
過程と、（ｅ）前記基板を所定の被膜形成回転数で高速
回転させてその表面に所望膜厚の塗布被膜を形成する過
程とをその順に行い、少なくとも前記過程（ｃ）の間は
塗布液を供給し続けることを特徴とするものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の塗布液塗布方法は、基板の表面に
塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形成する塗布液
塗布方法であって、（ａ）基板を所定の供給回転数で低
速回転させる過程と、（ｂ）前記基板の回転中心付近に
塗布液を供給する過程と、（ｃ）前記基板の表面全体を
塗布液が覆う前に、前記基板の回転数を前記供給回転数
より低い所定の待機回転数に減速する過程と、（ｄ）前
記基板の表面全体を塗布液が覆う前に、前記基板の回転
数を前記待機回転数より高い目標回転数へと上げてゆく
過程と、（ｅ）前記基板を所定の被膜形成回転数で高速
回転させてその表面に所望膜厚の塗布被膜を形成する過
程とをその順に行い、少なくとも前記過程（ｃ）の間は
塗布液を供給し続けることを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項２に記載の塗布液塗布方法
は、請求項１に記載の塗布液塗布方法において、前記過
程（ｄ）の目標回転数へと上げ始めるタイミングを、前
記基板の表面に供給されて平面視でほぼ円形に拡がって
いる塗布液の周囲から放射状に塗布液の流れが生じ始め
る時点よりも後であって、かつ放射状に延びた塗布液の
流れが前記基板の周縁に到達する時点よりも前とするも
のである。
は、請求項１に記載の塗布液塗布方法において、前記過
程（ｄ）の目標回転数へと上げ始めるタイミングを、前
記基板の表面に供給されて平面視でほぼ円形に拡がって
いる塗布液の周囲から放射状に塗布液の流れが生じ始め
る時点よりも後であって、かつ放射状に延びた塗布液の
流れが前記基板の周縁に到達する時点よりも前とするも
のである。
【００１４】また、請求項３に記載の塗布液塗布方法
は、請求項１または請求項２に記載の塗布液塗布方法に
おいて、前記塗布液の供給を前記過程（ｃ）と前記過程
（ｄ）との間で停止するものである。
は、請求項１または請求項２に記載の塗布液塗布方法に
おいて、前記塗布液の供給を前記過程（ｃ）と前記過程
（ｄ）との間で停止するものである。
【００１５】また、請求項４に記載の塗布液塗布方法
は、請求項１ないし請求項３に記載の塗布液塗布方法に
おいて、前記目標回転数を前記被膜形成回転数より高い
回転数とするものである。
は、請求項１ないし請求項３に記載の塗布液塗布方法に
おいて、前記目標回転数を前記被膜形成回転数より高い
回転数とするものである。
【００１６】また、請求項５に記載の塗布液塗布方法
は、請求項１ないし請求項３に記載の塗布液塗布方法に
おいて、前記待機回転数を『０』にして前記基板を停止
させるものである。
は、請求項１ないし請求項３に記載の塗布液塗布方法に
おいて、前記待機回転数を『０』にして前記基板を停止
させるものである。
【００１７】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は、次のとおりで
ある。基板を所定の供給回転数で低速回転させ、その回
転中心付近に塗布液を供給し、低速回転時の回転数より
も高い所定の被膜形成回転数で基板を高速回転させるこ
とにより、基板の表面に所望膜厚の塗布被膜を形成す
る。しかし、上述したようにこれらの過程において、ま
ず、円形状の塗布液ＲのコアＲa から多数の細長いヒゲ
Ｒb が基板Ｗの周縁に向かって放射状に伸び始め（図１
７（ａ），（ｂ）参照）、これらのヒゲＲb が基板Ｗの
周縁に到達（図１７（ｃ）参照）すると、これらを通っ
て塗布液が基板Ｗの周囲に飛散塗布液Ｒc となって飛散
する（図１７（ｃ），（ｄ）参照）ので、不要な塗布液
の量が極めて多くなる。
ある。基板を所定の供給回転数で低速回転させ、その回
転中心付近に塗布液を供給し、低速回転時の回転数より
も高い所定の被膜形成回転数で基板を高速回転させるこ
とにより、基板の表面に所望膜厚の塗布被膜を形成す
る。しかし、上述したようにこれらの過程において、ま
ず、円形状の塗布液ＲのコアＲa から多数の細長いヒゲ
Ｒb が基板Ｗの周縁に向かって放射状に伸び始め（図１
７（ａ），（ｂ）参照）、これらのヒゲＲb が基板Ｗの
周縁に到達（図１７（ｃ）参照）すると、これらを通っ
て塗布液が基板Ｗの周囲に飛散塗布液Ｒc となって飛散
する（図１７（ｃ），（ｄ）参照）ので、不要な塗布液
の量が極めて多くなる。
【００１８】そこで、基板を所定の供給回転数で低速回
転させ（過程（ａ））、基板の回転中心付近に塗布液を
供給し（過程（ｂ））、基板Ｗの表面に供給された塗布
液Ｒが基板Ｗの低速回転によって拡がってその表面全体
を覆う前に、すなわち、図１７（ａ）に示すようにコア
Ｒa が円形状を保った状態から、図１７（ｅ）に示すよ
うにコアＲa とヒゲＲb が相殺されて塗布液Ｒが基板Ｗ
の表面全体を覆う前に、基板Ｗの回転数を一旦供給回転
数より低い所定の待機回転数にまで減速する（過程
（ｃ））。
転させ（過程（ａ））、基板の回転中心付近に塗布液を
供給し（過程（ｂ））、基板Ｗの表面に供給された塗布
液Ｒが基板Ｗの低速回転によって拡がってその表面全体
を覆う前に、すなわち、図１７（ａ）に示すようにコア
Ｒa が円形状を保った状態から、図１７（ｅ）に示すよ
うにコアＲa とヒゲＲb が相殺されて塗布液Ｒが基板Ｗ
の表面全体を覆う前に、基板Ｗの回転数を一旦供給回転
数より低い所定の待機回転数にまで減速する（過程
（ｃ））。
【００１９】例えば、上記の条件を満たす、図１７
（ｂ）に示すようにコアＲa からヒゲＲ b が伸びた状態
において回転数を低速の供給回転数からより低速の待機
回転数に減速した場合について説明する。なお、上記の
待機回転数は回転数＝０、すなわち基板を停止させた状
態をも含むものである。このように回転数制御を行なう
と、塗布液は、図５ないし図８の模式図に示すような挙
動をする。なお、図５および図６は、基板Ｗおよび塗布
液Ｒを模式的に示した側面図であり、図７および図８
は、基板Ｗおよび塗布液Ｒを模式的に示した平面図であ
る。
（ｂ）に示すようにコアＲa からヒゲＲ b が伸びた状態
において回転数を低速の供給回転数からより低速の待機
回転数に減速した場合について説明する。なお、上記の
待機回転数は回転数＝０、すなわち基板を停止させた状
態をも含むものである。このように回転数制御を行なう
と、塗布液は、図５ないし図８の模式図に示すような挙
動をする。なお、図５および図６は、基板Ｗおよび塗布
液Ｒを模式的に示した側面図であり、図７および図８
は、基板Ｗおよび塗布液Ｒを模式的に示した平面図であ
る。
【００２０】まず、基板Ｗの回転数を供給回転数よりも
低い待機回転数に減速すると、基板ＷのコアＲa の径の
拡大およびヒゲＲb の伸びがほぼ停止状態となる。少な
くともこの状態では、依然として塗布液を供給し続けて
いるので、減速前のコアＲa（図５）に比較してコアＲ
a の塗布液Ｒの液量を増加（図６）させることができ
る。このようにコアＲa の塗布液Ｒの液量が増加した状
態、つまりコアＲa の拡大運動量が増大した状態で、基
板Ｗの表面全体を塗布液が覆う前に、回転数を待機回転
数よりも高い目標回転数へと上げてゆく。すると、図７
および図８に示すような挙動が塗布液Ｒに生じる。
低い待機回転数に減速すると、基板ＷのコアＲa の径の
拡大およびヒゲＲb の伸びがほぼ停止状態となる。少な
くともこの状態では、依然として塗布液を供給し続けて
いるので、減速前のコアＲa（図５）に比較してコアＲ
a の塗布液Ｒの液量を増加（図６）させることができ
る。このようにコアＲa の塗布液Ｒの液量が増加した状
態、つまりコアＲa の拡大運動量が増大した状態で、基
板Ｗの表面全体を塗布液が覆う前に、回転数を待機回転
数よりも高い目標回転数へと上げてゆく。すると、図７
および図８に示すような挙動が塗布液Ｒに生じる。
