JP4853537B2 - 現像装置、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を貯留するタンク部と、このタンク部内の表面処理液に超音波を印加して、粒径が3μm以下のミストを生成して霧化するための振動子とが設けられると共に、前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給部に接続された表面処理液霧化手段と、
霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第1の噴霧ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の中央部と周縁部との間で前記第1の噴霧ノズルを移動させるための移動機構と、
前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、
前記第1の噴霧ノズルを基板の中央部と周縁部との間で移動させながら、前記基板保持部上で回転する基板の表面に、当該第1の噴霧ノズルから霧化された表面処理液を噴霧するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記表面処理液霧化手段は、キャリアガス供給部から霧化部へ供給されるキャリアガスの流量を制御する流量制御部を備え、前記制御部は、この流量制御部に対してキャリアガスの流量に関する制御信号を出力してもよい。
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行うための第2の噴霧ノズルと、
を備えていてもよく、この場合に、前記第1の噴霧ノズルから噴霧される表面処理液は、基板の現像液を含み、前記第2の噴霧ノズルから噴霧される現像液の濃度は、前記表面処理液に含まれる現像液の濃度よりも高くしてもよい。
また、前記現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、基板を洗浄するための洗浄ノズルと、
前記現像液吐出ノズルまたは前記第2の噴霧ノズルと、前記洗浄液吐出ノズルとの動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行うステップと、次いで洗浄液吐出ノズルからの洗浄液の吐出を行うステップと、を繰り返し行うように制御信号を出力するようにしてもよい。前記基板表面の水に対する静的接触角は例えば80°以上である。
前記基板に現像液の濡れ性を高めるための表面処理液に超音波を印加して、粒径が3μm以下のミストに霧化する工程と、
前記ミストをキャリアガスで搬送し、第1の噴霧ノズルへ供給する工程と、
前記基板の中央部と周縁部との間で前記第1の噴霧ノズルを移動させながら、当該第1の噴霧ノズルから回転する基板に霧化した表面処理液を噴霧する工程と、
現像液吐出ノズルから前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行う工程と、
を備えたことを特徴とする。
さらに前記ミストを搬送するキャリアガスの流量を制御する工程を含んでもよい。
現像液を霧化する工程と、
第2の噴霧ノズルから前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行う工程と、を備えていてもよく、この場合に前記第1の噴霧ノズルから噴霧される表面処理液は、基板の現像液を含み、前記第2の噴霧ノズルから噴霧される現像液の濃度は、前記表面処理液に含まれる現像液の濃度よりも高くしてもよい。
さらにまた、現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行う工程と、次いで洗浄液吐出ノズルから基板へ洗浄液を吐出して基板を洗浄する工程と、を繰り返し行ってもよい。
前記コンピュータプログラムは、上述の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
(ステップS1:ウエハの搬入)
先ず不図示の基板搬送手段により既述のウエハWが現像装置1に搬送されると、この基板搬送手段と図示しない昇降ピンとの協働作用によりウエハWはスピンチャック11に受け渡され、次いで、外カップ22及び内カップ23が上昇位置に設定される。続いてスピンチャック11が所定の回転数例えば50rpm〜100rpmで回転すると共に現像ミスト噴霧ノズル41が待機部18bからウエハWの中心部上に位置する(図5(a))。一方、霧化部40では貯留された現像液に超音波が印加され、現像ミストMが生成する。
N2ガスが霧化部40に供給され、それと同時にバルブV1が開かれる。霧化部40の現像ミストMは、N2ガスにより現像ミスト噴霧ノズル41に供給され、当該現像ミスト噴霧ノズル41からN2ガスと共にウエハWに供給される。
現像ミスト噴霧ノズル41がウエハWの中心部上から周縁部上へ移動し、ウエハW全体に現像ミストMが供給され、プリウエットが行われる(図5(c))。ウエハWに供給された現像ミストMは霧状、つまり小さな粒子状であることから、そのレジストに対する表面張力は現像液に比べて低いので、ウエハWの面内のレジストにおいて濡れ性の高い箇所に凝集することが抑えられるため、ウエハW面内全体に高い均一性をもって供給され、ウエハW表面全体の濡れ性が高まる。
バルブV1が閉じられ、現像ミスト噴霧ノズル41から現像ミストM及びN2ガスの供給が停止し、現像ミスト噴霧ノズル41は待機部18bに戻ると同時に待機部18aから現像液吐出ノズル31がウエハWの周縁部上に移動する。ウエハWの回転数が例えば100rpmになり、現像液吐出ノズル31がその周縁部上に帯状に現像液Dを吐出する(図5(d))。
現像液吐出ノズル31は、現像液Dを供給しながらウエハWの中心部上へと移動し、現像液DはウエハWの外側から内側に向かって螺旋状にウエハW表面に供給される。そして、現像液吐出ノズル31は、現像液Dを吐出した状態でウエハWの中心部上で停止すると共にウエハWの回転数が例えば2000rpmになり、ウエハWに供給された現像液Dは現像ミストMが付着して濡れ性が高まったウエハW表面を、回転している当該ウエハWの遠心力の作用により隙間なく濡れ広がり、その表面全体に現像液Dの液膜Eが形成され(図5(e))、現像液Dがレジストに浸透する。
現像液吐出ノズル31がウエハW中心部上で停止してから所定の時間経過後、現像液Dの供給が停止し、現像液吐出ノズル31が待機部18aへ戻ると共に純水吐出ノズル51が待機部18cからウエハWの中心部上へ移動する(図5(f))。
純水吐出ノズル51からウエハWに洗浄液として純水Fが吐出され、純水Fは回転するウエハWの遠心力の作用によりそのウエハWの表面に沿って外側に広がる。この純水Fの供給によりレジスト膜において、現像液Dにより変質した溶解性部分がウエハW表面から洗い流され、レジスト膜にはパターンを形成する不溶解性部分が残る(図6(g))。
