JP3105826B2 - 半導体製造工程におけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物 - Google Patents
半導体製造工程におけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物Info
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 69
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 15
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 31
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- BQUDLWUEXZTHGM-UHFFFAOYSA-N ethyl propaneperoxoate Chemical compound CCOOC(=O)CC BQUDLWUEXZTHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 3
- 231100000111 LD50 Toxicity 0.000 description 3
- 241000699666 Mus <mouse, genus> Species 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- -1 ether compound Chemical class 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000820 toxicity test Toxicity 0.000 description 2
- JRXXEXVXTFEBIY-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxypropanoic acid Chemical compound CCOCCC(O)=O JRXXEXVXTFEBIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- 241000700159 Rattus Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010070863 Toxicity to various agents Diseases 0.000 description 1
- 206010000210 abortion Diseases 0.000 description 1
- 231100000176 abortion Toxicity 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001605 fetal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002778 food additive Substances 0.000 description 1
- 235000013373 food additive Nutrition 0.000 description 1
- 230000037406 food intake Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 201000002364 leukopenia Diseases 0.000 description 1
- 231100001022 leukopenia Toxicity 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000037384 skin absorption Effects 0.000 description 1
- 231100000274 skin absorption Toxicity 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229940088594 vitamin Drugs 0.000 description 1
- 229930003231 vitamin Natural products 0.000 description 1
- 235000013343 vitamin Nutrition 0.000 description 1
- 239000011782 vitamin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Description
ォトレジスト洗浄用シンナー組成物に係り、さらに詳し
くは、半導体製造工程においてマスクとして使われるフ
ォトレジスト層のうち不要なエッジ部のフォトレジスト
及びウェーハの裏面のフォトレジストを取り除くために
使用するフォトレジスト洗浄用シンナー組成物に関す
る。
製造工程のうちフォトリソグラーフィーはウェーハにフ
ォトレジストを塗布し、予め設計された通りパターンを
転写し、転写されたパターンに従い適宜にエッチングす
るエッチング工程により電子回路を形成する作業であっ
て、極めて大事な作業の一つである。
ウェーハの表面にフォトレジストを均一に塗布する塗布
工程と、(2)塗布されたフォトレジストから溶剤を蒸
発させフォトレジストをウェーハの表面に密着させるソ
フトベーク工程と、(3)紫外線などの光源を用いてマ
スク上の回路パターンを繰り返し、順次縮小投影しなが
らウェーハを露光し、マスクのパターンをウェーハ上に
転写する露光工程と、(4)光源からの露光により感光
した結果、溶解度差のような物理的な性質が相違してい
る部分を現像液を用いて選択的に取り除く現像工程と、
(5)現像作業後のウェーハ上に残留するフォトレジス
トをウェーハへさらに緊密に固着させるためのハードベ
ーク工程と、(6)現像されたウェーハのパターンによ
り電気的な特性を付するために所定部位をエッチングす
るエッチング工程と、(7)前記工程後不要になったフ