【００２１】従来例のように回転数が低速の供給回転数
のままに保持されたとすると、図７中にハッチングで示
すコアＲa ／ヒゲＲb の状態から、二点鎖線で示すよう
にコアＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周縁に向かって遠心力
により拡大／伸長する。さらに液量が増加したコアＲa
から新たな放射状の塗布液の流れ（以下、新たなヒゲＲ
b ’と称する）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新た
なヒゲＲb ’が基板Ｗの周縁に向かって伸び始める。
のままに保持されたとすると、図７中にハッチングで示
すコアＲa ／ヒゲＲb の状態から、二点鎖線で示すよう
にコアＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周縁に向かって遠心力
により拡大／伸長する。さらに液量が増加したコアＲa
から新たな放射状の塗布液の流れ（以下、新たなヒゲＲ
b ’と称する）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新た
なヒゲＲb ’が基板Ｗの周縁に向かって伸び始める。
【００２２】そこで、待機回転数より高い目標回転数へ
と回転数を上げてゆくと（過程（ｄ））、すなわち加速
してゆくと、その過程において図７に示す状態を経てヒ
ゲＲ b および新たなヒゲＲb ’に慣性力、つまり回転方
向とは逆方向の力が作用する。したがって、遠心力と慣
性力との合力によりヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’
は、図８に示すように周方向に曲げられるようにその幅
が拡大するとともに、遠心力によってその先端部が周縁
に向かって伸長し、コアＲa の径も拡大することにな
る。
と回転数を上げてゆくと（過程（ｄ））、すなわち加速
してゆくと、その過程において図７に示す状態を経てヒ
ゲＲ b および新たなヒゲＲb ’に慣性力、つまり回転方
向とは逆方向の力が作用する。したがって、遠心力と慣
性力との合力によりヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’
は、図８に示すように周方向に曲げられるようにその幅
が拡大するとともに、遠心力によってその先端部が周縁
に向かって伸長し、コアＲa の径も拡大することにな
る。
【００２３】その結果、図８に示すようにヒゲＲb およ
び新たなヒゲＲb ’は基板Ｗの周縁に向かって伸長する
だけでなく周方向にもその幅を拡大するので、ヒゲＲb
が基板Ｗの周縁部に達するまでにヒゲＲb 間の隙間が、
新たなヒゲＲb ’の発生も加わって急速に狭まり、塗布
液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆うまでの時間（被覆所要時
間）を大幅に短縮することができる。被覆所要時間が短
いということは、塗布液Ｒの供給を開始してから、塗布
液Ｒが基板Ｗの全面を覆って塗布液Ｒの供給が停止され
るまで時間が短いことを意味する。換言すれば、上述し
たようなヒゲＲ b （および新たなヒゲＲb ’）が基板Ｗ
の周縁部に達してから塗布液Ｒの供給が停止されるまで
の時間が短くなり、それだけヒゲＲb を通って基板Ｗの
周縁部から飛散する塗布液Ｒの量が少なくなるので、所
望膜厚の塗布被膜を得るのに要する塗布液Ｒの量を少な
くすることができる。
び新たなヒゲＲb ’は基板Ｗの周縁に向かって伸長する
だけでなく周方向にもその幅を拡大するので、ヒゲＲb
が基板Ｗの周縁部に達するまでにヒゲＲb 間の隙間が、
新たなヒゲＲb ’の発生も加わって急速に狭まり、塗布
液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆うまでの時間（被覆所要時
間）を大幅に短縮することができる。被覆所要時間が短
いということは、塗布液Ｒの供給を開始してから、塗布
液Ｒが基板Ｗの全面を覆って塗布液Ｒの供給が停止され
るまで時間が短いことを意味する。換言すれば、上述し
たようなヒゲＲ b （および新たなヒゲＲb ’）が基板Ｗ
の周縁部に達してから塗布液Ｒの供給が停止されるまで
の時間が短くなり、それだけヒゲＲb を通って基板Ｗの
周縁部から飛散する塗布液Ｒの量が少なくなるので、所
望膜厚の塗布被膜を得るのに要する塗布液Ｒの量を少な
くすることができる。
【００２４】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板の表面に供給されて平面視でほぼ円形の状態（コアＲ
a ）に拡がっている塗布液の周囲から放射状に塗布液の
流れが伸び始める時点、すなわち、図１７（ａ）に示す
状態から後であって、その放射状に伸びた塗布液（ヒゲ
Ｒb ）が基板の周縁に達する前、すなわち、図１７
（ｃ）に示す状態となる前に、基板の回転数を目標回転
数に上げ始めるので、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’
に対して効果的に慣性力を与えて、その幅を拡大するこ
とができ、基板の周縁に到達したヒゲＲb （および新た
なヒゲＲb ’）を通して飛散する塗布液の量を少なくす
ることができる。
板の表面に供給されて平面視でほぼ円形の状態（コアＲ
a ）に拡がっている塗布液の周囲から放射状に塗布液の
流れが伸び始める時点、すなわち、図１７（ａ）に示す
状態から後であって、その放射状に伸びた塗布液（ヒゲ
Ｒb ）が基板の周縁に達する前、すなわち、図１７
（ｃ）に示す状態となる前に、基板の回転数を目標回転
数に上げ始めるので、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’
に対して効果的に慣性力を与えて、その幅を拡大するこ
とができ、基板の周縁に到達したヒゲＲb （および新た
なヒゲＲb ’）を通して飛散する塗布液の量を少なくす
ることができる。
【００２５】また、請求項３に記載の発明によれば、基
板が待機回転数とされている間に塗布液の供給を停止す
ることにより、コアＲa の拡大およびヒゲＲb の伸長を
ほぼ停止させた状態でコアＲa の塗布液増量を終えるこ
とができる。したがって、コアＲa の拡大運動量を最大
化した状態で目標回転数へ基板の回転数を上げてゆくこ
とができるので、コアＲa の径の拡大をより速く、かつ
新たなヒゲＲb ’を効率良く発生させることができる。
板が待機回転数とされている間に塗布液の供給を停止す
ることにより、コアＲa の拡大およびヒゲＲb の伸長を
ほぼ停止させた状態でコアＲa の塗布液増量を終えるこ
とができる。したがって、コアＲa の拡大運動量を最大
化した状態で目標回転数へ基板の回転数を上げてゆくこ
とができるので、コアＲa の径の拡大をより速く、かつ
新たなヒゲＲb ’を効率良く発生させることができる。
【００２６】また、請求項４に記載の発明によれば、放
射状に伸びた塗布液（ヒゲＲb および新たなヒゲ
Ｒb ’）に慣性力を与えるために、所望膜厚の塗布被膜
を形成するための被膜形成回転数よりも高い目標回転数
へと基板の回転数が上げられてゆく。したがって、この
回転数の上昇過程で放射状に伸びた塗布液（ヒゲＲb お
よび新たなヒゲＲb ’）に大きな慣性力を与えることが
でき、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’の周方向の幅を
速く拡大することができる。その結果、基板の表面全体
を塗布液で覆う時間をより短くすることができる。基板
表面が塗布液で覆われた後、基板の回転数が所望膜厚の
塗布被膜を形成するための被膜形成回転数に切り換えら
れることにより、余剰の塗布液が振り切られて所望膜厚
の塗布被膜が形成される。
射状に伸びた塗布液（ヒゲＲb および新たなヒゲ
Ｒb ’）に慣性力を与えるために、所望膜厚の塗布被膜
を形成するための被膜形成回転数よりも高い目標回転数
へと基板の回転数が上げられてゆく。したがって、この