純水Fの吐出開始から所定の時間経過後、当該純水Fの供給が停止し、純水吐出ノズル51が待機部18cに戻る一方で、その回転によりウエハWからは純水Fが振り切られ、ウエハWは乾燥する(図5(h))。然る後、ウエハWの回転が停止し、外カップ22及び内カップ23が下降して、図示しない基板搬送手段によりウエハWが搬出され、現像処理が終了する。
1,7 現像装置
11 スピンチャック
31 現像液吐出ノズル
40,70 霧化部
41 現像ミスト噴霧ノズル
51 純水吐出ノズル
100 制御部
Claims (12)
- 表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を鉛直軸周りに回転自在、且つ水平に保持する基板保持部と、
現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を貯留するタンク部と、このタンク部内の表面処理液に超音波を印加して、粒径が3μm以下のミストを生成して霧化するための振動子とが設けられると共に、前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給部に接続された表面処理液霧化手段と、
霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第1の噴霧ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の中央部と周縁部との間で前記第1の噴霧ノズルを移動させるための移動機構と、
前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、
前記第1の噴霧ノズルを基板の中央部と周縁部との間で移動させながら、前記基板保持部上で回転する基板の表面に、当該第1の噴霧ノズルから霧化された表面処理液を噴霧するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする現像装置。 - 前記表面処理液霧化手段は、キャリアガス供給部から霧化部へ供給されるキャリアガスの流量を制御する流量制御部を備え、前記制御部は、この流量制御部に対してキャリアガスの流量に関する制御信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の現像装置。
- 前記現像液吐出ノズルが設けられる代わりに、
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行うための第2の噴霧ノズルと、
を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の現像装置。 - 前記第1の噴霧ノズルから噴霧される表面処理液は、基板の現像液を含み、
前記第2の噴霧ノズルから噴霧される現像液の濃度は、前記表面処理液に含まれる現像液の濃度よりも高いことを特徴とする請求項3に記載の現像装置。 - 前記現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、基板を洗浄するための洗浄ノズルと、
前記現像液吐出ノズルまたは前記第2の噴霧ノズルと、前記洗浄液吐出ノズルとの動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行うステップと、次いで洗浄液吐出ノズルからの洗浄液の吐出を行うステップと、を繰り返し行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の現像装置。 - 前記基板表面の水に対する静的接触角が80°以上であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の現像装置。
- 表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転させる工程と、
前記基板に現像液の濡れ性を高めるための表面処理液に超音波を印加して、粒径が3μm以下のミストに霧化する工程と、
前記ミストをキャリアガスで搬送し、第1の噴霧ノズルへ供給する工程と、
前記基板の中央部と周縁部との間で前記第1の噴霧ノズルを移動させながら、当該第1の噴霧ノズルから回転する基板に霧化した表面処理液を噴霧する工程と、
現像液吐出ノズルから前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行う工程と、
を備えたことを特徴とする現像方法。 - 前記ミストを搬送するキャリアガスの流量を制御する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の現像方法。
- 現像液吐出ノズルから前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行う工程を実施する代わりに、
現像液を霧化する工程と、
第2の噴霧ノズルから前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行う工程と、
を備えたことを特徴とする請求項7または8に記載の現像方法。 - 前記第1の噴霧ノズルから噴霧される表面処理液は、基板の現像液を含み、
前記第2の噴霧ノズルから噴霧される現像液の濃度は、前記表面処理液に含まれる現像液の濃度よりも高いことを特徴とする請求項9に記載の現像方法。 - 現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行う工程と、
次いで洗浄液吐出ノズルから基板へ洗浄液を吐出して基板を洗浄する工程と、を繰り返し行うことを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一つに記載の現像方法。 - 基板に対する現像処理を行う現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし11のいずれか一つに記載の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4853537B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP4893799B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
CN102566326A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 显影装置 |
JP6272138B2 (ja) * | 2014-05-22 | 2018-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置 |
