JP5096849B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
基板処理装置では、例えば基板上に形成された感光性膜(レジスト膜)の現像処理が行われる。現像処理時には、基板上のレジスト膜に現像液が供給される。所定時間経過後、基板上にリンス液が供給され、現像処理が停止されるとともに基板上の現像液が洗い流される。続いて、基板を高速で回転させることによって基板上のリンス液が振り切られ、基板が乾燥する(例えば特許文献1参照)。
特開2003−31488号公報
通常、遠心力を利用して基板の乾燥を行う場合、基板上にリンス液の微小な液滴が残留することがある。これは、微小な液滴にはその質量に応じた小さな遠心力しか働かないので、基板から引き離すことが困難となるためである。特に、基板の中心部近傍に微小な液滴が付着している場合、その液滴にはより小さな遠心力しか働かないので、微小液滴を取り除くことはさらに困難となる。
また、現像処理後のレジスト膜には親水性部分と疎水性部分とが混在しており、レジスト膜上におけるリンス液の保持力にばらつきが生じる。このことも基板上にリンス液が残留しやすくなる原因である。このように基板上に液滴が残留すると、現像欠陥が生じる。
本発明の目的は、現像処理後の基板を確実に乾燥させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
(1)第1の発明に係る基板処理装置は、露光処理後の基板に現像処理を行う基板処理装置であって、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に現像液を供給する現像液供給手段と、基板保持手段に保持された基板上にリンス液を供給することにより基板上の現像液を洗い流した後、基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、回転駆動手段により基板が回転される状態で、液層形成手段により基板上に形成された液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、回転駆動手段は、液層形成手段による液層の形成時に基板を第1の回転速度で回転させ、液層形成手段による液層の形成後に基板の回転速度を第1の回転速度から第2の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、気体吐出手段は、基板の回転速度が第1の回転速度から上昇を開始した後であって第2の回転速度に達する前に、第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第3の回転速度で回転する基板上の液層に気体を吐出し、回転駆動手段は、液層形成手段による液層の形成後であって気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第4の回転速度に所定時間維持するものである。
その基板処理装置においては、基板保持手段に保持された基板上に現像液供給手段により現像液が供給され、基板の現像処理が行われる。現像処理後、液層形成手段により基板上にリンス液が供給されることにより基板上の現像液が洗い流された後、基板上にリンス液の液層が形成される。
そして、回転駆動手段により基板が回転される状態で、気体吐出手段により基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。この場合、液層は複数の領域に分離せずに表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。それにより、微小液滴の形成が抑制され、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上に残留する液体に起因する現像欠陥の発生を確実に防止することができる。
また、液層の形成時には回転駆動手段により基板が第1の回転速度で回転される。それにより、基板が水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層を基板上に均一に形成することができる。
液層の形成後には、回転駆動手段により基板の回転速度が段階的または連続的に上昇する。それにより、液層の周縁部に働く外方への遠心力が増加する。一方、液層の中心部には遠心力に対する張力が働き、液層は外方に飛散することなく基板上で保持される。
基板の回転速度が上昇する過程で、基板の回転速度が第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第3の回転速度であるときに、気体吐出手段により基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層に働く張力が消滅し、遠心力により液層が基板の外方に向かって移動する。この場合、液層は複数の領域に分離せずに、表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。そのため、基板上における微小液滴の形成が抑制され、基板上の液層を確実に取り除くことができる。
さらに、液層形成手段による液層の形成後であって気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第4の回転速度に所定時間維持される
この場合、液層が基板上の全域に広がるとともに、液層が基板上に安定に保持される。それにより、気体吐出手段による気体の吐出前に液層が基板の外方に飛散することが確実に防止されるとともに、気体の吐出時に、確実に円環形状を保持した状態で液層を一体的に基板の外方へ移動させることができる。
