JPS63278057A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPS63278057A JPS63278057A JP11255487A JP11255487A JPS63278057A JP S63278057 A JPS63278057 A JP S63278057A JP 11255487 A JP11255487 A JP 11255487A JP 11255487 A JP11255487 A JP 11255487A JP S63278057 A JPS63278057 A JP S63278057A
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- ethylene glycol
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェハー上にレジストをスピンコード法等により塗布し
た場合、ウェハーの裏面やエツジ部分に付着した不要レ
ジストをエチレングリコール系溶液とエステル系溶液と
の混合液を用いて洗浄、除去を行なう。
た場合、ウェハーの裏面やエツジ部分に付着した不要レ
ジストをエチレングリコール系溶液とエステル系溶液と
の混合液を用いて洗浄、除去を行なう。
本発明はレジスト除去方法に係り、特に例えばウェハー
裏面やエツジ部に付着した不要レジストを除去する方法
に関するものである。
裏面やエツジ部に付着した不要レジストを除去する方法
に関するものである。
半導体装置等の製造の際に用いる、微細パターンを転写
するリソグラフィー技術においてホトレジストをスピン
コード法によりウェハーに塗布する工程がしばしば用い
られている。
するリソグラフィー技術においてホトレジストをスピン
コード法によりウェハーに塗布する工程がしばしば用い
られている。
レジストをウェハー（基板）上にスピンコード法を用い
て塗布した場合ウェハーのエツジ部や裏面のバターニン
グに無関係な領域に不要なレジストが球状に近い状態で
付着する。特にウェハーエツジ部の不要レジストはウェ
ハー移動の際カセット等と接触してゴミの要因となり、
またウェハー裏面に付着した不要レジストは露光時のｄ
ｅｆｏｃｕｓの要因となり精度の高いパターンが形成さ
れず歩留りが低下する。そのためエステル系溶液を用い
てウェハー裏面及びエツジ部の吹き付は洗浄を行な２て
来た。
て塗布した場合ウェハーのエツジ部や裏面のバターニン
グに無関係な領域に不要なレジストが球状に近い状態で
付着する。特にウェハーエツジ部の不要レジストはウェ
ハー移動の際カセット等と接触してゴミの要因となり、
またウェハー裏面に付着した不要レジストは露光時のｄ
ｅｆｏｃｕｓの要因となり精度の高いパターンが形成さ
れず歩留りが低下する。そのためエステル系溶液を用い
てウェハー裏面及びエツジ部の吹き付は洗浄を行な２て
来た。
′〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら最近解像性を向上させるために用いられ主
流となってきた高解像ノボラックレジストはエステル系
溶液には難溶な感光剤が多く含まれておりこのエステル
系溶液のみでは不要レジストを十分に洗浄、除去するこ
とが不可能となってきた。
流となってきた高解像ノボラックレジストはエステル系
溶液には難溶な感光剤が多く含まれておりこのエステル
系溶液のみでは不要レジストを十分に洗浄、除去するこ
とが不可能となってきた。
上記問題点は本発明によれば基板表面上にレジストを塗
布した際、該基板の裏面及び端部に付着した不要レジス
トをエチレングリコール系溶液とエステル系溶液の混合
液で除去することを特徴とするレジスト除去方法によっ
て解決される。
布した際、該基板の裏面及び端部に付着した不要レジス
トをエチレングリコール系溶液とエステル系溶液の混合
液で除去することを特徴とするレジスト除去方法によっ
て解決される。
本発明ではノボラック系ポジレジストが高解度を目的と
して、従来単独で用いられていたエステル系溶液に難溶
の感光剤を含°むため有効である。
して、従来単独で用いられていたエステル系溶液に難溶
の感光剤を含°むため有効である。
また本願で用いるエチレングリコール溶液としてはエチ
レングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル、エチレングリコールジエチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチル
エーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチ
レングリコールモツプチルエーテルアセテート、及びエ
チレングリコールジブチルエーテルアセテートがあげら
れる。
レングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル、エチレングリコールジエチ
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エーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチ
レングリコールモツプチルエーテルアセテート、及びエ
チレングリコールジブチルエーテルアセテートがあげら
れる。
該エチレングリコール溶液はエステル系溶液との混合液
中に体積％で３０％以上７０％以下であることが好まし
く、エチレングリコール系溶液が３０％未満では洗浄効
果が低下し、一方７０％を超えると乾燥（揮発）性が低
下する。
中に体積％で３０％以上７０％以下であることが好まし
く、エチレングリコール系溶液が３０％未満では洗浄効
果が低下し、一方７０％を超えると乾燥（揮発）性が低
下する。
本発明によれば感光剤溶解性の高いエチレングリコール
系溶液を使用するためレジストの洗浄・除去効果が大と
なる。
系溶液を使用するためレジストの洗浄・除去効果が大と
なる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
シリコンウェハーｌ上に、高、解像ノボラック系レジス
トの１種であるＴＳＭＲ−８８００レジスト２ （東京
応化型）を２０００〜７０００ｒｐｍでスピンコードし
た後、ウェハー裏面及びエツジ部に付着した不要レジス
ト３を例えばエチレングリコールモノエチルエーテル及
び酢酸ブチルの１：１洗浄液（混合液）４（体積比）で
ノズル５から吹き付は洗浄除去した。３秒間の吹き付は
洗浄で不要レジストは完全に除去された。その後５秒間
のスピン乾燥により洗浄混合液を完全に乾燥した０図で
６はチャックを示す。
トの１種であるＴＳＭＲ−８８００レジスト２ （東京
応化型）を２０００〜７０００ｒｐｍでスピンコードし
た後、ウェハー裏面及びエツジ部に付着した不要レジス