KR101658969B1 (ko) * | 2014-07-07 | 2016-09-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6545464B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2019-07-17 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法 |
US9589820B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and adjustment method |
CN104932209A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种改进的图形化衬底显影方法 |
JP2019169624A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法 |
CN110127466B (zh) * | 2019-05-21 | 2021-03-30 | 孙鹏宇 | 智能电梯系统及其控制方法 |
JP7291547B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2023-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7360973B2 (ja) | 2020-02-27 | 2023-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
CN113391528A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 改善光阻显影均匀性的方法 |
KR20210149961A (ko) * | 2020-06-02 | 2021-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN113703291A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 | 一种显影模块及显影方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61259522A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-17 | Sony Corp | 現像装置 |
JPH01302725A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Nec Corp | フォトレジストの現像方法 |
JPH0320017A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体製造装置 |
JP2941085B2 (ja) * | 1991-05-13 | 1999-08-25 | 共同印刷株式会社 | フォトレジストの現像方法および現像装置 |
US5307992A (en) * | 1992-11-18 | 1994-05-03 | Usbi Co. | Method and system for coating a substrate with a reinforced resin matrix |
JPH08138997A (ja) * | 1994-11-09 | 1996-05-31 | Asahi Kasei Micro Syst Kk | フォトレジストの現像方法 |
EP0769725A3 (en) * | 1995-10-20 | 1997-10-15 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for developing photoresists |
JPH10303106A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 現像処理装置およびその処理方法 |
US5933902A (en) * | 1997-11-18 | 1999-08-10 | Frey; Bernhard M. | Wafer cleaning system |
JP3612231B2 (ja) | 1999-02-10 | 2005-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ノズル装置及び現像方法 |
JP2002016031A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理方法 |
JP3926544B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2007-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置 |
JP3933576B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2007-06-20 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | 感光性樹脂凸版の現像方法及び現像装置 |
DE10101367A1 (de) * | 2001-01-13 | 2002-08-01 | Itw Oberflaechentechnik Gmbh | Sprühverfahren und Sprühvorrichtung für Beschichtungsflüssigkeit |
JP2002292315A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Kyocera Corp | 噴霧装置およびそれを用いた現像方法 |
US20040250757A1 (en) * | 2001-06-22 | 2004-12-16 | Susumu Natsuyama | Powder particle processing device |
JP3774413B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2006-05-17 | 株式会社東芝 | 現像方法 |
JP3913633B2 (ja) * | 2002-08-01 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
JP2005277268A (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4343050B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及びその方法 |
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