回転数の上昇過程で放射状に伸びた塗布液（ヒゲＲb お
よび新たなヒゲＲb ’）に大きな慣性力を与えることが
でき、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’の周方向の幅を
速く拡大することができる。その結果、基板の表面全体
を塗布液で覆う時間をより短くすることができる。基板
表面が塗布液で覆われた後、基板の回転数が所望膜厚の
塗布被膜を形成するための被膜形成回転数に切り換えら
れることにより、余剰の塗布液が振り切られて所望膜厚
の塗布被膜が形成される。
【００２７】また、請求項５に記載に発明によれば、待
機回転数を『０』にして基板の回転を停止させた状態で
塗布液を供給し続けることになり、コアＲa の拡大およ
びヒゲＲb の伸長を停止させた状態でコアＲa の塗布液
量を増大させることができる。したがって、コアＲa の
拡大運動量を効率よく増大させることができるので、目
標回転数へと基板の回転数を上げてゆく際にコアＲa か
ら発生する新たなヒゲＲb ’を効率よく発生させること
ができるとともに、コアＲa の径の拡大を速めることが
できる。
機回転数を『０』にして基板の回転を停止させた状態で
塗布液を供給し続けることになり、コアＲa の拡大およ
びヒゲＲb の伸長を停止させた状態でコアＲa の塗布液
量を増大させることができる。したがって、コアＲa の
拡大運動量を効率よく増大させることができるので、目
標回転数へと基板の回転数を上げてゆく際にコアＲa か
ら発生する新たなヒゲＲb ’を効率よく発生させること
ができるとともに、コアＲa の径の拡大を速めることが
できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明に係る塗布液塗布方
法を実行するための回転式基板塗布装置を示す縦断面図
である。なお、塗布液としてはフォトレジスト液を例に
採って説明する。
実施例を説明する。図１は、本発明に係る塗布液塗布方
法を実行するための回転式基板塗布装置を示す縦断面図
である。なお、塗布液としてはフォトレジスト液を例に
採って説明する。
【００２９】図中、符号１０は、吸引式スピンチャック
であって基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着支持するものであ
る。この吸引式スピンチャック１０は、中空の回転軸１
１を介して回転モータ１２によって回転駆動される。吸
引式スピンチャック１０の周囲には、フォトレジスト液
などが基板Ｗの周囲に飛散することを防止するための飛
散防止カップ１３が配置されている。また、図示しない
搬送手段が未処理の基板Ｗを吸引式スピンチャック１０
に載置したり、吸引式スピンチャック１０から処理済み
の基板Ｗを受け取る際には、図示しない昇降手段が回転
軸１１と飛散防止カップ１３とを相対昇降させることに
よって、吸引式スピンチャック１０を飛散防止カップ１
３の上方へと移動させる（図中の二点鎖線）。
であって基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着支持するものであ
る。この吸引式スピンチャック１０は、中空の回転軸１
１を介して回転モータ１２によって回転駆動される。吸
引式スピンチャック１０の周囲には、フォトレジスト液
などが基板Ｗの周囲に飛散することを防止するための飛
散防止カップ１３が配置されている。また、図示しない
搬送手段が未処理の基板Ｗを吸引式スピンチャック１０
に載置したり、吸引式スピンチャック１０から処理済み
の基板Ｗを受け取る際には、図示しない昇降手段が回転
軸１１と飛散防止カップ１３とを相対昇降させることに
よって、吸引式スピンチャック１０を飛散防止カップ１
３の上方へと移動させる（図中の二点鎖線）。
【００３０】飛散防止カップ１３は、上カップ１４と、
円形整流板１５と、下カップ１７等から構成されてい
る。上カップ１４は、上部に開口部１４ａと、基板Ｗの
回転によるフォトレジスト液などの飛沫を下方へ案内す
る傾斜面１４ｂとを有する。
円形整流板１５と、下カップ１７等から構成されてい
る。上カップ１４は、上部に開口部１４ａと、基板Ｗの
回転によるフォトレジスト液などの飛沫を下方へ案内す
る傾斜面１４ｂとを有する。
【００３１】円形整流板１５は、開口部１４ａから流入
して基板Ｗの周縁に沿って流下する気流を下カップ１７
に整流して案内するとともに、上カップ１４の傾斜面１
４ｂによって下方に案内されたフォトレジスト液などの
飛沫をこの気流に乗せて下カップ１７に案内する。
して基板Ｗの周縁に沿って流下する気流を下カップ１７
に整流して案内するとともに、上カップ１４の傾斜面１
４ｂによって下方に案内されたフォトレジスト液などの
飛沫をこの気流に乗せて下カップ１７に案内する。
【００３２】下カップ１７の底部には、排液口１７ａが
配設されている。この排液口１７ａは、排液タンク１７
ｂに接続されており、回転振り切り後のフォトレジスト
液などを回収するようになっている。下カップ１７の底
部には、さらにカップ排気口１７ｃが配設されている。
このカップ排気口１７ｃは、排気ポンプ１７ｄに接続さ
れており、飛散防止カップ１３内に滞留する霧状のフォ
トレジスト液などを空気とともに吸引して排気するよう
になっている。
配設されている。この排液口１７ａは、排液タンク１７
ｂに接続されており、回転振り切り後のフォトレジスト
液などを回収するようになっている。下カップ１７の底
部には、さらにカップ排気口１７ｃが配設されている。
このカップ排気口１７ｃは、排気ポンプ１７ｄに接続さ
れており、飛散防止カップ１３内に滞留する霧状のフォ
トレジスト液などを空気とともに吸引して排気するよう
になっている。
【００３３】円形整流板１５の内側には、基板Ｗの裏面
に回り込んだフォトレジスト液や付着したミストを除去
するための洗浄液を基板Ｗの裏面に向けて吐出するため
のバックリンスノズル２０が配設されている。このバッ
クリンスノズル２０には、管継手１８と供給配管１８ａ
を介して洗浄液供給部１８ｂから洗浄液が供給されるよ
うになっている。なお、後述するタイムチャートでは省
略しているが、フォトレジスト液やそのミストが基板Ｗ
の裏面に付着することを防止するために、このバックリ
ングノズル２０から洗浄液を基板Ｗの裏面に供給するこ
とが好ましい。
に回り込んだフォトレジスト液や付着したミストを除去
するための洗浄液を基板Ｗの裏面に向けて吐出するため
のバックリンスノズル２０が配設されている。このバッ
クリンスノズル２０には、管継手１８と供給配管１８ａ
を介して洗浄液供給部１８ｂから洗浄液が供給されるよ
うになっている。なお、後述するタイムチャートでは省
略しているが、フォトレジスト液やそのミストが基板Ｗ
の裏面に付着することを防止するために、このバックリ
ングノズル２０から洗浄液を基板Ｗの裏面に供給するこ
とが好ましい。
【００３４】さらに、飛散防止カップ１３の開口部１４
ａの上方であって、基板Ｗのほぼ回転中心の上方には、
フォトレジスト液を吐出するための吐出ノズル３０が配
設されている。また、吐出ノズル３０へフォトレジスト
液を所定量だけ供給する図示しない塗布液供給手段と、
吸引式スピンチャック１０と飛散防止カップ１３とを相
対昇降する図示しない昇降手段と、回転モータ１２と
は、制御部５０によって制御されるように構成されてい
る。なお、制御部５０は、メモリ５１に格納された、後
述するタイムチャートに応じたプログラムによって上記
各部の制御を行なうようになっている。
ａの上方であって、基板Ｗのほぼ回転中心の上方には、
フォトレジスト液を吐出するための吐出ノズル３０が配
設されている。また、吐出ノズル３０へフォトレジスト
液を所定量だけ供給する図示しない塗布液供給手段と、
吸引式スピンチャック１０と飛散防止カップ１３とを相
対昇降する図示しない昇降手段と、回転モータ１２と
は、制御部５０によって制御されるように構成されてい
る。なお、制御部５０は、メモリ５１に格納された、後
述するタイムチャートに応じたプログラムによって上記
各部の制御を行なうようになっている。