)基板処理装置は、液層形成手段により基板上に形成された液層の厚さを検出する層厚検出器と、層厚検出器により検出された液層の厚さに基づいて回転駆動手段による基板の回転速度および気体吐出手段による気体の吐出タイミングを制御する制御部とをさらに備えてもよい。
この場合、液層の中心部が十分に薄くなりかつ遠心力により液層が複数の領域に分離しない状態で気体を吐出することができるので、液層の中心部に働く張力を確実に消滅させ、円環形状を保持した状態で液層を一体的に基板の外方へ移動させることができる。それにより、基板上の液層を確実に取り除くことができる。
)第2の発明に係る基板処理方法は、基板を略水平に保持する工程と、保持された基板上に現像液を供給する工程と、基板上にリンス液を供給して現像液を洗い流す工程と、現像液が洗い流された後に基板を第1の回転速度で回転させる工程と、基板が第1の回転速度で回転する状態で基板上にリンス液の液層を形成する工程と、液層の形成後に基板の回転速度を第1の回転速度から第2の回転速度まで段階的または連続的に上昇させる工程とを備え、基板の回転速度を上昇させる工程は、基板の回転速度が第1の回転速度から上昇を開始した後であって第2の回転速度に達する前に、基板が第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第3の回転速度で回転する状態で基板上の液層の中心部に向けて気体を吐出する工程と、液層の形成後であって気体の吐出前に、基板の回転速度を第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第4の回転速度に所定時間維持する工程とを含むものである。
その基板処理方法においては、基板が略水平に保持された状態で基板上に現像液が供給され、基板の現像処理が行われる。現像処理後、基板上にリンス液が供給され、基板上の現像液が洗い流される。
その後、基板上にリンス液の液層が形成される。そして、基板が回転される状態で、基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。この場合、液層は複数の領域に分離せずに表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。それにより、微小液滴の形成が抑制され、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上に残留する液体に起因する現像欠陥の発生を確実に防止することができる。
また、液層の形成時には基板が第1の回転速度で回転される。それにより、基板が水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層を基板上に均一に形成することができる。
液層の形成後には、基板の回転速度が段階的または連続的に上昇する。それにより、液層の周縁部に働く外方への遠心力が増加する。一方、液層の中心部には遠心力に対する張力が働き、液層は外方に飛散することなく基板上で保持される。
基板の回転速度が上昇する過程で、基板の回転速度が第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第3の回転速度であるときに、基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層に働く張力が消滅し、遠心力により液層が基板の外方に向かって移動する。この場合、液層は複数の領域に分離せずに、表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。そのため、基板上における微小液滴の形成が抑制され、基板上の液層を確実に取り除くことができる。
さらに、液層の形成後であって気体の吐出前に、基板の回転速度が第1の回転速度よりも高く第2の回転速度よりも低い第4の回転速度に所定時間維持される。
この場合、液層が基板上の全域に広がるとともに、液層が基板上に安定に保持される。それにより、気体の吐出前に液層が基板の外方に飛散することが確実に防止されるとともに、気体の吐出時に、確実に円環形状を保持した状態で液層を一体的に基板の外方へ移動させることができる。
本発明によれば、基板上における微小液滴の形成が抑制され、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上に残留する液体に起因する現像欠陥の発生を確実に防止することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
(1)構成
図1は本実施の形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図である。この基板処理装置においては、露光処理が施された基板上のレジスト膜に現像処理が施される。
図1に示すように、基板処理装置100は、基板Wを水平に保持するとともに、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック21を備える。
スピンチャック21は、チャック回転駆動機構36によって回転される回転軸25の上端に固定されている。また、スピンチャック21には吸気路(図示せず)が形成されており、スピンチャック21上に基板Wを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Wの下面をスピンチャック21に真空吸着し、基板Wを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック21の外方には、モータ60,70が設けられている。モータ60には、回動軸61が接続されている。回動軸61には、アーム62が水平方向に延びるように連結され、アーム62の先端に液供給ノズル65が設けられている。モータ60により回動軸61が回転するとともにアーム62が回動し、液供給ノズル65がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