ォトレジストを取り除く剥離工程などに大別される。
ち、前記(2)のソフトベーク工程後にウェーハのエッ
ジ部分や裏面に塗布された不要なフォトレジストを取り
除く作業が必要となる。これはウェーハのエッジや裏面
にフォトレジストが残存する場合、これらの存在により
エッチングやイオン注入などのような後続する工程で多
種多様な不良が生じ、これにより体半導体装置の全収率
の低下を招くという問題点があるためである。
フォトレジストを取り除くために、ウェーハのエッジ部
分の上下に噴射ノズルを設け、ノズルを介してエッジや
裏面に有機溶剤成分よりなるシンナー(thinner)を噴射
していた。
前記シンナーの性能を決定づける要素としては溶解速
度、揮発性及び粘度が挙げられる。
れほど効率よく溶解し、除去することができるかに関す
るもので、シンナーの使用目的上当然考えるべき物性で
あることは自明である。
容易に揮発し、ウェーハの表面に残留しないことが求め
られ、シンナーの揮発性が低すぎてシンナーが揮発せず
にウェーハに残留する場合、残留するシンナー自体が各
種の工程、特にエッチング工程などで汚染源として作用
し、半導体装置の収率を低下させるという問題点が生じ
る。一方、揮発性が高過ぎる場合には、取扱中にも容易
に揮発してしまい大気中に揮散する結果、クリーンルー
ム自体が汚染される原因となるという問題点が生じる。
の噴射を容易にするための必須的な物性であり、粘度が
高すぎるとノズルからの噴射時に噴射圧を必要以上に高
くしなければならないという問題が生じ、粘度が低すぎ
るとノズルからの噴射後にウェーハとの接触部位にシン
ナーを集中できなくなり、フォーカス不良を招く場合も
ある。
をもたなければ滑らかな処理断面を得ることができず、
溶解速度が遅過ぎる場合は図1及び図2に示したよう
に、ウェーハ1に塗布されたフォトレジスト2をリンス
したときにテーリング(tailing )と呼ばれる部分的に
溶解されたフォトレジストテール(photoresist tail)
3の流れ現象が現れる場合がある。一方、溶解速度が早
過すぎる場合は図3及び図4に示したように、ウェーハ
1に塗布されたフォトレジスト2をリンスしたときにフ
ォトレジストアタック(photoresist attack)と呼ばれ
るフォトレジスト過浸食部分4が現れる。これらのテー
リングやフォトレジストアタックなどは、全て半導体装
置の収率を低下させる直接的な不良原因となる。
ぎる場合はウェーハのエッジ付近、特にスピン乾燥後ウ
ェーハのアライメントに用いられるフラットゾーン(fl
at zone )のエッジ付近にシンナーが残留する場合があ
る。この残留したシンナーは現像後にウェーハのフォト
レジスト上に再度飛び移り、フラットゾーン部位にフォ
トレジストの塊を形成するようになり、この現象はウェ
ーハからの半導体装置の収率を低下させる直接的な原因
となる。逆に、揮発性が高すぎる場合は完全にフォトレ
ジストを取り除く前にシンナーが蒸発してしまい、フォ
トレジストの洗浄効率を低下させることになる。
コールモノエチルエーテルアセテート(ECA)、N−
ブチルアセテート(n−BA)、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート(PGMEA)及びエチ
ルラクテート(EL)などが使われている。しかし、エ
チレングリコールモノエチルエーテルアセテートとN−
ブチルアセテートとの場合は、溶解速度は早いが、揮発
性と引火性が高く、吸気や皮膚吸収によりヒトに毒性を
示す。特に、エチレングリコールモノエチルエーテルア
セテートの場合、白血球減少症及び胎児流産誘発などの
毒性を示す問題点がある。プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテートやエチルラクテートは溶解速度
が著しく低く、十分なリンス効果が得られないという欠
点があった。
式R1 −O−(−CHR2 −CH2−O−)n −Hと表
されるエーテル化合物を主成分とするリンス溶剤を用い
てリンス処理することを特徴とするリンス処理方法につ
いて記述されている。これは人体に毒性はなく、フォト
レジストが塗布されたウェーハに完全に堆積してフォト
レジスト層を除去、剥離するのに適当なものであったと
しても、ノズルからの噴射によるフォトレジストの選択
的な除去、すなわちエッジ部分や裏面のフォトレジスト
の除去などのような部分除去に使うには不適切なもので
あった。
切な溶解速度と揮発性及び粘性とをもちながら人体に毒
性のないシンナーの開発が求められているのが現状であ
る。
クとして使われるフォトレジストのうち不要なエッジ部
分のフォトレジスト及びウェーハの裏面のフォトレジス
トを取り除くのに用いる半導体製造工程におけるフォト
レジスト洗浄用シンナー組成物を提供することである。
して十分な溶解速度を持ちながら人体に殆ど毒性のない
半導体製造工程に用いるフォトレジスト洗浄用シンナー
組成物を提供することである。
噴射によりフォトレジストを効率よく取り除いて滑らか
な処理断面を得ることができるような半導体製造工程に
おけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物を提供する
ことである。
達成するために、本発明による半導体製造工程における
フォトレジスト洗浄用シンナー組成物は、エチルラクテ
ート(EL)とエチル−3−エトキシプロピオネート
(EEP)とを混合してなり、望ましくはエチルラクテ
ートとエチル−3−エトキシプロピオネートとの混合物
にγ−ブチロラクトンをさらに混合したものである。
スト洗浄用シンナー組成物は、エチルラクテートとエチ
ル−3−エトキシプロピオネートとを混合してなるもの
で、望ましくはエチルラクテート60ないし80重量%
とエチル−3−エトキシプロピオネート20ないし40
重量%とを混合して調製されたものである。
用シンナー組成物の粘度は1.0ないし2.0cps
(センチポアズ)の範囲のものが使われ、望ましくは
1.3ないし1.9cpsの範囲内のものが使われる。
エチル−3−エトキシプロピオネートは全て半導体等級