【００３５】次に、図２のタイムチャートおよび図３〜
図１３を参照して、フォトレジスト塗布処理について説
明する。なお、このタイムチャートに相当するプログラ
ムは、図１に示したメモリ５１に格納されており、制御
部５０によって読みだされて逐次に実行されるようにな
っている。また、処理対象の基板Ｗは、既に吸引式スピ
ンチャック１０に載置されて吸引保持され、さらに基板
Ｗの回転中心付近の上方には、吐出ノズル３０が位置し
ているものとする。また、各図の模式図は、簡略的に基
板Ｗを円形で表し、フォトレジスト液をハッチングした
領域で表している。なお、図３〜図４，図７〜１３は基
板とフォトレジスト液を模式的に示した平面図であり、
図５，図６は側面図である。
図１３を参照して、フォトレジスト塗布処理について説
明する。なお、このタイムチャートに相当するプログラ
ムは、図１に示したメモリ５１に格納されており、制御
部５０によって読みだされて逐次に実行されるようにな
っている。また、処理対象の基板Ｗは、既に吸引式スピ
ンチャック１０に載置されて吸引保持され、さらに基板
Ｗの回転中心付近の上方には、吐出ノズル３０が位置し
ているものとする。また、各図の模式図は、簡略的に基
板Ｗを円形で表し、フォトレジスト液をハッチングした
領域で表している。なお、図３〜図４，図７〜１３は基
板とフォトレジスト液を模式的に示した平面図であり、
図５，図６は側面図である。
【００３６】まず、回転モータ１２の回転駆動を開始す
る。具体的には、制御部５０が回転モータ１２を正転駆
動することによって基板Ｗを平面視で『反時計方向』に
回転する。なお、回転モータ１２の回転駆動を開始した
時点を『０』とした場合に時間ｔ1 において供給回転数
Ｒ３に到達するようにその回転加速度が設定されてい
る。この供給回転数Ｒ３としては、例えば１，５００ｒ
ｐｍである。
る。具体的には、制御部５０が回転モータ１２を正転駆
動することによって基板Ｗを平面視で『反時計方向』に
回転する。なお、回転モータ１２の回転駆動を開始した
時点を『０』とした場合に時間ｔ1 において供給回転数
Ｒ３に到達するようにその回転加速度が設定されてい
る。この供給回転数Ｒ３としては、例えば１，５００ｒ
ｐｍである。
【００３７】次いで、基板Ｗの回転が供給回転数Ｒ３で
安定した後（数秒後）、時間ｔS の時点で吐出ノズル３
０からフォトレジスト液を基板Ｗの表面に吐出開始す
る。この時点では、図３に示すように基板Ｗの回転中心
付近でフォトレジスト液が平面視で円形状の塊Ｒa （以
下、これをコアＲa と称する）となっている。
安定した後（数秒後）、時間ｔS の時点で吐出ノズル３
０からフォトレジスト液を基板Ｗの表面に吐出開始す
る。この時点では、図３に示すように基板Ｗの回転中心
付近でフォトレジスト液が平面視で円形状の塊Ｒa （以
下、これをコアＲa と称する）となっている。
【００３８】さらに基板Ｗの回転中心付近にフォトレジ
スト液を供給し続けると、コアＲaの径は回転に伴う遠
心力が作用してほぼ円形状を保ったまま基板Ｗの周縁に
向かって同心円状に拡大していく。
スト液を供給し続けると、コアＲaの径は回転に伴う遠
心力が作用してほぼ円形状を保ったまま基板Ｗの周縁に
向かって同心円状に拡大していく。
【００３９】コアＲa は暫くの間（数秒間）は円形状を
保っているが、その後つぎのようにその形状を大きく変
えていく。図３および図４に示すように、この円形状の
コアＲa の円周部から基板Ｗの周縁部に向かって多数の
細長いフォトレジスト液Ｒb の流れ（以下、これをヒゲ
Ｒ b と称する）が放射状に伸び始める。この多数のヒゲ
Ｒb は、遠心力によってコアＲa の径の拡大とともに基
板Ｗの周縁部に向かって伸び続けるが、ヒゲＲb はコア
Ｒa に比べて遠心力が大きく加わるので、図３の状態か
ら図４の状態に示すようにコアＲa の径の拡大よりも速
く基板Ｗの周縁部に向かって伸びることになる。なお、
この図４の状態を模式的に示した側面図が図５である。
保っているが、その後つぎのようにその形状を大きく変
えていく。図３および図４に示すように、この円形状の
コアＲa の円周部から基板Ｗの周縁部に向かって多数の
細長いフォトレジスト液Ｒb の流れ（以下、これをヒゲ
Ｒ b と称する）が放射状に伸び始める。この多数のヒゲ
Ｒb は、遠心力によってコアＲa の径の拡大とともに基
板Ｗの周縁部に向かって伸び続けるが、ヒゲＲb はコア
Ｒa に比べて遠心力が大きく加わるので、図３の状態か
ら図４の状態に示すようにコアＲa の径の拡大よりも速
く基板Ｗの周縁部に向かって伸びることになる。なお、
この図４の状態を模式的に示した側面図が図５である。
【００４０】そこで、基板Ｗの表面に供給されているフ
ォトレジスト液Ｒによって基板Ｗの表面全体が覆われる
前に、回転数を供給回転数Ｒ３（１，５００ｒｐｍ）よ
りも低い待機回転数Ｒ４に減速する。待機回転数Ｒ４
は、この例では０ｒｐｍであり、基板Ｗが停止された状
態である。具体的には、上記の供給回転数Ｒ３を時間ｔ
2 まで保持した後、時間ｔ3 で回転数が『０』となるよ
うに回転モータ１２を制御する。
ォトレジスト液Ｒによって基板Ｗの表面全体が覆われる
前に、回転数を供給回転数Ｒ３（１，５００ｒｐｍ）よ
りも低い待機回転数Ｒ４に減速する。待機回転数Ｒ４
は、この例では０ｒｐｍであり、基板Ｗが停止された状
態である。具体的には、上記の供給回転数Ｒ３を時間ｔ
2 まで保持した後、時間ｔ3 で回転数が『０』となるよ
うに回転モータ１２を制御する。
【００４１】このように回転数を供給回転数Ｒ３から待
機回転数Ｒ４に減速して基板Ｗを停止させることによ
り、コアＲa の周縁部から放射状に伸びているヒゲＲb
の伸長を一時的に停止させることができる。この状態で
は、依然としてフォトレジスト液Ｒの供給を続けている
ので、図６に示すようにコアＲa のフォトレジスト液Ｒ
の液量だけを増加させることができる。このようにコア
Ｒa の液量が増大すると、コアＲa としてはその拡大運
動量が増大することになる。
機回転数Ｒ４に減速して基板Ｗを停止させることによ
り、コアＲa の周縁部から放射状に伸びているヒゲＲb
の伸長を一時的に停止させることができる。この状態で
は、依然としてフォトレジスト液Ｒの供給を続けている
ので、図６に示すようにコアＲa のフォトレジスト液Ｒ
の液量だけを増加させることができる。このようにコア
Ｒa の液量が増大すると、コアＲa としてはその拡大運
動量が増大することになる。
【００４２】このようにコアＲa の液量を増大させ、そ
の拡大運動量を増大させた状態で、従来例のように基板
Ｗを供給回転数Ｒ３で回転し続けた場合、フォトレジス
ト液Ｒは図７に示すような挙動をとる。すなわち、図７
中にハッチングで示すコアＲ a ／ヒゲＲb の状態から、
二点鎖線で示すようにコアＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周
縁に向かって遠心力により拡大／伸長するとともに、液
量が増加して拡大運動量が増大しているコアＲa から新
たな放射状の塗布液の流れ（以下、新たなヒゲＲb ’と
称する）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新たなヒゲ
Ｒb ’が基板Ｗの周縁部に向かって伸び始める。
の拡大運動量を増大させた状態で、従来例のように基板
Ｗを供給回転数Ｒ３で回転し続けた場合、フォトレジス
ト液Ｒは図７に示すような挙動をとる。すなわち、図７
中にハッチングで示すコアＲ a ／ヒゲＲb の状態から、
二点鎖線で示すようにコアＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周
縁に向かって遠心力により拡大／伸長するとともに、液
量が増加して拡大運動量が増大しているコアＲa から新
たな放射状の塗布液の流れ（以下、新たなヒゲＲb ’と
称する）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新たなヒゲ