モータ60,回動軸61,アーム62の内部を通るように供給管63が設けられている。供給管63は、バルブVaおよびバルブVbを介して現像液供給源R1およびリンス液供給源R2に接続されている。バルブVa,Vbの開閉を制御することにより、液供給ノズル65に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。具体的には、バルブVaが開かれることにより液供給ノズル65に現像液が供給され、バルブVbが開かれることにより液供給ノズル65にリンス液が供給される。リンス液としては例えば純水が用いられる。
モータ70には、回動軸71が接続されている。回動軸71には、アーム72が水平方向に延びるように連結され、アーム72の先端にガス供給ノズル75が設けられている。モータ70により回動軸71が回転するとともにアーム72が回動し、ガス供給ノズル75がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
モータ70、回動軸71およびアーム72の内部を通るように供給管73が設けられている。供給管73は、バルブVcを介してガス供給源R3に接続されている。バルブVcが開かれることにより、ガス供給ノズル75にガスが供給される。ガスとしては、例えば窒素ガス等の不活性ガスまたはエア(空気)が用いられる。
スピンチャック21に保持された基板Wは、処理カップ23内に収容される。処理カップ23の内側には、筒状の仕切壁33が設けられている。また、スピンチャック21の周囲を取り囲むように、基板Wの処理に用いられた処理液(リンス液または現像液)を排液するための排液空間31が形成されている。さらに、排液空間31を取り囲むように、処理カップ23と仕切壁33との間に、基板Wの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間32が形成されている。
排液空間31には、排液処理装置(図示せず)へ処理液を導くための排液管34が接続され、回収液空間32には、回収処理装置(図示せず)へ処理液を導くための回収管35が接続されている。
処理カップ23の上方には、基板Wからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード24が設けられている。このガード24は、回転軸25に対して回転対称な形状からなっている。ガード24の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝41が環状に形成されている。
また、ガード24の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部42が形成されている。回収液案内部42の上端付近には、処理カップ23の仕切壁33を受け入れるための仕切壁収納溝43が形成されている。
ガード24には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構40が設けられている。ガード昇降駆動機構40は、ガード24を、回収液案内部42がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝41がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード24が回収位置(図1に示すガードの位置)にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が回収液案内部42により回収液空間32に導かれ、回収管35を通して回収される。一方、ガード24が排液位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が排液案内溝41により排液空間31に導かれ、排液管34を通して排液される。現像処理時において、ガード24の位置は処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更される。
図2は、基板処理装置100の制御系を示すブロック図である。図2に示すように、基板処理装置100は制御部10を備える。バルブVa,Vb,Vc、チャック回転駆動機構36、モータ60,70およびガード昇降駆動機構40の動作は、制御部10により制御される。
(2)動作
次に、図1を参照しながら基板処理装置100の動作について説明する。現像処理時には、液供給ノズル65が基板Wの中心部上方に移動する。そして、スピンチャック21によって基板Wが回転する状態で液供給ノズル65から基板Wの中心部に現像液が吐出される。この場合、基板Wの回転に伴う遠心力によって現像液が基板Wの中心部から周縁部に広がる。それにより、基板W上に現像液が液盛される。その後、液供給ノズル65からの現像液の吐出が停止されるとともに基板Wの回転が停止される。その状態で、基板上で現像処理が進行する。
所定時間経過後、液供給ノズル65から基板W上にリンス液が吐出され、基板W上における現像処理が停止される。続いて、基板Wが高速で回転する状態で液供給ノズル65から継続的にリンス液が吐出され、基板W上の現像液が洗い流される。なお、基板Wの回転を停止した状態で基板W上への現像液の液盛を行ってもよい。また、基板Wの回転を停止した状態で基板上の現像液を洗い流してもよい。
続いて、基板Wの乾燥処理が行われる。図3は基板Wの乾燥処理を段階的に示す図であり、図4は基板Wの乾燥処理時におけるリンス液の移動を説明するための図である。図5は基板Wの回転速度を時系列で示す図である。