の極めて純粋なものを選んで使用し、VLSI等級の場
合には0.2μmのレベルで濾過したものを使用する。
安全性が認められたものであって、現在食品添加剤とし
て使用されており、人体に対する安全性が立証されてい
る。毒性実験では、マウスへの経口投与による50%致
死量、LD50(マウス)は2.5g/kgを示してい
る。また、エチルラクテートは、酵素の作用により素早
く乳酸とエタノールとに分解される。前記エチルラクテ
ートの物理的性質は、密度0.97g/cm3 、沸点1
56℃、引火点(密閉法(closed cup)による測定)52
℃、粘度(25℃で)2.38cpsである。
は室温で液体であり、ビタミンやその他の化学品の中間
体として使われるもので、ヒトに対する特別な毒性は報
告されていない。前記エチル−3−エトキシプロピオネ
ートの物理的性質は、密度0.95g/cm3 、沸点1
70.1℃、引火点(開放法(open cup)で測定)82.
2℃、粘度(25℃で)1.20cpsである。
粘度を変化させること無しにシンナー組成物の溶解速度
を早めるために、前記エチルラクテートとエチル−3−
エトキシプロピオネートとの混合物にγ−ブチロラクト
ンをさらに混合してなるものである。
として知られており、引火点が高く、溶剤としては比較
的安定なものである。毒性実験では、ラットへの経口投
与による50%致死率、LD50(マウス)は1.5g/
kgを示し、皮膚接触実験及び3か月間の摂取実験にお
いてもヒトに中毒症状が現れないほどに安全であること
が立証されている。前記γ−ブチロラクトンの物理的性
質は、密度1.128g/cm3 、沸点204℃、引火
点(密閉法(closed cup)で測定)100℃、粘度(25
℃で)1.77cpsである。
−3−エトキシプロピオネートとの混合物にγ−ブチロ
ラクトンをさらに混合する場合は、エチルラクテート1
0ないし70重量%、エチル−3−エトキシプロピオネ
ート30ないし80重量%及びγ−ブチロラクトン10
重量%以下の混合比で混合して調製される。
60重量%、エチル−3−エトキシプロピオネート39
ないし72重量%及びγ−ブチロラクトン1ないし8重
量%の混合比で混合して調製される。
0ないし40重量%、エチル−3−エトキシプロピオネ
ート58ないし74重量%及びγ−ブチロラクトン2な
いし6重量%の混合比で混合して調製される。
いて半導体装置の製造する方法も提供する。すなわち、
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に特定
パターンを形成するために塗布されたフォトレジストを
エチルラクテートと、エチル−3−エトキシプロピオネ
ートとを混合して調製したシンナー組成物を用いて除去
する工程を備えることを特徴とし、さらに、半導体基板
上に特定パターンを形成するために塗布されたフォトレ
ジストをエチルラクテート、γ−ブチロラクトン及びエ
チル−3−エトキシプロピオネートとを混合して調製し
たシンナー組成物を使用して除去する工程を備えること
を特徴とするものである。本願発明のシンナー組成物を
用いることにより、体半導体装置の全収率を高めること
ができる。
度、揮発性及び粘度の面で比較例と比較して示す。
めに提示されたもので、本発明の範囲を限定するもので
はない。
定実験 商用的に購入して使える各種フォトレジストのうちDS
SM−200及びDPR−2053について、本発明に
よるシンナー組成物とその他商用的に購入して使える他
のシンナーとを用いて溶解速度を測定した。実験条件は
半導体製造用のシリコンウェーハ上に前記フォトレジス
トを12,000Åないし32,000Åの範囲の厚さ
で塗布し、100ないし110℃以上の温度で少なくと
も90秒以上ソフトベークした。測定装置としてDRM
を用い、それぞれの実験結果を実験条件により区分して
その結果を表1及び表2にそれぞれ示す。
エトキシプロピオネートとの組成物の場合は、エチル−
3−エトキシプロピオネートの含量が増加するほどフォ
トレジストの溶解速度が増加することが分かる。また、
エチルラクテート、γ−ブチルラクトン及びエチル−3
−エトキシプロピオネートとの組成物の場合は、γ−ブ
チルラクトンとエチル−3−エトキシプロピオネートの
含量が増加するほどフォトレジストの溶解速度が増加す
ることが分かる。従って、この結果により所定の溶解速
度を有するように容易に調節することができる。
クトン及びエチル−3−エトキシプロピオネートとの組
成物の場合は、γ−ブチロラクトンとエチル−3−エト
キシプロピオネートとの含量が増加するほどフォトレジ
ストの溶解速度が増加するものの、エチルラクテートの
含量が20重量%未満の場合はかえって減少する傾向が
あることが分かる。従って、この結果により所定の溶解
速度を有するように容易に調節できる。
されるスピンコーターを用い、ウェーハの上にシンナー
1mlを滴下した後、1,000ないし5,000rp
mの範囲で回転数を変化させながら回転させ、ウェーハ
のエッジ付近までシンナーが完全に揮発される時間を測
定した。その結果を表3に示す。
エトキシプロピオネートとの混合物よりなるシンナー組
成物は、エチルラクテート又はエチル−3−エトキシプ
ロピオネートを単独で使用した場合とほぼ類似した揮発
速度で迅速にかつエッジ付近まで完全に揮発されること
を示している。また、γ−ブチロラクトンは揮発性が著
しく低いものの、フォトレジストに対する優れた溶解速
度を有しており、これを混合したシンナーの場合は、エ
チルラクテート又はエチル−3−エトキシプロピオネー
トを単独で使用した場合とほぼ類似した揮発速度で、迅
速にかつエッジ付近まで完全に揮発されることを示して
いる。また、エチルラクテートの含量が増加するほど揮
発性がコンスタントに増加しており、所定の揮発性を有
するように容易に調節できることがわかる。
に示す。
噴射システム及びノズルで適切な噴射圧を有するように
調節するために必須の要素であって、シンナーの高粘度
化は必要以上の圧力損失を起こす原因となる。
合はエチルラクテートとエチル−3−エトキシプロピオ