Ｒb ’が基板Ｗの周縁部に向かって伸び始める。
【００４３】そこで、フォトレジスト液Ｒが基板Ｗの表
面全体を覆う前、詳細にはヒゲＲbが基板Ｗの周縁部に
到達する前に、基板Ｗの回転数を上記の待機回転数Ｒ４
（０ｒｐｍ）よりも高い目標回転数Ｒ５に上げてゆく。
なお、具体的な回転制御としては制御部５０が、回転モ
ータ１２の回転数を時間ｔ3 から時間ｔ4 までの間、待
機回転数Ｒ４に保持した後、時間ｔ4 において吐出ノズ
ル３０からのフォトレジスト液Ｒの供給を停止する。さ
らに、フォトレジスト液Ｒの供給を停止するとともに回
転モータ１２の回転数を時間ｔ4 から時間ｔ5 の短い時
間内に、待機回転数Ｒ４から目標回転数Ｒ５に向けて急
激に上げてゆく。この目標回転数Ｒ５としては、例え
ば、４，０００ｒｐｍである。なお、待機回転数Ｒ４か
ら目標回転数Ｒ５に回転数を上昇する時点ｔ4 において
フォトレジスト液Ｒの供給を停止することにより、コア
Ｒa の拡大運動量を最大化した状態で以下のような作用
をフォトレジスト液Ｒに与えることができるので、新た
なヒゲＲb ’を効率的に生じさせることができるととも
にコアＲb の径をより速く拡大することができる。
面全体を覆う前、詳細にはヒゲＲbが基板Ｗの周縁部に
到達する前に、基板Ｗの回転数を上記の待機回転数Ｒ４
（０ｒｐｍ）よりも高い目標回転数Ｒ５に上げてゆく。
なお、具体的な回転制御としては制御部５０が、回転モ
ータ１２の回転数を時間ｔ3 から時間ｔ4 までの間、待
機回転数Ｒ４に保持した後、時間ｔ4 において吐出ノズ
ル３０からのフォトレジスト液Ｒの供給を停止する。さ
らに、フォトレジスト液Ｒの供給を停止するとともに回
転モータ１２の回転数を時間ｔ4 から時間ｔ5 の短い時
間内に、待機回転数Ｒ４から目標回転数Ｒ５に向けて急
激に上げてゆく。この目標回転数Ｒ５としては、例え
ば、４，０００ｒｐｍである。なお、待機回転数Ｒ４か
ら目標回転数Ｒ５に回転数を上昇する時点ｔ4 において
フォトレジスト液Ｒの供給を停止することにより、コア
Ｒa の拡大運動量を最大化した状態で以下のような作用
をフォトレジスト液Ｒに与えることができるので、新た
なヒゲＲb ’を効率的に生じさせることができるととも
にコアＲb の径をより速く拡大することができる。
【００４４】このようにコアＲa の拡大運動量を増大さ
せた状態で急加速すると、その過程において図７に示し
たような状態を経てヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’に
慣性力、つまり回転方向（図８の矢印）とは逆方向の力
が作用することになる。したがって、遠心力と慣性力と
の合力によりヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’は、図８
および図９に示すように周方向に曲げられるようにその
幅を拡大するとともに、遠心力によってその先端部が基
板Ｗの周縁部に向かって伸長する。さらに、これととも
にコアＲa の径も拡大することになる。
せた状態で急加速すると、その過程において図７に示し
たような状態を経てヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’に
慣性力、つまり回転方向（図８の矢印）とは逆方向の力
が作用することになる。したがって、遠心力と慣性力と
の合力によりヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’は、図８
および図９に示すように周方向に曲げられるようにその
幅を拡大するとともに、遠心力によってその先端部が基
板Ｗの周縁部に向かって伸長する。さらに、これととも
にコアＲa の径も拡大することになる。
【００４５】そして図１０に示すように、多数のヒゲＲ
b および多数の新たなヒゲＲb ’の先端部が基板Ｗの周
縁に到達すると、それらから基板Ｗの周囲にフォトレジ
スト液Ｒが飛散する（以下、飛散フォトレジスト液Ｒc
と称する）。しかしながら、加速度によりヒゲＲb およ
び新たなヒゲＲb ’が周方向に曲げられているので、基
板Ｗの周縁部に向かって拡大／伸長していくコアＲa ／
新たなヒゲＲb ’／ヒゲＲb が一体となって、フォトレ
ジスト液によって基板Ｗの表面全体が覆われるまでの時
間が従来に比較して大幅に短縮される（図１０〜図１
２）。このような作用をフォトレジスト液Ｒに生じさせ
つつ目標回転数Ｒ５での回転を時間ｔ6 まで維持する。
上述したように基板Ｗの回転数を待機回転数Ｒ４に一時
的に減速してから目標回転数Ｒ５に加速するので、これ
らの回転数の差を大きくとることができ、大きな慣性力
を与えることができる。したがって、ヒゲＲb および新
たなヒゲＲb ’の周方向の幅を速く拡大することができ
る。
b および多数の新たなヒゲＲb ’の先端部が基板Ｗの周
縁に到達すると、それらから基板Ｗの周囲にフォトレジ
スト液Ｒが飛散する（以下、飛散フォトレジスト液Ｒc
と称する）。しかしながら、加速度によりヒゲＲb およ
び新たなヒゲＲb ’が周方向に曲げられているので、基
板Ｗの周縁部に向かって拡大／伸長していくコアＲa ／
新たなヒゲＲb ’／ヒゲＲb が一体となって、フォトレ
ジスト液によって基板Ｗの表面全体が覆われるまでの時
間が従来に比較して大幅に短縮される（図１０〜図１
２）。このような作用をフォトレジスト液Ｒに生じさせ
つつ目標回転数Ｒ５での回転を時間ｔ6 まで維持する。
上述したように基板Ｗの回転数を待機回転数Ｒ４に一時
的に減速してから目標回転数Ｒ５に加速するので、これ
らの回転数の差を大きくとることができ、大きな慣性力
を与えることができる。したがって、ヒゲＲb および新
たなヒゲＲb ’の周方向の幅を速く拡大することができ
る。
【００４６】なお、上記の加速は、余り急激過ぎるとヒ
ゲＲb ／新たなヒゲＲb ’が飛散してしまうか、一旦周
方向に曲げられてもその後は遠心力によって基板Ｗの周
縁部に向かって直線的に伸長する不都合を生じるので、
７，５００ｒｐｍ／ｓｅｃ〜５０，０００ｒｐｍ／ｓｅ
ｃの範囲で加速することが好ましい。
ゲＲb ／新たなヒゲＲb ’が飛散してしまうか、一旦周
方向に曲げられてもその後は遠心力によって基板Ｗの周
縁部に向かって直線的に伸長する不都合を生じるので、
７，５００ｒｐｍ／ｓｅｃ〜５０，０００ｒｐｍ／ｓｅ
ｃの範囲で加速することが好ましい。
【００４７】そして、目標回転数Ｒ５での回転を時間ｔ
6 まで継続した後、時間ｔ7 までに所望膜厚を得るため
の回転数である被膜形成回転数Ｒ６（例えば、３，００
０ｒｐｍ）に減速してこれを時間ｔ8 まで維持する。こ
れにより図１３に示すように基板Ｗの表面全体を覆って
いるフォトレジスト液Ｒのうちの僅かな余剰分（余剰フ
ォトレジスト液Ｒd ）を振り切ることによって、基板Ｗ
の表面に所望膜厚のフォトレジスト被膜Ｒ’を形成する
ことができる。制御部５０は、時間ｔ9 にて基板Ｗの回
転が停止するように回転モータ１２の回転を制御して、
１枚の基板Ｗに対して処理を完了する。
6 まで継続した後、時間ｔ7 までに所望膜厚を得るため
の回転数である被膜形成回転数Ｒ６（例えば、３，００
０ｒｐｍ）に減速してこれを時間ｔ8 まで維持する。こ
れにより図１３に示すように基板Ｗの表面全体を覆って
いるフォトレジスト液Ｒのうちの僅かな余剰分（余剰フ
ォトレジスト液Ｒd ）を振り切ることによって、基板Ｗ
の表面に所望膜厚のフォトレジスト被膜Ｒ’を形成する
ことができる。制御部５０は、時間ｔ9 にて基板Ｗの回
転が停止するように回転モータ１２の回転を制御して、
１枚の基板Ｗに対して処理を完了する。
【００４８】なお、上述した時間『０』から時間ｔ2 ま
でが本発明における過程（ａ）に相当し、時間ｔS から
時間ｔE までが過程（ｂ）に相当し、時間ｔ2 から時間
ｔ4までが過程（ｃ）に相当し、時間ｔ4 から時間ｔ5
までが過程（ｄ）に相当し、時間ｔ7 から時間ｔ8 まで
が過程（ｅ）に相当するものである。
でが本発明における過程（ａ）に相当し、時間ｔS から
時間ｔE までが過程（ｂ）に相当し、時間ｔ2 から時間
