JPH0320017A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0320017A JPH0320017A JP15544789A JP15544789A JPH0320017A JP H0320017 A JPH0320017 A JP H0320017A JP 15544789 A JP15544789 A JP 15544789A JP 15544789 A JP15544789 A JP 15544789A JP H0320017 A JPH0320017 A JP H0320017A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- kinetic energy
- developer
- atomized
- ultrasonic vibrator
- scums
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
従来の技術
半導体ウェハー処理工程にかいて、ウェハー上にパター
ンを形戊する際、フォトリングラフイの技術が用いられ
る。所定工程まで終了したウエ／１一表面に感光性有機
物であるフォトレジストを回転塗布し、ペークした後、
フォトマスクを介して紫外線を照射して露光する。その
露光部と未露光部を選択的に溶解する現像液でフォトレ
ジストのパターンを現出させる。フォトレジストには、
ボジ型とネガ型があシ、現像方法もポジ型では、パドル
方式、ネガ型ではスプレ一方式が主流である。
ンを形戊する際、フォトリングラフイの技術が用いられ
る。所定工程まで終了したウエ／１一表面に感光性有機
物であるフォトレジストを回転塗布し、ペークした後、
フォトマスクを介して紫外線を照射して露光する。その
露光部と未露光部を選択的に溶解する現像液でフォトレ
ジストのパターンを現出させる。フォトレジストには、
ボジ型とネガ型があシ、現像方法もポジ型では、パドル
方式、ネガ型ではスプレ一方式が主流である。
現像装置としては、枚葉式が主流で、例えば、ネガ型現
像装置では、第２図ａに示すように、カップ１内にスピ
ンチャック２を配置し、上部にアスピレートノズＩｖ３
を配している。このような構戒のもと、第２図ｂで示す
ように、スピンチャック２上にネガ型フォトレジスト４
が塗布，露光されたウェハー６を置き、スピンチャック
２を所定の速度で回転させつつ、アスピレートノズｌｖ
３から霧状の現像液６をウェハー上に噴霧し、フォトレ
ジストの露光部と未露光部を選択的に溶解し、パターン
を現出させている。
像装置では、第２図ａに示すように、カップ１内にスピ
ンチャック２を配置し、上部にアスピレートノズＩｖ３
を配している。このような構戒のもと、第２図ｂで示す
ように、スピンチャック２上にネガ型フォトレジスト４
が塗布，露光されたウェハー６を置き、スピンチャック
２を所定の速度で回転させつつ、アスピレートノズｌｖ
３から霧状の現像液６をウェハー上に噴霧し、フォトレ
ジストの露光部と未露光部を選択的に溶解し、パターン
を現出させている。
発明が解決しようとする課題
ところが、ネガ型フォトレジストは、このような現像装
置では現像後にスカムや、パターンエッジの下部に残査
が発生しやすく、現在市販のもので実用解像度２μｍ程
度と解像度向上の障害の一つとなっている。さらに、ポ
ジ型フォトレジストの枚葉式現像装置にかける現像時間
の約６倍〜７倍の時間が必要で量産性に問題がある。
置では現像後にスカムや、パターンエッジの下部に残査
が発生しやすく、現在市販のもので実用解像度２μｍ程
度と解像度向上の障害の一つとなっている。さらに、ポ
ジ型フォトレジストの枚葉式現像装置にかける現像時間
の約６倍〜７倍の時間が必要で量産性に問題がある。
本発明はかかる点に鑑み、量産性に優れた半導体装置の
製造装置を提供せんとするものである。
製造装置を提供せんとするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上記課題を解決するため、霧状現像液を発生
させるアスビレートノズｐに超音波発振子を備えた構成
となっている。
させるアスビレートノズｐに超音波発振子を備えた構成
となっている。
作 用
との構戊により、加圧された窒素や不活性ガスと現像液
が混じ９合って霧状粒子化する時に、現像液は窒素や不
活性ガスの加圧による運動エネルギーに加え、超音波発
振子からの振動のエネルギーを運動エネルギーの形に変
換して享受する。この結果、従来以上の運動エネルギー
をもった縛状現像液は、レジスト表面を激しくたたきつ
け、現像速度を速めるとともに、スカムやパターンエッ
ジの残査を物理化学的に吹きとばすことが可能となる。
が混じ９合って霧状粒子化する時に、現像液は窒素や不
活性ガスの加圧による運動エネルギーに加え、超音波発
振子からの振動のエネルギーを運動エネルギーの形に変
換して享受する。この結果、従来以上の運動エネルギー
をもった縛状現像液は、レジスト表面を激しくたたきつ
け、現像速度を速めるとともに、スカムやパターンエッ
ジの残査を物理化学的に吹きとばすことが可能となる。
実施例
第１図は本発明の一実施例の断面図であ９、アスピレー