ネートとを混合した後でも依然としてエチルラクテート
を単独で使用した場合と比較して低粘度であり、ノズル
からの噴射時に過多な圧力損失を誘発しないことが分か
る。また、γ−ブチロラクトンは比較的高粘度ではある
ものの、フォトレジストに対する優れた溶解速度を示
し、これを混合して使用した場合もかなり低粘度に保つ
ことができ、ノズルからの噴射時に過多な圧力損失を誘
発しないことがわかる。また、エチル−3−エトキシプ
ロピオネートの含量が増加するほど粘度はコンスタント
に減少しており、所定の粘度をもつように容易に調節で
きることが分かる。
ォトレジスト洗浄用シンナー組成物はフォトリソグラフ
ィー工程における不良品として回収されるウェーハや工
程管理のために任意に取り出したテスト用ウェーハから
その表面に付着しているフォトレジストを取り除く際に
も使用することができ、この場合は前述したようなリン
ス作業とは異なり、本発明によるシンナー組成物が入っ
た容器にフォトレジストが被覆されたウェーハを含浸さ
せフォトレジストを取り除くことによりウェーハを再使
用することができるようになる。これは次第にウェーハ
が大口径化することにより一枚一枚のウェーハを再生す
ること自体が経済性の見地から十分な価値を有するもの
であると評価できる。
ズルから噴射してウェーハ上のフォトレジストをリンス
する際に、十分な溶解速度を有し、しかも高揮発性と低
粘性とをあわせもつシンナー組成物が得られることによ
り、ウェーハのエッジリンスや裏面フォトレジストを素
早くかつ経済的に除去することができる。その結果、半
導体装置の収率を向上させることができる。
る不良品として回収されるウェーハや工程管理のための
任意に取り出されたウェーハからその表面に付着してい
るフォトレジストを取り除いてウェーハを再使用できる
ようになり、ウェーハの再利用及び経済的な使用が可能
となる。
具体例についてのみ詳細に説明したが、本発明の技術思
想の範囲内で多様な変形及び修正が可能なのは当業者に
とって明らかであり、この変形及び修正は特許請求の範
囲に属することは当然である。
程で現れ得るテーリング現象を概略的に示した平面図で
ある。
程で現れ得るフォトレジストアタック現象を概略的に示
した平面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体装置製造工程でウェーハ上の不要
なフォトレジストを取り除くためのシンナー組成物であ
って、 エチルラクテート20ないし60重量%、γ−ブチロラ
クトン1ないし8重量%及びエチル−3−エトキシプロ
ピオネート39ないし72重量%を混合してなることを
特徴とするフォトレジスト洗浄用シンナー組成物。 - 【請求項2】 半導体装置製造工程でウェーハ上の不要
なフォトレジストを取り除くためのシンナー組成物であ
って、 エチルラクテート20ないし40重量%、γ−ブチロラ
クトン2ないし6重量%及びエチル−3−エトキシプロ
ピオネート58ないし74重量%を混合してなることを
特徴とするフォトレジスト洗浄用シンナー組成物。 - 【請求項3】 半導体基板上に特定パターンを形成する
ために塗布されたフォトレジストを請求項1又は2に記
載のシンナー組成物を使用して除去する工程を備えるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1996-41507 | 1996-09-21 | ||
KR1019960041507A KR100234532B1 (ko) | 1996-09-21 | 1996-09-21 | 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10104847A JPH10104847A (ja) | 1998-04-24 |
JP3105826B2 true JP3105826B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=19474777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09164248A Expired - Fee Related JP3105826B2 (ja) | 1996-09-21 | 1997-06-20 | 半導体製造工程におけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5866305A (ja) |
JP (1) | JP3105826B2 (ja) |
KR (1) | KR100234532B1 (ja) |
CN (1) | CN1097091C (ja) |
DE (1) | DE19720413C2 (ja) |
NL (1) | NL1006930C2 (ja) |
RU (1) | RU2126567C1 (ja) |
TW (1) | TW474982B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100265766B1 (ko) * | 1997-09-04 | 2000-09-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 웨이퍼의 리워크방법 및 반도체장치의 제조방법 |
US6846789B2 (en) | 1998-03-30 | 2005-01-25 | The Regents Of The University Of California | Composition and method for removing photoresist materials from electronic components |
WO1999049998A1 (en) | 1998-03-30 | 1999-10-07 | The Regents Of The University Of California | Composition and method for removing photoresist materials from electronic components |