ト３を例えばエチレングリコールモノエチルエーテル及
び酢酸ブチルの１：１洗浄液（混合液）４（体積比）で
ノズル５から吹き付は洗浄除去した。３秒間の吹き付は
洗浄で不要レジストは完全に除去された。その後５秒間
のスピン乾燥により洗浄混合液を完全に乾燥した０図で
６はチャックを示す。
比較のために従来のエステル系溶液のみで上記実施例と
同様の洗浄を行なったところレジスト残渣がウェハ裏面
及びエツジ部に認められた。
同様の洗浄を行なったところレジスト残渣がウェハ裏面
及びエツジ部に認められた。
第２図は本発明に係るエステル系溶液／エチレングリコ
ール系溶液の混合比に対する洗浄能力及びスピン乾燥３
０００ｒｐｍ＋での乾燥時間との関係を示す図である。
ール系溶液の混合比に対する洗浄能力及びスピン乾燥３
０００ｒｐｍ＋での乾燥時間との関係を示す図である。
第２図によればエチレングリコール系溶液が３０体積％
以上であれば不要レジスト除去が可能である。またエチ
レングリコール系溶液が７０体積％以下に抑えると乾燥
速度を１０秒以内に抑えることができた。
以上であれば不要レジスト除去が可能である。またエチ
レングリコール系溶液が７０体積％以下に抑えると乾燥
速度を１０秒以内に抑えることができた。
以上説明したように本発明によればノボラック系ポジレ
ジストのような高解像度のレジストのウェハーへのスピ
ンコードにおいて生じる不要レジストを能率的に除去す
ることが可能である。
ジストのような高解像度のレジストのウェハーへのスピ
ンコードにおいて生じる不要レジストを能率的に除去す
ることが可能である。
第１図は本発明の詳細な説明するための模式第２図は本
発明に係るエステル系溶液／エチレングリコール系溶液
の混合比に対する洗浄能力及びスピン乾燥３０００ｒｐ
ｍでの乾燥時間との関係を示す図である。 １・・・ウェハー、 ２・・・レジスト、３
・・・不要レジスト部、 ４・・・洗浄液、５・・・
ノズル、 ６・・・チャック。
発明に係るエステル系溶液／エチレングリコール系溶液
の混合比に対する洗浄能力及びスピン乾燥３０００ｒｐ
ｍでの乾燥時間との関係を示す図である。 １・・・ウェハー、 ２・・・レジスト、３
・・・不要レジスト部、 ４・・・洗浄液、５・・・
ノズル、 ６・・・チャック。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板表面上にレジストを塗布した際、該基板の裏面
及び端部に付着した不要レジストをエチレングリコール
系溶液とエステル系溶液の混合液で除去することを特徴
とするレジスト除去方法。 ２、前記レジストがノボラック系ポジレジストであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、前記エチレングリコール系溶液がエチレングリコー
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエ
チルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エ
チレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノブチルエーテルアセテート、及びエチレングリコ
ールジブチルエーテルアセテートの群から選択されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、前記エチレングリコール系溶液とエステル系溶液の
混合液において、該エチレングリコール系溶液を体積％
で３０％以上７０％以下で混合させることを特徴とする
特許請求の範囲第１項から第３項のいづれかに記載の方
法。 ５、前記エステル系溶液が酢酸ブチル、酢酸プロピル、
酢酸アミル、及び酢酸イソアルミの群から選択されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11255487A JPS63278057A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11255487A JPS63278057A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | レジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278057A true JPS63278057A (ja) | 1988-11-15 |
| JPH0575110B2 JPH0575110B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=14589568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11255487A Granted JPS63278057A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849467A (en) * | 1996-01-29 | 1998-12-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for the pre-treatment of a photoresist layer on a substrate surface |
| US6015467A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of removing coating from edge of substrate |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11255487A patent/JPS63278057A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849467A (en) * | 1996-01-29 | 1998-12-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for the pre-treatment of a photoresist layer on a substrate surface |
| US6015467A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of removing coating from edge of substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0575110B2 (ja) | 1993-10-19 |
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