ｔ4までが過程（ｃ）に相当し、時間ｔ4 から時間ｔ5
までが過程（ｄ）に相当し、時間ｔ7 から時間ｔ8 まで
が過程（ｅ）に相当するものである。
【００４９】上述したように、基板Ｗを低速回転させつ
つフォトレジスト液Ｒを供給し、基板Ｗの表面がフォト
レジスト液Ｒで覆われるまでに、一時的に待機回転数に
減速してコアＲa の径の拡大およびヒゲＲb の伸びを停
止させた状態でフォトレジスト液Ｒの拡大運動量を増大
させて回転数を目標回転数Ｒ５に急加速することによ
り、新たなヒゲＲb の発生も加わって基板Ｗの表面全体
がフォトレジスト液Ｒによって終われるまでの被覆所要
時間を短縮することができる。したがって、ヒゲＲ
b （および新たなヒゲＲb ’）が基板Ｗの周縁部に到達
してからフォトレジスト液Ｒの供給が停止されるまでの
時間が短くなるので、ヒゲＲb を通して基板Ｗの周囲に
放出・飛散するフォトレジスト液Ｒの量を少なくするこ
とができ。その結果、所望膜厚のフォトレジスト被膜を
得るために供給するフォトレジスト液の量を極めて少な
くすることができる。
つフォトレジスト液Ｒを供給し、基板Ｗの表面がフォト
レジスト液Ｒで覆われるまでに、一時的に待機回転数に
減速してコアＲa の径の拡大およびヒゲＲb の伸びを停
止させた状態でフォトレジスト液Ｒの拡大運動量を増大
させて回転数を目標回転数Ｒ５に急加速することによ
り、新たなヒゲＲb の発生も加わって基板Ｗの表面全体
がフォトレジスト液Ｒによって終われるまでの被覆所要
時間を短縮することができる。したがって、ヒゲＲ
b （および新たなヒゲＲb ’）が基板Ｗの周縁部に到達
してからフォトレジスト液Ｒの供給が停止されるまでの
時間が短くなるので、ヒゲＲb を通して基板Ｗの周囲に
放出・飛散するフォトレジスト液Ｒの量を少なくするこ
とができ。その結果、所望膜厚のフォトレジスト被膜を
得るために供給するフォトレジスト液の量を極めて少な
くすることができる。
【００５０】なお、上述した待機回転数Ｒ４に保持する
時間ｔ3 から時間ｔ4 の期間は、基板Ｗのサイズや、吐
出ノズル３０から供給するフォトレジスト液Ｒの単位時
間あたりの流速や、所望膜厚を得るのに必要なフォトレ
ジスト液の液量などを勘案して決定すればよい。
時間ｔ3 から時間ｔ4 の期間は、基板Ｗのサイズや、吐
出ノズル３０から供給するフォトレジスト液Ｒの単位時
間あたりの流速や、所望膜厚を得るのに必要なフォトレ
ジスト液の液量などを勘案して決定すればよい。
【００５１】次に、図１４のタイムチャートを参照し
て、上記と異なる回転数制御について説明する。
て、上記と異なる回転数制御について説明する。
【００５２】まず、供給回転数Ｒ７（例えば１，５００
ｒｐｍ）で基板Ｗを回転駆動しつつ時間ｔS からフォト
レジスト液Ｒを供給し始め、時間ｔ3 において待機回転
数Ｒ８となるように時間ｔ2 から減速を開始する。この
待機回転数Ｒ８は『０』ではなく、供給回転数Ｒ７より
も低い回転数（例えば、１，０００ｒｐｍ）にする。こ
のように基板Ｗの回転を停止させなくとも、供給回転数
Ｒ７よりも低い回転数にすることによっても、コアＲa
の拡大およびヒゲＲb の伸長をほぼ停止させた状態にす
ることができる。したがって、フォトレジスト液Ｒの供
給をこの間継続しておくことにより、コアＲa の液量だ
けを増量させることができてコアＲa の拡大運動量を増
大させることができる。
ｒｐｍ）で基板Ｗを回転駆動しつつ時間ｔS からフォト
レジスト液Ｒを供給し始め、時間ｔ3 において待機回転
数Ｒ８となるように時間ｔ2 から減速を開始する。この
待機回転数Ｒ８は『０』ではなく、供給回転数Ｒ７より
も低い回転数（例えば、１，０００ｒｐｍ）にする。こ
のように基板Ｗの回転を停止させなくとも、供給回転数
Ｒ７よりも低い回転数にすることによっても、コアＲa
の拡大およびヒゲＲb の伸長をほぼ停止させた状態にす
ることができる。したがって、フォトレジスト液Ｒの供
給をこの間継続しておくことにより、コアＲa の液量だ
けを増量させることができてコアＲa の拡大運動量を増
大させることができる。
【００５３】そして、時間ｔ5 において回転数が目標回
転数Ｒ９（＝被膜形成回転数Ｒ１０であり、例えば、
３，０００ｒｐｍ）となるように時間ｔ4 において急加
速する。なお、フォトレジスト液Ｒは時間ｔE まで供給
し続ける。この目標回転数Ｒ９（＝被膜形成回転数Ｒ
９）を時間ｔ6 まで維持し、時間ｔ7 において回転を停
止する。このように待機回転数Ｒ８を『０』としなくて
も、供給回転数Ｒ７よりも低くしてコアＲa の拡大運動
量だけを増大させることができれば、上述したタイムチ
ャートによる塗布と同様の作用効果を奏する。
転数Ｒ９（＝被膜形成回転数Ｒ１０であり、例えば、
３，０００ｒｐｍ）となるように時間ｔ4 において急加
速する。なお、フォトレジスト液Ｒは時間ｔE まで供給
し続ける。この目標回転数Ｒ９（＝被膜形成回転数Ｒ
９）を時間ｔ6 まで維持し、時間ｔ7 において回転を停
止する。このように待機回転数Ｒ８を『０』としなくて
も、供給回転数Ｒ７よりも低くしてコアＲa の拡大運動
量だけを増大させることができれば、上述したタイムチ
ャートによる塗布と同様の作用効果を奏する。
【００５４】また、図１４中に二点鎖線で示すように、
目標回転数（Ｒ１０）を、待機回転数Ｒ８よりも高く、
かつ、被膜形成回転数Ｒ９よりも低い回転数に設定して
も上記と同様の作用効果を得ることができる。
目標回転数（Ｒ１０）を、待機回転数Ｒ８よりも高く、
かつ、被膜形成回転数Ｒ９よりも低い回転数に設定して
も上記と同様の作用効果を得ることができる。
【００５５】なお、上述した各回転数、フォトレジスト
液Ｒの供給開始時点ｔS および供給停止時点ｔE 、減速
開始時点ｔ2 、減速期間ｔ3 〜ｔ4 、加速期間ｔ4 〜ｔ
5 は一例であり、基板サイズや基板の表面状態または塗
布液の粘度や塗布被膜の所望膜厚などに応じて適宜に設
定されるものである。また、供給回転数Ｒ３，Ｒ７より
も低い回転数にしてコアＲa の拡大およびヒゲＲb の伸
長をほぼ停止させることができるのであれば、待機回転
数は１種類に限定されるものではない。例えば、第１の
待機回転数を０ｒｐｍとし、第２の待機回転数を１，０
００ｒｐｍにしてもよい。これにより第１の待機回転数
（停止）によってコアＲa の拡大運動量を最大化できる
とともに、停止状態から目標回転数に向けて急加速する
際に生じる回転モータ１の負担を第２の待機回転数によ
って軽くすることができる。
液Ｒの供給開始時点ｔS および供給停止時点ｔE 、減速
開始時点ｔ2 、減速期間ｔ3 〜ｔ4 、加速期間ｔ4 〜ｔ
5 は一例であり、基板サイズや基板の表面状態または塗
布液の粘度や塗布被膜の所望膜厚などに応じて適宜に設
定されるものである。また、供給回転数Ｒ３，Ｒ７より
も低い回転数にしてコアＲa の拡大およびヒゲＲb の伸
長をほぼ停止させることができるのであれば、待機回転
数は１種類に限定されるものではない。例えば、第１の
待機回転数を０ｒｐｍとし、第２の待機回転数を１，０
００ｒｐｍにしてもよい。これにより第１の待機回転数
（停止）によってコアＲa の拡大運動量を最大化できる
とともに、停止状態から目標回転数に向けて急加速する
際に生じる回転モータ１の負担を第２の待機回転数によ
って軽くすることができる。
【００５６】なお、上記の実施例およびその変形例で
は、塗布液としてフォトレジスト液を例に採って説明し
たが、本発明はＳＯＧ液やポリイミド樹脂などの塗布液
であっても適用可能である。
は、塗布液としてフォトレジスト液を例に採って説明し
たが、本発明はＳＯＧ液やポリイミド樹脂などの塗布液
であっても適用可能である。
【００５７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板表面に供給された塗布液
が供給回転数により拡がって基板の表面全体を覆う前
に、基板の回転数を待機回転数に一旦減速して、この間
も塗布液を供給し続けておくことにより、同心円状の塗
布液を増量してその拡大運動量を増大させることができ