TW594442B (en) * | 1998-08-05 | 2004-06-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Resist removing method and apparatus |
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JP3401201B2 (ja) * | 1998-12-02 | 2003-04-28 | 東京応化工業株式会社 | 電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤 |
KR100308422B1 (ko) | 1999-04-15 | 2001-09-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 스핀-온-글라스 및 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 |
US6692915B1 (en) | 1999-07-22 | 2004-02-17 | Girish N. Nallur | Sequencing a polynucleotide on a generic chip |
KR100434485B1 (ko) | 1999-10-08 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 스트립퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 스트립 방법 |
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US6682876B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thinner composition and method of stripping a photoresist using the same |
US6589719B1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-07-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoresist stripper compositions |
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KR102465604B1 (ko) | 2016-11-01 | 2022-11-11 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 신너 조성물 |
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-
1996
- 1996-09-21 KR KR1019960041507A patent/KR100234532B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-20 US US08/771,774 patent/US5866305A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-22 TW TW086102303A patent/TW474982B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-02-26 RU RU97102895A patent/RU2126567C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-03-01 CN CN97109669A patent/CN1097091C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-15 DE DE19720413A patent/DE19720413C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-20 JP JP09164248A patent/JP3105826B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-03 NL NL1006930A patent/NL1006930C2/nl active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW474982B (en) | 2002-02-01 |
NL1006930A1 (nl) | 1998-03-24 |
RU2126567C1 (ru) | 1999-02-20 |
CN1177631A (zh) | 1998-04-01 |
DE19720413A1 (de) | 1998-04-02 |
KR19980022379A (ko) | 1998-07-06 |
CN1097091C (zh) | 2002-12-25 |
DE19720413C2 (de) | 1999-07-29 |
NL1006930C2 (nl) | 1999-06-23 |
US5866305A (en) | 1999-02-02 |
KR100234532B1 (ko) | 1999-12-15 |
JPH10104847A (ja) | 1998-04-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080901 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080901 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130901 Year of fee payment: 13 |
|
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