リンス液によって基板Wの上の現像液が洗い流された後、基板Wの回転速度が低下する。これにより、基板Wの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図3(a)に示すように、基板Wの表面全体にリンス液の液層Lが形成される。なお、リンス液の供給および基板Wの回転を一旦停止してから再度基板Wを低速で回転させて基板W上に液層Lを形成してもよく、または、基板Wの回転を停止した状態で基板W上に液層Lを形成してもよい。
続いて、リンス液の供給が停止されるとともに液供給ノズル65が所定の位置に退避する。その後、基板Wの回転速度が上昇する。この場合、液層Lの中心部に働く遠心力は周縁部に働く遠心力に比べて小さい。そのため、液層Lの中心部には、周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が働く。それにより、液層Lは外方に飛散することなく基板W上で保持される。基板Wの回転速度の上昇により、遠心力が張力よりもやや大きくなることにより、液層Lは、図3(b)に示すように、周縁部の厚みが厚くなるとともに中心部の厚みが薄くなった状態で基板W上に保持される。
続いて、ガス供給ノズル75が基板Wの中心部上方に移動する。そして、図3(c)に示すように、ガス供給ノズル75から液層Lの中心部に向けてガスが吐出され、液層Lの中心部にホール(孔)Hが形成される。それにより、液層Lの周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が消滅する。また、ガスの吐出とともに基板Wの回転速度がさらに上昇する。それにより、図3(d)および図3(e)に示すように、液層Lが基板Wの外方に向かって移動する。
このとき、液層Lは、図4(a)〜図4(c)に示すように、複数の領域に分離されずに、表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板Wの外方へ移動する。それにより、リンス液の微小液滴の形成が抑制され、基板W上の液体を確実に取り除くことができる。
ここで、基板Wの乾燥処理時における基板Wの回転速度の変化について詳細に説明する。
図5に示すように、期間T1には、回転速度S1で基板Wを回転させる。回転速度S1は、例えば10rpmである。この期間T1内において、基板W上にリンス液が供給される。この場合、基板Wが水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層Lを基板W上に均一に形成することができる。なお、基板W上の全域に均一に液層Lを形成することができるのであれば、期間T1においては基板Wの回転を停止してもよい。
次に、期間T2には、回転速度S1よりも高い回転速度S2で基板Wを回転させる。回転速度S2は、例えば10〜100rpmである。それにより、液層Lが基板W上の全域に広がるとともに、表面張力により基板W上に保持される。
次に、期間T3には、回転速度S2よりも高い回転速度S3で基板Wを回転させる。回転速度S3は、例えば100〜1000rpmである。期間T2から期間T3に移行する際に、基板Wにガスが吐出される。この場合、円環形状を保持した状態で液層Lを一体的に基板Wの外方へ移動させることができる。
なお、ガスの吐出のタイミングは、期間T2から期間T3へ移行する直前でもよく、期間T3へ移行した直後でもよい。また、ガスの吐出時間は、例えば0.5〜8secである。すなわち、液層LにホールH(図6)が形成される短時間にのみ不活性ガスが吐出されてもよく、または基板W上から液層Lが取り除かれるまで継続的に不活性ガスが吐出されてもよい。
なお、上記の基板Wの回転速度は、基板W上のレジスト膜の疎水性、またはリンス液の濡れ性(例えば、接触角)等に応じて適宜変更してもよい。例えば、レジスト膜の疎水性が高い場合には、液層Lが複数の領域に分離して液滴が形成されやすくなるため、基板Wの回転速度をより低く設定することが好ましい。
また、本実施の形態では、図5に示したように基板Wの回転速度が回転速度S1,S2,S3の3段階で上昇するが、これに限らず、2段階または4段階以上で上昇してもよく、あるいは、段階的ではなく連続的に上昇してもよい。
(3)本実施の形態の効果
このように、基板W上に液層Lを形成し、その液層Lを複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で一体的に基板Wの外方に移動させることにより、微小な液滴の形成を防止することができる、それにより、基板W上基板W上のリンス液を確実に取り除くことができる。したがって、基板W上に残留する液滴に起因する現像欠陥を確実に防止することができる。
(4)他の実施の形態
上記実施の形態では、現像液およびリンス液が共通の液供給ノズル65から吐出されるが、現像液を吐出するためのノズルとリンス液を吐出するためのノズルとを別個に設けてもよい。また、それらのノズルとしては、ストレートノズルおよびスリットノズル等の種々のノズルを用いることができる。
また、図6に示すように、液供給ノズル65とガス供給ノズル75とを一体に設けてもよい。この場合、基板Wの洗浄処理時または乾燥処理時に液供給ノズル65およびガス供給ノズル75をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
また、図7に示すように、基板処理装置100内に、基板W上の液層Lの厚さを検出するための層厚センサ80を設けてもよい。層厚センサ80は、投光部80aおよび受光部80bを含む。なお、図7では、液供給ノズル65およびガス供給ノズル75等の図示を省略している。
図7の基板処理装置100においては、基板Wの乾燥処理時に、層厚センサ80により基板W上に形成された液層Lの中心部近傍の厚さが検出され、その厚さに変化に応じてガスの吐出のタイミングおよび基板Wの回転速度の上昇のタイミングが調整される。