る。その後、待機回転数よりも高い目標回転数へと基板
の回転数を上げてゆくことにより、同心円状の塗布液か
ら放射状に伸びた塗布液の流れの間に、新たな塗布液の
流れを生じさせることができるとともに、各塗布液の流
れに慣性力を与えることができ、各放射状の塗布液の流
れの間の隙間を急速に狭めることができる。その結果、
放射状の塗布液の流れを通して基板の周囲に飛散する塗
布液の量を少なくすることができ、所望膜厚の塗布被膜
を得るのに要する塗布液の量を少なくすることができ
る。これにより現像液やリンス液などの処理液に比較し
て高価な塗布液の量を少なくすることができるので、半
導体装置などの製造コストを逓減するとともにスループ
ットを向上させることができる。
１に記載の発明によれば、基板表面に供給された塗布液
が供給回転数により拡がって基板の表面全体を覆う前
に、基板の回転数を待機回転数に一旦減速して、この間
も塗布液を供給し続けておくことにより、同心円状の塗
布液を増量してその拡大運動量を増大させることができ
る。その後、待機回転数よりも高い目標回転数へと基板
の回転数を上げてゆくことにより、同心円状の塗布液か
ら放射状に伸びた塗布液の流れの間に、新たな塗布液の
流れを生じさせることができるとともに、各塗布液の流
れに慣性力を与えることができ、各放射状の塗布液の流
れの間の隙間を急速に狭めることができる。その結果、
放射状の塗布液の流れを通して基板の周囲に飛散する塗
布液の量を少なくすることができ、所望膜厚の塗布被膜
を得るのに要する塗布液の量を少なくすることができ
る。これにより現像液やリンス液などの処理液に比較し
て高価な塗布液の量を少なくすることができるので、半
導体装置などの製造コストを逓減するとともにスループ
ットを向上させることができる。
【００５８】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板の表面に供給されて平面視でほぼ円形状に拡がってい
る塗布液の周囲から放射状に塗布液の流れが生じ始める
時点よりも後であって、かつ放射状に伸び始めた塗布液
の流れが基板の周縁に達する時点よりも前に、基板の回
転数を上げ始めることにより放射状に伸び始めた塗布液
の流れに効果的に慣性力を与えて、その幅を拡大するこ
とができる。したがって、基板の周縁に到達した塗布液
の流れを通して飛散する塗布液の量をより一層少なくす
ることができる。その結果、所望膜厚の塗布被膜を得る
に要する塗布液の量を少なくすることができる。
板の表面に供給されて平面視でほぼ円形状に拡がってい
る塗布液の周囲から放射状に塗布液の流れが生じ始める
時点よりも後であって、かつ放射状に伸び始めた塗布液
の流れが基板の周縁に達する時点よりも前に、基板の回
転数を上げ始めることにより放射状に伸び始めた塗布液
の流れに効果的に慣性力を与えて、その幅を拡大するこ
とができる。したがって、基板の周縁に到達した塗布液
の流れを通して飛散する塗布液の量をより一層少なくす
ることができる。その結果、所望膜厚の塗布被膜を得る
に要する塗布液の量を少なくすることができる。
【００５９】また、請求項３に記載の発明によれば、同
心円状の塗布液の拡大運動量を最大化した状態で目標回
転数へ基板の回転数を上げてゆくことができるので、塗
布液の径の拡大をより速く、各放射状の塗布液の流れの
間に効率よく新たな放射状の流れを生じさせることがで
きる。したがって、より速く各放射状の塗布液の流れの
隙間を狭めることができて、基板の表面全体を覆うまで
の時間をより短縮することができる。
心円状の塗布液の拡大運動量を最大化した状態で目標回
転数へ基板の回転数を上げてゆくことができるので、塗
布液の径の拡大をより速く、各放射状の塗布液の流れの
間に効率よく新たな放射状の流れを生じさせることがで
きる。したがって、より速く各放射状の塗布液の流れの
隙間を狭めることができて、基板の表面全体を覆うまで
の時間をより短縮することができる。
【００６０】また、請求項４に記載の発明によれば、放
射状に伸びた塗布液の流れに慣性力を与えるために、被
膜形成回転数よりも高い目標回転数へと基板の回転数が
上げられてゆく。この回転数の上昇過程で放射状に伸び
た塗布液の流れに大きな慣性力を与えることができ、そ
れらの流れの周方向の幅を速く拡大することができる。
したがって基板の表面全体を塗布液で覆う時間をより短
くすることができるので、放射状の塗布液の流れを通し
て周囲に飛散する不要な塗布液の量を少なくすることが
できる。その結果、所望膜厚の塗布被膜を得るのに要す
る塗布液の量を少なくすることができる。
射状に伸びた塗布液の流れに慣性力を与えるために、被
膜形成回転数よりも高い目標回転数へと基板の回転数が
上げられてゆく。この回転数の上昇過程で放射状に伸び
た塗布液の流れに大きな慣性力を与えることができ、そ
れらの流れの周方向の幅を速く拡大することができる。
したがって基板の表面全体を塗布液で覆う時間をより短
くすることができるので、放射状の塗布液の流れを通し
て周囲に飛散する不要な塗布液の量を少なくすることが
できる。その結果、所望膜厚の塗布被膜を得るのに要す
る塗布液の量を少なくすることができる。
【００６１】また、請求項５に記載に発明によれば、基
板の回転を停止させた状態で塗布液の供給を継続するこ
とにより同心円状の塗布液の拡大運動量を効率的に増大
させることができる。したがって、目標回転数へと基板
の回転数を上げてゆく際に、同心円状の塗布液の径を速
やかに拡大することができるとともに、放射状の塗布液
の流れの間に新たな塗布液の流れを効率よく発生させる
ことができる。これによって同心円状の塗布液の拡大を
速めることができ、放射状の塗布液の流れの間に新たな
塗布液の流れを効率的に発生させることができる。その
結果、基板の表面全体を塗布液で覆う時間をさらに短く
することができるので、周囲に飛散する不要な塗布液の
量を少なくすることができる。その結果、所望膜厚の塗
布被膜を得るのに要する塗布液の量をさらに少なくする
ことができる。
板の回転を停止させた状態で塗布液の供給を継続するこ
とにより同心円状の塗布液の拡大運動量を効率的に増大
させることができる。したがって、目標回転数へと基板
の回転数を上げてゆく際に、同心円状の塗布液の径を速
やかに拡大することができるとともに、放射状の塗布液
の流れの間に新たな塗布液の流れを効率よく発生させる
ことができる。これによって同心円状の塗布液の拡大を
速めることができ、放射状の塗布液の流れの間に新たな
塗布液の流れを効率的に発生させることができる。その
結果、基板の表面全体を塗布液で覆う時間をさらに短く
することができるので、周囲に飛散する不要な塗布液の
量を少なくすることができる。その結果、所望膜厚の塗
布被膜を得るのに要する塗布液の量をさらに少なくする
ことができる。
【図１】本発明方法を適用した回転式基板塗布装置の縦
断面図である。
断面図である。
【図２】フォトレジスト液塗布方法を示すタイムチャー
トである。
トである。
【図３】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面図
である。
である。
【図４】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面図
である。
である。
【図５】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な側面図
である。
である。
【図６】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な側面図
である。
である。
【図７】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面図
である。
である。
【図８】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面図
である。
である。
【図９】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面図