トノズ／ｔ／３に超音波発振子７を環状に取りつけ、周
波数帯域として８ ０ ０ ＫＨｚ 前後の超音波を
発振させる。現像液が加圧されてノズ〃を通過し、霧状
粒子化した直後に超音波の振動エネルギーを現像液に供
給することによシ、ノズルから憤出されるときに窒素や
不活性ガスの圧力から供給される運動エネルギーと相乗
して著しい運動エネルギーをもった霧状現像液を生み出
すことが可能となる。
トノズ／ｔ／３に超音波発振子７を環状に取りつけ、周
波数帯域として８ ０ ０ ＫＨｚ 前後の超音波を
発振させる。現像液が加圧されてノズ〃を通過し、霧状
粒子化した直後に超音波の振動エネルギーを現像液に供
給することによシ、ノズルから憤出されるときに窒素や
不活性ガスの圧力から供給される運動エネルギーと相乗
して著しい運動エネルギーをもった霧状現像液を生み出
すことが可能となる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、従来ネガ型フォトレジス
トで発生しやすかったスカムやパターンエッジ下部の残
査の除去が容易とな９、解像度の向上が実現できるとと
もに、現像速度が速１ることによる処理時間の短縮が実
現できる。
トで発生しやすかったスカムやパターンエッジ下部の残
査の除去が容易とな９、解像度の向上が実現できるとと
もに、現像速度が速１ることによる処理時間の短縮が実
現できる。
第１図ａは本発明の一実施例を示す断面図、第１図ｂは
同要部拡大図、第２図ａは従来のネガ型フォトレジスト
用枚葉式現像装置の断面図、第２図ｂは第２図ａの装置
での現像中の断面図である。 １・・・・・・カップ、２・・・・・・スピンチャック
、３・・・・・・アスピレートノズμ、４・・・・・・
ネガ型フォトレジスト、６・・・・・・ウェハー、６・
・・・・・霧状の現像液、７・・・・・・超音波発振子
。
同要部拡大図、第２図ａは従来のネガ型フォトレジスト
用枚葉式現像装置の断面図、第２図ｂは第２図ａの装置
での現像中の断面図である。 １・・・・・・カップ、２・・・・・・スピンチャック
、３・・・・・・アスピレートノズμ、４・・・・・・
ネガ型フォトレジスト、６・・・・・・ウェハー、６・
・・・・・霧状の現像液、７・・・・・・超音波発振子
。
Claims (1)
- 半導体ウェハー工程で用いるスプレー用のアスピレート
ノズルを有する現像装置において、前記アスピレートノ
ズルに超音波発振子を具備していることを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15544789A JPH0320017A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15544789A JPH0320017A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320017A true JPH0320017A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15606241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15544789A Pending JPH0320017A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320017A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7586581B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Developing method of photoresist and developing device |
| JP2010219167A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2013026338A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、現像処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15544789A patent/JPH0320017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7586581B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Developing method of photoresist and developing device |
| JP2010219167A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2013026338A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、現像処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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