具体的には、基板W上に液層Lが形成された後、基板Wが低回転速度S2(図5参照)で回転している際に、層厚センサ80により検出される液層Lの中心部近傍の厚さが予め設定されたしきい値よりも小さくなると、液層Lに向けてガスが吐出されるとともに、基板Wの回転速度が上昇する。
この場合、液層Lの中心部が十分に薄くなりかつ遠心力により液層Lが複数の領域に分離しない状態でガスを吐出することができるので、液層Lの中心部にホールHを確実に形成し、円環形状を保持した状態で液層Lを一体的に基板Wの外方へ移動させることができる。これらにより、基板W上のリンス液を確実に取り除くことができる。
また、レジスト膜の疎水性およびリンス液の濡れ性(例えば、接触角)等の物性値を予めデータベース化しておき、その物性値に応じて最適なガスの吐出タイミングおよび最適な基板Wの回転速度を適宜自動的に算出し、その算出値に基づいて各部の制御が行われてもよい。
(5)請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態では、スピンチャック21が基板保持手段の例であり、チャック回転駆動機構36が回転駆動手段の例であり、液供給ノズル65が液層形成手段の例であり、ガス供給ノズル75が気体吐出手段の例であり、回転速度S1が第1の回転速度の例であり、回転速度S3が第2の回転速度の例であり、回転速度S2が第3および第4の回転速度の例であり、層厚センサ80が層厚検出器の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
基板処理装置の構成を説明するための図である。 基板処理装置の制御系を示すブロック図である。 基板の乾燥処理を段階的に示す図である。 基板の乾燥処理時におけるリンス液の移動を説明するための図である。 基板の回転速度を時系列で示す図である。 液供給ノズルおよびガス供給ノズルの他の例を示す図である。 基板処理装置の他の構成を説明するための図である。
符号の説明
10 制御部
21 スピンチャック
25 回転軸
36 チャック回転駆動機構
65 液供給ノズル
75 ガス供給ノズル
80 層厚センサ
100 基板処理装置
W 基板

Claims (3)

  1. 露光処理後の基板に現像処理を行う基板処理装置であって、
    基板を略水平に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板上に現像液を供給する現像液供給手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板上にリンス液を供給することにより基板上の現像液を洗い流した後、基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、
    前記回転駆動手段により基板が回転される状態で、前記液層形成手段により基板上に形成された液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え
    前記回転駆動手段は、前記液層形成手段による液層の形成時に基板を第1の回転速度で回転させ、前記液層形成手段による液層の形成後に基板の回転速度を前記第1の回転速度から第2の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、
    前記気体吐出手段は、基板の回転速度が前記第1の回転速度から上昇を開始した後であって前記第2の回転速度に達する前に、前記第1の回転速度よりも高く前記第2の回転速度よりも低い第3の回転速度で回転する基板上の液層に気体を吐出し、
    前記回転駆動手段は、前記液層形成手段による液層の形成後であって前記気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を前記第1の回転速度よりも高く前記第2の回転速度よりも低い第4の回転速度に所定時間維持することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記液層形成手段により基板上に形成された液層の厚さを検出する層厚検出器と、
    前記層厚検出器により検出された液層の厚さに基づいて前記回転駆動手段による基板の回転速度および前記気体吐出手段による気体の吐出タイミングを制御する制御部とをさらに備えることを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
  3. 基板を略水平に保持する工程と、
    保持された基板上に現像液を供給する工程と、
    基板上にリンス液を供給して現像液を洗い流す工程と、
    現像液が洗い流された後に基板を第1の回転速度で回転させる工程と、
    基板が前記第1の回転速度で回転する状態で基板上にリンス液の液層を形成する工程と、
    液層の形成後に基板の回転速度を前記第1の回転速度から第2の回転速度まで段階的または連続的に上昇させる工程とを備え、
    前記基板の回転速度を上昇させる工程は、
    基板の回転速度が前記第1の回転速度から上昇を開始した後であって前記第2の回転速度に達する前に、基板が前記第1の回転速度よりも高く前記第2の回転速度よりも低い第3の回転速度で回転する状態で基板上の液層の中心部に向けて気体を吐出する工程と
    液層の形成後であって気体の吐出前に、基板の回転速度を前記第1の回転速度よりも高く前記第2の回転速度よりも低い第4の回転速度に所定時間維持する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
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