である。
である。
【図１０】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１１】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１２】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１３】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１４】フォトレジスト液塗布方法の変形例を示すタ
イムチャートである。
イムチャートである。
【図１５】従来例に係る回転式基板塗布装置の要部を示
す図である。
す図である。
【図１６】従来例に係る塗布液塗布方法を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図１７】従来例に係る塗布液塗布方法の説明に供する
図である。
図である。
１０ … 吸引式スピンチャック
１３ … 飛散防止カップ
３０ … 吐出ノズル
５０ … 制御部
５１ … メモリ
Ｗ … 基板
Ｒ … フォトレジスト液（塗布液）
Ｒa … コア（円形状の塗布液）
Ｒb … ヒゲ（放射状の塗布液の流れ）
Ｒb ’ … 新たなヒゲ（放射状の塗布液の流れ）
Ｒc … 飛散フォトレジスト液
Ｒd … 余剰フォトレジスト液
Ｒ３，Ｒ７ … 供給回転数
Ｒ４，Ｒ８ … 待機回転数
Ｒ５，Ｒ９，Ｒ１０ … 目標回転数
Ｒ６，Ｒ９ … 被膜形成回転数
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−190838（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−236971（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−156626（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚
の塗布被膜を形成する塗布液塗布方法であって、 （ａ）基板を所定の供給回転数で低速回転させる過程
と、 （ｂ）前記基板の回転中心付近に塗布液を供給する過程
と、 （ｃ）前記基板の表面全体を塗布液が覆う前に、前記基
板の回転数を前記供給回転数より低い所定の待機回転数
に減速する過程と、 （ｄ）前記基板の表面全体を塗布液が覆う前に、前記基
板の回転数を前記待機回転数より高い目標回転数へと上
げてゆく過程と、 （ｅ）前記基板を所定の被膜形成回転数で高速回転させ
てその表面に所望膜厚の塗布被膜を形成する過程とをそ
の順に行い、 少なくとも前記過程（ｃ）の間は塗布液を供給し続ける
ことを特徴とする塗布液塗布方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の塗布液塗布方法におい
て、前記過程（ｄ）の目標回転数へと上げ始めるタイミ
ングを、前記基板の表面に供給されて平面視でほぼ円形
に拡がっている塗布液の周囲から放射状に塗布液の流れ
が生じ始める時点よりも後であって、かつ放射状に延び
た塗布液の流れが前記基板の周縁に到達する時点よりも
前とする塗布液塗布方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の塗布液
塗布方法において、前記塗布液の供給を前記過程（ｃ）
と前記過程（ｄ）との間で停止する塗布液塗布方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３に記載の塗布液
塗布方法において、前記目標回転数を前記被膜形成回転
数より高い回転数とする塗布液塗布方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項３に記載の塗布液
塗布方法において、前記待機回転数を『０』にして前記
基板を停止させる塗布液塗布方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27804896A JP3420900B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 塗布液塗布方法 |
| KR1019970043603A KR100285524B1 (ko) | 1996-10-21 | 1997-08-30 | 도포액 도포방법 |
| US08/953,928 US5989632A (en) | 1996-10-21 | 1997-10-20 | Coating solution applying method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27804896A JP3420900B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 塗布液塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125581A JPH10125581A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3420900B2 true JP3420900B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=17591935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27804896A Expired - Lifetime JP3420900B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 塗布液塗布方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5989632A (ja) |
| JP (1) | JP3420900B2 (ja) |
| KR (1) | KR100285524B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8580340B2 (en) | 2009-12-07 | 2013-11-12 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19619678C1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Steag Hamatech Gmbh Machines | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von scheibenförmigen Informationsspeichermedien |
| US5912049A (en) * | 1997-08-12 | 1999-06-15 | Micron Technology, Inc. | Process liquid dispense method and apparatus |
| US6410213B1 (en) * | 1998-06-09 | 2002-06-25 | Corning Incorporated | Method for making optical microstructures having profile heights exceeding fifteen microns |
| US6225240B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-05-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Rapid acceleration methods for global planarization of spin-on films |
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